UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUBÁ

Teoria do Diodo
Partes 1 e 2

Leonardo B. Zoccal
(lbzoccal@unifei.edu.br)
ELT303 – Eletrônica Analógica I
 Diodo Semicondutor
• Junção PN acrescida de duas regiões (N+ e P+) para fazer
um contato ôhmico (segue a lei de Ohm: V = R·I) com os
terminais; N+ e P+ são dopagens muito elevadas.
• Contato ôhmico  baixo valor de resistência.

Junção PN Região de Depleção

Terminal + +
Terminal
P Cristal P Cristal N N
(metal) (metal)

WO
contato contato
ôhmico ôhmico 2
 Diodo Semicondutor
Polarização Direta e Reversa

• Levantamento de suas propriedades elétricas através das

curvas características;
• Tirar o dispositivo da condição de equilíbrio através da
polarização;
• Diodo polarizado diretamente apresenta uma baixa
resistência (RCONTATOS + RCORPO);

• Prever resistor limitador de corrente externo;

• Diodos de Sinal (baixa potência) e Retificadores (alta

potência).
3
 Diodo Semicondutor
Observação

Não é necessário contabilizar os portadores

minoritários na corrente direta;

Simbologia (Invólucro)
VD
+ -
Anodo Catodo

ID N P
4
 Diodo Semicondutor
Alguns Exemplos de Encapsulamentos

5
 Diodo Semicondutor
Alguns Exemplos de Encapsulamentos

6
Diodo Semicondutor
Curva Característica
ID
IDmax Polarização Direta
Diodo "ON"

VD
+ -

IS ID
BV

VT VD

VR
- +

IS
Polarização Reversa
Diodo "OFF" 7
 Diodo Semicondutor
A equação de Shockley é deduzida a partir de conceitos da
Física do Estado Sólido. É válida para o diodo operando
fora da região de ruptura e para níveis de corrente não tão
elevados (fora da região de alta injeção). Idealiza a relação
V D
I x V.
+ -
Anodo Catodo

Atenção:
ID
 VvD  vt é a tensão equivalente
ID  IS . e t  1
  de temperatura. Não
  confundir com a tensão de
K .T joelho VT ( 0,7V p/ o diodo
vt   25 [mV] @ 25 C
q de Si e 0,3V p/ o de Ge)
vt  UT  t 8
 Diodo Semicondutor
η tem um valor entre 1 e 2, dependendo do material
e da estrutura física do diodo. Em geral, será
assumido η = 1, a menos que o contrário seja
especificado.

 VvD 
ID  IS . e t
 1
 
 
K .T
vt   25 [mV] @ 25 C
q
vt  UT  t
9
 Diodo Semicondutor
Níveis de Resistência
Apesar de se tratar de um componente altamente não linear,
o diodo semicondutor pode ter partes de sua curva
característica linearizadas. Em outras palavras significa
tornar uma porção desta curva expressa pela lei de Ohm.
Este procedimento acarreta na definição de alguns níveis de
resistência (na polarização direta), a saber:
• Resistência Estática (Resistência DC - RD);
• Resistência Dinâmica Incremental (Resistência AC
Incremental - rd);
• Resistência Dinâmica Média (Resistência AC Média - rAV).
10
 Diodo Semicondutor
Níveis de Resistência
Para efeito de modelamento (linearização de partes
da curva característica), será considerado que o
diodo na condição de polarização reversa (antes
da ruptura) é uma resistência de altíssimo valor.
Na prática isto significa que este valor é muito
maior (pelo menos 10 vezes) que o maior resistor
presente no circuito.
Normalmente, esta condição é simbolizada pelo seu
comportamento idealizado que é uma chave aberta.
11
 Diodo Semicondutor
Resistência Estática
ID A resistência DC é a relação
direta entre os valores DC de
tensão e corrente no diodo

VDQ
RD 
I DQ
Q
IDQ
Ponto de Será maior para regiões próximas ou
Operação
abaixo do joelho da curva e
apresentará um elevado valor na
VD
VDQ polarização reversa (antes da
ruptura).
12
 Diodo Semicondutor
Resistência Dinâmica Incremental
A resistência AC Incremental prevê a
movimentação do ponto Q pela presença de um
sinal variante no tempo superposto aos níveis DC

DVD
rd 
DI D

Desde que estas variações sejam pequenas

(operação a pequeno sinal – sinais incrementais),
a curva se confunde com a reta tangente no ponto
(derivada). Esta resistência depende do formato da
curva.
13
 Diodo Semicondutor
Resistência Dinâmica Incremental
Uma regra é considerar
variações máximas
menores do que 5mV de
amplitude.

