Fundamentos de Electrónica

Díodos
Roteiro

 O Díodo ideal
 Noções sobre o funcionamento do Diodo
semicondutor
 Equações aos terminais
 Modelo de pequenos sinais

Díodo semiconductor 2
O Díodo Ideal
 Um díodo consiste num dispositivo Vd  0 - circuito fechado
capaz de permitir a passagem de Vd  0 - circuito aberto
corrente num sentido e impedir no
sentido oposto.
Símbolo do
díodo
Característica
do díodo Id
ânodo cátodo

+ Vd -
Vd
Id corrente

Díodo semiconductor 3
Modelo simplificado
Id

1 / rd

Vd 0,7V v D  0 .7 V rD

 Devido ao carácter exponencial da característica do Diodo Vd

pode ser bem aproximado por 0.7V para uma grande gama
de diodos.
 A resistência rd assume normalmente valores reduzidos

Díodo semiconductor
4
Rectificador de corrente
Re ctidicador de Corre nte

D1 15

10
V1

A m p lit u d e
10V 100Hz 0Deg 5
R1
0
0 0,005 0,01 0,015 0,02
-5

-10

-15
te m po (s )

2 D2
V1 Rectificador de onda completa
10V 100Hz 0Deg
4 1
15
R1 10
1B4B42
Am plitude
3 5

0
-5 0 50 100 150 200 250

-10
Nota: a massa na saída não é igual á -15

massa na entrada tempo (segundos)

Díodo semiconductor 5
Fonte linear
R1 D1 R2

0.5ohm T1 C1 100ohm D3 R3
200uF 500ohm
311.13V 50Hz
V1
220 V rms Ajuste final num
26:1 programa de simulação
D2

Fonte com tensão DC de 5V e capaz de fornecer 25mA de corrente. Diodo de Zener tem 10 para
Iz=20mA que necessita de uma corrente de cerca de 5mA para funcionar correctamente.
Escolhendo uma tensão de pico no secundário de 12V de forma a distribuir cerca de 3V para
oscilação no condensador, 3V para queda de tensão na resistência, e 1 V de queda de tensão nos
diodos temos:
C1 = I t / V = (25mA+5mA) / 50 Hz / 3 V = 200uF
A resistência R2 deve ser suficientemente pequena para fornecer os 30mA à carga mas deve
limitar ao máximo a corrente no zener (a 30mA) quando a carga é de impedância elevada e a
tensão no condensador toma valores máximos, para limitar a potencia dissipado por este, ou seja
devemos ter R2=3V/ 30mA= 100 . Mas este assunto não é inteiramente desta cadeira.
A resistência R2 é responsável por perdas na fonte.

Díodo semiconductor
6
Fonte comutada
R1 D1 J1

0.5ohm T1 C1 C2 R3
500ohm
311.13V 50Hz
V1
220 V rms
D2

Um exemplo muito simples de uma fonte comutada

(conversor AC/DC).

Sempre que o a tensão em C2 baixe dos 5V J1 liga e desliga

quando subir acima dos 5V. O interruptor liga e desliga com
uma frequência elevada de forma a manter uma tensão
continua de 5V na saída.

Díodo semiconductor 7
Aplicações
Porta OR Porta AND
Circuitos limitadores
D1 VDD
5V
Multiplicador de
D2 tensão
R1
D1 Formatador de Seno
D3

D2 etc

R1
D3

Díodo semiconductor 8
A Junção p-n

 Junção p-n
 É uma aproximação do diodo real.
 Constituída pela junção de dois materiais
semicondutores, tipo-p e tipo-n.

p n

Semicondutor Semicondutor
tipo-p tipo-n

Díodo semiconductor 9
A junção p-n em equilíbrio
termodinâmico
 A junção dos dois semicondutores produz uma corrente de
difusão de electrões livres e de lacunas de tal forma que se forma
uma barreira de potencial.

