SEL0313

SEL0313
Circuitos Eletrônicos I
Prof.:João Navarro
email: navarro@sc.usp.br
Horário
- quinta.: 10:10 as 12:00
- sexta.: 8:10 as 10:00
Conteúdo:
- funcionamento de blocos básicos
- amplificadores operacionais
- diodos
- transistores bipolares
- ferramentas para analise
• Prof.: Joao Navarro
• Email: navarro@sc.usp.br
• Eng. Eletrônico (Escola Politênica)
• Mestre em microeletrônica (Escola Politécnica)
• Doutorado em micro eletrônica (Escola Politécnica)
• Atuação
• Projeto de circuitos integrados analógicos
• Circuitos RF
• Ferramentas de projetos analógicos
• Circuitos digitais de alta velocidade
• Amplificadores operacionais
Descrição e principais características
recordar analises de circuitos, Laplace, Diagramas de
Bode
• Diodos
Funcionamento, equações e algumas aplicações simples
• Transistores
Funcionamento, equações e algumas configurações
básicas
• Observações
• Não existe uma técnica geral que permita analisar e
menos ainda criar qualquer circuito eletrônico
• o que dá é aprender sobre
 circuitos básicos que servem
• de bloco de formação
• de exemplo
 técnicas de analise que podem ser aplicadas em outras
configurações
Sedra/Smith 4o edição
Amplificador Operacional
• Modelo
Dado um objeto, em ciência ou engenharia, este objeto é visto a partir de um
modelo. O nível de complexidade deste modelo pode ser aumentado quase que
indefinidamente. Dependendo das questões a serem respondidas, é feita a escolha
de qual modelo vamos utilizar para responde-las.
• Varios aspectos do operação podem ser cobertos pelo modelo
• Para circuitos eletrônicos, aspectos importantes são
• comportamento com a temperatura
• comportamento com a frequência
• efeito de variações de componentes (mismatch)
• Como escolher um modelo

• Modelo simples
• mais facil de usar, equacionar
• deixa de cobrir muitos problemas possiveis
• Modelo complexo
• mais complicado de usar e algumas vezes quase impossível para
calculos manuais
• cobre uma gama maior de problemas (mas claro que sempre pode
escapar algo)
• Calculos manuais em circuitos eletrônicos
• São importantes para
• calculos inicias, aproximados, de um projeto
• montar relações simples para interpretar o comportamento dos
circuitos
Exemplo
TRANSISTOR MOS
L = comprimento
de canal (length)
o minímo valor de L
caracteriza a
tecnologia. Tecnologia
top tem Lmin = 6nm
• Um Amplificador Operacional é um bloco formado por um numero
grande de transistores (mais de 20 transistores).
• Vários componentes são disponíveis no mercado e varias
topologias são disponíveis para projetistas.
• Os amplificadores terão características diferentes:
• como tensão de operação
• consumo de potencia
• ganho diferencial e de modo comum
• corrente de entrada
• offset??
• faixa de frequência
• polos e zeros
• ruído, etc.
Símbolo dos transistores Bipolares
emissor
Coletor
base base
emissor Coletor
transistor NPN bipolar transistor PNP bipolar
AmpOp µ741 polarização segundo estágio
de ganho C.I.
par diferencial
estágio de
saída
com proteção
• Polarização: coloca os transistores em um estado
conveniente para trabalhar
• Estágio de saída: as capacitâncias internas de circuito de
integrados são muito pequenas, da ordem de fanto Farad (10-
15
). As capacitâncias externas, por outro lado, são de dezenas
de pico Farads (10-12). O circuito de estágio de saída adapta o
circuito interno ao mundo externo
• Se para uma aplicação de amplificador operacional for usado
o modelo completo, como todos os transistores, seria muito
difícil cálculos manuais.
Circuitos discretos
Aberto
Implementação com bipolares
Operação do Amplificador Operacional
(duas entradas e uma saída)
VE1 = VD/2 + VCM VCM = tensão de modo comum (commum
mode)
VE2 = VD/2 - VCM
VD = tensão de diferencial
VE1
VD = VE1 – VE2 VCM

VCM = (VE1 + VE2)/2 VD
VE2
saida = GD(f)VD + GCM(f)VCM
GD(f) = ganho diferencial na frequência
Gcm(f) = ganho de modo comum na frequência

Normalmente se deseja que o amplificador operacional seja
sensível a apenas VD. Assim GD >>> GCM (ou haja uma
diferença de ganho maior que 40 dB)
20.log(|GD|)
G0 = GD(0) 3 dB
Sistema de um polo
20 dB/dec
Polo: (1/T) rad/seg

Frequência de ganho unitário
Frequência de corte freq.

• Para GD >> GCM teremos
saída = GD(f). VD
Caso a frequência dos sinais seja baixa, podemos então escrever que
a saída = G0VD
Vamos ver um dos modelo mais simples que existem
• Modelo ideal
i+ • V0= A.Vd
+
V0 • A, ganho do circuito, infinito
Vd
- • i+ = i- = 0
i-
• Ganho de modo comum zero
• Lembrar que o circuito tem alimentação e que normalmente não é
apresentada no símbolo do amplificador
+V = VCC
i+
+
V0 is
Vd i+ + i- ≠ is
-
i- -V = VEE
• A, ganho do circuito é na realidade da ordem de 104. Isto é “infinito”

para muitas aplicações
• i- = i- = 0
(na verdade as correntes são pequenas, menores que 0,1 uA, o que para
muitas aplicações é “zero”
• Caso o ganho de modo comum seja cerca de 500 vezes menor que o
ganho diferencial, já podemos desprezá-lo
• Curva entradas saída do amplificador
Ideal: inclinação (ganho) infinito Real: inclinação finita e limites

V0
V0 V0 ≠ A.Vd
V0 = A.Vd
V0 = A.Vd
Vd Vd
• Os circuitos reais se aproximam do modelo ideal. Ou
por outra, dependendo das condições de uso, podemos
aplicar este modelo ideal sem preocupação. Ele servirá
para responder as questões desejadas.
• Aplicação: Circuito de Ganho, configuração inversora
R2
i2
R1 i1
Vin -
Vd
V0
+
• Vamos usar o modelo ideal que propusemos anteriormente
• Lembrar que i- = 0
• Caso o amplificador trabalhe na região linear, onde é valido V0 = A.Vd,
dado que A = infinito então, para a saída não ser infinita, teremos
• VD=0
• ou V+ = V- (curto virtual)
Lembrar
• análise nodal
• analise de malha
• convenções de correntes e tensões em componentes passivos
(convenção do receptor)
iR i1 = Vin/R1 i2 = V0/R2
R VR VR=iR.R
i1 + i2 = i- = 0 = Vin/R1 + V0/R2
convenção Vin/R1 + V0/R2 = 0
R2
V0 = -Vin.(R2/R1)
i2 --
i1 R1 • Vamos usar o modelo
Vin +
- V0 ideal que propusemos
Vd anteriormente
+ • Lembrar que i- = 0
• convenção do receptor
• A análise usou duas propriedades simples e
importantes neste modelo
• Corrente de entrada igual a zero
• Curto virtual (consequência do ganho infinito do
amplificador)
• Exemplo: vamos considerar que A não é infinito

(um modelo um pouco mais complicado). Esse
novo modelo pode ser pensado para verificar se
o modelo ideal é adequado para uma dada
aplicação
i1 = (Vin – Vd)/R1
i2 = V0 – Vd)/R2
R2 -AVd = V0 Vd = -V0/A
i2
i1 R1
Vin - V0
Vd
+ i1 + i2 + = 0
V0 = -Vin
• Usamos apenas o fato de que a
corrente de entrada é zero
V0 = -Vin • Se A tende a infinito esta relação
vira
V0 = -Vin(R2/R1)
• Exemplo: vamos agora considerar que i+ ≈ i- ≠ 0 (mas

manteremos que A é infinito). Podemos repetir a
analise feita antes, mas tem forma mais simples de
achar o resultado, usando superposição.
• Exemplo: i+ = i- = 0
• A figura mostra esquemático que
R2 representa o problema, onde a
corrente de entrada do amplificador é
i2 modelado por uma fonte de corrente
i1 R1
Vin - • Agora temos um circuito com duas
V0
i- fontes de entrada (Vin e i-)
+
• A forma mais simples para solução é
usar superposição
• Neste caso resolvemos o problema
para entrada Vin e para i-, então
somamos os resultados
Para Vin teremos que
R2 V0 = -Vin.(R2/R1)
i2
R1 i1 Para i- teremos que
Vin - Vo = R2. i-
V0
i-
+ Solução final para Vin
V0 = -Vin.(R2/R1) + R2.i-
Algumas observações interessantes:

• Superposição é uma ferramenta útil para resolução de
problemas
• Força bruta nem sempre é o melhor caminho
• Por que usar um amplificador com ganho 104 para obter um
ganho de 100, 50. Não seria melhor ja fazer o amplificador
com o ganho certo?
• Componentes com um valor fixo: na fabricação de componentes
é bastante dificil obter valores fixos. Caso um circuito
necessite um resistor de 1,0 KW, não podendo desviar disso,
ter-se-á um problema bastante grande.
• resistores com valores proporcionais: Por outro lado, é possível
fazer componentes casados com valores relacionados. Fazer
dois resistores iguais, ou um com o dobro do valor do outro é
bem tranquilo.
• Não seria fácil fazer um AmpOp com um ganho fixo, digamos
1000, mas dá para fazer um AmpOp com ganho grande, por
exemplo acima de dez mil.
• Impedância de entrada, Impedância de saída
Calculo da impedância de qualquer ponto de um circuito
• Desativar as fontes independentes
+
V=0 I=0
Fonte de tensão, curto Fonte de corrente, aberto
• Forçar uma tensão V nó e medir (calcular) a corrente I ou

• Forçar uma corrente I nó nó e medir (calcular) a tensão V
Z = V/I
• Cuidado, a tensão e a corrente devem seguir a relação do receptor
V
R2
• Impedância de entrada do iin i2
amplificador inversor (modelo R1
ideal) Vin - V0
• Inativar fontes
+
• Aplica uma tensão em Vin e mede
Iin
• Zin = Vin/Iin = R1
• Impedância de saída do amplificador inversor
• Inativar fontes
• Aplica uma tensão em V0 e mede I0
• Zo = V0/I0
R2
R1
i2
• Com os modelos propostos
-
V0 anteriormente não é
VD possível calcular IAOp
+ iAOp io
• Temos que usar um modelo mais sofisticado para a
analise
• Modelo
• Com corrente de entrada nula
• Ganho finito A
+
+ VD Vo
VD Vo
- A.VD
-
Por dentro
• Modelo
• Com corrente de entrada nula
• Ganho finito A
• Impedância de saída (ri)
+ +
Vo VD ri Vo
VD
- - A.VD
Por dentro
• Impedância de saída do amplificador inversor
• Inativa fontes
• Aplica uma tensão em V0 e mede I0
• Zo = V0/I0 i1 = i2
R2 i1 = VD/R1
i2 = ( V0 – VD)/R2
i2
R1
- VD = V0.R1/(R2 + R1)
i1 ri Vo
VD +
iAO i0 i0 = iAO + i2
+ -A.VD
R2
VD = V0.R1/(R2 + R1)
i2
R1
i2 = ( V0 – VD)/R2
-
i1 ri Vo
VD +
i0 = iAO + i2
iAO i0
-A.VD
+ iAO = (V0 + A.VD)/ri
iO
iO ) pequeno
• Sem a utilização de um modelo mais completo não
conseguimos descobrir qual a impedância
• Necessidade de impedância de entrada/saída
10 KW 10 KW
i2 i2
1 KW iin 1 KW iin
- -
+ V0 V0
1 mV +
-10 mV 1 KW -5 mV
+ +
1 mV
entrada
Ideal Real
• O que normalmente gostaríamos
• Impedância de entrada grande, para não afetar
o circuito anterior
• Impedância de saída pequena para não ser
afetado pelo circuito posterior
• Exceção: quando é necessário o casamento

entre impedâncias
• Máxima transferência de potência
• Não haver reflexão de sinais
• Exercício
R2 R4
R1 i1 R3
Vin -
V0
+
Mostre que a tensão na saída vale (usar modelo ideal)
V0 = -(R2/R1).Vin.(1 + R4/R2 + R4/R3)

Exemplo 1. Aplicação de Amplificadores, Zin e Zout
Três tipos de amplificadores
1. Zin=1 MOhm, ZOut=10 kOhm, ganho=10 (Amp1)
2. Zin=10 kOhm, ZOut=1 kOhm, ganho=100 (Amp2)
3. Zin=10 kOhm, ZOut=20 Ohm, ganho=1 (Amp3)
zout
vin
+
zin
ganho.vin
Exemplo de aplicação de Amplificadores
Deseja-se montar com os amplificadores um sistema que permita
fornecer a saída uma potencia de 0.5 W ou mais. Consideremos
que vin=30mVef, Zout=0,5 MOhm e Zload=100 Ohm
para um sinal Vpsen(wt)
• Vef = VP/,
• Potencia num resistor R é /R
zout= 0,5MW
vL 0,5W
sistema para
fornecer 0.5W
zload=100W
+
vin = 30mVef ou mais a carga

Vamos calcular o VLef para poder saber o ganho que
necessitamos.
→
=235
zout= 0.5M vL
sistema para
fornecer 0.5W zload=100
+

Uma configuração possivel: (Amp1 + Amp2)
zout= 0.5M Amp1 10k Amp2 1k

vL
v1 v2
+
+
+
1M 10k vL zload=100
10.v1 100.v2
Como a impedancia de carga é baixa, e o Amp2 tem uma
impedancia de saída alta, o ganho é perdido
zout= 0.5M Amp1 Amp2

10k 1k vL
v1 v2
+
+
1M + 10k
vL zload=100
10.v1 100.v2
Uma configuração possivel: (Amp1 + Amp2 + Amp3)
zout= 0.5M Amp1 10k Amp2 1k Amp3 20

vL
v1 v2 v3
+
+
+
1M 10k 10k zload=100
vL vL
vin = 30mVef 10.v1 100.v2 v3
• Aplicação: Circuito Integrador Inversor
i1 = Vin/R1
i2 =
C
i2 i1 = -i2
R1 i1
Vin - V0 𝑑𝑉 0
Vd V in / R 1=− 𝐶
+ 𝑑𝑡
V0 = -(0-)
• Circuito Integrador Inversor: Resposta em frequência (condições
iniciais nulas) e diagrama de Bode 1
𝑉 0 (𝑠 )/𝑉 𝑖𝑛 (𝑠)=−
𝑅 1𝐶𝑠
C 20.log(V0/Vin)
i1 = Vin(s) /R1
i2
R1 i1 20 dB/dec
Vin
- V0
i2 = (s)
Vd 1/R1C w
+ i1 = -i2
(V0/Vin)
1 p/2
𝑉 0=− 𝑉 𝑖𝑛 ( 𝑠)
𝑅 1 𝐶𝑠
Indicará a fase w
Transformada de Laplace (L)
• Definição
+∞
𝐹 ( 𝑠 ) =ℒ ( 𝑓 ( 𝑡 ) ) =∫ 𝑓 ( 𝑡 ) 𝑒
− 𝑠𝑡
𝑑𝑡
0−
𝑎+ 𝑗 ∞
𝑓 (𝑡 )=ℒ
−1
( 𝐹 ( 𝑠) )= ∫ 𝑠𝑡
𝐹 ( 𝑠 ) 𝑒 𝑑𝑠
𝑎− 𝑗 ∞
• f(t) é a função no tempo f(t)

• F(s) é a função em s
Algumas transformadas
1. Degrau unitário
h(t)
L(h(t)) = H(s)=1/s
2. Exponencial
(s > a)
Polo é a.
L(eat) = Se a > 0 implica e
1 eat o circuito é
instável
• Estabilidade
A estabilidade de um sistema pode ser definida de diversas
maneiras e segundo vários pontos de vista. Nos fixaremos
aqui no conceito de BIBO-estabilidade (bounded input-
bounded output). Segundo este conceito, um sistema é dito
ser estável se, para todo sinal de amplitude limitada
aplicado em sua entrada, o sinal de saída é também
limitado.
3. Impulso unitário
d(t) d(t) = 0 para t≠ 0
=1
L(d(t)) =1
Propriedades da transformada de Laplace
P1. Linearidade em t
L(a1f1(t) + a2f2(t) ) = a1L(f1(t)) + a2L(f2(t)) =
a1F1(s) + a2F2(s)
Já usamos essa propriedade para calculo da transformado do
seno e do coseno
4. Seno
f(t) = sen(wt) = (ejwt – e-jwt)/2j
L(sen(wt)) = L(ejwt – e-jwt)/2j)
Usei propriedades de linearidade da transformada

5. Coseno
f(t) = sen(wt) = (ejwt + e-jwt)/2j
L(cos(wt)) = L(ejwt + e-jwt)/2j)

P2. Linearidade em s
L-1(a1F1(s) + a2F2(S) ) = a1L-1 (F1(s)) + a2L-1 (F2(s)) =
a1f1(f) + a2f2(t)
P3. Derivada em relação a s
dado L(f(t)) = F(s) termos
ou
t.f(t)
Ex.:
𝑛− 1 ↔
𝑡 1
ℎ ( 𝑡 ) 𝑝 𝑎𝑟 𝑛
(𝑛 − 1 ) ! 𝑠
P4. Translação em s
L-1(F(s+a)) = e-at.f(t)
Exemplo:
𝑛 −1
−1 1 𝑡 𝑎𝑡
ℒ ( )= 𝑒
( 𝑠 − 𝑎) 𝑛
(𝑛 −1) !
Observe que
eat cresce mais rápido, a > 0, com o tempo do que t(n-1). Desta
forma
• É instável para a > 0

• É estável para a < 0
• E para a=0??
Exemplo:
Anti-transformar
Sabemos que
Então, usando P4 chegamos a
P5. Translação em t
L(f(t+a)) = eas.F(s)
Cuidado, para que esta propriedade funcione devemos ter que:
• Para a > 0
f(t) = 0 no intervalo [0, a]
• Para a < 0
f(t) = 0 no intervalo [a, 0]
f(t) = ekto
k>0 e to > 0 (caso que equivale a (a <0))
A função f(t) = ekt não obedece a condição
 f(t) = 0 no intervalo [a, 0] ([-t0, 0])
f(t+(-to)) = ek(t-to)
Calculemos a transformada de ek(t-to) através
da definição
∞ −𝑘𝑡 𝑜
𝑒
ℒ (𝑒
𝑘 ( 𝑡 −𝑡𝑜 )
) =𝑒 −𝑘 𝑡 0
ℒ ( 𝑒 )=𝑒
𝑘𝑡 − 𝑘𝑡 0
∫ 𝑒 𝑒 dt= 𝑠− 𝑘 ≠𝑒 ℒ ( 𝑒 )
𝑘𝑡 −𝑡𝑠 − 𝑠𝑡𝑜 𝑘𝑡
0−
f(t) = h(t).ekto
k>0 e to > 0 (caso que equivale a (a <0))
A função f(t) = h(t).ekt obedece a condição
1 f(t) = 0 no intervalo [a, 0]
f(t-to) = h(t-t0) ek(t-to) Calculemos a transformada de h(t-to)ek(t-to)
to através da definição
∞ −𝑘𝑡 𝑜 (𝑘− 𝑠)𝑡𝑜
𝑒 𝑒
ℒ (𝑒
𝑘 (𝑡 −𝑡𝑜 )
) =𝑒 ℒ ( 𝑒 )=𝑒
−𝑘𝑡 0 𝑘𝑡 − 𝑘𝑡 0
∫𝑒 𝑘𝑡 −𝑡𝑠
𝑒 dt=
𝑠 −𝑘
=𝑒
−𝑠𝑡𝑜
ℒ (𝑒 )
𝑘𝑡
𝑡𝑜
P6. Multiplicação de t por constante
L(f(kt)) = (1/k) F(s/k)
f(kt) Área da curva esta

f(t) K > 1 F(s) relacionada com potencia
do sinal. Á área das duas
curvas são iguais
(1/k)(F(s/k)
Mais
rápida
tempo frequência
P7. Derivada da Função
P8. Integral de uma função
Exemplo: Vamos usar P7 e P8 para ver se as relações são

consistentes.
por P7
P9. Convolução
: convolução de f(t) e h(t)

Sistema Linear e Invariante no Tempo
X1 Y1 X2 Y2
S S
a1X1+ a2X2 a1Y1+ a2Y2

S
linearidade
Sistema Linear e Invariante no Tempo
X1(t) Y1(t)
S
X1(t-t) Y1(t-t)
S
Invariância no tempo: se desloco o sinal de

entrada no tempo, a saída também é deslocada
Um sinal qualquer pode ser escrito como a convolução
com o impulso
Considere um sistema linear e invariante no tempo,

onde a resposta para um impulso, d(t), é g(t). Aplicar
um sinal f(t) é o mesmo que aplicar o sinal
A saída do sistema será então
=
d(t) g(t) ↔ G(s)

S G(s): função de transferência do
sistema
(condições inicias nulas)
↔
f(t)
S 𝒇 ( 𝒕 ) ⊛ 𝒈 ( 𝒕 ) 𝑝 𝑎𝑟 𝐹 ( 𝑠 ) . 𝐺(𝑠)
(condições inicias nulas)
i1 = Vin/R
C i2 =
i2
R i1 i1 = -i2
Vin - V0 𝑑𝑉 0
Vd V in / R=−𝐶
+
𝑑𝑡
𝑑𝑉 0
ℒ ( V in / R ¿=− ℒ (𝐶 )
𝑑𝑡
𝑉 𝑖𝑛 (𝑠)=− 𝑅(𝐶 𝑉 0 ( 𝑠 ) 𝑠 −𝐶 𝑉 0 ( 0− ) )
𝑉 𝑖𝑛 (𝑠)=− 𝑅(𝐶 𝑉 0 ( 𝑠 ) 𝑠+𝐶 𝑉 0 ( 0 − ) )
C −𝑉 𝑖𝑛 + 𝑅𝐶 𝑉 0 ( 0 − ) 1 𝑉 𝑖𝑛 𝑉 0 (0 −)
𝑉 0 ( 𝑠 )= =− +
𝑅𝐶𝑠 𝑅𝐶 𝑠 𝑠
i2
R i1
Vin - Depende da
V0 entrada
Vd
+ Depende da
condição inicial
Saída com condições iniciais nulas:
Função de transferência
Vamos supor que Vin(t) = h(t) (degrau unitário)
1
𝑉 𝑖𝑛 ( 𝑠)=
𝑠
C 𝑉 𝑖𝑛 − 𝑅𝐶 𝑉 0 ( 0 − ) 1 1 𝑉 0 (0 −)
𝑉 0 ( 𝑠 )= =− +
𝑅𝐶𝑠 𝑅𝐶 𝑠 2
𝑠
i2
R i1
Vin - V0 1 ↔ 𝑡 𝑛 −1
Vd Lembrar 𝑝 𝑎𝑟 ℎ (𝑡 )
+ 𝑠
𝑛
( 𝑛 −1 ) !
1
𝑉 0 ( 𝑡 )=− 𝑡 . ℎ (𝑡 )+𝑉 0 ( 0 − ) ℎ (𝑡 )
𝑅𝐶
Entrada Saída
h(t)
V0(0-).h(t)
t t
V0(t)
-t.h(t)/RC
𝜕𝑉 0
• Exemplo 𝑖=𝐶
𝜕𝑡
i R 𝜕𝑉 0
V0 𝐶 𝑅 +𝑉 0 =∆ ℎ ( 𝑡 ) ¿
𝜕𝑡
∆h(t) +
C
𝜕𝑉 0
ℒ (𝐶 𝑅+𝑉 0 )= ℒ ( ∆ ℎ (𝑡 ))
𝜕𝑡
𝑅𝐶𝑠𝑉 0 − 𝑅𝐶 𝑉 0 (0 −)+𝑉 0=∆/ s

Com certeza a ∆
aplicação de análise ( )
𝑉 0 𝑅𝐶𝑠 +1 = + 𝑅𝐶 𝑉 0 (0 −)
s
malha de aqui é mais
indicado. ∆ 𝑅𝐶 𝑉 0 (0 −)
𝑉 0= +
s ( 𝑅𝐶𝑠+1 ) ( 𝑅𝐶𝑠 +1 )
∆ 𝑅𝐶 𝑉 0 (0 −)
𝑉 0= +
s ( 𝑅𝐶𝑠+1 ) ( 𝑅𝐶𝑠 +1 )
Resposta para
estado zero Resposta para
entrada zero
1. Entrada zero (Vin(t) = 0)
Consideramos apenas a segunda parte da solução
2. Estado zero (V0(0-) = 0)
)
Solução completa
Resposta para Resposta para

estado zero entrada zero
∆
𝑉 0 (0 −)
t
Indutores: representação de indutores com condição
inicial em s
Um indutor, com condição inicial nula, é uma impedância (sL)
Condição inicial nula
IL IL IL
L VL
VL VL sL I0h(t) ↔ I0/s
sL
I0 (cond.
-
inicial)
LI0d(t) ↔ LI0
𝑡 +
1 𝜕 𝐼𝐿
𝐼 𝐿 = ∫ 𝑉 𝐿 𝑑𝑡 𝑜𝑢 𝑉 𝐿 =𝐿 𝐼 𝑉 𝐿(𝑠 ) 1
𝐿 −∞ 𝜕𝑡 𝐿 𝐼 𝐿 ( 𝑠) =
𝑠𝐿
+ 𝐼0
𝑠
𝑉 𝐿 ( 𝑠 ) =𝑠𝐿 𝐼 𝐿 ( 𝑠 ) − 𝐼 0 𝐿
Capacitores: representação de capacitores com
condição inicial em s
Um capacitor, com condição inicial nula, é uma impedância (1/sC)
IC IC IC
C VC 1/sC
VC V0 (cond.
Inicial) VC 1/sC +
CV0d(t) ↔ CV0 V0h(t) ↔ V0/s
𝑡
𝑑𝑉 𝐶 1
𝑜𝑢𝑉 𝐶 = ∫ 𝐼 𝐶 𝐼 𝐶 ( 𝑠 )=𝑠𝐶 𝑉 𝐶 ( 𝑠 ) −𝐶 𝑉 0 1 𝑉0
𝐼 𝐶 =𝐶 𝑉 𝐶 ( 𝑠) = I 𝐶 ( 𝑠 )+
𝑑𝑡 𝐶 −∞ 𝑠𝐶 𝑠
Solução direta em L de um circuito
R R
V0
∆h(t) + V0
∆h(t) +
C
C CV0(0-)d(t)
Condição inicial V0(0-) Condição inicial nula (fonte de

corrente foi aplicada)
Para resolver o circuito podemos aplicar a superposição

Solução
1. Resposta a estado zero (V 0(0-))
i R 𝑖
𝑖 𝑅+ = ∆/ 𝑠
𝑠𝐶
∆/s + V0 Poderíamos
1/sC escrever direto
𝐶∆ (divisor resistivo)
𝑖=
𝑅𝐶𝑠 +1
1
Condição inicial nula (fonte de
1 ∆ ∆ 𝑠𝐶
corrente foi aplicada) 𝑉 0=𝑖
𝑠𝐶
=
( 𝑅𝐶𝑠 +1 ) 𝑠
=
𝑠 1
𝑅+
𝑠𝐶
Solução
2. Resposta a entrada zero (Vin(t) = 0)
( )
V0 1
𝑅.
𝑠𝐶 C 𝑅 𝑉 0(0 −)
C CV0(0-)d(t) 𝑉 0=C 𝑉 0 ( 0 − ) =
1 𝑅𝐶𝑠 +1
𝑅+
𝑠𝐶
Condição inicial nula (fonte de corrente foi aplicada)
∆ C 𝑉 0(0 −) 𝑅
Resposta completa 𝑉 0= +
( 𝑅𝐶𝑠 +1 ) 𝑠 ( 𝑅𝐶𝑠 +1)
∆ C 𝑉 0(0 −) 𝑅
𝑉 0= +
( 𝑅𝐶𝑠 +1 ) 𝑠 ( 𝑅𝐶𝑠 +1)
Podemos separar em frações parciais o primeiro
termo
∆ 𝐴 𝐵 ∆ ∆ 𝑅𝐶
= + = −
( 𝑅𝐶𝑠 +1 ) 𝑠 𝑠 𝑅𝐶𝑠 +1 𝑠 𝑅𝐶𝑠+ 1
∆ ∆ 𝑅𝐶 C 𝑉 0 ( 0 −) 𝑅
𝑉 0= − +
𝑠 𝑅𝐶𝑠+1 ( 𝑅𝐶𝑠 +1)
(
𝑉 0 ( 𝑡 )= ∆ ℎ ( 𝑡 ) −∆ ℎ (𝑡 ) exp − )𝑡
𝑅𝐶 (
+𝑉 0 ( 0 − ) ℎ(𝑡 ) exp −
𝑡
𝑅𝐶 )
Se tivéssemos usado uma entrada genérica Vin(t) a
solução seria
R
V0
𝑉 𝑖𝑛 ( 𝑠) C 𝑉 0 (0 −) 𝑅
Vin(t) +
C
𝑉 0= +
( 𝑅𝐶𝑠 +1 ) ( 𝑅𝐶𝑠 +1)
Denominador igual (depende do circuito)

Solução direta em L
R R
V0
∆h(t) + V0
∆h(t) +
L
I0(0-) I0(0-)h(t)
Condição inicial I0(0-) Condição inicial nula (fonte de

corrente foi aplicada)
Para resolver o circuito podemos aplicar a superposição

Solução
1. Resposta a estado zero (Vo(0-))
I R
V0
+
∆/s
sL ∆ 𝑠𝐿 ∆
𝑉 0= =
𝑠 ( 𝑅+𝑠𝐿 ) ( 𝑅/ 𝐿 +𝑠 )

Solução
2. Resposta a entrada zero (Vin(0-))
i R
V0 𝑅𝐿
𝑉 0 =− 𝑖0
sL I (0-)h(t)
0
( 𝑅 + 𝑠𝐿 )
Entrada zero
∆ 𝑖0
Resposta completa 𝑉 0= −
( 𝑅 / 𝐿+𝑠 ) ( 𝑅 / 𝐿+ 𝑠 )
Exemplo
V0
Cg
+
gm.V1
Vin(t) Ri r0 L
C0
Análise nodal
Análise nodal
Solução com entrada zero. Para analisar as condições iniciais é só

colocar fontes adicionais
Condição inicial de C0
V0
Cg
C0V0(0-)d(t)
r0 L
C0
1 𝑟 0 𝑠𝐿
𝑉 0= 𝐶 0 𝑉 0 ( 0 − ) = 𝐶0 𝑉 0 ( 0 − )
1 1 2
𝑠 𝐿 ( 𝐶 𝑔 + 𝐶 0 ) 𝑟 0 +𝑠𝐿+𝑟 0
[ 𝑠(𝐶 𝑔 + 𝐶 0)+ + ]
𝑟 0 𝑠𝐿
Considere um sistema descrito por uma equação diferencial
(linear e invariante no tempo)
Temos que
)
...
Em s a equação será
Rearranjando os termos, teremos

O resultado final será
Conclusões
1. a resposta se divide em
(resp. em estado zero) + (resp. para entrada zero)
2. o polinômio
é o polinômio característico do sistema

3. A função de transferência do sistema será
4. A resposta em estado zero é
observe que se U(s) for uma razão de polinômias, Yestado0(s)

também o será
5. A resposta para entrada zero o polinômio
Observe que o grau do numerador de Yentrada0(s) é

estritamente menor que o grau de seu denominador
Caso analisemos uma sistema descrito por equações
integro-diferencias, chegaremos as mesmas
conclusões.
Sistema linear invariante no tempo
𝑃 ( 𝑠) 𝐶 (𝑠)
Y(t) 𝑌 ( 𝑠) = 𝑈 (𝑠)+
U(t) 𝑃 𝑐 ( 𝑠) 𝑃 𝐶 (𝑠)
S
Resposta em Resposta em
estado zero entrada zero
: polinômio característico do sistema

: polinômio formado pelas condições iniciais do sistema. O grau
de C(s) é menor que o grau de PC(s)
: polinômio que depende do sistema
: função de transferência do sistema (F(s))
(se U(t) = d(t) então Y(s) = P(s)/PC(s))
: sinal de entrada em muitos casos também é uma razão entre

polinômios
Veja que se U(s) for uma razão entre polinômios, teremos que
a saída
é também uma razão de polinômios.
Caso soubermos anti-transformar razão de polinômios, saberemos
resolver qualquer sistema com entradas tipo .
• Resposta para estado zero (entrada tipo)
Neste caso temos que
Se m ≥ n podemos achar um polinomia Q(s) t.q
onde o grau de R(s) é estritamente menor que D(s) e único.
Seja +, e lembremos que
• (qual é a derivada de um impulso??).

Sistemas físicos tem normalmente n ≥ m. Neste caso Q(s) = q0
Vamos, em vista dos resultados acima, nos preocupar apenas com
sistemas onde n > m. Utilizando o Teor. Fundamental da Algebra
(que garante que um polinomio de grau n tem n raízes em ₵
(espaço dos complexos)), escrevemos
onde são os zeros e são os polos. Veja que consideramos.
Os polos são raízes de PC(s) ou de UD(s).

Caso os ais e os bis forem reais, como é esperado num sistema
fisico, os polos e zeros serão reais ou aparecem em pares
conjugados.
ex.:
-j é zero, então j também será zero
1+3j é polo, etão 1-3j será também zero
Considerando que algums polos podem aparecer repetidos ,

podemos reescrever Y(s)
onde xi > 0 e (x1+x2+.. +xh) = n (são h polos distintos, com grau x1,
x2, ..)
Quando n > m, pode-se expandir em frações parciais
..
Os coeficientes A11, A12, .. Ahxh são únicos.
A anti transformada pode ser facilmente construída:
+++ =
• se real(pi) > 0, então aparecem termos crescentes indo para o
infinito (se pi tiver uma parte imaginária, dois termos conjugados
se compõe para dar um termo real).
• se real(pi) < 0, os termos decrescem com o tempo
• se real(pi) = 0, apareceram termos instáveis se o grau do polo for

maior que 1
• lembremos que os polos são zeros de PC(s) ou zeros de UD(s). Caso

todos os zeros de PC(s) tenham parte real negativa, diremos que
será estável (para uma entrada limitada, a saída será limitada)
Exemplo:
(verificar)
(verificar)
O coeficiente de termos conjugados é também conjugado

Regime permanente senoidal
Um caso importante é da entrada senoidal. Uma das razões é que

sabemos que a maior parte dos sinais pode ser construído pela
composição de senóides
A saída para qualquer entrada, como já vimos será:
Para um sistema estável, os zeros do PC(s) tem parte real

negativa e a (resp.entrada zero) desaparece no tempo
(transitório)
A resposta para uma entrada senoidal, quando os transitórios

devido as condições iniciais desaparecem, será
onde u(t) = Acos(wt) e

Expandindo Y(s) em frações parciais, podemos chegar a
+
onde G(s) corresponde aos termos da fração parcial devidos aos
zeros de PC(s) e que desaparecem com o tempo tal como os termos
devido as condições iniciais (transitórios)
C1 e C2 são constantes a determinar.