Considerando a expressão
em série da função ID com
essa regra, os termos
quadráticos podem ser
desprezados.
14
 Diodo Semicondutor
Resistência Dinâmica Incremental
A derivada de uma função em um
ponto é igual a inclinação da reta
tangente traçada nesse ponto

 VD  VD
 
I D  IS  e vt  1  IS  e vt  I D  IS
 
1
 
DVD dVD
dI D VD 1 rd  
 IS  e vt  2 DI D dI D Q
dVD   vt
  25[mV]
Substituindo 1 em 2  rd 
I DQ
dI D 1 1
  I D  IS    ID
dVD   vt   vt
15
 Diodo Semicondutor
Resistência Dinâmica Incremental
  25[mV]
rd 
I DQ

η=1

η=2
16
 Diodo Semicondutor
Resistência Dinâmica Incremental - Observação
Esta resistência foi deduzida a partir da equação de Shockley
que modela apenas o comportamento da junção PN. As
resistências de corpo dos materiais semicondutores das
regiões do Anodo e do Catodo e as resistências dos
contatos ôhmicos (idealmente deveriam ser zero) não
fazem parte desta formulação. É comum, então,
encontrarmos:

r'd  rd  rB

rB representa as contribuições adicionais e pode variar de 0,1

a 2 ohms dependendo do tipo de dispositivo. Diodos de
sinal, maior rB e diodos de potência, menor rB. 17
 Diodo Semicondutor
Resistência Dinâmica Média
ID
Se o sinal variante no tempo provocar
deslocamentos muito grandes ao
redor do ponto de operação, é
necessário definir uma resistência AC
média. Este valor de resistência é
calculado tomando-se uma linha reta
que une os dois pontos extremos das
ID
variações do sinal e fazendo-se a
relação entre a tensão e a corrente.

DVD
VD rAV 
VD DI D ponto a ponto
18
 Diodo Semicondutor
Circuitos Equivalentes (Modelos) do Diodo
Circuito equivalente é uma combinação de elementos de
circuito (resistores, capacitores, fontes de tensão, etc)
propriamente escolhidos, para representar, com um certo
grau de precisão, as características globais ou em um
determinado ponto de operação, um dispositivo ou um
sistema
Um sinônimo para circuito equivalente é Modelo e está se
tentando deixar o dispositivo (ou sistema) linear

O uso de modelos simplifica a análise de um circuito que

contenha componentes altamente não lineares
19
 Diodo Semicondutor
Modelo Ideal

ID
VD = 0 Idealmente, o diodo é
+ -
modelado como uma
ID chave fechada
(polarização direta) e
como uma chave
VD aberta (polarização
VR reversa). Também
- +
chamado de primeira
aproximação.
IR = 0
20
 Diodo Semicondutor
Modelo Simplificado

ID
VD = VT
O diodo se torna
+ -
uma chave fechada
+ -
VT depois de vencido
o joelho da curva
ID (consegue manipular
VT VD valores expressivos
de corrente).
VR Também chamado
- +
de segunda
aproximação.
IR = 0
21
 Diodo Semicondutor
Modelo Linear por Partes

ID
VD = VT + ID.rAV
+ - Incorpora o valor
+ - rAV da resistência
VT dinâmica média.
ID
Chamado de
terceira
VT VD aproximação.
VR
- +

IR = 0
22
 Diodo Semicondutor
1) Utilize as três aproximações apresentadas para calcular
a corrente na carga, a tensão na carga, a potência na
carga, a potência no diodo e a potência total na figura
abaixo. Um 1N4001 tem uma resistência de corpo de
0,23Ω.