Região de N N 
depleção E VO  VT ln A 2 D 
V  ni 

+ p - + n -
- +
NA
- + ND
Diferença de
potencial, V < 0
0
Campo eléctrico (E) x
VO
Potencial (V)

Díodo semiconductor 10
A junção p-n em equilíbrio
termodinâmico
0
E 

x 
Campo eléctrico (E) x
V
Potencial (V)  E
x

0
Carga -
+ x
p p0  N A 2
p (x) Escala logarítmica pn 0 
ni
ND
v( x)

n
2
pn ( x )  p n 0 e Vt nno  N D
n p0  i
n(x) NA

p n
Região de depleção - W

Díodo semiconductor 11
Região de depleção
 Devido à recombinação entre electrões e livres e
lacunas existe uma região em que a concentração
destes está bastante abaixo do restante:

Região de depleção
ou região de transição
E
Região de V
depleção

+ p - + n -
- +
- +

Díodo semiconductor 12
Junção polarizada inversamente
 Polarização inversa
- p - + n +
- +
- +

-+
 Provoca o alargamento da região de depleção e o aumento
da barreira de potencial, até bloquear a passagem da
corrente.
 Funciona como um condensador cuja carga é armazenada na
região de depleção.

Díodo semiconductor 13
Junção polarizada directamente
 Polarização directa
+ p - + n -
- +
- +

+-
 Provoca o estreitamento da região de depleção e a
diminuição da barreira de potencial. Facilita a
passagem da corrente.

Díodo semiconductor 14
Equações aos terminais
 Dp D 
 vd
 I s  A q ni 
2
 n 
id  I S  e nVt
 1 L N
 p D Ln N 
A 
  kT
  VT 
q
 25mV

Lp  Dp  p Caracteristca de um Diodo
com Is=10e-14A
Ln  Dn  n 0,1
Vd~0,7V
Tempo de vida médio 0,08
Co rren te (A)
0,06
Comprimento de
difusão 0,04

I S  corrente 0,02

de saturação 0 0,2 0,4

Tensão (V)
0,6 0,8

Díodo semiconductor 15
Região de disrupção
 Se a tensão inversa aplicada a um díodo for muito forte dá-
se um fenómeno de disrupção, segundo o qual o díodo
passa a conduzir. Existem dois efeitos que podem dar
origem á disrupção:
 Efeito de Zener
 O campo eléctrico é suficientemente forte para gerar pares
electrão buraco na região de depleção. Resulta em díodos
com esta região bem definida.
 Efeito de Avalanche
 A energia cinética dos portadores minoritários sobe a
influência do campo eléctrico é suficiente elevada para
quebrar as ligações covalentes.

Díodo semiconductor 16
Sensibilidade à temperatura
 Vbe varia cerca de -2mV/Cº para valores
semelhantes de Ic.

Díodo semiconductor 17
Característica do Díodo
(com zona de disrupção)
Id
Tensão de
Disrupção (Vz)

0.7V Vd

Disrupção

Díodo semiconductor 18
A capacidade da junção
(em polarização inversa)
 Largura variável da região de depleção: Cj
q
 2 s  1 1 
dep 
  

  VO  VR 
 q  N A N D 
N N 
VO  VT ln A 2 D  V
 ni 
 A carga armazenada não é proporcional à tensão. De facto a
tensão aumenta aproximadamente com o quadrado da carga.

Para pequenos C j0
Cj   s q 1
sinais:
1
VR C j0  A
2
N A  N D  VO
1 1 1

C j  A s / dep VO

Díodo semiconductor 19
Modelo de pequenos sinais
vD  VD  vd iD  I D  id
Desde que: vd  VD
vd(t)
id(t)
Id
D1
1 / rd
Vd id(t)

n VT Vd
rd 
ID
vd(t)

Díodo semiconductor 20
Modelo de pequenos sinais
 nvVD 
iD  I S  e  1  f (vD )
t
 nvVD 
  I S e  1
 t

  


  ID  1
f ' VD  
Fórmula de Taylor n Vt n Vt rd

iD  f VD   f ' VD vD  VD  

iD  I D  vd / rd  vD  VD   vd rd 
n Vt
ID

id  vd / rd
vD  VD  vd i D  I D  id

Díodo semiconductor 21
Análise de pequenos sinais (CA)
 Passos
 Análise de grande sinais (CC- corrente continua) para
calcular o Ponto de Funcionamento em Repouso, PFR (Id)
 Cálculo dos parâmetros do modelos de pequenos sinais,
rd.
 Análise de pequenos sinais
 Anular as componentes de CC das fontes, ou seja remover as
fontes de corrente e curto circuitar as fontes de tensão.
 Substituir os componentes não lineares pelos seus
equivalente lineares para pequenos sinais
 Fazer uma análise do circuito resultante
 Opcional: somar as componentes de pequenos sinais (CA)
com as componentes CC.