Os Valores de C1 e C2 podem ser facilmente determinados
multiplicando Y(s) por (s+jw) e (s-jw), como mostrado abaixo
Determinação de C1: multiplica por (s+jw)
Y(s)+
Se avaliarmos s = -jw, teremos então

Determinação de C2: multiplica por (s-jw)
Se avaliarmos s = jw, teremos então

A respostado do sistema para uma senoide, após os
transitórios desaparecerem, será
zera
+
Desde que F(s) seja da forma (razão entre polinômios), pode-

se mostrar que = *
Vamos escrever que
e, então, (conjugados)
Assim
Achando a resposta no tempo
y(t)=A
y(t)=A
• A amplitude da saída é A
• A fase da saída é
Assim determinando achamos a resposta permanente senoidal

Lembre-se que uma característica de um sistema linear é que se a
entrada for uma senoide numa frequência w, a saída será uma
senoide nessa mesma frequência. Caso apareçam senoides em
outras frequências, o sistema não é linear.
Diagramas de Bode
Sabemos já como, a partir da função de transferência de um sistema,
determinar a resposta permanente senoidal. É importante conhecer a
resposta de um sistema senoides pois, em principio, qualquer sinal pode ser
decomposto em senoides.
y(t)=A
Diagrama de Bode é uma técnica rápida para desenhar o comportamento de e

de .
Diagramas de Bode
20log(|F(jw)|) é dB
(dB)
w
Diagramas de Bode (polos e zeros reais)
Vamos reescrever F(s) (observe como foi escrito, é importante seguir a
forma usada)
zis são os zeros e pis são os polos. Consideremos primeiro o caso onde os
zeros e polos são reais
Substituindo s por jw teremos
Diagramas de Bode (módulo)
O modulo de F(jw)
É mais fácil observar o |F(jw)| em db

Termos que aparecem na equação
1. (constante)
2. (polo negativo)
3. (zero, positivo ou negativo)
4. ou (zero ou polo e 0)
Se soubermos desenhar estes termos podemos fazer o diagrama de
Bode-Módulo
1. (constante)
dB
20 𝑙𝑜𝑔| 𝐴𝑚|
w (rad/seg)
Observe que:
• O eixo x, onde esta o w, está em escala logarítmica
• O ponto 0 estará localizada em -∞
• Valores menores que 1,0 são negativos em db
2. (polo negativo)
pi real e negativo ()
• w << |pi|
• w = |pi|
• w >> |pi|
2. (polo negativo) 𝟏
𝒔
3 dB 𝟏−
dB 𝒑𝟏
|pi| 10|pi| 100|pi|
w (rad/seg)
para w<<|pi| → 1
-20 dB
-20 dB/dec
-40 dB
para w>>|pi| →
3. (zero real)
zi real negativo ou positivo ()
• w << |zi|
• w = |zi|
• w >> |zi|
3. (zero real) ( 𝟏−
𝒔
𝒛𝟏 )
dB
para w>>|zi| → -s/zi
40 dB
20 dB/dec
20 dB
|zi| 10|zi| w (rad/seg)

para w<<|zi| → 1 100|zi|
3 dB
4. (zero ou polo em zero) ou
dB
-20log(wo) zero: 20 dB/dec
40 dB
20 dB
polo: -20 dB/dec
20log(wo)
wo 10wo 100wo 1000wo w (rad/seg)

Exemplo
Devemos reescrever a expressão da forma correta
F(s) tem um zero em 0 e dois polos, um em 10 rad/s e outro em 104

rad/seg
𝑠
𝐹 ( 𝑠 ) =10
Passa faixa
( 𝑠
10
+1 )( 𝑠
10
4
+1 )
dB |
s
40 dB
- 20 dB/dec
20 dB
10
20 dB/dec
1 10 102 103 104 105 w (rad/seg)
-20 dB
( 𝑠
10
+1 ) ( 𝑠
10 4 )
+1
-40 dB
diagrama de Bode funciona bem quando os polos e zeros estão bem

separados
Diagramas de Bode (Fase)
A fase de F(jw) será
A fase pode ser escrita como

observação: a fase de F(jw) é
Para um valor de w a fase pode ser escrita como
onde )=arctg()
Termos que aparecem na equação
1. (constante,  p)
2. (polo negativo)
3. (zero, positivo ou negativo)
4. ou (zero ou polo e 0)
Se soubermos desenhar estes termos podemos fazer o diagrama de
Bode-Fase
1. (constante)
rad rad
Am
Am
w (rad/seg) w (rad/seg)
• se Am for positivo a fase é (..,, 0, 2, .. )

• se Am for negativo a fase é (..,, , 3, ..)
131
2. (polo negativo)
pi real e negativo (). Vamos usar pi = -|pi|
• w << |pi|
• w = |pi|
• w >> |pi|
2. (polo negativo)
5,70
fase
rad
0.1|pi| 1|pi| 10|pi|
w (rad/seg)
-p/4
-p/2
5,70
3. (zero real)
3.1 zi real negativo (). Vamos usar zi = -|zi|
• w << |zi|
• w = |zi|
• w >> |zi|
3.1 zi real negativo
fase
rad 5,70
p/2
p/4
0.1|zi| 1|zi| 10|zi| w (rad/seg)
5,70
3. (zero real)
3.2 zi real positiva ().
• w << |zi|
• w = |zi|
• w >> |zi|
(comportamento semelhante ao comportamento de um polo negativo)

3.2 zi real positivo
fase 5,70
rad
0.1|zi| 1|zi| 10|zi|
w (rad/seg)
-p/4
-p/2
5,70
4. ou (polo ou zero em zero)
polo pi = 0: fase= -arctg(w/0) =-p/2
polo zi = 0: fase=
rad
arctg(w/0) = p/2
p/2 zi=0
p/4
w (rad/seg)
-p/4
pi=0
-p/2
Passa faixa 𝐹 ( 𝑠 ) =10
𝑠
( 𝑠
10
+1 )( 𝑠
10
4
+1)
rad
p/2 s
p/4
10
1 10 102 103 104 105 w (rad/seg)
-p/4
( 𝑠
10
+1 ) ( 𝑠
10
4 )
+1
-p/2
Diagramas de Bode (polos e zeros complexos)
Considerando F(s)
zis e pis podem também ser complexos. Neste caso eles aparecem como
pares conjugados. Consideremos primeiro os polos complexos.
Vamos consideram que p1 e p2 são complexos conjugados e que
onde (ou seja, a parte real dos polos é negativa)

Diagramas de Bode (polos complexos)
onde
p1 𝛼
𝜁= = 𝑐𝑜𝑠 (𝜃 ) ≤ 1
𝜔𝑑
wn wd
q 0 ≤ 𝜁 <1 𝑝1 𝑒𝑝 2 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑙𝑒𝑥𝑜𝑠
a
𝜁 =1 𝑝 1=𝑝 2 e reais
p2
Vamos agora achar a contribuição de p1 e p2 p/ módulo
• w << wn
• w >> wn
• w = wn
Polo complexo 𝟏
Assíntota: Passa por (wn, 0) e tem inclinação
de -40 db/dec para w >> wn ( 𝟏−
𝐬
𝒑𝟏 )( 𝟏−
𝐬
𝒑𝟐 )
para w<<wn → 1
para w>> wn →
𝜔 2𝑛=𝛼2 +𝜔 2𝑑
Polo complexo
Propriedades:
• O ponto de referência para traçar a curva é wn
• Quando w=wn a curva tem valor
• Se então
• Se então
• Quando há um pico na curva, ele acontece na frequência
• O valor de pico em é
• Pico só aparece quando
• Para , a curva passa pelo ponto (wn, 0)
Vamos agora achar a contribuição de p1 e p2 p/ fase
• w << wn
• w=wn
• w >> wn
𝛇=𝟎
• Como o par de polos complexos somam dois, para w >> wn teremos fase de
-2(p/2) = -p
• quando aumenta, a mudança de fase é mais suave
• quando a mudança de fase é abrupta
Diagramas de Bode (zeros complexos)
Considerando F(s)
Vamos consideram que z1 e z2 são complexos conjugados e que
onde (ou seja, a parte real dos zeros é negativa)

Diagramas de Bode (zeros complexos parte real positivo)
onde
𝛼
𝜁= = 𝑐𝑜𝑠 (𝜃 ) ≤ 1
z1 𝜔𝑑
wn wd 𝜁 =1 𝑧 1 𝑒 𝑧 2 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑙𝑒𝑥𝑜𝑠
q
a
𝜁 =1 𝑧 1 = 𝑧 2
z2
Vamos agora achar a contribuição de z1 e z2 p/ módulo
• w << wn
• w >> wn
• w=wn
zero complexo (parte real negativa) ( 𝟏−
𝐬
𝐳𝟏 )( 𝟏−
𝐬
𝐳𝟐 )
Assíntota: Passa por (wn, 0) e tem inclinação de 40
db/dec para w >> wn
para w>> wn → s2/wn2

para w<<wn → 1
𝜔 2𝑛=𝛼2 +𝜔 2𝑑
150
zero complexo (parte real negativa)
Propriedades:
• O ponto de referência para traçar a curva é wn
• Quando w=wn a curva tem valor
• Se então
• Se então
• Quando há um pico na curva, ele acontece na frequência
• O valor de pico em é
• Pico para baixo só aparece quando
• Para , a curva passa pelo ponto (wn, 0)
Vamos agora achar a contribuição de z1 e z2 p/ fase
• w << wn
• w=wn
• w >> wn
𝛇=𝟎
• Como o par de zeros complexos somam dois, para w >> wn teremos fase de
2(p/2) = p
• quando aumenta, a mudança de fase é mais suave
• quando a mudança de fase é abrupta
Diagramas de Bode (zeros complexos parte real positiva)
e, onde
onde
𝛼
z1 𝜁=
𝜔𝑑
= 𝑐𝑜𝑠 (𝜃 ) ≤ 1
wd wn
q 𝜁 =1 𝑧 1 𝑒 𝑧 2 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑙𝑒𝑥𝑜𝑠
a
𝜁 =1 𝑧 1 = 𝑧 2
z2
Diagramas de Bode (zeros complexos parte real positiva)
Modulo
para w>> wn → s2/wn

para w<<wn → 0
Diagramas de Bode (zeros complexos parte real
positiva)
Fase
𝛇=𝟎
Exemplo
onde G=1/R
C
Iin 0 L R V0
com <1 (raízes imaginárias)
, ,
Observe que para
tenha polos negativos é necessário que tenha raízes negativas. Para

isso
dB
𝐿
√
−20𝑙𝑜𝑔(𝐺 )+20𝑙𝑜𝑔(𝜔 𝑛)+20𝑙𝑜𝑔(𝐿)
𝐶
20 dB/dec -20 dB/dec
𝑠 2 𝐿𝐶+𝑆𝐿𝐺 +1
s
20log(L) L
1 wn w
-40 dB/dec
Observe que para se
Neste caso teremos
Assim na frequência wn, teremos V0 muito grande.

A frequência wn é aquela onde a impedância do capacitor, 1/jwC,
cancela a impedância do indutor, jwL, ou seja
rad
.p/2
quanto maior o
valor de R, menor
é o valor de
wn w e mais brusca é a
transição da fase
-p/2
Exemplo:
Considere um amplificador com ganho DC de A>>1 e N polos reais em wo.
Estime a frequência de ganho unitário wF
dB
20log(A) dB
-20N dB/dec
0 dB w0 wF w (rad/seg)
Função de transferência do amplificador será:
F
Na frequência wF o valor de |F(s)| será:
Podemos acha o valor de wF que então será

Exemplo: determinar a função de transferência
(trabalhamos direto com laplace; condições iniciais
nulas, amplificador ideal)
C
i 1 =V 0sC 1
1
i1 i2 =VinsC2
C2 i2
Vin - V0 i1+i2 =0
Vd
+ Juntando as equações
V0=-Vin(C2/C1)
Exemplo: amplificador neuronal (para sinais
pequenos(considerando amplificador ideal))
C1
C2 i1
+ - V0
Vin Vd
+
C2 C1
165
Para um amplificador neuronal é bom ter uma banda
entre 0,5 Hz e 7,0 KHz
dB
40 dB
20dB/dec -20dB/dec
0 dB 2p0,5 Hz 7,0
2p7,0
KHz
kHz w
(rad/seg)
R
Implementação de um
C1
amplificador neuronal
(C2/C1) = 100
C2
+ - Função de transferência
Vin
V0
+
C2 100 𝑠
𝐹 (𝑠)=
C1 R
( )(
𝜋 1+
𝑠
𝜋
1+
𝑠
2𝜋 7𝑘 )
167
• Circuito Integrador Inversor
dB
i1 = Vin(s) /R
20 dB/dec
C
i2
i2 = (s)
R i1 1/RC w
Vin
- V0 i1 = -i2 (V0/Vin)
Vd p/2
+ 1
𝑉 0=− 𝑉 𝑖𝑛 (𝑠)
𝑅𝐶𝑠
w
Veja que o ganho do circuito cresce até infinito para frequencia DC!!
Uma tensão fixa na entrada gera uma corrente i1= -i2= VDC/R. Essa
corrente vai carregando (ou descarregando) o capacitor continuamente.
• Circuito Integrador Inversor com resistor
R
i1 = Vin(s) /R
C i3
i2 = (s)
i2
R i1
- V0 i3 = (s)/R
Vd
+
i1 = -i2-i3
( )
𝑉 𝑖𝑛 1
=−𝑉 0 𝑆𝐶 +
𝑅 𝑅∞
• Circuito Integrador Inversor
( )
𝑉 𝑖𝑛 1
R =−𝑉 0 𝑆𝐶 +
𝑅 𝑅∞
C i3
𝑉 𝑖𝑛 𝑅∞ 𝑉 𝑖𝑛
𝑉 0=− =−
( ) 𝑅 ( 𝐶 𝑅∞ 𝑆+1 )
i2 1
R i1 𝑅 𝑆𝐶 +
-
𝑅∞
V0
Vd
+
polo em -1/CR
Integrador
sem resistor 𝑅∞
dB 20log() dB −
Integrador 𝑅 ( 𝐶 𝑅∞ 𝑆+1 )
com resistor
-20 dB/dec
1 w (rad/seg)
para frequencias
0 dB 1/RC
𝐶 𝑅∞ muito maiores do
rad que 1/CR (umas
p Integrador
com resistor
dez vezes) os
Integrador circuitos são
sem resistor
p/2 equivalentes em
modulo e fase.
0 dB 1 1/RC w (rad/seg)
𝐶 𝑅∞
• Aplicação: Circuito Diferenciador Inversor (AmpOp ideal)
𝑉0
𝑖2=
𝑅
R
i2 i1 = -i2
C i1
- 𝑉 𝑖𝑛 𝑉0
Vin
Vd
V0 =−
1 /𝑠𝑐 𝑅
+
𝑉 0=− 𝑠𝐶𝑅 𝑉 𝑖𝑛
𝑠 𝑉 𝑖𝑛 (𝑠)é derivada do sinal

Diferenciador inversor: fase -p/2
dB
40 dB
20 dB
zero: 20 dB/dec
wo 10wo 100wo 1000wo w (rad/seg)
1/RC
• Aplicação: Circuito somador Inversor (AmpOp ideal)
Rf
if
R1
V1 i1
- V0
V2 R2 i
2 Vd
+
Vn Rn i
n
• Aplicação: Circuito não Inversor (AmpOp ideal)
R2
i2
R1 Vin
i1
- V0
=
+
+
Vin
• Aplicação: Circuito seguidor de tensão
a realimentação não pode ser
função: “isola” o sinal feita pela entrada positiva
de entrada da carga
V+
+
Vin V0
- V- -
V0
+
Vin
+
+
Vin
se V-=Vin < Vo=V+ → V- < V+ → Vo vai para VCC
se V-=Vin > Vo=V+ → V- > V+ → Vo vai para VEE
Algumas Limitações
1. Slew Rate
Considere um seguidor de tensão
slew rate = SR = max |

Vin
- V0
+ V0 a saída não muda

+ instantaneamente
Vin
Vin instantaneo
O Slew Rate não é um problema linear. Ele não é
causado por polos ou zeros.
O slew rate é
causado pela
limitação em
carregar/descarregar
o capacitor de
compensação C1
Considere o seguido de tensão abaixo. Se o sinal de entrada Vin foi
muito rápido,senoide a 200 KHz, teremos uma saída deformada.
Vin
- V0
slew rate ≈ 2V/3us ≈ 0.7 V/us
+ V(6) V(3)
+ 1.0V
0.8V
Vin 0.6V
0.4V
0.2V saída
0.0V
-0.2V
-0.4V
-0.6V
entrada
-0.8V
-1.0V
0µs 2µs 4µs 6µs 8µs 10µs 12µs 14µs 16µs 18µs 20µs
Exemplo
Qual a senoide mais rápida que não será deformada com um SR dado?
Dada uma entrada senoidal, A.sen(wt), temos que a inclinação do sinal de
entrada será:
inclinação do sinal de entrada =
A maxima inclinação na entrada será . Para um circuito acompanhar
bem o sinal devermos ter entao SR > .
- V0
slew rate ≈ 0.7 V/ms → fmax = Para A=1V teremos fmax = 111 KHz
+
+ 1.0V
V(6) V(3)
0.8V
Vin 0.6V
0.4V
0.2V
saída
0.0V
-0.2V
entrada
-0.4V
-0.6V
-0.8V
-1.0V
2. Tensão de offset
No amplificador real, devido a não simetrias na entrada e
a sua estrutura, para que a saída esteja em zero (supondo
que esse seja o ponto intermediario entre VCC e VEE) a
entrada tem de ter uma tensão de offset aplicada.
V0
VCC
+
V0=0V
offset VD
Vd -
VD = VOffset
VEE
Voffset é igual a uns poucos milivolts
2. Tensão de offset
Um amplificador real pode ser modelado como um amplificador ideal,
sem offset, mais uma fonte de tensão
real
Voffset
+
+
V0
ideal
-
a fonte de tensão pode ser

colocada em qualquer dos lados
• Efeito do offset: amplificador inversor
R2
i2
R1
i1 Vof
- V0
+
+
=
Vin +
Vof
ganho do amplificador ganho do amplificador

inversor não inversor
Era de esperar que a saida pudesse ser calculada com
superposição. Veja que o ganho de entrada é praticamente igual
ao ganho em VOff. Assim, a entrada deve ser bem menor do que
essa tensão.
Ajuste da tensão de offset
to VEE
Pelo ajuste pode-se reduzir bastante o offset. Como o tensão de
offset dpende da temperatura, o ajuste servirá apenas para certa
temperatura.
Outra forma de reduzir o problema de offset: aplicar um capacitor
de acoplamento na entrada
Efeito do capacitor (intuitivo): o
R2 capacitor C fica carregado com uma
tensão Vof se Vin for zero. Caso Vin
i seja aplicado e for rápido, essa
C R1 2
tensão no capacitor não se altera.
i1 Vof
- Nesse caso
V0
+ Vof
Vin + +
Vof
A tensão de saida será então
R2
A tensão Vof aparece na saída
C i2 sem amplificação.
R1
i1 Vof
- V0
+ Vof Podemos fazer a analise exata
Vin + do circuito, considerando duas
+
entradas, Vin e Vof.
Vof
Vamos considerar entrada Vin
R2
C i2
R1
i1
- V0
+
Vin +
Entrada Vin: para frequencias superiores a 1/(R1C) o
ganho é de (R2/R1)
dB
40 dB
20log(R2/R1) Vin
20 dB
20 dB/dec
caso para
(R2/R1)=100
wo 1/R1C w (rad/seg)
1/R2C
Vamos considerar entrada Vof
R2
C i2
R1
i1
Vof - V0
+
+
Vof
Entrada Vin e Vof
dB 20log((R1+R2)/R1)
Vof
40 dB
20log(R2/R1) Vin
20 dB
20 dB/dec
caso para
(R2/R1)=100
wo 1/R1C w (rad/seg)
1/(R2 +R1)C 1/R2C
entrada Vof é DC: ganho 0

3. Correntes de Polarização e corrente de offset
Os valores de Ib1 e Ib2 são diferentes de zero e dependem
do amplificador
Ib1 ≠ Ib2 ≈ 100n A
(Ib1 - Ib2) = corrente de offset ≈ 10 nA
real
+
Ib1
V0
-
Ib2
Efeito da corrente de polarização
R2 i2
R1 i1 -
+ Ib1
Vin V0
+ +
Ib2
O valor Ib1 não pode ser grande em

comparação a corrente de entrada (Vin/R1)
o Efeito da corrente de polarização pode ser cancelado se
considerarmos Ib1 e Ib2 próximos. Veja o circuito abaixo
R2 i2
Podemos achar o valor

R1 i1 - de V0 utilizando
+ Ib1
superposição: entradas
Vin V0 Vin e -R3.Ib2
+
R3 Ib2
R2 i2 para Vin
R1
+
i1 -
+ Ib1
Vin V0 para -R3.Ib2
+ (amplificador não inversor)
R3 Ib2
+1)
considerando apenas o efeito de Ib1 = Ib2 = Ib

R2 i2 quando
R1 i1 -
+ Ib1
Vin V0
+ então V0 = 0
R3 Ib2
O efeito de Ib1 e Ib2 é cancelado quando: eles são iguais e a

impedancia vista pelos terminais de entrada do AmpOp são iguais
(impedâncias casadas).
Se Ib1 e Ib2 forem diferentes (corrente de offset ≠ 0), então nao
haverá o cancelamento perfeito. Por outro lado como |Ib1 - Ib2| é
uma ordem de grandeza menor que Ib1 e Ib2, então com o
casamento das impedancias o erro causado por Ib será reduzido
R2 i2
sem R3
R1 i1 -
+ Ib1
Vin V0 com
+
R3 Ib2
Realimentação
Considere um sistema com função de transferencia G(s).
Podemos aplicar realimentação para melhorar:
• linearidade
• impedância de entra e saída
• ruido
• estabilidade de ganho
input output
Analisando apenas a + G(s)
-
funçao de transferencia
G(s)H(s) podemos saber se
o sistema realimentado H(s)
será ou não estavel
Realimentação
Para exemplificar consideremo o circuito com ampOp
Vin input output

- V0 G(s)
+
+
Vin
Esta é uma situação ruim para realimentação, onde o sinal

de saída é realimentado diretamente (normalmente ele é
realimentado atenuado)
Esquemático de um AmpOp
Vamos tirar C1 (capacitor de compensação) e ver a função de
transferencia (Vout/(Vin+-Vin-))
V+
7
V2
Q4 Q9 Q10 Q11
15
PN PN PN PN
Q18
IN- NP
2 R8
Q20
4.5K
NP
R13 Q14
IN+ Q1 Q2 R9
3 NP
NP NP 39K R7 25
C1
6 OUT
30p 7.5K
Q6 Q5
R10
PN PN 50
Q16
Q3 NP Q19
NP
PN
Q15
Q7 Q8 NP
Q12
NP NP Q13
Q17
NP NP
NP
R1 R2 R3 R5 R6
R4
1K 50K 1K 50K 50
5K
V- 4
V1
.model NP NPN(BF=125 Cje=.5p Cjc=.5p Rb=500)
.ac dec 10 1 500k
.model PN LPNP(BF=25 Cje=.3p Cjc=1.5p Rb=250)
-15
This example schematic is supplied for informational/educat ional purposes only.
Resposta em frequenciaV(6)do AmOp sem C1 (Bode)
90dB 30°
81dB -20 dB/dec 0°
72dB -30°
63dB -60°
54dB -90°
45dB -120°
36dB -150°
27dB -180°
18dB -210°
9dB -240°
0dB -270°
-9dB -300°
1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz
Observações
• polo próximo de 20 KHz
• polos (mais de um) próximos a 10 MHz
• em f = 18 MHz a fase é de 1800 e o ganho de 14 dB (maior
que zero): veja que se considerarmos a entrada negativa,
podemos dizer que a fase é 00 e o ganho 14 db
Vin
- ruidos na frequencia de 18
V0
MHz são amplificados
+ indefinidamente!!
+
Vin
Microfonia: o sinal sai do microfone e volta para ele com,
em uma certa frequencia, fase zero (ou 3600) e ganho
maior do que um. Sons nessa frequencia serão amplificados
dando o “apito” tipico do fenomeno de microfonia.
3600
Resposta em frequencia do AmOp com C1 (Bode)
V(6)
80dB 30°
60dB -30°
40dB -90°
20dB -150°
0dB -210°
-20dB -270°
-40dB -330°
1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz
• o polo de frequencia mais baixa esta próximo de 300 Hz
• a frequencia de ganho unitario esta em torno de 1.0
MHz
• os outros polos foram “jogados” para frequencias bem
altas
• na frequencia de ganho unitario a fase é de -900
• o AmpOp pode ser realimentado com ganho unitário e
não oscila
Diodo: Valvula Diodo
• O filamento é aquecido fornecendo energia aos elétrons que podem sair do metal;
• Se a tensão entre ânodo e cátodo for positiva, haverá uma corrente. Adicionalmente,
o campo elétrico e a corrente existentes diminuem a barreira de potencial para
extração dos eletróns, aumentando a corrente;
• Se a tensão entre ânodo e cátodo for negativa, não haverá uma corrente.
Diodo: semicondutor
Curva ideal de corrente e
N P tensão do diodo
I
VD
Catodo Anado VD
A corrente que passa pelo diodo

deve ser limitada por um circuito
externo
Diodo
• tensão VD > 0: passa corrente (diodo conduz)
• tensão’ VD ≤ 0: não passa corrente (diodo corta)
Exemplo
• Diodo cortado → tensão
10 V
VD > 0 → diodo esta
i 1,0 KW
conduzindo
Qdo supomos algo e chegamos
a uma contradição, quer dizer o
que supomos estava errado
Axioma lógico (um dos possíveis para lógica
clássica)
Assim dado
} (hipótese)
e implica em
e
} implica em
Importante observar que de
e B}, nada se pode dizer
10 V
i 1,0 KW i = 10/1k= 10 mA
10 V
o anado esta ligado na tensão
i 1,0 KW mais baixa do circuito e não
pode ser maior que a tensão de
catodo para conduzir. Assim
i = 0 mA
Aplicações: circuito retificador
I
Diodo
+
Vin R V0 VD
0,6 V
Modelo mais proximo do real.
Inicial a condução quando a
tensão esta próximo de 0,6 V
Vin = 2.5sen(2p1Kt); R = 10 KW
V(n002) V(n001)
3.0V
2.5V
2.0V 0,6 V
1.5V Vin
1.0V
0.5V
0.0V
Vo
-0.5V
-1.0V diodo conduz diodo corta
-1.5V
-2.0V
-2.5V
-3.0V
1.8ms 2.0ms 2.2ms 2.4ms 2.6ms 2.8ms 3.0ms 3.2ms 3.4ms 3.6ms 3.8ms
Lembrança
CVc(0)d(t)
R VC 1/sC
VC
t
Diodo
V0
+
Vin R C
Vin = 2.5sen(2p1K); R = 10 KW; C=1,0 uF
V(n003) periodo <<V(n002)
RC V(n001)
3.0V
2.5V Vin 0,6 V
2.0V Vo
1.5V
1.0V diodo corta
0.5V
0.0V
diodo
-0.5V
-1.0V
conduz
-1.5V
-2.0V
-2.5V
-3.0V
0.9ms 1.2ms 1.5ms 1.8ms 2.1ms 2.4ms 2.7ms 3.0ms 3.3ms 3.6ms 3.9ms 4.2ms
Aplicações: circuito retificador (com ajuste de
condução)
VR
R Diodo
+ o Diodo só conduz quando a
Vin V0
1V entrada for maior que 1,6
V.
Circuito retificador (com ajuste de condução)
V(n003) V(n001)
4.0V
3.2V 1,6 V Vin

2.4V
1.6V
0.8V 1,6 V VR
0.0V
-0.8V
-1.6V
-2.4V
-3.2V
-4.0V
Portas lógicas com diodos (portas ruins)
Lógica positiva
‘1’: 3,0 V VA
DA
‘0’: 0 V
i
VB
se VA, VB ou VC = 3,0 V: um diodo OR DB
conduz e a tensão na saída é de VC saída
2,4 V DC
se VA = VB = VC = 0 V: os diodos
R
estão cortados e saída é zero
Portas lógicas com diodos (correntes, níveis)
VA=3,0 V
• as corrente, quando a
DA saída esta em nível
i alto, é DC
VB
DB • a tensão de saída vai
degradando no nível
VC saída1 saída2
alto
DC 2,4V DC 1,8V •
se mais portas são
R R ligadas a saída,
aumentam as correntes
Portas lógicas com diodos (portas ruins)
3,0 V
se VA = VB = VC = 3,0 V: nenhum
AND
diodo conduz e a tensão na saída é R
de 3,0 V VA
DA
i
se VA ou VB ou VC é igual a 0 V: um VB
diodo conduz e a saída é 0,6V DB saída
VC
DC
Curva Corrente x Tensão - Real
Diodo
• polarização direta VD < 0
• polarização reversa tensão’ -VK < VD ≤ 0
• ruptura VD ≤ -VK
Região de Polarização direta
1. IS = corrente de saturação: depende da construção

do diodo (material, dopagens, forma geométrica,
dimensões, etc.)
Diodo
• IS ≈ 10-15 A
• IS depende da temperatura: dobra a cada 5 ºC de
aumento na temperatura
obs.: mal voces aprendem a usar diodos e já se fala da

variação dos parametros com a temperatura!!
Bem, veja que comumente circuitos eletronicos tem de
funcionar numa ampla faixa de temperaturas. Por
exemplo, um radio de automovel pode ter de funcionar
numa faixa de -10 a 60 ºC. Não é raro um circuito ter
de funcionar entre -20 a 100 ºC (ou mais)
Diodo
• exemplo: variação de -20 ºC a 100 ºC
IS varia 2(100-(-20))/5 ≈ 16 milhões de vezez!!!
2. UT = tensão térmica: kT/q

• k: constante de Boltzman
• q: carga do eletron
• T: temperatura em Kelvin
Normalmente a tensão térmica é chamada de V T, mas
chamaremos aqui de UT para não confundir, mais tarde,
com a tensão chamada tensão de limiar do transistor
MOS.
Diodo
Valores de UT
• 27 0C: UT = 25.9 mV
• 20 0C: UT = 25.3 mV
Podemos usar, para aproximar, UT = 25.0 mV em
calculos na temperatura ambiente
3. n: constante que está entre 1 e 2 e reflete

dopagens, recombinação na junção, etc.
Para tensões VD um pouco maiores que UT, a corrente
no diodo pode ser proximada por
Veja que a corrente cresce continuamente, não há uma

tensão limiar onde ela aparece. Exemplo:
IS = 10*10-15
VD = 0.45 V → i = 0.66 uA
VD = 0.5 V → i = 4.8 uA
VD = 0.55 V → i = 35 uA
VD = 0.6 V → i = 265 uA
VD = 0.65 V → i = 1.95 mA
A relação exponencial da corrente com a tensão se
mantem por várias decadas
A partir da relação acima pode-se escrever

Exemplo: termometro digital
I 1 ≠ I2
I1 I2 Considerando os dois diodos iguais,

V n1=n2 e IS1=IS2, podemos escrever
VD1 VD2
Curvas do diodo com temperatura
• Maior a temperatura, maior a corrente
aumenta a
temperatura
Circuito completo para medir temperatura (analisar)
Considerar
• i01 e i02 « I1 e I2
• R4/R3 = R2/R1
R2
I1 I2 R1
i01
- V0
i02
+
VD1 R3 𝒌𝑻 𝑹𝟐
VD2 𝑽 𝟎=𝒏 (𝒍𝒏(𝑰 ¿ ¿ 𝟏/ 𝑰 𝟐)) ¿
R4
𝒒 𝑹𝟏
A tensão na saída não depende do valor absoluto de R 2
e R1 ou de I1 e I2, mas da razão entre esta grandezas.
Isso é interessante pois:

• é mais facil garantir a razão entre componeste
• com a variação da temperatura, a relação tende a se
manter
𝒌𝑻 𝑹𝟐
𝑽 𝟎=𝒏 (𝒍𝒏(𝑰 ¿ ¿ 𝟏/ 𝑰 𝟐)) ¿
𝒒 𝑹𝟏
Região Reversa
Na região reversa a corrente é dada pela mesma
expressão da região direta
𝑽𝑫
𝒊 𝑫= 𝑰 𝒔 (𝒆𝒙𝒑 ( ) −𝟏)
𝒏𝑼 𝑻
Para tensão negativa VD de algumas dezenas de milivolts,

teremos que
𝒊 𝑫 =− 𝑰 𝒔
Região de Ruptura
Caso a tensão reversa aumente muito, podem ocorrer
dois fenomenos:
• Avalanche
• Tunelamento
Avalanche
Os eletróns livres são acelerados pelo campo elétrico e
ganham uma grande energia cinética. Esses eletrons,
que colidem periódicamente com a rede cristalina,
podem, na colisão, arrancar outro eletron do Si. A
partir daí, temos dois eletrons que serão acelerados e
colidem com a rede. O processo se repete, fazendo com
que o numero de eletrons livres
aumente geometricamente
A avalanche dimunui com o aumento da temperatura, pois a
velocidade térmica aumenta e o eletron colide com a rede mais
rapidamente sem ter tempo de ganhar muita energia pelo
campo elétrico.
Tunelamento
Tunelamento é um fenômeno
quântico que mostra que uma
partícula pode atravessar uma
barreira de potencial, mesmo
com uma energia menor que a
barreira
Tunelamento caminho clássico
Os eletróns na região de
valencia do Si-P conseguem
passar para a região de
conduçaõ do Si-N
diretamente.
Na fisica clássica, o eletron
tem de ganhar energia para
ir da valencia para a
condução, no Si-P, e então
deslocar para a conduçaõ no
Si-N.
Tunelamento
O tunelamento aumenta com o
aumento da temperatura, pois
os eletróns presos tem mais
energia e facilita a passagem
Se não se tomar cuidado, o processo de
ruptura pode danificar o dispositivo
Física do
Diodo
Fisica do Diodo
Silicio cristalino puro tem poucos eletrons/lacunas na

região de condução (apenas alguns que ganharam
energia devido a temperatura)
Fisica do Diodo
Para o Si intrinsico a concentração de eletrons
(lacunas) na região de conduçaõ (valencia) é
n = p = ni = 1.5*1010 port/cm3 (300 K)
onde n é a concentração de eletrons
p é a concentração de lacunas
Na rede cristalina temos que a concentração de
atomos é ≈ 5*1022 atm/cm3. Vemos que o numero de
portadores livres é muito baixo e o silicio puro é
muito resistivo em emperatura ambiente (300 K).
Para aumentar o número de portadores se dopa o Si
com impurezas doadoras (tipo N) e impurezas
aceitadoras (tipo P)
5 eletrons na
3 eletrons na ultima camada
ultima camada
As impurezas devem ser ionizadas para gerar eletrons
(impureza N) ou lacunas (impurezas P).
Na ionização
• o dopante tipo N perde um eletron ficando positivo
• o dopante tipo P rouba um eletron ficando negativo
Total de cargas é zero

• n (carga -) + ND (carga +) = 0
ND=concentração de dopantes doadores
• p (carga +) + NA (carga -) = 0
NA=concentração de dopantes aceitadores
Ionização
Quando os
dopantes estão
ionizados, o
total de
portadores será
| N D - N A|
• Caso haja mais eletrons do que lacunas no Si, ele será tipo N
• Caso haja mais lacunas do que eletrons no Si, ele será tipo P
No caso de haver apenas dopantes doadores, podemos

escrever que no equilibrio térmico (o indice n indica
material n):
nn = N D
nn.pn = ni2 ou pn = ni2/nn
No caso de haver apenas aceitadores, podemos
escrever que (o indice p indica material p):
np = N A
np.pp = ni2 ou nP = ni2/pp
Fisica do Diodo
Correntes elétricas aparecem devido
• aos campos elétricos
• a difusão
1. Corrente devido aos campos Elétricos
(corrente de deriva ou arrasto)
A corrente de Arrasto tem uma componente
devido as lacunas e outra componente devido aos
eletrons
Corrente de arrasto lacunas
⃗
𝐽 𝑃 =𝑞𝑝 𝜇𝑝 ⃗
𝐸=𝑞𝑝 𝑣 𝑙𝑎𝑐
JP: densidade de correntes de lacuna (vetor)
q: carga do eletron
mP: mobilidae das lacunas
p: densidade de lacunas
E: campo elétrico (vetor)
vlac: velocidade da lacuna
Corrente de arrasto eletrons
⃗
𝐽 =𝑞𝑛𝜇 ⃗𝐸=𝑞𝑛𝑣
𝑛 𝑛 𝑒𝑙
Jn: densidade de correntes de eletrons (vetor)
mn: mobilidae dos eletrons
n: densidade de eletrons
vel: velocidade do eletron
mn é 2 a 3 vezes maior que mP
Corrente total de deriva
⃗
𝐽 𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎=𝑞 ( 𝑛 𝜇 𝑛 +𝑝 𝜇 𝑝 ) ⃗
𝐸
2. Correntes de Difusão
difusão: causada pela diferença de concentração
de eletrons e lacunas. Devido a velocidade
térmica os portadores se movimentam e igualam
as concentrações
Lacunas:
⃗ 𝜕𝑝 𝜕𝑝 𝜕𝑝
𝐽 𝑃 =−𝑞 𝐷 𝑝 ⃗
𝛻 𝑝=−𝑞 𝐷 𝑝 ( , , )
𝜕𝑥 𝜕 𝑦 𝜕𝑧
DP: constante de difusão das lacunas
Correntes de Difusão
Eletrons:
⃗ 𝜕𝑛 𝜕𝑛 𝜕𝑛
𝐽 𝑛 =𝑞 𝐷 𝑛 ⃗
𝛻 𝑛=𝑞 𝐷𝑛 ( , , )
𝜕𝑥 𝜕 𝑦 𝜕𝑧
Dn: constante de difusão dos eletrons
Corrente total de difusão

⃗
𝐽 𝑑𝑖𝑓 =𝑞(𝐷¿¿𝑛 ⃗𝛻𝑛−𝐷𝑝 ⃗𝛻𝑝)¿
Caso de uma dimensão
⃗ 𝜕𝑝 ⃗ 𝜕𝑛
𝐽 𝑝 =− 𝑞 𝐷𝑝 𝐽 𝑛 =𝑞 𝐷 𝑛
𝜕𝑥 𝜕𝑥
P movimento das n
P
movimento dos
n
lacunas (+) eletrons (-)
𝜕𝑝 JP 𝜕𝑛 Jn
>0 >0
𝜕𝑥 𝜕𝑥
x x
252
Relação de Einstein
𝐷 𝑛 𝐷𝑝 𝑘𝑇
= =𝑈 𝑇 =
𝜇 𝑛 𝜇𝑝 𝑞
Dn: depende da velocidade térmica dos portadores

mn: mobilidade dos eletrons depende do intervalo entre
colisões dos eletrons com a rede, que, por sua
vez, depende também da velocidade témica
velocidade térmica: depende de kT/q
Níveis de energia
• Eletrons são particulas
tipo Fermions. Eles não
podem ocupar estados
quanticos identicos.
• Em sistemas com
restrições, átomos por
exemplo, os elétrons só
podem ocupar certos
níveis de energia (dois
elétrons por nível)
Niveis de energia
Quando se aproximam
vários átomos do
mesmo elemento, os
níveis de energia, que
inicialmente são iguais,
assumem valores
distintos (split),
formando bandas de
energia
Niveis de energia
Quando se aproximam
vários átomos do
mesmo elemento, os nucleos dos
atomos
níveis de energia, que
inicialmente são iguais,
assumem valores
distintos (split),
formando bandas de
energia
Formaçaõ de bandas de energia
Band de condução
Região
importante
Band de valência
Diagramas de bandas de semicondutores: constituem uma

rica representação para a análise e entendimento dos
semiconditores
Diagramas de bandas de energia do Si tipo N
𝑛=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 (
𝐸 𝐹𝑁 − 𝐸𝑖
𝑘𝑇 )
EC
banda de condução 𝑝=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 (
𝐸 𝑖 − 𝐸 𝐹𝑁
𝑘𝑇 )
EFN
Ei qfN n: concentração de elétrons
p: concentração de lacunas
Eg
EV
ni: concentarção n e p do Si não
dopado
banda de valencia
EFN: nível de Fermi
Ei: nível de Fermi do Si intrinsico
Eg: bandgap energy = 1.17 eV
Diagramas de bandas de energia do Si tipo P
𝐸 𝐹𝑝 − 𝐸𝑖
𝑘𝑇 )
banda de condução
EC
Eg
𝑝=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐸 𝑖 − 𝐸 𝐹𝑝
𝑘𝑇 )
Ei
qfp EFp
n: concentração de elétrons
EV
p: concentração de lacunas
ni: concentarção n e p do Si não
banda de valencia
dopado
EFP: nível de Fermi
Eg: bandgap energy= 1.17 eV
Como calcular a densidade de estado de eletrons/lacunas?
Qual é a função do nível de Fermi EF?
Densidade de Estados Possíveis X Energia
( )
3/2
E 2 𝑚𝑛 1 /2
𝑁 ( 𝐸 )=4 𝜋 2 ( 𝐸 − 𝐸𝐶 )
ℎ
Ec
Ev
h: constante de Planck
densidade de mn: massa efetiva do eletron
estados
N(E)
Probabilidade de um Estado de Energia estar ocupado X
Energia
E 1
𝐹 ( 𝐸 )=
Ec
EF
1+𝑒𝑥𝑝
𝑘𝑇 (
𝐸 − 𝐸𝐹
)
Distribuição de Fermi-Dirac
Ev
Obs: para E=EF F(E) = 0.5

