UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUBÁ

Introdução aos Semicondutores

Leonardo B. Zoccal
(lbzoccal@unifei.edu.br)
ELT303 – Eletrônica Analógica I
Introdução aos Semicondutores
• Tecnologia atual de fabricação de dispositivos
discretos e circuitos integrados concentra-se
nos materiais:
– Condutores;
– Isolantes;
– Semicondutores.

• Considera-se a propriedade destes materiais

em conduzir a corrente elétrica com maior (ou
2
menor) facilidade.
 Introdução aos Semicondutores
Material condutor é qualquer material que sustenta um
grande fluxo de carga ao se aplicar uma fonte de tensão
de amplitude limitada através de seus terminais.

Material isolante é qualquer material que oferece um nível

muito baixo de condutividade quando submetido a uma
fonte de tensão.

Material semicondutor possui um nível de condutividade

entre os extremos de um isolante e de um condutor.

3
 Introdução aos Semicondutores
V = R·I (a condutividade está + V -
relacionada com a resistência de um
material)

O coeficiente térmico da resistividade A I

de um semicondutor é negativo (T, ρ )

resistividade
r L L
R
A
Material Classificação Resistividade (r)
Cobre Condutor 10-6 [W.cm]
Mica Isolante 1012 [W.cm]
Silício (Si) Semicondutor 50·103 [W.cm] 4
Introdução aos Semicondutores
• Atualmente, os semicondutores são
amplamente utilizados para a fabricação dos
dispositivos de estado sólido (diodos,
transistores, etc);

• Fabricação com alto grau de pureza;

• Modificação das características elétricas em

função da: dopagem, temperatura e da luz
(dispositivos especializados – sensores p.ex.).
5
Introdução aos Semicondutores
• Existe uma grande variedade de materiais
semicondutores além do Silício (Germânio – Ge,
Arseneto de Gálio – GaAs, etc.);

• Silício  20 a 30% da crosta terrestre;

• Este curso será focado no Silício, porém, todos

os aspectos qualitativos mencionados podem
ser estendidos a qualquer outro material
semicondutor.
6
Introdução aos Semicondutores
Quando os átomos do Si se combinam para formar um
sólido, eles são arranjados segundo um padrão ordenado
chamado cristal

Núcleo

O cristal de Si tem estrutura de Representação planar do átomo de

diamante tridimensional Si é mais simples 7
Introdução aos Semicondutores
Átomo Isolado de Si
Modelo de Bohr

Núcleo A última órbita (chamada de

órbita de valência) é a mais
importante

DETERMINA AS
Estrutura é PROPRIEDADES QUÍMICAS E
eletricamente neutra ELÉTRICAS DO MATERIAL
14 e- = 14p

O átomo de Si é tetravalente (possui 4e- na órbita

de valência) 8
Introdução aos Semicondutores
Os átomos da órbita de valência
podem ser liberados através do
fornecimento de energia (por
Núcleo
exemplo calor e luz)

Quanto maior a órbita do elétron

maior será sua energia potencial
(em relação ao núcleo)

Os átomos tendem buscar a estabilidade química

completando todos os seus níveis de energia.
No caso do silício, são necessários mais 4
elétrons.
9
Introdução aos Semicondutores
Ligação
Covalente

Núcleo

Órbita de
Valência

Os quatro elétrons que faltam são conseguidos através do

compartilhamento dos elétrons da última camada. Este tipo de
ligação é conhecida como LIGAÇÃO COVALENTE.
10
 Introdução aos Semicondutores
Ligação
Covalente

Núcleo

Órbita de
Valência
Durante o processo de fabricação, os semicondutores são cuidadosamente
refinados para se obter a redução de impurezas a um nível muito baixo.
Esses semicondutores puros são conhecidos como MATERIAIS
INTRINSECOS. A obtenção de semicondutores intrínsecos pode apresentar
um grau de pureza de 1:1010 11
 Introdução aos Semicondutores
Ligação
Covalente

Núcleo

Órbita de
Valência

O cristal de Silício é eletricamente neutro (nenhuma carga foi

retirada ou introduzida)
12
Introdução aos Semicondutores
A energia total de um elétron pode ser identificada pelas
dimensões de sua órbita

Cada raio possui um

equivalente ao nível de energia

Núcleo

13
Introdução aos Semicondutores
Níveis de Energia

Os elétrons apresentam níveis discretos de energia ocupando

somente órbitas bem definidas em relação ao núcleo, existindo um
“gap” (região proibida) entre as órbitas
A energia ΔE para o elétron ir
da órbita inferior para a órbita
superior deve ser maior ou
igual ao GAP

A energia ΔE fornecida pode

ser na forma de calor ou luz

Para voltar a órbita anterior, o

elétron deve liberar a energia
ΔE armazenada (liberação na
forma de calor ou luz)
14
Introdução aos Semicondutores
Níveis de Energia

