Diodos de potência e cálculo térmico

Prof. Alceu André Badin

Diodo
Componente eletrônico semicondutor de dois
terminais, formado por uma junção de cristais P
(ânodo) e N (cátodo) que permite a passagem de
corrente elétrica no sentido ânodo-cátodo e apresenta
alta impedância no sentido cátodo-ânodo.
Ânodo Cátodo

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Diodo de potência
Diodo para processamento de energia que apresenta
alta capacidade de corrente e/ou tensões. Apresenta
três diferentes processos de dopagem no mesmo
componente que o diferencia do diodo de sinal:
- Maior capacidade de corrente direta.
- Maior tensão reversa máxima.
- Tensão direta superior etc.

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 Ânodo Cátodo
Diodos

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 Ânodo Cátodo
iF
Diodo Ideal
Característica tensão x corrente A C
iF
+ vF -
 VF>0 => Resistência nula
entre A e C
 VF<0 => Resistência
vF infinita entre A e C.
 Bloqueia tensões
reversas infinitas.
 Não apresenta perdas.

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 iF
Diodo Real
Característica tensão x corrente A C
iF
Corrente + vF -
reversa
 VF>V(TO) => Resistência rT
1
rT entre A e C.
VRRM IR vF  VF<V(TO) => Resistência
V(TO) elevada entre A e C.
 Bloqueia tensões reversas
menores que VRRM.
Tensão reversa  Apresenta perdas de
máxima condução e comutação.
 Corrente reversa não nula.
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Diodo Real
Circuito equivalente em condução
iF  Onde:
VF  V(TO )  VrT
A C
 Perdas em condução:
+ vF - PC  VF I Dmed
OU
iF
PC  V(TO ) I Dmed  rT I Def 2
A C
VF = Tensão direta do diodo [V]
V(TO) r T PC= Perdas no diodo. [W]
V(TO)= Tensão limiar de condução[V]
+ vF - rT = resistência série do diodo. []
IDmed = Valor médio da corrente. [A]
IDef = Valor eficaz da corrente. [A]
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 Diodo Real
Diodo durante transitório de bloqueio
(recuperação reversa)  t0: Interruptor S é fechado
l
 t1: tensão direta no diodo
- D IL
Qrr
+ C
i F
iD
L inicia decréscimo.
E
 t2: tensão direta fica
iS
S negativa e tem um pico
iF di F

E (Vpico) que pode ser
dt l t rr
IL
tr t ri destrutivo ao circuito.
VD
t2 t3 t trr depende da
t0 t1
Qrr E temperatura da junção,
da taxa de decaimento da
I RM corrente direta e IF.
Vpico
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 Diodo Real
Diodo durante transitório de bloqueio
(recuperação reversa)  Perdas no bloqueio:

iF
P2  Qrr E f
di F E

IL
dt l t rr
tr t ri
P2 = Perdas no bloqueio do diodo [W]
VD
Qrr = Carga armazenada em C
t2 t3 t durante condução. [C]
t0 t1
Qrr E E = tensão reversa do diodo após o
bloqueio. [V]
f = frequência de comutação
I RM

Vpico

As perdas são significativas apenas quando a corrente de

transição não é nula. O diodo nessa condição é forçado a comutar.

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 Diodo Real
Diodo durante transitório de entrada em condução
 As perdas na entrada em condução são ocasionadas pelo
atraso na transição do diodo o que provoca uma tensão
direta superior a de condução.
 Ocorre apenas quando a comutação é de uma carga com
características de fonte de corrente.
 São significativas apenas para frequências superiores a
dezenas de kHz. P1 = Perdas na entrada em condução do
diodo. [W]
 Perdas:
V = Sobretensão direta na entrada em
FP
condução. [V]
P1  0,5 (VFP  VF ) I o trf f f = frequência de comutação do diodo.[Hz]
trf = tempo de atraso na transição. [s]
Io = Corrente em condução do diodo. [A]

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 Diodo Real – tipos de diodos

 Diodos standard: transição > 0,5μs (baixa frequência)

 Fast recovery: transição < 250 ns
 Soft-recovery – transição amortecida sem pico de tensão
(principalmente tecnologia Schottky)
 ultrafast-recovery transição < 100 ns
 Zero recovery (Carbeto de silicio, (SiC) – Silicon Carbide)
transição em tempo desprezível.

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Diodo Real – comparação do bloqueio

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Diodo Real – exemplos 1N400X

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Diodo Real – exemplos IDH10G65C5

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 Diodo Real
Perdas totais no diodo:
PD  PC  P1  P2

PD = Perdas totais no diodo. [W]

PC = Perdas em condução. [W]
P1 = Perdas na entrada em condução. [W]
P2 = Perdas no bloqueio. [W]

Obs.:
Para operação em baixa frequência P1 e P2, na
maioria dos casos, não são significativas.