0 0.5 1 probabilidade
de ocupação
F(E)
Densidade de eletrons na banda de condução e de
lacunas na banda de valencia
𝐸𝑡𝑜𝑝 𝐸𝑣
𝑛= ∫ 𝑁 ( 𝐸) 𝐹 ( 𝐸) 𝑑𝐸 𝑝=∫ 𝑁 ( 𝐸)(1 − 𝐹 (𝐸))𝑑𝐸
𝐸𝑐 𝐸0
n é igual a densidade de p é igual a densidade de

estado ocupados na banda estado vazios na banda de
de condução valencia
Distribuiçao de eletrons e de lacunas (Si sem dopantes)
N(E) F(E) e
(1-F(E))
Distribuiçao de eletrons e de lacunas (Si tipo N)
Distribuiçao de eletrons e de lacunas (Si tipo P)
F(E) e
N(E)
(1-F(E))
Densidade de eletrons na banda de condução
Quando substituimos N(E) e F(E) na expressão de n
𝐸𝑡𝑜𝑝
𝑛= ∫ 𝑁 ( 𝐸) 𝐹 ( 𝐸) 𝑑𝐸
𝐸𝑐
a integral não pode ser escrita como expressão fechada.
Uma simplificação possível é considerar que
3kT < (EC-EF)
Assim a distribuição Fermi-Dirac, para E > E C, pode ser
aproximada por𝐹 ( 𝐸 )= 1
(
≈ 𝑒𝑥𝑝 −
𝐸 − 𝐸𝐹
)
( )
𝐸 − 𝐸𝐹 𝑘𝑇
1+𝑒𝑥𝑝
𝑘𝑇
Assim a expressao para n será
( ) ( )
𝐸𝑡𝑜𝑝 𝐸𝑡𝑜𝑝 3 /2
2𝑚𝑛 𝐸 − 𝐸𝐹
𝑛= ∫ 𝑁 ( 𝐸) 𝐹 ( 𝐸) 𝑑𝐸= ∫ 4𝜋
ℎ
2 ( 𝐸 − 𝐸 𝐶)
1/2
𝑒𝑥𝑝 −
𝑘𝑇
𝑑𝐸
𝐸𝑐 𝐸𝑐
integral resultará em
𝑛= 𝑁 𝐶 𝑒𝑥𝑝 − (
𝐸𝐶 − 𝐸 𝐹
𝑘𝑇 )
( )
3/2
2 𝜋 𝑚𝑛 𝑘𝑇 19 −3
𝑁 𝐶 =2 2
=2 . 8 𝑥 10 𝑐𝑚
ℎ
Densidade de lacunas na banda de valencia
Quando substituimos N(E) e F(E) na expressão de n
𝐸𝑣
𝑛= ∫ 𝑁 ( 𝐸)(1 − 𝐹 (𝐸)) 𝑑𝐸
𝐸0
a integral não pode ser escrita como expressão fechada.
Uma simplificação possível é considerar que
3kT < (EF - EV)
Assim a distribuição Fermi Dirac, para E < E V, pode ser
aproximada por
𝐹 ( 𝐸 )=
1
(
𝐸𝐹 − 𝐸
≈ 1 −𝑒𝑥𝑝 − )
(
1+𝑒𝑥𝑝 −
𝐸 𝐹 −𝐸
𝑘𝑇 ) 𝑘𝑇
Assim a expressão para n será
𝐸𝑣
𝑝= ∫ 𝑁 ( 𝐸 )(1 − 𝐹 ( 𝐸 )) 𝑑𝐸
𝐸0
integral resultará em
𝑝= 𝑁 𝑉 𝑒𝑥𝑝 − (
𝐸𝐹 − 𝐸𝐶
𝑘𝑇 )
( )
3 /2
2 𝜋 𝑚𝑝 𝑘𝑇 19 −3
𝑁 𝑉 =2 2
=1. 04 𝑥 10 𝑐𝑚
ℎ
Observemos que, a grosso modo, no calculo de n e p substituimos a
distribuição de Fermi-Dirac, que deve ser usada, pela distribuição
clássica de Maxwell-Boltzmann
Relações
considerando que np = ni2 podemos chegar a
(
𝑛𝑖 =√ 𝑁 𝐶 𝑁 𝑉 𝑒𝑥𝑝 −
𝐸𝑔
2 𝑘𝑇 )
𝑜𝑛𝑑𝑒 𝐸 𝑔=( 𝐸 𝐶 − 𝐸 𝑉 )
No Si intriseco teremos n=p e podemos escrever
(
𝑁 𝐶 𝑒𝑥𝑝 −
𝐸𝐶 − 𝐸𝑖
𝑘𝑇 ) =1❑( 𝐸 − 𝐸 )= 𝐸 +𝑘𝑇𝑙𝑛 ( 𝑁
⇒
𝑔 𝑉
)≈
𝐸𝑔
− 0 . 025 𝑒𝑉
𝑒𝑥𝑝 ( −
𝑘𝑇 )
𝑖 𝑉
𝑖𝐸 −𝐸𝐶
2 𝑁 𝑐 2
𝑁𝑉
Ei está praticamente no centro da banda proibida

(bandgap)
Observações
• EC é a energia do eletron livre com menor energia
• para calcular a diferença de potencia entre dois pontos,
x1 e x2, integra-se o compo eletrico, E, em x
𝑥2
𝑉 𝑥2 −𝑉 𝑥1 =− ∫ 𝐸𝑑𝑥
𝑥1
para calcular a varição da energia do eletron em um campo

eletrico entre dois pontos, x1 e x2, integra-se a força, F,
em x
𝑥2 𝑥2 𝑥2
𝐸𝑛 𝑥 2 − 𝐸𝑛 𝑥1 =−∫ 𝐹𝑑𝑥 =−∫ (−𝑞) 𝐸𝑑𝑥=∫ 𝑞𝐸𝑑𝑥
𝑥1 𝑥1 𝑥1
Observações
Portanto
𝐸 𝑛 𝑥 2 − 𝐸 𝑛 𝑥 1 =− 𝑞(𝑉 𝑥2 −𝑉 𝑥1 )
ou seja, a variação da energia do eletron é proprcional ao
negativo da varição do potencial eletrico
• No equilibrio térmico, o nível de Fermi deve ser
constante. Se, por exemplo, o nível de Fermi em x1 for
diferente do que em x2, teremos diferentes
probabilidades de ocupação de um nível de energia En
qualquer em x1 e x2, e não estariamos no equilibrio
térmico (os eletrons se redistribuiriam para que a
probabilidade se iguale)
Exercício
Considere o Si em equilibrio térmico. Nele foi aplicada uma tenção
V(x) na posição x. Conhecendo-se os valores de n(0)=n0 e p(0)=p0
determine n(x) e p(x)
E V(x)
C
- qV(x)
Ei Eg
EF
EV
0
n0 e p0 x
n(x) e p(x)
𝐸 𝐹 − 𝐸𝑖 (𝑥 )
𝑛( 𝑥)=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝑇
=
𝑛(𝑥)=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ¿
𝑞𝑉 (𝑥 )
𝑛( 𝑥)= 𝑛0 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝑇
De forma analoga, teremos:
𝑞𝑉 ( 𝑥)
𝑝 (𝑥 )=𝑝 0 𝑒𝑥𝑝 (− )
𝑘𝑇
Junção P/N
N (ND) P (NA)
𝐸 𝐹𝑁 − 𝐸𝑖
𝑘𝑇 ) 𝑝=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐸 𝑖 − 𝐸 𝐹𝑝
𝑘𝑇 )
camada de conduçaõ camada de conduçaõ
EC EC
EFN
Eg
Ei qfN Ei
qfp EFp
Eg
EV EV
camada de valencia camada de valencia

Junção P/N (zero tensão)
VD=0 tensão
N (ND) externa P (NA)
EC
camada de conduçaõ q(fN+fP) = qfi Eg
EC Ei
EFN qfp EFp
Ei qfN EV
Eg
EV
camada de valencia
Como fazer o diagrama
• traçar o nível de Fermi constante
• em torno do nível de Fermi desenhar, a esquerda, o
diagrama do Si-N intrinsico e a direta, do Si-P
• na região central unir, com curvas suave, EC, EV e Ei. A
distancia entre estas três curvas é constante sempre
• a variação total da energia será q(fN+fP)
Observe que como Ei varia, tambem variam os valores
de n e p
𝑛= 𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝(𝐸𝐹 − 𝐸𝑖
𝑘𝑇 ) 𝑝=𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐸 𝑖− 𝐸 𝐹
𝑘𝑇 )
O que acontece quando se “unem os
semicondutores”
1. eletrons do lado N se difundem para o lado P
2. lacunas do lado P se difundem para o lado N
3. do lado N, ficam as impurezas ionzadas positivas
4. do lado P, ficam as impurezas ionizadas negativas
eletróns
difundem
EC
camada de condução -
- -- Eg
EC + - Ei
EFN + + qfp EFp
Ei qfN - - -
+ - EV
+ +
Eg
EV + +
camada de valencia lacunas
difundem
5. as impurezas ionizadas são cargas fixas que causam um campo
elétrico
6. o campo elétrico causa o movimento dos eletrons para a região N
7. o campo elétrico causa o movimento das lacunas para a região P
Campo
elétrico região
neutra
arrasto de
região eletrons eletrons
neutra difundem EC
camada de -
condução - - Eg
EC + - - Ei
EFN + + qfp EFp
Ei qfN - - -
+ - EV
+ +
Eg
EV + + lacunas
camada de arrasto de difundem
valencia lacunas
região de
depleção
• As correntes de difusão e de arrasto se equilibram e a
corrente total será
JDp+JDn+JAp+JAn = 0
• em torno da junção metalurgica, surge uma região depletada
de portadores (região de depleção)
• na região de depleção o campo elétrico é diferente de zero
• fora da região de depleção, o campo elétrico é próximo de
zero. Observe que onde há campo elétrico há variação na
energia do elétron
Cargas no diodo
junção
Cargas +
metalúrgica
xp
xn -
xd
arrasto de
eletrons eletrons
difundem EC
camada de -
condução - - Eg
EC + - - Ei
EFN + + qfp EFp
Ei qfN - - -
+ - EV
+ +
Eg
EV + + lacunas
camada de arrasto de difundem
valencia lacunas
região de
depleção
As cargas no diodo podem ser calculadas somando-se n, p,
ND e NA
n(x): carga negativa
p(x): carga positiva
ND(x): carga positiva (supomos que cada atomo doador
forneça um eletron)
NA(x): carga negativa (supomos que cada atomo aceitador
forneça uma lacuna)
r(x) = -n(x)+ND(x)+p(x)-NA(x)
No silicio P ou N isolado essa carga é zero pois

n(x)=ND(x) e p(x)=NA(x)
Para simplificar a solução do diodo costuma-se utilizar a hipótese da
região de depleção: região onde a concentração de portadores livres é
muito baixa, ou seja n≈p≈0, e há cargas elétricas fixas.
Assim a carga
• na região de depleção: r(x) = ND(x) - NA(x)
• fora da região de depleção (região neutra): r(x) =-n(x)+ND(x)+p(x)-
NA(x) xd
EC
camada de
-
- - - Eg
EC condução + - Ei
EFN + + qfp EFp
- - -
Ei qfN + - EV
+ +
Eg + +
EV
camada de
região
valencia região região de neutra
neutra depleção
Exercício:
Considerando ND e NA constantes e que ha cargas apenas na
região de depleção. Determinar a distribuição de carga, o
campo elétrico e o potencial na junção P/N
Lembrar:
junçao
Cargas +
metalurgica
xp
xn -
xd
𝑥𝑛 𝑁 𝐷 𝑥𝑝 𝑁 𝐴
𝑞 =𝑞
𝜀𝑠 𝜀𝑠 𝜕𝐸 𝜌 ⇒ 𝜌
Campo Elétr. = ❑ 𝐸=∫ 𝑑𝑥
𝜕𝑥 𝜀 𝜀
Area
𝜕𝑉 ⇒
Potencial fi
=− 𝐸❑ 𝑉 =−∫ 𝐸𝑑𝑥
𝜕𝑥
• o campo elétrico é linear por partes. O valor de pico é
• a queda de potencial total é -fi dado por
• o potencial total é proporcional a area abaixo do campo

elétrico
• pela conservação das cargas temos que

• Unindo as duas últimas relações podemos obter:
• note que a região de depleção a queda de potencial total

é -fi dado por
• Distribuiçaõ de cargas e portadores na junção
(VD=0)
Idif
N (ND) E P (NA)
Iarasto
nn0=ND + + junçao
+ metalurgica
+ + pp0=NA
xp
- - -
xn
- - np0=ni2/NA
pn0=ni2/ND - -
xd
Junção P/N (fora do equilíbrio)
N (ND) P (NA)
VD > 0 (tensão externa)
camada de condução EC
EC
Eg
EFN Ei
Ei qfN qVD qfp EFp
EV
Eg
EV
camada de valencia
Junção P/N (fora do equilibrio)
N (ND) P (NA)
VD > 0
EC q(fN+fP-VD)
Eg
EFN EFN’ Ei
qfN qVD qfp EFp
Ei
EFP’
EV
Eg
EV
camada de valencia
• A tensão na junção agora será
q(fN+fP-VD)
menor que o caso de equilibrio (VD = 0). Com isso

campo elétrico diminui → corrente de arrasto diminui → o
equilibrio das correntes é quebrado e ha uma corrente maior
de difusão do lado P para o lado N
• A região de depleção terá agora
292
VD > 0
Idif
E
Iarasto
EC q(fN+fP-VD)
Eg
EFN EFN’ Ei
qfN qVD qfp EFp
Ei
EFP’
EV
Eg
EV + - -
+ + -
camada de valencia + -
+ + - -
-
+ + -
Distribuiçaõ de cargas e portadores na junção (VD>0)
Idif
N (ND) E P (NA)
Iarasto
nn0=ND + + pp0=NA
+
campo eletrico não + +
consegue repelir as xp campo eletrico não
lacunas que entram na consegue repelir os
xn
região N - - -
eletrons que entram na
região P
- -
pn0=ni /ND
2
- - np0=ni2/NA
xd
N (ND) VD<0 P (NA)
Tensão externa
EC
Eg
camada de conduçaõ Ei
EC q|VD| qfp EFp
EFN
EV
Ei qfN
Eg
EV
camada de valencia
Junção P/N (fora do equilibrio) Idif
E
Iarasto
N (ND) VD < 0 P (NA)
q(fN+fP+|VD|)
EC
Eg
camada de conduçaõ Ei
EC q|VD| EFP’ qfp EFp
EFN
EV
Ei qfN EFN’
Eg
EV -
+ + - -
camada de valencia + + - -
+ -
+ + - -
+
• A tensão na junção agora sera
q(fN+fP+|VD|)
maior que o caso de equilibrio (VD = 0). Com isso

campo elétrico aumenta → corrente de arrasto aumenta → o
equilibrio das correntes é quebrado e ha uma corrente maior
de arrasto do lado N para o lado P
• A região de depleção terá agora (aumenta com a tensão
reversa)
Distribuiçaõ de cargas e portadores na junção (VD <0)
Idif
N (ND) E P (NA)
Iarasto
+ + pp0=NA
nn0=ND +
+ + xp não ha eletrons
não ha lacunas para
para o campo
o campo eletrico
eletrico puxar na
puxar na região N xn
- - - região P
- np0=ni2/NA
pn0=ni2/ND -
- -
xd
0
• A corrente reversa é limitada pois as concentrações das
lacunas do lado N e dos eletrons do lado P são limitadas!!
• podemos, com os niveis de quase fermi, calcular a
concentração dos minoritários nas bordas das regiões de
depleçaõ
• Região N:
• Região P:
A concentração aumenta com VD

Distribuiçaõ de cargas e portadores na junção (VD>0)
N (ND) P (NA)
nn0=ND pp0=NA
xp
𝑝 𝑛0 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑞𝑉 𝐷
𝑘𝑇
xn
(
𝑛𝑛0 𝑒𝑥𝑝
𝑞𝑉 𝐷
𝑘𝑇 )
pn0=ni /ND
2 np0=ni2/NA
xd
Distribuiçaõ de cargas e portadores na junção (VD <
0)
N (ND) P (NA)
pp0=NA
nn0=ND
xp
𝑝 𝑛0 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑞𝑉 𝐷
𝑘𝑇 xn (
𝑛𝑛0 𝑒𝑥𝑝
𝑞𝑉 𝐷
𝑘𝑇 )
np0=ni2/NA
pn0=ni2/ND
xd
0
bordas da
regiao de
depleção
N (ND) P (NA)
VD > 0
camada de conduçaõ EC
EC q(fN+fP-VD)
Eg
EFN EFN’ Ei
qfN qVD qfp EFp
Ei
EFP’
EV
Eg
EV + - -
+ + -
camada de valencia + -
+ + - -
-
+ + -
Calculo da Corrente do diodo (Dopagem constante)
Para conhecer as componentes das correntes ao longo do
diodo achar sua expressão, são aplicadas algumas hipóteses
simplificadoras:
• Hipótese 1: não há geração/recombinação de portadores

na região de depleção.
• na geração um par eletron/lacuna é criado
• na recombinaçao um par eletron/lacuna desaparece
Não havendo nem o surgimente nem o desaparecimento de
portadores, podemos concluir que todos os portadores que
entram na região de depleção devem sair quando o regime
é estável (regime estavel, todas as derivadas são nulas)
Calculo da Corrente do diodo
• Hipótese 2: a corrente de minoritários na região neutra,
se significativa, é majoritariamente de difusão
Exemplo: Região P:
J = JN + JP
J= JNA + JND + JPA + JPD
+
Para região P teremos
por fim
+
• Hipótese 3: longe da junção as correntes são apenas
de majoritários: longe da junção, os valorres de n e
p não são afetados pela junção e seus valores iguais
a dos semicondutores originais (dopagens
constantes). Dessa forma, não ha corrente difusão,
apenas de arrasto
• região P: JPA domina
• região N: JNA domina
obs.: está última hipótese não é necessária para
determinar a expressão da corrente
Correntes no diodo (regime permanente)
N (ND) P (NA)
JT = JN + JP
JN=JNA JP= JPA
hip. 1: corrente
hip. 3: corrente
constante
de majoritários
(arrasto) JN=JND(xp)
JN=JND+JNA
hip. 2: corrente
de minoritários JP=JPD(-xn) JP=JPD+JPA
(difusão)
xn xp
JP=0 xd JN=0
0 X
A densidade de corrente do diodo pode ser calculada somando
as correntes de eletrons e lacunas em qualquer ponto
J(x) = JN(x) + JP(x)
Em particular, a corrente pode ser encontrada como
J(x) = JP(-xn) + JN(xp) = JPD(-xn) + JND(xp)
Assim se conseguirmos encontrar a corrente de minoritários
nas extremidades da região de depleção, podemos determinar
a corrente do diodo (lembrar que esta é penas de difusão).
Equação da Continuidade
⃗
𝐹
❑
𝜕 ∫ 𝜌 𝑑𝑉 ❑ ❑
𝑉𝑜𝑙
𝜕𝑡
= ∫ ⃗ 𝑠 + ∫ (𝐺 − 𝑅) 𝑑𝑉
𝐹𝑑⃗ Volume
𝐴𝑟𝑒𝑎 𝑉𝑜𝑙
❑
𝜕 ∫ 𝜌 𝑑𝑣 ❑ ❑ ❑
𝜕𝜌
𝑉𝑜𝑙
=∫ 𝑑𝑣= ∫ ⃗ 𝐹 𝑑𝑣 + ∫ (𝐺 − 𝑅) 𝑑𝑣
𝛻⃗
𝜕𝑡 𝑉𝑜𝑙 𝜕𝑡 𝑣𝑜𝑙 𝑉𝑜𝑙
para uma dimensão:

Equação da Continuidade
Seja
• r: densidade de um portador (numero de
port./volume)
• Fluxo do portadores (numero de port./área)
• G: taxa de geração deste portador (numero de
port./tempo)
• R: taxa de recombinação deste portador (número de
port./tempo)
Concentração de portadores minoritários
Região P
• minoritários eletrons nP(x)
• np0: concentração de minoritários longe da junção
(np0= NA/ni2)
• fora da região de depleção: x > xp
• G: taxa de geração
• R: taxa de recombinação
Região P
• As taxas de geração e recombinação depende da
concentração de portadores. Como boa aproximação
podemos escrever na região P
• (G-R) depende apenas dos minoritários

• depende de quanto nP esta distante da concentração de
equilíbrio np0.
• tn: é o tempo de vida do minoritário na região P
Região P
Equação da continuidade para eletrons
Lembrando que a corrente de difuão é
podemos então montar a equação

Quando a corrente estabiliza, podemos usar resultando em

uma equação diferencial linear de segunda ordem. Para sua
resolução são necessárias duas condições iniciais
1. nP(xp) = np0exp(VD/UT)
2. Ha duas possibilidades
• diodo longo: np()=np0
• diodo curto (comprimento do lado P=xLP): np(xLp)=np0
𝑉𝐷
𝑛𝑝 (𝑥𝑝 )=𝑛 𝑝0 𝑒𝑥𝑝(𝑞 )
𝑘𝑇
n(x)
Região P
𝑛𝑝 0
depleção região neutra
xP X
A solução para um diodo curto é
onde
Com o valor de np(x), podemos determinar a corrente de
difusão na região neutra P
De forma analoga, podemos determinar a corrente de difusão

de lacunas no ponto -xn, que será
Como ja vimos, a densidade de corrente total do diodo será
JT = JP(-xn) + JN(xp) = JPD(-xn) + JND(xp)
ou
A corrente é a densidade de corrente vezes a área da junção

ou
A equação vale para qualquer VD (não fizemos nenhuma
consideração sobre o valor de VD)
Obs: O sinal negativo apenas indica que a corrente vai da

direita para esquerda, ou do P para o N
A expressão é igual a que usamos onde
Não aparece o termo n no expoente. Para dopagens ND e NA

constantes, n=1.
IT
N (ND) P (NA)
VD
EC q(fN+fP-VD)
Eg
EFN qVD EFN’ Ei
qfN qfp EFp
Ei
EFP’
EV
Eg
EV
camada de valencia IT
319
319
Cargas e capacitancias no Diodo
As equações vistas até aqui, mostram apenas as correntes DC
no diodo. Por outro lado, durante a operação deste, há a
variações
• de cargas na região de depleção
• de eletrons e lacunas nas regiões neutras (nestas regiões, a
soma das cargas será zero)
O efeito das cargas e portadores, cujas quantidades variam
nos transientes, pode ser modelado por capacitancias. Estas
devem ser incorporadas ao modelo do transistor.
Cargas e capacitancias no Diodo (Capacitancia de Junção)
• Diodo Reverso
Cargas na região de depleção (lado N e lado P)
Qj Qj aumenta pois a
região de depleção
aumenta
va
VQ VR= - VD
Cargas no Diodo (Capacitancia de Junção)
• Diodo Reverso
Cargas na região de depleção (lado N e lado P)
va: pequeno
VQ: ponto de polarização
va
O diodo se comporta como um capacitor
𝜕 𝑄𝑗
𝐶 𝑗 (𝑉 𝑄 )= ¿𝑉
VQ 𝜕𝑉 𝑅 𝑄
• Diodo Reverso
𝜕𝑄 𝑗
𝐶 𝑗 (𝑉 𝑄 )= ¿𝑉
𝜕𝑉 𝑅 𝑄
va
como teremos:
VR 𝜀 𝑠 𝐴𝑟𝑒𝑎 𝐶 𝑗0
VQ 𝐶 𝑗 (𝑉 𝑅 )= =
√
𝑥𝑑 𝑉𝑅
1+
𝜙𝑖
• Diodo Reverso
Chamando
teremos:
𝐶 𝑗0 • A capacitancia diminiu quando

𝐶 𝑗 (𝑉 𝑅 )=
√ 𝑉𝑅 VR aumenta
1+
𝜙 𝑖 • é usado para implementar
capacitores com valor ajustavel
(varactor)
• Diodo direto
A região de depleção colabora com uma capacitância neste
estado
𝐶 𝑗0
𝐶 𝑗 (𝑉 𝐷 )=
√ 1−
𝑉𝐷
𝜙𝑖
• A capacitancia aumenta quando VD aumenta
• Diodo direto
Ainda na polarização direta, há excesso de portadores na
região quase neutra, dos dois lado da junção
(QPn=QNn do lado N; QNp= QPp do lado P)
nn0=ND
+ + pp0=NA
QNn +
+ + xp QPp
QPn xn
- - -
- QNp
pn0=n /ND
2 -
i
- - np0=ni2/NA
xd
• Diodo direto
O carga total devido este excesso de portadores é:
QDT = QPn+QPp = -(QNn+QNp)= QPn-QNn
nn0=ND
+ + pp0=NA
QNn +
+ + xp QPp
QPn xn
- - -
- QNp
pn0=n /ND
2 -
i
- - np0=ni2/NA
xd
• Diodo direto
Podemos aplicar as equações de portadores minoritarios e de
corrente de minoritarios na região neutra. Para a região P
teremos
onde
𝐽 𝑁𝐷 (𝑥𝑝 )=𝑞
𝐷𝑛
[
𝑛 𝑒𝑥𝑝 (𝑞
𝐿𝑛 𝑝 0
𝑉𝐷
𝑘𝑇
)− 1 ]
∞ 2
𝐿
𝑄 𝑁𝑝=− ∫ (𝑛 ¿ ¿ 𝑝(𝑥)− 𝑛𝑝 0)𝑑𝑥=− . 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝐽 (𝑥𝑝 )=− 𝜏𝑛 𝐴𝑟𝑒𝑎. 𝐽 𝑁𝐷 (𝑥𝑝)¿
𝑛
𝑥𝑝 𝐷𝑛 𝑁𝐷
• Diodo direto
De forma analoga teremos
−𝑝 2
𝐿
𝑄 𝑃𝑛= ∫ (𝑝 ¿ ¿𝑛(𝑥)− 𝑝𝑛 0)𝑑𝑥=¿
𝑝
. 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝐽 (𝑥𝑝)=𝜏 𝑝 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝐽 𝑃𝐷 (− 𝑥𝑛)¿ ¿
−∞ 𝐷𝑝 𝑝𝐷
A carga total na região neutra será

𝑄 𝐷𝑇 =𝑄 𝑃𝑛 −𝑄 𝑁𝑝 =𝜏 𝑝 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝐽 𝑃𝐷 (− 𝑥𝑛)+𝜏 𝑛 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝐽 𝑁𝐷 (𝑥𝑝)¿
Para cortar um diodo, esse total de cargas deve ser tirado da
região neutra. Caso considerarmos , então
𝑄 𝐷𝑇 =𝑄 𝑃𝑛 −𝑄 𝑁𝑝 =𝜏 𝑇 𝐴𝑟𝑒𝑎( 𝐽 𝑃𝐷 (− 𝑥𝑛)+ 𝐽 𝑁𝐷 (𝑥𝑝 ))=𝜏 𝑇 𝐼 𝐷

• Diodo direto
Por fim, a capacitancia direta será
𝑉𝐷
𝜕 𝐼 𝑆 (𝑒𝑥𝑝 ( ) −1)
𝜕 𝑄 𝐷𝑇 𝜕 𝜏 𝑇 𝐼 𝐷 𝑛𝑈 𝑇 𝜏𝑇
= =𝜏 𝑇 = 𝐼𝐷
𝜕𝑉 𝐷 𝜕𝑉 𝐷 𝜕𝑥 𝑛𝑈 𝑇
Para que um diodo corte, o excesso de portadores que

aparece na região neutra deve ser retirado. O tempo
necessário para esta retirada atrasará o corte de um diodo.
nn0=ND pp0=NA
QNn
condução QPp
QPn= - QNp =
pn0=ni2/ND np0=ni2/NA
xd
nn0=ND
pp0=NA
corte
np0=ni2/NA
pn0=ni2/ND xd
0
• Exemplo: atraso no corte de diodo
R1
entrada saída
V1 1k
D1
PULSE(-2 2 0 0.1n 0.1n 50n 100n 50) 1N914
.tran 0 5u 0 0.1n atraso

no corte
V(n002) V(n001)
3.0V
2.4V
1.8V entrada
1.2V
0.6V
0.0V saída diodo corta
-0.6V saida=0,6V
-1.2V
-1.8V saída
-2.4V
-3.0V
diodo conduz
1.68µs 1.71µs 1.74µs 1.77µs 1.80µs 1.83µs 1.86µs saida=V1
1.89µs 1.92µs 1.95µs 1.98µs
Modelo para diodo considerando capacitâncias
CJ CD VD
ID
Modelo para Diodo
Para o corte o modelo se resume ao capacitor CJ (talvez uma
fonte de corrente para modelar a corrente reversa)
CJ
IS
IS
Modelo para Diodo
Para o diodo conduzindo diretamente podemos utilizar
a equação (não estamos preocupados com transientes)
ID
[
𝐼 𝐷 =𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝(
𝑉𝐷
𝑈𝑇
)− 1
] VD
Podemos experimentar a utilização dessa equação para

resolver circuitos simples
Modelo para Diodo
Considere o circuito abaixo. Para o diodo conduzindo
diretamente teremos
[ ]
𝑉𝐷 𝐼𝐷
𝐼 𝐷 =𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝( )− 1 𝑉 𝐷 =n 𝑈 𝑇 ln ( )
𝑛𝑈 𝑇 𝐼𝑆
VR
+ ID R Não é possível isolar ID nesta equação!

Vin VD
Conclusão: mesmo num caso simples não é
muito viável o uso da expressão exponencial
Modelo para Diodo
Mesmo se pudessemos resolver o circuito com a equação
básica do diodo, ainda teríamos a limitação de que ela não
leva em consideração o comportamento transiente do diodo
(efeitos capacitivos)
Para problemas simples, pode-se utilizar métodos gráficos
de resolução. Considere o caso em que
Vin = 2.0 V e R = 100 Ohms
1. Traçar a curva do ID x VD do diodo (normalmente a curva
é fornecida pelo fabricante)
2. traçar uma reta passando por Vin com inclinação -1/R
3. A intersecção entre as curvas é o ponto de operação do
diodo
Resolução gráfica
VD VR
Vin
Modelo para Diodo
Podemos substituir o diodo por modelos lineares mais
simples, para aproximar a resolução de problemas
Curva ideal de corrente e tensão do diodo

(modelo mais simples)
ID
VD
Modelo para Diodo
Podemos substituir o diodo por modelos lineares mais simples
para aproximar a resolução de problemas
Modelo mais próximo do real: a condução inicia quando

a tensão esta próxima de 0,6 V
ID
Diodo ideal
+
VD0
VD
0,6 V
Solução com o modelo acima. Consideramos que o diodo
conduz teremos
VR
+ ID R
Vin VD0
Um modelo um pouco mais sofisticado do diodo, leva em

consideração a inclinação da curva ID x VD.
A curva do modelo tangencia a curva real em um ponto
Curva real
Inclinação = 1/rd
modelo
Iq
Vq
O valor de rd pode ser calculado como a inclinação da curva
real no ponto onde as curvas real e ideal se tocam (Vq, Iq)(o
“-1” que soma a expomencial é desprezado)
Diodo ideal
rd
+ Esta curva será uma aproximação razoável se
VD
estivermos trabalhando em torno do ponto (Vq, Iq)
Solução do problema com nosso novo modelo
VR
ID Diodo ideal
+ R
Vin rd
+
VD0
Veja que podemos estimar o ponto (Vq, Iq), usando um valor

incial para VD0 e um modelo mais simples. Uma vez estimado
(Vq, Iq), calcula-se rd e se necessário um novo valor de VD0
Modelos
VD(t): tensão total no diodo
VD: tensão DC na entrada
vd(t): tensão de pequeno sinal na entrada
𝑉 𝐷 (𝑡)=𝑉 𝐷 +𝑣 𝑑 (𝑡)
A corrente no diodo será
(
𝐼 𝐷 ( 𝑡 ) =𝐼 𝑆 exp
𝑉 𝐷(𝑡 )
𝑛𝑈𝑇 )=𝐼 𝑆 exp ⁡(
𝑉 𝐷 + 𝑣 𝑑 (𝑡 )
𝑛𝑈𝑇
)
Chamemos
𝑉𝐷
𝐼 𝐷 0 =𝐼 𝑆 exp ⁡( )
𝑛𝑈 𝑇
a corrente no diodo causada por uma tensão DC VD. Essa
corrente pode ser chamada corrente de polarização do
diodo.
Podemos expandir o termo em série de Taylor em torno
de . Isso resultará em
+ ...
Caso tenhamos
a série de Taylor pode ser aproximada pela termo linear, ou

seja
exp
(
𝑣𝑑 ( 𝑡 )
𝑛𝑈𝑇 )=1+
𝑣𝑑 (𝑡 )
𝑛𝑈 𝑇
exp
(
𝑣𝑑 (𝑡 )
𝑛𝑈 𝑇 )
¿0 =1+
𝑣𝑑 ( 𝑡 )
𝑛𝑈𝑇
+
Assim a corrente do diodo será
• primeiro termo: corrente causada pela tensão DC

(corrente de polarização)
• segundo termo: corrente causada pela entrada de pequeno
valor (corrente de pequenos sinais)
Caso chamemos rd = nUT/ID0 então
+
Muitas vezes estamos interessados apenas no comportamento
do diodo para pequenos sinais. Neste caso o modelo para o
diodo será apenas um resistor (talvez com capacitores
adicionais)
rd = nUT/ID0
Este é o modelo de pequenos sinais para o diodo.
Observe que o valor de rd depende da corrente de
polarização do circuito
Exemplo: determine a oscilação da tensão de saída causada
pela variação do sinal de alimentação (considere n=1.75).
Vamos aproximar a queda de tensão do diodo por 0,7 V (VD).
Esta tensão depende na verdade da corrente que passa por
ele.
V = 10 +sen(2p60t) Corrente ID0 será:
DD
10 − 0 , 7
𝐼 𝐷0= =0 . 93 𝑚𝐴
i 10 𝑘
10 KW
Neste caso rD será:
vout Ohm
Modelo de pequenos sinais
mV
VDD= sen(2p60t)
Sinal da saída total (polarização mais
pequenos sinais)
i 10 KW
0.7V + 4.7 mV
vout
47 W A tensão vd(t)=4.7 mV « UT. Dessa forma a
linearização dá uma boa aproximação.
Modelo de pequenos sinais
Sinal da saída total será então

- 0,7 V (esse valor pode variar um pouco, pois foi uma
aproximação que fizemos no inicio)
- uma oscilação entre  4.7 mV
Exemplo:
Diodo 1N914 (n=1.75)
.model 1N914 D (Is=2.52n Rs=.568 N=1.752 Cjo=4p M=0.4 Tt=20n
Iave=200m Vpk=75 mfg=OnSemi type=silicon)
R1 Vout
V1 10k
D1
SINE(10 1 60 0 0 0 20) 1N914
VDD= 10 +sen(2p60t) .tran 0 0.25 0 0.1u
V(n002) V(n001)
11V
10V
9V
8V entrada
7V
6V
5V
4V
3V
2V VOUt
1V
0V
68ms 72ms 76ms 80ms 84ms 88ms 92ms 96ms 100ms 104ms
saída: oscilação inferior a 10 mVPP
Valor DC de 0.581V(n002)V
587mV
586mV
585mV
584mV
583mV VOUt
582mV
581mV
580mV
579mV
578mV
577mV
576mV
68ms 72ms 76ms 80ms 84ms 88ms 92ms 96ms 100ms 104ms
Modelo mais completo de pequenos sinais
incorpora as capacitancias
𝐶 𝑗0
𝐶 𝑗 (𝑉 𝐷 )=
rd CJ CD
√ 1−
𝑉𝐷
𝜙𝑖
𝜏𝑇
𝐶 𝐷 (𝑉 𝐷 )= 𝐼𝐷
𝑛𝑈 𝑇
Podemos ver o efeito das capacitancias no modelo de
pequenos sinais. Do modelo do diodo temos que
Cj0 = 4 pF
tT = 22 ns
Cj0 = 4 pF
tT = 22 ns
CD= tT.ID/(nUT)= 0.46 nF
A capacitância CD é muito maior que CJ0, portanto podemos
desprezar esta ultima.
Consideremos que VDD = 10 +sen(2p.10e6.t)
Um capacitor de 0.46 nF, em 10 MHz será equivalente a
uma impedancia de
ZD = 1/(j2p.fCD)= -j34.6 Ohms
VDD= 10 +sen(2p10e6t)
i 10 KW
VOUt
|(47//(-34.6j)| W = 27 W
(lembrar que a capacitancia é
imaginária)
y(t)=A
Deveremos ter agora uma oscilaçao de cerca de 5,4 mVpp

saída: oscilação próxima
V(n002)
a 5.93 mV PP
586.4mV
585.6mV
584.8mV
584.0mV
583.2mV VOUt
582.4mV
581.6mV
580.8mV
580.0mV
579.2mV
578.4mV
577.6mV
0.72µs 0.76µs 0.80µs 0.84µs 0.88µs 0.92µs 0.96µs 1.00µs 1.04µs 1.08µs 1.12µs
Observemos apenas a oscilação esta em 10 MHz, e o diodo esta conduzindo

