BJT Transistores Operação

EE - FCT
TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO
BIPOLARES
CAPÍTULO 5
(SEDRA & SMITH)
1
ELETRÓNICA I - TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO BIPOLARES
EE - FCT
Estrutura do dispositivo e operação física
Fig. 5.1
Designação: transístor NPN
Estrutura simplificada de um BJT (três regiões semicondutoras)
Designação: transístor PNP

Fig. 5.2
2
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Constituição:
Dispositivo com três terminais emissor, base e coletor
2 junções: junção emissor-base (EBJ) e junção coletor-base (CBJ)

• Dependendo da polarização de cada uma das juncões, diferentes modos de
operação podem ser obtidos – modo de corte, modo ativo e modo de saturação
corte inversa inversa

ativo direta inversa
Saturação direta direta
Modo ativo, também designado modo ativo direto, é usado se o transístor operar
como amplificador.
Modo de corte e modo de saturação: Aplicações que envolvam comutação.

Ambos os tipos de portadores (eletrões e lacunas) participam no processo de
condução num transístor bipolar, daí o nome bipolar.
3
EE - FCT
Operação de um transístor NPN no modo ativo
Fig. 5.3
Duas fontes de tensão externas são usadas para estabelecer as condições de

polarização para funcionamento no modo ativo: EBJ é diretamente polarizada e a
CBJ é inversamente polarizada.
4
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Operação de um transístor NPN no modo ativo (Cont.)

Junção Junção
Emissor- Base coletor- Base
Altamente Menos Menos

Camada Altamente Camada
dopada dopada que dopado que
mais fina dopado mais fina
o Emissor e o Emissor e
e menos e menos
mais dopada mais dopado
dopada dopada
que a Base que a Base
Fluxo de corrente (apenas componentes de corrente por difusão são consideradas)
– A Polarização direta da EBJ origina fluxo de corrente através da junção: Consiste em

duas componentes: eletrões injetados do emissor para a base e lacunas injetadas da
base para emissor.
- A corrente que flui através da EBJ constitui a corrente iE. Soma de duas componentes.
- A componente de eletrões é muito maior de que a componentes de lacunas
A corrente do emissor é dominada pela componente de eletrões

5
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Fluxo de corrente (Cont.) Considere-se eletrões injetados do emissor para a base
Portadores minoritários na região da base
Como a região da base é estreita, em regime permanente o excesso de

concentração de portadores minoritários (eletrões) na base apresenta um perfil de
(quase) linha reta.
A concentração é muito elevada do lado
do emissor (np(0)) e muito baixa do lado
do coletor.
Para qualquer junção pn diretamente
polarizada, a concentração np(0) é
proporcional a evBE/VT.
n p (0)  n p 0evBE / VT (1)
np0 concentração de portadores

minoritários (eletrões) na região base.
Fig. 5.4
6
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A razão para uma concentração zero na

base no lado do coletor, deve-se ao fato da
tensão positiva do coletor vCB, provocar a
difusão desses eletrões através da região
de depleção da junção base-coletor.
O perfil de concentração de portadores

minoritários leva a que os eletrões
injetados na base se difundam através da
região da base em direção ao coletor.
Esta corrente de difusão In é diretamente proporcional à inclinação do perfil de concentração

(linha reta)  dn ( x )   n (0 ) 
p p
I n  A E q D n    A E q D n    (2)
 dx   W  7
EE - FCT

 dn p ( x )   n p (0 ) 
I n  AE q D n    A E q D n   
 dx   W 
Seção tranversa da junção base-emissor
Devido ao declive negativo da concentração de portadores minoritários, resulta uma corrente In

negativa, através da base, isto é, a corrente In flui da direita para a esquerda (direção negativa de x).
Alguns dos eletrões que se difundem através da base combinam-se com lacunas, que são
maioritárias na base. Contudo, uma vez que a base é usualmente muito estreita, a percentagem de
eletrões “perdidos” através deste processo de recombinação será muito pequena. Em todo o caso, a
recombinação na região da base origina que o perfil da concentração de portadores minoritários em
excesso se desvie da linha reta e tome a forma ligeiramente côncava indicada a traço interrompido
na figura 5.4.
8
EE - FCT
Corrente de coletor
A inclinação do perfil da concentração do lado da junção de emissor é ligeiramente

maior do que do lado da junção de coletor, sendo a diferença devida ao pequeno
número de eletrões perdidos por recombinação na base.
Do exposto decorre que a maior parte dos eletrões que se difundem na base atingem
a fronteira da região de depleção coletor-base. Uma vez que o coletor é mais positivo do
que a base ( de vCB volt), estes eletrões são varridos através da região de depleção para
o coletor. São, assim, “coletados” para constituir a corrente de coletor iC. Por
convenção, o sentido da corrente iC é o oposto do fluxo de eletrões; assim, iC fluirá para
dentro do coletor.
Outra observação importante a fazer diz respeito à independência do valor de iC

relativamente a vCB. Isto é, desde que o coletor seja positivo relativamente à base, os
eletrões que atingem a junção coletor - base são varridos para dentro do coletor e
contribuem para a corrente do coletor.
9
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Corrente de coletor (Cont.)

Como Ic = In, substituindo a equação (1) em (2), podemos representar a corrente de
coletor por
(3)
Corrente de saturação
AE qDn ni2 (4)

Substituindo np0 = ni2/NA IS 
N AW
A corrente de saturação IS é inversamente proporcional à largura da base W e
diretamente proporcional à área da junção emissor - base. Tipicamente, IS varia entre
10-12 e 10-18 A (dependendo do tamanho do transístor).
Porque IS é proporcional a ni2, é fortemente dependente da temperatura, duplicando
aproximadamente por cada 5°C de aumento da temperatura.
Uma vez que IS é diretamente proporcional à área da junção (i.e., ao tamanho do
transístor) é também referida como corrente de escala. Dois transístores idênticos,
exceto que um deles tem uma área da junção de emissor, por exemplo, dupla, este terá
uma corrente de saturação igualmente dupla. Assim, para o mesmo valor de vBE, o
transístor maior conduzirá uma corrente de coletor duas vezes maior. Este conceito é
frequentemente utilizado no projeto de circuitos integrados.
10
EE - FCT
Corrente de base
A corrente de base iB consiste em duas componentes. A componente dominante iB1 é
devida às lacunas injetadas pela base na região do emissor. Esta corrente é
proporcional a evBE/VT,
Dp: taxa de difusão das lacunas no emissor;
AE q D p ni2 vBE / VT (5) Lp: comprimento de difusão de lacunas no emissor;
iB1  e ND: concentração de dopantes do emissor.
N D LP
A segunda componente, iB2, é devida às lacunas que são fornecidas pelo circuito exterior para
substituir as lacunas perdidas pela base no processo de recombinação.
Uma expressão para iB2 pode ser obtida notando que se o tempo médio para um eletrão minoritário
se recombinar com uma lacuna maioritária na base, for designado por b (tempo de vida do portador
minoritário), então em b segundos verifica-se uma carga recombinada na base Qn.
Claro que em regime permanente, Qn é re-preenchida através da injeção de eletrões a partir do
emissor.
Para re-preencher as lacunas, a corrente iB2 deve fornecer a base com uma carga positiva igual a
Qn todos os b segundos.
Fig. 5.3
11
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Corrente de base (Cont.) Qn

iB 2  (6)
b
De acordo com a figura 5.3, Qn pode ser representada pela área do triângulo na base,
abaixo do segmento de reta. Assim,
1
Qn  AE q n p (0)W
2
Substituindo np(0), usando a eq. (1), e substituindo np0 por ni2/NA, vem:
AE qWni2 vBE / VT Qn1 AE q W ni2 vBE / VT (8)

Qn  e (7) iB 2   e
2N A b 2 bN A
Combinando as equações (5) e (8) e usando (4), resulta:
 D p N A W 1 W 2  vBE / VT (9)
iB  I s   e
 Dn N D LP 2 Dn  b 
Comparando eqs. (3) e (9), iB pode ser representada como uma fração de iC:
iC I  (11)
iB  iB 1  iB 2  (10) iB   S  e vBE / VT
  
