Cap3 S&S

DEEC - FCTUC
DÍODOS
CAPÍTULO 3
(SEDRA & SMITH)
1
ELECTRÓ
ELECTRÓNICA I - DÍODOS
DEEC - FCTUC
Considerações gerais
O díodo constitui o elemento de circuito não-linear mais simples.
Tal como uma resistência, o díodo tem dois terminais; contudo, ao contrário da
resistência que tem uma relação linear entre a corrente que a percorre e a tensão aos
seus terminais, o díodo tem uma característica i-v não-linear.
Das muitas aplicações dos díodos, o seu uso no projecto
de rectificadores (que convertem corrente alternada em
corrente contínua) é a mais comum.
Será estudado o princípio de funcionamento físico da junção pn. Além de ser um

díodo, a junção pn é a base de muitos outros dispositivos de estado sólido, incluindo
o transístor bipolar de junção, que será estudado no capítulo seguinte.
Começa-se o estudo dos díodos, considerando-o um elemento ideal, a fim de
apreendermos a essência do seu funcionamento.
2
ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL
O díodo ideal pode ser considerado o mais básico elemento não linear.
Símbolo
Fig.1 Característica i-v
Aplicação de uma tensão negativa

Curto-circuito
Circuito aberto Díodo directamente polarizado
Corte ou
Díodo inversamente polarizado
Condução
3
ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL
Da descrição anterior deve concluir-se que, quando o díodo está em condução, o circuito externo
deve ser projectado para limitar a corrente do díodo, e quando está em corte, para limitar a tensão
inversa do díodo. A fig. 2 mostra dois circuitos que ilustram este ponto.
figura 2a Díodo em condução figura 2b
V 10 Díodo em corte
i= = = 10mA
R 1k
i=0A
Fig. 2
NOTA:
NOTA
Como, certamente, já se tornou evidente, a característica i-v do díodo ideal é altamente não linear,
pois consiste de dois segmentos de recta perpendiculares entre si. Uma curva não linear que
consiste de segmentos de recta diz-se que é de segmentos (tramos) lineares.
4
ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR
Uma aplicação fundamental do díodo, que faz uso da sua característica não linear, é o circuito
rectificador. Admitamos que o díodo é ideal e que a tensão de entrada vI é uma sinusóide (ver fig.3b).
Fig. 3
5
ELECTRÓ
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EXEMPLO
Para o circuito da figura 3a, represente a característica de transferência vo versus vI..
Resposta
Para o circuito da figura 3a, represente a forma de onda para vD..
Resposta
6
ELECTRÓ
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EXERCÍCIO (CONT.)
Para o circuito da figura 3a, determine o valor de pico da corrente iD assumindo vI = 10 V e R = 1kΩ
Ω.
Determine, também, a componente dc de vo.
Resposta: 10 mA; 3.18 V.
EXEMPLO
A figura 4 ilustra um circuito para carregar uma bateria de 12 V. Se vs é uma sinusóide com 24 V de
valor de pico, determine (a) a fracção de cada ciclo em que o díodo conduz. (b) determine o valor de
pico da corrente e (c) a tensão máxima de polarização inversa que surge aos terminais do díodo.
a)
v (t ) = Vm sin (ωt + φ )
12=24 sin (φ
φ)
120
φ = 30º
Fig.4 φ
7
ELECTRÓ
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EXEMPLO (CONT.)
24 − 12
b) ID = = 0.12 A
100
c) - v +
Dr
vDr = 24+12 = 36
-
+
8
ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS
Pode-se usar díodos e resistências para implementar funções lógicas digitais. As fig. 5(a-b)
mostram duas portas lógicas com díodos.
Discussão
Para ver como estes circuitos funcionam, consideremos
um sistema de lógica positiva em que valores da tensão
próximos de zero correspondem ao valor lógico 0 e
valores da tensão próximos de +5 V correspondem ao
valor lógico 1.
O circuito da fig. 5(a) tem três entradas, vA, vB e vC. É fácil
ver que díodos ligados a entradas de +5 V conduzirão,
impondo, assim, para vY um valor igual a +5 V. Esta tensão
positiva na saída manterá os díodos cuja tensão de
entrada é baixa (cerca de 0 V) em corte. Assim, a saída
será 1 se uma ou mais entradas forem 1 e, portanto, o
circuito implementa a função lógica OR, que em notação
Fig. 5 booleana se exprime por,
9
ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS (CONT.)
Analogamente, o circuito da fig. 5(b), como facilmente se mostra, implementa a função lógica AND,
Y=A.B
Fig. 5
10
ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS
Assumindo que os diodos são ideais, calcule os valores de I e V nos

circuitos da figura 6.
Fig. 6
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ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS

Procedimento a adoptar: (1) assumir um comportamento plausível; (2)
proceder com a análise; (3) verificar se a solução obtida é plausível.
1a suposição: D1 e D2 estão em condução
VB = 0 e V = 0
Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem
I = 1 mA
Conclusão:
Conclusão D1 está em condução, conforme assumido
originalmente, e o resultado final é I = 1mA e V = 0V.
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ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)
Adoptando o mesmo procedimento para a figura 6b
1a suposição: D1 e D2 estão em condução.
VB = 0 e V = 0
Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem:
I = – 1 mA.
impossível
A suposição inicial está incorreta.
Nova suposição: D1 está ao corte e D2 está em condução
Correcta
Tensão no nó B: VB = – 10 + 10×
×1,33 = +3,3V
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ELECTRÓ
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O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)
Determine os valores de I e V nos circuitos a seguir.
Solução:
a) 2 mA, 0 V; b) 0 mA; 5 V; c) 0 mA, 5 V

d) 2 mA, 0 V; e) 3 mA, + 3V; f) 4 mA, +1 V
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ELECTRÓ
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O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

CONSIDERAÇ
CONSIDERAÇÕES GERAIS
O estudo seguinte refere-se às características dos díodos reais - especificamente, díodos de

junção de semicondutor, feitos de silício. Os processos físicos que explicam as características
terminais dos díodos e o nome “díodo de junção”, serão estudados no final do capítulo.
Característica i-v de um díodo de junção de silício.
Fig. 6
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ELECTRÓ
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Característica i-v de um díodo de junção de silício.
A figura 7 representa a mesma característica da fig. 6 com algumas escalas expandidas e outras
comprimidas para pôr em evidência alguns pormenores.
Três regiões distintas:
1. A região de polarização directa, determinada por v > 0

2. A região de polarização inversa, determinada por v < 0 mas > -VZK 1
3. A região de rotura, determinada por v < -VZK
3
2
Fig. 7
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ELECTRÓ
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. A região de polarização directa,
A tensão terminal v é positiva.

Nesta região, a relação i - v pode ser aproximada por: (
i = I s e v / nVT − 1 )
IS corrente de saturação inversa (ou corrente de escala: corrente
directamente proporcional à área da secção transversa do díodo).
IS é uma constante para um dado díodo a uma dada temperatura.
Para díodos de pequenos sinais (aplicações de baixa potência): IS ≈ 10– 15 A
IS : varia fortemente em função da temperatura. (IS duplica de valor a cada

aumento de 5oC na temperatura, aproximadamente).
kT
VT: tensão térmica (constante): VT =
q
×10-23 J/K
K: constante de Boltzmann = 1,38×
T: temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em oC.
×10-19 C
q: carga do electrão = 1,60×
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ELECTRÓ
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(
i = I s e v / nVT − 1 )
À temperatura ambiente (20°C) o valor de VT é 25,2 mV.
Em cálculos aproximados, tomaremos VT 25 mV à temperatura ambiente.
A constante n tem um valor entre 1 e 2, dependendo do material e da estrutura
física do díodo.
Díodos realizados pelo processo normal de fabrico de circuitos integrados têm n= 1
em condições normais de funcionamento.
Díodos discretos, normalmente têm n = 2.
Em geral assume-se n =1, quando nada é especificado em contrário.
Para correntes directas de valor apreciável, especificamente para i >> IS:
i
i ≅ Is e v / nVT
⇒ v ≅ nVT ln
Is
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ELECTRÓ
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v / nVT i
Considere-se a relação i - v : i ≅ Is e ou v ≅ nVT ln
Is
Calcule-se a corrente I1 correspondente a uma tensão V1 :
I1 = I s eV1 / nVT
Analogamente, se a tensão for V2, a corrente do díodo I2 será:
I 2 = I s eV2 / nVT
Estas duas equações podem ser combinadas, resultando:
I2 I 
= e (V −V ) / nV
2 1 T ou V2 − V1 = nVT ln 2  ou na forma de logaritmo base 10
I1  I1 
I 
V2 − V1 = 2.3 n VT log 2 
 I1 
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ELECTRÓ
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I 
V2 − V1 = 2.3 n VT log 2 
 I1 
Esta equação estabelece, simplesmente, que para uma variação de uma década
(factor de 10) na corrente, a queda de tensão no díodo varia de 2.3nVT, que é,
aproximadamente, 60 mV para n = 1 e 120 mV para n = 2.
Isto sugere que a relação i-v do díodo é mais adequadamente representada em

papel semilogarítmico.
Usando o eixo vertical, linear, para v, e o horizontal, logarítmico, para i, obtém-se

uma recta com a inclinação 2.3nVT por década de corrente.
A simples observação da característica i-v na região directa (fig. 7) revela que a

corrente tem um valor desprezável para v menor do que cerca de 0.5 V. Este valor é,
usualmente, referido como tensão limiar de condução.
20
ELECTRÓ
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Díodo directamente polarizado em “condução total”:queda de tensão entre 0.6 e