Em 10 MHz não daria para o diodo cortar ou conduzir (muito rapido)
V(n002) V(n001)
6V
5V VDD: 6sen(2p.10e6t)
4V
3V
2V
1V VOUt
0V
-1V
-2V
-3V
-4V
-5V
-6V
400ns 440ns 480ns 520ns 560ns 600ns 640ns 680ns 720ns 760ns 800ns 840ns
6V
5V
V(n002)
VDD: 6sen(2p.10e3t) V(n001)
4V
3V
2V
1V
0V
-1V
-2V
VOUt
-3V
-4V
-5V
-6V
3.75ms 3.78ms 3.81ms 3.84ms 3.87ms 3.90ms 3.93ms 3.96ms 3.99ms 4.02ms 4.05ms 4.08ms 4.11ms 4.14ms
Fontes de tensão
REGULAÇÃO
diodos
retificadores
mantem a
reduz a retificador de reduzir tensão na
tensão no onda completa ondulações saída fixa
sistema (ponte de Um RC é um independente
eletronico diodos) filtro simples da corrente
(de 110 VP puxada. Zener
para 10 VP) pode ser
usado
• zener: diodo que trabalha na ruptura
• ponte de diodos: é um retificador de onda completa e será visto adiante
Regulador com diodos
Suponha que quermos uma tensão proxima de 3 V. Precisaremos
de cerca de 4 diodo (4*0.7 = 2.8 V) (considere n=1,75)
VDD= 10 +sen(2p60t)
Corrente ID0 será:
i 3.6 KW 10 − 4 ∗ 0 , 7
𝐼 𝐷0= =2 𝑚𝐴
3 .6 𝑘
vout
Neste caso rD será:
Ohm
VDD= sen(2p60t)
mV
i 3.6 KW
vout
21.9 W
21.9 W Em cada diodo a tensão varia 22.1/4 mV, ou

seja 5.5 mV (ainda vale o modelo de pequenos
21.9 W sinais)
21.9 W
R1
Vout
V1 10k
D1 1N914
SINE(10 1 60 0 0 0 200) D2 1N914
D3 1N914
D4 1N914
VDD= 10 +sen(2p60t) .tran 0 0.25 0 0.01m

V(n002) V(n001)
12V
11V
10V
9V VDD
8V
7V
6V
5V
4V
3V Vout
2V
1V
77ms 84ms 91ms 98ms 105ms 112ms 119ms 126ms 133ms 140ms 147ms 154ms 161ms
V(n002)
2.502V
2.496V
saída: oscilação próxima a 48 mVPP
2.490V
2.484V
2.478V
2.472V
2.466V
2.460V
2.454V
2.448V
2.442V
78ms 84ms 90ms 96ms 102ms 108ms 114ms 120ms 126ms 132ms 138ms 144ms
A tensão de saída ficou abaixo do esperado, próxima a 2.47 V

Caso se use diodo para regulador teremos
- tensão pouco controlada
- variação grande com temperatura
Vout em Temp = 100 0C
O valor DC cai para aproximadamente 1.92 V
V(n002)
1.962V
1.956V
1.950V
1.944V
1.938V
1.932V
1.926V
1.920V
1.914V
1.908V
1.902V
1.896V
1.890V
Dois conceitos importantes em reguladores (e fontes
de tensão) são:
• Regulação de linha
• Regulação de carga
𝒗𝒂𝒓𝒊𝒂 çã 𝒐 𝒅𝒂𝒕𝒆𝒏𝒔 ã 𝒐 𝒅𝒆 𝒔𝒂í 𝒅𝒂

𝑹𝒆𝒈𝒖𝒍𝒂 çã 𝒐 𝒅𝒆𝒍𝒊𝒏𝒉𝒂=𝑹 𝑳=
𝒗𝒂𝒓𝒊𝒂 çã 𝒐𝒏𝒂 𝒕𝒆𝒏𝒔 ã 𝒐 𝒅𝒆 𝒂𝒍𝒊𝒎𝒆𝒏𝒕𝒂 çã 𝒐
𝒗𝒂𝒓𝒊𝒂çã 𝒐 𝒅𝒂𝒕𝒆𝒏𝒔 ã 𝒐 𝒅𝒆 𝒔𝒂í 𝒅𝒂

𝑹𝒆𝒈𝒖𝒍𝒂 çã 𝒐 𝒅𝒆𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂= 𝑹𝑪=
𝒗𝒂𝒓𝒊𝒂 çã 𝒐𝒏𝒂 𝒄𝒐𝒓𝒓𝒆𝒏𝒕𝒆 𝒅𝒆𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂
No regulador com quatro diodos analisado temos que RL
= 22.1 mV/V (teórico) ou 24 mV/V (simulação)
• O estudo feito anteriormente é de análise. Temos um circuito e
devemos descobrir “como funciona” (”características”).
• O projeto, por outro lado, é o contrário: sabemos com deve
funcionar o circuito, quais são as características desejadas, mas
não o temos. Para projetar, devemos, no mínimo, saber fazer a
analise
Projeto: desejamos fonte de 2,0 V e uma regulação de carga RC. A
tensão de alimentação deve ser de 10 V
𝑅 ∗3 𝑟 𝑑
VDD= 10 V ∆ 𝑣 =∆ 𝑖
Di 𝑅+ 3𝑟 𝑑
Dv
i R ∆𝑣 𝑅∗3𝑟𝑑
R 3rd 𝑅 𝐶= =
∆ 𝑖 𝑅+3 𝑟 𝑑
vout
10 − 2 ,0
𝐼 𝐷=
modelo de 𝑅
pequenos
regulador sinais 𝑛𝑈𝑇 𝑅
𝑟 𝑑=
(10 − 2 ,0)
Utilizando a expressão de rd na expressão de RC,
obtemos
𝑅 ∗ 3 𝑛𝑈 𝑇 𝑅 ∗ 3 𝑛𝑈 𝑇
𝑅 𝐶= ≈
10 − 2+ 3 𝑛𝑈 𝑇 10 −2
Por fim achamos o valor de R para obter o RC desejado
𝑅 𝐶 (10 − 2)
𝑅≈
3 𝑛𝑈𝑇
Para um RC de 20 V/A teremos
𝑅 ≈ 1 . 22 𝐾𝑂ℎ𝑚
Oscilação na saída para uma corrente de carga de
sen(2p.1k.t) mA
R1
V1 1.22k
D1 1N914 I1
10
D2 1N914
SINE(0 1m 1k)
D3 1N914
V(n002)
2.7V
2.4V
.tran 0 20m 0 0.01m 2.1V

.temp 27 1.8V
1.5V
1.2V
0.9V
0.6V
0.3V
0.0V
-0.3V
Oscilação na saída para uma corrente de carga de
sen(2p.1k.t)
2.045V
saída: oscila 21V(n002)mVp (RC = 21)
2.040V
2.035V
2.030V
2.025V
2.020V
2.015V
2.010V
2.005V
2.000V
1.995V
1.990V
1.985V
Fontes de tensão
REGULAÇÃO
diodos
retificadores
Circuito Retificadores: meia onda
Diodo
ID
+
rd
Vin Vs V0
R
VD VD
Modelo simples
Diodo conduzindo
Se R >> rd então
e se VS >> VD então
V(n002) V(n001)
3.0V
2.5V
2.0V VD
1.5V
1.0V
VS
0.5V
0.0V
Vo
-0.5V
-1.0V diodo conduz diodo corta
PID
-1.5V
-2.0V
-2.5V
-3.0V
PID: peak inverse voltage = Vsmax
Importante para saber se o diodo entra na região de
ruptura na tensão PID
Circuito Retificadores: onda completa

D1
V0
+ Vs1 = -Vs2
Vs1
Vs R
Vin • quando Vs1 > VD então diodo
+ D1 conduz
Vs2
• quando Vs2 > VD então diodo
D2 conduz
D2
Vs1= 4.sen(2p.1k.t)
V(n003) V(n001) V(n002)
5V
4V Vs1 Vs2
0,6 V
3V
Vo
2V
1V
D1 conduz D2 conduz D1 conduz
0V PID
-1V
-2V
-3V
-4V
-5V
• PID= 2Vsmax - VD
é maior do que o caso anterior
• há necessidade de um transformador com duas

saídas
+ +
Vs1
Vs
Vin
Vs Vin
+
Vs2
Retificador em Ponte
D1
+ D4
V0 Conduzem
Vin Vs • D1 e D2 (Vs > 0)
R • ou D3 e D4 (Vs < 0)
D2 D3
Retificador em Ponte (Vs > 0)
(VS - VD) PID

VD Os diodos D3 e
+ D4 D1
D4 tem de
V0
Vin Vs (VS - 2VD) tensão reversa
R máxima de
D2 (Vsmax-VD)
VD D3
-VD
Retificador em Ponte (Vs < 0)
-VD PID
VD Os diodos D1 e
+ D1
V0 D2 tem de
Vin
D4 tensão reversa
(VS - 2VD)
Vs R D3 máxima de
D2 (Vsmax-VD)
VD
(VS - VD)
saída
V(n002)
Vs1= 4.sen(2p.1k.t)
V(N001,N003) V(N003,N001) 0.6V
4.0V Vs
3.2V 2*0,6 V
2.4V
1.6V
Vo
0.8V
0.0V
-0.8V D1, D2 D3, D4 D1, D2 PID

-1.6V
-2.4V
-3.2V
-4.0V
1.0ms 1.1ms 1.2ms 1.3ms 1.4ms 1.5ms 1.6ms 1.7ms 1.8ms 1.9ms 2.0ms 2.1ms 2.2ms 2.3ms
Retificador meia onda com filtro (RC)
Diodo
V0
+
Vin R C
Retificador + Filtro RC
Vin = 2.5sen(2p.1K.t); R = 10 kW; C=1,0 mF
V(n003) V(n002) V(n001)
3.0V
2.5V Vin T
2.0V
0,6 V Vo
1.5V
1.0V diodo corta ripple
0.5V
0.0V
diodo
-0.5V
-1.0V
conduz
-1.5V
-2.0V
-2.5V
-3.0V
Para estimar o ripple lembrar o comportamento
de um circuito RC
R CVc(0)d(t)
VC 1/sC
VC
t
A descarga da saída é uma exponencial, dado por
onde V0(0)=(VSmax -VD)

• a exponencial pode tambem ser aproximada pela sua série de
Taylor com apenas o termo de primeira ordem
• Se o ripple for pequeno podemos aproximar o valor de t pelo

periodo do sinal T (no caso de onda completa, por T/2).
O ripple será então

𝑇 1
𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒=𝑉 0 (0)−𝑉 0 (𝑡)=𝑉 0 (0)𝑇 / 𝑅𝐶 =(𝑉𝑖𝑛𝑚𝑎𝑥 −𝑉 𝐷 ) =(𝑉𝑖𝑛𝑚𝑎𝑥 −𝑉 𝐷 )
𝑅𝐶 𝑓𝑅𝐶
O mesmo resultado pode ser obtido, de forma mais simples se
• lembrarmos que para um capacitor
• que para um capacitor que é descarregado por uma corrente

I0 constante, durante um intervalo T
• que o capacitor do filtro é descarregado pela corrente que

passa por R, cujo valor é
• que se o ripple for pequeno podemos então considerar

V0(t) ≈const.=
Assim
• Para um retificador de onda completa o ripple caira pela
metade, ou
Dado o valor de R, normalmente a carga esperada, e o valor de

T, podemos calcular o C necessário para manter o ripple dentro
de limites desejados
• O valor do ripple porcentual é

(meia onda)
Diodo zener
Diodo zener é desenvolvido para trabalhar na região de ruptura
• -VZK e -IZK: Tensão mínima (módulo) e Corrente mínima

(modulo) para a ruptura do diodo. Em um projeto devemos
garantir que a corrente reversa seja menor do que -IZK
-VZ0
-VZK
-IZK
• -VZ e -IZT:Tensão nominal e Corrente de teste. (-VZ,-IZT)
dão o ponto Q.
• Pelo ponto Q passa uma reta tangencial a curva do diodo.
Esta curva tem
• inclinação 1/rZ
• e intercepta o eixo X na tensão VZ0
•No ponto Q, uma variação da tensão DV causará uma
variação em I de
Diodo zener (especificações)
Exemplo:
vamos considerar que o diodo tenha
VZ=7,5 V IZT=34 mA rZ=5 Ohm IZK=1 mA
Determinar a tensão na saída e a oscilaçao
VDD= 10 + sen(2p60t) VDD= 10 + sen(2p60t)
Modelo
ID 0,5 KW
ID 0,5 KW
vout
vout vZ0
rZ
Precisamos determinar o valor de VZ0
VZ = VZ0 + rZ*IZT
Pelos valores dados temos que VZ0 = 7,33 V
A corrente ID pode ser determinada pela expressão

10-7,33 = ID*(500+5)
o que nos da ID =5.4 mA
A tensão Vout será
Vout = VZ0 + rZId = 7,36 V
A oscilaçao será de rZ/(500+rZ).1Vp = 9,9 mVp
Regulador com Diodo zener
Retificador + Filtro
D1
+ D4
Vi Vs
n R
Vsr
D2 D3
Retificador + Filtro + Regulador Zener
D1
+ D4
I R IL C
Vin Vs
a
R IZ Vo r
Vsr
g
D2 D3 a
I R IL
C
+ a
Vsr IZ Vo r
g
a
Vsr
Vsr tem um ripple

𝜕𝑉 0 𝑟𝑧
𝑅 𝐿= = Regulação de linha
𝜕 𝑉 𝑆𝑟 𝑅 +𝑟 𝑍
𝜕 𝑉 0 𝑅 .𝑟 𝑍
𝑅𝐶 = = ≈𝑟𝑍 Regulação de carga
𝜕 𝐼 𝐿 𝑅+𝑟 𝑍
obs.: podemos reduzir o valor de RL aumentando o valor de

R. Por outro lado, este aumento causaria a diminuição na
corrente I = IL + IZ, deixando menos corrente para poder
usar na carga
Podemos dimensionar RMax, o max valor que pode ser aplicado
a R, dados:
• IZMin: minima corrente que devo ter no zener
• ILMax: maxima corrente de carga esperada
• VsrMim: minima tensão na entrada
Podemos então escrever
𝑉𝑠𝑟 𝑀𝑖𝑛 −(𝑉 𝑍 0 +𝑟 𝑍 . 𝐼 𝑍𝑀𝑖𝑛 )
> 𝐼 𝑍𝑀𝑖𝑛 + 𝐼 𝐿𝑀𝑎𝑥
𝑅 𝑀𝑎𝑥
𝑉𝑠𝑟 𝑀𝑖𝑛 −(𝑉 𝑍 0 +𝑟 𝑍 . 𝐼 𝑍𝑀𝑖𝑛)

𝑅 𝑀𝑎𝑥 <
𝐼 𝑍𝑀𝑖𝑛+ 𝐼 𝐿𝑀𝑎𝑥
• Caso o zener seja dominado pelo tunelamento(também
chamado de efeito zener), VZ0 é normalmente inferior a
5,0 V (módulo). Neste caso, o aumento da temperatura
aumenta a energia dos eletrons na valencia e facilita o
salto deles para a banda de condução. Em consequencia, o
módulo da tensão VZ0 diminuirá.
Outros
circuitos
com diodos
VDD
Vo
D2
R VDD + VD
Vin D1 Vo
Vin
-VD
Circuito restaurador
• Quando o circuito inicia, t=0s, o capacitor esta descarregado

• quando a entrada vai para -6V, o sinal de saída tende a ficar
negativo, mas o diodo começa a conduzir.
• o capacitor é carregado com a tensão 6 V pelo diodo (preste
atenção na orientaçaõ da tensão)
• agora a tensão de entrada muda para 4 V
• O capacitor mantem a tensão de 6 V, assim a saida vai para
10 V
• quando a entrada vai para -6V, o sinal de saída volta para
zero
Observe que o diodo conduz apenas no inicio para carregar o
capacitor depois fica cortado. O capacitor fica sempre com a
tensão de 6V.
Circuito restaurador com resistor de carga
C1
D1
V1 100n R1
10k 1N914
PULSE(-6 4 0 1u 1u 0.5m 1m 20)
.tran 0 10m 0 0.1u

V(n003) V(n001)
12V
10V
8V
6V
4V
2V
0V
-2V
-4V
-6V
-8V
Diodos Especiais
1. Diodo Schottky
A junção entre metal e silicio (N) forma um diodo
Vantagens
• as cargas da região neutra
aparecem apenas no silicio (mais
rápidos)
• menor tensão de condução (ideal
para ponte de diodos)
Diodos Especiais
2. Diodo Varactor
Diodo polarizado reversamente para ser usado como capacitor
Qj
Usados para construção
de filtros ajustáveis
𝐶 𝑗0
𝐶 𝑗 (𝑉 𝑅 )=
√ 1+
𝑉𝑅
𝜙𝑖
va
VQ VR= - VD
409
Diodos Especiais
3. Foto-Diodo
Junção P/N reversamente polarizada. A lux que atinge a região
de depleçao causa o aparecimento de pares eletrons lacunas e o
aumento da corrente reversa.
4. Diodo-emissor
Junção P/N diretamente polarizada. Os eletrons/lacunas
injetados na região de depleção recombinam e emitem fotons
obs.: em diodos normais não se deseja a recombinação ou

geração de pares eletrons/lacunas na região de depleção.
410
Transistor Bipolar de Junção (Bipolar Junction
Transistor – BJT)
(ou apenas Transistor Bipolar)
Vimos, até agora, como dispositivo básico os diodos. Vimos que

eles podem ser utilizados em fontes, limitadores de tensão,
restauradores, blocos lógicos primitivos, etc. Há, no entanto,
apenas uma quantidade limitada de aplicações possíveis para
diodos e seus variantes (zener, foto diodos, etc.). Há a
necessidade de outros dispositivos para construção de circuitos
eletrônicos mais sofisticados.
Já vimos Válvulas Diodo
• O filamento é aquecido fornecendo energia aos elétrons que podem sair do metal;
• Se a tensão entre ânodo e cátodo for positiva, haverá uma corrente. Adicionalmente,
o campo elétrico e a corrente existentes diminuem a barreira de potencial para
extração dos eletróns, aumentando a corrente;
• Se a tensão entre ânodo e cátodo for negativa, não haverá uma corrente.
Evolução na Válvula Diodo
A válvula descrita acima é de aquecimento direto. Nela

o catodo é um dos terminais do filamento. Muitas
vezes é conveniente isolar o aquecimento do resto do
circuito. Nas válvulas de aquecimento indireto o
filamento é isolado do cátodo.
Evolução da Válvula: tríodo
Caso uma grelha for colocada entre o cátodo e o ânodo, a tensão

nessa grelha controlará a corrente que passa pelo circuito.
Ep
Há outros tipos de válvulas: tetrodo, pêntodo. Dessa forma se

obtinham diversos dispositivos que permitiam implementação de
muitos circuitos
Regulador com Diodo zener (dificuldades)
Já vimos o regulador com zener. Sabemos que a corrente que
passa no zener é IZ = (I- IL) e que a mínima corrente deve ser
superior a IZMin. Qundo a corrente de carga diminui, o consumo
total da fonte não diminui e IZ aumenta (variando VZ ).
D1
+ D4
I R IL C
Vin Vs
a
R IZ Vo r
Vsr
g
D2 D3 a
Suponha que temos o zener com rZ=5 Ohms e que IL varia de

100mA. Isso causará uma variação de 0.5 V na saída da fonte
de tensão. Para muitos casos este é um valor intolerável!!
D1
+ D4
I R IL C
Vin Vs
a
R IZ Vo r
Vsr
g
D2 D3 a
Uma configuração alternativa para a fonte de corrente
D1
+ D4
8,0 V IL
Vin Vs c e 4,0 V
D
R C
R b
Vsr a
Vo
-
D2 r
+
4,0 V
D3 g
IZ a
Nesse circuito comparamos a tensão de saída com o tensão no
zener, e ajustamos, através de uma tensão de controle, a
corrente que passa por um dispositivo misterioso D. Neste caso
a corrente do zener é praticamente fixa (varia apenas com o
ripple na saída do retificador) e sua tensão não varia com a
corrente de carga.
Como deve ser então esse dispositivo D:
• Tem três terminais
• A tensão Vce pode ter qualquer valor
• A corrente que passa entre c-e, Ice, depende da tensão Vbe
• O ganho entre Ice e Vbe deve ser grande
• Pequena corrente entrando por b (reduz consumo)
Exemplo:
Considere que Vo = 3,9 V
1. Saída do AmpOp é alta
2. Tensão Vbe aumenta
3. Aumenta a corrente que vai para carga IL
4. A tensão Vo aumenta até se ajustar a 4,0 V
D1
+ D4
8,0 V IL
Vin Vs c e 4,0 V
D
R C
b
Vsr R a
Vo
-
D2 r
+
D3 4,0 V
g
IZ a
Comportamento do nosso dispositivo D
• Corrente na entrada Vb deve ser baixa
• Curvas de operação
Ice Veb1 < Veb2 < Veb3 < Veb4 vce
c e
Ice4 vbe4 D
vbe3
Ice b
Ice3
vbe
Ice2 vbe2
Ice1 vbe1
Vce
1948: transistores bipolares - Bardeen, Brattain e Shockley (BellTelephone
Laboratories). Segue daí a explicação da física básica do transistor.
Bardeen, Brattain e Shockley ganharam o

prêmio Nobel de física pelas pesquisas em
semicondutores e descoberta do efeito
transistor em 1956. Bardeen recebeu outro
Nobel em 1972 pelo desenvolvimento da teoria
da supercondutividade.
Transistor Bipolar NPN
IC
VBC
IC
VCE
IB IC
VBE IE
Dispositivo de três terminais:
1. Emissor (emitter)
2. Base
3. Coletor (collector)
construção
O transistor se assemelha a um bloco
com dois diodos, mas não é bem isso.
Para sua correta operação na chamada
região ativa, a mais importante, a Circuito
análogo
largura da base deve ser estreita. Isso
fará toda a diferença na sua operação
Transistor Bipolar PNP
IC
IC
IC
424
construção
Circuito
análogo
Transistor Bipolar
discreto
CI (m741)
Vamos investigar os possíveis modos de operação do transistor
Bipolar. Tentaremos, até onde possível, extrair o
comportamento do transistor a partir do comportamento dos
diodos. Apenas mais tarde examinaremos o efeito transistor.
O modo de operação do transistor depende do estado dos
seus diodos
• diodo base/emissor (DBE): diodo com o lado P na base
• diodo base/coletor (DBC): diodo com lado P na basse
Os diodos poderão estar
• cortados (um ou ambos)
• conduzindo (um ou ambos)
• ou em ruptura (um deles)
Vamos por agora apenas considerar a situação de condução ou
corte.
1. Transistores cortados: diodos DBE e DBC cortados. Neste

caso não passa corrente em nenhum dos três terminais.
corta corta
Transistor NPN no corte
Emissor Base Coletor
N (NDE) VBE < 0 P (NA) VBC < 0 N (NDC)
q(fNE+fP+|VBE|) q(fNC+fP+|VBC|)
camada de camada de
EC conduçaõ q|VBE| EFP’ qfp q|VBC| conduçaõ EC
EFP’
EFNE EFNC
qfNC EFNE’ EFNC’ qfNE
Ei
Eg
EV - - EV
+ + -- -- + +
camada de + + -- - + +
- camada de
+ - -
valencia
+ + - - - - + ++ valencia
+ +
Dois diodos unidos (os dois cortados)
N (NDE)
P (NA) N (NDE)
nn0E=NDE WB grande nn0E=NDE
pp0=PA
np0=ni2/NA
pn0E=ni2/NDE
pn0E=ni2/NDE
Transistor NPN no corte - distribuição de portadores
importante: não ha portadores na base
N (NDE) WB pequeno N (NDC)
nn0E=NDE P (NA)
nn0C=NDC
pn0E=n /NDE
2 a concentração de pn0C=ni2/NDC
i
lacunas não sobe
431
2. Transistor saturado: diodos DBE e DBC conduzindo. Neste
caso passa alta corrente no emissor e coletor.
• para DBE conduzir, VBE ≈ 0,6 V
• para DBC conduzir, VBC ≈ 0,6 V
Assim
VCE ﹦ (VC － VE) ﹦ (VC － VE ＋ VB － VB) ﹦(VBE － VBC) ≈ 0
• Quanto mais próximo de zero estiver VCE, mais saturado
esta o transistor e maior será corrente
• Veremos mais tarde detalhes sobre esta região de
operação
2. Transistor saturado (NPN)
Base Coletor
Emissor
P (NA)
N (NDE) VBE > 0,6V VBC > 0.6V N (NDC)
camada de
condução q(fN+fP-VBE) q(fN+fP-VBC)
EC EC
EFNE EFNE’ EFNC’ EFNC
qfp qfp
qfNE EFp qfNC
Ei qVBE EFP’ EFp EFP’ qV
BC
Eg
EV EV
camada de
valencia
Dois diodos unidos (os dois conduzindo)
N (NDE) P (NA) N (NC)

nnE0=NDE WB
pp0=NA
nnC0=NDC
-
np0=ni2/NA pnC0=ni2/NDC
pnE0=ni2/NDC
2. Transistor saturado (NPN) - distribuição de portadores
Importante: muitos portadores na base
WB
N (NDE) P (NA) N (NDC)
nn0E=NDE
pp0=NA nn0C=NDC
np
pnE0=ni2/NDE pnC0=ni2/NDC
3. Transistor ativo direto: diodo DBE conduzindo e DBC
cortado. Este é o caso interessante, onde teremos um novo
fenômeno
Convenção de tensões e correntes
IC
VBC conduz corta
VCE
IB
VBE IE
436
3. Transistor ativo direto
Algumas relações
• para DBC cortar, VBC < 0,3 V
Assim
VCE ﹦(VC － VE) ﹦(VC － VE ＋ VB － VB) ﹦(VBE － VBC) ≥ 0,3V
Para o transistor, pela convenção adotada, podemos escrever

IE = IC + IB
437
Relações válidas devido ao efeito transistor
onde
• "constante" com valor grande (em geral acima de 100)
• IS: constante que depende da implementação do transistor
(dimensões, geometria, dopagens, etc.)
• n: constante que depende do perfil das dopagens
438
Podemos obter, das relações acima, que
chamamos de a
E portanto
439
Principais Relações (ativo)
• VBE ≈ 0,6 V e VCE > 0,3V
• IE = IC + IB
• e
Curvas do Transistor Bipolar NPN (IC x VCE)
saturação ativa-direta
VBE5
VBE4
VBE3
VBE2
VBE1
Parametrizado por IB (idealizado)

Parametrizado por IB (BC546 - Fairchild)
Como , podemos também ter curvas parametrizadas por VBE
O transistor serve para nossa fonte
D1
+ D4
8,0 V + vrp IL
Vin Vs c e 4,0 V
R C
b
Vsr R a
Vo
-
D2 r
+
D3 IZ VZ =4,0 V V0
g
a
• Tensão na base= 4,6 V
• Corrente de base IB = IL/b
• tensão no zener:
Exemplo de aplicação de transistor na região ativa
VCC A tensão de entrada na base tem uma

componente DC, VB, e outra variável, vB (t)
IC RC
Vamos determinar o valor de VC0. A corrente IC
do transistor é dada por
VC0
vB(t) Podemos escrever como
VB
Exemplo de aplicação de transistor na região ativa
Chamaremos de IC0 a corrente que apareceria

VCC se tivéssemos na entrada apenas VB. Teremos
IC RC então:
VC0 e
Como já fizemos antes com o diodo, podemos
expandir o termo exponencial que aparece em
vB(t) IC em série de Taylor
VB
+ ...
Caso tenhamos
vB(t) « nUT ≈ n×25mV
a série de Taylor pode ser aproximada pelo termo linear, ou
seja
exp
(
𝑣 𝐵 (𝑡)
𝑛𝑈𝑇 )=1+
𝑣 𝐵 (𝑡)
𝑛𝑈𝑇
exp
(
𝑣𝐵 ( 𝑡 )
𝑛𝑈𝑇 )
¿ 0=1+
𝑣𝐵 (𝑡 )
𝑛𝑈𝑇
e assim
+
A tensão na saída pode ser determinada. Será
𝐼𝐶0
𝑉 𝐶 0=𝑉 𝐶𝐶 − 𝐼 𝐶 𝑅 𝐶 =𝑉 𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼 𝐶0 − 𝑣 𝐵 ( 𝑡 ) 𝑅𝐶
𝑛𝑈𝑇
A saída é composta por duas partes:
• uma parte com valor constante chamado de : esta é a
tensão que aparece na saída caso apenas a tensão DC VB
for aplicada
• outra parte com valor que depende apenas de vB(t), este
parte depende da entrada variável. Veja que aqui a
entrada aparece multiplicada por , que pode ter um valor
grande
Considerando que VCC=10 V, RC = 2K Ohm, IC0=1 mA e n=1,
teremos
= 80
e por fim
Podemos dizer que

• a saída esta polarizada em 8,0 V
• o circuito é um amplificador com ganho de -80
BC547C (n=NF=1.01): V2 R1
2k
• Corrente IC0 = 1 mA entrada de 1,0
out
10
mVPP, saída de 150 mVPP V1

Q1
BC547C
• usando UT = 25.89 mV, o ganho será

SINE(0.6186 1m 1k 0 0 0 20)
de 76 V(out) .tran 1u 20m 0
8.05V
8.03V
8.01V
7.99V
7.97V
7.95V
7.93V
7.91V
Se desejamos aumentar o ganho, podemos colocar dois
amplificadores destes em seguida, mas
• o DC da saída do segundo amplificador deve ser próximo
de 0.62 V (esta em torno de 8 V) VCC
VCC
IC RC
RC
Como ligar?? V0
vB(t)
VB
Se utiliza um capacitor de acoplamento CB
VCC
VCC • o capacitor CB armazena
IC RC carga para termos
RC VCB
VCB = (8-0.62) VDC
CB V0
8 VDC 0.62 VDC • para DC o capacitor é um
aberto e o segundo
RB transistor esta com
vB(t)
VB = 0.62 V
0.62 V
VB • para a frequência do sinal
de entrada |1/(jwCB)| « RB
Modelos para Transistor Bipolar DC
(Modelo T - região ativa direta)
C C
IC IC
Equivalentes
B
( )
𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
B
𝛼 𝐼𝐸
𝐼𝑆 𝐼𝑆
IB ( ) ( )
VBE
IE
𝐷
𝛼 ( )
𝛼 𝐼 = 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝 𝑉 𝐵 𝐸
𝑛𝑈𝑇 VBE
IB 𝛼
IE
E E
(Modelo p - região ativa direta)
𝐼𝑆
𝐼 𝐷 = 𝑒𝑥𝑝
𝛽 ( )
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
IB IC IB IC
B C B C
VBE
𝐼𝑆
( )
𝛽
( )
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
VBE
𝐼𝑆
( )
𝛽
𝛽𝐼𝐵
IE IE
E Equivalentes E
Equivalência entre modelo T e p
É fácil verificar a equivalência entre os dois modelos T ou
os dois modelos p, mas e entre um T e outro p?
C
IC
𝐼𝑆
( )
𝛽
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
IB IC
B ( )
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇 B C
VBE
IB
𝐼𝑆
( )
( ) 𝐼 = 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝 𝑉 𝐵 𝐸
𝛼 𝐷 𝛼
𝐼𝑆
( )
𝛽
( )
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
𝑛𝑈𝑇 VBE
IE
IE
E Equivalentes?? E
• IE = IC + IB
• ICs são iguais
• devemos verificar se os IBs ou os IEs são iguais
• não ha necessidade de verificar todas as correntes (IC, IE,
IB)
C IC
IB
𝐼𝑆
𝛽
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
IC
( )
B
( )
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇 B C
𝐼𝑆 𝐼𝑆 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
( )
𝑉𝐵𝐸
IB
( )
( ) ( )
VBE 𝛼 𝐼 = 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝 𝑉 𝐵 𝐸 𝛽
𝑛𝑈𝑇
𝐷
𝛼 𝑛𝑈𝑇 VBE
IE
IE
E Equivalentes?? E
454
Equivalência entre modelo T e p
No modelo T
𝐼𝑆
𝐼 𝐵 = 𝑒𝑥𝑝
𝛼 ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇 ( )
− 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
=
1 −𝛼
𝛼 ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
𝐼𝑆
=( ) 𝑒𝑥𝑝
𝛽 ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈 𝑇
𝐼𝑆
𝐼 𝐵 =( )𝑒𝑥𝑝
𝛽 ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
No modelo p
𝐼𝑆
𝐼 𝐵 =( )𝑒𝑥𝑝
𝛽 ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
Assim, nos dois modelos as correntes IBs são iguais e,
portanto, eles são equivalentes
Obs.: Nos modelos, foi ignorada a corrente reversa do
diodo base/coletor, ICB0.
• esta corrente pode ser medida deixando o emissor
aberto
• seu valor depende de VCB
• é da ordem de nanoamperes
• aproximadamente dobra a cada 10 ºC de aumento na
temperatura.
Efeito Early
saturação ativa-direta
VBE5
VBE4
VBE3
VBE2
VBE1
Parametrizado por IB (idealizado)

Efeito Early
Qual é a causa do
efeito Early?