Conforme os átomos são reunidos para formar a

rede cristalina, os elétrons de uma órbita particular
podem apresentar níveis de energia ligeiramente
distintos dos elétrons na mesma órbita de um
átomo adjacente

Com isso ocorre a

expansão dos níveis
discretos dos estados de
energia possíveis para os
elétrons de valência para
aquelas bandas

15
Introdução aos Semicondutores
Níveis de Energia

Isolante Condutor

Semicondutor

A energia associada a cada elétron é medida em elétron-volts (eV) 16

1 eV = 1,6·10-19 J (W = Q·V)
Introdução aos Semicondutores
Níveis de Energia
O calor (energia térmica ≥ GAP à
≈ 25oC = temperatura ambiente)
rompe algumas ligações
covalentes gerando portadores
livres. Os elétrons passam da
banda de valência para a banda
de condução (para o silício
intrínseco ≈ 1,5·1010
portadores/cm3);
No espaço deixado pelo elétron
surge uma lacuna;

Quanto menor Eg maior o

número de portadores livres
17
Introdução aos Semicondutores
Níveis de Energia
O par elétron-lacuna gerado
pela energia térmica recebe o
nome de geração térmica de
pares elétron-lacuna;

O reestabelecimento da ligação
covalente (elétron “encontra” a
lacuna) recebe o nome de
recombinação e o elétron deve
perder energia (calor ou luz);

Para uma temperatura

ambiente constate a geração
térmica de pares elétrons-
lacunas e recombinação tem-se
uma situação de equilíbrio. 18
 Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P

As características dos materiais semicondutores podem ser

consideravelmente alteradas pela adição de determinados átomos de
impurezas no material semicondutor relativamente puro;

Dopagem é a inserção de impurezas no material de forma controlada;

Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado

de MATERIAL EXTRÍNSECO;

Há dois materiais extrínsecos imprescindíveis para a fabricação de um

dispositivo semicondutor:

material do tipo N;
material do tipo P. 19
Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P

MATERIAL TIPO N
O material do tipo n é criado com a
introdução dos elementos de
impureza que tem cinco elétrons
de valência (pentavalente) como
antimônio, arsênio e fósforo;

As impurezas difundidas com

cinco elétrons de valência são
chamados de átomos doadores;

As ligações covalentes ainda estão

presentes e o quinto elétron está
relativamente livre para se mover.
20
 Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P
MATERIAL TIPO N
Banda de Condução
0,05 [eV]
1,1 [eV]
Nível de Energia dos Doadores
Geração Térmica - Pares Elétron-Lacuna
Banda de Valência
O aumento da concentração de elétrons
na banda de condução aumenta a
condutividade do material
A dopagem “acrescenta” um nível
discreto de energia (chamado nível
doador) na banda proibida com um
Eg bem menor do que o material
intrínseco.
Elétrons “livres” devido à impureza
adicionada se estabelecem nesse
nível de energia e têm menos
dificuldade para absorver uma
quantidade suficiente de energia
térmica para mover-se em direção a
banda de condução à temperatura
ambiente.
21
 Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P

MATERIAL TIPO N

A maioria dos elétrons na banda de

condução surgiu como consequência da
dopagem. As lacunas na banda de
valência foram produzidas pelo
processo de geração térmica.

Banda de Condução
0,05 [eV]
Nível de Energia dos Doadores
1,1 [eV]
Geração Térmica - Pares Elétron-Lacuna
Banda de Valência
Os elétrons estão em maioria e são
ditos portadores majoritários.
As lacunas estão em minoria e são
chamadas de portadores
minoritários.
22
Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P

MATERIAL TIPO P
O material do tipo p é criado com a
introdução dos elementos de
impureza que tem três elétrons de
valência como boro, gálio e índio;
As impurezas difundidas com três
elétrons de valência são
chamados de átomos
aceitadores;

Há um número insuficiente de
elétrons para completar as ligações
covalentes. A lacuna resultante
aceitará rapidamente um elétron
“livre”. 23
 Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P

MATERIAL TIPO P

Banda de Condução
A dopagem “acrescenta” um nível
Geração Térmica - Pares Elétron-Lacuna
discreto de energia (chamado nível
1,1 [eV] Nível de Energia dos Aceitadores aceitador) na banda proibida com
um Eg bem menor do que o material
0,05 [eV]
intrínseco.
Banda de Valência

24
 Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P

MATERIAL TIPO P

A maioria das lacunas na banda de

valência surgiu como consequência da
dopagem. Os elétrons na banda de
condução foram produzidas pelo
processo de geração térmica.

Banda de Condução

Geração Térmica - Pares Elétron-Lacuna Os elétrons estão em minoria e são

ditos portadores minoritários.
1,1 [eV] Nível de Energia dos Aceitadores

0,05 [eV]
As lacunas estão em maioria e são
chamadas de portadores
Banda de Valência majoritários. 25
 Introdução aos Semicondutores
Um semicondutor dopado possui 10 bilhões de átomos de silício
e 15 milhões de átomos pentavalentes. Se a temperatura
ambiente for de 25oC, quantos elétrons livres e lacunas existem
dentro do semicondutor?