0.8V, aproximadamente.
É usual utilizar 0.7V em modelos de díodos (de silício).
Díodos com diferentes correntes nominais de operação (ou seja, com áreas
diferentes e, consequentemente, IS diferentes), exibem esta queda de 0.7V.
Por exemplo
Díodos de pequenos sinais: 0.7V para i = 1mA
Diodos de alta potência: 0.7V para i = 1A.
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ELECTRÓ
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EXEMPLO
Um díodo de silício de 1mA possui uma queda de tensão directa de

0,7V para a corrente de 1mA. (a) Avalie a constante de escala de junção
IS no caso de se ter n=1 ou n=2. (b) Determine, também, que constantes
de escala seriam aplicáveis para um díodo de 1A do mesmo fabricante
que conduz 1A com 0,7V.
Resoluç
Resolução (a) i ≅ I s e v / nVT ⇒ I s ≅ i e −v / nVT
• n = 1: I s = 10 −3 e −700 / 25 = 6,9 × 10 −16 A ≈ 10 −15 A
• n = 2: I s = 10 −3 e −700 / 50 = 6,3 × 10 −10 A ≈ 10 −9 A
(b) O díodo conduzindo 1A com 0,7V, corresponde a 1000 díodos de 1mA em

paralelo, com uma área de junção 1000 vezes maior ⇒ IS é 1000 vezes maior, 1pA
e 1µ
µA para n = 1 e n = 2, respectivamente. valor de n é muito importante!
22
ELECTRÓ
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IS e VT variam com a temperatura ⇒ a característica i-v directa varia,

também, com a temperatura.
Para uma corrente constante no díodo, a queda de tensão aos seus

terminais decresce de aproximadamente 2mV para cada aumento de
1oC na temperatura.
A variação na tensão no díodo tem

sido explorada no projecto de
termómetros electrónicos.
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ELECTRÓ
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. região de polarização inversa
Entra-se na região de polarização inversa quando a tensão v é negativa.
De acordo com
(
i = I s e v / nVT − 1 )
Se v < 0 e é diversas vezes maior do que VT em amplitude ⇒ o termo
exponencial da expressão da corrente no díodo torna-se desprezável ⇒ i ≈ – IS : a
corrente de polarização inversa é constante e igual a IS.
Em díodos reais: a corrente inversa >> IS . Por exemplo, um díodo cujo Is seja
da ordem de 10-14 a 10-15 A, pode apresentar uma corrente inversa de 1nA.
A corrente inversa também aumenta um pouco com o aumento da tensão de

polarização inversa.
Corrente inversa: proporcional à área da junção (assim como IS ).
Dependência com a temperatura: a corrente inversa duplica para cada aumento

de 10oC na temperatura, aproxim. (IS duplica para cada aumento de 5oC na
temperatura).
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ELECTRÓ
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. região de polarização inversa
EXERCÍCIO 3.9 (SEDRA)
O díodo no circuito da figura 9 é um

dispositivo de elevada corrente, cuja
corrente de polarização inversa é
razoavelmente independente da tensão
aplicada. Se V = 1V a 20oC, determine o
valor de V a 40oC e a 0oC.
Fig. 9
Resposta: 4V; 0,25V.
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Característica i-v de um díodo de junção de silício. região de rotura
A terceira região distinta de funcionamento
do díodo, que pode facilmente ser
identificada na característica i-v da fig. 7, é Fig.7
a região de rotura. O díodo entra na região
de rotura quando a tensão inversa
ultrapassa um dado valor limite específico
de cada díodo particular, chamado tensão
de rotura. Trata-se da tensão do “joelho”
da curva i-v da fig. 7, e designa-se VZK, em
que Z se refere a Zener (cientista que
contribuiu para o conhecimento deste
efeito) e K é a inicial da palavra inglesa
knee - joelho.
Na região de rotura, a corrente inversa cresce rapidamente, sendo o aumento da

queda de tensão muito pequeno. A rotura do díodo não é normalmente destrutiva,
desde que a dissipação de potência no díodo seja mantida pelo circuito exterior
dentro de um limite “seguro”. Este valor seguro é habitualmente especificado nas
folhas de dados do dispositivo. Utilização do díodo em regulação de tensão.
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ELECTRÓ
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O DÍODO REAL Análise de circuitos com díodos

Operaç
Operação na região de polarizaç
polarização directa. Modelo Exponencial
Considere-se o circuito da fig. 10, que consiste de uma fonte contínua VDD, uma
resistência R e um díodo.
Objectivo: cálculo da corrente ID e da tensão VD do díodo.
Se VDD é maior do que 0,5 V ID >> IS
característica i-v dada pela relação exponencial

Fig.10
I D = I S eV D / nVT
(1)
A equaç
equação que rege o funcionamento do circuito é obtida aplicando a lei de Kirchhoff
à malha:
Nota: Admitindo que os parâmetros IS e n do díodo são

(2) conhecidos, as duas incógnitas nas Eqs. (1) e (2) são ID e VD.
As duas formas alternativas de obter a solução são a aná
análise
grá
gráfica e a aná
análise iterativa.
iterativa
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ELECTRÓ
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Operaç
Análise gráfica usando o modelo exponencial
A análise gráfica realiza-se fazendo o traçado

das expressões das Eqs. (1) e (2) no plano i-v.
Fig. 11
I D = I S eV D / nVT
Ponto de operação
Q
Recta de carga
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ELECTRÓ
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Operaç
Análise iterativa EXEMPLO 3.4
Considere-se o circuito da fig. 10, e calcule-se os valores de ID e VD, admitindo que

VDD = 5 V e R = 1 kΩ. Admita-se também que o díodo tem uma corrente de 1 mA
para uma tensão de 0,7 V e que a queda de tensão varia de 0,1 V por cada década de
variação da corrente.
Resoluç
Resolução 1ª Iteração
Admitindo que VD = 0,7 V e usando a Eq. (2), vem

para a corrente,
Usa-se, agora, a equação do díodo para obter uma melhor estimativa para VD,
na forma:
I 
V2 − V1 = 2.3 n VT log 2  Para este caso: 2.3 n VT = 0.1 V
 I1 
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ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa.
Análise iterativa EXEMPLO (cont.)
Assim,
Substituindo V1 = 0,7 V, I1 = 1 mA e I2 = 4,3 mA resulta V2 = 0,763 V.
2ª Iteração
Procedendo de forma similar:
Assim, a segunda iteração conduz a ID = 4,237 mA e VD = 0,762 V. Uma vez que estes valores não são
muito diferentes dos valores obtidos após a primeira iteração, não se justifica continuar, pelo que a
solução será ID = 4,237 mA e VD = 0,762 V.
30
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. Modelos simplificados (rectas)
Apesar da relação exponencial i-v

ser um modelo rigoroso da
característica do díodo na região
directa, a sua natureza não linear Característica Recta B
exponencial
complica a análise dos circuitos com
díodos. Pode-se simplificar
grandemente a análise se se utilizar
relações lineares para descrever as
características terminais do díodo. A
fig. 12 ilustra uma tentativa neste
sentido, onde a curva exponencial é Recta A
aproximada por duas rectas, a recta
A com inclinação nula e a recta B
com inclinação 1/ rD.
Fig. 12
31
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. Modelos simplificados
NOTA: Para este díodo em particular, na gama de correntes de 0,1 a 10 mA, as

tensões correspondentes ao modelo de rectas lineares diferem das correspondentes
ao modelo exponencial em menos de 50 mV. Obviamente, a escolha destas duas
rectas não é única; pode obter-se uma aproximação melhor restringindo a gama de
correntes para a qual se pretende a aproximação.
modelo de rectas lineares
(3)
Característica Recta B
exponencial
Para este exemplo:
Valores aproximados
Recta A
32
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. Modelos de rectas lineares
O modelo de rectas lineares descrito pelas Eqs. (3) pode ser representado pelo
circuito equivalente da fig. 13. Note-se que se incluiu um díodo ideal para impor que
a corrente iD flua apenas no sentido directo.
Fig. 13
33
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. Modelos de rectas lineares
EXEMPLO 3.5
Repita-se o exemplo 3.4 utilizando o modelo de rectas lineares cujos parâmetros são
dados na fig. 12 (VD0 = 0,65 V, rD = 20 Ω). Note-se que as características
representadas nesta figura são as do díodo descrito nesse exemplo (1 mA a 0,7 V e
0,1 V/década).
Substituindo o díodo do circuito da fig. 10 pelo modelo equivalente da fig. 13, resulta
o circuito da fig. 14, do qual resulta para ID a seguinte expressão:
A tensão no díodo é calculada por,
Fig. 14
34
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. Modelo de queda de tensão constante
Uso de uma recta vertical como aproximação à curva exponencial.
O modelo resultante indica que um

díodo em condução exibe uma queda de
tensão constante VD, cujo valor usual é
0.7 V. Fig. 15
Note-se que para o díodo em

particular, cujas características estão
representadas na fig. 15, este modelo
prevê a tensão do díodo com um erro de
±0,1 V, para uma gama de correntes de
0,1 a 10 mA.
35
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. Modelo de queda de tensão constante
Uso de uma recta vertical como aproximação à curva exponencial.
Esquema equivalente para o modelo de tensão constante
Usando este modelo para resolver o exemplo atrás considerado, obtém-se,
que não é muito diferente dos valores obtidos com os modelos mais elaborados.
36
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. EXERCÍ
EXERCÍCIO D3.12
Projecte o circuito mostrado, por forma a proporcional uma tensão de saída de 2.4 V.
Assuma que os díodos possuem uma queda de tensão de 0.7 V a 1mA e que
∆V=0.1V/década de variação da corrente.
Solução: R ≅ 760 Ω
37
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. O modelo para pequenos sinais.
Há aplicações em que um díodo é polarizado para funcionar num ponto da sua

característica i-v directa com um pequeno sinal ac sobreposto ao nível contínuo.
Procedimentos
1º - Cálculo do ponto de operação (VD e ID). O modelo da queda de tensão constante