Vamos entender melhor o funcionamento do
transistor Bipolar operando na região ativa
VBE = 0.6V VBC <0V
N (NDE) P (NA)
N (NDC)
camada de q(fN+fP+|VBC|)
condução q(fN+fP-VBE)
EC
EFNE qVBE EFNE’ camada de
qfp EFP’ conduçaõ EC
Ei qfNE
EFP’ EFP q|VBC| EFNC
Eg EFNC’ qfNC Ei
EV + --
camada de ++ - -
+
valencia + + -- - EV
- -- + +
+ + - -
- + +
-
camada de
- - + ++ valencia
+
Dois diodos unidos (DBE conduzindo e DBC cortado)
VBE = 0.6V VBC < 0V
P (NA) N (NDE)
N (NDE)
nn0E=NDE WB grande
nn0E=NDE
pp0=NA
pn0E=ni2/NDE
np0=ni2/NA
pnE0=ni2/NDE
Transistor região ativa (NPN) - distribuição de
portadores
WB
N (NDE) VBE = 0.6V VBC <0V N (NDC)
P (NA)
nn0E=NDE
pp0=NA
nn0C=NDC
npB/E
pnE/B
np pnC0=ni2/NDC
pnE0=ni2/NDE
npB/C
A partir do diagrama de bandas de energia, pode se
determinar a concentração de portadores minoritários nas
fronteiras das regiões de depleção.
• concentração de elétrons: determinar o valor de (EFN'-
Ei) e usar a relação
• concentração de lacunas: determinar o valor de (Ei- EFP')
e usar a relação
obs.: EFN' e EFP' são os níveis de quase Fermi

Valores importantes que pode-se determinar
• concentração de lacunas na interface E/B:
• concentração de elétrons na interface B/E:
• concentração de elétrons na interface B/C:
para a região ativa

Transistor região ativa (NPN) - distribuição de portadores
WB
N (NDE) N (NDC)
P (NA)
nn0E=NDE
pp0=NA nn0C=NDC
𝑛𝑝𝐵/ 𝐸 =
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
𝑝 𝑛𝐸/ 𝐵 =
𝑛2𝑖
𝑁 𝐷𝐸
𝑒𝑥𝑝 𝑞 (
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 ) np
pnC0=ni2/NDC
pnE0=ni2/NDE
Vamos determinar a corrente de coletor e a corrente de base
na região ativa (e com elas o b). Neste caso nos preocupamos
apenas com o diodo E/B (o diodo B/C esta cortado e a
corrente devido a sua operação é muito pequena).
Para acharmos as correntes, além das concentrações já
obtidas, vamos supor algumas condições de construção e
hipóteses simplificadoras
Condições de construção: condições aplicadas ao transistores
para terem maior eficiência
1. A largura da base do transistor WB é pequena
2. A concentração de dopantes no emissor NDE >>
concentração na base NA
Hipóteses
1. Há pouca recombinação na base: razões que justifiquem
esta hipótese são
• WB é pequeno
• na construção da base se toma cuidado para que não
apareçam impurezas que facilitem a geração/
recombinação de portadores
Uma consequência importante dessa hipótese quando
associada à equação da continuidade é que podemos
mostrar que as correntes de elétrons, JN, e de lacunas, JP,
na base são constantes.
Hipóteses
1. Há pouca recombinação na base:
Equação da continuidade para elétrons na base
Quando o transistor atinge o regime estável, todas as

derivadas são zeradas, o que nos leva a
O mesmo podemos dizer de Jp

2. Na base, a corrente de elétrons é bem maior do que a
corrente de lacunas: razão que justifica esta hipótese
Vimos como são as correntes numa junção P/N conduzindo
N (ND) corrente constante

P (NA)
JN=JNA pois não há rec./ger. JP= JPA
Na região de depleção
Jn=JND+JNA
2
J N =J ND ( xp ) =−q 𝑛 𝑖
𝐷𝑛
𝑁 𝐴 𝐿𝑛[exp(q
VD
kT
) −1 ]
2
J P=J PD ( − xn )=− q 𝑛
𝑖
𝐷𝑝
[
𝑁 𝐷 𝐿𝑝
exp( q
VD
kT
)−1 ] JP=JPD+JPA
xn xp
JP=0 xd JN=0
Ainda, calculamos os valores das correntes JND(xp) e JPD(-xn)
para um diodo longo, dados por:
2
𝐽 𝑁𝐷 ( 𝑥𝑝 )=− 𝑞 𝑛𝑖
𝐷𝑛
𝑁 𝐴 𝐿𝑛[𝑒𝑥𝑝(𝑞
𝑉𝐷
𝑘𝑇
) −1 ]
2
𝐽 𝑃𝐷 ( − 𝑥𝑛 ) =−𝑞 𝑛
𝑖
𝐷𝑝
𝑁 𝐷 𝐿𝑝 [
𝑒𝑥𝑝(𝑞
𝑉𝐷
𝑘𝑇
)−1 ]
que são a corrente de elétrons e a corrente de lacunas que
atravessam a junção. Para uma junção onde ND >> NA então
𝐽 𝑁𝐷 ( 𝑥𝑝 ) ≫ 𝐽 𝑃𝐷 ( − 𝑥𝑛 )
As correntes de lacunas e elétrons da junção B/E não são iguais a
de um diodo simples, principalmente JN, mas estas servem como uma
estimativa daquelas. Assim também na junção E/B, como NDE >> NA,
é razoável assumir que . Adicionalmente, como JNp e JPp (correntes na
base) são constantes, podemos assumir que JNp >> JPp em toda base
3. A base, fora das duas regiões de depleção, é neutra, ou

seja
Hipótese semelhante foi usada na analise do diodo. As cargas se

acumulam apenas na região de depleção.
Uma consequência importante que podemos extrair das hipóteses
é que a principal componente da corrente de elétrons na base é a
corrente de difusão (e que, então, será a unica importante).
Para chegar a este resultado, vamos ainda considerar que as
concentrações de dopantes na base, NA (dominante) e ND, são
constantes ou variam pouco quando comparadas com n(x) e p(x).
Dessa forma, pela hip.3
𝜕 𝜕 𝑛 ( 𝑥) 𝜕 𝑝 (𝑥 )
𝜕𝑥
( −𝑛 ( 𝑥 )+ 𝑝 ( 𝑥 ) − 𝑁 𝐴 ( 𝑥 ) + 𝑁 𝐷 ( 𝑥 ) ) ≈ −
𝜕𝑥
+
𝜕𝑥
=0
E portanto
𝜕 𝑛 ( 𝑥 ) 𝜕 𝑝 ( 𝑥 )
≈
𝜕 𝑥 𝜕 𝑥
Como estas derivadas são iguais, as correntes de difusão, de

elétrons e lacunas, na base tem mesma ordem de grandeza, ou
seja
Pela hip.2 podemos também escrever que
<<
Ainda, como na base os elétrons são minoritários teremos
<< <<
Vamos agora investigar a relação entre as correntes

de difusão, e de deriva,
S1. Vamos supor que |JNpA| >> |JNpD|
Podemos ver que
Neste caso a relação
será aproximada por , o que é falso.
Concluímos que S1 é falso

S2. Vamos supor agora que |JNpA| ≈ |JNpD| (mesma ordem de
grandeza)
Neste caso a relação
será aproximada por )

q
o que é falso.
Assim S2 também é falso
Concluímos que |JNpA| « |JNpD| e, portanto, que JNp ≈ JNpD

Já temos as relações necessárias para determinar a corrente
IC. São elas:
• A concentração de elétrons na interface (reg. de depleção
B/E)/Base
• A concentração de elétrons na interface (reg. de depleção

B/C)/Base
• As correntes de lacunas e de elétrons na base são constantes

• A corrente na base é majoritariamente de elétrons
• A corrente de elétrons na base é majoritariamente de difusão
Adicionalmente
• podemos ver que toda corrente de eletrons que entra pela
base, sai pelo coletor (senão ela não seria constante na
base)
• a distribuição de n na base é linear
Considere as grandezas
WB: tamanho da base (distância entre a junção de DBE e DBC)
wBef: tamanho efetivo da base
WBef = WB – wBEp – wBCp
Dois diodos unidos (DBE conduzindo e DBC cortado)
WB
WBef
wBEp wBCp
Fluxo de elétrons
JN=JNpD=JC
E C
N P N
B
elétrons
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 ) WBef
np
𝑛𝑝𝐵/ 𝐶 =
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
𝜕 𝑛𝑝 ( 𝑥 ) ( 𝑛𝑝𝐵/ 𝐸 − 𝑛𝑝𝐵/ 𝐶 )
𝐽 𝐶 = 𝐽 𝑁 𝑝𝐷 =𝑞𝐷 𝑛 =𝑞 𝐷𝑛
𝜕𝑥 𝑊 𝐵 𝑒𝑓
𝐽 𝐶 = 𝐽 𝑁 𝑝𝐷 =𝑞
𝑛2𝑖 𝐷𝑛
𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓
[𝑒𝑥𝑝 𝑞 ( ) ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇
−𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇
]
𝑒𝑥𝑝 (𝑞 ) [1− 𝑒𝑥𝑝 (𝑞 )

𝑛2𝑖 𝐷𝑛 𝑉 𝐵𝐸 𝑉 𝐶𝐸
𝐽 𝐶 = 𝐽 𝑁 𝑝𝐷 =𝑞 ]
𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 𝑘𝑇 𝑘𝑇
VCE (mV) exp(VCE/UT) 1-exp(VCE/UT)

100 0.018 0.982
150 0.0025 0.9975
200 0,0003 0.9997
( )
2
𝑛 𝐷𝑛
𝑖 𝑉 𝐵𝐸
𝐽 𝐶 = 𝐽 𝑁 𝑝𝐷 =𝑞 𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 𝑘𝑇
Veja que se (wBef « LP), então
Agora para obter a corrente de coletor devemos multiplicar pela

Área efetiva da base a densidade de corrente
𝐼 𝐶 = 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝐽 𝐶 = 𝐴𝑟𝑒𝑎 .𝑞
𝑛 2𝑖 𝐷𝑛
𝑁 𝐴 𝑊 𝑏𝑒𝑓
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑘𝑇( )
𝑉 𝐵𝐸
Chegamos ao valor de IC, que era um de nossos objetivos. Vamos

tentar determinar a corrente de base, IB.
Corrente de Base
lacunas
JnpD
E C
N P N
JpnE JpRec JpnC
A corrente que entra pela base é de lacunas (base é silício P). Ela é
composta de três termos:
onde
• : corrente de lacunas injetadas no emissor. A corrente de
lacunas injetada no emissor é igual a de um diodo conduzindo
direto, dada por
• : corrente de lacunas injetadas no coletor. Esta corrente é

desprezível, pois o diodo DBC esta cortado
• : Corrente de lacunas que recombinam na base
Havíamos desprezado a recombinação na base para calculo de IC,
mas vamos estimar agora seu valor para calculo de IB. Já vimos que
as taxas de geração e recombinação são dadas por
A taxa de pares eletrons/lacunas que desaparecem na base será
JPRec é igual ao total de lacunas que recombinam na base

O valor da integral é a área amarela indicada na figura e seu valor,
para npB/C pequeno (lembrar que VBC proximo ou menor que 0V), é
igual a
( )
2
❑
𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑛 𝑉 𝐵𝐸
∫ 𝑛𝑝 (𝑥 ) 𝑑𝑥= 2 𝑁 𝑒𝑥𝑝 𝑞 𝑘𝑇 𝑖
𝑏 𝑎𝑠𝑒 𝐴
elétrons
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 ) WBef
np
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
Assim, a corrente de recombinação será
[ ( ) ] [ ( ) ]
2 2
𝑞 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑛𝑖 𝑉 𝐵𝐸 𝑞 𝑛 𝑖 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑉 𝐵𝐸
𝐽 𝑃𝑅𝑒𝑐 = 𝑒𝑥𝑝 𝑞 −𝑊 𝑏𝑒𝑓 𝑛𝑝 0 = 𝑒𝑥𝑝 𝑞 − 𝑊 𝑏𝑒𝑓
𝜏𝑛 𝐵 2 𝑁𝐴 𝑘𝑇 𝜏𝑛 𝐵 𝑁 𝐴 2 𝑘𝑇
Para valores de VBE >> UT o termo exponencial é dominante e

chegamos a
[ ( )]
2
𝑞 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑛𝑖 𝑉 𝐵𝐸
𝐽 𝑃𝑅𝑒𝑐 = 𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝜏𝑛 𝐵 2 𝑁𝐴 𝑘𝑇
lembremos que
𝐿𝑛 = √ 𝐷 𝑛 𝜏 𝑛
o que nos permite reescrever
[ ( )]
2
𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑛𝑖 𝑉 𝐵𝐸
𝐽 𝑃𝑅𝑒𝑐 =𝑞 𝐷𝑛 𝑒𝑥𝑝 𝑞
2 𝐿𝑛 𝑁 𝐴 𝑘𝑇
2
Por fim, considerando a corrente de lacunas que entra pela base,

teremos
𝐽 𝑃 𝐵= 𝐽 𝑃𝑛𝐸+ 𝐽 𝑃𝑅𝑒𝑐=𝑞 𝑛
2
𝑖
{ 𝐷𝑝
𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝑝[𝑒𝑥𝑝(𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 ]
)− 1 +
𝐷𝑛 𝑊 𝐵𝑒𝑓
[ (
𝑁 𝐴 𝐿𝑛 2 𝐿𝑛
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )]}
Ou aproximando para VBE >> UT
A corrente de base é obtida multiplicando a densidade de corrente
pela area da base
Essa equação e a da corrente de coletor são as que procuramos
2
𝐼 𝐶 = 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝑞 𝑛
𝑖
𝐷𝑛
𝑁 𝐴 𝑊 𝑏𝑒𝑓 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
Principais Relações (região ativa)
2
𝑖
𝐷𝑛
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
2 𝐷𝑛
𝐼 𝑆= 𝐴𝑟𝑒𝑎 . 𝑞𝑛𝑖
Is depende da area de base, da largura da base, da dopagem

da base, etc.
2
𝑖
𝐷𝑛
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑘𝑇(
𝑉 𝐵𝐸
)
𝐷𝑛 𝐷𝑛
𝐼𝐶 𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 𝑊 𝐵 𝑒𝑓
= = =β
{ }{ }
𝐼𝐵 𝐷𝑝 𝐷𝑛 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑁 𝐴 𝐷 𝑝 𝐷 𝑛 𝑊 𝐵𝑒𝑓
+ +
𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝑝 𝑁 𝐴 𝐿𝑛 2 𝐿𝑛 𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝑝 𝐿𝑛 2 𝐿𝑛
𝐷𝑛
𝐼𝐶 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 𝐷𝑛
= = =β
{ }{ )}
𝐼𝐵
(
𝐷𝑝 𝐷𝑛 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 𝐷𝑛 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 2
+ 𝐷𝑝 +
𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝑝 𝑁 𝐴 𝐿𝑛 2 𝐿𝑛 𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝑃 2 𝐿𝑛
Para obtermos um b grande devemos ter:
• NA << NDE (emissor mais dopado)

• WBef << Lp= (tp e Dp avaliados emissor)
• WBef << Ln= (tn e Dn avaliados na base)
(base estreita)
Efeito Early
Qual é a causa do
efeito Early?

Pelas deduções realizadas, a primeira vista, acreditamos que
a corrente IC é constante e igual a
2
𝑖
𝐷𝑛
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
mas isso não é verdade. Assim
• ou em nossas simplificações e hipóteses perdemos
alguma coisa
• ou não estamos compreendendo corretamente a
relação a que chegamos
Para o transistor, temos que
VCE = VBE + VCB
Na região ativa, o didos DBE esta conduzindo, portanto
VBE ≈ const.
Dessa forma, qualquer variação em VCE reflete em VCB
DVCE ≈ DVCB
Sabemos que quando se aumenta a tensão reversa de
um diodo, a região de depleção também aumenta
WB
WBef
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
np wBCp
wBEp
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
𝑤 𝐵𝐶 =
√2 𝜀𝑠 1
( +
1
𝑞 𝑁 𝐷𝐶 𝑁 𝐴
)(𝜙𝑖 +𝑉 𝐶𝐵 )=𝑤 𝐵𝐶𝑝+𝑤 𝐵𝐶𝑛
Assim se
VCE aumenta → VCB aumenta → tensão reversa no diodo DBC
aumenta → região de depleção Base/Coletor aumenta →
largura efetiva da base diminui (WBef)
Caso WBef diminua, IC vai aumentar. Esse é o efeito Early

Podemos estimar o efeito Early a partir das equações que
temos. A equação para a região de depleção que usaremos é
aquela que fornece a largura que avança para a base (região
P)
Vamos considerar
WBef = WB - wBEp -wBCp
Assim
Podemos estimar o efeito Early a partir das equações que
temos. A equação para a região de depleçaõ que usaremos é
aquela que fornece a largura que avança para a base (região
P)
Podemos ver o efeito de VCE em IC derivando;
2
𝑖
𝐷𝑛
𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
)
Assim
)
Considera-se
1 𝜕 𝑊 𝐵𝑒𝑓 1
− ≈ 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡 .=
𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝜕 𝑉 𝐶𝐵 𝑉𝐴
onde VA é a chamada tensão de Early. Portanto
𝜕 𝐼𝐶 1 𝜕 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝐼𝐶
= 𝐼 𝐶 (− )=
𝜕 𝑉 𝐶𝐸 𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝜕 𝑉 𝐶𝐵 𝑉𝐴
Considere a figura abaixo. As retas tem inclinaçãoo
constantes dadas por IC1/VA ,IC2/VA, IC3/VA e IC4/VA, onde IC1
a IC4 é a corrente onde VCE = 0
IC
IC3
IC4
IC2
IC1
-VA VCE
Se para o transitor bipolar podemos considerar que
• para um dado VBE1, IC1 varie pouco e, portanto, a inclinção
IC1/VA da curva IC1 seja constante
podemos traçar as curvas de IC como abaixo.

Agora temos uma interpretação fisica para a tensão
de Early:
• tensão onde as extensões das curvas IC se cruzam.
A equação da corrente IC para a região ativa do
transistor pode ser rescrita para incorporar o efeito
Early
a corrente será o valor para VCE ≈ 0

Como podemos reduzir o efeito Early (VA=)
• aumentar WB para reduzir o efeito da variação da região de
depleção (isso diminuiria o b)
• reduzir a dopagem do coletor para que a região de depleção
aumente para o lado do coletor
WBef
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
np WBC
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
Condições para boa operação
NDE >> NA > NDC
Transistor Bipolar PNP (repetição)
O modo de operação do transistor depende do estado dos

seus diodos
• diodo base/emissor (DBE): diodo com o lado N na base
• diodo base/coleto (DBC): diodo com o lado N na basse
Estes diodos podem estar
• cortados
• conduzindo
• ou em ruptura
Vamos por agora apenas considerar a situação de condução ou
corte.
• para DBE conduzir, VBE ≈ -0,6 V
• para DBC conduzir, VBC ≈ -0,6 V
Assim
VCE = (VC-VE)= (VC-VE+VB-VB)= (VBE-VBC) ≈ 0
3. Transistor ativo direto: diodo DBE conduzindo e DBC
cortado. Este é o caso interessante, onde teremos um novo
fenômeno
Convenção de tensões e correntes
VBC
IE
VCE
IB IC
VBE
Algumas relações
• para DBE conduzir, VBE ≈ -0,6 V
• para DBC cortar, VCB < 0,3 V ou VBC > -0,3 V
Assim
VCE = (VC-VE)= (VC-VE+VB-VB)= (VBE-VBC) < -0,3 V
Para o transistor, pela convenção adotada, podemos escrever

IE = IC + IB
Relações válidas devido ao efeito transistor
onde
• "constante" com valor grande (em geral acima de 100)
• IS: constante que depende da implementação do transistor
(dimensões, geometria, dopagens, etc.)
• n: constante que depende das dopagens
509
Podemos obter, das relações acima, que
chamamos de a
E portanto
• VBE ≈ -0,6 V e VCE < -0,3V
• IE = IC + IB
•
• com efeito Early,
• e
Curvas do Transistor Bipolar PNP (IC x VCE)
VEB4 IC
VEB3
VEB2
VEB1
VCE
VA
( região ativa direta)
E
E
VBE 𝐼𝑆
( )
𝛼
𝐼𝐷=
𝐼𝑆
𝛼 ( 𝑉
𝑒𝑥𝑝 − 𝐵 𝐸
𝑛𝑈𝑇 )
B VBE
𝐼𝑆
( ) (
𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝 −
𝑉 𝐵𝐸
)
( )
𝑉 𝐵𝐸 𝛽 𝑛𝑈𝑇
𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝 −
𝑛𝑈𝑇
B C
C
Equivalentes
𝐼𝐷=
𝐼𝑆
𝛽
𝑒𝑥𝑝 −(𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇 )
Modelo T Modelo p
Condições para boa operação
NAE >> ND >> NAC
Espelho de Correntes (sem efeito Early)
Espelhos de corrente são estruturas muito importantes para
forçar correntes aos circuitos. Como veremos, elas são
aplicadas extensivamente na polarização de circuitos
integrados. Neste tipo de estrutura, o efeito Early tem papel
fundamental para a operação
Se Q1 for igual a Q2 (mesmo tamanho, mesma Io
geometria, mesma dopagem, etc.), b >> 1 e o Iout
Efeito Early for desprezível, então Iout = Io
(os dois transistores tem o mesmo VBE)
Veja que devemos garantir que Q1 e Q2 Q1 Q2
estejam na região ativa
Espelho de Correntes
(sem efeito Early) Io Iout
Q1 Q2
Q1 Q2
Io= 2.5
mA
VCE = 0,7V VCE = 3,0V

Espelho de Correntes (sem efeito Early)
Espelhos de corrente permitem replicar correntes com
valores inteiros.
Se Qa for igual a Qa1, Qa2, .., Io Iout

Qan (mesmo tamanho, mesma
geometria, mesma dopagem, etc.),
b >> 1 e o Efeito Early for
desprezível, então Iout = nIo Qa Qa1 Qa2 Qan
517
Espelho de Correntes (com efeito Early)
Espelhos de corrente permitem replicar correntes com valores
inteiros.
Io Iout
Q1 Q2
Q1 Q2
Io= 25 mA
VCE = 0,7V
VCE = 10V
Espelho de Correntes (com efeito Early)
Quando contamos com o efeito Early, a corrente espelhada é
um pouco diferente da corrente original. E fácil ver que
𝑽 𝑪𝑬 𝟐 − 𝑽 𝑪𝑬 𝟏 𝑽 𝑪𝑬 𝟐 −𝑽 𝑩 𝑬 𝟏
𝑰 𝒐𝒖𝒕 − 𝑰 𝟎 ≈ 𝑰 𝟎 =𝑰 𝟎
𝑽𝑨 𝑽𝑨
Para VA elevado, pequeno efeito Early, as correntes são
praticamente iguais.
Uma configuração diferente pode ser aplicada quando
desejamos reduzir muito a corrente espelhada.
Espelho de Correntes
Vamos considerar que desejamos Io/Iout = m (corrente Iout
m vezes menor do que Io)(b >> 1)
𝐼 0=𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑈𝑇
Iout
( )
Io
𝑉 𝐵𝐸 − 𝑅 𝐸 𝐼 𝑜𝑢𝑡
𝐼 𝑜𝑢𝑡 =𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
𝑈𝑇
Dividindo uma corrente pela outra teremos
Q1 Q2
VBE
𝐼0
(
𝑅 𝐸 𝐼 𝑜𝑢𝑡
) 𝑚 𝑙 n ⁡(𝑚)
⇒
RE 𝑚= =𝑒𝑥𝑝 𝑅 𝐸 =𝑈 𝑇
𝐼 𝑜𝑢𝑡 𝑈𝑇 𝐼0
520
Exemplo:
• m = Io/Iout =10
• Io = 1mA (portanto Iout = 0,1 mA)
Resultará em RE = 575 Ohms
Io= 1 mA Iout = 0.1 mA
Q1 Q2
VBE
RE = 575 W
Espelho de Correntes: polarização de Cis
V+
7
V2
Q4 Q9 Q10 Q11
15
PN PN PN PN
Q18
IN- 2 NP
R8
V3
Q20
4.5K
NP
R13 Q14
0 IN+ 3 Q1 Q2 R9
AC 1 39K NP
NP NP R7 25
C1
6 OUT
7.5K
10p
Q6 Q5
R10
PN PN 50
Q16
Q3 NP Q19
NP
PN
Q15
Q7 Q8 NP
Q12
NP NP Q13
Q17
NP NP
NP
R1 R2 R3 R5 R6
R4
1K 50K 1K 50K 50
5K
V- 4
V1
.model NP NPN(BF=125 Cje=.5p Cjc=.5p Rb=500 Vaf=50)
.dc v3 0 1m 0.0001m
.model PN LPNP(BF=25 Cje=.3p Cjc=1.5p Rb=250 VAF=40)
-15
This exampl e schemati c is suppli ed for i nformati onal /educati onal purpos es onl y.
Variação de b com VBE (ou IC)
ln ( 𝛽 )=ln
( )
𝐼𝐶
𝐼𝐵
=ln ( 𝐼 𝐶 ) − ln ⁡( 𝐼 𝐵 )
Variação de b com VCE (ou IC): Regiões
I – Aqui a corrente de base é dominada pela corrente de
recombinação. Esta corrente é de fato proporcional a e não a ,
como IC.
II – A corrente de base é dominada pela corrente de lacunas
injetadas no emissor. Tanto essa corrente como IC são
proporcionais a
III – Região de alta injeção de correntes. O calculo de IC não
admite as simplificações aplicadas e resulta num valor não
proporcional a
Variação de b com IC (ou VBE)
Transistor Bipolar NPN Reverso
Uma nova situação faltou ser analisada, que é o transistor
reverso. Essa situação ocorre quando trocamos o emissor pelo
coletor. Teremos então
Assim VCE = (VC-VE)= (VC-VE+VB-VB)= (VBE-VBC) ≈ 0
526
Transistor Bipolar NPN Reverso
3. Transistor ativo Reverso
Algumas relações
• para DBE cortar, VBE < 0,3 V
Assim
VCE = (VC-VE)= (VC-VE+VB-VB)= (VBE-VBC) < -0,3V
VEC > 0,3V

Mantemos a convenção das correntes quando no
reverso
VBC I
C
VCE
IB
VBE IE
Transistor Bipolar NPN (reverso)
• VBC ≈ 0,6 V e VEC > 0,3V
• IE = IC + IB
•
• com efeito Early,
• e
IC
Curva IC X VCE região ativa VBE4
direta
Transistor Bipolar NPN VBE3
VBE2
VBE1
VCE
VAF VBC1 VAR
VBC2
região ativa saturação
VBC3
reversa
VBC4
Quando o transistor estiver trabalhando reversamente, ele
terá um desempenho muito abaixo do desempenho do
transistor operando diretamente
Valor de b (reverso)
𝐼𝐶 𝐷𝑛
≈ =β
{ )}
𝐼𝐵
(
2
𝑁 𝐴 𝑊 𝐵 𝑒𝑓 𝐷𝑛 𝑊 𝐵 𝑒𝑓
𝐷𝑝 +
𝑁 𝐷 𝐶 𝐿𝑃 2 𝐿𝑛
Como NA > NDC, o valor de b não será bom

Valor de VA (reverso)
Como NA < NDE, a região de depleção de DBE, que esta
cortado, avança para dentro da base, aumentando o efeito
Early
Modelo do transistor NPN BC547B
model BC547B NPN (IS=2.39E-14 NF=1.008 ISE=3.545E-15

NE=1.541 BF=294.3 IKF=0.1357 VAF=63.2 NR=1.004
ISC=6.272E-14 NC=1.243 BR=7.946 IKR=0.1144 VAR=25.9 RB=1
IRB=1.00E-06 RBM=1 RE=0.4683 RC=0.85 XTB=0 EG=1.11 XTI=3
CJE=1.358E-11 VJE=0.65 MJE=0.3279 TF=4.391E-10 XTF=120
VTF=2.643 ITF=0.7495 PTF=0 CJC=3.728E-12 VJC=0.3997
MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1.00E-32 CJS=0 VJS=0.75
MJS=0.333 FC=0.9579 Vceo=45 Icrating=100m mfg=NXP)
(
𝑰 𝑪 =𝑰 𝑺 𝒆𝒙𝒑
𝑽 𝑩𝑬
𝒏𝑼 𝑻)(𝟏+
𝑽 𝑪𝑬
𝑽𝑨
)
Os diodos DBE e DBC foram usados para caracterizar a região
de operação dos transistores. Consideramos que eles podem
estar cortados ou conduzindo. Sabemos no entando que os
diodos podem estar também em ruptura, o que indica mais
estados possiveis para o transistor.Teremos entao, como
conjuto completo de opções
1. DBE e DBC cortados (corte)
2. DBE e DBC conduzindo (saturação)
3. DBE conduzindo e DBC cortado (ativo direto)
4.DBE cortado e DBC conduzindo (ativo reverso)
5.DBE conduzindo e DBC em ruptura (ruptura direta)
6.DBE em ruptura e DBC conduzindo (ruptura reversa)
A ruptura direta acontece quando o diodo B/C entra em
ruptura. O comportamento das curvas do transistor neste
caso estão indicadas abaixo
A ruptura direta acontece quando DBC entra em ruptura. Este
diodo tem o lado N (coletor) menos dopado que o lado N de
DBE. Isto implica em uma região de depleção maior, que
implica em campos elétricos menores, que implica em uma
tensão ruptura maior.
Em conclusão, o transistor direto tem tensão de
ruptura maior do que o transistor reverso
Visto até aqui
• construção do transistor
• funcionamento
• regiões de operação e modelos matemáticos simples
para tratar transistores
• algumas aplicações (fonte de tensão, amplificador,
espelho de corrente)
Vimos também que a linearizaçao do modelo de transistor
pode ser util para a analise de alguns circuito. Mais
concretamento, modelos de pequenos sinais são muito
importantes para analise de circuito onde o transistor
trabalha na região ativa.
Para a aplicação de modelos de pequenos sinais precisamos,
antes de mais nada, determinar o estado DC, ou de
polarização, de um circuito com transistores.
Vamos analizar alguns exemplos e calcular o ponto de
polarização. VCC = 15 V
Exemplo: IC=2m RC
VC= 5V
• b = 100 n=1
• VBE= 0,7 V para IC = 1,0 mA
Desejo no circuito VC = 5,0 e IC = 2 mA
RE
Determinar RC e RE
VSS = -15 V
RC.2m = (15-5) → RC = 5 kW
Como para 1 mA temos VBE = 0.7 V, então
1𝑚𝐴 = 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
(
0 ,7 ⇒
𝑛𝑈𝑇 )
❑ 𝐼 𝑆 =1 𝑚 ∗𝑒𝑥𝑝 −
0,7
𝑈𝑇 ( )
𝐼 𝐶 =2 𝑚𝐴=𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇 ( )
=1 𝑚𝐴∗ 𝑒𝑥𝑝 −
0 ,7
𝑈𝑇
𝑒𝑥𝑝
(
𝑉 𝐵𝐸
𝑈𝑇 ) ( )
2=𝑒𝑥𝑝
(
𝑉 𝐵𝐸 − 0 ,7 ⇒
𝑈𝑇 )
❑ 𝑉 𝐵𝐸 =𝑙𝑛(2) 𝑈 𝑇 +0 . 7=0 . 717 𝑉
IE = (b+1/b)*IC = (101/100)*2m = 2.02 mA
− 𝑉 𝐵𝐸 +15 − 0 . 717+15
𝑅𝐸= = =7 . 07 𝐾 𝛺
𝐼𝐸 2 . 02 𝑚
Em geral se simplifica as contas, usando direto que VBE = 0,7V
e IC = IE
− 𝑉 𝐵𝐸 +15 − 0 . 7+15
𝑅𝐸= = =7 .15 𝐾 𝛺
𝐼𝐸 2𝑚
A aproximação está mais do que razoável!!

Observação
• em circuitos discretos, os
resistores comerciais obedecem
tabelas de valores possíveis
• em circuitos integrados, em
principio, podemos ter qualquer
valor, mas um erro de 10% ou
mais é esperado
• circuitos onde é necessário
ajustar resistores, para atingir
valores projetados, encaressem
a produção
Exemplo:
Considere que VCC >> 0,7 V, que Q1 e Q2 são iguais
e que b >> 1 e desconsidere o efeito Early
VCC
I0
RC IS
VS
• Q1: VCB = 0, VBE > 0 pois VCC >> 0,7V
• Q1 esta na região ativa
• Q2 espelha corrente caso VS > 0,2V
Q1 Q2
Com mais detalhes podemos escrever
𝑰 𝟎=𝑰 𝑪 𝟏+ 𝑰 𝑩𝟏 +𝑰 𝑩𝟐
I0 𝑰 𝑺 =𝑰 𝑪 𝟐=𝑰 𝑪 𝟏 , 𝒑𝒐𝒊𝒔 𝒐𝒔 𝑽𝑩𝑬𝒔 𝒔 ã 𝒐 𝒊𝒈𝒖𝒂𝒊𝒔

RC IS
VS 𝑰 𝑪𝟏 𝑰𝑪𝟐 𝜷+𝟐
𝑰 𝟎=𝑰 𝑪 𝟏+ + =𝑰 =¿
𝜷 𝜷 𝑪𝟏 𝜷
Q1 Q2 𝑽 𝑪𝑪 −𝑽 𝑩𝑬
𝜷
𝑰 𝑺 =𝑰 𝟎 ≈ 𝑰𝟎 ≈
𝜷+ 𝟐 𝑹𝑪
542
Exemplo: circuito util!!
Considere que VCC >> 0,7 V e que Q1 e Q2 são iguais
e desconsidere o efeito Early
𝑽 𝑪𝑪 −𝑽 𝑩𝑬
VCC 𝑰𝟎≈
𝑹𝑪
VCC Iin
𝜷+𝟐
I0
RC
Vin 𝑰 𝟎=𝑰 𝑪 𝟏
Q3 𝜷
Vo 𝑽 𝑪𝑪 −𝑽 𝑩𝑬
𝜷
𝑰 𝑪 𝟐 =𝑰 𝑪 𝟏 =𝑰 𝟎 ≈ 𝑰𝟎≈
IC2 𝜷+𝟐 𝑹𝑪
RL IRL
Q1 Q2 𝑽𝟎
𝑰 𝑬 𝟑=𝑰 𝑪 𝟐+ 𝑰 𝑹𝑳= 𝑰 𝟎 +
𝑹𝑳
543
VCC
𝑽 𝟎=𝑽 𝒊𝒏 −𝑽 𝑩𝑬 ≈ 𝑽 𝒊𝒏 −𝟎 . 𝟕
VCC
Iin
I0 Vin
RC Vin
Q3 Vo
0.7 V
Vo
IC2
RL IRL
Q1 Q2
tempo
𝑰 𝑬𝟑 𝑰𝟎 𝑽𝟎
𝑰 𝒊𝒏 = = +
𝜷+𝟏 𝜷+𝟏 ( 𝜷+𝟏) 𝑹 𝑳
• Com b grande pode-se fornecer uma corrente
grande sem puxa-la da entrada
Rin Rin
Vin(t) Vin(t)
RL RL
Se Rin >> RL e a corrente que passa

por Rin for igual a corrente de RL,
haverá uma significativa queda de
• Serve para deslocar o nivel tensão em Rin
Circuito chamado de seguidor de emissor
Para o correto funcionamento do circuito devemos
garantir que todos os transistores estejam na região
ativa
VCC
VCC
• Transistor Q1 esta ativo desde
que VCC >> 0.7V
Vin
RC Q3 • Para Q2 estar ativo, tensão Vo
Vo
não pode abaixar muito
RL • Para Q3 esta ativo, a tensão
Q1 Q2 Vin não poderá subir muito
• Para Q2 estar ativo, tensão Vo não pode abaixar
muito
VCE2 =Vo > 0.2 V → Vin > 0.2 + VBE ≈ 0.2 + 0.7 = 0.9 V
• Para Q3 esta ativo, a tensão Vin não pode subir

muito
VCE3 = VCC - Vo = VCC - (Vin - VBE) > 0.2 V
Vin < (VCC +VBE-0.2) ≈ (VCC +0.7-0.2) = (VCC +0.5)
Sempre se deve verificar as condições de
funcionamento dos circuitos
Exemplo: corrente = 1mA
SINE(3 3 1k 0 0 0 20)
Q3
R1 Vin NPN
4.3k
Vo
Vcc
R2
5 Q1 Q2 1k
NPN NPN
.tran 0 10m 0 0.0001

• tensões baixas, achata a saida
• tensoes altas: achata a saida e a corrente aumenta muito
V(vin) V(vo) I(Vin)
8.0V 0.8A
7.2V Iin 0.0A
6.4V -0.8A
5.6V -1.6A
4.8V Vin -2.4A
4.0V -3.2A
3.2V -4.0A
2.4V -4.8A
1.6V
Vo -5.6A
0.8V -6.4A
0.0V -7.2A
-0.8V -8.0A
3.0ms 3.2ms 3.4ms 3.6ms 3.8ms 4.0ms 4.2ms 4.4ms 4.6ms 4.8ms 5.0ms 5.2ms 5.4ms
Exemplo: carga ligada a VDD
Para o correto funcionamento IE3 = (IC2 - IRL) > 0
para qualquer tensão na saída
VCC VCC
VCC Iin RL Supondo que mínimo Vo =
I0
0.2V, então
Vin IRL
RC Q3
Vo 𝑽 𝑪𝑪 −𝟎 .𝟐
IC2 𝑰𝑪𝟐>
𝑹𝑳
Q1 Q2
Exemplo:
IC1 ≈ 1mA, quando a corrente em RL atinge 1mA, Vo = 2,0 V,
o circuito para de funcionar
SINE(3 3 1k 0 0 0 20) R2
Q3 3k
R1 Vin NPN
4.3k
Vo
Vcc
5 Q1 Q2
NPN NPN
.tran 1m 10m 0 0.00001

Resultados
V(vo) V(n002)
6.3V
Vin
5.6V
4.9V
4.2V
3.5V
2.8V
2.1V Vo
1.4V
0.7V
0.0V
-0.7V
O circuito poderia ser implementado sem a fonte de
corrente, mas a carga deverá estar ligada ao V EE
VCC
VCC Iin
Vin
RC Q3
Vo
RL IRL
Q1 Q2
Exemplo: Considerando b = 100 e sem efeito Early,
determinar as tensões DC (VBE = 0.7 V)
VCC = 10 V
Passos para resolução
RC = 4.7k
1. determinar VE
Vb = 4 V VC 2. determinar IE
3. determinar IC
RE = 3.3k 4. determinar VC
VCC = 10 V 1. VE = 4 - 0.7 = 3.3 V
RC = 4.7k 2.
Vb = 4 V VC 3.
4.
RE = 3.3k
Podemos com o circuito visto acertar a corrente de
polização que passa pelo transistor ajustando R E ou
Vb. Seu valor é
𝑽 𝒃 − 𝑽 𝑩𝑬
𝑰 𝑬= ≈ 𝑰𝑪
𝑹𝑬
O circuito é simples mas necessita de uma fonte
adicional além de VCC, Vb, para polarização
O próximo circuito providencia a polarização sem a
necessidade de fonte adicional.
Exemplo: Considerando b = 100 e sem efeito Early,
determinar as tensões DC (VBE = 0.7 V)
VCC = 15 V
Observe que a fonte de
RB1 = 100k RC = 5k tensão Vb foi substituida
por um “divisor resistivo”
VC formado por RB1 e RB2. Como
há uma corrente IB entrando
na base, devemos analisar o
RB2 = 50k RE = 3k
circuito com cuidado.
Teorema de Thevenin
Vo
+
N Vo N0
Equivalentes
N0: rede obtida a partir de
N: rede com R, C, L,
mutuas, geradores N, inativando os geradores
vinculados e fontes independentes (fonte de
independentes tensão é curto, fonte de
corrente é aberto)
Teorema de Thevenin
VCC = 15 V
+
RB1 = 100k
VBB
RB2 = 50k Equivalente

N0: rede obtida a partir de
N: rede com R, C, L, N, inativando os geradores
Mutuas, geradores independentes (fonte de
vinculados e fontes tensão virá curto, fonte de
independentes corrente virá aberto)
Cálculo da rede N0
RB1 = 100k
N0 N0
RB2 = 50k
Equivalente
N0: rede obtida a partir de N, inativando os
geradores independentes (fonte de tensão virá curto,
fonte de corrente virá aberto)
O circuito equivalente será
VCC = 15 V Por analise nodal temos

RC = 5k 𝑽 𝑩𝑩 =𝟑 𝒌 𝑰 𝑬 +𝑽 𝑩𝑬 + 𝑰 𝑩 𝑹 𝑩
VC
Como então
+ VB
𝑰𝑬
𝑽 𝑩𝑩 =𝟑 𝒌 𝑰 𝑬 +𝑽 𝑩𝑬 + 𝑹𝑩
𝜷+𝟏
RE = 3k
𝑽 𝑩𝑩 − 𝑽 𝑩𝑬
𝑰 𝑬= ≈ 𝟏 .𝟐𝟗 𝒎𝑨
Na entrada o resistor e a 𝑹𝑩
𝟑 𝒌+
fonte podem trocar de posição 𝜷 +𝟏
O circuito de polarização
VCC = 15 V
RC = 5k 𝜷 𝑰 𝑬 𝟏𝟎𝟎 ∗ 𝟏 .𝟐𝟗 𝒎𝑨
𝑰𝑪= = ≈ 𝟏 . 𝟐𝟖 𝒎𝑨
𝜷+𝟏 𝟏𝟎𝟏
VB VC
+
𝑽 𝑩 =𝟑 𝒌 𝑰 𝑬 +𝑽 𝑩𝑬 =𝟒 . 𝟓𝟒 𝑽
RE = 3k 𝑽 𝑪 =𝑽 𝑪𝑪 − 𝑹 𝑪 𝑰 𝑪 =𝟖 .𝟔 𝑽
𝑽 𝑬 =𝑽 𝑩 −𝟎 . 𝟕=𝟑 .𝟖𝟒 𝑽
Exemplo: b = 100 e sem efeito Early (VBE = 0.7 V)
RESUMO
𝑰𝑬
VCC = 15 V 𝑽 𝑩𝑩 =𝟑 𝒌 𝑰 𝑬 +𝑽 𝑩𝑬 + 𝑹𝑩
𝜷+𝟏
RB1 = 100k RC = 5k IE = 1.29 mA
VC IC = 1.28 mA
IB = 12.8 uA
RB2 = 50k
VB = 4.54 V
RE = 3k
VC = 8.6 V
VE = 3.84 V
Exemplo: De forma simplificada, poderíamos
considerar a corrente IB desprezível. Neste caso
VCC = 15 V
VB = 5 V
RB1 = 100k RC = 5k
VE = VB -0.7 =4.3 V
VC IE = VE/RE = 1.43 mA
IC = 1.42 mA
RB2 = 50k RE = 3k IB = 14.2 uA
VC = 15-IC*RC = 7.8 V
Duas Soluções
Exata Simplificada
IE = 1.29 mA IE = 1.43 mA
IC = 1.28 mA IC = 1.42 mA
IB = 12.8 uA IB = 14.2 uA
VB = 4.54 V VB = 5 V
VC = 8.6 V VC = 7.8 V
VE = 3.84 V VE = 4.3 V
Solução simplificada
Para verificar se a solução simplificada funcionará,
• comparamos IB com a corrente aproximada que passa por
RB1 e RB2 (≈ VCC/(RB1+RB2) = 100 uA). Deve-se ter
14.2 uA ≈ IB « 100 uA
• comparamos a queda de tensão em RB (RB*IB=0.47 V)
com VBB = 5V. Deve-se ter
VBB >> 0.47V
Pelas comparações vemos que a solução simplificada não
deve mesmo dar grande precisão. De qualquer forma,
sempre serve para cálculos aproximados iniciais.
Para que serve este circuito? aparentemente não tem
nem entrada!!
VCC = 15 V
RB1 = 100k RC = 5k
Vamos completar o circuito
VC e analisar, para uma sinal
de entrada pequeno, o
valor da saída.
RB2 = 50k RE = 3k
Circuito Completo
VCC = 15 V
RB1 =100k
• vin(t): sinal pequeno
RC =5k
de entrada (DC =0)
CB VC
• CB: capacitor de
acoplamento
CE • CE: capacitor de
vin(t) RE =3k
RB2 =50k bypass
Os capacitores CB e CE são abertos em DC, assim
eles isolam a entrada e não afetam na polarização.
• tensões de polarização (encontradas anteriomente):
VB0 = 4.54 V
VC0 = 8.6 V
VE0 = 3.84 V
O indice ‘0’ foi adiocionado aos nomes para distinguir dos
valores VB, VC e VE quando vin(t) não é aplicado.
• se os capacitores
VCC = 15 V tiverem valor “elevado”,
RC =5k
a carga e a tensão neles
RB1 =100k
não varia com vin(t)
CB VC
VB =VB0 + vin(t)
VE = VE0
4.54V
3.84V
VBE =VB-VE ≈ VB0+vin(t)-VE0
vin(t) RB2 =50k RE =3k CE
VBE ≈ VBE0+vin(t)
Modelo de Thevenin para a entrada
VCC = 15 V
RB1 =100k Determinar a tensão na saida

para o circuito
CB
V0 • vamos considerar as duas
entradas, VCC e vin(t),
vin(t) separadamente e então
RB2 =50k
somar os resultados
(teorema da superposição)
VCC = 15 V
RB1 =100k VCC