12
EE - FCT
Corrente de base (Cont.)

 Dp N A W 1 W 2 
Com   1   

(12)
D N
 n D P L 2 D 
n b
Nota:  é constante para um transístor específico. Para um transístor npn  varia entre
50 a 200, podendo atingir valores tão elevados quanto 1000.
 Ganho em corrente emissor-comum
Da equação (12) verifica-se que o valor de β é fortemente influenciado por dois

fatores: a largura da região da base e a relação entre as concentrações das regiões do
emissor e da base. Para se obter um elevado β (o que é altamente desejável, uma vez
que β é um parâmetro de ganho), a base deve ser estreita e pouco dopada e o emissor
muito dopado. A análise que fizemos pressupôs uma situação ideal, em que β é uma
constante para um dado transístor.
13
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Corrente de Emissor
Uma vez que a soma das correntes do transístor tem de ser nula (lei da corrente de
Kirchhoff). Assim, de acordo com a fig. 5.3, a corrente de emissor iE é igual à soma da
corrente de coletor iC com a corrente de base iB,
  1 (14)
Usando eqs. (10) e (13) iE    iC
iE  iC  iB (13)
  
ou
  1
iE    I S e vBE / VT (15)
iC   iE (16)
  

 (17)
 1
 I S  vBE / VT
iE    e (18)
 
Representando  em função de :  (19)

1 
14
EE - FCT
Corrente de Emissor (Cont.)
Como se vê pela Eq. (17), α é uma constante (para o transístor em questão) menor
do que, mas muito próxima da unidade. Por exemplo, se β = 100, então α ≅ 0,99. A Eq.
(19) revela um fato importante: pequenas variações em α correspondem a grandes
variações em β. Esta observação puramente matemática tem uma consequência física
extraordinariamente relevante: transístores do mesmo tipo podem ter valores muito
diferentes de β. Por razões que adiante serão evidentes, α chama-se ganho em
corrente base-comum.
Resumo
Apresentámos um modelo de 1ª ordem para o funcionamento do transístor npn em

modo ativo. Basicamente, a tensão de polarização direta vBE causa uma corrente de
coletor iC exponencialmente dependente. Esta corrente é independente do valor da
tensão de coletor desde que a junção coletor – base esteja inversamente polarizada,
i.e., vCB ≥ 0. Assim, em modo ativo, o terminal do coletor comporta-se como uma fonte
de corrente controlada ideal em que o valor da corrente é determinado por vBE.
A corrente de base iB é um fator 1/β da corrente de coletor e a corrente de emissor é
igual à soma das correntes de coletor e de base. Uma vez que iB é muito menor do que
iC (i.e., β >> 1), iE ≅ iC. Mais precisamente, a corrente de coletor é uma fração α da
corrente de emissor, com α menor, mas aproximadamente igual à unidade.
15
EE - FCT
Modelos de circuitos equivalentes

O modelo elementar de funcionamento do transístor descrito atrás pode ser
representado pelo circuito equivalente mostrado na fig. 5.5(a).
Fig. 5.5a
Como se vê, o díodo DE tem uma corrente inversa de saturação igual a IS/α,
fornecendo assim uma corrente iE relacionada com vBE de acordo com a Eq. (18).
A corrente da fonte controlada, que é igual à corrente de coletor, é controlada por vBE
segundo a relação exponencial indicada pela eq. (3).
Este modelo é, essencialmente, uma fonte de corrente controlada por tensão, não
linear.
16
EE - FCT
Modelos de circuitos equivalentes (Cont.)
Pode ser convertido no modelo com fonte de corrente

controlada por corrente mostrado na fig. 5.5(b),
exprimindo a corrente da fonte controlada como αiE.
Note-se que este modelo é também não linear em virtude
da relação exponencial da corrente iE do díodo DE com a
tensão vBE.
Neste modelo vemos que se o transístor for encarado Fig. 5.5b
como um quadripolo, com o porto de entrada entre E e B,
e o porto de saída entre C e B (i.e., com B como terminal
comum), então o ganho de corrente é α. É por esta razão
que α se chama ganho em corrente base comum.
Exercício 5.1 – Considere um transístor npn com vBE=0.7V para iC= 1mA. Determine vBE
para iC=0.1mA e 10mA.
Solução: vBE=0.64 V; vBE=0.76 V
17
EE - FCT
Modelos de circuitos equivalentes (Cont.)
Exercício 5.2 – Transístores de um certo tipo são especificados ter valores para  na
gama de 50-150. Determine a gama dos respetivos .
Solução: 0.98 a 0.993.
Exercício 5.3 – Medidas efetuadas num transístor npn mostraram uma corrente de
base 14.46 A, corrente de emissor 1.46 mA e tensão base-emissor 0.7 V.
Determine ,  e IS.
Solução: 0.99; 100; 10-15.
Exercício 5.4 – Calcule  para dois transístores para os quais  = 0.99 e 0.98. Para
correntes de coletor de 10 mA, determine a corrente de base de cada transístor.
Solução: 99; 49; 0.1 mA; 0.2 mA.
18
EE - FCT
Estrutura dos transístores reais
A fig. 5.6 mostra uma seção transversal simplificada, mas mais realista de um
transístor npn.
Note-se que o coletor praticamente

envolve a região do emissor, tornando
assim mais difícil que os eletrões
injetados na estreita base escapem de
ser coletados. Desta forma, o α
resultante é próximo da unidade e β é
grande.
Fig. 5.6
19
EE - FCT
Transístor pnp
Fig. 5.7
O transístor pnp funciona de uma forma semelhante à do transístor npn. A fig. 5.7
mostra um transístor pnp polarizado para funcionar em modo ativo.
Como se vê, a tensão VEB polariza diretamente a junção base-emissor, enquanto a
junção base - coletor é polarizada inversamente pela tensão VBC.
20
EE - FCT
Transístor pnp (cont.)
Ao contrário do transístor npn, a corrente no transístor pnp é principalmente devida a lacunas

injetadas pelo emissor na base em resultado da tensão de polarização direta VEB. Uma vez que a
componente da corrente do emissor correspondente aos eletrões injetados pela base no emissor é
muito pequena, em virtude de a base ser muito pouco dopada, a corrente de emissor é
essencialmente uma corrente de lacunas.
Os eletrões injetados pela base no

emissor constituem a componente
dominante, iB1, da corrente de base.
Algumas das lacunas injetadas na base
recombinam-se com os portadores
maioritários da base (eletrões), perdendo-
se assim. Estes eletrões têm de ser
substituídos pelo circuito exterior,
originando a segunda componente da
corrente de base, iB2.
As lacunas que conseguem atingir a fronteira da região de depleção da junção base - coletor são
aceleradas pelo campo elétrico aí existente e penetram no coletor, constituindo a corrente de coletor.
21
EE - FCT
Transístor pnp (cont.)
Conclui-se facilmente desta descrição que as relações

corrente-tensão do transístor pnp são idênticas às do
transístor npn, substituindo vBE por vEB.
O funcionamento em modo ativo, para grandes sinais,
do transístor pnp pode ser modelizado pelo circuito Fig. 5.12
representado na fig. 5.12
CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO
iC iE
A fig. 5.13 mostra os símbolos usados para representar
os esquemas de circuito dos transístores npn (a) e pnp
(b).
Em ambos os símbolos o emissor distingue-se por
uma seta. Fig. 5.13
22
EE - FCT
CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.)
A polaridade do transístor - npn ou pnp - é indicada pelo sentido da ponta da seta do

emissor. O sentido desta seta indica o sentido da corrente normal do emissor e também
o sentido da polarização direta da junção emissor-base.
Uma vez que, normalmente se desenham os circuitos por forma que as correntes
fluam de cima para baixo, desenharemos os transístores, em geral, da forma indicada
na fig.5.13, i.e., os npn com o emissor em baixo e os pnp com o emissor em cima.
A fig. 5.14 mostra transístores npn e pnp polarizados para funcionarem no modo ativo.
Note-se, entretanto, que o método de