é o mais utilizado.
2º - Para uma operação de pequeno sinal em torno do ponto de polarização dc, é
mais adequado modelar o díodo por uma resistência igual ao inverso da inclinação
da tangente à característica i-v.
38
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. O modelo para pequenos sinais.
Sinal triangular
Caso 1- Ausência de sinal (vd(t))
Tensão no díodo = VD
Corrente no díodo (dc): I D = I S eV D / nVT

(1)
39
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. O modelo de pequenos sinais.
Caso 2 - Aplicação do sinal (vd(t))
tensão instantânea total do díodo vD(t): (2)
corrente instantânea total do díodo iD(t): iD (t ) = I S e vD / nVT (3)
Substituindo o valor de vD: iD (t ) = I S e (VD + vd ) / nVT
ou
iD (t ) = I S eVD / nVT e vd / nVT iD (t ) = I D e vd / nVT (4)
Se a amplitude do sinal vd(t) for suficientemente pequena, tal

que:
Expansão da exponencial de (4) numa série (considerando os 2 primeiros termos):
vd
<< 1  v
iD (t ) ≈ I D  1 + d

 Aproximação para pequenos sinais
n vT  n VT 
40
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Caso 2 - Aplicação do sinal (vd(t)) (Cont.)

Sinais < 10 mV para n=2
 v 
iD (t ) ≈ I D  1 + d  (5) validade
 n VT  Sinais < 5 mV para n=1
Nota: VT = 25 mV.
ID sobreposta à componente contínua ID temos uma

iD (t ) = I D + vd
n VT componente de sinal directamente proporcional ao sinal de
tensão vd.
ID condutância para pequenos sinais do díodo.

com id = vd
n VT
n VT
rd = resistência para pequenos sinais, rd
ID
Nota: o valor de rd é inversamente proporcional à corrente de polarização ID.
41
ELECTRÓ
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Operaç
Caso 2 - Aplicação do sinal (vd(t)) Processo de análise
A aproximação de pequenos sinais permite-nos separar a análise em dc da análise

para sinais.
Processo: 1) Eliminam-se todas as fontes dc, após a análise em dc.

2) Substitui-se o díodo pela sua resistência de pequenos sinais rd.
3) A partir do circuito equivalente para pequenos sinais, a tensão de
sinal do díodo é obtida usando o divisor de tensão.
EXEMPLO 3.6
Considere o circuito onde R = 10 kΩ e a fonte de alimentação

V+ tem um valor contínuo de 10 V ao qual está sobreposto um
sinal sinusoidal de 50 Hz com 1 V de amplitude.
CALCULE: a) A tensão dc no díodo.

b) A amplitude do sinal sinusoidal sobreposto.
Admita que o díodo tem uma tensão de
0,7 V para 1 mA, e que n = 2.
42
ELECTRÓ
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Operaç
EXEMPLO 3.6 (cont.) RESOLUÇÃO
(a)
Considerando apenas valores dc e admitindo que VD=0,7 V.
≅ 1 mA VD = 0.7 V
Ponto de operação
n VT
rd =
ID
(b) Usando o divisor de tensão
rd 0.0538
vd = Vs =1 = 5.35mV
R + rd 10 + 0.0538
43
ELECTRÓ
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Operaç
regulação de tensão
Um regulador de tensão é um circuito cujo objectivo é fornecer uma tensão

contínua constante nos seus terminais de saída. A tensão de saída deve permanecer
tão constante quanto possível, independentemente:
a) das variações da corrente de carga fornecida pelo terminal de saída do
regulador.
b) das variações da tensão da fonte dc que alimenta o circuito regulador.
Uma vez que a tensão directa do díodo se mantém aproximadamente constante e

igual a 0,7 V, enquanto a corrente varia consideravelmente, um díodo polarizado
directamente pode realizar um regulador de tensão simples.
Como exemplo, no exercício 3.6, enquanto a fonte de alimentação de 10 V tinha
uma ondulação de 2 V pico-a-pico (±10% de variação), a ondulação correspondente
na tensão do díodo era apenas de ±5,35 mV (ou ±0,8% de variação).
Pode-se obter tensões reguladas superiores a 0,7 V, ligando vários díodos em série.
44
ELECTRÓ
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Operaç
regulação de tensão EXEMPLO 3.7
Considere o seguinte circuito, constituído por três díodos, para providenciar uma
tensão de 2.1 V.
Determine a variação, em percentagem, desta tensão regulada devido a:
(a) Uma variação de ±10% na tensão da fonte.
(b) Ligação de uma carga de 1kΩ
Ω
Assuma n=2.
SOLUÇÃO: (a)
Sem carga, o valor nominal da corrente na série de

díodos é dada por
45
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
polarização directa. modelo de pequenos sinais.
regulação de tensão EXEMPLO 3.7 (a) Cont.
Cada díodo terá uma resistência para pequenos sinais:
n VT Para n=2
rd =
ID
Para os três díodos em série:
Usando o divisor de tensão:
variação pico-a-pico na tensão de saída
Variação de apenas ±0,9% (±18,5 mV).

Visto que tal implica uma variação de cerca de ±6.2mV por díodo, o modelo para
pequenos sinais usado, é justificado.
46
ELECTRÓ
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Operaç
polarização directa. modelo de pequenos sinais.
regulação de tensão EXEMPLO 3.7 (b)
Ligação da resistência de carga de 1 kΩ
Valor da corrente solicitado é aproximado a 2.1 mA.
Uma diminuição da tensão nos terminais da série de

díodos dada por
∆vo = -2,1m × r = -2,1m × 18,9 = -39,7 mV
Que a tensão de cada díodo diminua de cerca de 13,2 mV.
47
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Operação na região de ruptura DÍODOS DE ZENER
O grande declive que a curva i-v do díodo exibe na região de ruptura, com
tensão praticamente constante, sugere que díodos funcionando na região de
ruptura podem ser usados no projecto de reguladores de tensão (díodo de zener).
Símbolo
A corrente flúi do cátodo para o ânodo e o cátodo é positivo em
relação ao ânodo.
Especificação e modelização dos díodos de Zener
Para correntes superiores à corrente do joelho

(IZK, especificada pelos fabricantes nas folhas de
dados dos díodos de Zener), a característica i-v é
praticamente uma recta.
48
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Os fabricantes geralmente especificam o valor da tensão do díodo VZ para uma

corrente de teste particular IZT. Ponto Q na figura.
Por exemplo, um díodo de Zener de 6,8 V

apresentará uma tensão de 6,8 V para uma
dada corrente de teste, digamos, 10 mA.
Quando a corrente se afasta de de IZT, a tensão
do díodo varia, ainda que ligeiramente.
Para uma variação da corrente ∆I, a tensão

varia de ∆V, que se relaciona com ∆I através da
relação:
Resistência incremental ou dinâmica do díodo de Zener
49
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Tipicamente, rz pode ter valores da ordem de alguns ohms a algumas dezenas de

ohms. Quanto menor for o valor de rz mais constante será a tensão do zener face à
variação da corrente, e mais próximo do ideal será o seu desempenho.
rz é pequena e praticamente constante para uma grande gama de correntes, o seu

valor varia consideravelmente na vizinhança do joelho.
Evitar que o zener funcione nesta região de baixa corrente.
Os díodos de Zener são fabricados com tensões VZ na gama de alguns volt a

algumas centenas de volt. Além de especificar VZ (para uma dada corrente IZT), rz, e
IZK, os fabricantes também especificam a potência máxima que o dispositivo pode
dissipar com segurança.
Exemplo.
Um zener de 6,8 V, 0,5 W pode funcionar em segurança com correntes até um
máximo de 70 mA.
50
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Modelização
Aplica-se para IZ > IZK e, obviamente, para VZ > VZ0.
51
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Modelização EXEMPLO
Considere-se o circuito mostrado em (a), em que o zener tem VZ = 6,8 V para

IZ=5mA, rz = 20 Ω e IZK = 0,2 mA. A fonte de alimentação V+ tem o valor nominal de
10 V mas pode variar de ±1 V.
Determine:
a) VO, em vazio, com V+ ao seu valor nominal.
b) A variação em VO, resultante da variação de ±1V em V+. Nota:

(∆
∆VO/∆∆V+) é conhecida por regulação de linha em mV/V.
c) A variação em VO, resultante da ligação da resistência de carga RL,

que conduz uma corrente IL =1mA, e a regulação de carga ((∆
∆VO/∆
∆IL)
em mV/mA.
d) A variação em VO, quando RL = 2kΩ

Ω.
e) VO, quando RL = 0.5kΩ

Ω
f) Qual o valor mínimo de RL para o qual o díodo ainda opera na região
de ruptura?
52
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Modelização EXEMPLO (Cont.) RESOLUÇÃO
a) Cálculo de VZO.
5 mA
6.8 V 20 Ω
VZO = 6.7V
A corrente através do Zener,

em vazio: b) Para uma variação de ±1 V em
V+, a variação na tensão saída é:
Assim,
Regulação de linha
(∆ ∆V+) = 38.5 mV/V