CB
• desativamos a fonte vin(t)
V0
• calculamos a tensão de saída
V01 = VCCRB2/(RB1+RB2) = 5 V
RB2 =50k
vin
• desativamos a fonte VCC
• calculamos a tensão de saída
CB
V0
se | << então
vin(t) V02 ≈ vin(t)
RB2 =50k RB1 =100k
Determinar N0
• desativar as fontes independentes de tensão, VCC e
vin(t)
• calcular a impedancia
CB 1
V0 𝑅 𝐵 = 𝑅 𝐵 1 ¿ / 𝑅 𝐵 2 / ¿( )
𝑗 𝜔 𝐶𝐵
N0 N0
RB2 =50k RB1 =100k
Equivalente
Teorema de Thevenin
VCC = 15 V
( 𝑹 ¿ ¿ 𝑩𝟏 ¿/ 𝑹 𝑩 𝟐)
RB1 =100k 𝑽 𝑩𝑩 =𝟓+ 𝒗𝒊𝒏(𝒕 ) ¿
𝟏
( 𝑹 ¿ ¿ 𝑩 𝟏 ¿ / 𝑹 𝑩 𝟐)+ ¿
𝒋 𝝎 𝑪𝑩
CB
V0 +
1
𝑅 𝐵 = 𝑅 𝐵 1 ¿ / 𝑅 𝐵 2 / ¿( )
Equivalente 𝑗 𝜔 𝐶𝐵
RB2 =50k
• Para VCC:
• Para vin(t):
575
• Somando os resultados
ou, para | <<

𝑉 𝐵𝐸 𝑉 𝐵𝐸 0+ 𝑣𝑖𝑛(𝑡) 𝑉 𝐵𝐸 0 𝑣𝑖𝑛(𝑡)
𝐼 𝐶 =𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝 ( )= 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝( )= 𝐼 𝑆 𝑒𝑥𝑝( )𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑛𝑈 𝑇 𝑛𝑈 𝑇 𝑛𝑈 𝑇 𝑛𝑈 𝑇
• corrente devido a tensão de polarização que

chamaremos IC0
• : vamos expandir em série de Taylor em torno de
zero
+ ...
Caso tenhamos
vin(t) << n.UT ≈ n.25mV
a série de Taylor pode ser aproximada pela constante mais o
termo linear, ou seja
exp
(
𝑣𝑖𝑛 ( 𝑡 )
𝑛𝑈𝑇 )
=1+
𝑣 𝑖𝑛 ( 𝑡 )
𝑛𝑈𝑇
exp
(
𝑛𝑈 𝑇 )¿0 =1+
𝑛𝑈𝑇
e assim
+
A tensão na saída será
𝐼 𝐶0
𝑉 𝐶 =𝑉 𝐶𝐶 − 𝐼 𝐶 𝑅 𝐶 =𝑉 𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼 𝐶 0 − 𝑣𝑖𝑛 (𝑡 ) 𝑅 𝐶
𝑛𝑈𝑇
𝐼 𝐶0 226
𝑉 𝐶 =15 −5 𝑘 𝐼 𝐶0 − 𝑣𝑖𝑛 (𝑡 ) 𝑅𝐶 =8 . 6 −𝑣𝑖𝑛 (𝑡 )
𝑛𝑈𝑇 𝑛
A saída é composta por duas partes:
• uma parte com valor constante chamado de
• outra parte com valor que depende apenas de
Exemplo
Transistor 2N2222: b=200, VBE=0.66V (visto na simulação)
𝑉 𝐵𝐵 − 𝑉 𝐵𝐸
𝐼 𝐸 0= ≈ 𝟏 . 𝟑𝟕 𝒎𝑨
𝑅𝐵
3𝐾+
𝛽+1
𝑉 𝐶 0=15 − 𝐼 𝐶 0 𝑅𝐶 =𝟖 . 𝟏𝟓 𝑽
𝐼𝐶 0
𝑔𝑎𝑛ℎ𝑜=− 𝑅 𝐶 ≈ − 260
𝑛𝑈 𝑇
entrada: 1m Vp
saida: ganho proximo de -250
V(vin) V(ve) V(vb) V(vc)
8.8V
8.0V
VC
7.2V
6.4V
5.6V
4.8V VB
4.0V
VE
3.2V
2.4V
1.6V
0.8V
vin
0.0V
-0.8V
0µs 10µs 20µs 30µs 40µs 50µs 60µs 70µs 80µs 90µs
Ganho próximo de -250
V(vin)
1.0mV
0.8mV
0.6mV
0.4mV
0.2mV
0.0mV
-0.2mV
vin
-0.4mV
-0.6mV
-0.8mV
-1.0mV
V(vc)
8.40V
8.34V
8.28V
VC
8.22V
8.16V
8.10V
8.04V
7.98V
7.92V
7.86V
7.80V
500µs 520µs 540µs 560µs 580µs 600µs 620µs 640µs 660µs 680µs 700µs 720µs
Valores dos capacitores foram escolhidos para cumprimerem a função
esperada
• 1/(wCB) e 1/(wCE) devem ser “pequenos” na frequencia do sinal de
entrada
• a resposta em freq. mostra que o ganho é o esperado apenas dentro
de certa faixa de frequencias (para frequencia baixas, 1/(wCB) e
1/(wCE) não são pequenos) V(vc)
vout (dB)
48dB -80°
44dB -100°
40dB -120°
36dB -140°
32dB -160°
28dB -180°
vin (fase)
24dB -200°
20dB -220°
16dB -240°
12dB -260°
8dB -280°
4dB -300°
1Hz 10Hz 100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz
Modelo de Pequenos Sinais
Para resolver um circuito como abaixo, com uma entrada
pequena, se utilizam modelos de pequenos sinais para os
dispositivos não lineares (transistores)
VCC = 15 V
RB1 =100k RC =5k
CB VC
vin(t)
RB2 =50k RE =3k

Modelo de Pequenos sinais
VCC
RB1 RC RE RB1 RC
CB CB
CE
RB2 RE CE vin(t) RB2 RE
Polarização ou DC: Pequenos sinais: considera os

considera apenas os sinais sinais que variam. O transistor
DC é substituido por um modelo de
pequenos sinais 585
• o transistor será substituido por um
circuito linear RB1 RC
• serve para determinar apenas as CB
variações que o circuito sofre
(correntes e tensões) com as
CE
variações pequenas na entrada. RB2
vin(t) RE
• como ele serve apenas para cálculo
das variações, a solução final
(correntes e tensões) é a soma
destas com as da polarização
Vamos considerar a equação mais simples do transistor para
determinar nosso primeiro modelo de pequenos sinais (vamos
mais tarde ir aumentando seu grau de detalhes)
Ainda sabemos que
com constante.
Neste caso apenas a tensão VBE influencia nas correntes
Vamos determinar qual é a variação causada nas correntes por
uma variação e VBE.
Em resumo (IC0 é a corrente de polarização do transistor)
Vamos chamar (tem dimensão de condutância). Teremos agora

as relações:
ou
Ainda chamaremos de
Teremos assim
Com
Com as relações de dependencia da corrente com VBE podemos montar o

modelo de pequenos sinais. Devemos escolher duas correntes para isso (se
duas correntes estão modeladas, a terceira também estará pois IE=IC +
IB).
Dois modelos são normalmente montados
Modelo p hibrido
• ecolhemos: e (
• em lugar de usar D, normalmente se

iB iC usam letras minusculas para indicar
variações de correntes e tensões
B C
• observe que as correntes iC () e iB
𝑟𝜋 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
vbe () obedecem as relações
encontradas
iE • iE () = iB + iC também obedecerá as
E relações
Modelo T
• ecolhemos e
C iC
• observe que as correntes iC () e iE
iB 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 () obedecem as relações
B encontradas
𝑟𝑒 • iB () = iE + iC também obedecerá as
vbe
relações
iE
E
Aplicação do Modelo de Pequenos Sinais (modelo p)
modelo p
VCC = 15 V
(VBE =0.7 ≠ vbe)
CB
RB1 =100k RC =5k vC
CB VC vin(t) B vbe C RC
𝒓𝝅
𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
vin(t) RB1//RB2
CE E
RE =3k
RE CE
RB2 =50k
V(vc)
48dB -80°
44dB VC (dB) -100°
40dB -120°
36dB -140°
32dB -160°
28dB
(VC fase) -180°
24dB -200°
20dB -220°
16dB -240°
12dB -260°
8dB -280°
4dB -300°
Capacitores CB e CE Capacitores CB e CE viram Capacitores do transistor,

curto não vistos, afetam
afetam funcionamento
Frequencias intermediarias funcionamento
Faixa de frequencias intermediarias
VCC = 15 V
modelo p
RB1 =100k RC =5k
CB VC vC
B
vbe RC
vin(t) C
𝑟𝜋
vin(t) 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
CE
RE =3k RB1//RB2
E
RB2 =50k
Faixa de frequencias intermediarias
modelo p
vC
B
vbe
vin(t) C
𝑟𝜋 RC
RB1//RB2 vbe= vin(t)
E
= -gm.RC
Aplicação do Modelo de Pequenos Sinais (modelo T)
O resistor RE tem a função de reduzir a influencia do b na
polarização. Podemos ver isso lembrando a relação para IE
VCC = 15 V
𝑰 𝑬=
RB1 =100k RC =5k 𝑹𝑩
𝑹𝑬 +
CB VC 𝜷 +𝟏
Se RE >> termos IE independente de
vin(t)
b. Pode-se entender o efeito de b,
CE olhando VBE:
RE =3k
RB2 =50k ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ ⇒
𝜷 ↑❑ 𝑰 𝑪 ↑❑ 𝑰 𝑬 ↑❑ 𝑽 𝑬 ↑ ❑ 𝑽 𝑩𝑬 ↓❑ 𝑰 𝑪 ↓
598
Por outro lado esse resistor RE reduz o ganho do circuito.
Vamos analisar o efeito de desconsiderar CE no pequenos sinais
(para calculo da polarização não haverá diferença alguma)
VCC = 15 V modelo T C
vC
RB1 =100k RC =5k RC
CB VC
B
vin(t) 𝑟𝑒 vbe
vin(t) E
RE =3k RB1//RB2 RE
RB2 =50k
O modelo T é mais interessante para ver o efeito de RE.
Sempre que aparecer algo ligado ao emissor no pequenos sinais,
é mais facil a analise com modelo T
modelo T C
vC
RC
vin(t) B
𝑟𝑒
vbe
E
RB1//RB2 RE O ganho com o capacitor CE é
vC = -gm.RC =-260
R3 R1
100k 5k
VC
C1
vin VB Q1
100µ 2N2222
Vcc Vin
R4 R2
15 50k 3k
SINE(0 1m 10k)
AC 1
.ac dec 40 1 100meg
Obs: a retirada do capacitor alterou posição dos polos/zeros
V(vc)
4.4dB -160°
4.0dB -180°
3.6dB
vout -200°
3.2dB -220°
2.8dB -240°
2.4dB -260°
2.0dB -280°
1.6dB -300°
1.2dB -320°
0.8dB -340°
0.4dB -360°
Aplicação do Modelo de Pequenos Sinais
Exemplo: (b = 200, VBE = 0.64V)
• Há duas fontes para alimentação,
VCC = 10 V uma de 10V e outra de 3V
• o valor de VBE é uma aproximação
RC =1.5K (depende de fato do valor de IC)
VC
Análise:
3V RB =100K • Determinar ponto de polarização
(tensões e correntes)
vin(t)
• determinar o ganho em VC
Exemplo: (b = 200, VBE = 0.64V)
VCC = 10 V
• determinar IB (DC)
• determinar IC (DC)
RC =1.5K
VC • determinar VC (VB = VBE) (DC)
• determinar parametros do modelo
3V R =100K de pequenos sinais
B
• resolver circuito de pequenos
vin(t) sinais e achar vC (AC)
Polarização (b =200)
VCC = 10 V
3 −𝑉 𝐵𝐸
𝐼 𝐵0= =0 . 023 𝑚𝐴
100 𝐾
RC =1.5K
VC
IC0 é muito dependente de b
3V RB =100K
𝑉 𝐶 0=𝑉 𝐶𝐶 −1 .5 𝑘 ∙ 𝐼 𝐶 0=10 −1 .5 ∙ 4 . 6=3 .1
Veja que dado IC o valor de RC fica
limitado (RCIC < VCC)
Modelo p
• (
4 .6𝑚
𝑔 𝑚= =0 . 177 𝑆
iB iC 26 𝑚
B C
𝑟𝜋 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 200
vbe 𝑟 𝜋= =1130 𝑂ℎ𝑚
0 . 177
iE
E
606
𝑣𝑖𝑛 (𝑡 )∙ 𝑟 𝜋
𝑣 𝑏𝑒= =0 . 011 ∙ 𝑣𝑖𝑛(𝑡 )
modelo p 100 𝐾 +𝑟 𝜋
RB =100K vC
B
vbe 𝑣 𝐶 =− 𝑔𝑚 𝑣 𝑏𝑒 𝑅𝐶
vin(t) C
𝒓𝝅 RC
𝑣 𝐶 =− 0 . 011 𝑣𝑖𝑛 ( 𝑡 ) ∙ 0 .177 𝑅𝐶
E
𝑣 𝐶 =− 2 .92 𝑣𝑖𝑛(𝑡)
R1
1.5k
VC
R2
vin VB Q1
100k 2N2222
Vcc Vin
10 3
AC 1
.ac dec 40 1 100meg 𝑉 𝐶 0=3 . 1 −2 . 92∙ 𝑣𝑖𝑛(𝑡)
Ganho: -2.75
Observe que não há polos ou zeros em baixas frequencias
(não ha capacitores de acoplamento ou bypass)
V(vc)
18dB 180°
12dB 170°
6dB 160°
0dB VC (dB) 150°
-6dB 140°
-12dB 130°
-18dB 120°
-24dB 110°
-30dB 100°
-36dB 90°
-42dB 80°
-48dB 70°
-54dB 60°
Um circuito pode ser resolvido com modelo p ou T
vBE= vin(t)
modelo T C vC vC = -gm.RC
RC • Os resultados são iguais com
E 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 modelo p ou T
• o modelo T normalmente é usado
vin(t) B
vbe quando o emissor não esta no
𝑟𝑒
terra no circuito de pequenos
RB1//RB2
sinais
Variação do Modelo T
• ecolhemos e
C
iC Tanto para o modelo p como para o modelo
T, as relações básicas de correntes são
iB 𝜶 𝒊𝒆 mantidas
B
vbe 𝑟𝑒
iE
E
Modelo de Pequenos sinais: Transistor PNP
(
VBC
IE
VCE
modelo T
IB IC modelo p
VBE E iE
E
vbe 𝑟𝑒
vbe
𝑟𝜋 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 B
B C 𝛼 𝑖𝑒
iC C
Exemplo: Circuito base comum. Entrada pelo emissor
(b = 200, VBE = -0.64V)
VEE = 10 V
CE RE =10K • determinar IE (DC)

• determinar IC (DC)
vin(t) • determinar VC (VE = -VBE) (DC)
• determinar parametros do modelo
VC
de pequenos sinais
• resolver circuito de pequenos
RC =5K
sinais e achar vC (AC)
VCC = -10 V
Exemplo: Circuito base comum. Entrada pelo emissor (b=200, VBE=
-0.64V)
VEE = 10 V
Polarização
CE RE =10K
10 −(− 𝑉 𝐵𝐸 )
𝐼 𝐸 0= =0 .94 𝑚𝐴
10 𝐾
VC IC0 depende pouco de b

RC =5K
VCC = -10 V
Modelo de pquenos sinais: modelo T
VCC = 10 V CE
E
RE =10K vin(t) iE
CE
RE
𝑟𝑒 vbe
B
VC 𝛼 𝑖𝑒
RC =5K VC
C
RC =5K
VEE = -10 V
CE
E
𝐼 𝐶0
vin(t) iE 𝑔 𝑚= =𝟎 .𝟎𝟑𝟓𝟕 𝑺
RE vbe 𝑛𝑈 𝑇
𝑟𝑒
B 𝛽 1
𝑟 𝑒= =𝟐𝟕 .𝟖 𝑶𝒉𝒎
𝛼 𝑖𝑒 𝑔 𝑚 𝛽+ 1
VC 𝛼
C 𝑟 𝑒=
RC =5K 𝑔𝑚
E
vin(t) iE 𝑣𝑖𝑛
RE 𝑖 𝐸=−
vbe 𝑟𝑒
𝑟𝑒
B 𝑣𝑖𝑛
𝑣 𝐶 =− 𝛼 𝑖𝐸 𝑅𝐶 =𝛼 𝑅𝐶
𝛼 𝑖𝑒 𝑟𝑒
VC
C 𝑣 𝐶 =𝑔𝑚 𝑅𝐶 𝑣𝑖𝑛=178 𝑣𝑖𝑛
RC =5K
Podemos calcular a impedancia de entrada
CE do circuito
ve E
27 Ohm
vin(t) iE Para que possamos desprezar o capacitor
RE vbe
CE devemos ter que ve igual a vin. Assim
𝑟𝑒
B
Para termos ve≈vin numa frequencia w
𝛼 𝑖𝑒 devemos ter
VC ou
C Essa é a condição, neste circuito, para
RC =5K ignorar CE
Observe que nesta configuração (base

VCC = 10 V comum) temos:
• ganho grande e positivo
CE RE =10K
• impedancia de entrada baixa
• IC =aIE tem pequena dependencia de b
vin(t)
• ganho, tem baixa dependencia b
VC É importante que os parametros
relevante do circuito não dependam de b,
RC =5K pois este varia muito na tecnologia
VEE = -10 V
Obs.:
VCC = 10 V
10 −(− 𝑉 𝐵𝐸 )
CE RE =10K 𝐼 𝐶0 ≈ =0 . 94 𝑚𝐴
𝑅𝐸
Assim
vin(t)
𝐼𝐶 0 𝑹 𝑪 10 −(− 𝑉 𝐵𝐸 )
VC 𝑔𝑎𝑛ℎ𝑜=𝑔 𝑚 𝑅 𝐶 = 𝑅𝐶 = ( )
𝑈𝑇 𝑹𝑬 𝑈𝑇
RC =5K ganho depende da relação entre

resistores
VEE = -10 V
VCC = 10 V Resumo
• ganho = 178 = 45 dB
CE RE =10K • polo formado por CE
vin(t)
VC para CE =100uF teremos polo em

2p.58.9 rad/s ou 58.9 Hz
RC =5K
VEE = -10 V
RE
C1 10k
vin
VE
100µ
VB 2N3906
Q2
Vcc Vin
VC
RC
10 5k
SINE(0 1m 10k)
VEE AC 1
.ac dec 40 1 100meg
10
ganho ≈ 45 dB, polo proximo de 60 Hz
V(vc)
45dB 120°
42dB 100°
39dB 80°
36dB 60°
33dB 40°
30dB 20°
27dB 0°
24dB -20°
21dB -40°
18dB -60°
15dB -80°
12dB -100°
9dB -120°
Ganho desejado: -100 (vC/vin)
Garga = 1.0 kOhm
VCC Circuito de polarização ruim
RB RC RL =1K 𝑰 𝑪 𝑽 𝑪𝑪 −𝑽 𝑩𝑬 ⇒ 𝜷
𝑰 𝑩= = ❑ 𝑹𝑩= (𝑽 ¿¿𝑪𝑪−𝑽 𝑩𝑬 )¿
CB VC 𝜷 𝑹𝑩 𝑰𝑪
VB
vin(t)
Esta dependencia de RB com b
não é interessante
Garga = 1.0 kOhm
VCC
RB RC RL =1K modelo p
vC
CB VC vbe
B C RL//RC
𝑟𝜋
VB RB 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
vin(t) vin(t)
E
Garga = 1.0 kOhm
vC
B
vbe Aplicando as duas relações
C
𝑟𝜋 acima teremos
RB 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
vin(t)
RC//RL 𝑰𝑪𝟎
E 𝑮=− 𝒈𝒎 (𝑹 ¿ ¿ 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳)=− ( 𝑹 ¿ ¿ 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳 )¿¿
𝑼𝑻
𝑮𝑼 𝑻 =−𝑰 𝑪 𝟎 (𝑹 ¿ ¿ 𝑪¿/ 𝑹 𝑳)¿
Garga = 1.0 kOhm
VCC 𝑮𝑼 𝑻 =− 𝑰 𝑪 𝟎 (𝑹 ¿ ¿ 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳)=𝟐,𝟓𝑽 ¿
RB RC RL 2.5V
Veja que a queda de tensão em
CB VC (RC//RL) é 2.5 V, devido ao ganho
de -100 desejado. Assim a tensão
VB
de polarização em VC é
vin(t)
VC = VCC - 2.5
Suponha que VBE = 0.7V e VCC = 15V

VCC VCMax = 15V
2.5V
RB RC RL 2.5V
VC0 = 12.5V
CB VC 12.3V
VB VCMin = 0.2V
vin(t)
Veja que a excursão é não
simétrica.
Qual é a maior amplitude de uma

VCC senoide na entrada (sem distorção
grande na saida)?
RB RC RL 2.5V vin(t) = AM sen(wt)
CB VC Deveremos ter que
VB |G|AM < 2,5V → AM < 2,5/|G|
vin(t)
Para G =-100 então
AM = 25 mV
O ideal seria neste circuito polariza-lo de forma que VC0 esteja
próximo a VCC/2.
Para fazer isso podemos colocar um capacitor em série com RL
VCC
Teremos
RB RC RL V = V - R I = V /2
C0 CC C C0 CC
CB VC RC = VCC/2IC0
CC
VB Também
vin(t)
𝑰 𝑪𝟎 𝑮𝑼 𝑻
𝑮=− (𝑹 ¿ ¿ 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳)𝒐𝒖 𝑰 𝑪 𝟎=− ¿
𝑼𝑻 (𝑹 ¿ ¿ 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳)¿
¿ 𝑮 ¿𝑼 𝑻
𝑰𝑪𝟎=
¿ 𝑮 ¿𝑼 𝑻 ¿ 𝑮 ¿ 𝑼 𝑻 (𝑽 𝑪𝑪 + 𝑹 𝑳 𝟐 𝑰 𝑪 𝟎 )
( 𝑹 ¿ ¿ 𝑪 ¿ / 𝑹 𝑳)= = ¿
𝑹 𝑳 ∙ 𝑽 𝑪𝑪 𝑽 𝑪𝑪 𝑹 𝑳
𝟐 𝑰𝑪𝟎
𝑽 𝑪𝑪
𝑹𝑳 +
𝟐 𝑰 𝑪𝟎
𝑰 𝑪 𝟎 𝑽 𝑪𝑪 𝑹 𝑳=¿ 𝑮¿𝑼 𝑻 (𝑽 𝑪𝑪 + 𝑹 𝑳 𝟐 𝑰 𝑪 𝟎 )
¿ 𝑮¿𝑼 𝑻 𝑽 𝑪𝑪 = 𝑰 𝑪 𝟎 𝑹 𝑳 (𝑽 𝑪𝑪 −𝟐∨𝑮 ¿𝑼 𝑻 )
O termo deve ser maior que zero ou seja
𝑽 𝑪𝑪 >𝟐∨𝑮 ¿𝑼 𝑻 (para G= -100 VCC > 5V)
¿ 𝑮¿ 𝑼 𝑻 𝑽 𝑪𝑪
Por fim teremos 𝑰𝑪=
𝑹 𝑳 (𝑽 𝑪𝑪 − 𝟐∨𝑮 ¿ 𝑼 𝑻 )
Utilizemos as relacoes:
G= -100; VCC = 10V; RL = 1k Ohm; VC0 = VCC/2; b=100
¿ 𝑮¿ 𝑼 𝑻 𝑽 𝑪𝑪 𝟐 . 𝟓 ∗𝟏𝟎
VCC 𝑰𝑪= = =𝟓𝒎𝑨
𝑹 𝑳 (𝑽 𝑪𝑪 − 𝟐∨𝑮 ¿ 𝑼 𝑻 ) 𝟏 𝒌 (𝟏𝟎 −𝟓)
RB RC RL
CB RC = VCC/2IC =10/(2*5m)= 1 kOhm

VC
CC 𝟓𝒎
VB 𝑰 𝑩=
𝜷
vin(t)
⇒
𝑹 𝑩 𝑰 𝑩=(𝟏𝟎 −𝟎 . 𝟕)❑ 𝑹 𝑩 =𝟏𝟖𝟔 𝒌𝑶𝒉𝒎
Qual o valor do capacitor CB?
Vamos calcular a impedancia de entrada
CB
VCC
RC vC
RB RL
B
vbe
C
CB 𝑟𝜋
VC RB
CC 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
vin(t)
VB RC//RL
vin(t) E
Impedancia: desativar as fontes independentes, aplicar uma
tensão, medir a corrente (ou vice-versa). A relação entre
tensão e corrente é a impedancia
CB 𝒛 𝒊𝒏=𝒓 𝝅 ¿/ 𝑹 𝑩
vC
B
vbe O modulo da impedancia de
C
𝑟𝜋 CB, 1/(wCB) deve ser menor
RB 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
vin(t) que zin 𝟏
RC//RL ≪ 𝒛 =𝒓 𝝅 ¿/ 𝑹 𝑩
E 𝝎 𝑪𝑩 𝒊𝒏
Observe só vale para frequencias maiores

que um valor limite
V(vc)
48dB -80°
44dB VC (dB) -100°
40dB -120°
36dB -140°
32dB -160°
28dB
(VC fase) -180°
24dB -200°
20dB -220°
16dB -240°
12dB -260°
8dB -280°
4dB -300°
Capacitores CB e CE Capacitores CB e CE viram Capacitores do transistor,

curto não vistos, afetam
afetam funcionamento
Frequencias intermediarias funcionamento
Garga = 1.0 kOhm
𝒛 𝒊𝒏=𝒓 𝝅 ¿/ 𝑹 𝑩
VCC
𝜷𝑼𝑻
RL =1K 𝒓 𝝅= =𝟓𝟎𝟎 𝑶𝒉𝒎
𝑰𝑪
RB=186k RC=1k
CB VC 𝒛 𝒊𝒏 ≈ 𝒓 𝝅 =𝟓𝟎𝟎 𝑶𝒉𝒎
VB Neste circuito, para se obter uma
impedancia de entrad baixa (algumas
vin(t)
dezenas de Ohms), altas correntes
deveriam ser aplicadas
Dependencia do ganho com b (não é bom)
VCC
𝑽 𝑪𝑪 −𝑽 𝑩𝑬
𝑰 𝑩=
𝑹𝑩
RB RC RL =1K 𝑽 𝑪𝑪 −𝑽 𝑩𝑬
𝑰𝑪= 𝜷
CB
𝑹𝑩
VC
𝑰𝑪 𝑽 𝑪𝑪 − 𝑽 𝑩𝑬
VB 𝒈 𝒎=− =𝜷
𝑼𝑻 𝑼 𝑻 𝑹𝑩
vin(t)
𝑉 𝐶𝐶 −𝑉 𝐵𝐸
𝑮𝒂𝒏𝒉𝒐=− 𝜷 ∙ (𝑅𝐶 ¿/ 𝑅 𝐿 )
𝑈 𝑇 𝑅𝐵
637
Vamos considerar agora tamém o efeito Early no modelo de
pequenos sinais. Para isso devemos aplicar à expressão de IC a
parte que modela o Efeito Early
Ainda mantemos
com constante.
Neste caso tanto VBE como VCE influenciam nas correntes
638
As relações mostradas anteriormente se mantem
Efeito da variação de VCE (VA grande)
Com VA grande apenas colocamos seu efeito em IC e não em IB
onde
Modelo p hibrido com efeito Early
iB iC
B C
𝑟𝜋 𝑉𝐴
vbe 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑟0=
𝐼𝐶0
iE
E
Observe que agora não podemos escrever que IC = b·Ib
Modelo p hibrido com efeito Early
Modelos equivalentes p hibrido
iB iC
B C
𝑟𝜋 iB iC
𝑟0
vbe 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 C
B
iE 𝑟𝜋 𝑟0
E vbe 𝛽 𝑖𝑏
iE
E
Modelo T com efeito Early
•
C iC
C iC
iB
B iB 𝛼 𝑖𝑒
𝑟𝑒 𝑟0 B
vbe
𝑟𝑒 𝑟0
iE vbe
E iE
E
Circuito bom de Polarização (discussão)
VCC = 10 V VCC = 10 V
RB1 RC RC = 5k
CB VC
VC
vin(t) VB
CE
+
RB2 RE
RE = 3k
Por análise nodal temos
VCC = 10 V
𝑽 𝑩𝑩 =𝑹 𝑬 𝑰 𝑬 +𝑽 𝑩𝑬 + 𝑰 𝑩 𝑹 𝑩
RC = 5k
Como então
VC
𝐼𝐸
VB 𝑉 𝐵𝐵 = 𝑅 𝐸 𝐼 𝐸 +𝑉 𝐵𝐸 + 𝑅𝐵
𝛽+1
+
RE = 3k 𝑽 𝑩𝑩 − 𝑽 𝑩𝑬
𝑰 𝑬=
𝑹𝑩
𝑹𝑬 +
𝜷 +𝟏
Circuito para calculos da
polarização
𝑰 𝑬=
𝑹𝑩
𝑹𝑬 +
𝜷 +𝟏
Para IE ficar bem determinado é bom que
Essas condicões entram em contradição com outras que

podemos desejar para o bom funcionamento do
amplificador
Contradições
• VBB (e VB igualmente) dever ser alto

• VB (e VBB igualmente) deve ser baixo para possibilitar
uma maior excursão para VC (VBC<0,5V para circuito
estar na região ativa)
• (
• grande para reduzir consumo
Conclusão: não podemos ter tudo o que queremos
Dicas razoáveis para projeto
• usar VB ≈ VCC/3 e VCE ≈ VCC/3. Assim teremos
 teremos valor razoável para VB e VC (≈ 2VCC/3) e
VCC = 10 V
uma excursão possível de VCC/3
• IP = VCC/(RB2+RB1) ≈ 0.1∙IC RB1 RC
CB ≈IP VC
IP é uma aproximação para a vin(t)

corrente que passa por RB1 e RB2 CE
RB2 RE
Projeto: carga 1 kOhm, ganho -100, b = 200
VCC = 10 V
VCC = 10 V
RC
RB1 RC
RL
CB VC VC
V0
VB
vin(t)
+
CE RE
RB2 RE
Circuito para calculos da

polarização
Analise de pequenos sinais (como estamos no projeto
comecamos com esta analise)
𝒗 𝑪 =− 𝒈𝒎 .𝒗𝒊𝒏.(𝑹 ¿ ¿𝑪 /¿ 𝑹 𝑳 /¿𝒓 𝟎)¿
𝒗𝑪
𝒈𝒂𝒏𝒉𝒐 = =− 𝒈 𝒎 .( 𝑹 ¿ ¿ 𝑪/¿ 𝑹 𝑳 /¿ 𝒓 𝟎 )¿ 1
𝒗𝒊𝒏
vC = v0 Vamos escolher, de acordo

B
vbe com as dicas,
C
𝑟𝜋
RB
VB0= 3 V
vin(t)
VC0= 6.5 V
RC//RL//r0
E (não precisa ser exatamente
3,33 e 6.66 V)
VC0= 6.5 V e VCC=10V
RCIC0 = 3,5V → RC = 3,5/IC 2
Usando
==
3
Usando 2 teremos
IC0 = 3.5/RC = 3.5/400= 8.75 mA
Podemos calcular o valor RE com

IE = (VB-0.7)/RE =2.3/RE → RE = 2.3/IE ≈ 2.3/IC0 = 2.3*400/3.5
RE = 262 Ohm
Determinamos os valores de RC e RE.
Também conhecemos IC =8.75 mA
VCC = 10 V Agora falta RB1 e RB2
RB1 RC=400
CB VC
vin(t) Como é uma aproximação podemos

CE escolher
RB2
RE=267
Obtemos uma relação para .
VCC = 10 V Com o valor de VB0 = 3V obtemos outra
relação e então poderemos determinar os
RC valores para estes resistores
VB0 = VBB-IB0RB
VC
VB
+
RE
Como VB0 =3V e IC0 =8.75 mA são conhecidos, encontramos
duas equações em RB1 e RB2.
Com as duas equações montamos o sistema
Soluções
RB2 = 3.18 kOhm e RB1 = 6.82 KOhm
RB2 = 117 kOhm não serve como solução pois exige RB1 negativo
VCC = 10 V
RC=400
RB1=6.82k RL=1k IC =8.75 mA
CB VC VC = 6.5 V
CC V0
VB= 3V
vin(t)
CE ganho = -100
RB2=3.18K RE=267
RB1 RC RL
6.82k 400 Cc 1k
VC
Vo
Cb 10µ
vin VB Q1
100µ 2N2222
VE
Vcc Vin
Ce
R4 R2
10 3.18k 267 100µ
AC 1
.tran 1m 1m 0 1u
SINE(0 5m 10k)
V(vc) V(vo) V(ve) V(vb) V(vin)
11V
10V V0
9V
8V
7V
6V
VC
5V
4V
3V VB
2V VE
1V
0V vin
-1V
V(vin)
5mV
3mV
1mV vin
-1mV
-3mV
-5mV
V(vb)
3.090V
3.085V
VB
3.079V
V(ve)
2.37145V
2.37135V
2.37125V VE
2.37115V
2.37105V
V(vc)
40dB -80°
VC
36dB -100°
32dB -120°
28dB -140°
24dB -160°
20dB -180°
16dB -200°
12dB -220°
8dB -240°
4dB -260°
0dB -280°
Projeto: deformação do sinal (condição vin << UT)
V(vc) V(vc)
6.93V 8.1V
6.84V vin = 5mVp 7.8V

vin= 20mVp
6.75V 7.5V
7.2V
6.66V
6.9V
6.57V
6.6V
6.48V
6.3V
6.39V
6.0V
6.30V
5.7V
6.21V
5.4V
6.12V 5.1V
6.03V 4.8V
5.94V 4.5V
0µs 20µs 40µs 60µs 80µs 100µs 120µs 140µs 160µs 180µs 200µs 0µs 20µs 40µs 60µs 80µs 100µs 120µs 140µs 160µs 180µs 200µs
V(vc) V(vc)
7.4V 9.0V
7.2V vin=10mVp 8.4V vin= 40mVp

7.0V 7.8V
7.2V
6.8V
6.6V
6.6V
6.0V
6.4V
5.4V
6.2V
4.8V
6.0V
4.2V
5.8V 3.6V
5.6V 3.0V
5.4V 2.4V
0µs 20µs 40µs 60µs 80µs 100µs 120µs 140µs 160µs 180µs 200µs 0µs 20µs 40µs 60µs 80µs 100µs 120µs 140µs 160µs 180µs 200µs
Projeto: aproximação
Caso ignorassemos a corrente de
VCC = 10 V base para o calculo de RB1 e RB2,
teremos as relações
RB1 RC=400
CB VC
vin(t) resultando em
RB2 CE RB1=7 kOhm (6.82 KOhm)
RE=267 RB2=3 kOhm (3.18 kOhm)
Projeto: aproximação
Neste caso teremos

VCC = 10 V
RB1=7k 𝑰 𝑬= =𝟖 . 𝟏𝟖 𝒎𝑨(𝟖 . 𝟕𝟓 𝒎𝑨)
RC=400 𝑹𝑩
𝑹𝑬 +
CB VC 𝜷+𝟏
𝒗𝑪
𝒈𝒂𝒏𝒉𝒐 = =− 𝒈 𝒎 .( 𝑹 ¿ ¿ 𝑪/¿ 𝑹 𝑳 )≈ − 𝟗𝟐 ¿
vin(t) 𝒗𝒊𝒏
RE=267
CE O resultado é mais do que
RB2=3k
satisfatório, para uma primeira
aproximação
Configurações Básicas de Amplificadores
VCC VCC
VCC Iin RL
RB1 RC
I0 Vin
RC
CB VC Q3 Vo IRL
vin(t)
IC2
RB2 CE Q1 Q2
RE
Emissor Comum Coletor Comum

