Transístor bipolar 

O termo Transístor resulta da aglutinação dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistência de transferência).
O termo bipolar refere-se ao facto dos portadores electrões e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente.
História
Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo
componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo
de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material
semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O dispositivo recebeu o nome
de TRANSÍSTOR.
O impacto do transístor, na electrónica, foi grande, já que a sua capacidade de amplificar sinais
eléctricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia,
substituísse as válvulas na maioria das aplicações electrónicas. O transístor contribuiu para todas as
invenções relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrônicos e microprocessadores.
Praticamente todos os equipamentos electrónicos projectados hoje em dia usam componentes
semicondutores.

As vantagens sobre as difundidas válvulas eram bastantes significativas, tais como:
Menor tamanho

Muito mais leve

Não precisava de filamento

Mais resistente

Mais eficiente, pois dissipa menos potência

Não necessita de tempo de aquecimento

Menores tensões de alimentação.

Hoje em dia as válvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicações e devido ao romantismo de

alguns usuários.

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Constituição
Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas
junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material
semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por Emissor
(E), Base (B) e Colector (C).

Altamente Menos Menos

Camada Altamente Camada
dopado dopado que dopado que
mais fina dopado mais fina
o Emissor e o Emissor e
e menos e menos
mais dopado mais dopado
dopada dopada
que a Base que a Base

N – Material semicondutor com excesso de electrões livres

P – Material semicondutor com excesso de lacunas

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Junções PN internas e símbolos

Junção PN Junção PN Junção PN Junção PN

base - emissor base - colector base - emissor base - colector

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Principio de funcionamento
Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na
Base uma corrente mínima (VBE ≥ 0,7 Volt), caso contrário não haverá
passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.

O transístor não conduz

IB = 0 (está ao corte)

Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e

pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector.

Uma pequena corrente …origina uma grande corrente

entre a base e o emissor… entre o emissor e o colector

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Utilização

O transístor bipolar pode ser utilizado:

 como interruptor electrónico.

 na amplificação de sinais.
 como oscilador.

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 Polarização
Para o transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC.

Para o transístor estar correctamente polarizado a junção PN base – emissor deve

ser polarizada directamente e a junção base – colector deve ser polarizada
inversamente.

Regra prática:
O Emissor é polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base é polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Colector é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui.

Emissor Base Colector Emissor Base Colector

P N P N P N
+ - - - + +

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Polarização
Emissor Base Colector Emissor Base Colector

P N P N P N
+ - - - + +
_ +
Rc Rc

Rb – Resistência de polarização de base

Rb Rb
Rc – Resistência de colector ou resistência de carga

+ _

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Representação de tensões e correntes
VCE – Tensão colector - emissor
VBE – Tensão base – emissor
VCB – Tensão colector - base

IC – Corrente de colector
IB – Corrente de base
IE – Corrente de emissor

VRE – Tensão na resistência de emissor

VRC – Tensão na resistência de colector

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Tensões e correntes

Aplicando as leis de Kirchoff obtemos:

IE = I C + I B
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC

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Relação das correntes
+

Rc
Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte relação
Rb das correntes num transístor bipolar
IC
IB

IE = IC + IB

IE

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 Funcionamento
Polarizando directamente a junção base-emissor e inversamente a junção base-coletor, a corrente de
colector IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

•Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e vice-versa.

•A corrente de base sendo bem menor que a corrente de colector, uma pequena variação de IB
provoca uma grande variação de IC, Isto significa que a variação de corrente de colector é um reflexo
amplificado da variação da corrente na base.
•O facto do transístor possibilitar a amplificação de um sinal faz com que ele seja considerado um
dispositivo amplificador.
Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela
relação entre a variação de corrente do colector e a variação da corrente de base , isto é:

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 Características técnicas
Utilizando o código alfanumérico do transístor podem-se obter as suas
características técnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do
fabricante.
IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se
este parâmetro for excedido o componente poderá queimar.
VCEO Tensão máxima colector – emissor com a base aberta.
VCBO Tensão máxima colector – base com o emissor aberto.
VEBO Tensão máxima emissor – base com o colector aberto.
hFE ou  Ganho ou factor de amplificação do transístor.
hFE = IC : IB
Pd Potência máxima de dissipação.
fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor
é 1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente).

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Substituição de transístores por
equivalentes
 Num circuito não se pode substituir um transístor de
silício por um de germânio ou vice – versa.

 Também não se pode trocar directamente um transístor

NPN por um PNP ou vice – versa.

 A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do código

alfanumérico indica sempre aperfeiçoamentos ou
melhorias em pelo menos um dos parâmetros, limites ou
características do transístor.
Exemplo: O BC548A substitui o BC548.
O BC548A não substitui o BC548B

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Dissipadores de calor
O uso de
dissipadores ou
radiadores
externos de calor
são quase que
obrigatórios nos
transístores que
trabalham com
potências
elevadas de modo
a evitar o
sobreaquecimento
do componente e
a sua possível
destruição.

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Classificação dos Transístores

Os primeiros transístores eram dispositivos simples destinados a

operarem apenas com correntes de baixa intensidade, sendo,
portanto, quase todos iguais nas principais características. Com o
passar dos anos, ocorreram muitos aperfeiçoamentos nos processos
de fabricação que levaram os fabricantes a produzirem transístores
capazes de operar não só com pequenas correntes mas também com
correntes elevadas, o mesmo acontecendo com às tensões e até
mesmo com a velocidade.
O estudo das características principais é efectuado por famílias
(grupo de transístores com características semelhantes), que são:

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Classificação (cont.)
Pequenos Sinais

Baixas Frequências

Uso Geral Correntes IC entre 20 e 500mA

Tensão máxima entre 10 e 80 V

Frequência de transição entre 1 Hz e 200 MHz

Correntes elevadas

Potência Baixas frequências

Correntes IC inferior a 15A

Frequência de transição entre 100 kHz e 40 MHz

Uso de radiadores de calor

Pequenos sinais

RF Frequência elevada

Correntes IC inferior a 200mA

Tensão máxima entre 10 e 30V;

Frequência de transição em 1,5 GHz

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Configurações Básicas
Os transístores podem ser utilizados em três configurações básicas:
Base Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum
(CC). O termo comum significa que o terminal é comum a entrada e
a saída do circuito.

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