Díodo semiconductor 22
Modelo de alta-frequência
 Capacidade da junção
Polarização inversa Polarização directa
C j0
Cj  m C j  2C j 0
 VR  Rd Cj Cd
1  
 VO 
n Vt
rd 
 Capacidade de difusão Id
Região de
Q   P IP  nIn depleção
Tipo-p Tipo-n
Q  T I  T  n(x) p (x)
Cd    I
 VT 
LP  D p  p np0 pn 0
Carga  xp xn
armazenada
Díodo semiconductor 23
Circuitos limitadores
V2
12V

Circuito de clamping Duplicador de tensão

2Vpp

Díodo semiconductor 24
Díodos especiais
 Schottky-barrier díodo
 Metal semicondutor tipo n
 Para dopagem elevada não se produz díodo (contactos ohmicos)
 Vd de 0.3 a 0.5V
 Muito utilizado em circuitos de Arseneto de Gálio (As-Ga)
 Varactors
 Condensadores variáveis, coeficiente m=3, 4
 Photodiodes
 Díodo polarizado inversamente
 Fotões incidentes na região de depleção geram pares electrão
lacunas que transportam corrente (sensores de luminancia)
 Polarização directa corresponde às células solares
 LEDs
 A recombinação de pares electrões lacunas gera fotões
 Led+photodiodo = isolador óptico

Díodo semiconductor 25
Modelo SPICE T C j0
C D  Cd  C j  Id  m
VT  VR 
Corrente de Saturação IS IS
10e-14 1  
A
 VO 
Coeficiente de emissão n N 1

Resistência ohmica RS RS 0

VO
 nvVd 
id  I S  e t  1
Tensão intrinseca VJ 1V
RS
Capacidade da junção
CJ 0 CJ  
com polarização nula 0
0F
 
Coeficiente de
gradiente
m M 0,5
+
Id
Vd Cd
Tempo de transito T TT 0s -

Tensão de disrupção VZK BV inf

Corrente inversa na
saturação
I ZK IBV 1e-10A

Díodo semiconductor 26
Lei da junção
O aumento da energia potencial das lacunas (com o aumento do potencial)
implica uma diminuição da energia cinética destas e a diminuição do número
de lacunas

v( x)
v( x)
 n p ( x)  n p 0 e Vt
pn ( x )  pn 0 e Vt

2
p (x) n
pn 0  i
ND

n
2 nno
n p0  i
n(x) NA

p n
Região de depleção - W

Díodo semiconductor 27
Cálculo da corrente aos terminais
pp  N A
 No fim da região de depleção Região
pn (0)
temos: de
vD v D   v ( 0) depleção
pn 0
pn (0)  pn 0 e Vt

e   Lx  vD   2
ni
pn ( x)  pn 0  e  e  1  1
P Vt 0
LP pn 0 
  ND
   
Como nesta zona só existe corrente de difusão (o campo eléctrico é nulo),
temos que a componente da corrente devida às lacuna é dada por:
2
ni  VtD  1
v
pn ( x)
i p   AqDP  AqDP  e  1
x ND 
 LP
Como a corrente de electrões ou de
lacunas é aproximadamente
2  DP DN  vVtD 
constante ao longo da junção, iD  A q ni    e  1
 
juntando a corrente devida aos  N D LP N A LN  
electrões livres fica:

Díodo semiconductor 28
Cálculo da corrente aos terminais
 Notas:

 Em regime estacionário (equilíbrio termodinâmico) temos

 Vd=0 e v(0)=0V e portanto pn(0)=pn0

 Aplicar uma tensão aos terminais do díodo provoca uma diminuição de

v(x) relativamente ao que se passa para a junção em equilíbrio
termodinâmico, resultando v(0)=-Vd o que provoca um aumento de
pn(0).

 O campo eléctrico no exterior da junção é pequeno mas não será nulo

devido à igualdade dos integrais de linha do campo pelo interior e pelo
exterior da junção.

Díodo semiconductor 29