Configurações Básicas de Amplificadores
VCC
CE RE
vin(t)
VC
RC
Base Comum
VEE
Três tipos de amplificadores

1. Zin=1 MOhm, ZOut=10 kOhm, ganho=10 (Amp1)
2. Zin=10 kOhm, ZOut=1,0 kOhm, ganho=100 (Amp2)
3. Zin=10 kOhm, ZOut=20 Ohm, ganho=1 (Amp2)
zout
vin
+
zin
ganho.vin
Deseja-se montar com os amplificadores um sistema que
permita fornecer a saída uma potencia de 0.5 W ou mais
(vin=30mVEf, zout=0.5 MOhm e zload=100 Ohm
para um sinal Vpsen(wt)
• Vef = VP/,
• Potencia=/R
zout= 0.5M vL
sistema para
+

Vamos calcular o VLef para poder saber o ganho que
necessitamos.
→ VEf
=235
zout= 0.5M vL
sistema para
+

zout= 0.5M Amp1 10k Amp2 1k

vL
v1 v2
+
+
+
vin = 30mVef 1M 10k vL zload=100
10.v1 100.v2
Como a impedancia de carga é baixa, e o Amp2 tem uma
impedancia de saída alta, o ganho é perdido
zout= 0.5M Amp1 Amp2

10k 1k vL
v1 v2
+
+
vin = 30mVef 1M + 10k

vL zload=100
10.v1 100.v2
Uma configuração possivel: (Amp1 + Amp2 + Amp3)
zout= 0.5M Amp1 10k Amp2 1k Amp3 20

vL
v1 v2 v3
+
+
+
1M 10k 10k zload=100
vL vL
vin = 30mVef 10.v1 100.v2 v3
Amplificador Emissor Comum
VCC
VCC vs e Rs fazem parte
do circuito anterior RC
RB1 RC Vo
Rs
CB V0
Rs
vs Q1
CE
vs CE
RB2 RE I0
polarização com polarização com

resistores/capacitores fontes de cocrrente
Amplificador Emissor Comum VCC
Vo
VCC
Vin
Detalhes da I0
RC
polarização com Q3
fontes de corrente CE
IC2
I2=(VCC-VBE)/RC
Q1 Q2
Emissor Comum
Amplificador Emissor Comum: modelo p para pequenos
sinais
foi considerada uma carga na saída (RL)
VCC
RC Rs vC = v0
Vo B vbe
Rs C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
Q1 vs(t)
CE
E
I0
Desejamos calcular
1. ganho de tensão
2. ganho de corrente
3. impedancia de entrada
4. impedancia de saída Rs vC = v0
B vbe
C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs(t)
E
1. ganho de tensão
Rs vC = v0
B vbe
C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs(t) 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
E
𝒓𝝅
𝒗 𝟎=− 𝒈𝒎 𝒗 𝒃𝒆 (𝒓 𝟎 ¿/ 𝑹 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳 ) 𝒗 𝒃𝒆= 𝒗𝒔
𝒓 𝝅 + 𝑹𝑺
𝒗𝟎 𝒓𝝅 (𝒓 𝟎 ¿ / 𝑹 𝑪 ¿ / 𝑹 𝑳)
𝒈𝒂𝒏𝒉𝒐 = =− 𝒈𝒎 (𝒓 𝟎 ¿ / 𝑹𝑪 ¿ / 𝑹 𝑳) =− 𝜷
𝒗𝒔 𝒓 𝝅 + 𝑹𝑺 𝒓 𝝅 + 𝑹𝑺
O máximo ganho do amplificador emissor comum é
Rs vC = v0
B vbe
C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs(t)
E
Veja que (RS+rp) ˃ rp e (RC//RL//r0) < r0
𝒓𝝅 𝑰𝑪 𝑽 𝑨 𝑽 𝑨
¿ ganho∨¿ 𝒈 𝒎 (𝒓 𝟎 ¿ / 𝑹 𝑪 ¿/ 𝑹 𝑳 ) <𝒈 𝒎 𝒓 𝟎= =
𝒓 𝝅 + 𝑹𝑺 𝑼𝑻 𝑰𝑪 𝑼𝑻
2. ganho de corrente (i0/is)
i0
Rs C vC = v0
B vbe
is 𝑟𝜋 r0 RL
RC
vs(t)
E
𝒊 𝒔=
𝒗𝒔 𝒓𝝅 𝒓𝟎
𝑹 𝑺 +𝒓 𝝅 𝒗 𝒃𝒆= 𝒗𝒔 𝒊𝟎 =𝒈 𝒎 𝒗 𝒃𝒆
𝒓 𝝅 + 𝑹𝑺 ¿¿¿
𝒓𝝅 𝒓𝟎 𝒊𝟎 𝒓𝟎
𝒊𝟎 =𝒗𝒔 𝒈 𝒎 =𝒈 𝒎 𝒓 𝝅
𝒓 𝝅 + 𝑹𝑺 ¿ ¿ ¿ 𝒊𝒔 ¿¿¿
i0
Rs vC = v0
B vbe
is C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs(t)
E
𝒊𝟎 𝒓 𝟎
=𝒈 𝒎 𝒓
𝒊𝒔 𝝅 ¿ ¿ ¿
Para r0 muito grande teremos

3. impedancia de entrada (entrada na Base)
i0
Rs vC = v0
B vbe
is C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs(t)
𝒛 𝒊𝒏 = 𝒓 𝝅
4. impedancia de saida (saída no Coletor)
Rs
vC = v0
B vbe
is C
𝑟𝜋 r0 RC RL
vs(t)
𝒛 𝒐𝒖𝒕 =𝒓 𝟎 / ¿ 𝑹𝑪
Para calculo da impedancia, desativar as fontes independentes, colocar
uma fonte de corrente e medir a tensão. RL não é considerado para
calculo da impedancia de saída
Resumo
1. ganho de tensão: (grande e negativo)
2. ganho de corrente: (próximo de b)
3. impedancia de entrada: (valor de alguns kOhms)
4. impedancia de saída: (valor alto)
Amplificador Emissor Comum com degeneração:
modelo T para pequenos sinais
RC vC = v0
Vo C
Rs 𝛼 𝑖𝐸 RL
RC
vs Rs B r0
Q1
𝑟 𝑒 𝑖𝐸
RE vbe
vs(t)
RE
I0
CE E
Amplificador Emissor Comum com degeneração
Vamos considerar que r0 ˃ RC e desprezar r0. Com isso podemos
simplificar bastante a analise
1. ganho de tensão
vC = v0
𝒗𝒔 =𝑹 𝑺 𝒊 𝑩 +(𝒓 ¿ ¿ 𝒆 + 𝑹 𝑬 )𝒊 𝑬 ¿𝒊 = 𝒊𝑬
𝑩 C
𝜷 +𝟏 𝛼 𝑖 𝐸 RC RL
B
𝒗𝒔 =¿
Rs r0
vs(t) iB 𝑟 𝑒 𝑖𝐸
vbe
𝒗𝒔
𝒊𝑬 = RE
𝑹𝑺
( +𝒓 𝒆 + 𝑹 𝑬 )
𝜷 +𝟏 E
𝒗𝒔 =𝑹 𝑺 𝒊 𝑩 +(𝒓 ¿ ¿ 𝒆 + 𝑹 𝑬 )𝒊 𝑬 ¿ 𝒊 𝑬 =( 𝜷+𝟏) 𝒊 𝑬
vC = v0
𝒗𝒔 =¿
C
𝛼 𝑖𝐸 RL
𝒗𝒔 RC
𝒊𝑩= Rs B r0
¿¿
Veja que aparece mutiplicado por vbe
quando visto da base. RE
E
𝒗 𝟎 =− ¿ ¿ ¿
( 𝑹¿¿ 𝑪 /¿ 𝑹¿¿ 𝑳)
𝒈𝒂𝒏𝒉𝒐 =− 𝜷 ¿¿
( 𝑹 ¿¿ 𝑪 / ¿ 𝑹¿¿ 𝑳)
𝑹 𝑺 +( 𝜷 +𝟏)∙(𝒓 ¿ ¿ 𝒆+ 𝑹 𝑬 )=− 𝜷 ¿¿¿
𝑹 𝑺+𝒓 𝝅 +( 𝜷 +𝟏) 𝑹 𝑬
Para o emissor comum normal o ganho é

(𝑹 𝑪 ¿ / 𝑹 𝑳)
𝒈𝒂𝒏𝒉𝒐=− 𝜷
𝒓 𝝅 +𝑹 𝑺
Amplificador
Ampl. Emissor Comum
Emissor Comum 𝛼 𝑖𝐸
B vbe com degeneração Rs B
is 𝑟𝜋
E vbe E
RE
𝒓𝝅 𝒗𝒔
𝒗 𝒃𝒆= 𝒗𝒔 𝒗 𝒃𝒆= 𝒊 𝑬 𝒓 𝒆= 𝒓𝒆
𝑹 𝑺 +𝒓 𝝅 𝑹𝑺
( +𝒓 𝒆 + 𝑹 𝑬 )
𝜷 +𝟏
A redução do ganho é 𝒗𝒔
𝒗 𝒃𝒆= 𝒓𝝅
devido a redução de vbe ( 𝑹𝑺 +𝒓 𝝅 +( 𝜷+𝟏) 𝑹 𝑬 )
i0
C
𝒊𝟎 𝛼 𝑖𝐸 RC RL
=𝜷
𝒊𝒔 Rs
B 𝑟 𝑒 𝑖𝐸
vs(t) iB
vbe
RE
E
3. impedancia de entrada (entrada na Base)
i0 𝒗 𝒃=𝒊 𝑬 (𝒓 𝒆 + 𝑹 𝑬 )
C 𝒊𝑬
𝛼 𝑖𝐸 RC RL = 𝜷 +𝟏
𝒊𝑩
Rs
iB B 𝑟 𝑒 𝑖𝐸 𝒗 𝒃=𝒊 𝑩 (𝜷+𝟏)(𝒓 𝒆 + 𝑹 𝑬 )
vbe
𝒗𝒃
RE 𝒛 𝒊𝒏= =( 𝜷 +𝟏)(𝒓 𝒆 + 𝑹 𝑬 )=𝒓 𝝅 +( 𝜷 +𝟏) 𝑹 𝑬
𝒊𝒃
E A impedância aumenta de . Isso pode
ser interessante
689
4. impedancia de saída (saida no coletor na Base)
i0
𝛼 𝑖𝐸 C Sem r0 não é possível achar

RC RL
Rs B
a impedancia de saída.
r0 Colocando o r0 impedância,
iB 𝑟 𝑒 𝑖𝐸
vbe será possivel mas bastante
RE
trabalhoso
E
Resumo
1. ganho de tensão: (reduzido devido a RE e negativo)
2. ganho de corrente: (desconsideramos r0)
3. impedancia de entrada: (valor aumentado de )
4. impedancia de saída: não determinado, mas próximo do
caso de Emissor Comum
Amplificador Base Comum
VCC
VEE = 10 V
RC
CE RE =10K
Vo
Q1
Q1
Rs
VC
CE I0
RC =5K vs
VCC = -10 V
polarização com
polarização com
fontes de corrente
resistores/capacitores
Amplificador Base Comum: modelo T para peq. sinais
Foi considerada uma carga RL
VCC i0
v0
RC C
𝛼 𝑖𝐸 RC RL
Vo
Q1 B
r0
𝑟 𝑒 𝑖𝐸
Rs Rs
E
CE I0 iS
vs
vs
1. ganho de tensão
Para simplificar vamos desconsiderar r0
i0 v0 𝒗 𝟎 =− ¿ ¿ ¿
C 𝒗𝒔
𝛼 𝑖𝐸 RC RL − 𝒊 𝑬 =𝒊 𝑺 =
𝑹𝑺 +𝒓 𝒆
B
r0
𝑟 𝑒 𝑖𝐸 𝒗𝒔
𝒗 𝟎=( 𝑹¿¿ 𝑪/¿ 𝑹¿¿ 𝑳)𝜶 ¿¿
Rs 𝑹 𝑺 +𝒓 𝒆
E
iS 𝒗𝟎 (𝑹¿¿𝑪 /¿ 𝑹¿¿ 𝑳)
vs
=𝜶 ¿¿
𝒗𝒔 𝑹 𝑺 +𝒓 𝒆
Amplificador Base Comum: modelo T para peq. sinais
1. ganho de tensão
i0 v0 𝒗𝟎 (𝑹 ¿¿ 𝑪 /¿ 𝑹¿¿ 𝑳)
C =𝜶 ¿¿
𝛼 𝑖𝐸 𝒗𝒔 𝑹 𝑺 +𝒓 𝒆
RC RL
B
r0 Caso RS seja pequeno
𝑟 𝑒 𝑖𝐸
Rs
teremos
E
iS 𝒗 𝟎 (𝑹¿¿𝑪 /¿ 𝑹¿¿ 𝑳) (𝑹¿¿ 𝑪/¿ 𝑹¿¿ 𝑳)
=𝜶 =𝜶 =𝒈 𝒎 (𝑹¿¿𝑪 /¿ 𝑹¿¿ 𝑳)¿¿¿¿¿¿
vs 𝒗𝒔 𝑹 𝑺 +𝒓 𝒆 𝒓𝒆
i0 v0 𝒊𝟎 =𝜶 𝒊𝒆
C
𝛼 𝑖𝐸 RC RL
B 𝒊 𝑺=− 𝒊𝒆
r0
𝑟 𝑒 𝑖𝐸
𝒊𝟎
Rs =− 𝜶
E 𝒊𝒔
iS
vs
3. impedancia de entrada
i0 v0
C 𝒓𝝅
𝛼 𝑖𝐸 RC 𝒛 𝒊𝒏 = 𝒓 𝒆 =
RL
𝜷 +𝟏
B
r0
𝑟 𝑒 𝑖𝐸
Rs
E Para o calculo da impedancia de
iS
entrada não se considera RS
vs
4. impedancia de saida
Precisamos considerar r0
i0 v0 para determinar a
C impedancia de saída. Caso
𝛼 𝑖𝐸 RC RL considerarmos RS=0
B
r0 • iE=0
𝑟 𝑒 𝑖𝐸
Rs 𝒛 𝒐𝒖𝒕 =(𝒓 𝟎 ¿ / 𝑹 𝑪)
E
iS
No caso de RS ≠ 0 a determinação da
impedancia de saída é mais complicado
Resumo
1. ganho de tensão: (grande e positivo)
2. ganho de corrente:
3. impedancia de entrada: (pode ser feito baixo)
4. impedancia de saída: (para RS = 0; valor alto)
Amplificador Coletor Comum
VCC VCC
VCC Iin
Rs I0 Vin
Q1 RC Q3
vs Vo
Vo IC2
RL IRL
I0 RL Q1 Q2
polarização com
fontes de cocrrente
Amplificador Coletor Comum: modelo T
Foi considerada uma carga RL
VCC
𝛼 𝑖𝐸 C
Rs Rs
Q1 r0
vs B 𝑟 𝑒 𝑖𝐸
vs iS =iB
Vo
v0 E
I0 RL RL
Rs
Amplificador Coletor Comum: modelo T
Redesenhamos o circuito, para simplificar monatagem das
equações V CC
𝛼 𝑖𝐸 C
Rs
Q1 Rs
vs B
Vo vs iS =iB 𝑟 𝑒 𝑖𝐸
RL
v0 E
I0 r0
RL
Rs
1. ganho de tensão
𝒗𝒔 =𝒊 𝑩 𝑹 𝑺 +¿
𝛼 𝑖𝐸 C
𝒊𝑬
Rs 𝒗𝒔 = 𝑹 𝑺 +¿
𝜷 +𝟏
vs iS =iB
( 𝜷 + 𝟏 ) 𝒗𝒔
𝒊𝑬 =
E 𝑹𝑺 +¿ ¿
v0 r0
RL
(𝑹¿ ¿ 𝑳/¿ 𝒓 ¿¿ 𝟎)𝒗𝒔
𝒗 𝟎=𝒊 𝑬 ( 𝑹¿¿ 𝑳/¿ 𝒓 ¿ ¿𝟎)=(𝜷+𝟏) ¿¿¿¿
𝑹 𝑺 +¿ ¿
1. ganho de tensão
( 𝑹 ¿¿ 𝑳/ ¿ 𝒓 ¿¿ 𝟎) 𝒗𝒔
𝒗 𝟎=( 𝜷 +𝟏) ¿¿
𝛼 𝑖𝐸 C 𝑹 𝑺 +¿ ¿
Rs 𝒗 𝟎 ( 𝑹¿ ¿ 𝑳/ ¿ 𝒓 ¿¿ 𝟎)( 𝜷+𝟏)
B = ¿¿
vs iS =iB 𝑟 𝑒 𝑖𝐸 𝒗𝒔 𝑹 𝑺 +¿ ¿
E O valor de re é normalmente pequeno, o que

v0 r0
RL acarreta
𝒗𝟎 (𝑹¿¿ 𝑳 /¿ 𝒓 ¿¿ 𝟎)(𝜷+𝟏)
≈ ¿¿
𝒗𝒔 𝑹 𝑺 +(𝑹 ¿¿ 𝑳/¿ 𝒓 ¿¿ 𝟎)(𝜷+𝟏)¿ ¿
𝒊 𝑬 =( 𝜷 +𝟏) 𝒊 𝑩
𝛼 𝑖𝐸 C
𝒓𝟎 𝒓𝟎
Rs 𝒊𝟎 =𝒊 𝑬 = 𝒊𝑩 ( 𝜷 +𝟏)
𝑹 𝑳+𝒓 𝟎 𝑹 𝑳 +𝒓 𝟎
vs iS =iB
E 𝒊𝟎 𝒓𝟎
r0
v0 𝑖0 = ( 𝜷 +𝟏)
𝒊𝑺 𝑹 𝑳+𝒓 𝟎
RL
3. impedancia de entrada (vB/iB): no calculo da
impedancia de entrada consideramos RL
𝒗𝑩
𝒊 =
𝛼 𝑖𝐸 C 𝑬 ¿¿
vB
iB B 𝑟 𝑒 𝑖𝐸
𝒗𝑩
𝒛 𝒊𝒏 = =( 𝜷 +𝟏 )¿
E 𝒊𝑩
v0 r0
𝑖0 vista na base, a resistencia no emissor é
RL multplicada por (b+1)
4. impedancia de saída (vx/ix): no calculo da
impedancia de saída RL não é considerada
𝒗 𝒙 + 𝒊 𝑩 𝑹𝑺 +𝒓 𝒆 𝒊 𝑬 =𝟎
𝛼 𝑖𝐸 C
vB
+ 𝒊𝑬
Rs 𝒗𝒙 𝑹 +𝒓 𝒆 𝒊 𝑬 =𝟎
𝜷 +𝟏 𝑺
iB B 𝑖
𝑟𝑒 𝐸 𝒗𝒙
𝒊 𝑬 =−
𝑖𝑥 𝑹𝑺
+𝒓 𝒆
E
+¿ v x
𝜷 +𝟏
r0
𝒗 𝒙 / 𝒓 𝟎=𝒊 𝒙 +𝒊 𝑬
4. impedancia de saída (vx/ix)
𝒗 𝒙 =𝒓 𝟎( 𝒊 𝒙 +𝒊 𝑬 )
𝛼 𝑖𝐸 C 𝒗𝒙
𝒊 𝑬 =−
𝑹𝑺
Rs vB +𝒓 𝒆
𝜷 +𝟏
iB B 𝑖
𝑟𝑒 𝐸 𝒗𝒙
𝑖𝑥 𝒗 𝒙 =𝒓 𝟎 ( 𝒊 𝒙 − )
E 𝑹𝑺
+¿ v x 𝜷 +𝟏
+𝒓 𝒆
r0
4. impedancia de saída (vx/ix)
𝒗𝒙 𝑹𝑺
𝒛 𝒐𝒖𝒕 = =𝒓 𝟎 / ¿( +𝒓 𝒆 )
𝛼 𝑖𝐸 C 𝒊𝒙 𝜷 +𝟏
Rs vB • A impedancia da base aparece, no

𝑖 emissor, como se dividido por (b+1)
iB B 𝑟𝑒 𝐸 • vista na base, a resistencia no emissor
𝑖𝑥 é multplicada por (b+1)
E
+¿ v x • se r0>>1 então
r0
Resumo
1. ganho de tensão: (próximo de um)
2. ganho de corrente: (próximo de (b+1))
3. impedancia de entrada: (RL fica multiplicado por (b+1))
4. impedancia de saída: (RS fica dividido por (b+1))
Comparação entre Amplificadores
1. Ganho de tensão
1. E.C.:
2. E.C degenerado: (reduzido devido a RE e negativo)
3. B.C: (grande e positivo)
4. C.C.: (próximo de um)
2. Ganho de corrente
1. E.C.: (próximo de b)
2. E.C degenerado: (desconsideramos r0)
3. B.C:
4. C.C.: (próximo de (b+1))
3. Impedancia de entrada
1. E.C.:
2. E.C degenerado: (valor aumentado de )
3. B.C: (pode ser feito baixo)
4. C.C.: (RL fica multiplicado por (b+1))
4. Impedancia de saída
1. E.C.: (valor alto)
2. E.C degenerado: não determinado mas proximo de caso de
Emissor Comum
3. B.C: (para RS=0; valor alto)
4. C.C.: (RS fica dividido por (b+1), valor baixo)
Par Darlington
Uma configuraçao de transistores, utilizada para aumentar o
b, é o par Darlington (super b)
Considerando os dois transistores iguais (bs

IC
iguais), teremos
IB
Q1
𝑰 𝑩 𝟐=𝑰 𝑬 𝟏=( 𝜷+𝟏) 𝑰 𝑩 𝟏
Q2 𝑰 𝑬 =𝑰 𝑬𝟐 =( 𝜷+𝟏)𝑰 𝑩𝟐=(𝜷+𝟏)𝟐 𝑰 𝑩𝟏
IE
𝑰𝑪=𝑰 𝑪𝟏+𝑰 𝑪𝟐=𝜷𝑰 𝑩𝟏+𝜷𝑰 𝑩𝟐=𝜷𝑰 𝑩𝟏 +𝜷(𝜷+𝟏)𝑰 𝑩𝟏=(𝜷𝟐+𝟐𝜷)𝑰 𝑩𝟏
Par Darlington
Configuraçao de transistores, utilizada para aumentar o b
𝑰 𝑪 =(𝜷 𝟐+𝟐 𝜷) 𝑰 𝑩 Para os dois transistores

C estarem na região ativa
IB devemos ter:
Q1 VCE • VBE = VBE1 + VBE2 ≈ 1.4 V
B
Q2 • VCE > VBE2 + VCE1 ≈ 0.8 V
VBE
E 𝑰 𝑬 =( 𝜷+𝟏)𝟐 𝑰 𝑩
Exercício: Par Darlington
Determinar o ganho de tensão e a
RC impedancia de entrada do circuito
Rs Vo considere que:
Q1 • os transistores Q1 e Q2 iguais
vs
Q1 • o efeito Early em Q1 pode ser
Q2
desconsiderado
• uma carga RL na saida
I0 CE
• a solução deve esta em função de I0
(ache os valores de gm e rp)
Modelo p hibrido com mais detalhes
()
B C
𝑟𝜋 𝑉𝐴
𝐼𝐶0
iE
E
1. rm
Correntes de lacunas
JnpD
E C
N P N
JpnE JpRec JpnC
recordar pg. 472

A corrente que entra pela base é composta por
• : corrente de lacunas injetadas no emissor. A corrente de
lacunas injetada no emissor é igual a de um diodo conduzindo
direto, dada por
• : corrente de lacunas injetadas no coletor. Esta corrente é

desprezível, pois o diodo DBC esta cortado
• : Corrente de lacunas que recombinam na base
JPRec é igual ao total de lacunas que recombinam na base
elétrons
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 ) WBef
np
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
[ ( )]
2
𝑊 𝐵𝑒𝑓 𝑛𝑖 𝑉 𝐵𝐸
𝐽 𝑃𝑅𝑒𝑐 =𝑞 𝐷𝑛 𝑒𝑥𝑝 𝑞
2 𝐿𝑛 𝑁 𝐴 𝑘𝑇
2
JPRec depende do comprimento efetivo da base, WBef
WBef depende de VCB: VCB aumenta → região de depleção do DBC

aumenta → WBef diminui → recombinação na base (JPRec) diminui
Emissor Coletor
WBef
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐸
𝑘𝑇 )
np WBC
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
Caso o eletron não recombine na base ele chega ao coletor. Assim
as correntes de base vão variar com VCB. Esta variação será
modelada com um resistor colocado entre a base e o emissor, rm
iB 𝑟𝜇 iC
B C
𝑟𝜋 𝑉𝐴
𝐼𝐶0
E iE
Considerando Area como area efetiva do transistor, escrevemos
Vamos determinar qual é a variação causada em IB devido a por
variação e VCB (A é a area efetiva do transistor)
Variação causada em IB devido a por variação e VCB.
Vimos anteriormente que
Por fim teremos que
e definimos o resistor
Podemos avaliar a ordem de grandeza de rm . Temos que
Assim
O valor de IPRec ≈ 0.2∙IPnE; na pratica podemos assumir que

Para a grande maioria dos caso, não influencia no funcionamento

do circuito.
iB 𝑟𝜇 iC
B C
𝑟𝜋
vbe 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑟 0
E iE
2. CB
Quando VBE varia, a carga na base altera bastante.
Emissor Coletor
( )
𝑛2𝑖 𝑉 𝐵𝐸 2 WBef
𝑛𝑝𝐵/ 𝐸 = 𝑒𝑥𝑝 𝑞 Esta carga deve
𝑁𝐴 𝑘𝑇
ser fornecida pelos
𝑛2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑘𝑇 )
𝑉 𝐵𝐸 1 np WBC
eletrons vindos do
emissor e lacunas
vindas da base
𝑉 𝐵𝐸 2> 𝑉 𝐵𝐸 1 𝑛𝑝𝐵/ 𝐶 =
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
2. CB
Veja que a base é neutra. Assim, se aumenta a carga
negativa de eletrons, deve aumentar a carga positiva de
lacunas
Coletor
Emissor
( )
𝑛2𝑖 𝑉 𝐵𝐸 2 WBef Carga na base Qb
𝑛𝑝𝐵/ 𝐸 = 𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑁𝐴 𝑘𝑇 (região ativa)
𝑒𝑥𝑝 ( 𝑞
𝑘𝑇 )
𝑛2𝑖 𝑉 np
( )
𝐵𝐸1 WBC 𝑛 2𝑖 𝑉 𝐵𝐸 1 𝑊 𝐵𝑒𝑓
𝑁𝐴 𝑄𝑏 = 𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑁𝐴 𝑘𝑇 2
𝑉 𝐵𝐸 2> 𝑉 𝐵𝐸1
𝑛 2𝑖
𝑁𝐴 (
𝑒𝑥𝑝 𝑞
𝑉 𝐵𝐶
𝑘𝑇 )
≈0
2. CB
Para obter a carga total da base, QB vamos multiplicar Qb
pela Area.
Podemos agora calcular a variação de QB com VBE

2. CB
A corrente IC, que ja encontramos, é dada por:
Neste caso, podemos escrever
A grandeza
tem dimensão de tempo, sendo chamada tempo de transito

2. CB
Finalmente escrevemos
B iB 𝑟𝜇 iC
C
CB vbe
𝑟𝜋 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑟 0
E iE
Modelo do transistor NPN BC547B
model BC547B NPN (IS=2.39E-14 NF=1.008 ISE=3.545E-15 NE=1.541

BF=294.3 IKF=0.1357 VAF=63.2 NR=1.004 ISC=6.272E-14 NC=1.243
BR=7.946 IKR=0.1144 VAR=25.9 RB=1 IRB=1.00E-06 RBM=1 RE=0.4683
RC=0.85 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=1.358E-11 VJE=0.65 MJE=0.3279
TF=4.391E-10 XTF=120 VTF=2.643 ITF=0.7495 PTF=0 CJC=3.728E-12
VJC=0.3997 MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1.00E-32 CJS=0 VJS=0.75
MJS=0.333 FC=0.9579 Vceo=45 Icrating=100m mfg=NXP)
TF= tempo de transito direto em segundos
TR: tempo de transito reverso em segundos
Com este valor e gm podemos calcular CB. Veja que CB depende de
IC
Modelo de Pequenos sinais (mais elementos)
Modelo de Pequenos sinais (mais elementos)
• rb (resistencia série na base): devido a contatos e distancia
entre contato de base e o transistor
• rC (resistencia série no coletor): devido a contatos e distancia
entre contato de coletor e o transistor
• rex (resistencia série no coletor): devido a contatos e distancia
entre contato de emissor e o transistor
• CjE (capacitancia da junção base/emissor)
• Cm (capacitancia da junção base/coletor)
• CCs (capacitancia da junção reversa coletor/substrato)
Capacitancia do diodo reversamente polarizado
𝑐 𝑗0
𝐶 𝑗𝑒 (𝑉 𝑅 )=
VR é a tensão reversa
√ (1+
𝑉𝑅
𝜙𝑖
)
Modelo de Pequenos sinais: Modelo p hibrido completo
(, , , Cp=(CB ＋ CjE)
Cm
iB 𝑟𝜇 iC
B 𝑟𝑏 𝑟𝑐 C
Cp 𝑟𝜋 vbe
𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑟 0CCS
iE
𝑟 𝑒𝑥
E
Modelo de Pequenos sinais: Modelo p hibrido completo
O modelo completo normalmente não é aplicado em calculos
manuais (muito complicado)
Exemplo de aplicação do modelo completo
Determinar o ganho de corrente transistor (iC/iB)
IC = IC0+ iC
Q1
IB = IB0+iB VCC
+
Determinar o ganho de corrente transistor (iC/iB)
Cm
𝑟𝜇 iC
IC = IC0+ iC
iB B 𝑟𝑏 𝑟0 𝑟𝑐 C
Q1 𝑟𝜋 vbe
Cp CCS
VCC 𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒
+
𝑟 𝑒𝑥
IB = IB0+iB E
Circuito muito complicado para analise. Vamos desconsiderar rm,
muito grande e rEx e rc, muito pequenos.
Cm
𝑟𝜇 iC
C
iB B 𝑟𝑏 𝑟0 𝑟𝑐
Cp 𝑟𝜋 vbe
𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 CCS
𝑟 𝑒𝑥
E
Veja que o resistor r0 e o capacitor CCS podem ser retirados
pois estão com os dois terminais em terra.
Cm
iC
C
iB B 𝑟𝑏 𝑟0 𝑟𝑐
Cp 𝑟𝜋 vbe
𝑔 𝑚 𝑣𝑏𝑒 CCS
E
𝟏 𝟏
𝒗 𝒃𝒆= 𝒊𝒃 (𝒓 𝝅 / ¿( )/¿ ( ))
𝒔 𝑪𝝅 𝒔 𝑪𝝁
Cm
𝒊𝒃
𝒗 𝒃𝒆=
B 𝑟𝜇 iC C 𝟏
+ 𝒔 ( 𝑪 𝝅+ 𝑪 𝝁)
𝒓𝝅
iB 𝑟𝑏
Cp 𝑟𝜋 vbe 𝒊 𝑪 =(𝒈 𝒎 − 𝒔 𝑪 𝝁 ) 𝒗 𝒃𝒆
𝒊𝑪 (𝒈 𝒎 − 𝒔 𝑪 𝝁 )
E =
𝒊𝑩 𝟏
+ 𝒔 ( 𝑪 𝝅+ 𝑪 𝝁)
𝒓𝝅
743
𝒊𝑪 (𝒈 𝒎 − 𝒔 𝑪 𝝁 )
=
Cm 𝒊𝑩 𝟏
+ 𝒔 ( 𝑪𝝅+ 𝑪𝝁)
𝒓𝝅
B 𝑟𝜇 iC C
𝒊𝑪 𝒓 𝝅 (𝒈 𝒎 − 𝒔 𝑪 𝝁 )
iB 𝑟𝑏 𝑟0 =
vbe 𝒊 𝑩 𝟏+ 𝒔( 𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 )𝒓 𝝅
Cp 𝑟𝜋
𝒊𝑪 (𝟏 − 𝒔 𝑪 𝝁 /𝒈 𝒎 )
E =𝜷
𝒊𝑩 𝟏+ 𝒔 (𝑪 𝝅 + 𝑪𝝁 ) 𝒓 𝝅
744
𝒊𝑪 (𝟏 − 𝒔 𝑪 𝝁 / 𝒈 𝒎 ) 𝟏 𝒈𝒎
=𝜷 𝒑𝒐𝒍𝒐=− 𝒛𝒆𝒓𝒐=
𝒊𝑩 𝟏+ 𝒔 (𝑪 𝝅 + 𝑪𝝁 ) 𝒓 𝝅 (𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 )𝒓 𝝅 𝑪𝝁
𝜷 𝟏 ⇒ 𝟏 ⇒
𝟏 𝒈𝒎
𝒓 𝝅= ≫ ❑ ≪ 𝒈𝒎 ❑ ≪
𝒈𝒎 𝒈𝒎 𝒓𝝅 ( 𝑪 𝝅 + 𝑪 𝝁 )𝒓 𝝅 𝑪𝝁
𝒊𝑪 (𝟏 − 𝒔 𝑪 𝝁 / 𝒈 𝒎 )
𝐥𝐢𝐦 ¿ ∨¿ 𝜷∨ ∨¿ 𝜷
𝝎→ 𝟎 𝒊𝑩 𝟏+ 𝒔( 𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 ) 𝒓 𝝅
𝒔= 𝒋 𝝎
𝒊𝑪 (𝟏 − 𝒔 𝑪 𝝁 /𝒈 𝒎 ) 𝑪𝝁 / 𝒈 𝒎 𝑪𝝁
𝐥𝐢𝐦 ¿ ∨¿ 𝜷∨ ∨¿ 𝜷 = <𝟏
𝝎 →∞ 𝒊𝑩 𝟏+ 𝒔( 𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 ) 𝒓 𝝅 (𝑪 𝝅 + 𝑪𝝁 )𝒓 𝝅 (𝑪 𝝅 + 𝑪𝝁 )
𝒔= 𝒋 𝝎
745
• o polo aparece primeiro que o zero
• para frequencias altas, o ganho em dB é negativo
dB
𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈 (𝜷)
𝟏 𝝎𝑭 𝒈𝒎
w
𝑪𝝁 𝑪𝝁
(𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 )𝒓 𝝅 𝟐𝟎 𝒍𝒐𝒈 ( )
(𝑪 𝝅 +𝑪𝝁 )
746
• wF: frequencia de ganho unitário (a partir dessa frequencia o
transistor não tem mais ganho de corrente)
𝒊𝑪 (𝟏 − 𝒋 𝝎 𝑭 𝑪 𝝁 /𝒈𝒎 )
¿ ∨¿ 𝜷∨ ∨¿
𝒊𝑩 𝟏+ 𝒋 𝝎 𝑭 (𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 )𝒓 𝝅
supondo que |polo| <<wF << |zero|, teremos
𝒊𝑪 (𝟏− 𝒋 𝝎 𝑭 𝑪 𝝁 / 𝒈𝒎 ) 𝟏
¿ ∨¿ 𝟏=𝜷∨ ∨≈ 𝜷∨ ∨¿
𝒊𝑩 𝟏+ 𝒋 𝝎 𝑭 (𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁)𝒓 𝝅 𝒋 𝝎 𝑭 (𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁)𝒓 𝝅
𝟏 𝒈𝒎 característica importante do
𝝎𝑭≈𝜷 =
(𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 )𝒓 𝝅 (𝑪 𝝅 +𝑪 𝝁 ) transistor
747
Transistor saturado: diodos DBE e DBC conduzindo.
Caracteristicas
1. Tensão pequena em VCE
• para DBC conduzir, 0,5 V < VBC < 0,7 V
Assim
VCE = (VC － VE) = (VC -VE ＋ VB － VB) = (VBE － VBC) →
0V < VCE < 0.2V
• Quanto mais próximo de zero estiver VCE, mais saturado
estará o transistor e maior corrente passará
Transistor saturado (NPN) - distribuição de portadores
2. Aumenta muito a carga acumulada na base
WB
nn0E=NDE
pp0=NA nn0C=NDC
np
Transistor saturado (NPN)
3. Aumenta a corrente da base e dimunui b
diminui
Correntes de lacunas da base
JnpD
E C
N P N
JpnE JpRec JpnC
Transistor saturado:
IC
0,7V > VBC > 0,5V

VCE <0,2V
IC
IB
VBE =0,7V IE
• VCE < 0.2 V
• onde < bForcado <

Transistor Bipolar
Transistor saturado: modelo
E
IB IC
B C
0.7V 0.2V
0.2V
0.7V
IE B C
E
NPN PNP
Exercício: verificar se o transistor esta saturado
(bForcado = 50, VBE = 0.7V)
• calcular IE
VCC = 10V
• calcular maximo valor de IC
4.7K • verificar valor de b
6V
Vo
𝟔 −𝟎 .𝟕
Q1 𝑰 𝑬= =𝟏 .𝟔 𝒎𝑨
𝟑 .𝟑 𝒌
0.7V
considerando VCE = 0
3.3K
Exercício: (bForcado = 50, VBE = 0.7V)
𝑰 𝑩= 𝑰 𝑬 − 𝑰 𝑪 > 𝑰 𝑬 − 𝑰 𝑪𝒎𝒂𝒙 =𝟏 . 𝟔 𝒎− 𝟏𝒎=𝟎 .𝟔 𝒎𝑨