polarização indicado, com duas fontes de
alimentação, é meramente simbólico. Veremos
adiante esquemas práticos de polarização. A
fig.5.14 indica também os sentidos verdadeiros
das correntes do transístor. Adotaremos por
convenção como sentidos de referência os
verdadeiros, pelo que, normalmente, não (a) (b)
encontraremos valores negativos para iE, iB ou Fig. 5.14
iC.
23
EE - FCT
A conveniência das convenções adotadas revela-se óbvia pela simples observação da fig. 5.14.
Note-se que as correntes fluem de cima para baixo e que as tensões são mais altas em cima do que
em baixo. Como a seta do emissor também indica a polaridade que deve ter a tensão emissor-base
para polarizar diretamente essa junção, um simples relance ao símbolo do transístor pnp, por
exemplo, mostra que a tensão do emissor deve ser maior do que a da base (de vEB) para que a
corrente flua no sentido indicado (para baixo). Note-se que a notação vEB significa a tensão entre E
(tensão mais alta) e B (tensão mais baixa). Assim, para um transístor pnp, funcionando no modo
ativo, vEB é positiva, enquanto para um npn, é vBE que é positiva.
Da análise que fizemos anteriormente decorre que um transístor npn, cuja junção base-emissor
está polarizada diretamente, funcionará em modo ativo desde que o potencial do coletor seja mais
alto do que o da base. De fato, o transístor funcionará em modo ativo se a tensão do coletor não for
inferior à da base de um valor aproximadamente igual a 0.4 V. Caso contrário, a junção do coletor
ficará polarizada diretamente e o transístor entra no modo de saturação.
24
EE - FCT
De forma análoga, o transístor pnp funcionará em modo ativo se a junção emissor- base for
diretamente polarizada e a tensão do coletor não for superior à da base por mais de que 0.4 volts.
Caso contrário, a junção base-coletor fica diretamente polarizada e o transístor pnp entra em
saturação.
A corrente inversa coletor-base ( ICBO )
Na análise anterior do fluxo de corrente no transístor, ignorámos as pequenas correntes inversas
devidas aos portadores minoritários gerados termicamente.
Apesar de nos transístores modernos, estas correntes poderem ser desprezadas sem significativa
perda de rigor, a corrente inversa da junção coletor- base merece alguma referência.
Esta corrente, designada por ICBO, é a corrente inversa que flúi do coletor para a base com o
emissor em circuito aberto (daí o índice “O” de “open”). Esta corrente é usualmente da ordem do
nanoampère, um valor que é muitas vezes maior do que o seu valor teoricamente previsto. ICBO
depende fortemente da temperatura, duplicando aproximadamente por cada 10°C de aumento.
25
EE - FCT
Resumo das relações corrente-tensão do TJB no modo ativo de operação
iC I  iCI  vBE / VT
iC  I S e vBE / VT iB    S  e vBE / VT iE   S e
    
 
 
1   1
kT
VT  tensão térmica 
iE q
iC   iE iB  1    iE 
 1  25 mV na temperatura ambiente
iC   iB iE    1 iB
NOTA: Para transístores pnp, substitua vBE por vEB
26
EE - FCT
Exemplo
Considere-se o circuito da fig. 5.15(a), em que o transístor tem β = 100 e exibe uma
tensão vBE de 0,7 V para iC = 1 mA. Pretende-se projetar o circuito (calcular RC e RE) por
forma que a corrente de coletor seja de 2 mA e a tensão do coletor seja +5 V.
Resolução
Como se indica na fig. 5.15(b), para obter uma

tensão VC = +5 V, a queda de tensão em RC deve ser
15 - 5 = 10 V. Assim, uma vez que se pretende IC = 2
mA, o valor de RC deve ser escolhido igual a
Uma vez que vBE = 0,7 V para iC = 1 mA, o valor de vBE

para iC = 2 mA é,
Fig. 5.15
27
EE - FCT
Resolução (cont.)
Uma vez que a tensão da base é 0 V, a tensão do emissor

deve ser
Com β=100, α = 100/101 = 0,99. Assim, a corrente de emissor

é,
O valor requerido para RE é determinado pela lei de Ohm:
28
EE - FCT
EXERCÍCIO 5.10
No circuito mostrado na figura E5.10, foi medida uma tensão

no emissor de - 0.7 V. Se  = 50, determine IE, IB, IC e VC.
Solução: 0.93 mA; 18,2 A; 0.91 mA; 5.45 V.
EXERCÍCIO 5.11 Fig. E5.10
No circuito mostrado na figura E5.11, foram medidos as

seguintes grandezas: VB = 1 V; VE = 1.7 V.
Determine  e  para este transístor. Que tensão é esperada
no coletor.
Solução: 0.994; 165; –1.75 V
Fig. E5.11
29
EE - FCT

Representação gráfica das caraterísticas dos transístores
É útil, por vezes, descrever graficamente as caraterísticas i-v do transístor.
Figura 5.16 mostra a caraterística iC – vBE,
iC  I S e vBE / VT
idêntica (à excepção da constante n) à relação i-v do díodo.
As caraterísticas iE-vBE e iB-vBE são também exponenciais

mas com diferentes correntes inversas de saturação: IS/α
Fig. 5.16
para iE e IS/β para iB. Uma vez que a constante do expoente,
1/ VT é bastante elevada (≅ 40), a curva sobe abrutamente.
Para vBE menor do que cerca de 0,5 V, a corrente é desprezável, e para a gama
habitual de correntes a tensão vBE situa-se entre 0,6 e 0,8 V. Ao realizar análises
rápidas, admitimos, habitualmente, que VBE ≅ 0,7 V que é uma aproximação
semelhante à que usamos na análise dos circuitos com díodos. Para um transístor
pnp, a caraterística iC - vEB tem um aspeto idêntico à da fig. 5.16.
30
EE - FCT
Representação gráfica das caraterísticas dos transístores (Cont.)

Como nos díodos de silício, a tensão da junção
base-emissor diminui cerca de 2mV por cada
aumento de 1°C da temperatura, em condições de
corrente constante. A fig. 5.17 ilustra esta
dependência com a temperatura com a
representação de curvas iC- vBE de um transístor npn
para três temperaturas diferentes.
fig. 5.17
Caraterísticas base-comum
Um modo de descrever o funcionamento de um transístor bipolar consiste em

representar iC em função de vCB, para vários valores de iE.
Um circuito experimental para a medição de tais caraterísticas é mostrado na figura
5.18a.
31
EE - FCT

Note-se que nestas medições, a tensão de base é mantida
constante (ao potencial de ground). A base serve, assim, como
terminal comum entre os portos de entrada e de saída. Como
resultado, o conjunto de caraterísticas, mostrado na figura 5.18b,
são conhecidas como caraterísticas base-comum.
Fig. 5.18
32
EE - FCT
Na região ativa de operação, obtida para vCB  - 0.4 V, as curvas desviam-se do

esperado em dois aspetos.
Primeiro, as curvas não são linhas retas horizontais, mas apresentam um pequeno
declive positivo, indicando que iC depende ligeiramente de vCB no modo ativo.
Segundo, para valores relativamente

grandes de vCB, a corrente de coletor
mostra um rápido incremento, o qual
constitui um fenómeno de rutura.
Cada uma das curvas caraterísticas

interseta o eixo vertical para um nível
de corrente igual a IE onde IE é a
corrente constante de emissor para a
qual a curva particular é medida.
33
EE - FCT

O valor resultante de , é um  total ou de grande-sinal, i.e.,  =iC/iE.
Ganho de corrente em base-comum
Um  para pequenos sinais ou incremental,
pode ser determinado medindo a variação em
ic, ic, obtida como resultado da variação de iE,
através de um incremento iE,
 = ic / iE
Esta medição é usualmente efetuada para

uma tensão vCB constante ( ver figura 5.18b).
Em geral os valores do  incremental e total
diferem pouco e não será feita distinção entre
eles.
34
EE - FCT

Dependência de iC relativamente à tensão de coletor – O EFEITO DE EARLY
Na região ativa, os transístores bipolares reais mostram alguma dependência da
corrente de coletor relativamente à tensão do coletor, resultando que as caraterísticas
iC - vCB não são retas perfeitamente horizontais, como observado.
Para analisar mais claramente esta dependência, considere-se o circuito concetual da
fig. 5.19a.
O transístor está ligado em

configuração de emissor comum e a
sua VBE pode ser ajustada através da
fonte de tensão variável ligada entre a
base e o emissor. Para cada valor de
VBE, a correspondente curva
caraterística iC - vCE pode ser medida
ponto a ponto, variando o valor da fonte
de tensão dc ligada entre o coletor e o
emissor e medindo a correspondente
corrente de coletor. O resultado é a
família de curvas iC - vCE mostradas na
fig. 5.19(b). Fig. 5.19
35
EE - FCT
CARatERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.)

