CAP3 - 1 - Diodo PDF

DEEC - FCTUC
DÍODOS
CAPÍTULO 3
(SEDRA & SMITH)
1
ELECTRÓNICA I - DÍODOS
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Considerações gerais
O díodo constitui o elemento de circuito não-linear mais simples.
Tal como uma resistência, o díodo tem dois terminais; contudo, ao contrário da
resistência que tem uma relação linear entre a corrente que a percorre e a tensão aos
seus terminais, o díodo tem uma característica i-v não-linear.
Das muitas aplicações dos díodos, o seu uso no projecto
de rectificadores (que convertem corrente alternada em
corrente contínua) é a mais comum.
Será estudado o princípio de funcionamento físico da junção pn. Além de ser um

díodo, a junção pn é a base de muitos outros dispositivos de estado sólido, incluindo
o transístor bipolar de junção, que será estudado no capítulo seguinte.
Começa-se o estudo dos díodos, considerando-o um elemento ideal, a fim de
apreendermos a essência do seu funcionamento.
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O DÍODO IDEAL
O díodo ideal pode ser considerado o mais básico elemento não linear.
Símbolo
Fig.1 Característica i-v
Aplicação de uma tensão negativa

Curto-circuito
Circuito aberto Díodo directamente polarizado
Corte ou
Díodo inversamente polarizado
Condução
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O DÍODO IDEAL
Da descrição anterior deve concluir-se que, quando o díodo está em condução, o circuito externo
deve ser projectado para limitar a corrente do díodo, e quando está em corte, para limitar a tensão
inversa do díodo. A fig. 2 mostra dois circuitos que ilustram este ponto.
figura 2a Díodo em condução figura 2b
V 10 Díodo em corte
i= = = 10mA
R 1k
i=0A
Fig. 2
NOTA:
Como, certamente, já se tornou evidente, a característica i-v do díodo ideal é altamente não linear,
pois consiste de dois segmentos de recta perpendiculares entre si. Uma curva não linear que
consiste de segmentos de recta diz-se que é de segmentos (tramos) lineares.
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR
Uma aplicação fundamental do díodo, que faz uso da sua característica não linear, é o circuito
rectificador. Admitamos que o díodo é ideal e que a tensão de entrada vI é uma sinusóide (ver fig.3b).
Fig. 3
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EXEMPLO
Para o circuito da figura 3a, represente a característica de transferência vo versus vI..
Resposta
Para o circuito da figura 3a, represente a forma de onda para vD..
Resposta
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EXERCÍCIO (CONT.)
Para o circuito da figura 3a, determine o valor de pico da corrente iD assumindo vI = 10 V e R = 1kΩ.
Determine, também, a componente dc de vo.
Resposta: 10 mA; 3.18 V.
EXEMPLO
A figura 4 ilustra um circuito para carregar uma bateria de 12 V. Se vs é uma sinusóide com 24 V de
valor de pico, determine (a) a fracção de cada ciclo em que o díodo conduz. (b) determine o valor de
pico da corrente e (c) a tensão máxima de polarização inversa que surge aos terminais do díodo.
a)
v (t ) = Vm sin (ωt + φ )
12=24 sin (φ)

120
φ = 30º
Fig.4 φ
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EXEMPLO (CONT.)
24 − 12
b) ID = = 0.12 A
100
c) - v +
Dr
vDr = 24+12 = 36 V
-
+
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS
Pode-se usar díodos e resistências para implementar funções lógicas digitais. As fig. 5(a-b)
mostram duas portas lógicas com díodos.
Discussão
Para ver como estes circuitos funcionam, consideremos
um sistema de lógica positiva em que valores da tensão
próximos de zero correspondem ao valor lógico 0 e
valores da tensão próximos de +5 V correspondem ao
valor lógico 1.
O circuito da fig. 5(a) tem três entradas, vA, vB e vC. É fácil
ver que díodos ligados a entradas de +5 V conduzirão,
impondo, assim, para vY um valor igual a +5 V. Esta tensão
positiva na saída manterá os díodos cuja tensão de
A entrada é baixa (cerca de 0 V) em corte. Assim, a saída
B Y será 1 se uma ou mais entradas forem 1 e, portanto, o
C
circuito implementa a função lógica OR, que em notação
booleana se exprime por,
Fig. 5
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS (CONT.)
Analogamente, o circuito da fig. 5(b), como facilmente se mostra, implementa a função lógica AND,
Y=A.B
Fig. 5
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS
Assumindo que os diodos são ideais, calcule os valores de I e V nos

circuitos da figura 6.
Fig. 6
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS

Procedimento a adoptar: (1) assumir um comportamento plausível; (2)
proceder com a análise; (3) verificar se a solução obtida é plausível.
1a suposição: D1 e D2 estão em condução
VB = 0 e V = 0
Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem
I = 1 mA
Conclusão: D1 está em condução, conforme assumido

originalmente, e o resultado final é I = 1mA e V = 0V.
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)
Adoptando o mesmo procedimento para a figura 6b
 1a suposição: D1 e D2 estão em condução.
VB = 0 e V = 0
Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem:
I = – 1 mA.
impossível
A suposição inicial está incorreta.
Nova suposição: D1 está ao corte e D2 está em condução
Correcta
Tensão no nó B: VB = – 10 + 10×1,33 = +3,3V

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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)
Determine os valores de I e V nos circuitos a seguir.
Solução:
a) 2 mA, 0 V; b) 0 mA; 5 V; c) 0 mA, 5 V

d) 2 mA, 0 V; e) 3 mA, + 3V; f) 4 mA, +1 V
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O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

CONSIDERAÇÕES GERAIS
O estudo seguinte refere-se às características dos díodos reais - especificamente, díodos de junção
de semicondutor, feitos de silício. Os processos físicos que explicam as características terminais dos
díodos e o nome “díodo de junção”, serão estudados no final do capítulo.
Característica i-v de um díodo de junção de silício.
Fig. 6
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Característica i-v de um díodo de junção de silício.
A figura 7 representa a mesma característica da fig. 6 com algumas escalas expandidas e outras
comprimidas para pôr em evidência alguns pormenores.
Três regiões distintas:
1. A região de polarização directa, determinada por v > 0

2. A região de polarização inversa, determinada por v < 0 mas > -VZK 1
3. A região de rotura, determinada por v < -VZK
3
2
Fig. 7
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. A região de polarização directa,
 A tensão terminal v é positiva.

 Nesta região, a relação i - v pode ser aproximada por: (
i = I s e v / nVT − 1 )
IS corrente de saturação inversa (ou corrente de escala: corrente
directamente proporcional à área da secção transversa do díodo).
IS é uma constante para um dado díodo a uma dada temperatura.
Para díodos de pequenos sinais (aplicações de baixa potência): IS ≈ 10– 15 A
IS : varia fortemente em função da temperatura. (IS duplica de valor a cada

aumento de 5oC na temperatura, aproximadamente).
kT
VT: tensão térmica (constante): VT =
q
K: constante de Boltzmann = 1,38×10-23 J/K
T: temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em oC.
q: carga do electrão = 1,60×10-19 C
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(
i = I s e v / nVT − 1 )
À temperatura ambiente (20°C) o valor de VT é 25,2 mV.
Em cálculos aproximados, tomaremos VT ≅ 25 mV à temperatura ambiente.
A constante n tem um valor entre 1 e 2, dependendo do material e da estrutura
física do díodo.
Díodos realizados pelo processo normal de fabrico de circuitos integrados têm n= 1
em condições normais de funcionamento.
Díodos discretos, normalmente têm n = 2.
Em geral assume-se n =1, quando nada é especificado em contrário.
Para correntes directas de valor apreciável, especificamente para i >> IS:
i
i ≅ Is e v / nVT
⇒ v ≅ nVT ln
Is
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Considere-se a relação i - v : i ≅ Is e v / nVT

ou v ≅ nVT ln
i
Is
Calcule-se a corrente I1 correspondente a uma tensão V1 :
I1 = I s eV1 / nVT
Analogamente, se a tensão for V2, a corrente do díodo I2 será:
I 2 = I s eV2 / nVT
Estas duas equações podem ser combinadas, resultando:
I2 I 
= e (V −V ) / nV
2 1 T ou V2 − V1 = nVT ln 2  ou na forma de logaritmo base 10
I1  I1 
I 
V2 − V1 = 2.3 n VT log 2 
 I1 
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I 
V2 − V1 = 2.3 n VT log 2 
 I1 
Esta equação estabelece, simplesmente, que para uma variação de uma década
(factor de 10) na corrente, a queda de tensão no díodo varia de 2.3nVT, que é,
aproximadamente, 60 mV para n = 1 e 120 mV para n = 2.
Isto sugere que a relação i-v do díodo é mais adequadamente representada em