VCC = 10V
𝑰 𝑩𝒎𝒊𝒏=𝟎 . 𝟔 𝒎𝑨
4.7K
6V
Vo
Q1
0.7V O transistor esta saturado
Observe que na saturação sabemos apenas que
3.3K
(VCE < 0,2V) e (b < bForcado ). Não temos, no
entanto, os valores exatos de VCE e b
Exercício: considere que um LED de alta intensidade
esta conectado ao circuito mostrado abaixo
VCC = 4V C out
RC
VCC = 4V
C RB C
Q1
out
0.7V
C
Exercício:
Dados:
• VCE < 0.2 V
• bForcado < 35
• Quero que passe uma corrente maior mas próxima a
30mA pelo LED (com essa corrente a queda de tensão
no LED é cerca de 2,6V)
• Vamos considerar a queda de tensão no LED
independente da corrente (isso é uma aproximação)
Determinar valores de RC e RB, para fornecer a corrente
de 30 mA ao LED, mantendo o transistor saturado
Exercício: vamos 𝟒 − 𝟐 .𝟔 − 𝑽 𝑪𝑬
garantir a corrente no𝟐 .𝟔+𝑽 𝑪𝑬 + 𝑹 𝑪 𝑰 𝑪 =𝟒
𝑹 𝑪=
𝑰𝑪
LED (trans. saturado)
Para garantir que a corrente seja
VCC = 4V superior a 30 mA, vamos escolher
VCE ﹦0.2 V. Assim
RC
𝟒 −𝟐 . 𝟔− 𝟎 .𝟐 𝟏 .𝟐
𝑹𝑪 < = =𝟒𝟎 𝑶𝒉𝒎
RB 𝑰𝑪 𝟑𝟎 𝒎
C
Q1
Usemos RC ﹦40 Ohms. Caso o
0.7V
transistor esteja muito saturado, VCE
2.6V
≈ 0, então
𝟒 − 𝟐 . 𝟔 𝟏. 𝟒
𝑰𝑪= = =𝟑𝟓 𝒎𝑨
𝑹𝑪 𝟒𝟎
Exercício: vamos Estando o transistor saturado,
garantir que o trans. podemos ter em IC até 35 mA (caso
esteja saturado VCE ﹦0V). Assim
VCC = 4V 𝑰𝑪
𝑰 𝑩>
𝜷 𝑭𝒐𝒓𝒄𝒂𝒅𝒐
4V RC
𝟒 − (𝟐 .𝟔+𝟎 . 𝟕) 𝟎 . 𝟕
𝑰 𝑩= =
RB 𝑹𝑩 𝑹𝑩
Q1
0.7V 𝑰 𝑪𝒎𝒂𝒙 ⇒ 𝟎 .𝟕 𝟑𝟓 𝒎 ⇒
𝑰 𝑩> ❑ > ❑ 𝑹 𝑩 <𝟕𝟎𝟎 𝑶𝒉𝒎
2.6V 𝜷 𝑭𝒐𝒓𝒄𝒂𝒅𝒐 𝑹𝑩 𝟑𝟓
Resultado
VCC = 4V
4V RC RC =40 Ohm
RB
Q1 RB =700 Ohm
0.7V
2.6V
RC =39 Ohm
RB =680 Ohm
Exercício: Passar 30 mA no LED
Considerar VBE = 0.7V, VCESat ﹦0.2V, bForc ﹦50
VCC = 4V
RC
C RB
Q1=2N2222
0.7V
LED= QTLP690C
Tensão no LED = 2.1V
𝟒 −𝟐 . 𝟏− 𝟎 .𝟐 𝟏 .𝟕
𝑹𝑪 < = =𝟓𝟕 𝑶𝒉𝒎
𝑰𝑪 𝟑𝟎 𝒎
Escolhemos RC = 56 Ohm
𝟒 −𝟐 . 𝟑 𝟏 .𝟕
𝑰 𝑪𝒎𝒊𝒏 = = =𝟑𝟎 . 𝟑𝒎𝑨
𝑹𝑪 𝟓𝟔
Maxima corrente para IC
𝟒 −𝟐 . 𝟏 𝟏 .𝟗
𝑰 𝑪𝒎𝒂𝒙 = = =𝟑𝟒 𝒎𝑨
𝑹𝑪 𝟓𝟔
Determinação de RB. Tensão no LED = 2.1V
𝟒 − (𝟐 .𝟏+𝟎 . 𝟕) 𝟏 . 𝟐
𝑰 𝑩= =
𝑹𝑩 𝑹𝑩
𝑰 𝑪𝒎𝒂𝒙 ⇒ 𝟏 .𝟐 𝟑 𝟒𝒎 ⇒
𝑰 𝑩> ❑ > ❑ 𝑹𝑩<𝟏 𝟕𝟔 𝟎 𝒌𝑶𝒉𝒎
𝜷 𝑭𝒐𝒓𝒄𝒂𝒅𝒐 𝑹𝑩 𝟓𝟎
Escolhemos RB = 1600 Ohm

Considerar VBE = 0.7V, VCESat = 0.2V, bForc=50
Vcc
RC
56 4
RB
Q1
1600 2N2222
D1
QTLP690C
.dc Vcc 3.5 4.5 0.01

Considerar VBE = 0.7V, VCESat = 0.2V, bForc=50
V(n004) V(N002,N004) I(D1)
2.2V
2.0V 44mA
1.8V tensão 42mA
1.6V
no LED 40mA
1.4V 38mA
Corrente
1.2V 36mA
1.0V
no LED 34mA
0.8V 32mA
0.6V 30mA
0.4V 28mA
0.2V tensão VCE 26mA
0.0V 24mA
3.5V 3.6V 3.7V 3.8V 3.9V 4.0V 4.1V 4.2V 4.3V 4.4V 4.5V
Exercício:
Porque não colocar o transistor na região ativa?
1. A potencia dissipada no transistor é
aproximadamente VCE∙IC. Assim manter VCE baixo é
interessante para não consumir potencia
2. Na região ativa a corrente IC depende de b∙IB. Não
temos um controle bom sobre b. Na saturação a
corrente depende de VCC e RC (além de VCESat, mas
ele afeta pouco), parametros que controlamos
melhor
Modelo de Ebers-Moll (modelo de grandes sinais-NPN)
Transistor ativo Transistor ativo
direto/corte (T) reverso/corte (T)
C C
IC 𝐼 𝐶=
𝐼𝑆
𝛼𝑅
[𝑒𝑥𝑝
( )
𝑉 𝐵𝐶
𝑛𝑈𝑇
− 1]
𝛼𝐹 𝐼 𝐸 VBC 𝐼𝑆
( )
B B 𝛼𝐹
IB 𝐼𝑆
( ) IB
𝛼𝐹
VBE 𝛼𝑅 𝐼 𝐶
𝐼 𝐸=
𝐼𝑆
𝛼𝐹 ( )
[𝑒𝑥𝑝
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈 𝑇
−1]
E E
Modelo de Ebers-Moll
• Associa os dois modelos T vistos.
• É valido para região ativa, saturado e corte (direto e
reverso)
IC C 𝐼𝑆
𝐼 𝐷𝐸 =
𝑉 𝐵𝐸
𝛼𝐹
[𝑒𝑥𝑝
( )
𝑛𝑈𝑇
− 1]
𝐼 𝐷𝐶 𝛼 𝐹 𝐼 𝐷𝐸
IB
B 𝐼 𝐷𝐶 =
𝐼𝑆
𝛼𝑅
[𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐶
𝑛𝑈𝑇 ( )
− 1]
𝐼 𝐷𝐸 𝛼 𝑅 𝐼 𝐷𝐶
𝛼𝐹 𝛼𝑅
𝛽𝐹 = 𝛽𝑅=
IE 1 −𝛼 𝐹 1− 𝛼 𝑅
E
Modelo de Ebers-Moll
IC C
𝐼 𝐸 =𝐼 𝐷𝐸 −𝛼 𝑅 𝐼 𝐷𝐶
𝛼 𝐹 𝐼 𝐷𝐸 𝐼 𝐶 =− 𝐼 𝐷𝐶 +𝛼 𝐹 𝐼 𝐷𝐸
𝐼 𝐷𝐶
B 𝐼 𝐵 =(1 −𝛼 𝐹 ) 𝐼 𝐷𝐸 +(1 − 𝛼 𝑅 )𝐼 𝐷𝐶
IB 𝛼 𝑅 𝐼 𝐷𝐶
𝐼 𝐷𝐸
IE E
𝐼 𝐸=
𝐼𝑆
𝛼𝐹
[𝑒𝑥𝑝
( )
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈 𝑇
−1]− 𝐼 𝑆 [𝑒𝑥𝑝
𝑛𝑈𝑇( )
𝑉 𝐵𝐶
− 1]
Serve para ( )
𝐼 𝐶 =𝐼 𝑆 [𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
− 1]−
𝐼𝑆
𝛼𝑅
[𝑒𝑥𝑝
( )
𝑉𝐵𝐶
𝑛𝑈𝑇
−1]
( ) ( )
aplicação em 𝐼𝑆 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝑆 𝑉𝐵𝐶
simuladores 𝐼 𝐵= [ 𝑒𝑥𝑝 −1]+ [ 𝑒𝑥𝑝 −1]
𝛽𝐹 𝑛𝑈𝑇 𝛽𝑅 𝑛𝑈𝑇
Exemplo de aplicação do Modelo de Ebers-Moll:
calculo de VCESAT X bFor (transistor na saturação)
IC C 1. Os dois diodos conduzem

𝛼 𝐹 𝐼 𝐷𝐸 e
𝐼 𝐷𝐶 2. iC = bForiB
B
IB 𝛼 𝑅 𝐼 𝐷𝐶 bFor = beta do transistor saturado
𝐼 𝐷𝐸
bF = beta do transistor ativo direto
IE E bR = beta do transistor ativo reverso
Modelo de Ebers-Moll (transistor saturado)
( )
𝛽 𝐹𝑜𝑟 𝐼 𝐵 =𝐼 𝑆 [ 𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
− 1] −
𝐼𝑆
𝛼𝑅 ( )
[𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐶
𝑛𝑈𝑇
− 1]
𝐼 𝐵=
𝐼𝑆
𝛽𝐹 ( )
[ 𝑒𝑥𝑝
𝑉𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
−1]+
𝐼𝑆
𝛽𝑅
[ 𝑒𝑥𝑝
𝑉𝐵𝐶
𝑛𝑈𝑇 ( )
−1]
Para simplifica chamaremos

e
Nosso sistema será então
( )
𝛽 𝐹𝑜𝑟 𝐼 𝐵 =𝐼 𝑆 [𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
]−
𝐼𝑆
𝛼𝑅 ( )
[𝑒𝑥𝑝
𝑉 𝐵𝐶
𝑛𝑈𝑇
]
𝐼𝑆
𝐼 𝐵 = [𝑒𝑥𝑝
𝛽𝐹 ( )
𝑉 𝐵𝐸
𝑛𝑈𝑇
]+
𝐼𝑆
𝛽𝑅
[𝑒𝑥𝑝
𝑛𝑈𝑇( )
𝑉 𝐵𝐶
]
[ ]
𝐼𝑆
𝐼𝑆 −
𝐼𝑆
𝛼𝑅
𝐼𝑆 [ ] [
𝑋 = 𝛽 𝐹𝑜𝑟 𝐼 𝐵
𝑌 𝐼𝐵 ]
𝛽𝐹 𝛽𝑅
A partir das relações abaixo
e
poderemos escrever que
e
Como
Veja que para sabermos de VCESAT não precisamos conhecer X e Y,
mas apenas a relação X/Y. Esta pode ser encontrada a patir de
[ ]
𝐼𝑆
𝐼𝑆 −
𝐼𝑆
𝛼𝑅
𝐼𝑆 [ ] [
𝑋 = 𝛽 𝐹𝑜𝑟 𝐼 𝐵
𝑌 𝐼𝐵 ]
𝛽𝐹 𝛽𝑅
[ ] [ ]
𝐼𝑆
𝛽 𝐹𝑜𝑟 𝐼 𝐵 − 𝐼𝑆 𝛽 𝐹𝑜𝑟 𝐼 𝐵
𝑋 𝛼𝑅 1+( 𝛽 𝐹𝑜𝑟 +1 ¿ ¿ ¿ 𝛽 𝑅 )
= 𝑑𝑒𝑡 / 𝑑𝑒𝑡 𝐼 𝑆 =
𝑌 𝐼𝑆 𝐼𝐵 𝛽
𝐼𝐵 𝛽𝐹 1−( 𝐹𝑜𝑟 )
𝛽𝑅 𝛽𝐹
Como , teremos
VCESAT
𝑉 𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 =𝑛𝑈 𝑇 𝑙𝑛¿
bF bR bFor VCESAT
(mV)
200 25.5 30 34
200 25.5 100 80
bF bFor
Aplicações: par Push-Pull (buffer)
Quero ligar um circuita a uma carga RL baixa. Devo usar um
coletor comum
Solução 1: nessa solução
+V = VCC
V0 ≥ 0,7 V
+ +V = VCC
V0
Vd +
- V0
RL Vd Q2
-V = VEE -
Vout
-V = VEE
RL
Aplicações: par Push-Pull (buffer)
Quero ligar um circuita a uma carga RL baixa. Devo usar um
coletor comum
Solução 2: nessa solução
+V = VCC
V0 ≤ -0,7 V
+
V0
Vd
-
RL +V = VCC Vout
-V = VEE
+
V0 RL
Vd Q1
-
-V = VEE
Aplicações: par Push-Pull (buffer): permite V0 variar
entre VEE e VCC
Precisamos determinar qual o estado dos transistores
5V (primeiro passo para compreender sua operação. Aqui
não podemos descartar nenhuma das passibilidades
(corte, saturação, região ativa))
Q2
1. Q1 e Q2 ambos conduzindo
Vin Vout
Vin=Vx + 0.7V
Q2
Q1 RL
Vx absurdo
-5V Vin =Vx - 0.7V

Q1
Par Push-Pull (buffer)
2. Q1 e Q2 ambos cortados: é possível e neste caso Vout = 0
5V
Vout
Q2
Vin Vout
-0.7V 0.7V Vin
Q1 RL Q1 e Q2 cortados
Vout = 0 V
-5V
3. Tensão de entrada Vin > 0.7V: qual o estado dos transistores?
3.a. hipótese: Q1 e Q2 em corte
5V
Neste caso Vout=0 e VBE2 > 0.7V. Assim Q2
esta conduzindo
Q2 3.b hipótese: Q1 conduz e Q2 corta
Vin > 0.7 Vout
Vout =Vin + 0.7 > 1.4V
Q1 RL Vin >0.7
Q1 IL RL
IL
-5V
-5V
3.b hipótese: Q1 conduz e Q2 corta: ou a corrente vem do coletor, do
-5V, ou da base (no transistor PNP a corrente sai da base). Absurdo
Vout =Vin + 0.7 >1.4V
Vin >0.7 RL
Q1 IL
IL
-5V
Por fim restou apenas que para Vin > 0.7V, Q1 cortado e Q2
conduzindo.
4. Tensão de entrada Vin<-0.7V: por simetria com o caso
anterior, concluimos que para Vin<-0.7V, Q1 conduzindo e Q2
cortado.
Par Push-Pull
5V
Q2 Vout
Q1 corta
Vin Vout Q2 conduz
-0.7V Vout = Vin － 0.7
Q1 RL Q1 conduz 0.7V Vin

Q2 corta Q1 e Q2
Vout = Vin ＋ 0.7 cortados
Vout = 0
-5V
Par Push-Pull (buffer): limitações da saída
Vout 5.0 － VCESAT
Q1 corta Q1 corta
Q2 conduz ativo Q2 saturação
( － 5.0 － VCESAT ) ＋ -0.7V Vout = Vin － 0.7 Vout =5.0 －
VBE1 VCESAT
Q1 satura Q1 conduz ativo 0.7V (5.0 － VCESAT) ＋ Vin
Q2 corta Q2 corta VBE2
Q1 e Q2
Vout = － 5.0 ＋ Vout = Vin ＋ 0.7
cortados
VCESAT Vout = 0
－ 5.0 ＋
VCESAT
Vcc
Q2 5
2N2222
Vin
2N3906
1 RL
Q1
100
.dc Vin -8 8 0.001 Vee
-5
VoutV(n003)
x Vin
6V
5V
4V
3V
2V Vout
1V
0V
-1V
-2V
-3V
-4V
-5V
-6V
-8V -6V -4V -2V 0V 2V 4V 6V 8V
Par Push-Pull (buffer): efeito do corte dos
transistores
Vcc
Q2 5
2N2222
Vout
Vin
2N3906
SINE(0 5 1k) Q1 RL
100
.tran 1n 5m 0 1u Vee
-5
Par Push-Pull: efeito do corte dos transistores (5,0 Vp)
V(n003) V(n002)
6V
Vin
0.7V
Vout
-1V
-7V
A saída é deformada devido a região de corte dos transistores
Par Push-Pull: efeito do corte dos transistores (2,0 Vp)
V(n003) V(n002)
2.5V
Vin
2.0V
1.5V 0.7V
1.0V
0.5V
0.0V
Vout
-0.5V
-1.0V
-1.5V
-2.0V
-2.5V
0.6ms 0.9ms 1.2ms 1.5ms 1.8ms 2.1ms 2.4ms 2.7ms 3.0ms 3.3ms
Para amplitudes menores o erro é maior

Par Push-Pull (buffer): correntes de entrada e
saída (entrada 4,0 Vp)
I(Vin) I(Rl)
48mA
40mA
32mA
24mA Corrente
16mA em RL
8mA
0mA
-8mA Corrente
-16mA em Vin
-24mA
-32mA
-40mA
-48mA
A corrente na entrada é bem menor que a corrente que vai para carga
de 100 Ohm. Esse é o papel do Buffer.
Par Push-Pull (buffer): eliminar a distorção
São adicionados dois diodos, D1 e D2, alem de uma fonte
de corrente para os diodos conduzirem
Determinar qual o estado dos transistores
5V
1. Q1 e Q2 ambos conduzindo
I0
Para que Q1 e Q2 não
Q2 Vx + 0.7V
D2 Q2 conduzam ao mesmo
Vout tempo, devemos ter
D1 Vx + 0.7-VD2 Vx Vx ＋ 0.7V － 2VD ≠
Vin
RL
Q1 Vin =Vx + 0.7-VD2 -VD1 Vx － 0.7V
Q1
Vin =Vx - 0.7V VD ≠ 0.7V. O ideal é
-5V fazer VD menor que
VBE
São adicionados dois diodos, D1 e D2, alem de uma fonte
de corrente para os diodos conduzirem
5V Determinar qual o estado dos transistores

I0 2. Q1 e Q2 ambos cortados
Q2 Vout = 0
D2
Vout • para Q1 cortar deveremos ter VBE1 > -0.7V, ou
D1 Vin > -0.7V
Vin RL • para Q2 cortar deveremos ter VBE2 < 0.7V, ou
Q1
Vin = (VBE2-VD1-VD2) < 0.7V-2VD
(VD1=VD2=VD)
-5V
Assim -0.7V < Vin < 0.7V-2VD
Para avaliar (0.7V-2VD) vamos usar

VD = 0.7-
5V
I0 e portanto
Q2
D2 Assim
Vout
D1 Vin < 0.7V-2VD → Vin < -0.7V+2
Vin RL
Q1
Ou seja -0.7V < Vin < -0.7V+2
Assim os dois transistores estarão cortados entre -
-5V
0.7V e -0.7V+2, intervalo bastante reduzido
quando for pequeno. 791
5V
I0 3. Vin > -0.7V+2
Q2 • Q2 conduz e Q1 corta
D2
• Vout≈Vin+0.7V
Vout
D1 4. Vin < -0.7V
Vin RL • Q1 corta e Q1 conduz
Q1
• Vout≈Vin+0.7
-5V
792
Vout 5.0 － VCESAT
Q1 corta
Q1 corta
Q2 saturação
Q2 conduz ativo
Vout﹦5.0 － VCESAT
( － 5.0 － VCESAT ) ＋ -0.7V Vout = Vin ＋ 0.7
VQ1
Q1 satura
Q2 corta
BE1 conduz ativo
Q2 corta
𝟐𝚫 (5.0 － VCESAT) ＋ VBE2 － Vin
Q1 e Q2 2VD
Vout ﹦ － 5.0 ＋ Vout = Vin ＋ 0.7
cortados
VCESAT
Vout = 0
－ 5.0 ＋
VCESAT
Uso de transistor em vez de diodos
I1
Vcc
0.3m
Q2 5
Q4 2N2222
2N2222
Vout
Q3
2N2222
2N3906
Q1 RL
Vin 100
Vee
SINE(0 4 1k)
-5
.dc Vin -6 6 1m
Vout x Vin
V(vout)
6V
5V
4V
3V
2V
reduziu
1V deformação
0V
-1V
-2V
-3V
-4V
-5V
-6V
-6V -5V -4V -3V -2V -1V 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V
Vout x Tempo
I1
Vcc
0.3m
Q2 5
Q4 2N2222
2N2222
Vout
Q3
2N2222
2N3906
Q1 RL
Vin 100
Vee
SINE(0 4 1k)
-5
.tran 0 4m 0 1u
A distancia entre Vout e Vin varia com corrente em Q3 e Q4
V(vout) V(n004) Ie(Q3)
5V 30µA
Vout 0µA
4V
-30µA
3V
-60µA
2V -90µA
-120µA
1V
-150µA
0V -180µA
-1V IE(Q3) -210µA
-240µA
-2V -270µA
-300µA
-3V
-330µA
-4V
Vin -360µA
-5V -390µA
O que acontece caso a corrente que alimenta Q3 e Q4 for de
0.1mA (b dos transistores é 200)??
V(vout) V(n004) Ie(Q3)
5V 30µA
Vout 0µA
4V
-30µA
3V
-60µA
2V -90µA
-120µA
1V
-150µA
0V -180µA
-1V IE(Q3) -210µA
-240µA
-2V -270µA
-300µA
-3V
-330µA
-4V
Vin -360µA
-5V -390µA
Aplicação: Espelho de corrente e modelo de pequeno
sinais
I0 vb vS
RC IS vbe vbe
B C
Vb VS 𝑟 𝜋1 𝑟 𝜋2 ro2
𝑔 𝑚1 𝑣 𝑏𝑒 𝑔 𝑚2 𝑣 𝑏𝑒
RC//ro1
Q1 Q2 E E
A tensão Vb=Vbe2 pode ser vista ser igual a 0V pois no nó não há nenhuma
fonte independente. Também podemos escrevermos a equação de correntes
do nó e chegar a essa conclusão
Vb/(ro1//RC)+gm1Vb+Vb/rp1 + Vb/rp2 =0 → Vb = 0
Aplicação: Espelho de corrente e modelo de pequeno
sinais
O modelo de pequenos sinais vai se reduzir ao resistor r02 na saída, Assim
podemos imaginar o espelho de corrente como sendo uma fonte de corrente
I0 • modelo equivalente VS
RC IS do espelho (grandes
Vb VS
sinais) 𝐼𝑜 ro2
• considerado b e VA
Q1 Q2 muito grandes
Aplicação: Emissor comum polarizado com corrente
Rs v0ut
Q3 vbe
Q2 B C
𝑟𝜋 r01 r02
I0
Vb vs(t)
Vout
RC E
Q1
Rs
vs
𝒛 𝒊𝒏=𝒓 𝝅 𝒛 𝒐𝒖𝒕 =𝒓 𝟎𝟏 /¿ 𝒓 𝟎 𝟐
801
Aplicação
V+
7
V2
Q4 Q9 Q10 Q11
5
PN PN PN PN
Q18
IN- NP
2 R8
4.5K
Q14
Espelho de Corrente
IN+ Q1 Q2 R13
3
NP NP 39K
C1
R7
NP
Diodos
6 OUT
7.5K
30p
Par-Darlington
Q6 Q5
PN PN
Q16
Q3 NP Q19
Emissor Comum NP
Q15
PN
Q7 Q8 NP
Push+Pull
Q12
NP NP Q13
NP NP
R1 R2 R3 R5
R4
1K 50K 1K 50K
5K
V- 4
V1
-5
.model PN LPNP(BF=125 Cje=.3p Cjc=1.5p Rb=250 VAF=100) facilita o corte
de Q15
T his example schematic is supplied for infor mational/educational pur poses only.
Aplicação
V+
7
V2
Q4 Q9 Q10 Q11
5
PN PN PN PN 0.22mA
Q18
IN- NP
2 R8
0.22mA 4.5K Diodos

Q14
Espelho de Corrente
IN+ Q1 Q2 R13
3 NP
NP NP 39K R7
C1
6 OUT
7.5K
30p
Par-Darlington
Q6 Q5
PN PN
Q16
Q3 NP Q19
Emissor Comum NP
Q15
PN
Q7 Q8 NP
Push+Pull
Q12
NP NP Q13
NP NP
R1 R2 R3
R4
14 uA R5
1K 50K 1K 50K
5K
V- 4
V1
-5
.model PN LPNP(BF=125 Cje=.3p Cjc=1.5p Rb=250 VAF=100) facilita o corte
de Q15
T his example schematic is supplied for infor mational/educational pur poses only.
polarização segundo estágio
AmpOp µ741 de ganho C.I.
par diferencial
estágio de saída
com proteção
Portas Lógicas com Transistores Bipolares
Vamos ver a implementação de portas lógicas com transistores Bipolares.
Vamos conhecer a família TTL (Transistor Transistor Logic).
Esse tipo de circuito não é mais usado mas é interessante conhece-lo
para exercitar a analise de estado de transistores e para, em
Eletrônicos II, poder comparar com portas lógicas CMOS
Porta
NAND
Consideremos inicialmente o circuito
1. Vin = VCC
VCC Vamos determinar o estado dos transistores.
VCC
1.a Q2
R RC
Hipótese: cortado
Vin Vout Neste caso a tensão na base de Q2 estará em

Q2 VCC (o transistor Q1 tem base e emissor em
Q1 VCC; caso seu coletor tivesse tensão diferente
de VCC, haveria corrente entrando na base de
Q2).
Mas se a base de Q2 esta em VCC ele esta
conduzindo, absurdo. Assim Q2 conduz
Consideremos inicialmente o circuito
1. Vin = VCC
VCC
VCC 1.b Q1
Como Q2 conduz, a tensão de coletor de Q1,
R RC VC1, esta em 0.7V. Isso indica que o transistor
Q1 esta conduzindo reversamente (corrente vai
Vin Vout do emissor, entrada Vin, para o coletor, a base
Q1 Q2 de Q2)
Vimos que o transistor Q2 conduz, e pelas
tensões de emissor e coletor é fácil ver que é
diretamente. Neste caso, se desejamos fazer
a saída ir para proximo de zero, devemos
garantir que Q2 sature.
1. Vin = VCC
Para determinar se Q2 esta ativo/saturado,
VCC analisamos
VCC
R RC onde IC2Max é a máxima corrente que passa por

IC2. Temos que
Vin Vout
e
Q1 Q2
Assim para a saturação de Q2, precisamos
garantir que
1. Vin = VCC
ou seja, garantir que
VCC
VCC
Estando Q2 saturado, a saída será Vout ≈ 0V
R RC
2. Vin =0V
Vin Vout Nesse caso, como o emissor de Q1 esta em
Q1 Q2 terra, Q1 conduz diretamente e retira
corrente da base de Q2. O transistor Q2
corta e sua tensão de base cai até 0V (não sai
corrente da base de um transistor NPN). O
transistor Q1 satura. Vout = VCC
Inversor: 1. Vin = VCC → Vout=0V
2. Vin = 0V → Vout=VCC
Porta Lógica
VCC
VCC Caso qualquer uma das entradas
RC for 0V, o transistor Q1 conduz
R direto e corta Q2, indo a saída
0.7V Vout para VCC. Temos uma porta
V1 Q2 NAND
Q1
V2=0
Dificuldade com o circuito: para o sinal de saída subir, a
corrente vem pelo resistor RC. A corrente fica cada vez menor
a medida que a tensão Vout aumenta, podendo tornar o circuito
lento.
VCC
VCC
R RC
Vout
V1 Q2
V2 Q1
NAND
Novo circuito inversor para melhorar a capacidade de carregar
a saida
VCC
VCC VCC
Vamos analisar a operação
4k 1.6k do circuito. Consideramos
Q4
VBE = 0.7V
V1 Q2 D1 bR = 0.2 (valor bem baixo)
Q1
Vout
Q3 VCC = 5V
1k
VCESat = 0.2V
bF = 100
1. Vin = VCC
5V 5V
5V 1a Transistor Q2
1.6k Hipótese: Q2 cortado

4k
Q4 VE2 = 0V
V1 VB2 < 0.7V (para Q2 não conduzir)
Q2 D1
Q1
Vout Q1 reverso
Q3
1k Corrente entrando na base de Q2 e,
então, Q2 conduzindo
Q2 conduz
Portas Lógicas com Transistores Bipolares (1. Vin=VCC)
1b Transistor Q3
5V 5V Hipótese: Q3 cortado
5V
VE2 < 0.7V
4k 1.6k
Q4 VB2 < 1.4V (Q2 conduz)
V1 VB1 < 2.1V (Q1 reverso)
Q2 D1
Q1 IB1 = (5-VB1)/4k > (5-2.1)/4k = 0.73mA
Vout
Q3 IE2 > IC1 > IB1 =0.73mA
1k
VB3 = 1k∙IE2 = 0.73V → Q3 conduz
Q3 conduz
Temos assim que

5V 5V Q2, Q3 e Q1 (reverso) conduzem
5V
VB3 = 0.7V, VB2=1.4V, VB1=2.1V
4k 1.6k
Q4 IB2 =0.73mA(1+bR) ≈ 0.73mA
V1 Podemos determinar se Q2 esta
Q2 D1
Q1 saturado ou ativo
Vout
Q3 IC2 < (5-0.7)/1.6k = 2.69 mA
1k
bQ2 = 2.69m/0.73m ≈ 3,7
Q2 saturado
1c Transistor Q4
Como Q3 conduz e Q2 satura, temos
5V 5V
5V que
1.6k VB4 < 0.9V
4k
Q4 A tensão de saída Vout pode chegar a
V1
D1 0V (valor mínimo). Para que Q4 e o
Q2 diodo conduzirem deveremos ter
Q1
Vout
Q3 VB4 > 1.4 V
1k Não é o que temos. Assim Q4 corta
o diodo D1 serve para garantir o
corte de Q4
Assim concluímos que, dado Q3
conduzindo e Q4 cortado, a saída é
5V 5V
5V conectada em terra e deve ter valor
próximo de 0V.
4k 1.6k
Q4 Ainda podemos saber da corrente
que passa por Q3.
V1
Q2 D1
Q1 IC2min > (5-0.9)/1.6k = 2.56 mA
Vout
Q3 IE2 > IC2min+IB2 = 2.56m+0.73m = 3.29mA
1k A corrente na base de Q3 será
IB3 > 3.29m-0.7m = 2.59mA
5V 5V
5V Com IB3 = 2.59mA, e um b de
1.6k 100, Q3 permanece na região
4k ativa, puxando uma alta corrente
Q4
da saída, ate que Vout atinja um
V1
Q2 D1 valor de 0.2V. Assim Q3
Q1 descarrega a saída rapidamente.
Vout
Q3
1k
Portas Lógicas com Transistores Bipolares (2. V in=0)
Neste caso Q1 conduz direto,
retirando corrente da base de Q2.
5V 5V Q2 corta e a tensão VB3 = 0V,
5V
cortando Q3.
4k 1.6k
Q4 O único transistor conduzindo será
Q4.
V1
Q2 D1
Q1
Vout
Q3 A tensão de saída dependerá da
1k corrente IE4 (veja que VBE4 e VD1
dependem também dessa corrente)
Portas Lógicas com Transistores Bipolares (2. V in=0)
Curto na saída
5V 5V
5V Pode acontecer que alguém curte a
saída com terra. Neste caso a
4k 1.6k tensão VB4 = 1.4V e
Q4
IB4 = (5-1.4)/1.6k = 2.25 mA
V1
Q2 D1 V
Q1 out
Como o coletor de Q4 esta em VCC,
Q3 Q4 esta na região ativa e, para um
1k b =100, haverá uma corrente
constante de 225 mA na saída. Esta
corrente pode queimar o dispositivo.
Portas Lógicas com Transistores Bipolares (2. Vin=0)
Curto na saída
5V Limitar a corrente na saída: colocar
5V
5V um resistor no coletor de Q4.
130
4k 1.6k VC4 = (5-130.IC)
Q4
Quando VC4 ≈ 0.9V, o transistor
V1 D1
entra em saturação e a corrente
Q2 Vout
Q1 diminui. Para saturação devemos ter
Q3 IC4 = (5-0.9)/130 = 31 mA
1k
Com o resistor, a corrente IE4 é
IE4 < IB4+IC4max=2.25m+(5-0.7)/130 = 35.3
Velocidade
5V Vin = VCC o transistor Q3 conduz
5V
5V
130 Vin = 0V o transistor Q3 corta
4k 1.6k
Q4 • Quando Q3 passa do corte para a
condução, o transistor Q2 conduz
V1 D1
e fornece cargas para sua base
Q2 Vout
Q1
• Quando Q3 passa da condução
Q3 para o corte, o transistor Q2
1k corta e as cargas da base de Q3
devem sair pelo resistor de 1K
Ohm para que haja o corte
Transistor NPN no corte - distribuição de portadores
importante: não ha portadores na base
N (NDE) WB pequeno N (NDC)
nn0E=NDE P (NA)
nn0C=NDC
pn0E=n /NDE
2 a concentração de pn0C=ni2/NDC
i
lacunas não sobe
823
2. Transistor saturado (NPN) - distribuição de portadores
Importante: muitos portadores na base
WB
nn0E=NDE
pp0=NA nn0C=NDC
np
Velocidade
5V
5V O corte de Q3 pode ser demorado,
5V
130 pois ele esta saturado.
4k 1.6k
Pode-se evitar a saturação colocando
Q4
um diodo Shottiky entre a base e o
Q2
V1 D1 coletor de Q3. O diodo começa a
Vout
Q1 conduzir quando a tensão VBC3 > 0.3V
Q3 e não deixa o diodo Base/Coletor
1k conduzir, evitando a saturação. A
porta fica mais rápida
0.3V Velocidade
Q3 0.4V Q3 não satura por causa do diodo
Shottiky
0.7V
Portas Lógicas com Transistores Bipolares (TTL)
V1
R1
1.6k
5
R3
4k
Q3
2N2222
R4
4k
• Sinal de entrada a 1.25
MHz
D1
Q2 D • Entrada de um TTL
2N2222
Q4
Vin
2N2222
Q5
2N2222
como carga
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.4u 0.8u) Q1
2N2222
.tran 0 5u 0 10n R2
1k
Portas Lógicas com Transistores Bipolares (TTL)
V(n008) V(n006)
5.6V
4.9V Vin
4.2V
3.5V
2.8V
Vout
2.1V
1.4V
0.7V
0.0V
-0.7V
-1.4V
-2.1V
(TTL + Shottiky)
V1
R1
1.6k
5
R3 Q3
R4
• Sinal de entrada a 1.25
2N2222
MHz
4k
4k
D1
Q2 D
• Entrada de um TTL
2N2222
Q4
Vin 2N2222D2
como carga
Q5
2N2222
RB715WM
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.4u 0.8u) Q1
2N2222
.tran 0 5u 0 10n R2
1k
(TTL + Shottiky)
V(n008) V(n006)
5.4V
4.8V
Vin
4.2V
Vout
3.6V
3.0V
2.4V
1.8V
1.2V
0.6V
0.0V
-0.6V
-1.2V
-1.8V

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• Como escolher um modelo

VD = VE1 – VE2 VCM

GD(f) = ganho diferencial na frequência

Gcm(f) = ganho de modo comum na frequência

Polo: (1/T) rad/seg

Frequência de corte freq.

• A, ganho do circuito é na realidade da ordem de 104. Isto é “infinito”

Ideal: inclinação (ganho) infinito Real: inclinação finita e limites

convenção Vin/R1 + V0/R2 = 0

• Exemplo: vamos considerar que A não é infinito

• Exemplo: vamos agora considerar que i+ ≈ i- ≠ 0 (mas

Algumas observações interessantes:

Fonte de tensão, curto Fonte de corrente, aberto

• Forçar uma tensão V nó e medir (calcular) a corrente I ou

• Exceção: quando é necessário o casamento

Mostre que a tensão na saída vale (usar modelo ideal)

V0 = -(R2/R1).Vin.(1 + R4/R2 + R4/R3)

vin = 30mVef ou mais a carga

vin = 30mVef ou mais a carga

zout= 0.5M Amp1 10k Amp2 1k

zout= 0.5M Amp1 Amp2

zout= 0.5M Amp1 10k Amp2 1k Amp3 20

• f(t) é a função no tempo f(t)

d(t) d(t) = 0 para t≠ 0

f(t) = sen(wt) = (ejwt – e-jwt)/2j

L(sen(wt)) = L(ejwt – e-jwt)/2j)

Usei propriedades de linearidade da transformada

f(t) = sen(wt) = (ejwt + e-jwt)/2j

L(cos(wt)) = L(ejwt + e-jwt)/2j)

dado L(f(t)) = F(s) termos

• É instável para a > 0

Então, usando P4 chegamos a

L(f(kt)) = (1/k) F(s/k)

f(kt) Área da curva esta

Exemplo: Vamos usar P7 e P8 para ver se as relações são

: convolução de f(t) e h(t)

a1X1+ a2X2 a1Y1+ a2Y2

Invariância no tempo: se desloco o sinal de

Considere um sistema linear e invariante no tempo,

d(t) g(t) ↔ G(s)

𝑉 𝑖𝑛 (𝑠)=− 𝑅(𝐶 𝑉 0 ( 𝑠 ) 𝑠+𝐶 𝑉 0 ( 0 − ) )

𝑅𝐶𝑠𝑉 0 − 𝑅𝐶 𝑉 0 (0 −)+𝑉 0=∆/ s

2. Estado zero (V0(0-) = 0)

Resposta para Resposta para

Condição inicial V0(0-) Condição inicial nula (fonte de

Para resolver o circuito podemos aplicar a superposição

Condição inicial nula (fonte de corrente foi aplicada)

Denominador igual (depende do circuito)

Condição inicial I0(0-) Condição inicial nula (fonte de

Para resolver o circuito podemos aplicar a superposição

Condição inicial nula

Solução com entrada zero. Para analisar as condições iniciais é só

Rearranjando os termos, teremos

é o polinômio característico do sistema

observe que se U(s) for uma razão de polinômias, Yestado0(s)

Observe que o grau do numerador de Yentrada0(s) é

: polinômio característico do sistema

: sinal de entrada em muitos casos também é uma razão entre

onde o grau de R(s) é estritamente menor que D(s) e único.

Seja +, e lembremos que

• (qual é a derivada de um impulso??).