Dependência de ic relativamente à tensão de coletor – O EFEITO DE EARLY
Para baixos valores de vCE, à medida que a tensão de coletor se torna inferior à da base de um
valor inferior a 0.4V, a junção coletor-base fica polarizada diretamente, pelo que o transístor deixa o
modo ativo e entra no modo de saturação.
Examine-se mais em pormenor as caraterísticas na região ativa.
Observa-se que, apesar de serem linhas retas, não são horizontais, i.e., têm inclinação não nula.
De fato, prolongando essas retas para a parte negativa do eixo de vCE, verificamos que se
intersetam num único ponto desse eixo, para vCE = -VA.
A tensão VA, um número positivo, é um parâmetro para o BJT, com valores típicos na gama de 50 a
100 V.
É designada por tensão de Early, em homenagem ao cientista (J.M. Early) que primeiro estudou
este fenómeno.
Para um dado valor de vBE, aumentando vCE aumenta a tensão inversa da junção base-coletor e,
assim, aumenta a largura da região de depleção desta junção. Isto, por sua vez, provoca uma
diminuição da largura efetiva da base W. Recordando que IS é inversamente proporcional a W, vê-se
que IS aumentará e iC aumenta proporcionalmente. É este o efeito de Early, também conhecido como
efeito da modulação da largura da base.
36
EE - FCT

A dependência linear de iC com vCE pode ser tida em conta admitindo que IS
permanece constante e incluindo o fator ( 1 + vCE / VA ) na equação de iC como segue:
(5.36)
A inclinação não nula das retas iC - vCE indica que a resistência de saída vista do
coletor não é infinita. Pelo contrário, é finita e definida por,
Usando (5.36) VA  VCE

(5.37)
r0  (5.38)
IC
onde IC e VCE são as coordenadas do ponto para as quais o BJT opera na curva
particular ic-vCE (i.e., a curva obtida para vBE = VBE). Alternativamente, pode escrever-se,
VA Valor da corrente de coletor com o efeito de Early desprezado, i.e.:

r0  ' (5.38a)
IC
I C'  I S e vBE / VT (5.38b)
37
EE - FCT

Raramente é necessário incluir a dependência de iC com vCE no projeto de
polarização e análise em corrente contínua.
Todavia, a resistência de saída finita ro pode ter um efeito significativo no ganho de
amplificadores com transístores, como se verá adiante.
A resistência de saída ro pode ser inserida no modelo de circuito para o transístor.
Tal é ilustrado na fig. 5.20 (modelos de circuitos para grandes sinais de um transístor
npn operando em modo ativo).
Os dois modelos diferem apenas na função de controlo: Na figura 5.20(a), a tensão
vBE controla a fonte de corrente do coletor, enquanto que no circuito da figura 5.20(b) é
a corrente de base que controla a fonte de corrente (iB).
Fig. 5.20
38
EE - FCT

Caraterísticas Emissor - Comum
Um modo alternativo de representação

das caraterísticas do transístor emissor- Fig. 5.21
comum é ilustrado na figura 5.21. (a)
A corrente de base iB é usada como

parâmetro em vez da tensão base-emissor
vBE.
Isto é, cada curva iC-vCE é medida com a (b)
base alimentada por uma corrente

constante IB.
As curvas caraterísticas são similares às
da figura 5.19 exceto, o fenómeno de rutura
mostrada aqui.
39
EE - FCT

Caraterísticas Emissor – Comum Ganho em corrente 
Importante parâmetro do transísitor relação entre a corrente de coletor e

a corrente na base.
Assumido constante para um dado transístor
Considere-se o transístor operando no modo ativo

no ponto Q:
A relação entre a corrente de coletor e a corrente
de base traduz o  de grandes sinais ou dc:
I CQ
 dc  5.39
I BQ
Nos datasheets este parâmetro surge

referenciado por hFE.
40
EE - FCT

Pode ser definido um outro , baseado em
pequenos sinais.
De acordo com o gráfico, mantendo vCE
constante no valor VCEQ e variando iB de um valor
IBQ até (IBQ + iB), resulta um iC variando de ICQ a
(ICQ + iC).
Define-se, assim, o  incremental ou ac, como:
iC
 ac  5.40
iB vCE  constante
As amplitudes de ac e dc diferem, tipicamente, de

10% a 20%.
O parâmetro ac também é conhecido pelo hfe.
Pelo fato do  para pequenos sinais ser definido e medido para uma tensão vCE constante, i.e., com
uma componente de sinal nula entre coletor e emissor, é conhecido como ganho de corrente
emissor-comum em curto-circuito.
41
EE - FCT

O valor de  depende da corrente com que o

transístor opera e essa relação toma a forma ilustrada
na figura 5.22.
A figura 5.22 mostra, também, a variação de  com Fig. 5.22
a temperatura.
Tensão de Saturação VCEsat e Resistência de Saturação RCEsat
Representação expandida da região de saturação das

caraterísticas emissor comum
Fig. 5.23
O  nesta região é menor de que na região ativa
42
EE - FCT

Um ponto de operação possível está assinalado com X.

É caraterizado por uma corrente de base IB, uma corrente
de coletor ICsat e uma tensão coletor- emissor VCEsat.
Note-se que ICsat < FIB.
Visto que o valor da corrente ICsat é estabelecida pelo
projetista, um transístor saturado é referido operar com um
 forçado dado por,
I Csat
 forçado  (5.41) com forçado < F (5.42)
IB
As curvas iC-vCE, na região de saturação, são bastante inclinadas indicando que o transístor
saturado exibe uma resistência coletor-emissor baixa,
vCE Nota: Tipicamente, RCEsat varia de alguns ohms até algumas dezenas
RCEsat  iB=IB
de ohms
iC iC=ICsat
(5.43) 43
EE - FCT

A figura 5.24b mostra uma curva caraterística iC-vCE do transístor em

saturação ilustrado na figura 5.24a.
A curva interseta o eixo vCE em VT ln (1/R), valor comum a todas as
curvas iC-vCE.
A tangente no ponto de operação X, possui

uma inclinação dada por 1 / RCEsat.
A tangente interseta o eixo vCE para uma
tensão VCEoff, tipicamente de 0.1 V.
Fig. 5.24
44
EE - FCT

A caraterística iC-vCE de um transístor em saturação, pode ser aproximadamente representada pelo

circuito equivalente da figura 5.24c.
Do lado do coletor, o transístor é representado pela resistência RCEsat, em série com uma fonte
VCEoff.
A tensão de saturação VCEsat, pode ser calculada através de, VCEsat  VCEoff  I Csat RCEsat (5.44)
Tipicamente, VCEsat varia entre 0.1 e 0.3 V.