papel semilogarítmico.
Usando o eixo vertical, linear, para v, e o horizontal, logarítmico, para i, obtém-se

uma recta com a inclinação 2.3nVT por década de corrente.
A simples observação da característica i-v na região directa (fig. 7) revela que a

corrente tem um valor desprezável para v menor do que cerca de 0.5 V. Este valor é,
usualmente, referido como tensão limiar de condução.
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Díodo directamente polarizado em “condução total”:queda de tensão entre 0.6 e

0.8V, aproximadamente.
É usual utilizar 0.7V em modelos de díodos (de silício).
Díodos com diferentes correntes nominais de operação (ou seja, com áreas
diferentes e, consequentemente, IS diferentes), exibem esta queda de 0.7V.
Por exemplo
Díodos de pequenos sinais: 0.7V para i = 1mA
Diodos de alta potência: 0.7V para i = 1A.
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EXEMPLO
Um díodo de silício de 1mA possui uma queda de tensão directa de

0,7V para a corrente de 1mA. (a) Avalie a constante de escala de junção
IS no caso de se ter n=1 ou n=2. (b) Determine, também, que constantes
de escala seriam aplicáveis para um díodo de 1A do mesmo fabricante
que conduz 1A com 0,7V.
Resolução (a) i ≅ I s ev / nVT ⇒ I s ≅ i e −v / nVT

• n =1: I s = 10 −3 e −700 / 25 = 6,9 × 10 −16 A ≈ 10 −15 A
• n = 2: I s = 10 −3 e −700 / 50 = 6,3 × 10 −10 A ≈ 10 −9 A
(b) O díodo conduzindo 1A com 0,7V, corresponde a 1000 díodos de 1mA em
paralelo, com uma área de junção 1000 vezes maior ⇒ IS é 1000 vezes maior, 1pA
e 1µA para n = 1 e n = 2, respectivamente. valor de n é muito importante!
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IS e VT variam com a temperatura ⇒ a característica i-v directa varia,

também, com a temperatura.
Para uma corrente constante no díodo, a queda de tensão aos seus

terminais decresce de aproximadamente 2mV para cada aumento de
1oC na temperatura.
A variação na tensão no díodo tem

sido explorada no projecto de
termómetros electrónicos.
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. região de polarização inversa
Entra-se na região de polarização inversa quando a tensão v é negativa.
De acordo com
(
i = I s e v / nVT − 1 )
Se v < 0 e é diversas vezes maior do que VT em amplitude ⇒ o termo
exponencial da expressão da corrente no díodo torna-se desprezável ⇒ i ≈ – IS : a
corrente de polarização inversa é constante e igual a IS.
Em díodos reais: a corrente inversa >> IS . Por exemplo, um díodo cujo Is seja da
ordem de 10-14 a 10-15 A, pode apresentar uma corrente inversa de 1nA.
A corrente inversa também aumenta um pouco com o aumento da tensão de

polarização inversa.
Corrente inversa: proporcional à área da junção (assim como IS ).
Dependência com a temperatura: a corrente inversa duplica para cada aumento

de 10oC na temperatura, aproxim. (IS duplica para cada aumento de 5oC na
temperatura).
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. região de polarização inversa
EXERCÍCIO 3.9 (SEDRA)
O díodo no circuito da figura 9 é um

dispositivo de elevada corrente, cuja
corrente de polarização inversa é
razoavelmente independente da tensão
aplicada. Se V = 1V a 20oC, determine o
valor de V a 40oC e a 0oC.
Fig. 9
Resposta: 4V; 0,25V.
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. região de rotura
A terceira região distinta de funcionamento
do díodo, que pode facilmente ser
identificada na característica i-v da fig. 7, é
Fig.7
a região de rotura. O díodo entra na região
de rotura quando a tensão inversa
ultrapassa um dado valor limite específico
de cada díodo particular, chamado tensão
de rotura. Trata-se da tensão do “joelho” da
curva i-v da fig. 7, e designa-se VZK, em que
Z se refere a Zener (cientista que contribuiu
para o conhecimento deste efeito) e K é a
inicial da palavra inglesa knee - joelho.
Na região de rotura, a corrente inversa cresce rapidamente, sendo o aumento da

