Reflexões (J.S.

Nobre)
 Seja alegremente um operário do BEM.
 Há um princípio muito acertado que diz: “Ninguém é tão
pobre que não possa ajudar, nem tão rico que não venha a
precisar.”
 Seja onde for, esteja onde estiver, você terá oportunidade de
estender suas mãos para ajudar alguém. Haverá sempre
alguém, pelas esquinas da vida, à espera de um favor seu.
Todo ato de bondade, feito com verdadeiro sentido de amor,
tem valor quase infinito.
 Às vezes, basta um simples sorriso seu para curar uma dor,
cicatrizar uma ferida, alegrar um coração.
 Faça o BEM.
 Eletrônica de Potência

 Diodos Semicondutores de Potência;

 Capítulo 2, páginas 23 à 29;
 Aula 4;
 Professor: Fernando Soares dos Reis;
 Sumário Capítulo 2

 2.1 Introdução;
 2.2 Curvas Características dos Diodos;
 Exemplo;
 2.3 Curvas Características da Recuperação Reversa;
2.1 Introdução
 O diodo age como uma chave para realizar várias
funções, tais como:
 Chaves em Retificadores;
 Comutação em Reguladores Chaveados;
 Inversão de carga em capacitores;
 Transferência de energia entre componentes;
 Isolação de tensão;
 Realimentação de energia da carga para a fonte de
alimentação;
 Recuperação de Energia armazenada;
2.2 Curvas Características dos Diodos

 O diodo de Potência é um dispositivo de junção PN

de dois terminais. Esta junção é normalmente
formada por fusão, difusão e crescimento epitaxial.
 Diz-se que o diodo está diretamente polarizado
quando... e reversamente quando...
D1
Ânodo Cátodo Ânodo Cátodo
p n

+ v - + v -
2.2 Curvas Características dos Diodos

 Quando ele esta reversamente polarizado flui uma

corrente de fuga (leakage current) na faixa de micro
e miliamperes;
 Tensão de avalanche, ou tensão Zener, é atingida.
Ânodo Cátodo
p n
i i
Real + vD -
VBR v v
Equação do diodo Schockley
Corrente
reversa VD
Ideal
de fuga nVT
ID  IS ( e  1)
2.2 Curvas Características dos Diodos
 ID = corrente através do diodo, em A;
 VD = tensão do diodo;
 Is = corrente de fuga (ou de saturação reversa) da ordem de
10-6 a 10-15 A;
 n = constante empírica conhecida como coeficiente de
emissão ou fator de idealidade, cujo valor vária de 1 a 2;
 VT = tensão térmica (thermal voltage);
i
V Ânodo Cátodo Real
D p n
nVT
ID  IS ( e  1) + vD -
VBR v
Corrente
reversa
de fuga
2.2 Curvas Características dos Diodos
kT
VT 
 VT = tensão térmica (thermal voltage); q
 q = carga do elétron: 1,6022 x 10-19 coulomb (C);
 T = temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + oC)
 k = constante de Boltzmann: 1,3806 x 10-23 J/K

 Por exemplo, a 25 oC a tensão térmica, VT será de:

kT 1,3806 x 1023 x ( 273  25 )

VT   19
 25,8 mV
q 1,6022 x 10
 2.2 Curvas Características dos Diodos
12

VT = 25,8 10-3
10
IS = 0,354
n = 7,819
8

VD
nVT i
ID  IS ( e  1)
6

IDi
Real
4

VBR v
2 Corrente
reversa
0
de fuga

2
5 4 3 2 1 0 1
V( i)
 2.2 Curvas Características dos Diodos
Região de polarização direta
 ID será muito pequena se a tensão aplicada for menor que a
tensão de limiar (threshold voltage) ou tensão de corte (cut-
in voltage) ou tensão de ligamento (turn-on voltage). Assim,
a tensão de limiar é aquela a partir da qual o diodo conduz
completamente;
 Exemplo: Se VD = 0,1 V, n = 1 e VT=25,8 mV teremos:
I D  I S ( e nVT  1 )  I S ( e1x 0,0258  1 )  I S ( 48,23  1 )
0 ,1 VD

i
com um erro de 2,1 % I D  48,23 I S
Real
Ânodo Cátodo
I D  I S ( e nVT  1 )  I S ( e nVT ) p n VBR v
VD VD Corrente
+ vD - reversa
de fuga
 2.2 Curvas Características dos Diodos
Região de polarização reversa
 Ao aplicarmos tensões negativas ao semicondutor a corrente
de fuga se mantém praticamente constante. Para tensões VD
negativas e superiores em módulo a tensão VT, podemos
dizer que ID é constante e igual a corrente de fuga IS.