∆VO/∆
53
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
(c) Quando se liga uma resistência de carga que é percorrida por uma corrente de
1 mA, a corrente no Zener decresce desse valor. A correspondente variação da
Tensão no Zener é:
∆V0
∆VO= rz ∆Iz = 20 x (-1m) = - 20 mV Regulação de carga ≡ = −20 mV/mA
∆I L
d) A variação de VO em resultado de se ligar uma resistência de carga RL = 2 kΩ.
Com a carga ligada, a corrente de carga será aproximadamente 6,8/2 k = 3,4

mA. Assim, a variação da corrente do zener será ∆IZ=-3,4 mA e a correspondente
variação na tensão do zener, será:
54
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
e) RL = 0,5 kΩ.
A corrente na carga seria 6,8/0,5 k = 13,6 mA.
Isto não é possível. A corrente I através de R é apenas 6,35 mA (para

V+=10 V). Isto é, o facto de a carga pedir uma corrente superior à que o
circuito pode fornecer, é indicador de que o zener deve estar em corte.
Admitindo que assim é. Então VO é determinada pelo divisor formado
por RL e R, i.e.,
Esta tensão é inferior à tensão de rotura do zener, assim o zener não

está, de facto, a funcionar na região de rotura portanto está em corte.
55
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
f) Valor mínimo de RL para o qual o díodo ainda funciona na região de rotura.
Para que o zener esteja no limiar da região de ruptura, i.e. IZ = IZK = 0,2 mA e VZ
VZK 6,7 V. Neste ponto, a corrente fornecida através de R é (9 - 6,7)/0,5k = 4,6
mA, pelo que a corrente na carga não pode exceder 4,6m-0,2m =4,4 mA. O
correspondente valor de RL é,
56
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Operaç
Efeito da temperatura
A dependência da tensão de Zener VZ com a temperatura é especificada em termos do seu
coeficiente de temperatura TC, que é usualmente expresso em mV/°C.
O valor do TC depende da tensão de Zener e, para um dado díodo, varia com a corrente do
ponto de funcionamento. Os zeners cuja VZ é inferior a cerca de 5 V exibem um TC negativo; os
zeners com tensões superiores têm TC positivo.
Uma técnica habitualmente usada para obter uma referência de tensão com baixo coeficiente
de temperatura é ligar um zener com um TC positivo de cerca de 2 mV/°C em série com um
díodo em condução directa. Uma vez que o díodo em condução directa tem uma queda de
tensão 0,7 V e um TC de cerca de -2 mV/°C, a combinação série dos dois permitirá obter uma
tensão de (VZ+0,7) com um TC aproximadamente nulo.
57
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Uma das aplicações mais importantes dos díodos é no projecto de circuitos

rectificadores. PROJECTO DE FONTES DE ALIMENTAÇ
ALIMENTAÇÃO DC.
DC.
EXEMPLO
Transformador
Díodo Regulador
230 Filtragem Carga
rectificador de tensão
50
1º BLOCO Transformação
Para uma tensão contínua de 5 V é tipicamente necessária uma tensão secundária

de 8 V de valor eficaz.
58
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS RECTIFICADORES Rectificador de meia onda
(a)
(b)
Fig. 3.25
Rectificador de meia-onda
Modelo de aproximação por segmentos lineares Característica de transferência do

Circuito rectificador
59
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
Em muitas aplicações, rD<<R, pelo que a equação (b) pode ser simplificada:
com VD0 = 0,7 ou 0,8 V.
Tensão de saída para uma entrada vS sinusoidal.
60
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
Selecção de díodos para o projecto de rectificadores: dois parâmetros importantes:
Capacidade de condução de
Tensão de pico inversa (PIV)
corrente exigida ao díodo
Tensão máxima inversa que se espera

Corrente máxima que o díodo
que o díodo suporte sem ruptura.
tenha de conduzir.
Determinada pela tensão inversa que
Para o circuito rectificador da fig.3.25a é esperada surgir no díodo.
Quando vS é negativa
o díodo está ao corte e vO é zero
Nota: É conveniente, por prudência, escolher um díodo com uma tensão de ruptura
pelo menos 50% superior à PIV esperada.
61
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
CIRCUITOS RECTIFICADORES Rectificador de onda completa 2º BLOCO
Para uma saída d.c., o rectificador tem de inverter os meios ciclos negativos.
- -
+
-
+ +
Fig. 3.26
Nota: 1) quando a tensão da rede (que alimenta o primário) é positiva, ambos

os sinais designados por vS serão positivos: D1 conduz e D2 está ao corte.
2) Quando a tensão da rede é negativa, ambas as tensões designadas

por vS serão negativas: D1 está ao corte e D2 conduz.
Importante: A corrente flúi sempre no mesmo sentido na resistência R.

vO é unipolar.
62
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
Desprezando o efeito da resistência do díodo rD, a característica de transferência

do rectificador de onda completa, é ilustrada na figura (b) .
- -
+
-
+ +
Fig. 3.26
Determinação da PIV exemplo D1 conduz e D2 está ao corte (ciclos positivos)
A tensão no cátodo de D2 é vO e a do seu ânodo é -vS. A tensão inversa através de

D2 é (vO+vS) a qual estará no seu valor máximo quando vO estiver no seu valor de
pico de (VS - VD) e vS no seu valor de pico de Vs:
PIV = 2 Vs − VD Cerca duas vezes o valor do rectificador de meia onda.
63
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
Alternativa rectificador em ponte
Vantagem: Ausência de ponto médio

no transformador
Desvantagem: Maior número de díodos
Fig. 3.27
Ao longo da parte positiva da tensão de entrada, vS é positiva, pelo que a corrente flúi
através do díodo D1, da resistência R e do díodo D2. Os díodos D3 e D4 estão ao corte.
Ao longo da parte negativa da tensão de entrada, a tensão do secundário vS será

negativa e, assim, -vS será positiva, forçando a corrente a fluir através de D3, R e D4,
enquanto os díodos D1 e D2 estão ao corte. Em ambos os meios ciclos, a corrente flúi
através de R no mesmo sentido e, portanto, vO será sempre positiva, como se indica
na fig. (b).
64
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Alternativa rectificador em ponte
- -
+ +
Determinação da PIV Considere-se o circuito durante os ciclos positivos
A tensão inversa através de D3 pode ser determinada na malha formada por D3, R e
D2, como sendo:
valor máximo de vD3 ocorre para o máximo de

vO e é dada por:
PIV = Vs − 2 VD + VD = Vs − VD
65
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
rectificador em ponte
Vantagem:
O valor do PIV é cerca de metade do valor do rectificador de onda completa com
dois díodos.
Rectificador com um condensador de filtragem - O rectificador de pico
A natureza pulsante da tensão de saída dos circuitos rectificadores atrás

analisados não permite que sejam utilizados como fonte de alimentação para
circuitos electrónicos.
Forma simples de reduzir a variação da tensão de saída:
ligar um condensador em paralelo com a carga: condensador de filtragem.

filtragem
66
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
CIRCUITOS RECTIFICADORES FILTRAGEM
Díodo ideal
O condensador
conserva a carga
Fig. 3.28
67
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Um circuito mais realista corresponde a ter-se uma resistência de carga R em

paralelo com o condensador C.
Díodo ideal
Fig. 3.29
(1)
(Em condução)
(2)
68
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Nota: Afim de manter a tensão de saída a

níveis aceitáveis, C deve ter um valor tal
que a constante de tempo RC seja muito
maior do que o intervalo de descarga.
O díodo começa a conduzir no instante

t1 em que a entrada vI iguala a saída
exponencialmente decrescente vO.
A condução termina em t2, a seguir ao
pico de vI ; o valor exacto de t2 pode ser
determinado fazendo iD = 0 na Eq. 2.
No fim do intervalo de descarga, que
dura quase todo o período T, vO = Vp - Vr,
em que Vr é a ondulação da tensão, pico-
a-pico.
Quando RC >> T o valor de Vr é

pequeno.
69
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Quando Vr é pequeno, vO é praticamente constante e igual ao valor de pico de vI.

Assim, a tensão contínua de saída é aproximadamente igual a Vp.
A corrente iL é praticamente constante e a sua componente contínua IL é dada por:
(3)
Pode obter-se uma expressão mais rigorosa para a tensão contínua de saída,
tomando a média dos valores extremos de vO,
(4)
Tendo em conta estas observações, podemos agora derivar expressões para Vr e

para os valores médio e de pico da corrente no díodo.
Durante o intervalo de corte do díodo, vO pode ser expresso por:
(5)
70
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

No fim do intervalo de descarga,
(6)
Uma vez que RC >> T, podemos usar a aproximação e-T/RC 1 - T/RC.
Ou em função da frequência (7)
IL (8)
Como Vr =
fC
Usando a fig. 3.29(b) e admitindo que a condução do díodo cessa próximo do pico
de vI, podemos determinar o intervalo de condução ∆t a partir de,
Uma vez que (ω∆t) é um ângulo pequeno, podemos empregar a aproximação

cos (ω∆t) 1 - ½ (ω ∆t)2 para obter
(9)
Nota: quando Vr << Vp, o ângulo de condução ω∆t será pequeno.