queda de tensão muito pequeno. A rotura do díodo não é normalmente destrutiva,
desde que a dissipação de potência no díodo seja mantida pelo circuito exterior
dentro de um limite “seguro”. Este valor seguro é habitualmente especificado nas
folhas de dados do dispositivo. Utilização do díodo em regulação de tensão.
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O DÍODO REAL Análise de circuitos com díodos

Operação na região de polarização directa. Modelo Exponencial
 Considere-se o circuito da fig. 10, que consiste de uma fonte contínua VDD, uma
resistência R e um díodo.
Objectivo: cálculo da corrente ID e da tensão VD do díodo.
Se VDD é maior do que 0,5 V ID >> IS
característica i-v dada pela relação exponencial

Fig.10
I D = I S eV D / nVT
(1)
A equação que rege o funcionamento do circuito é obtida aplicando a lei de Kirchhoff

à malha:
Nota: Admitindo que os parâmetros IS e n do díodo são

(2) conhecidos, as duas incógnitas nas Eqs. (1) e (2) são ID e VD.
As duas formas alternativas de obter a solução são a análise
gráfica e a análise iterativa.
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Análise gráfica usando o modelo exponencial
A análise gráfica realiza-se fazendo o traçado

das expressões das Eqs. (1) e (2) no plano i-v.
Fig. 11
I D = I S eV D / nVT
Ponto de operação
Q
Recta de carga
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Análise iterativa EXEMPLO 3.4
Considere-se o circuito da fig. 10, e calcule-se os valores de ID e VD, admitindo que

VDD = 5 V e R = 1 kΩ. Admita-se também que o díodo tem uma corrente de 1 mA para
uma tensão de 0,7 V e que a queda de tensão varia de 0,1 V por cada década de
variação da corrente.
Resolução 1ª Iteração
 Admitindo que VD = 0,7 V e usando a Eq. (2), vem

para a corrente,
Usa-se, agora, a equação do díodo para obter uma melhor estimativa para VD,
na forma:
I 
V2 − V1 = 2.3 n VT log 2  Para este caso: 2.3 n VT = 0.1 V
 I1 
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Operação na região de polarização directa.
Análise iterativa EXEMPLO (cont.)
Assim,
Substituindo V1 = 0,7 V, I1 = 1 mA e I2 = 4,3 mA resulta V2 = 0,763 V.
2ª Iteração
Procedendo de forma similar:
Assim, a segunda iteração conduz a ID = 4,237 mA e VD = 0,762 V. Uma vez que estes valores não são
muito diferentes dos valores obtidos após a primeira iteração, não se justifica continuar, pelo que a
solução será ID = 4,237 mA e VD = 0,762 V.
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Operação na região de polarização directa. Modelos simplificados (rectas)
Apesar da relação exponencial i-v

ser um modelo rigoroso da
característica do díodo na região
directa, a sua natureza não linear Característica Recta B
exponencial
complica a análise dos circuitos com
díodos. Pode-se simplificar
grandemente a análise se se utilizar
relações lineares para descrever as
características terminais do díodo. A
fig. 12 ilustra uma tentativa neste
sentido, onde a curva exponencial é Recta A
aproximada por duas rectas, a recta
A com inclinação nula e a recta B
com inclinação 1/ rD.
Fig. 12
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Operação na região de polarização directa. Modelos simplificados
NOTA: Para este díodo em particular, na gama de correntes de 0,1 a 10 mA, as