Cada átomo pentavalente contribui com um elétron livre.

Portanto, o semicondutor tem 15 milhões de elétrons livres
produzidos pela dopagem.
Não devem existir muitas lacunas em relação aos
elétrons livres (há somente aquelas produzidas pela energia
térmica).

26
 Introdução aos Semicondutores
Em um semicondutor intrínseco, a densidade de elétrons, n, é
igual à densidade de lacunas, p.

Em um material dopado
2
n  p  ni

n e p representam, respectivamente, as densidades de

elétrons e de lacunas no semicondutor extrínseco.
A quantidade ni, representa as densidades no semicondutor
intrínseco e, portanto, independe do grau de dopagem.
27
Introdução aos Semicondutores
Materiais Extrínsecos do tipo N e P
Fluxo de elétrons e lacunas
Movimento da Lacuna
Movimento do Elétron
A mobilidade dos elétrons livres na banda de
condução é de 2 a 3 vezes maior
O movimento da lacuna é
no sentido contrário ao do
elétron. Sendo assim, ela
pode ser modelada como
um portador de carga
positiva.
A banda de valência está
mais saturada (“cheia”)
que a banda de condução.
Desse modo a mobilidade
das lacunas é inferior à
mobilidade dos elétrons.
28
Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Deriva
Na presença de uma diferença de potencial (campo elétrico) existe a aceleração
dos portadores de carga no material forçando alguns a fluírem de um lado ao
outro. O movimento de portadores de carga devido a um campo elétrico é
chamado “deriva” (drift).

A aceleração devida ao campo e

a colisão com o cristal têm ações
opostas, o que resulta em uma
velocidade constante para os
portadores

29
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Deriva µ é a mobilidade - cm2/(V∙s)

Para o Silício:

µn = 1350 cm2/(V∙s) (mobilidade dos elétrons)

µp = 480 cm2/(V∙s) (mobilidade das lacunas)

v  E

 
Elétrons se movem em direção
v   E
e n
   E
v 
oposta ao campo elétrico 30
h p
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Difusão

Quando portadores de carga são injetados em um

semicondutor (criar uma densidade não uniforme)
ocorre um fluxo de cargas da região de maior
concentração para a região de menor concentração

Mesmo na ausência de um campo elétrico, os

portadores se movem em direção às regiões de baixa
concentração (transportam uma corrente elétrica
enquanto a não uniformidade é mantida). 31
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Difusão

Quanto mais não uniforme for a concentração de

portadores, maior será a corrente

n denota a concentração de portadores em um dado

dn ponto ao longo do eixo x.
i
dx dn/dx é o gradiente da concentração em relação a x.
32
 Anexos:

Cálculo das correntes de Deriva

e Difusão
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Deriva

Tensão V1 aplicada a uma barra de A distância x será percorrida com uma

semicondutor uniforme, cuja densidade velocidade v em ∆t (t1 – t) segundos
de elétrons livres é n [átomos/m3]
A carga total transportada na seção W/h
x  v  t
será:
34
-W∙h∙n∙q (onde q = 1,6∙10-19 C) [C/m]
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Deriva

-W∙h∙n∙q (onde q = 1,6∙10-19 C) [C/m]

Q  W  h  n  q  v  t
x  v  t i 
t t
A variação total de carga através da
distância x será: i  W  h  n  q  v
35
∆Q = -W∙h∙n∙q∙v∙∆t [C]
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Deriva

i  W  h  n  q  v Jn denota a densidade de corrente, ou seja, a corrente

que flui por uma seção reta de área unitária.
v  n  E A corrente (densidade de corrente) é
igual à velocidade da carga multiplicada
J n   n  E  n  q [ A / cm 2 ] pela densidade da carga 36
Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Deriva

J tot   n  E  n  q   p  E  p  q J tot  q   n  n   p  p  E
Esta equação fornece a corrente de deriva em resposta a um campo
elétrico E em um semicondutor com densidades uniformes de elétrons
e de lacunas 37
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Difusão

Para cada portador de carga q em um

semicondutor com seção reta de área A

Dn é um fator de proporcionalidade chamado

dn
i  A q  constante de difusão e expresso em cm2/s
dx
Para o silício intrínseco
dn
i  A  q  Dn  Dn = 34 cm2/s (elétrons)
dx Dp = 12 cm2/s (lacunas) 38
 Introdução aos Semicondutores
Transporte de Portadores
Difusão

dn
i  A  q  Dn 
dx

dn  dn dp 
J n  q  Dn  dx J tot  q   Dn  dx  D p  dx 

dp O sinal negativo em JP é necessário para que a

J p  q  D p  dx corrente tenha um valor positivo. Como p diminui ao
longo do material dp/dx é negativo
39