71
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Valor médio da corrente durante a condução
Relação entre a carga fornecida ao condensador e a carga dispendida no processo de

descarga:
(10) (11)
Da equação (2)
iCav = iDav − I L Usando eq. 7 e 9 (12)
Nota: Quando Vr<<Vp, a corrente média no díodo durante a condução é muito

maior do que a corrente contínua na carga.
72
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

Valor de pico da corrente do díodo
A iDmáx, pode ser determinada calculando a expressão da Eq. 2 no instante de início

da condução do díodo, isto é, para t = t1 = -∆t (considerando que o pico se verifica
para t = 0).
(13)
Das Eqs. (12) e (13) vemos que para Vr << Vp, iDmáx 2 iDav, (ver fig. 3.29c).
73
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS RECTIFICADORES FILTRAGEM EXEMPLO 3.9
Considere um rectificador alimentado por uma onda sinusoidal de valor de pico

VP=100V, 50Hz. Sabendo que o valor da carga é R = 10kΩΩ. Determine:
a) O valor da capacidade C que resulta num ripple (pico-a-pico) de 2V.
b) A fracção do ciclo, durante o qual o díodo está em condução.
c) Os valores médio e de pico da corrente no díodo.
RESOLUÇÃO
VP 100
(a) De C= = = 100 µF
Vr f R 2 x50 x10 x10 − 3
(b) O ângulo de condução é obtido a partir da eq. 9
= 0.2 rad
π) x100 = 3.18% do ciclo.

Assim, o díodo conduz em (0.2/2π
74
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS RECTIFICADORES FILTRAGEM EXEMPLO 3.9 (Cont.)
(c) A corrente média no díodo é obtida através da eq. 12.
Com IL = 100/10k =10 mA
= 324 mA
A corrente de pico no díodo é obtida através da eq. 13.
= 638 mA
Nota:
O circuito da figura 3.29a, é designado por rectificador de pico de meia-onda
Os circuitos rectificadores de onda completa das fig. 3.26(a) e 3.27(a) podem ser
convertidos em rectificadores de pico colocando um condensador em paralelo com a
resistência de carga.
75
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS RECTIFICADORES FILTRAGEM Onda completa
Como no caso do rectificador de meia-onda, a tensão contínua de saída será quase

igual ao valor de pico da sinusóide de entrada.
A tensão de ondulação pico-a-pico, para este caso, pode ser deduzida usando um
procedimento idêntico ao anterior, mas com o período de descarga T substituído
por T/2, obtendo-se:
76
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS RECTIFICADORES FILTRAGEM Onda completa
O intervalo de condução, ∆t, continua a ser dado pela Eq. 9.

As correntes média e de pico de cada um dos díodos são dadas por,
CONCLUSÕES
Comparando estas expressões com as suas correspondentes do caso de meia-onda,
nota-se que, para os mesmos valores de Vp, f, R e Vr (e, assim, para a mesma IL), é
necessário um condensador com metade do valor verificado para o rectificador de
meia-onda. Também a corrente em cada díodo no rectificador de onda completa é
aproximadamente metade da que flúi no díodo do circuito de meia-onda.
A análise anterior admitiu díodos ideais. A precisão dos resultados pode ser
melhorada tendo em conta a queda de tensão dos díodos. Isto pode fazer-se
facilmente substituindo a tensão de pico Vp à qual o condensador se carrega por Vp-VD
para o circuito de meia-onda e para o circuito de onda completa com transformador
com ponto médio, e por Vp - 2VD para o rectificador em ponte.
77
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS LIMITADORES
Característica de transferência de um circuito limitador.
Para tensões de entrada dentro de uma certa

gama L-/K ≤ vI ≤ L+/K, o limitador comporta-se
como um circuito linear, fornecendo uma tensão de
saída proporcional à entrada, vO = K vI.
Limitadores passivos ( K ≤ 1)
Se vI exceder o limiar superior (L+/K), a tensão de saída é limitada ou fixada no

nível superior de limitação L+. Por outro lado, se vI se tornar inferior ao limiar
inferior de limitação (L-/K), a tensão de saída vO é limitada ao nível inferior de
limitação L-.
78
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS LIMITADORES Limitador duplo
O limitador funciona em ambos os picos (positivo e negativo) da onda de entrada
Limitador duro Transições abruptas
Fig. 3.32 Fig. 3.33
79
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS LIMITADORES Limitador duplo
Limitaç
Limitação suave
Caracterizada por transições suaves entre a região linear e as regiões de

saturação, e uma inclinação não nula, maior do que zero, nas regiões de saturação.
Fig. 3.34
80
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS LIMITADORES
Aplicaç
Aplicações
Sistemas de processamento de sinal.
Os díodos podem ser combinados com resistências para implementar realizações

simples da função limitadora.
Fig. 3.35
Para vI < 0,5 V, o díodo está em corte.
Características de transferência, obtidas usando o modelo de queda de tensão

constante (VD = 0,7 V) para o díodo, mas admitindo uma transição suave entre as
regiões linear e de saturação da característica.
81
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS LIMITADORES EXEMPLOS (CONT.)
Usando o modelo de rectas lineares para o díodo, podem obter-se melhores

aproximações para as características de transferência. Neste caso, a região de
saturação das características apresentará uma ligeira inclinação (devido ao efeito de
rD).
Limitação dupla
Para a gama -0,5 V ≤ vI ≤ 0,5 V,

ambos os díodos estão em corte e vO = vI.
Obtenção limiares superiores
82
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC

CIRCUITOS LIMITADORES EXEMPLOS (CONT.)
Obtenç
Obtenção de limiares superiores usando dí
díodos zener
EXERCÍCIO
Assumindo os díodos ideais, represente a
característica de transferência do circuito.
v o = v i para - 5 ≤ v I ≤ + 5
1
vo = v I − 2 . 5 para vI ≤ −5
2
1
v o = v I + 2 . 5 para vI ≥ +5
2
83
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
CIRCUITOS GRAMPEADORES OU RECUPERADORES DC.
Considere-se o circuito rectificador de pico básico, e tome-se a saída aos

terminais do díodo em vez de o fazer aos terminais do condensador.
Fig. 3.36
O condensador carrega-se à tensão vC, igual à amplitude do pico mais negativo do

sinal de entrada (neste exemplo é 6V).
Em seguida, o díodo entra em corte e o condensador retém a sua tensão
indefinidamente.
A tensão de saída é dada por:
A saída será uma onda quadrada com níveis de 0 e +10 V (fig. c).
Invertendo a polaridade do díodo, obtém-se uma forma de onda de saída cujo
pico superior é fixado em 0 V. 84
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
CIRCUITOS GRAMPEADORES OU RECUPERADORES DC.
Ligação de uma resistência de carga R em paralelo com o díodo num circuito

grampeador.
Para uma tensão positiva, circula corrente através de R, proveniente do

condensador, levando, assim, este a descarregar-se e a tensão de saída a decrescer,
como se mostra na fig. c, para uma onda quadrada de entrada.
Fig. 3.37
85
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
CIRCUITOS GRAMPEADORES OU RECUPERADOR DC.
Durante o intervalo de t0 a t1 a tensão de saída diminui exponencialmente com a

constante de tempo RC. No instante t1 a entrada diminui bruscamente de Va e a saída
acompanha essa transição, tornando-se negativa. Como consequência, o díodo
conduz fortemente e carrega o condensador rapidamente pois a constante de tempo
é essencialmente determinada pela baixa resistência do díodo.
No final do intervalo t1 a t2, a tensão de saída é algumas décimas de volts negativa

(p.ex: -0.5V).
Quando a tensão de entrada aumenta para Va, em t2, a saída acompanha essa
variação, repetindo-se o ciclo.
Em regime permanente, a carga perdida pelo condensador durante o intervalo de t0

a t1 é recuperada durante o intervalo de t1 e t2.
86
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
DUPLICADOR DE TENSÃO
A fig. 3.38 mostra um circuito composto de duas secções em cascata: um fixador

formado por C1 e D1, e um rectificador de pico formado por D2 e C2.
Quando submetido a um sinal sinusoidal de amplitude Vp, a secção fixadora

fornece a forma de onda representada na fig. b.
(fig. 3.38)
Uma vez que a tensão de saída é dupla do pico da entrada, o circuito é

conhecido como duplicador de tensão.
tensão
87
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
88
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO FÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores
A junç
junção pn
Contacto metálico Contacto metálico
Silício Silício
Tipo p Tipo n
Ânodo cátodo
Silí
Silício intrí
intrínseco
Um cristal de silício puro ou intrínseco, tem uma estrutura cristalina regular que
consiste na repetição regular em três dimensões de uma célula unitária com a forma
de um tetraedro com um átomo em cada vértice.
O átomo de silício é tetravalente, i.e., quatro dos seus electrões são electrões de
valência. Cada electrão de valência é partilhado por dois átomos vizinhos, de forma
que cada átomo tem, aparentemente, oito electrões na última camada, a de valência.
89
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Os átomos são mantidos nas suas posições por ligações, constituídas por dois
electrões de valência, chamadas ligações covalentes.
Representação simbólica bidimensional

da estrutura.
Para temperaturas baixas
Ausência de electrões livres
Para a temperatura ambiente
Probabilidade de existirem alguns electrões livres Formação par electrão-lacuna
90
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Estes electrões livres e lacunas movem-se aleatoriamente através da estrutura

cristalina do silício e, no desenvolvimento deste processo, alguns electrões podem
preencher algumas lacunas. Este mecanismo, é designado por recombinação. Origina
o desaparecimento de electrões livres e de lacunas.
A concentração de electrões livres n é igual à concentração de lacunas p para um

semicondutor intrínseco (silício).
concentração intrínseca.
2 3 − E g / kT
n = BT e
i
B = parâmetro dependente do material = 5.4x1031.
Eg = banda proibida (eV) =1.12 eV (silício)
K = constante de boltzmann (8.62x10-5eV/K)
91
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores Difusão e deriva
Existem dois mecanismos pelos quais os electrões e as lacunas se movem através

de um cristal de silício - difusão e deriva.
A difusão está associada ao movimento aleatório devido à agitação térmica.
Num cristal de silício intrínseco, com concentrações uniformes de electrões livres