tensões correspondentes ao modelo de rectas lineares diferem das correspondentes
ao modelo exponencial em menos de 50 mV. Obviamente, a escolha destas duas
rectas não é única; pode obter-se uma aproximação melhor restringindo a gama de
correntes para a qual se pretende a aproximação.
modelo de rectas lineares
(3)
Característica Recta B
exponencial
Para este exemplo:
Valores aproximados
Recta A
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Operação na região de polarização directa. Modelos de rectas lineares
O modelo de rectas lineares descrito pelas Eqs. (3) pode ser representado pelo
circuito equivalente da fig. 13. Note-se que se incluiu um díodo ideal para impor que
a corrente iD flua apenas no sentido directo.
Fig. 13
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Operação na região de polarização directa. Modelos de rectas lineares
EXEMPLO 3.5
Repita-se o exemplo 3.4 utilizando o modelo de rectas lineares cujos parâmetros são
dados na fig. 12 (VD0 = 0,65 V, rD = 20 Ω). Note-se que as características
representadas nesta figura são as do díodo descrito nesse exemplo (1 mA a 0,7 V e
0,1 V/década).
Substituindo o díodo do circuito da fig. 10 pelo modelo equivalente da fig. 13, resulta
o circuito da fig. 14, do qual resulta para ID a seguinte expressão:
A tensão no díodo é calculada por,
Fig. 14
34
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Operação na região de polarização directa. Modelo de queda de tensão constante
Uso de uma recta vertical como aproximação à curva exponencial.
 O modelo resultante indica que um

díodo em condução exibe uma queda de
tensão constante VD, cujo valor usual é
0.7 V. Fig. 15
 Note-se que para o díodo em

particular, cujas características estão
representadas na fig. 15, este modelo
prevê a tensão do díodo com um erro de
±0,1 V, para uma gama de correntes de
0,1 a 10 mA.
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DEEC - FCTUC

Operação na região de polarização directa. Modelo de queda de tensão constante
Uso de uma recta vertical como aproximação à curva exponencial.
Esquema equivalente para o modelo de tensão constante
Usando este modelo para resolver o exemplo atrás considerado, obtém-se,
que não é muito diferente dos valores obtidos com os modelos mais elaborados.
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Operação na região de polarização directa. EXERCÍCIO D3.12
Projecte o circuito mostrado, por forma a proporcional uma tensão de saída de 2.4 V.
Assuma que os díodos possuem uma queda de tensão de 0.7 V a 1mA e que
∆V=0.1V/década de variação da corrente.
Solução: R ≅ 760 Ω
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Operação na região de polarização directa. O modelo para pequenos sinais.
Há aplicações em que um díodo é polarizado para funcionar num ponto da sua

característica i-v directa com um pequeno sinal ac sobreposto ao nível contínuo.
Procedimentos
1º - Cálculo do ponto de operação (VD e ID). O modelo da queda de tensão constante

é o mais utilizado.
2º - Para uma operação de pequeno sinal em torno do ponto de polarização dc, é
mais adequado modelar o díodo por uma resistência igual ao inverso da inclinação
da tangente à característica i-v.
38
DEEC - FCTUC

Operação na região de polarização directa. O modelo para pequenos sinais.
Sinal triangular
Caso 1- Ausência de sinal (vd(t))
Tensão no díodo = VD
Corrente no díodo (dc): I D = I S eV D / nVT

(1)
39
DEEC - FCTUC

Operação na região de polarização directa. O modelo de pequenos sinais.
Caso 2 - Aplicação do sinal (vd(t))
tensão instantânea total do díodo vD(t): (2)
corrente instantânea total do díodo iD(t): iD (t ) = I S e vD / nVT (3)
Substituindo o valor de vD: iD (t ) = I S e (VD + vd ) / nVT
ou
iD (t ) = I S eVD / nVT e vd / nVT iD (t ) = I D e vd / nVT (4)
Se a amplitude do sinal vd(t) for suficientemente pequena, tal

que:
Expansão da exponencial de (4) numa série (considerando os 2 primeiros termos):
vd
<< 1  v
iD (t ) ≈ I D  1 + d

 Aproximação para pequenos sinais
n vT  n VT 
40
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Caso 2 - Aplicação do sinal (vd(t)) (Cont.)
Sinais < 10 mV para n=2

 v 
iD (t ) ≈ I D  1 + d  (5) validade
 n VT  Sinais < 5 mV para n=1
Nota: VT = 25 mV.
ID sobreposta à componente contínua ID temos uma

iD (t ) = I D + vd componente de sinal directamente proporcional ao sinal de
n VT
tensão vd.
ID condutância para pequenos sinais do díodo.

com id = vd
n VT
n VT
rd = resistência para pequenos sinais, rd
ID
Nota: o valor de rd é inversamente proporcional à corrente de polarização ID.
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DEEC - FCTUC

Caso 2 - Aplicação do sinal (vd(t)) Processo de análise
A aproximação de pequenos sinais permite-nos separar a análise em dc da análise

para sinais.
Processo: 1) Eliminam-se todas as fontes dc, após a análise em dc.