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 Cálculo Térmico
Em semicondutores:
 Problemas:
 As perdas nos componentes produzem calor.
 Os componentes semicondutores possuem limites de
temperaturas para o adequado funcionamento.
 O calor gerado deve ser transferido para o ambiente.

 Solução:
 Usar mecanismos para melhorar a transferência de calor para o
ambiente. (dissipadores, ventilação forçada etc.)

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 Cálculo Térmico
Cálculo térmico em regime permanente
 Circuito térmico equivalente:

R jc R cd R da
Tj Tc Td Ta
P
R ja  R jc  Rcd  Rda
Rjc - resistência térmica entre a junção e
Tj - temperatura da junção (oC).
cápsula (oC/W).
Tc - temperatura da cápsula (oC).
Rcd - resistência térmica entre o
Td - temperatura do dissipador (oC).
componente e dissipador (oC/W).
Ta - temperatura ambiente (oC).
Rda - resistência térmica entre o
P - potência térmica sendo
dissipador e o ambiente (oC/W).
transferida ao meio ambiente (W).
Rja - resistência térmica entre a junção e o
ambiente (oC/W).
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 Cálculo Térmico
Cálculo térmico em regime permanente
 O objetivo é evitar que a temperatura máxima da junção
alcance valores próximos da máxima temperatura
permitida, dada pelo fabricante.
R jc R cd R da
Tj Tc Td Ta
P
 Pelo circuito térmico temos:
T j  Ta  R ja P Tj - temperatura da junção (oC).
Ta - temperatura ambiente (oC).
T j  Ta P - Perdas no componente. (W)

 R ja 
Rja - resistência térmica entre a junção e
o ambiente (oC/W).
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 Cálculo Térmico
Cálculo térmico em regime permanente
 Procedimento:
 P - é calculado a partir das características do componente e da
corrente que por ele circula.
 Tj - fornecida pelo fabricante do componente.
 Ta - valor adotado pelo projetista.
 determina-se a resistência térmica total:
T j  Ta
R ja 
P
 determina-se a resistência térmica do dissipador:
Rda  R ja  R jc  Rcd

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 Cálculo Térmico
Cálculo térmico em regime permanente
 Procedimento:
Rda  R ja  R jc  Rcd

São dados pelo fabricante do componente:

Rjc - resistência térmica entre a junção e cápsula (oC/W).
Rcd - resistência térmica entre o componente e dissipador (oC/W).

 Escolhe um dissipador com o valor da resistência térmica

menor ou igual ao calculado (Rda).

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Dissipadores
DISSIPADORES Resistência Térmica (Incluindo a
Resistência de contato cápsula-
Massa dissipador
Aproximada Convecção Natural Ventilação Forçada
6m/s
K9 - M4 50g 10,5oC/W -
K9 - M4 50g 9,5oC/W -
K5 - M6 100g 5,7oC/W -
K3 - M6 200g 3,8oC/W -
K1,1 - M6 700g 2,2oC/W -
K5 - M8 100g 5,0oC/W -
K3 - M8 200g 3,0oC/W -
K1,1 - M8 700g 1,3oC/W 0,60oC/W
P1/120 - M8 1300g 0,85oC/W 0,40oC/W
K3 - M12 200g 3,1oC/W -
K1,1 - M12 700g 1,2oC/W 0,40oC/W
P1/120 - M12 1300g 0,65oC/W 0,27oC/W
Prof. Alceu A.K0,55
Badin- M12 UTFPR/DAELT
2000g 0,65OC/W 0,25oC/W
 Cálculo Térmico
Cálculo térmico em regime transitório
 A capacidade térmica do componente impede que a
temperatura cresça abruptamente.
 O comportamento da temperatura no transitório é de
interesse do projetista principalmente nas seguintes
ocasiões:
 O componente opera intermitentemente.
 A energia envolvida no inicio do circuito é elevada.

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 Cálculo Térmico
Observações:
 Alguns catálogos de semicondutores apresentam curvas
de perdas em relação a corrente média através do
componente.
 Muitos datasheets não apresentam V(TO) e rT. Apenas VF
para corrente nominal.
 A tensão VF também pode ser obtida, em muitos casos,
em gráficos que relacionam a tensão direta x corrente
média direta.

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 Referências

 AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência; Editora:

Prentice Hall, 1a edição, 2000.

 BARBI, Ivo. Eletrônica de Potência; 6ª Edição, UFSC,

2006.
 Christian Miesner et al. “thinQ!™ Silicon Carbide
Schottky Diodes: An SMPS Circuit Designer’s Dream
Comes True!” (www.infineon.com)
 Datasheets: Vishay, Infineon e Semikron.

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