Para a maioria das aplicações é aceitável usar o modelo mais simples, mostrado na figura 5.24d.
Fig. 5.24
45
EE - FCT
CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.) Rutura do transístor
As tensões máximas que podem ser aplicadas a um BJT, são limitadas pelos efeitos de rutura das
junções base-emissor e base-coletor.
A caraterística iC-vCB mostrada, indica que para iE = 0, (emissor em circuito aberto) a junção coletor -
base entra em rutura para uma tensão designada por BVCBO.
Para iE > 0, a rutura ocorre para valores inferiores a BVCBO. Tipicamente BVCBO é maior de que 50V.
46
EE - FCT
CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.) Rutura do transístor
A caraterística iC-vCE mostrada, ilustra a ocorrência de rutura para uma tensão BVCEO.
BVCEO é cerca de metade de BVCBO.
A rutura da junção coletor - base, tanto em configuração base-comum como em configuração

emissor-comum, não é destrutiva desde que a dissipação de potência no dispositivo seja mantida
dentro de limites aceitáveis.
O mesmo não se passa com a junção base-emissor,

cuja rutura é destrutiva.
A EBJ entra em rutura do tipo avalanche para uma

tensão BVEBO muito menor de que BVCBO.
Tipicamente, BVEBO varia entre 6 – 8 V.
47
EE - FCT
CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.) RESUMO
Símbolos e sentido
das correntes
Operação em modo ativo

(Aplicação do BJT como amplificador
Condições:
1. EBJ comcompolarização
polarização
direta
direta.
2. CBJ com polarização

inversa
48
EE - FCT
pnp
Relações corrente-tensão
49
EE - FCT
Modelo de circuito equivalente para grandes

sinais (inclui efeito de Early)
npn pnp
50
EE - FCT

Operação no modo de saturação
npn pnp
Condições:
1. EBJ com polarização
direta.
2. CBJ com polarização

direta
Correntes
ou
51
EE - FCT
O BJT COMO AMPLIFICADOR DE SINAL
A base subjacente à aplicação como amplificador deve-se ao fato de que quando o BJT é operado
em modo ativo, este atua como uma fonte de corrente controlada por tensão.
Isto é, variações na tensão base- emissor vBE dão origens a variações na corrente de coletor iC.
Assim, no modo ativo, o BJT pode ser usado para implementar um amplificador de
transcondutância.
Estamos interessados em amplificação linear. O transístor tem um comportamento altamente não
linear, i.e., a corrente de coletor iC é exponencialmente relacionada com vBE.
Será usada a aproximação descrita no capítulo I.
Mais especificamente, o transístor será polarizado de modo a funcionar com uma tensão base –
emissor dc VBE e uma corrente de coletor IC.
Posteriormente sobrepõe-se à tensão dc VBE o sinal a ser amplificado vbe,
Mantendo o sinal vbe com baixa amplitude, pode-se restringir o transístor de modo a que este
opere na região linear da caraterística iC – vBE. Deste modo a variação da corrente de coletor será
linearmente relacionada com vbe.
Primeiramente, considere-se o funcionamento de um amplificador BJT para grandes sinais.
52
EE - FCT
O BJT COMO AMPLIFICADOR DE SINAL (CONT.)

Operação para grandes sinais Caraterística de transferência
A figura 5.26(a) mostra a estrutura básica do amplificador BJT

mais comummente usado, “ circuito emissor- comum (CE).
A tensão total de entrada vI (polarização + sinal) é aplicada entre a
base e o emissor; isto é, vBE = vI.
A tensão total de saída vO (polarização + sinal) é medida entre
coletor e ground; i.e., vO = vCE.
A Resistência RC tem duas funções: Estabilizar a tensão de
polarização dc desejada no coletor e converter a corrente de sinal
do coletor iC numa tensão de saída vce ou vo.
A tensão da fonte VCC é necessária para polarizar o BJT bem
como fornecer a potência necessária para o funcionamento do
amplificador.
Fig. 5.26
53
EE - FCT

A Figura 5.26(b) mostra a caraterística de

transferência do circuito em emissor comum
mostrado na figura 5.26a.
Para se perceber como surge esta caraterística,
represente-se a tensão v0.
(5.50)
Visto que vBE=vI, o transístor estará ao corte

para vI <0.5 V.
Assim, para 0<vI<0.5 V, iC será desprezável e v0
é igual à tensão da fonte VCC (segmento XY da
curva de transferência).
À medida que vI é maior de que 0.5 V, o
transístor começa a conduzir e iC aumenta. Fig. 5.26(b)
Da equação (5.50), vê-se que v0 decresce.
O BJT está a operar no modo ativo (segmento
YZ)
54
EE - FCT

A equação para o segmento YZ, pode ser obtida

substituindo na equação (5.50) a expressão para
iC em modo ativo,
(5.51)
Por simplicidade desprezou-se o efeito de Early.

O termo exponencial na equação (5.51) dá origem
a uma inclinação acentuada do segmento YZ.
A operação em modo ativo termina quando a
tensão de coletor (v0 ou vCE) é inferior em 0.4 V em
relação à base (vI ou vBE).
Neste ponto, a CBJ fica diretamente polarizada e
o transístor entra na região de saturação.
Tal é indicado pelo ponto Z, na curva de
transferência.
55
EE - FCT

Um incremento adicional em vBE conduz apenas

a um decréscimo ligeiro de vCE.
Na região de saturação vCE =VCEsat, a qual se
situa na gama estreita de 0.1 a 0.2 V.
É este valor quase constante VCEsat que dá a
esta região de operação do BJT o nome de
saturação.
A corrente de coletor também permanece
praticamente constante no valor ICsat,
(5.52)
56
EE - FCT

O BJT na região de saturação exibe uma resistência

muito baixa entre o coletor e o emissor (RCEsat).
Assim, o transístor da figura 5.26a proporciona um

percurso de baixa resistência entre o nó C do coletor e o
ground.
Apresenta, assim, um comportamento de interrutor

fechado.
Quando o BJT está ao corte, este praticamente não

conduz, atuando como interrutor em circuito aberto.
O estado do interrutor (aberto ou fechado) é determinado

pelo valor da tensão de controlo vBE.
O interrutor BJT pode também ser controlado pela

corrente da base.
57
EE - FCT
O BJT COMO AMPLIFICADOR DE SINAL (CONT.) Ganho do amplificador
Para operar o BJT como amplificador linear, este tem de ser polarizado num ponto da região ativa.
A figura ilustra um desses pontos (Q),

caraterizado por uma tensão base- emissor dc
VBE e por uma tensão coletor- emissor dc VCE.
A corrente de coletor para este valor de VBE é,
(5.53)
Do circuito da figura 5.26a, vem:
(5.54)
Se o sinal a amplificar vi for sobreposto a VBE e conservado

suficientemente pequeno, o ponto de operação instantâneo
permanecerá restringido a um segmento quase linear da curva de
transferência, em torno do ponto Q.
58
EE - FCT
O declive deste segmento de reta será igual

ao declive da tangente à curva de transferência
no ponto Q.
Este declive é o ganho em tensão do

amplificador para sinais de entrada pequenos
em torno de Q.
Uma expressão para o ganho (Av) pode ser

obtida diferenciando a expressão (5.51) e
calculando o valor da derivada no ponto Q, i.e.,
para vI = VBE.
(5.55)
(5.56)
Usando (5.53)
onde VRC é a queda de tensão aos terminais de RC.
(5.57)
59
EE - FCT
Note que o amplificador em emissor – comum é inversor, i.e., o sinal de saída surge 180º
desfasado em relação ao sinal de entrada.
A equação (5.56) ilustra um ganho em tensão para o amplificador EC, como sendo a relação entre
a queda de tensão em RC e a tensão térmica (25mV à temperatura ambiente).
Conclui-se (da eq.) que a maximização do ganho em tensão, passa pelo uso de uma queda de
tensão aos terminais de RC o mais elevada possível.
Para um dado valor de VCC, a eq. (5.57) indica que um aumento de VRC implica operar com um
valor baixo de VCE.
Todavia, de acordo como a figura 5.26b, um VCE muito baixo, significa um ponto de polarização Q
muito próximo do fim do segmento da região ativa, o que pode não garantir que o sinal de saída
negativo ondule, sem que o transístor entre na região de saturação.
Se o ponto Q se posicionar demasiado alto, verifica-se uma redução do ganho (menor VRC) e pode
limitar a livre ondulação do sinal de saída positivo.
No extremo positivo, a limitação é imposta pelo corte do BJT: os picos positivos são limitados a
um nível igual a VCC.
60
EE - FCT
Finalmente, é útil notar que o ganho máximo teórico Av, é obtido polarizando o BJT no limiar da
saturação.
Tal, evidentemente, não permite que a parte negativa do sinal de saída ondule sem limitação.
O ganho resultante é dado por,
(5.58)
Assim,
(5.59)
Como pode ser observado, elevados ganhos podem ser obtidos usando fontes de tensão de
valor elevado.
Existem outras alternativas que estudarão em ELETRÓNICA II.
61
EE - FCT
Considere um circuito emissor – comum com um BJT tendo IS = 10−15 A, uma resistência de coletor
RC = 6.8 kΩ, e uma fonte de tensão VCC = 10 V.
(a) Determine o valor da tensão de polarização VBE, requerida para operar o transístor a uma
tensão VCE = 3.2V.
(b) Determine o ganho em tensão Av para este ponto de polarização. Se um sinal de entrada
sinusoidal de 5mV (pico) for sobreposto a VBE, qual o valor da amplitude da saída (assuma
operação linear).
(c) Determine o incremento positivo em vBE (acima de VBE) que conduz o transístor ao limiar da
saturação, onde vCE = 0.3 V.
(d) Determine o incremento negativo em vBE que conduz o transístor a 1% do seu limiar de corte
(i.e., vO = 0.99 VCC)
62
EE - FCT
Solução (b)
(a)
(c) Para vCE = 0.3 V,
10  0.3
iC   1.426 mA
6 .8 k
O valor de VBE pode ser determinado por, Para elevar iC de 1mA para 1.426mA, vBE deve ser
incrementada de,
1 . 426
 v BE  VT ln( )  8 . 87 mV
1
(d) Para vO = 0.99 VCC = 9.9V,
Para reduzir iC de 1mA para 0.0147mA, vBE deve ser