e de lacunas, este movimento aleatório não se traduz num fluxo ordenado de carga
(i.e., corrente).
Caso a concentração de (por exemplo) electrões livres seja maior numa parte do
cristal do que noutra, então os electrões difundir-se-ão da região de maior
concentração para a região de menor concentração. Este processo de difusão dá
origem a um fluxo ordenado de carga, a que chama corrente de difusão.
92
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores Difusão e deriva (Cont
(Cont.)
.)
Exemplo perfil de concentração de lacunas
A intensidade da corrente em cada ponto, é proporcional à inclinação da curva de

concentração, ou gradiente de concentração, nesse ponto. Assim, a densidade de
corrente de difusão de lacunas Jp é dada por:
Dp (m2/s) chama-se constante de difusão de lacunas (12 cm2/s).
Dn (m2/s) chama-se constante de difusão de electrões (34cm2/s).
(3.37) 93
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores Deriva
O outro mecanismo de movimento de portadores nos semicondutores é a deriva. A

deriva de portadores ocorre quando se aplica um campo eléctrico através dum cristal
de silício.
Sob a acção de um campo eléctrico, os electrões livres e as lacunas são acelerados

e adquirem uma componente de velocidade (sobreposta à velocidade da sua
agitação térmica), chamada velocidade de deriva.
Sob acção de um campo de intensidade E (V/m), as lacunas derivam na direcção do

campo e adquirem velocidade dada por
Em que µp (m2/V.s) é designada por mobilidade das lacunas.
Para os electrões,
Em que µn (m2/V.s) é designada por mobilidade dos electrões.

94
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Para silício intrínseco
µp = 480 cm2/V.s µn = 1350 cm2/V.s
Cálculo da densidade de corrente de deriva
Considere-se, agora, um cristal tendo uma densidade de lacunas p e uma densidade

de electrões livres n, sujeito a um campo eléctrico E
Densidade de carga positiva (na direcção do campo) = q p (coulomb/cm3).

Velocidade de deriva = µp E (cm/s)
Num segundo, a carga propagando-se através de uma secção A perpendicular ao

eixo x é q p µp E A (coulomb).
Dividindo pela secção, obtém-se a densidade de corrente.
95
ELECTRÓ
DEEC - FCTUC
PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Os electrões livres derivam na direcção oposta ao campo.
Tem-se, assim, uma carga de densidade (-qn) movendo-se na direcção negativa de

x, com uma velocidade negativa (- µn E ).
Corrente resultante é positiva, com uma densidade
A densidade de corrente de deriva total é ( electrões e lacunas)
com
condutividade do material.
Para um semicondutor intrínseco n = p = ni, a condutividade intrínseca é:
96
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores Semicondutores dopados.
Semicondutores tipo n Portadores maioritários : electrões
Introdução de átomos de impurezas do grupo V (p.ex: fósforo)
Electricamente activos se alojados

na estrutura regular do silício
Se a concentração de átomos dadores

(fósforo) for ND, a concentração de
electrões livres no silício do tipo n, em
equilíbrio térmico, nn0, será:
97
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores Semicondutores dopados.
Em equilíbrio térmico, o produto das concentrações de electrões e lacunas

é constante:
nn0 pn0 = ni2
Semicondutores tipo p Portadores maioritários : lacunas
Introdução de átomos de impurezas do grupo III (p.ex: boro)
Se a concentração de átomos
aceitadores (boro) for NA, a
concentração de lacunas no silício do
tipo p, em equilíbrio térmico, pp0, será:
98
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores A junção pn em circuito aberto
Corrente de difusão ID
Uma vez que a concentração de lacunas

é elevada na região p e baixa na região n,
há lacunas que se difundem através da
junção do lado p para o lado n;
analogamente, difundem-se electrões do
lado n para o lado p.
Estas duas componentes de corrente somam-se constituindo a corrente de difusão

ID, cujo sentido é do lado p para o lado n.
99
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
As lacunas que se difundem através da junção para o lado n, recombinam-se

rapidamente com alguns dos electrões maioritários aí existentes, desaparecendo.
Este processo de recombinação provoca o desaparecimento de alguns electrões

livres do material do tipo n, originando que alguns dos iões positivos deixem de estar
neutralizados pelos electrões livres. Estes iões constituem uma carga que se diz
descoberta. Uma vez que a recombinação se verifica próximo da junção, é neste local
que se constitui uma região desprovida de electrões livres com uma certa carga
positiva, correspondendo aos iões positivos não neutralizados
100
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Os electrões que se difundem através da junção para o lado p recombinam-se

rapidamente com algumas das lacunas maioritárias deste cristal, desaparecendo
assim. Isto leva também ao desaparecimento de algumas lacunas maioritárias,
originando que alguns iões negativos não sejam neutralizados.
Assim, do lado p, junto à junção constitui-se uma região desprovida de lacunas,
com uma certa carga negativa.
Devido à difusão e recombinação, forma-se uma região de ambos os lados da junção esvaziada de
portadores de carga e com carga positiva do lado n e carga negativa do lado p. Esta região
denomina-se região de depleç
depleção,
ão ou ainda região de carga espacial.
101
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
A carga existente em ambos os lados da região de

depleção origina o estabelecimento de um campo
eléctrico através dessa região. Consequentemente,
resulta uma diferença de potencial através da região de
depleção, com o lado n positivo em relação ao lado p.
Este campo eléctrico opõe-se à difusão de lacunas do lado

p para o lado n e de electrões do lado n para o lado p. De
facto, a queda de tensão na região de depleção actua como
uma barreira de potencial que tem de ser vencida pelas
lacunas para se difundirem para o lado n e pelos electrões
para se difundirem para o lado p. Quanto maior for a
barreira de potencial, menor será o número de portadores
que a conseguem vencer e, portanto, menor será a
intensidade da corrente de difusão. Assim, a corrente de
difusão ID depende fortemente da queda de tensão V0
através da região de depleção.
102
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
A corrente de deriva IS e o equilí

equilíbrio
Além da componente ID devida à difusão dos portadores maioritários, existe uma outra
componente de corrente devida à deriva dos portadores minoritários através da junção.
De facto, algumas lacunas geradas termicamente no cristal n difundem-se ao longo dele até
atingirem a região de depleção. Aqui, são acelerados pelo campo eléctrico e introduzidos no lado p.
Analogamente, alguns dos electrões minoritários gerados termicamente no lado p difundem-se até
à região de depleção, onde, acelerados pelo campo eléctrico penetram no lado n.
Estas duas componentes de corrente, electrões movendo-se do lado p para o lado n e lacunas de n
para p, somam-se constituindo a corrente de deriva IS, cujo sentido é do lado n para o lado p da
junção.
Uma vez que a corrente IS é uma corrente de portadores minoritários gerados termicamente, o
seu valor é fortemente dependente da temperatura; contudo, é independente do valor da queda de
tensão na região de depleção, V0.
Com a junção em circuito aberto, não há corrente exterior; assim, as duas componentes opostas de
corrente através da junção devem ser iguais em grandeza:
ID = IS
103
ELECTRÓ
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
Esta condiç
condição de equilí
equilíbrio é mantida pela barreira de potencial V0. Assim, se por qualquer razão
ID exceder IS, então mais carga eléctrica ficará descoberta de ambos os lados da junção, a região
de depleção alargar-se-á, e a sua tensão (V0) aumentará. Isto fará diminuir ID até que se atinja o
equilíbrio com ID = IS. Por outro lado, se IS exceder ID, então a quantidade de carga descoberta
diminuirá, a região de depleção estreitar-se-á e a queda de tensão da barreira diminuirá. Isto faz
ID aumentar até que se atinge o equilíbrio com ID = IS.
A tensão nos terminais
Quando os terminais da junção pn estão em circuito aberto, a tensão medida entre eles é zero.
Isto é, a tensão V0 da região de depleção não aparece nos terminais do díodo. Isto deve-se às
tensões de contacto existentes nas junções metal-semicondutor dos terminais do díodo que
neutralizam exactamente a barreira de potencial. Se assim não fosse, seria possível retirar energia
da junção pn, o que, claramente, viola o princípio da conservação da energia.
104
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Largura da região de depleç

depleção
A região de depleção existe em ambos os materiais p e n e em quantidades de carga iguais de

ambos os lados.
Usualmente os níveis de dopagem dos cristais p e n não são iguais, pelo que a largura da região
de depleção não será igual nos dois lados.
Para que a carga descoberta seja igual, a largura da região de depleção terá de ser maior do lado
com menor concentração.
Designando a largura da região de depleção em p por xp e no lado n por xn, a condição de igual
carga é dada por,
xn N A
qN A x p A = qN D xn A ou = (3.49) A = secção transversa da junção.
xp ND
Na prática, é habitual um lado ser muito menos dopado do que o outro, resultando assim que a
região de depleção exista praticamente em só um dos dois materiais semicondutores.
A largura da região de depleção de uma junção em circuito  2ε  1 1 

aberto Wdep =  s  +  VO (3.50)
 q  N A N D 
εs =permitividade do silício (11.7 εo) 0.1 a 1 µm
105
ELECTRÓ
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores A junção pn inversamente polarizada
Junção pn excitada por uma fonte de

corrente constante, em vez de uma fonte de
tensão constante.
Admitamos que o valor de I é menor do que

