INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO

Universidade Técnica de Lisboa

Teoria dos Circuitos e Fundamentos

de Electrónica

Transistores Bipolares de Junção

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Universidade Técnica de Lisboa

Díodo de Junção PN

Tipo P Tipo N

n(x)
p(x) nno
ppo
Zona deplecta de
Portadores móveis

npo pno
x
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Díodo de Junção PN
Sendo a junção PN polarizada directamente os portadores de carga
difundem-se do lado onde são maiorias para o lado em que são minorias.

Tipo P Tipo N

n(x)
p(x) nno
ppo

npo pno
x
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Díodo de Junção PN

Tipo P Tipo N

n(x)
p(x) nno
ppo
Zona deplecta de
Portadores móveis

npo pno
x
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Díodo de Junção PN
Sendo a junção PN polarizada inversamente os portadores de carga
maioritários afastam-se da zona de deplecção.

Tipo P Tipo N

n(x)
p(x) nno
ppo

npo pno
x
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Transistor NPN
Tipo N Tipo P Tipo N

EMISSOR BASE COLECTOR

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Transistor PNP
Tipo P Tipo N Tipo P

EMISSOR BASE COLECTOR

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Transistor PNP
Tipo P Tipo N Tipo P

IE IC
IB
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Símbolo do transistor PNP

IE IC

IB O transistor está
polarizado na
ZONA ACTIVA DIRECTA

VEB VBC
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Símbolo do transistor NPN

IE IC

IB O transistor está
polarizado na
ZONA ACTIVA DIRECTA

VBE VCB
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Zonas de funcionamento dos transistores

bipolares

• Zona Activa Directa, quando a junção

emissora está polarizada directamente e a junção
colectora polarizada inversamente.
• Zona Activa Inversa, quando a junção
emissora está polarizada inversamente e a junção
colectora polarizada directamente.
• Zona de Saturação, quando as duas junções
estão polarizadas directamente.
• Zona de Corte, quando as duas junções estão
polarizadas inversamente.
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Modelo para o tansistor

IE IC IE IC=FIE

IB IB

VEB VBC VEB VBC

IC F IE F
F   
I B I E   F I E   F
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Modelo para o tansistor

VBC IC VBC IC=FIB

IB
IB

VEB IE VEB IE
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Montagem usual (Emissor comum)

Transistor PNP

RC

IC VCC
RB IB
VCE
VBB VEB
IE
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Montagem usual (Emissor comum)

Transistor NPN

RC

IC VCC
RB IB
VCE
VBB VBE
IE
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Características de emissor comum

iC
VCC
RL 0,5
0,4
0,3
0,2
IB=0,1 mA

VCC vCE