23
 Diodo Semicondutor
Neste ponto, pode surgir a dúvida sobre qual dos modelos
utilizar. Normalmente, o modelo simplificado atende a
maioria das análises de circuitos com diodos
Contudo, sempre que possível, deve-se avaliar os valores
das tensões aplicadas e de outras resistências do
circuito. Se estas forem muito superiores aos valores de VT
e de rAV (pelo menos dez vezes maior) o modelo ideal
levará a resultados com um grau de imprecisão de no
máximo 10%
Quando as tensões aplicadas e outras resistências forem da
mesma ordem de grandeza de VT e rAV torna-se necessário o
uso do modelo linear por partes
24
 Diodo Semicondutor
2) Que valor deve ter R2 na figura abaixo para que a
corrente no diodo seja de 0,25 mA?

25
 Diodo Semicondutor
Efeitos Capacitivos
Existem dois efeitos capacitivos a serem considerados. Ambos
estão presentes nas condições de polarização direta e reversa,
entretanto, apenas um deles é dominante, simplificando, assim, a
análise.
Na polarização reversa predomina a Capacitância de Junção (CJ)

Na polarização reversa tem-se um material isolante (região de

depleção) entre duas regiões com cargas acumuladas.
26
 Diodo Semicondutor
Efeitos Capacitivos
Existem dois efeitos capacitivos a serem considerados. Ambos
estão presentes nas condições de polarização direta e reversa,
entretanto, apenas um deles é dominante, simplificando, assim, a
análise.
Na polarização reversa predomina a Capacitância de Junção (CJ)

Um diodo especializado, chamado Varicap, muito utilizado

em circuitos de sintonia, está otimizado para atuar como um
27
capacitor variável com base neste fenômeno.
 Diodo Semicondutor
Capacitância de Difusão
Na polarização direta predomina a Capacitância de Difusão (CD).
Quando os portadores se difundem através da junção, eles levam
um determinado tempo para se recombinarem.
Até que a maioria dos portadores se recombine, eles ficam
“armazenados” o que equivale a modelar este comportamento
como um capacitor.

28
 Diodo Semicondutor
Capacitância de Difusão
Quanto maior a corrente direta, maior o armazenamento de
cargas, maior efeito capacitivo.

Pelo fato de estar relacionada à difusão de portadores, esta

capacitância recebeu o nome de capacitância de difusão.

29
 Diodo Semicondutor
Capacitância de Junção e Difusão versus
polarização aplicada em um diodo de Si

30
 Diodo Semicondutor
Tempos de recuperação
Ao se aplicar um sinal de freqüência muito
elevada (uma onda quadrada por exemplo), os
efeitos capacitivos impedirão que o dispositivo
responda instantaneamente. Existirão os
chamados tempos de recuperação direto (trd) e
reverso (trr)
O tempo de recuperação reverso (passar da
polarização direta para a polarização reversa) é o
maior dos dois e representa o tempo de
recuperação dominante (devido a capacitância
de difusão) 31
 Diodo Semicondutor
Tempos de recuperação
D1

D1N4148 Circuito Simples para a

Verificar o
Vin(t) RL Chaveamento de um
1[K]
Diodo de Sinal

Vin(t) [V] Comando p/

10ns Desligar D1 30ns
10

Comando
t p/
0
20ns Ligar D1
-5

-10
32
 Diodo Semicondutor
D1
Tempos de recuperação
D1N4148 ID [A]

Vin(t) RL 20m trr

1[K]
15m

10m

5m
Vin(t) [V] 10ns 20ns t
10ns 30ns
10
30ns
5 -5m
t
0
20ns
-10m
-5
-15m
-10

VD [V]

2 10ns 30ns
0
20ns t
-2
-4
-6
-8
33
-10
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperação
trr = ts + tt
trr: tempo de recuperação reversa
ts: tempo de armazenamento
tt: tempo de transição

Devido ao grande número de

portadores minoritários em cada
material, a corrente no diodo será
simplesmente invertida
permanecendo nesse nível pelo
tempo ts, necessário para os
portadores minoritários voltarem ao
seu estado de portadores majoritários
no material oposto.
34
Diodo Semicondutor
Tempos de recuperação
trr = ts + tt
trr: tempo de recuperação reversa
ts: tempo de armazenamento
tt: tempo de transição

Quando a fase de armazenamento

tiver passado, a corrente será
reduzida ao nível associado ao
estado de não-condução. Esse
segundo período de tempo é
denotado pelo intervalo de transição
(tt).

35
 Diodo Semicondutor
Tempos de recuperação

Para diodos de sinal o valor do tempo de recuperação

reversa está na casa de unidades a dezenas de nS.