IS ; se I for maior do que IS, ocorrerá ruptura.
A corrente I consiste em electrões fluindo no circuito exterior do cristal n para o

cristal p (i.e., no sentido oposto ao de I). Isto implica que electrões saiam do
cristal n e lacunas do cristal p. Os electrões livres que saem do cristal n provocam o
aumento da carga positiva descoberta junto da junção. Analogamente, as lacunas
que saem do material p originam o aumento da carga negativa descoberta.
106
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Assim, a corrente inversa I implica num aumento da largura da região de depleção

e da carga aí armazenada. Isto, por sua vez, provoca o aumento da tensão da região
de depleção, i.e., da barreira de potencial V0, o que faz diminuir a corrente de
difusão ID .
A corrente de deriva IS, como é independente da barreira de potencial, permanece

constante. Finalmente, será atingido o equilíbrio quando,
Em equilíbrio, o aumento da tensão da região de depleção aparecerá como uma

tensão exterior entre os terminais do díodo, positiva de n para p (tensão VR).
107
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Considere-se agora a junção pn submetida a uma tensão inversa V, com V menor
do que a tensão de rotura VZK. No instante em que a tensão V é aplicada, flúi uma
corrente inversa no circuito exterior de p para n, que origina o aumento da largura e
da carga da região de depleção. A certa altura, o aumento da tensão da barreira
atinge o valor da tensão exterior V, instante em que se estabelece o equilíbrio com a
corrente inversa exterior igual a IS - ID. Note-se, contudo, que inicialmente a corrente
exterior pode ser muito maior do que IS. O objectivo deste transitório inicial é
carregar a região de depleção e aumentar a queda de tensão de V volt.
Capacidade de depleç
depleção
Vê-se que há uma analogia entre a região de depleção de uma junção pn e um
condensador. À medida que varia a tensão da junção, varia correspondentemente a
carga armazenada na região de depleção.
108
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Caracterí
Característica da carga versus tensão externa tí
típica de uma junç
junção pn.
pn.
Pode ser deduzida uma expressão para a carga (qJ) armazenada na camada de
depleção, calculando a carga armazenada em qualquer um dos lados da junção.
Usando o lado n,
q J = q N = qN D xn A A = secção transversa da junção
Usando a equação 3.49, xn pode ser representado em termos da largura da camada

de depleção. Assim,
N AND
qJ = q AWdep (3.51)
N A + ND
 2ε  1 1 
Da equação 3.50 e substituindo VO por (VO+VR) Wdep =  s  + (VO + VR ) (3.52)
 q  AN N D 
109
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
Combinando as equações 3.51 e 3.52, extrai-se

a expressão para a relação não-linear qJ – VR .
Pode-se considerar o funcionamento em torno
de um ponto quiescente da curva q-v, tal como
o ponto Q e definir a capacidade de depleção
para pequenos sinais ou incremental Cj como
a inclinação da curva q-v no ponto de
funcionamento, i.e.,
dq J
Cj = VR =VQ
dVR
Para determinar Cj, pode calcular-se a derivada ou tratar a camada de depleção como
um condensador plano, obtendo-se a a familiar formula:
εs A Com Wdep dado pela equação 3.52.

Cj =
Wdep
110
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
A expressão resultante pode ser escrita na seguinte forma:

C j0
Cj = Cj0 é o valor de Cj obtido para uma tensão nula aplicada,
VR
1+
V0  ε q  N A N D  1 
C j 0 = A  s   
 2  A
N + N D  V0 
Uma formula mais geral para Cj é:
C j0 m=constante cujo valor depende do modo como a

Cj = m
 VR  concentração varia do lado p para o lado n da junção. Os
 1 + 
 V0  valores de m variam entre 1/3 e 1/2.
Resumindo, quando se aplica uma tensão inversa a uma junção pn, ocorre um
transitório durante o qual a capacidade de depleção é carregada à nova tensão de
polarização. Após cessar o transitório, a corrente inversa em regime permanente é
simplesmente igual a IS-ID. Em geral, ID é muito pequena quando o díodo está
polarizado inversamente, pelo que a corrente inversa é aproximadamente igual a IS.
111
ELECTRÓ
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FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores A junção pn na região de ruptura
Admita-se que a junção é excitada por uma fonte de corrente que força uma
corrente I maior do que IS no sentido inverso.
Esta fonte de corrente fará deslocar,

através do circuito exterior, lacunas do
cristal p para o cristal n (a corrente no
circuito exterior é, obviamente, apenas
constituída por electrões) e electrões do
cristal n para o cristal p.
Esta acção alarga a região de depleção e aumenta a barreira de potencial, o que faz
diminuir a corrente de difusão que, a certa altura, praticamente se anula. Isto,
contudo, não é suficiente para que se estabeleça um regime permanente, uma vez
que I é maior do que IS. Assim, o processo de alargamento da região de depleção
continua até que se desenvolve uma tensão na junção suficientemente elevada, para
a qual tem lugar um novo mecanismo de fornecimento dos portadores de carga
necessários para garantir a corrente I.
112
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
Este mecanismo de fornecimento de corrente inversa superior a IS pode tomar

uma de duas formas, dependendo do material, estrutura e outras características da
junção pn: efeito de Zener e o efeito de avalanche .
Se a junção pn entra em rotura com VZ < 5 V, o mecanismo de rotura é usualmente

o efeito de Zener. A rotura por avalanche ocorre quando VZ é maior do que cerca de 7
. entram em rotura entre 5 e 7 V, o mecanismo pode ser quer o
V. Para junções que
efeito de Zener, quer o de avalanche, ou uma combinação dos dois.
O efeito de Zener ocorre quando o campo eléctrico na região de depleção atinge o

valor que permite quebrar ligações covalentes (cerca de 106 V/cm, para o silício),
gerando, desta forma, pares electrão-lacuna. Os electrões assim gerados são
varridos pelo campo eléctrico para o lado n, e as lacunas para o lado p.
Consequentemente, estes electrões e lacunas constituem uma corrente inversa
através da junção que contribui para a corrente exterior I.
113
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
Conceitos bá
Uma vez iniciado o efeito de Zener,

Zener pode gerar-se um grande número de
portadores, com um aumento desprezável da tensão da junção. Assim, a corrente
inversa na região de rotura é determinada pelo circuito exterior, enquanto a tensão
inversa aos terminais do díodo permanece próxima do valor da tensão de rotura VZ.
O efeito de avalanche ocorre quando os portadores minoritários que atravessam a

barreira sob a influência do campo eléctrico ganham energia cinética suficiente para
quebrar ligações covalentes nos átomos com os quais colidem. Os portadores
libertados por este processo são acelerados e podem também ganhar suficiente
energia para, por sua vez, libertarem mais portadores nas colisões subsequentes.
Este processo tem o carácter de uma avalanche, gerando assim portadores em

número suficiente para viabilizarem qualquer valor da corrente inversa, com uma
variação desprezável da queda de tensão na junção.
Como já foi referido atrás, a rotura de uma junção pn não é um processo destrutivo,
desde que a potência máxima de dissipação não seja excedida. Este valor, por sua
vez, implica a existência de um valor máximo da corrente inversa.
114
ELECTRÓ
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PRINCÍ
FÍSICO DOS DÍ
DÍODOS
EXERCÍCIO
3. Determine a resistividade.
3a. Do silício intrínseco.
3b. Do silício tipo N com ND=1016/cm3.
Use ni=1.5x1010/cm3; µn=1350cm2/V.s e µp=480cm2/V.s. Considere, ainda,
uma redução da mobilidade de 80% para o caso do silício dopado.
3c. Considere uma junção pn, na qual se verifica que a região n possui uma
concentração 10 vezes superior à região p. Em qual das regiões a região de
depleção é maior? Qual é a relação?
Solução: a) ρ = 2276.8 Ω.m (q=1.6 x10-19 C)
b) 5.79 mΩ
Ω.m
115
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
básicos sobre semicondutores A junção pn com polarização directa
Os electrões que constituem a corrente I no

circuito exterior, deslocam-se do lado p para o
lado n.
Provocam a extracção de electrões da região

p e de lacunas da região n (ou injecção de
electrões, se quisermos).
Esta acção origina um gradiente de concentração de portadores maioritários em

ambos os lados, logo uma corrente de difusão, que se traduz num afluxo de
lacunas à região de depleção do lado p, e de electrões do lado n.
Este afluxo de portadores maioritários vai neutralizar parte dos iões da região de
depleção, diminuindo a quantidade de carga aí armazenada e, consequentemente,
diminuindo a sua largura, bem como a barreira de potencial.
116
ELECTRÓ
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
A redução da barreira de potencial permite que mais lacunas atravessem a barreira

do lado p para o lado n, e electrões do lado n para o lado p. Assim, a corrente de
difusão ID aumenta até se atingir o equilíbrio com ID - IS = I.
Examine-se agora mais de perto o fluxo de corrente através da junção

directamente polarizada, em regime permanente. A barreira de potencial é menor de
que V0 de uma quantidade V que aparece aos terminais do díodo como uma queda de
tensão directa (i.e., com o ânodo positivo relativamente ao cátodo de V volt). Devido
à diminuição da barreira de potencial ou, alternativamente, devido à queda de
tensão directa V, são injectadas lacunas através da junção no lado n e são injectados
electrões no lado p.
As lacunas injectadas na região n, fazem com que a concentração de portadores

minoritários nessa região, pn, exceda o valor de equilíbrio térmico, pn0. A
concentração em excesso pn - pn0 será máxima junto da fronteira da região de
depleção e decrescerá (exponencialmente) com a distância, tendendo para zero.
117
ELECTRÓ
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
Distribuiç
Distribuição de portadores minoritá
minoritários numa junç
junção pn com polarizaç
Em regime permanente, o perfil da

