Eletrónica

4 – Transístor de Junção
Bipolar (TJB ou BJT)
 Semicondutores:
Formação dos elementos tipo N e P
Num semicondutor extrínseco do tipo N os eletrões estão em
maioria, designando-se por portadores maioritários da corrente
elétrica. As lacunas (que são a ausência de um eletrão), por sua
vez, estão em minoria e designam-se por portadores minoritários
da corrente elétrica.
Nos Semicondutores do Tipo N, a
corrente é constituída pelo movimento
de eletrões dos átomos das impurezas
no cristal.

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 Semicondutores:
Formação dos elementos tipo N e P
Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão em
maioria designando-se por portadores maioritários da corrente
elétrica. Os eletrões, por sua vez, estão em minoria e designam-
se por portadores minoritários da corrente elétrica.

Nos Semicondutores do Tipo P, a corrente é

constituída pelo movimento das lacunas de
eletrões dos átomos das impurezas.

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A Junção p-n
• Junção p-n
• É uma aproximação do díodo real.
• Constituída pela junção de dois materiais semicondutores,
tipo-p e tipo-n.

p n

Semicondutor Semicondutor
tipo-p tipo-n

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O Diodo de Junção
O diodo de junção é essencialmente uma junção PN na qual
foram adicionados os terminais e feito um encapsulamento
adequado
 Transístores

Os transístores são dispositivos semicondutores de três

terminais. Estes podem ser utilizados em muitas aplicações
como sendo: amplificação de sinal, projeto de circuitos
lógicos e de memória.

O princípio básico envolvido nestes dispositivos é a utilização

da tensão entre dois terminais para controlar a corrente que
flui no terceiro terminal.

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 Transístores

Transístores de Junção Bipolar

(TJB)
(Bipolar Junction Transistor –
BJT)
Dois tipos de dispositivos
semicondutores de 3
terminais
Transístores de Efeito de
Campo (TEC)
(Field Effect Transístor – FET)

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 Transístores - TJB

O transístor tem os seguintes elementos:

- Emissor -> que emite os eletrões ou buracos
- Base -> controla a emissão de eletrões ou buracos
- Coletor - > que recolhe os eletrões ou buracos

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 Transístores - TJB

Estrutura simplificada de um TJB: O TJB NPN é

constituído por 3 regiões com diferentes
semicondutores:
-A região do Emissor (tipo N)
- A região da Base (tipo P)
- A região do colector (tipo N)

EB CB

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 Transístores - TJB

Estrutura simplificada de um TJB PNP

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20/04/2018 14
 Operação no modo activo de um
TJB NPN

São usadas duas fontes externas responsáveis por estabelecer as condições de polarização que são requeridas
(ver Tabela) para o funcionamento no modo activo:

-A fonte VBE : impõe à base do tipo P um potencial mais elevado do que o do emissor do tipo N -> polarização
directa para JEB

-A fonte VCB : impõe à base do tipo P um potencial mais baixo do que o do colector do tipo N -> polarização
inversa para JCB
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 Operação dos TJB

Dependendo da condição de polarização (directa ou inversa) de

cada uma das junções (JEB, JCB), obtêm-se diferentes modos de
funcionamento do transístor:

Polarização Modo de Funcionamento Aplicação típica

Junção BE Junção CB
Inversa Inversa Corte Circuitos digitais e
Direta Direta Saturação conversores de potência

Direta Inversa Zona ativa Circuitos analógicos

Inversa Direta Zona ativa inversa Circuitos lógicos TTL

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 Operação de um TJB NPN

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 Operação de um TJB NPN

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 TJB NPN Activo A Corrente de Colector

vBE
IC  I S e VT

Logo
I
IB  C


A Corrente de Base

IS
IB  evBE VT

Is – Corrente de saturação
VT – Tensão Térmica
A Corrente de Emissor

I E  I B  IC
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 TJB NPN Activo

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 Tipos de Montagem

EC

BC

CC

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 Exemplo de aplicação

EC

NOR GATE

A B Vout
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

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ZAD

SAT