2) Substitui-se o díodo pela sua resistência de pequenos sinais rd.
3) A partir do circuito equivalente para pequenos sinais, a tensão de
sinal do díodo é obtida usando o divisor de tensão.
EXEMPLO 3.6
Considere o circuito onde R = 10 kΩ e a fonte de alimentação

V+ tem um valor contínuo de 10 V ao qual está sobreposto um
sinal sinusoidal de 50 Hz com 1 V de amplitude.
CALCULE: a) O ponto de operação dc do díodo.

b) A amplitude do sinal sinusoidal sobreposto.
Admita que o díodo tem uma tensão de
0,7 V para 1 mA, e que n = 2.
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EXEMPLO 3.6 (cont.) RESOLUÇÃO
(a)
Considerando apenas valores dc e admitindo que VD=0,7 V.
≅ 1 mA VD = 0.7 V
Ponto de operação
n VT
rd =
ID
(b) Usando o divisor de tensão
rd 0.0538
vd = Vs =1 = 5.35mV
R + rd 10 + 0.0538
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regulação de tensão
Um regulador de tensão é um circuito cujo objectivo é fornecer uma tensão

contínua constante nos seus terminais de saída. A tensão de saída deve permanecer
tão constante quanto possível, independentemente:
a) das variações da corrente de carga fornecida pelo terminal de saída do
regulador.
b) das variações da tensão da fonte dc que alimenta o circuito regulador.
Uma vez que a tensão directa do díodo se mantém aproximadamente constante e

igual a 0,7 V, enquanto a corrente varia consideravelmente, um díodo polarizado
directamente pode realizar um regulador de tensão simples.
Como exemplo, no exercício 3.6, enquanto a fonte de alimentação de 10 V tinha
uma ondulação de 2 V pico-a-pico (±10% de variação), a ondulação correspondente
na tensão do díodo era apenas de ±5,35 mV (ou ±0,8% de variação).
Pode-se obter tensões reguladas superiores a 0,7 V, ligando vários díodos em série.
44
DEEC - FCTUC

regulação de tensão EXEMPLO 3.7
Considere o seguinte circuito, constituído por três díodos, para providenciar uma
tensão de 2.1 V.
Determine a variação, em percentagem, desta tensão regulada devido a:
(a) Uma variação de ±10% na tensão da fonte.
(b) Ligação de uma carga de 1kΩ
Assuma n=2.
SOLUÇÃO: (a)
Sem carga, o valor nominal da corrente na série de

díodos é dada por
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DEEC - FCTUC

Operação na região de polarização directa. modelo de pequenos sinais.
regulação de tensão EXEMPLO 3.7 (a) Cont.
Cada díodo terá uma resistência para pequenos sinais:
n VT Para n=2
rd =
ID
Para os três díodos em série:
Usando o divisor de tensão:
variação pico-a-pico na tensão de saída
Variação de apenas ±0,9% (±18,5 mV).

Visto que tal implica uma variação de cerca de ±6.2mV por díodo, o modelo para
pequenos sinais usado, é justificado.
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DEEC - FCTUC

Operação na região de polarização directa. modelo de pequenos sinais.
regulação de tensão EXEMPLO 3.7 (b)
Ligação da resistência de carga de 1 kΩ
Valor da corrente solicitado é aproximado a 2.1 mA.
Uma diminuição da tensão nos terminais da série de

díodos dada por
Δvo = -2,1m × r = -2,1m × 18,9 = -39,7 mV
Que a tensão de cada díodo diminua de cerca de 13,2 mV.
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DEEC - FCTUC

Operação na região de ruptura DÍODOS DE ZENER
O grande declive que a curva i-v do díodo exibe na região de ruptura, com
tensão praticamente constante, sugere que díodos funcionando na região de
ruptura podem ser usados no projecto de reguladores de tensão (díodo de zener).
Símbolo
A corrente flúi do cátodo para o ânodo e o cátodo é positivo em
relação ao ânodo.
Especificação e modelização dos díodos de Zener
Para correntes superiores à corrente do joelho