variar de,
63
EE - FCT
O BJT COMO AMPLIFICADOR DE SINAL (CONT.) ANÁLISE GRÁFICA
Apesar de ter pouco valor prático para a análise e projeto de circuitos com transístores, a análise
gráfica constitui, todavia, um excelente auxiliar para compreender melhor o funcionamento de um
circuito amplificador.
Considere-se, assim, o circuito da fig. 5.27.
Pode-se realizar uma análise gráfica do funcionamento deste circuito, procedendo do seguinte
modo:
Primeiro, determina-se o ponto de polarização dc. Para isso considera-se vi= 0 e usa-se a técnica
ilustrada na figura 5.28 para determinar a corrente da base IB.
Fig. 5.28
Fig. 5.27
64
EE - FCT
Seguidamente, passamos para as caraterísticas iC-vCE mostradas na fig. 5.29. Note-se que cada
uma destas caraterísticas é obtida fixando um valor constante da corrente de base iB, variando vCE e
medindo a correspondente iC.
Tendo já determinado a corrente IB, sabemos que o ponto de funcionamento estará sobre a curva iC-vCE
correspondente a esse valor da corrente de base (a curva iB = IB).
Por outro lado, o circuito de coletor impõe a condição:
representa uma relação linear entre vCE e iC como

ilustrado na figura 5.29.
Uma vez que RC pode ser considerada a carga do Fig. 5.29
amplificador, a reta de inclinação -1/RC é conhecida como
reta de carga.
O ponto de funcionamento Q será a interseção da reta
de carga com a curva iC-vCE correspondente à corrente IB.
As coordenadas do ponto Q dão as componentes
contínuas da corrente de coletor IC e da tensão coletor-
emissor VCE.
65
EE - FCT
Note-se que o funcionamento como amplificador requer não só que o ponto Q esteja na região
ativa como, além disso, esteja no meio dessa região a fim de permitir uma excursão razoável do
sinal, quando se aplica um sinal de entrada vi.
Considere-se a fig. 5.30(a), que mostra um

sinal vi com uma forma de onda triangular
sobreposto a uma tensão contínua VBB.
Em correspondência a cada valor instantâneo
de VBB + vi(t) pode desenhar-se uma reta de
inclinação -1/RB. Esta “reta de carga
instantânea” interseta a curva iB-vBE num ponto
cujas coordenadas dão os valores instantâneos
totais de iB e de vBE correspondentes ao valor
particular de VBB + vi (t).
Por exemplo, a fig. 5.30(a) mostra as retas
correspondentes a vi = 0, vi no seu pico positivo
e vi no seu pico negativo.
Fig. 5.30a
66
EE - FCT
Se a amplitude de vi for suficientemente pequena

para que o ponto de funcionamento instantâneo
esteja confinado a um segmento quase linear da
curva iB-vBE, então os sinais resultantes ib e vbe
serão sinais triangulares, como se indica na figura. Fig. 5.30a
Isto é a aproximação para pequenos sinais.
Em resumo, a construção gráfica da fig. 5.30(a)

pode ser usada para determinar o valor
instantâneo total de iB correspondente a cada valor
de vi.
67
EE - FCT
Passe-se agora para as curvas iC-vCE da fig. 5.30(b). O ponto de funcionamento mover-se-á ao
longo da reta de carga de inclinação -1/RC à medida que iB for assumindo os valores instantâneos
determinados na fig. 5.30(a).
Por exemplo, quando vi está no seu pico Fig. 5.30b
positivo, iB = iB2 (fig. 5.30(a)), o ponto de
funcionamento instantâneo no plano iC-vCE
será a interseção da reta de carga com a
curva correspondente a iB=iB2. Desta forma,
podem determinar-se as formas de onda de
iC e de vCE e daí as componentes de sinal ic e
vce, como se indica na fig. 5.30(b).
68
EE - FCT
Efeitos da localização do ponto de polarização na excursão do sinal
Pode afetar significativamente a excursão do
sinal no coletor.
Observe-se que os picos positivos de vce não

podem ir além de VCC, caso contrário o transístor
entra na região de corte.
De modo similar, os picos negativos de vce não

podem descer abaixo de algumas décimas de
volt (usualmente 0.3 V), caso contrário o
transístor entra na região de saturação.
A localização do ponto de operação ilustrada na

figura permite uma excursão aproximadamente
igual para cada direção.
69
EE - FCT
Efeitos da localização do ponto de polarização na excursão do sinal
A figura 5.31 mostra duas retas de cargas

correspondentes a dois valores de RC.
reta A: corresponde a um valor de RC baixo,
resultando um ponto de operação QA (IB), onde o
valor de VCE é muito próximo de VCC.
Assim, a excursão positiva de vce, será bastante
limitada.
reta B: corresponde a um valor de RC elevado,
resultando um ponto de operação QB (IB), onde o
valor de VCE é muito baixo.
Embora haja ampla excursão positiva para vce, a
parte negativa é bastante limitada, devido à sua
proximidade com a região de saturação.
Necessidade de um compromisso.
Fig. 5.31
70
EE - FCT
O BJT COMO INTERRUtOR Uso dos modos de operação corte e saturação
Como ilustração, considere-se o circuito mostrado na figura 5.32, alimentado por uma fonte de
tensão vI e faça-se a análise para diferentes valores de vI.
Se vI for menor do que cerca de 0,5 V, o transístor conduzirá uma corrente desprezável. De fato, a
junção base - emissor pode ser considerada inversamente polarizada e o transístor estará ao corte.
Assim, iB = 0, iC = 0 e vC= VCC.
Neste caso o nó C está desligado do ground; o interrutor está em aberto.
Para que o transístor conduza (região ativa), temos de aumentar vI acima de cerca de 0,5 V.
Na verdade, para que fluam correntes de valor significativo, é necessário que vBE seja cerca de 0,7 V
e, portanto, vI deve ser mais elevado.
A corrente de base é, (5.60)
A corrente de coletor é dada por (5.61)
Esta expressão que só se aplica se o transístor estiver em modo

ativo.
Será o caso desde que a CBJ não esteja diretamente polarizada,
i.e., desde que vC > vB – 0.4 V. Fig. 5.32
71
EE - FCT
O BJT COMO COMUTADOR Uso dos modos de operação corte e saturação
Onde vC é dado por, (5.62)
Obviamente, à medida que vI aumenta, iB também aumenta (Eq. (5.60)),