Diodos retificadores já apresentam um tempo de

recuperação reversa da ordem de unidades a dezenas de
mS.

Existem diodos especializados, construídos com uma

junção metal-semicondutor (diodo Schottky), que
apresentam um tempo de recuperação reversa de
picosegundos. Estes diodos podem operar, então, em
freqüências muitas elevadas (centenas de MHz).
36
 Diodo Semicondutor
3) Esboce a forma de onda para a corrente i do circuito da
figura abaixo se tt=2ts, sendo o tempo de recuperação
reversa total de 9ns.

37
Parte 2

38
 Diodo Semicondutor
Dissipação de Calor – Hipérbole de Potência
O diodo dissipa potência na polarização direta
proporcionalmente ao produto ID x VD. Este valor é uma
constante e depende, basicamente, do volume de silício
empregado e do encapsulamento. O produto define, no plano
ID = f(VD), o que se chama de Hipérbole de Potência

A princípio, podemos classificar os diodos em dois grandes

grupos:
Diodos de Sinal – Trabalham em baixa potência
(tipicamente abaixo de 1 W) e são mais rápidos;
Diodos Retificadores – Maior potência e mais lentos
(freqüência industrial – 60 Hz). 39
 Diodo Semicondutor
Dissipação de Calor – Hipérbole de Potência
O ponto quiescente
(Ponto Q) deverá
ID
ficar abaixo da
IDmax hipérbole de potência
para garantir uma
operação segura do
ID x VD = cte dispositivo (SOA –
Esta constante é PDMAX Safe Operating
Area).
Q

VT VD 40
 Diodo Semicondutor
Folhas de Dados
Basicamente, dois tipos de informação
Absolute Maximum Ratings (Limiting Values) (Valores
Máximos Absolutos ou Valores Limites): Valores que, se
excedidos, provocam a destruição do dispositivo ou a
degeneração de seu comportamento elétrico, diminuindo,
assim, a confiabilidade e a vida útil do dispositivo

Electrical Characteristics (Características Elétricas): Tabelas

com Valores Típicos e suas dispersões, Curvas, Circuitos
Típicos, que auxiliam o desenvolvimento de um projeto

41
 Diodo Semicondutor
Folhas de Dados
Alguns Dados Importantes para Diodos

Máxima Corrente Direta @ Temperatura Específica

Máxima Tensão Direta @ Temperatura Específica
Máxima Dissipação de Potência @ Temperatura Específica
Faixa de Temperatura de Operação
Níveis de Capacitância
Tempo de recuperação Reverso
Tensão Direta Típica @ Nível de Corrente e Temperatura
Específicos 42
 Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Informações Gerais, Aplicações, Descrição do Dispositivo, etc 43

 Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Valores Máximos Absolutos (Valores Limites) 44

 Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Características
Elétricas

45
 Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Curvas
Características

46
 Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Circuito
Teste

47
 Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Informações
Mecânicas

48
 Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multímetro Digital

Os multímetros digitais
apresentam, dentro de
sua seção ohmímetro,
uma função especial
(normalmente identificada
pelo símbolo de um
diodo) que permite
avaliar a condição de
junções PN
49
 Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multímetro Digital
Nesta função, o multímetro injeta uma corrente constante
no diodo sob teste e processa o resultado de forma a dar o
valor da barreira de potencial equivalente quando
polarizado diretamente. Esta corrente situa-se, tipicamente,
na faixa de umas poucas unidades de mA.
Quando polarizado reversamente, a indicação é tal que
representa a impossibilidade de circular corrente pelo diodo
(lembrar que nesta situação ele é, idealmente, uma chave
aberta).
Com base nestas indicações é possível identificar
claramente as condições: diodo em bom estado, diodo em
curto e diodo aberto. 50
 Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multímetro Digital
Diodo sob Teste
1N4001 – Retificador

Polarizado Diretamente
Indicação da Barreira:
556 mV

Polarizado Reversamente
Indicação de “infinito”
Não foi possível circular
corrente pelo diodo
51
Conceito da Linha
de Carga
(Reta de Carga)

52
 Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
• Para este tipo de análise é preciso ter em mãos a curva
característica do dispositivo
• Isto pode ser uma desvantagem pois nem sempre é
possível
• Contudo, é importante conhecer esta análise (seu
conceito) que é extensivamente usada em circuitos com
transistores
• É possível traçar uma linha que representa o
comportamento para uma determinada carga sobre as
curvas características
• Se a carga é linear, esta linha se torna uma reta. Daí o
nome Reta de Carga 53
 Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
VD