concentração de portadores minoritários
em excesso permanece constante e é, de
facto, esta distribuição que justifica o
aumento da corrente de difusão ID
relativamente ao valor IS. Na verdade, a
distribuição mostrada origina que as
lacunas minoritárias injectadas se
difundam a partir da junção ao longo da
região n e desaparecendo gradualmente
por recombinação. Para manter o
equilíbrio, é necessário que o circuito
exterior forneça uma quantidade igual de
Fig. 3.50
electrões, i.e., repondo a concentração
global de electrões no lado n.
118
ELECTRÓ
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
Considerações semelhantes podem fazer-se para os electrões minoritários no lado

p. A corrente de difusão ID é, evidentemente, a soma das componentes de lacunas e
de electrões.
Relaç
Relação corrente-
corrente-tensão
Relação entre a concentração de portadores minoritários na vizinhança da região de

depleção e a tensão de polarização directa V.
Lei da junção pn ( xn ) = pno eV / VT (3.58)
A distribuição de concentração de lacunas em excesso na região n, é uma função

exponencialmente decrescente da distância:
− ( x − xn ) / L p
pn ( x) = pno + [ pn ( xn ) − pno ] e (3.59)
119
ELECTRÓ
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PRINCÍ
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DÍODOS
Conceitos bá
− ( x − xn ) / L p
pn ( x) = pno + [ pn ( xn ) − pno ] e
Lp = constante: determina a inclinação do decaimento exponencial.
Designada por comprimento de difusão das lacunas em silício tipo n
Quanto menor for Lp, mais rápida é a recombinação das lacunas com os electrões
maioritários, resultando num decaimento acentuado da concentração de portadores
minoritários.
Lp é relacionado com um outro parâmetro do semicondutor designado por tempo

de vida do portador minoritário em excesso τp.
τp = tempo médio necessário para que uma lacuna injectada se recombine com um
electrão (maioritário).
L p = D pτ p (3.60)
Valores típicos para Lp : 1 µm – 100 µm Valores típicos para τp : 1ns – 10 µs

120
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
A difusão das lacunas na região n, dá origem a uma corrente (lacunas), cuja

densidade pode ser calculada usando equações 3.37 e 3.59.
Dp − ( x − xn ) / L p O valor mais elevado de Jp verifica-se para x=xn

Jp = q pno (eV / VT − 1) e
Lp
Decaimento devido à recombinação com os electrões.
Em regime permanente, os portadores maioritários terão de ser re-preenchidos.
Os electrões são fornecidos a partir do circuito externo para a região n, a uma

taxa que conserve a corrente no valor constante verificado para x=xn.
Assim,
Dp (3.61)
Jp = q pno (eV / VT − 1)
Lp
121
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
Para os electrões injectados através da junção não região p, a densidade de

corrente de electrões é:
Dn
Jn = q n po (eV / VT − 1) (3.62)
Ln
Ln é o comprimento de difusão dos electrões na região p.
Corrente total : soma das densidades de corrente Jp e Jn, multiplicada pela secção
transversa da junção.
 qD p pno qDn n po  V / V  Dp Dn  V / VT
I = A +  (e T − 1) ou I = Aqn2 + (e − 1) (3.63)
 L Ln 
iL N L N 
 p  p D n A 
com
ni2 e ni2
pno = n po =
ND NA
122
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
A equação (3.63) traduz a equação do díodo em que a corrente de saturação IS é

dada por
 Dp Dn 
I S = Aqni2  +
L N 
 p D Ln N A 
IS é directamente proporcional à área da junção A.

IS é directamente proporcional a ni2 o qual é função da temperatura.
Capacidade de difusão
Em regime permanente, uma certa quantidade de portadores minoritários é
armazenada em cada uma das regiões p e n.
Se a tensão aos terminais variar, esta carga vai variar até se atingir novo
regime permanente.
123
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
Esta carga armazenada, dá origem a um novo efeito capacitivo, diferente do

verificado devido à carga armazenada na região de depleção.
A carga positiva (lacunas) em excesso na região n pode ser calculada a partir da

área sombreada (exponencial) da figura 3.50.
Qp= A q x ( área sombreada da exponencial pn(x)).

= A q x [pn(xn) - pno] Lp
Usando as equações 3.58 e 3.61, permite representar
L2p
Qp = Ip
Dp
onde Ip = AJp, é a corrente de lacunas através da junção.
Usando a equação 3.60, pode-se substituir Lp2/Dp = τp e obter
Qp = τ p I p (3.65)
124
ELECTRÓ
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DÍODOS
Conceitos bá
A carga negativa (electrões) armazenada na região p, é representada de modo

semelhante:
Qn = τ n I n (3.66)
τn é o tempo de vida do electrão na região p.
Carga total
Q = τ pI p +τ nIn ou Q = τT I Com I = I p + In
τT = é designado por tempo de propagação médio do díodo.
Se NA >> ND I p >> I n , I ≈ I p , Q p >> Qn , Q ≈ Q p e τ T ≈ τ p
Para pequenas variações em torno do ponto de operação, pode ser definida a

capacidade de difusão para pequenos sinais (Cd).
dQ τ 
Cd = A qual pode ser representada por Cd =  T  I
dV  VT 
125
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ELECTRÓ
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127
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DÍODOS
Conceitos bá
Exercício 3.34
Um díodo possui uma concentração NA=1017/cm3, ND=1016/cm3, ni =1.5x1010/cm3, Lp=5 µm, Ln=
10 µm, A=2500 µm2, Dp (na região n) =10 cm2/V.s; e Dn (na região p) =18 cm2/V.s. O díodo é
directamente polarizado e conduz uma corrente I=0.1 mA.
Determine:
a) IS.
b) A tensão de polarização directa.
c) As componentes da corrente I, devido à injecção de lacunas e à injecção de electrões

através da junção.
d) τp e τn.
e) A carga (lacunas) na região n Qp; a carga (electrões) na região p Qn; a carga total
minoritária armazenada Q e o tempo de propagação τT.
f) A capacidade de difusão.
Resposta: (a) 2x10-15 A; (b) 0.616 V; (c) 91.7 µA, 8.3 µA; (d) 25 ns, 55.6 ns; (e) 2.29 pC, 0.46 pC,
2.75 pC, 27.5 ns; (f) 110 pF.
128
ELECTRÓ
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DÍODOS
EXERCÍCIO
3. Considere uma junção de 3µ

µm x 5µ
µm, directamente polarizada, com
NA=1017/cm3, ND=1016/cm3, e ni=1.5x1010 /cm3 em que se verificam tempos de
vida τp= 1ns e τn = 2ns, com mobilidades de lacunas e electrões de 400 cm2/V.s e
1100 cm2/V.s, respectivamente. Determine:
3a. Is.
3b. As correntes transportadas pelas lacunas e electrões, admitindo que o díodo
conduz uma corrente de 1 mA.
3c. A carga armazenada devido aos portadores minoritários.
3d. O tempo de propagação médio do díodo.
129
ELECTRÓ

Cap3 S&S

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DEEC - FCTUC

(SEDRA & SMITH)

de rectificadores (que convertem corrente alternada em

corrente contínua) é a mais comum.

Será estudado o princípio de funcionamento físico da junção pn. Além de ser um

Fig.1 Característica i-v

Aplicação de uma tensão negativa

Circuito aberto Díodo directamente polarizado

figura 2a Díodo em condução figura 2b

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

Para o circuito da figura 3a, represente a característica de transferência vo versus vI..

Para o circuito da figura 3a, represente a forma de onda para vD..

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

Resposta: 10 mA; 3.18 V.

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES DÍODO RECTIFICADOR

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES PORTAS LÓGICAS COM DÍODOS (CONT.)

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS

Assumindo que os diodos são ideais, calcule os valores de I e V nos

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS

1a suposição: D1 e D2 estão em condução

Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)

Adoptando o mesmo procedimento para a figura 6b

1a suposição: D1 e D2 estão em condução.

Aplicando, agora, a lei dos nós a B, vem:

Nova suposição: D1 está ao corte e D2 está em condução

O DÍODO IDEAL APLICAÇÃO SIMPLES EXEMPLOS (CONT.)

Determine os valores de I e V nos circuitos a seguir.

a) 2 mA, 0 V; b) 0 mA; 5 V; c) 0 mA, 5 V

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

O estudo seguinte refere-se às características dos díodos reais - especificamente, díodos de

Característica i-v de um díodo de junção de silício.

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Três regiões distintas:

1. A região de polarização directa, determinada por v > 0

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

A tensão terminal v é positiva.

Para díodos de pequenos sinais (aplicações de baixa potência): IS ≈ 10– 15 A

IS : varia fortemente em função da temperatura. (IS duplica de valor a cada

T: temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em oC.

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Para correntes directas de valor apreciável, especificamente para i >> IS:

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Isto sugere que a relação i-v do díodo é mais adequadamente representada em

Usando o eixo vertical, linear, para v, e o horizontal, logarítmico, para i, obtém-se

A simples observação da característica i-v na região directa (fig. 7) revela que a

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Díodo directamente polarizado em “condução total”:queda de tensão entre 0.6 e

É usual utilizar 0.7V em modelos de díodos (de silício).

Díodos de pequenos sinais: 0.7V para i = 1mA

Diodos de alta potência: 0.7V para i = 1A.

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Um díodo de silício de 1mA possui uma queda de tensão directa de

(b) O díodo conduzindo 1A com 0,7V, corresponde a 1000 díodos de 1mA em

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

IS e VT variam com a temperatura ⇒ a característica i-v directa varia,

Para uma corrente constante no díodo, a queda de tensão aos seus

A variação na tensão no díodo tem

O DÍODO REAL Características terminais dos díodos de junção

Entra-se na região de polarização inversa quando a tensão v é negativa.