iC consequentemente também aumenta (5.61)) e vC diminuirá (Eq. (5.62)).
A certa altura, vC tornar-se-á menor do que vB de um valor de 0.4 V.
Neste ponto o transístor deixa a região ativa e entra na região de
saturação.
Este ponto de transição para a saturação (edge-of-saturation) é
definido por
(5.63)
Assume-se que VBE é aproximadamente 0.7 V e (5.64)
O correspondente valor de vI, requerido para conduzir o transístor ao ponto de transição para a
saturação, é determinado por,
(5.65)
72
EE - FCT
Incrementando vI acima de VI(EOS), aumenta mais a corrente na base, o que leva o transístor a
entrar mais profundamente na saturação.
A tensão coletor-emissor, todavia, decresce apenas ligeiramente.
Assume-se, como uma aproximação razoável, que para um transístor saturado VCEsat  0.2 V.
A corrente de coletor permanece praticamente constante com um valor ICsat,
(5.66)
Forçando mais corrente na base, tem um efeito reduzido em ICsat e VCEsat.
Neste estado, o interrutor está fechado, com uma resistência RCEsat baixa e uma tensão de offset
VCEoff pequena.
Recorde-se que na saturação, pode-se forçar o transístor a operar com qualquer  desejado,
abaixo do valor normal, i.e., a relação entre a corrente de coletor ICsat e a corrente de base pode ser
fixada à vontade e por esse motivo é designado por  forçado.
(5.67)
A relação entre IB e IB(EOS) é conhecida por fator “overdrive”

73
EE - FCT
EXEMPLO
O transístor mostrado na figura 5.33 é especificado ter um ganho  na gama 50-150. Determine o
valor de RB que resulta em saturação, com um fator de overdrive de 10.
SOLUÇÃO
Quando o transístor está em saturação, a tensão de coletor é:

Assim, a corrente de coletor é dada por,
Para saturar o transístor com o  mais baixo, é necessário

providenciar uma corrente de base mínima,
Para um fator de overdrive de 10, a corrente de base é,

Fig. 5.33
Resulta, assim, um RB:
74
EE - FCT
Análise de circuitos com transístores em dc.

Estamos agora em condições de considerar a análise de alguns circuitos simples com BJT´s aos
quais são apenas aplicadas tensões contínuas.
Nos exemplos seguintes, usaremos o modelo simples para o qual o VBE (em condução) é 0.7 V e
VCE (em saturação) é 0.2 V.
Ao analisar um circuito, é necessário dar resposta para a seguinte questão: Em que modo de
operação se encontra o transístor?
Em alguns casos a resposta é obvia, noutras não.
A resposta pode ser sempre determinada, usando o seguinte procedimento:
Assuma-se que o transístor está em modo ativo.
Cálculo das várias tensões e correntes Transístor pnp
Transístor npn Se vCB < 0.4 V
Se vCB > - 0.4 V

Modo ativo
75
EE - FCT
Análise de circuitos com transístores em dc (Cont.)
Transístor npn Transístor pnp
Se vCB < 0.4 V
sim sim
Se vCB > - 0.4 V
Modo ativo
não
não
Assuma-se operação em modo saturação
Cálculo das várias tensões e correntes
Calcular a relação IC / IB Se IC / IB <  Saturação
Nota: Como , para um dado transístor, apresenta uma gama larga, deve-se usar no teste o
menor  especificado.
76
EE - FCT

EXEMPLO 5.4
Considere-se o circuito representado na fig. 5.34(a), que está redesenhado na fig. 5.34(b) para
recordar a convenção adotada para indicar as ligações das fontes de alimentação. O nosso objetivo é
determinar todas as tensões nodais e correntes de ramos. Assume-se que o transístor tem β = 100.
Fig. 5.34
77
EE - FCT

EXEMPLO 5.4 SOLUÇÃO
Olhando para o circuito da fig. 5.34(a), notamos que a base está ligada
a +4 V e que o emissor está ligado à massa através de uma resistência
RE. Pode-se, assim, concluir com segurança que a junção base-emissor
está polarizada diretamente.
Nestas condições, admitindo que VBE é aproximadamente 0,7 V, resulta

que a tensão de emissor será:
Uma vez que se conhece a ddp aos terminais de RE, podemos determinar a corrente IE que a
percorre,
Uma vez que o coletor está ligado à fonte de alimentação de +10 V através de RC, parece possível
que a tensão do coletor seja mais elevada do que a da base, o que é essencial para que o transístor
esteja no modo ativo. Admitindo que assim é, podemos calcular a corrente de coletor a partir de
78
EE - FCT

O valor de α obtém-se de
Calcula-se, agora, a tensão de coletor VC usando a lei de

Ohm,
CONCLUSÃO
Uma vez que a base está a +4 V, a junção de coletor está polarizada inversamente com 1,3 V, pelo
que o transístor está realmente no modo ativo.
Falta apenas determinar a corrente de base IB, que se obtém como segue:
79
EE - FCT

A fig. 16(c) ilustra a análise anterior realizada sobre o esquema, indicando a ordem dos passos da
análise.
Fig. 5.34
80
EE - FCT

EXEMPLO 5.5
Considere-se, agora, o circuito da fig. 5.35(a) e determine-se as tensões nodais e as correntes nos
ramos.
Note-se que este circuito é idêntico ao da figura 5.34, exceto para a tensão da base que é de 6 V.
Assuma-se que o  do transístor é especificado ser, no mínimo, 50.
SOLUÇÃO
Admitindo o transístor modo ativo, vem:
Fig. 5.35
Considerando IC  IE
81
EE - FCT
Análise de circuitos com transístores em dc (Cont.) EXEMPLO 5.5
SOLUÇÃO
Uma vez que o valor calculado da tensão do
Detalhes da análise atrás realizada coletor é inferior (de 3,52 V) à tensão da base,
a hipótese original de que o transístor estava
em modo ativo não é correta.
De fato, o transístor está em saturação.
Assim,
O transístor está a operar com um  forçado de
Fig. 5.35
82
EE - FCT
SOLUÇÃO
Visto que o  forçado é menor de que o 

mínimo especificado, o transístor está de fato na
saturação.
É importante notar que no teste de saturação, o

valor mínimo de  deve ser considerado.
Mais, numa situação de projeto de um circuito

em que o transístor opere na saturação, o projeto
deve ser baseado no  mínimo especificado.
Obviamente que, se o transístor com este 

mínimo está saturado, então, transístores com 
mais elevados também estarão saturados.
Os detalhes da análise efetuada são mostrados

na figura 5.35c.
Fig. 5.35
83
EE - FCT
Considere-se o circuito da fig. 5.36(a) e calcule as suas tensões e correntes.

Note-se que o circuito é idêntico aos dos exemplos anteriores, exceto que a tensão da base é
zero.
SOLUÇÃO
Uma vez que a base está a zero volt e o emissor

está ligado ao ground, a junção base- emissor
não pode conduzir, pelo que a corrente de
emissor é zero.
Assim, a corrente do coletor é também zero. A
corrente de base também terá de ser zero, pelo
que o transístor está em corte.
A tensão de emissor é obviamente zero,
enquanto a tensão de coletor será igual a +10 V,
uma vez que a queda de tensão em RC é zero. Fig. 5.36
A fig. 5.36(b) mostra os pormenores da análise.
84
EE - FCT
Considere-se, agora, o circuito da fig. 5.37(a) e calcule-se todas as tensões e correntes.
SOLUÇÃO
A base deste transístor pnp está à massa, enquanto o emissor está

ligado à alimentação positiva (V+ = +10 V) através de RE. Assim, a junção
de emissor está polarizada diretamente com
A corrente de emissor vem dada por,
Uma vez que o coletor está ligado, através de RC, à alimentação negativa
(mais negativa do que a base), é possível que este transístor esteja em modo
ativo. Admitindo que assim é, vem: Fig. 5.37
Como não foi dado o valor de β, admita-se β = 100, pelo que α = 0,99. Note-se que, como grandes
variações de β resultam em pequenas variações de α, o valor exato de β não é crítico para o cálculo
de IC. Assim
85
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.)
A tensão de coletor será
Então a junção base- coletor está polarizada inversamente com 5,4 V e o transístor está, de fato,
em modo ativo.
Falta apenas calcular a corrente de base,
Análise detalhada
Fig. 5.37
86
EE - FCT
Considere-se o circuito da fig. 5.38(a) e calcule-se as suas tensões e correntes. Admita-se β = 100.
SOLUÇÃO
A junção de emissor está diretamente polarizada. Assim,
Admitamos que o transístor está a funcionar em modo ativo.