I D  I S ( e nVT  1 )   I S
 VD

i
Ânodo Cátodo
Real
p n
VBR v
Corrente
+ vD - reversa
de fuga
 2.2 Curvas Características dos Diodos
Região de ruptura reversa (breakdown region)

 A partir do instante em que a tensão reversa aplica entre os

terminais de ânodo e cátodo do diodo ultrapassam o valor da
tensão de ruptura reversa (breakdown voltage - VBR). A
corrente reversa aumenta rapidamente para uma pequena
variação na tensão reversa superior a VBR;
 A operação dentro da região de ruptura reversa não será
destrutiva se a dissipação de potência estiver dentro de um
nível seguro. i
Ânodo Cátodo
Real
p n
VBR v
Corrente
+ vAC - reversa
de fuga
 2.3 Exemplo 2.1

 A queda de tensão direta de um diodo de potência é V D = 1,2V a

ID = 300 A. Supondo que n = 2 e VT = 25,8 mV, encontrar a
corrente de saturação IS.
i
VD
nVT
IS = Corrente reversa de fuga v ID  IS ( e  1)

1, 2
2 x 25,8 10 3 8
300  I S ( e  1 )  2,38371 x 10 A
 2.3 Curvas Características da
Recuperação Reversa
 A corrente na junção diretamente polarizada do diodo deve-se ao
efeito dos portadores majoritários e minoritários.
 Com a redução desta corrente a zero, o diodo continua conduzindo
devido aos portadores minoritários que continuam armazenados na
junção PN e no material semicondutor propriamente dito.
 Os portadores minoritários requerem um certo tempo para se re-
combinar com as cargas opostas e ser neutralizados. Esse tempo é
chamado tempo de recuperação reversa (reverse recovery time) trr.
Cparásito
IF trr Ânodo Cátodo
O trr é função da tempe- di ta p n
ratura da junção, da ta- dt
xa de decaimento da 0,25.IRR
+ vAC -
corrente direta e de If. IRR tb
 2.3 Curvas Características da Recuperação Reversa
 trr é medido a partir do cruzamento por zero da corrente do diodo até 25
% da corrente reversa máxima (ou de pico) IRR.
 ta deve-se ao armazenamento de cargas na região de depleção da
junção. tb deve-se ao armazenamento de cargas no material semi-
condutor. A relação ta/tb é conhecida como fator de suavidade (softness
factor - SF). trr = ta + tb
trr
IF trr di IF
di ta I RR  ta
dt dt ta
0,25.IRR
IRR tb IRR
tb
Recuperação Suave Recuperação Abrupta
(soft-recovery) (fast-recovery)
 2.3 Curvas Características da Recuperação Reversa

 A carga de recuperação reversa Qrr é a quantidade de portadores

de cargas que fluem através do diodo no sentido reverso devido à
mudança na condição de condução direta para bloqueio reverso.
Seu valor é determinado a partir da área abrangida pelo caminho
de corrente de recuperação reverso.
trr
1 1
QRR  I RR t a  I RR tb IF di
2 2 dt
1 ta
QRR  I RR t rr
2
QRR
2 QRR
I RR 
t rr
IRR
tb
 2.3 Curvas Características da Recuperação Reversa

 Determinação de trr e IRR; Sabemos que:

di I RR 
2 QRR
I RR  ta t rr
dt
2 QRR di trr
t rr t a  IF dt
di ta
dt

Se tb  ta ; trr  ta IRR tb

2 QRR di
t rr  I RR  2 QRR
di dt
dt
 Exemplo 2.2
 O tempo de recuperação reversa de um diodo é trr = 3 s e a
taxa de decaimento da corrente é de 30 A/s. Determinar a
carga armazenada QRR e a corrente reversa de pico IRR.
di trr
2 QRR IF dt t
t  a
rr
di
dt
IRR tb
1 di 2
QRR  t rr  0,5 x 30 A / s x (3 x 10 6 ) 2  135 C
2 dt

di
I RR  2 QRR  2 x 135 x 10 6 x 30 x 106  90 A
dt
 Problema 2.1
 O tempo de recuperação reversa de um diodo é t rr = 5 s e a taxa de
decaimento da corrente é de 80 A/ s. Se o seu fator de suavidade é SF = 0,5.
Determinar (a) a carga armazenada Q RR e (b) a corrente reversa de pico I RR.

trr
IF di
A relação SF = ta/tb é conhecida ta
dt
como fator de suavidade

IRR tb
 Problema 2.2
 Os valores abaixo foram obtidos de forma experimental em
um diodo à temperatura de 25 oC.
trr
IF di
VD = 1,0 V a ID = 50 A ta
dt

VD = 1,5 V a ID = 600 A

IRR tb

Determinar (a) o coeficiente de emissão n e

(b) a corrente de fuga Is .