(IZK, especificada pelos fabricantes nas folhas de
dados dos díodos de Zener), a característica i-v é
praticamente uma recta.
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DEEC - FCTUC

Os fabricantes geralmente especificam o valor da tensão do díodo VZ para uma

corrente de teste particular IZT. Ponto Q na figura.
Por exemplo, um díodo de Zener de 6,8 V

apresentará uma tensão de 6,8 V para uma
dada corrente de teste, digamos, 10 mA.
Quando a corrente se afasta de de IZT, a tensão
do díodo varia, ainda que ligeiramente.
Para uma variação da corrente ΔI, a tensão

varia de ΔV, que se relaciona com ΔI através da
relação:
Resistência incremental ou dinâmica do díodo de Zener
49
DEEC - FCTUC

Tipicamente, rz pode ter valores da ordem de alguns ohms a algumas dezenas de

ohms. Quanto menor for o valor de rz mais constante será a tensão do zener face à
variação da corrente, e mais próximo do ideal será o seu desempenho.
rz é pequena e praticamente constante para uma grande gama de correntes, o seu

valor varia consideravelmente na vizinhança do joelho.
Evitar que o zener funcione nesta região de baixa corrente.
Os díodos de Zener são fabricados com tensões VZ na gama de alguns volt a

algumas centenas de volt. Além de especificar VZ (para uma dada corrente IZT), rz, e
IZK, os fabricantes também especificam a potência máxima que o dispositivo pode
dissipar com segurança.
Exemplo.
Um zener de 6,8 V, 0,5 W pode funcionar em segurança com correntes até um
máximo de 70 mA.
50
DEEC - FCTUC

Modelização
Aplica-se para IZ > IZK e, obviamente, para VZ > VZ0.
51
DEEC - FCTUC

Modelização EXEMPLO
Considere-se o circuito mostrado em (a), em que o zener tem VZ = 6,8 V para

IZ=5mA, rz = 20 Ω e IZK = 0,2 mA. A fonte de alimentação V+ tem o valor nominal de
10 V mas pode variar de ±1 V.
Determine:
a) VO, em vazio, com V+ ao seu valor nominal.
b) A variação em VO, resultante da variação de ±1V em V+. Nota:

(∆VO/∆V+) é conhecida por regulação de linha em mV/V.
c) A variação em VO, resultante da ligação da resistência de carga RL,

que conduz uma corrente IL =1mA, e a regulação de carga ((∆VO/∆IL)
em mV/mA.
d) A variação em VO, quando RL = 2kΩ.
e) VO, quando RL = 0.5kΩ
f) Qual o valor mínimo de RL para o qual o díodo ainda opera na região

de ruptura?
52
DEEC - FCTUC

Modelização EXEMPLO (Cont.) RESOLUÇÃO
a) Cálculo de VZO.
5 mA
6.8 V 20 Ω
VZO = 6.7V
A corrente através do Zener,

em vazio: b) Para uma variação de ±1 V em
V+, a variação na tensão saída é:
Assim,
Regulação de linha
(∆VO/∆V+) = 38.5 mV/V

53
DEEC - FCTUC

(c) Quando se liga uma resistência de carga que é percorrida por uma corrente de
1 mA, a corrente no Zener decresce desse valor. A correspondente variação da
Tensão no Zener é:
∆V0
∆VO= rz ∆Iz = 20 x (-1m) = - 20 mV Regulação de carga ≡ = −20 mV/mA
∆I L
d) A variação de VO em resultado de se ligar uma resistência de carga RL = 2 kΩ.
Com a carga ligada, a corrente de carga será aproximadamente 6,8/2 k = 3,4 mA.
Assim, a variação da corrente do zener será ΔIZ=-3,4 mA e a correspondente
variação na tensão do zener, será:
54
DEEC - FCTUC

e) RL = 0,5 kΩ.
A corrente na carga seria 6,8/0,5 k = 13,6 mA.
Isto não é possível. A corrente I através de R é apenas 6,35 mA (para
V+=10 V). Isto é, o facto de a carga pedir uma corrente superior à que o
circuito pode fornecer, é indicador de que o zener deve estar em corte.
Admitindo que assim é. Então VO é determinada pelo divisor formado
por RL e R, i.e.,
Esta tensão é inferior à tensão de rotura do zener, assim o zener não