Podemos assim escrever
A tensão de coletor vem:

Fig. 5.38
Visto que a tensão da base VB é:
resulta que a junção coletor- base está polarizada inversamente com 0,7 V,
pelo que o transístor está, de fato, em modo ativo.
A corrente de emissor é dada por
87
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.) Análise detalhada
Fig. 5.38
88
EE - FCT
Considere-se o circuito da fig. 5.39(a) e calcule-se as suas tensões e correntes.

O valor mínimo de β é especificado ser 30.
SOLUÇÃO
Assumindo o transístor na região ativa e desprezando a corrente na

base, verifica-se que a tensão da base é aproximadamente zero, a
tensão de emissor (VE) será 0.7 V e uma corrente de emissor de 4.3
mA.
Conclui-se que transístor está na região de saturação visto que a
junção base - coletor está diretamente polarizada.
Assim, com este pressuposto e designando a tensão da base por VB,
vem:
Fig. 5.39
89
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.)
Usando a relação
Fig. 5.39
vem: ou
Substituindo nas expressões acima, vem:
O transístor está em saturação, visto que o valor de  forçado é
Menor de que  mínimo especificado
90
EE - FCT
Analise-se, agora, o circuito da fig.5.40(a) e determine-se as suas tensões e correntes, admitindo

β = 100.
SOLUÇÃO
O primeiro passo da análise consiste em simplificar o circuito da base usando o Teorema de

Thévenin. O resultado pode ver-se na fig. 5.40(b), onde
Para calcular a corrente de base ou a de emissor

temos de escrever a equação da malha marcada
com L na fig. 5.40(b). A equação de malha é,
Atendendo a que, Fig. 5.40
91
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.)
Substituindo os valores,
Corrente de base
A tensão da base pode ser dada por,
Admita-se que o transístor está em modo ativo. Pode-se calcular a

corrente de coletor pela equação,
A tensão de coletor pode então ser calculada por,
Concluí-se que o coletor está a um maior potencial de que a base em 4,03 V, o que significa que o
transístor está em modo ativo, como foi admitido.
Os resultados da análise estão ilustrados na fig. 5.40(c) e (d).
92
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.)
Fig. 5.40
93
EE - FCT
Analise-se, agora, o circuito da fig.5.41(a) e determine-se as suas tensões e correntes
SOLUÇÃO
Note-se que, em parte, o circuito é idêntico ao que

analisámos no exemplo anterior (fig. 5.40(a)). A
diferença é que temos agora um segundo transístor
Q2, além das resistências associadas RE2 e RC2.
Admitindo que Q1 continua no modo ativo, os
seguintes valores serão idênticos aos obtidos no
exemplo anterior:
Fig. 5.41
A tensão de coletor será diferente da calculada anteriormente, uma vez que parte da corrente de
coletor IC1 flúi na base de Q2 (IB2).
Como primeira aproximação, pode-se admitir que IB2 é muito menor do que IC1; i.e., que a corrente em
RC1 é praticamente igual a IC1. Tal permite calcular VC1:
Assim, Q1 está em modo ativo
94
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.)
No que respeita a Q2, notemos que o seu emissor está ligado aos
+15 V através de RE2. É, portanto, seguro admitir que a junção de
emissor de Q2 está polarizada diretamente. Assim, o emissor de Q2
terá uma tensão VE2 dada por
Para a corrente de emissor de Q2, vem:
Uma vez que o coletor está ligado à massa através de RC2, é possível que Q2 esteja em modo
ativo. Admitindo que assim é, determine-se IC2:
A tensão de coletor de Q2 será então:
que é menor do que VB2 em 0,98 V. Assim, Q2 está em modo ativo, como admitído.
95
EE - FCT
SOLUÇÃO (Cont.)
É importante nesta altura determinar o erro cometido ao desprezar-se IB2. O valor de IB2 é dado por
que é, na verdade, muito menor do que IC1 (1,28 mA). Pode-se, no entanto, se se desejar obter uma
solução mais aproximada, repetindo os cálculos com IB2 = 0,028 mA.
Os novos valores são:
Corrente em RC1
Nota: Os valores obtidos através da análise aproximada são muito próximos dos valores exatos.
96
EE - FCT

SOLUÇÃO (Cont.)
Nota importante:
Nos exemplos anteriores, usou-se frequentemente um valor rigoroso de α para calcular a
corrente de coletor. Uma vez que α ≅ 1, o erro cometido ao tomar α = 1 e, consequentemente,
iC = iE, será muito pequeno.
Fig. 5.40
97

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(SEDRA & SMITH)

Estrutura do dispositivo e operação física

Designação: transístor NPN

Estrutura simplificada de um BJT (três regiões semicondutoras)

Designação: transístor PNP

Dispositivo com três terminais emissor, base e coletor

2 junções: junção emissor-base (EBJ) e junção coletor-base (CBJ)

corte inversa inversa

Modo de corte e modo de saturação: Aplicações que envolvam comutação.

Operação de um transístor NPN no modo ativo

Duas fontes de tensão externas são usadas para estabelecer as condições de

Operação de um transístor NPN no modo ativo (Cont.)

Altamente Menos Menos

Fluxo de corrente (apenas componentes de corrente por difusão são consideradas)

– A Polarização direta da EBJ origina fluxo de corrente através da junção: Consiste em

A corrente do emissor é dominada pela componente de eletrões

Operação de um transístor NPN no modo ativo (Cont.)

Portadores minoritários na região da base

Como a região da base é estreita, em regime permanente o excesso de

n p (0)  n p 0evBE / VT (1)

np0 concentração de portadores

Operação de um transístor NPN no modo ativo (Cont.)

Portadores minoritários na região da base

A razão para uma concentração zero na

O perfil de concentração de portadores

Esta corrente de difusão In é diretamente proporcional à inclinação do perfil de concentração

Operação de um transístor NPN no modo ativo (Cont.)

Portadores minoritários na região da base

Devido ao declive negativo da concentração de portadores minoritários, resulta uma corrente In

A inclinação do perfil da concentração do lado da junção de emissor é ligeiramente

Outra observação importante a fazer diz respeito à independência do valor de iC

Corrente de coletor (Cont.)

AE qDn ni2 (4)

Corrente de base (Cont.) Qn

AE qWni2 vBE / VT Qn1 AE q W ni2 vBE / VT (8)

Corrente de base (Cont.)

 Ganho em corrente emissor-comum

Da equação (12) verifica-se que o valor de β é fortemente influenciado por dois

Apresentámos um modelo de 1ª ordem para o funcionamento do transístor npn em

Modelos de circuitos equivalentes

Modelos de circuitos equivalentes (Cont.)

Pode ser convertido no modelo com fonte de corrente

Modelos de circuitos equivalentes (Cont.)

Estrutura dos transístores reais

Note-se que o coletor praticamente

Transístor pnp (cont.)

Ao contrário do transístor npn, a corrente no transístor pnp é principalmente devida a lacunas

Os eletrões injetados pela base no

Transístor pnp (cont.)

Conclui-se facilmente desta descrição que as relações

CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO

CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.)

A polaridade do transístor - npn ou pnp - é indicada pelo sentido da ponta da seta do

Note-se, entretanto, que o método de

CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.)

ativo, vEB é positiva, enquanto para um npn, é vBE que é positiva.

ficará polarizada diretamente e o transístor entra no modo de saturação.

CARATERÍSTICAS CORRENTE – TENSÃO (Cont.)

A corrente inversa coletor-base ( ICBO )

Na análise anterior do fluxo de corrente no transístor, ignorámos as pequenas correntes inversas

devidas aos portadores minoritários gerados termicamente.

depende fortemente da temperatura, duplicando aproximadamente por cada 10°C de aumento.