+
V IL = ID
VL
- RL

V  VD  VL  0 ( KVL ) Tem-se a equação de uma reta com

coeficiente angular de –1/RL e
V  VD  I D . R L  0 intersecção com o eixo y em V/RL e em
VD V V com o eixo x. O plano ID x VD seria
ID   apropriado para plotá-la.
RL RL
54
y   a.x  b
 Conceito da Linha de Carga (Reta
de Carga)
VD = 0 VD V
ID ID   
RL RL Os pontos de
+ intersecção com os
V V/RL eixos correspondem
RL
- Linha de aos extremos de
carga operação do
IDQ Q dispositivo

VD
V Para ID = 0 tem-se
Ao se traçar a linha de carga existirá um VDQ a condição de um
cruzamento com a curva característica circuito aberto e
do diodo. Este cruzamento define o p/ VD = 0 tem-se a
chamado ponto de operação ou ponto
condição de um
quiescente (representado pela letra Q) e
será a solução para o circuito sob V + ID = 0 curto-circuito
análise. Este ponto de operação RL
também poderia ser obtido usando-se a -
equação de Schockley e a equação 55
resultante da aplicação de KVL.
 Análise Através dos Modelos
Circuito Equivalente Ideal

ID
+ VD - ponto Q
VD = 0
ID = V/RL
+
V IL = ID
- RL VL

VD

Lembrando que neste modelo o diodo é representado por

uma chave fechada (curto circuito).
56
 Análise Através dos Modelos
Circuito Equivalente Aproximado
ID
+ VD -
VT ponto Q
+ - VD = VT
+ ID = (V - VT)/RL
V
IL = ID RL VL
-

VD

VT

O modelo inclui, juntamente com a chave fechada, o valor de

barreira a ser vencido representado pela bateria VT.
57
 Análise Através dos Modelos
Circuito Equivalente Linear por Partes
ID
+ VD -
VT rAV ponto Q
VD = VT + ID.rAV
+ + - ID = (V - VT)/(RL + rAV)
V
IL = ID RL VL
-

VD

VT

Acrescida a resistência de corpo e resistências dos contatos.

Representadas por rAV.
58
 Análise Através dos Modelos
Observações
• Utiliza-se a aproximação ideal quando o comportamento do
diodo (ou a sua função) no circuito está sendo avaliado. São
irrelevantes os níveis de tensão e corrente.
• A aproximação simplificada é a mais utilizada. Na maioria
dos casos, as tensões e resistências envolvidas são maiores
que VT e muito maiores que rAV o que leva a resultados
bastante satisfatórios.
• A aproximação linear por partes deverá ser usada,
obrigatoriamente, quando as resistências do circuito forem
da mesma ordem de grandeza de rAV.
59
 Análise Através dos Modelos
Observações

• A tensão VT que aparece nos circuitos equivalentes não é

uma fonte de tensão independente. Ela modela um
efeito que significa o “preço a ser pago” para se ligar um
diodo. Um diodo isolado no laboratório não indicará
nenhuma leitura se um voltímetro for conectado aos seus
terminais.

60
 Análise Através dos Modelos
Dicas de Análise
Ao se analisar circuitos com diodos é preciso saber em que
região (direta ou reversa) ele está polarizado

• Pode-se substituir o diodo por um resistor e verificar o

sentido da corrente convencional resultante. Se este sentido
coincide com a seta do símbolo do diodo, está polarizado
diretamente. Naturalmente, esta condição será verdade se as
tensões aplicadas possuírem valores superiores a VT

• Estando o diodo polarizado diretamente substitua-o pelo

modelo mais adequado e calcule as tensões e correntes
necessárias 61
 Análise Através dos Modelos
Dicas de Análise

• Se o sentido de corrente estiver ao contrário da seta do

diodo o dispositivo estará polarizado reversamente

• Substitua o diodo por um circuito aberto e calcule as

tensões e correntes necessárias

Obs:
Sempre que possível, ter em mãos os valores limites
(tensão e corrente) do diodo para avaliar se o dispositivo
está operando fora de seus limites seguros e garantidos
62