está, de facto, a funcionar na região de rotura portanto está em corte.
55
DEEC - FCTUC

f) Valor mínimo de RL para o qual o díodo ainda funciona na região de rotura.
Para que o zener esteja no limiar da região de ruptura, i.e. IZ = IZK = 0,2 mA e VZ ≅
VZK ≅ 6,7 V. Neste ponto, a corrente fornecida através de R é (9 - 6,7)/0,5k = 4,6
mA, pelo que a corrente na carga não pode exceder 4,6m-0,2m =4,4 mA. O
correspondente valor de RL é,
56
DEEC - FCTUC

Efeito da temperatura
A dependência da tensão de Zener VZ com a temperatura é especificada em termos do seu
coeficiente de temperatura TC, que é usualmente expresso em mV/°C.
O valor do TC depende da tensão de Zener e, para um dado díodo, varia com a corrente do
ponto de funcionamento. Os zeners cuja VZ é inferior a cerca de 5 V exibem um TC negativo; os
zeners com tensões superiores têm TC positivo.
Uma técnica habitualmente usada para obter uma referência de tensão com baixo coeficiente
de temperatura é ligar um zener com um TC positivo de cerca de 2 mV/°C em série com um
díodo em condução directa. Uma vez que o díodo em condução directa tem uma queda de tensão
≅ 0,7 V e um TC de cerca de -2 mV/°C, a combinação série dos dois permitirá obter uma tensão
de (VZ+0,7) com um TC aproximadamente nulo.
57

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DEEC - FCTUC

(SEDRA & SMITH)

de rectificadores (que convertem corrente alternada em

corrente contínua) é a mais comum.

Será estudado o princípio de funcionamento físico da junção pn. Além de ser um

Fig.1 Característica i-v

Aplicação de uma tensão negativa

Circuito aberto Díodo directamente polarizado

figura 2a Díodo em condução figura 2b

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

Para o circuito da figura 3a, represente a característica de transferência vo versus vI..

Para o circuito da figura 3a, represente a forma de onda para vD..

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

Resposta: 10 mA; 3.18 V.

12=24 sin (φ)

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS (CONT.)

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS

Assumindo que os diodos são ideais, calcule os valores de I e V nos

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS

1a suposição: D1 e D2 estão em condução

Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem

Conclusão: D1 está em condução, conforme assumido

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)

Adoptando o mesmo procedimento para a figura 6b

 1a suposição: D1 e D2 estão em condução.

Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem:

Nova suposição: D1 está ao corte e D2 está em condução

Tensão no nó B: VB = – 10 + 10×1,33 = +3,3V

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)

Determine os valores de I e V nos circuitos a seguir.

a) 2 mA, 0 V; b) 0 mA; 5 V; c) 0 mA, 5 V

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Característica i-v de um díodo de junção de silício.

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Três regiões distintas:

1. A região de polarização directa, determinada por v > 0

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

 A tensão terminal v é positiva.

Para díodos de pequenos sinais (aplicações de baixa potência): IS ≈ 10– 15 A

IS : varia fortemente em função da temperatura. (IS duplica de valor a cada

T: temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em oC.

q: carga do electrão = 1,60×10-19 C

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Para correntes directas de valor apreciável, especificamente para i >> IS:

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Considere-se a relação i - v : i ≅ Is e v / nVT

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Isto sugere que a relação i-v do díodo é mais adequadamente representada em

Usando o eixo vertical, linear, para v, e o horizontal, logarítmico, para i, obtém-se

A simples observação da característica i-v na região directa (fig. 7) revela que a

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Díodo directamente polarizado em “condução total”:queda de tensão entre 0.6 e

É usual utilizar 0.7V em modelos de díodos (de silício).

Díodos de pequenos sinais: 0.7V para i = 1mA

Diodos de alta potência: 0.7V para i = 1A.

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Um díodo de silício de 1mA possui uma queda de tensão directa de

Resolução (a) i ≅ I s ev / nVT ⇒ I s ≅ i e −v / nVT

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção