ÍNDICE

Pág.
Cap. 3. Transístor bipolar de junções ................................................................................ 3.1

3.1 Introdução ...................................................................................................................... 3.1

3.2 Simbologia. Zonas de funcionamento .......................................................................... 3.2

3.3 Transistor com polarização constante. Equações de Ebers-Moll ............................. 3.3

3.4 Montagem de emissor comum .................................................................................... 3.12

3.4.1 Características de saída ............................................................................................ 3.12

3.4.2 Características de entrada ....................................................................................... 3.14

3.5 Transistor em regime variável. ................................................................................... 3.15

3.6 Transistor bipolar de heterojunções .......................................................................... 3.22

3.7 Fototransistores ........................................................................................................... 3.23

3.7.1 Tratamento qualitativo ............................................................................................ 3.23

3.7.2 Tratamento quantitativo .......................................................................................... 3.24

Capítulo 3. Transístor bipolar de junções

3.1 Introdução

O transístor bipolar de junções é constituído por um cristal semicondutor com duas junções pn
suficientemente próximas para poderem interactuar (Fig.3.1).

p n p
Impurezas aceitadoras

Impurezas dadoras
E C
Contactos metálicos

- Fig.3.1 -
Representação esquemática de um transístor bipolar de junções

A zona intermédia designa-se por base e as zonas extremas designam-se por emissor e
colector. Conforme o tipo de impurezas de substituição de cada uma das zonas, os transístores
designam-se por pnp ou npn. Devido às dimensões em jogo, a baixa resistência apresentada
por uma junção polarizada directamente pode ser transferida para a outra junção. Assim, uma
junção inversamente polarizada pode estar associada a uma corrente elevada mesmo sem estar
em disrupção, se a outra junção estiver polarizada directamente. É esta transferência de
resistência que está na base do funcionamento do transístor bipolar e que é referida no
acrónimo transístor (TRANSfer resISTOR).

Na Fig.3.2 está esquematizado o processo planar de fabrico de transístores. Considera-se, por

exemplo, um semicondutor de tipo p, onde se abre uma janela na camada de isolante que
cobre uma das faces, usando processos fotolitográficos. O cristal é depois submetido, num
ambiente a elevadas temperaturas, a uma atmosfera de um elemento que se comporte como
dador. Deste modo cria-se por difusão uma camada de tipo n sobre a camada inicial de tipo p
(Fig.3.2(a)). A janela é de novo isolada, remove-se selectivamente o óxido e submete-se o
cristal a uma atmosfera aceitadora. Cria-se nova região de tipo p sobre a região n (Fig.3.2(b)).
Finalmente é removido o óxido, estabelecendo-se os acessos com todas as zonas criadas para
se formarem os contactos metálicos (Fig.3.2(c)).

- 3.1 -
 ND NA

n p p
n n

p p p

(a) (b) (c)

- Fig.3.2 -
Processo planar de fabrico de transístores bipolares de junção.

3.2 Simbologia. Zonas de funcionamento

Os símbolos usados para os transístores estão representados na Fig.3.3. O terminal do emissor

apresenta uma seta cujo sentido corresponde ao sentido da corrente quando a junção emissora
está polarizada directamente (para dentro no pnp, para fora no npn).

IE IC
E C

x A – área transversal UE UC
IB
B
IE IC (a)
p n p
E C
IE IC
E C

UE IB UC
B UE IB UC

B
(b
- Fig.3.3 -
Simbologia e sentidos de referência
(a) pnp (b) npn

As junções de um transístor bipolar designam-se por junção emissor-base ou, simplesmente

junção emissora, e junção base-colector ou, simplesmente junção colectora. Se as duas
junções estão polarizadas inversamente, as correntes nos três terminais são desprezáveis e o
transístor diz-se ao corte. Se as duas junções estão directamente polarizadas, as tensões UEB,
UCB (e portanto, UCE) são desprezáveis, e o transístor diz-se na saturação. Se uma das junções
está directamente polarizada e a outra inversamente polarizada, o transístor diz-se na zona

- 3.2 -
activa. A zona activa é directa se a junção directamente polarizada é a junção emissora. Se é a
junção colectora que está polarizada directamente, a zona de funcionamento diz-se activa
inversa. Esta não é geralmente utilizada. Em circuitos digitais está-se geralmente interessado
em níveis de tensão ora elevados ora baixos, para se definirem os valores lógicos “1” e “0”.
Para tal, os transístores funcionam no corte (nível elevado de tensão) ou na saturação (nível
baixo de tensão). Por outro lado, em aplicações analógicas geralmente pretende-se à saída do
circuito uma tensão que seja uma réplica amplificada do sinal à entrada. O sistema deve ser
linear. Polariza-se o transistor na zona activa directa.

3.3 Transistor com polarização constante. Equações de Ebers-Moll.

Sendo as tensões e as correntes grandezas dirigidas, começamos por definir os sentidos que
tomaremos como positivos nas equações. Estão representados na Fig.3.3. Como hipóteses
simplificativas admitimos que o dispositivo é unidimensional, isto é, admitimos que todas as
grandezas dependem apenas da coordenada x e a movimentação de portadores é apenas nessa
direcção. Trata-se manifestamente de uma aproximação, uma vez que se tem I B ≠ 0. É,
contudo, uma aproximação razoável, já que na maioria das aplicações a corrente de base é
bastante inferior às correntes de emissor e de colector. Em regime estacionário tomaremos
como válidas as relações que foram deduzidas no capítulo 2 para a junção pn. Desprezando a
geração e a recombinação na região de transição de cada uma das junções, as correntes serão
condicionadas pela difusão dos portadores minoritários nas respectivas zonas neutras. Tal
como a junção pn, os transístores pnp ou npn são exemplos de dispositivos bipolares uma vez
que a corrente depende de dois tipos de portadores. No cálculo das relações entre correntes e
tensões em regime estacionário adopta-se um procedimento idêntico ao que foi tomado para a
junção pn. Nos limites das regiões de transição, os portadores de minoria têm valores que
dependem exponencialmente das tensões aplicadas à respectiva junção. O seu andamento na
região neutra, onde constituem portadores minoritários, é dado pela solução da equação da
continuidade correspondente a um cristal semi-infinito, quando consideramos as zonas neutras
do emissor e do colector, ou a um cristal finito e curto, quando consideramos a zona neutra da
base. As correntes são de difusão e portanto relacionadas com os gradientes dessas
concentrações. A densidade de corrente em cada junção é calculada admitindo que não existe
geração nem recombinação na zona de transição respectiva, ou seja, somando as densidades
das correntes de electrões e de buracos nas fronteiras dessa região.

- 3.3 -
 J =J (x )+ J (x ) (3.1)
E ndif pE pdif nE

J C = J ndif ( x pC ) + J pdif ( x nC ) (3.2)

onde

J ndif ( x ) = qDn
dn
(3.3)
dx

J pdif (x ) = − qD p
dp
(3.4)
dx

[( )
n E ( x) = n E 0 + n x pE − n E 0 e ] − (x pE − x) / LnE ) x ≤ x pE (3.5)

[( ) x − x) / LnC
nC ( x) = nC 0 + n x pC − nC 0 e pC ]( ) x ≥ x pC (3.6)

⎧⎪ x nC − x x − xnE ⎫⎪
⎨[ p( xnE ) − p B 0 ]sh + [ p( xnC ) − p B 0 ]sh
1
p B ( x) = p B 0 +
(
sh b' / L pB ) ⎪⎩ L pB L pB ⎪⎭
⎬

xnE ≤ x ≤ xnC (3.7)

por substituição de (3.5) em (3.3) obtém-se

⎛ UE ⎞
⎜ ⎟
qDnE n E 0 ⎜ U T
J n ( x pE ) = e − 1⎟ (3.8)
LnE ⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

⎛ UC ⎞
⎜ ⎟
qDnC nC 0 ⎜ U T
J n ( x pC ) = e − 1⎟ (3.9)
LnC ⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

⎡⎛ U E ⎞ ⎛ UC ⎞⎤
⎢⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎥
J p ( x nE ) =
qD pB p B 0
( ⎢ e
L pB sh b' / L pB ⎢⎜
⎜ U T ⎟ ⎜
− 1 ch b' / L pB − e
) ⎟ ⎜
U T (
− 1⎟ ⎥
⎟⎥
) (3.10)
⎢⎣⎜⎝ ⎟
⎠
⎜
⎝
⎟⎥
⎠⎦

- 3.4 -
 ⎡⎛ U E ⎞ ⎛ UC ⎞ ⎤
⎢⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎥
J p ( x nC ) =
qD pB p B 0
( ) ⎢ e
L pB sh b' / L pB ⎢⎜
⎜ U T ⎟ ⎜
−1 − e
⎟ ⎜
U T − 1⎟ch b' / L pB
⎟
( )
⎥ (3.11)
⎥
⎢⎣⎜⎝ ⎟ ⎜
⎠ ⎝
⎟
⎠ ⎥⎦

onde b’ representa a largura da região neutra da base. As correntes de emissor e de colector

são dadas, respectivamente, por

I E = AJ E (3.12)

I C = AJ C (3.13)

em que A é a área transversal das junções. Substituindo (3.8) e (3.10) em (3.1) e esta em
(3.12) obtém-se finalmente

⎛ UE ⎞ ⎛ UC ⎞
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎜
I E = I ES e U T ⎟ ⎜
− 1 − α R I CS e U T − 1⎟ (3.14)
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠

Analogamente, substituindo (3.9) e (3.11) em (3.2) e em (3.13), é-se conduzido a

⎛ UE ⎞ ⎛ UC ⎞
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
I C = α F I ES ⎜ e U T − 1⎟ − I CS ⎜ e U T − 1⎟ (3.15)
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠

sendo

AqD pB p B 0
α F I ES = α R I CS =
(
L pB sh b' / L pB ) (3.16)

⎛D n D pB p B 0 ⎞
I ES = Aq⎜ nE E 0 + ⎟
⎜ LnE
⎝ (
L pB th b' / L pB ) ⎟
⎠
(3.17)

⎛D n D pB p B 0 ⎞
I CS = Aq⎜ nC C 0 + ⎟
⎜ LnC
⎝ (
L pB th b' / L pB ) ⎟
⎠
(3.18)

- 3.5 -
As equações (3.14) e (3.15) são designadas por equações de Ebers-Moll e mostram que a
corrente num dos terminais depende das tensões em ambas as junções. A influência cruzada é
definida pelos parâmetros α F e α R , que estão associados às influências da junção emissora
na corrente de colector e da junção colectora na corrente de emissor, respectivamente. São
dados por

αF =
[ (
1 / cosh b' / L pB )]
(3.19)
D L pB n E 0 ⎛⎜ b' ⎞
⎟
1 + nE th
D pB LnE p B 0 ⎜ L pB ⎟
⎝ ⎠

αR =
[ (
1 / cosh b' / L pB )]
(3.20)
D L pB nC 0 ⎛⎜ b' ⎞
⎟
1 + nC th
D pB LnC p B 0 ⎜ L pB ⎟
⎝ ⎠

As expressões (3.19) e (3.20) mostram que uma vez que cosh ( x ) ≥ 1 , os parâmetros α F e α R
são sempre inferiores a 1. Para que a interacção entre as duas junções seja grande, estes
parâmetros devem ser tão próximos de 1 quanto possível. Para que α F seja elevado devem
verificar-se as seguintes condições

(i) b' << L pB , isto é, a base deve ser curta;

(ii) n E 0 << p B 0 , ou de forma equivalente, a concentração de impurezas de substituição no

emissor deve ser muito superior à concentração de impurezas na base, N AE >> N DB .

De forma análoga, para que α R fosse elevado, a concentração de impurezas no colector

deveria ser muito maior que a concentração de impurezas na base. Contudo, não é
normalmente isto que acontece. Com efeito, um dos funcionamentos típicos dos transistores
bipolares é na região activa directa, situação em que a junção colectora está inversamente
polarizada. Interessa pois que o módulo da tensão de disrupção dessa junção seja o maior
possível. Nesse sentido, o campo eléctrico em equilíbrio termodinâmico na junção colectora
deve ser baixo, o que de acordo com (2.23c) obriga a baixos valores para NAC e/ou NDB. Por
outro lado para que b’ não seja muito afectado pela polarização inversa da junção colectora,
interessa que a junção seja fortemente assimétrica mas com maior concentração de impurezas
na base. Por essas razões, o perfil de impurezas num transístor bipolar é tal que
NAE>>NDB>>NAC, no caso pnp, ou NDE>>NAB>>NDC, no caso npn.

- 3.6 -
As equações de Ebers-Moll mostram que um transístor em regime estacionário pode ser
modelizado por associações paralelo de junções pn e fontes de corrente controladas por
tensões (Fig.3.4). A corrente IES representa a corrente inversa de saturação da junção emissora
resultante de se curto-circuitar a junção colectora, assim como ICS será a corrente inversa de
saturação da junção colectora, resultante de se curto-circuitar a junção emissora.

(
I E1 = I ES eU E UT
−1) α F I E1

IE IC

α R I C1 (
I C1 = I CS eUC UT
)
−1
IB
UE UC

- Fig.3.4 -
Modelo de um transístor pnp

Se nas equações (3.14) e (3.15) eliminarmos o factor δ (U E ) = exp(U E / U T ) − 1 , obtemos

I C = α F I E − I CB 0δ (U C ) (3.21)

sendo

I CB 0 = (1 − α F α R )I CS (3.22)

δ (U C ) = exp(U C / U T ) − 1 (3.23)

Analogamente, se nas equações de Ebers-Moll eliminarmos o factor δ(UC)

I E = α R I C + I EB 0δ (U E ) (3.24)

I EB 0 = (1 − α F α R )I ES (3.25)

Se atendermos a que I E = I B + I C , obtém-se de (3.21)

I C = β F I B − I CE 0δ (U C ) (3.26)

onde

- 3.7 -
 αF
βF = (3.27)
1−αF

I CB 0
I CE 0 = = (1 + β F )I CB 0 (3.28)
1−αF

Analogamente de (3.24) obtém-se

I E = − β R I B + I EC 0δ (U E ) (3.29)

αR
βR = (3.30)
1−αR

I EB 0
I EC 0 = = (1 + β R )I EB 0 (3.31)
1−αR

De assinalar que nas equações anteriores os parâmetros α e β podem aparecer como

relações entre as variações de correntes

ΔI C
αF = U = const (3.32a)
ΔI E C

ΔI E
αR = U = const (3.32b)
ΔI C E

ΔI C
βF = U = const (3.32c)
ΔI B C

ΔI E
βR = U E = const (3.32d)
ΔI B

As equações (3.14), (3.15), (3.21), (3.24), (3.26) e (3.29) são válidas nas zonas de corte,
saturação, activa directa e activa inversa de um transístor pnp ou npn, para os sentidos de
referência definidos na Fig.3.3. Essas equações apenas impõem que nenhuma das junções
esteja em disrupção. As aproximações que se podem fazer para cada zona de funcionamento,
correspondem a desprezar o factor exponencial de δ (U ) , caso a respectiva junção esteja
inversamente polarizada com U << −U T , ou desprezar a parcela 1 face à exponencial, caso a

- 3.8 -
junção esteja directamente polarizada com U >> U T . As equações a utilizar para descrever o
comportamento de um transístor serão aquelas que se revelarem mais cómodas para satisfazer
as necessidades de cada situação. Dispondo o transístor de três terminais, ao ser introduzido
num circuito de modo a estabelecer relações entre dois pares de terminais, um dos terminais
do transístor será comum à entrada e à saída do circuito. Conforme o caso, assim teremos as
montagens de emissor comum, de colector comum ou de base comum. A Fig.3.5 representa
os andamentos espaciais da distribuição de carga, do campo eléctrico, do potencial de
contacto e das bandas de energia num transistor pnp em equilíbrio termodinâmico ou
polarizado.

p n p

Dadores

(a) x
Aceitadores
Aceitadores

(b) x

(c) x

(d)

qUC
(e) qUE

- Fig.3.5 -
Transistor pnp em equilíbrio termodinâmico
(a) densidade volumétrica de carga;
(b) campo eléctrico;
(c) potencial de contacto;
(d) bandas de energia em equilíbrio termodinâmico
(e) bandas de energia com polarização directa no emissor (UE > 0) e inversa no colector (UC < 0)

- 3.9 -
A Fig.3.6 representa o andamento das distribuições de portadores de minoria num transistor
pnp na região activa directa (junção emissora polarizada directamente e junção colectora
polarizada inversamente).

pBE1 = pB 0 eU E UT

p n p

E B C

nC0
nE1 = nE 0 eU E UT
pB0

nE0 nC1 = nC 0 eU C UT

pBC1 = pB 0 eUC UT

- Fig.3.6 -
Distribuição dos portadores de minoria num transistor pnp na região activa directa

Admitiu-se que a geração e a recombinação nas zonas de transição eram desprezáveis. O seu
efeito no díodo é levado em linha de conta se considerarmos o factor de não idealidade η na
exponencial de δ(U). No silício e no germânio esse factor varia entre 0 e 1, mas nalguns
semicondutores compostos pode chegar a ser 4.

A interacção entre as duas junções num transistor pnp dá-se através da corrente devida a
buracos, os quais na base são transportados essencialmente por difusão. Designa-se por
rendimento de injecção do emissor γ a relação entre as densidades de corrente de buracos na
junção emissora e a densidade de corrente total

J pE
γ= U C=0 (3.33)
J pE + J nE

De (3.8) e (3.10) obtém-se

1
γ= (3.34)
D L pB nE 0 b'
1 + nE th
D pB LnE pB 0 L pB

Designa-se por factor de transporte na base θ a relação entre as densidades de corrente de

buracos na junção colectora e na junção emissora

- 3.10 -
 J pC
θ =− U C=0 (3.35)
J pE

De (3.19), (3.34) e (3.35) pode concluir-se que o ganho αF pode ser interpretado como o
produto do rendimento de injecção pelo factor de transporte

αF = γ ×θ (3.36)

A Fig.3.7 representa de forma esquemática os mecanismos relacionados com os parâmetros γ,

θ e α atrás definidos. Um bom transístor deverá ter um bom rendimento de injecção do
emissor, o que será facilitado por uma elevada concentração de impurezas de substituição do
emissor face à da base. Ao colector não se exige o mesmo, motivo pelo qual a concentração
de impurezas do colector não tem de ser superior à da base. A função desta zona é colectar os
portadores injectados pelo emissor e que atravessam a base praticamente sem se recombinar.
Na figura a junção emissora está polarizada directamente, motivo pelo qual existe uma
predominância da recombinação face à geração. Precisamente o contrário acontece na junção
colectora, onde teremos de entrar em linha de conta com os mecanismos de geração.

E R C
R
G G
IE R+D R+D IC

IB

- Fig.3.7 -
Fluxo de portadores num transístor pnp na zona activa directa (ZAD).
R – recombinação; G – geração; D – difusão;

Se as correntes forem pequenas, a corrente de emissor em junções de silício é constituída

principalmente pela corrente de geração (secção 2.28), a que não corresponde injecção de
portadores de minorias na base. Assim para pequenos valores das correntes, a eficiência de
emissor γ é baixa, crescendo à medida que a corrente de difusão se vai tornando o termo
dominante, o que acontece com o aumento da corrente IE.

- 3.11 -
 βF
b L T
VCE = const.
40

30

20

10

IC (mA)
0,1 1 10 100

- Fig.3.8 -
Variação do ganho βF com a corrente.

No entanto, para correntes IE elevadas o valor de αF volta de novo a diminuir. Com efeito,
para correntes elevadas as concentrações de portadores injectados na base são suficientemente
grandes para que o tempo de vida médio diminua, e portanto diminua o comprimento de
difusão. Tendo em conta (3.19), vemos que quando L aumenta, αF aumenta também. A
Fig.3.8 representa a variação do ganho β F = α F / (1 − α F ) com a injecção.

3.4 Montagem de emissor comum

Numa montagem de emissor comum a entrada faz-se entre a base e o emissor e a saída entre o
colector e o emissor. As famílias de curvas que descrevem o comportamento do transistor
numa montagem de emissor comum são I C (U CE ) I B = const e I B (U BE )U CE = const . Estão representadas

nas figuras 3.9(a) e (b). Como NE>>NC, a junção E-B entra em disrupção para polarizações
inversas inferiores às da junção C-B.

3.4.1 Características de saída

Atendendo a (3.14), (3.15) e a I B = I E − I C obtém-se

I B = (1 − α F )I ESδ (U E ) + (1 − α R )I CS δ (U C ) (3.37)

Além disso, U CE = U C − U E e U BE = −U E . Quando U CE << −U T a junção emissora está

polarizada directamente e será U C << −U T , podendo então escrever-se

I C ≅ β F I B + I CE 0 (3.38)

- 3.12 -
 -IC

ZAI
Disrupção da
junção emissora

ICE0
(1 + βR ) ΔI B
UCE0
UCE
UEC0
IB = 0 IEC0
β F I B1

I B1
β F ΔI B Saturação
Disrupção da
junção colectora
I B1 + ΔI B

Zona Activa Directa

(ZAD) (a)

IB U CE > 0
U CE = 0
U CE  0

Zona Activa
Corte Directa (ZAD)
IB0
UEdisr.
UE
Disrupção da
junção emissora

(b)

- Fig.3.9 -
Montagem de emissor comum
(a) Características de saída I C (U CE ) I B =const ; (b) Características de entrada I B (U BE )U CE =const .

Analogamente, se U CE >> U T , será a junção colectora que está directamente polarizada e

I E ≅ − β R I B − I EC 0 ou

I C ≅ −(1 + β R )I B − I EC 0 (3.39)

Para cada valor de IB, o valor de UCE que conduz ao anulamento da corrente de colector é

1 + ( β F I B I CE 0 )
U CE ( I C = 0 ) = U T ln (3.40)
1 + ( β F I B α R I CE 0 )

- 3.13 -
A equação (3.40) mostra que para I B = 0 se obtém U CE ( I C ) = 0 e para I B > 0 verifica-se

U CE ( I C ) < 0 . Se I B >> I CB 0

U CE ( I C = 0) ≅ U T ln α R (3.41)

ou seja, nessas condições UCE é praticamente independente de IB.

3.4.2 Características de entrada

De notar que se U CE = 0 verifica-se que U C = U E , tomando (3.37) a forma

I B = [(1 − α F )I ES + (1 − α R )I CS ]δ (U E ) = I B 0δ (U E ) (3.42)

De notar que com U CE << −U T se tem U C << −U T , pelo que

I B = (1 − α F )I ESδ (U E ) − (1 − α R )I CS = (1 − α F )I ESδ (U E ) − I B 0 (3.43)

As características dum transistor real mostram um desvio acentuado em relação às

características previstas pelas equações de Ebers-Moll. Tal facto deve-se a que, de acordo
com (3.19) e (3.27), o ganho toma a forma

D pB LnE pB 0
βF ≅ (3.44)
DnE nE 0b'

A equação (3.44) mostra que à medida que UCE se torna mais positivo, a junção colectora fica
mais inversamente polarizada. Assim, o comprimento da região de transição da junção
colectora aumenta, conduzindo a uma diminuição de b' , e portanto, a um aumento de βF. Este
efeito, designado por efeito de Early, e corresponde a um aumento da corrente de colector na
zona activa directa quando UCE aumenta. As características de saída na zona activa directa
não são rectas horizontais tal como representado na Fig.3.9(a), apresentando em vez disso o
aspecto da Fig.3.10.

O efeito de Early pode, no entanto, ser atenuado se as concentrações de impurezas na base

forem muito maiores que as concentrações de impurezas no colector. Nessas circunstâncias a
zona de transição da junção colectora estende-se praticamente para o lado do colector,
mantendo-se b' aproximadamente constante com as variações da polarização da junção
colectora.

- 3.14 -
 -IC

Tensão de Early

UCE

IB=const.

- Fig.3.10 -
Definição da tensão de Early

3.5 Transistor em regime variável

Em regime variável, as equações de Ebers-Moll e as equivalentes, (3.21), (3.24), (3.26) e

(3.29), deixam de ser válidas, uma vez que agora as derivadas em ordem ao tempo são
diferentes de zero. Por um procedimento análogo ao adoptado para as junções pn, admitindo
variações sinusoidais de pequena amplitude, podemos descrever o sistema a partir das
amplitudes complexas das grandezas.

O sistema pode ser representado por um par de variáveis de entrada (corrente e tensão Ie e Ve,
respectivamente) e um par de variáveis de saída (corrente e tensão, Is e Vs, respectivamente).
Conforme as grandezas escolhidas como dependentes e independentes, assim teremos
diferentes tipos de representação. Por exemplo, se as grandezas independentes forem as
tensões, o sistema é descrito pela sua matriz de admitâncias [Y ]

⎡ I e ⎤ ⎡Ye Yi ⎤ ⎡Ve ⎤
⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥ (3.45)
⎣ I s ⎦ ⎣Yd Ys ⎦ ⎣Vs ⎦

De realçar que todos os elementos desta matriz são admitâncias e definidos ou com a entrada
em curto-circuito ( Ve = 0 ), ou com a saída em curto-circuito ( Vs = 0 ). Designam-se por isso
admitâncias em curto-circuito, onde os índices e, i, d, e s significam entrada, inversa, directa e
saída, respectivamente. Assim, por exemplo, Ye representa a admitância de entrada em curto-

-circuito e Yi representa a admitância de transferência (relaciona terminais diferentes) inversa

em curto-circuito.

Outro tipo de representação é o da matriz de impedâncias em circuito aberto. Neste caso

todos os elementos são impedâncias definidas ou com a entrada em aberto ( I e = 0 ), ou com a

- 3.15 -
saída em aberto ( I s = 0 ). As grandezas independentes são agora as correntes e as grandezas
dependentes, as tensões. No âmbito dos circuitos electrónicos é habitual a representação em
matriz [H ] . Esta é definida por

⎡Ve ⎤ ⎡ H e Hi ⎤⎡ Ie ⎤
⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥ (3.46)
⎣ I s ⎦ ⎣H d H s ⎦ ⎣Vs ⎦

onde H e é a impedância de entrada com a saída em c.c.;

H i é o ganho de tensão inverso;

H d é o ganho de corrente directo;

H s é a admitância de saída com a entrada em c.a.

Os elementos da matriz não têm todos, como nos casos anteriores, as mesmas dimensões. A
matriz diz-se por isso híbrida.

Como em todos os dispositivos electrónicos, a aproximação quase-estacionária corresponde a

admitir que as variações das correntes e das tensões são suficientemente lentas para que as
grandezas possam estar ligadas pelas relações estacionárias (equações de Ebers-Moll ou
equivalentes). A linearização das mesmas em torno do ponto de funcionamento em repouso
resulta de se admitirem variações de pequena amplitude, ditas incrementais. Nessa condições

ΔI E = g E ΔU E + g mEC ΔU C (3.47)

ΔI C = g mCE ΔU E + g C ΔU C (3.48)

onde

U
⎛ ∂I ⎞ I
E

g E = ⎜⎜ E ⎟⎟ = ES e U T (3.49)
⎝ ∂U E ⎠ P U T
U
⎛ ∂I ⎞ I
C

gC = ⎜⎜ C ⎟⎟ = CS e U T (3.50)
⎝ ∂U C ⎠P UT
U
⎛ ∂I ⎞ I
C

g mEC = ⎜⎜ E ⎟⎟ = α R CS e U T = α R gC (3.51)
⎝ ∂U C ⎠P UT

- 3.16 -
 U
⎛ ∂I ⎞ I
E

g m CE = ⎜⎜ C ⎟⎟ = α F ES e U T = α F g E (3.52)
⎝ ∂U E ⎠ P UT

Os parâmetros gE e gC são designados por condutâncias incrementais de emissor e de

colector; respectivamente. Os parâmetros gmEC e gmCE são designados por condutâncias
incrementais mútuas.
ΔI E ΔI C
E C

ΔU E 1 gE 1 gC ΔU C

α R g C ΔU C α F g E ΔU E
B B

- Fig.3.11 -
Circuito para componentes incrementais do transistor bipolar

O circuito para pequenos sinais está representado na Fig.3.11, onde do ponto de vista de
entrada e de saída o transistor numa montagem de base comum é equivalente ao paralelo de
uma condutância com fontes de corrente controladas. De realçar que, tal como no caso das
junções, o circuito incremental se utiliza apenas para a descrição do transistor em regime
variável. No entanto, os parâmetros do modelo dependem de forma acentuada da polarização
(ponto de funcionamento em repouso).

Na zona activa directa, a influência da tensão de emissor na corrente de colector é

exponencial, ou seja, a condutância mútua entre o emissor e o colector é elevada. Se
U E > 0 e U C << −U T , o circuito utilizado para as componentes incrementais pode simplificar-
se, apresentando o aspecto representado na Fig.3.12.

ΔI E ΔI C
E C

ΔU E 1 gE α F g E ΔU E ΔU C

B B

- Fig.3.12 -
Circuito para componentes incrementais do transistor bipolar na região activa directa

- 3.17 -
Em montagens de emissor comum a entrada faz-se pela base e a saída pelo colector. Se
atendermos a que na zona activa directa ΔI C = β F ΔI B e que ΔU BE= − ΔU EB , o modelo
incremental da Fig.3.12 pode ser substituído pelo da Fig.3.13.

ΔI B ΔI C
B C

ΔU BE 1 gB β F ΔI B ΔU C

E E

- Fig.3.13 -
Circuito para componentes incrementais do transistor bipolar na região activa directa

De salientar que nos circuitos das figuras 3.12 e 3.13 os parâmetros incrementais estão
relacionados de acordo com

ΔI E = g E ΔU EB = (1 + β F )ΔI B (3.53)

ΔI B = g B ΔU EB (3.54)

De (3.53) e (3.54) obtém-se

g E = (1 + β F ) g B (3.55)

De (3.52), (3.55) e (3.27) é-se conduzido a

g mCE
= βF (3.56)
gB

Ou

g mCE ΔU EB = β F ΔI B (3.57)

significando que do ponto de vista do colector, o transístor funciona como uma fonte de
corrente controlada por corrente (de base, através de βF, ou de emissor, através de αF) ou por
uma fonte de corrente controlada por tensão (ΔUE). Na literatura é usual representar as
grandezas contínuas por letras e índices maiúsculos (IE, IB, UCE), as grandezas variáveis por
letras e índices minúsculos (ie, ib, uce) e as grandezas totais por letras minúsculas e índices
minúsculos (iE, iB, uCE).

- 3.18 -
Vimos no díodo que a aproximação quase-estacionária tinha que ser completada, à medida
que a frequência subia, com a introdução de capacidades diferenciais e eventualmente, para
frequências ainda mais altas, da ordem dos GHz, pelas indutâncias associadas aos fios de
ligação. Acima dessas frequências deixa de ser válido o modelo dos parâmetros concentrados.
No transístor bipolar de junções podemos admitir o mesmo. Para pequenas variações
sinusoidais em torno de um ponto de funcionamento em repouso podemos linearizar as
equações e as condições de fronteira, concluindo que também são sinusoidais as variações das
concentrações das minorias e das correntes. Por um tratamento em tudo análogo ao que foi
feito para as junções pn no díodo, e admitindo que ωτ << 1 , obtemos

⎡ I E ⎤ ⎡ Ye Yi ⎤ ⎡U E ⎤
⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥
⎣ I C ⎦ ⎣Yd Ys ⎦ ⎣U C ⎦
(3.58)

onde

Ye = g E + jωC E (3.59)

sendo

UE
I UT
g E = ES e
UT (3.60)

C E = C E D + C ET
(3.61)

C E D e C E T são as capacidades de difusão e de transição, respectivamente, associadas à

junção emissora. De acordo com (2.49) e (2.65) são dadas por

UE
L n
C E D = Aq nE E 0 e U T
2U T (3.62)

εqN AE N DB
C ET = A (3.63)
2( N AE + N DB )(VC 0 − U E )

Analogamente, para o colector verifica-se

Ys = g C + jωCC (3.64)

- 3.19 -
 UC
I
g C = CS e U T (3.65)
UT

CC = CC D + CC T (3.66)

UC
L n
CC D = Aq nC C 0 e U T (3.67)
2U T

εqN AC N DB
CC T = A (3.68)
2( N AC + N DB )(VC 0 − U C )

A influência cruzada é tida em linha de conta através dos parâmetros Yd e Yi

Yi = α R g C (3.69)

Yd = α F g E (3.70)

Como exemplo de aplicação, calculemos a matriz dos parâmetros híbridos [H ] numa

montagem de base comum, para frequências elevadas

⎡U E ⎤ ⎡ H e H i ⎤⎡ I E ⎤
⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥ (3.71)
⎣ IC ⎦ ⎣H d H s ⎦ ⎣U C ⎦

sendo

⎛U ⎞ 1 1
H e = ⎜⎜ E ⎟⎟ = = (3.72)
⎝ IE ⎠U C = 0 Ye g E + jωC E

⎛ ⎞
⎛I ⎞ ⎛ YY ⎞ ⎜ αFαR ⎟
Hs = ⎜ C ⎟ = ⎜ Ys − i d ⎟ = ⎜1 + ⎟ gC + jωCC = YC + jωCC (3.73)
⎝ U C ⎠ I E =0 ⎝ Ye ⎠ ⎜ 1 + jω C E ⎟
⎜ ⎟
⎝ gE ⎠

⎛U ⎞ Y α R gC
H i = ⎜⎜ E ⎟⎟ =− i = = αR (3.74)
⎝UC ⎠ I E =0 Ye g E + jωC E

⎛I ⎞ Y αF gE
H d = ⎜⎜ C ⎟⎟ =− d = = αF (3.75)
⎝ IE ⎠U C = 0 Ye g E + jωC E

- 3.20 -
As expressões anteriores mostram que num caso geral, devido à presença das capacidades
diferenciais, a entrada e a saída não estão em fase. O circuito equivalente usando os
parâmetros híbridos da matriz [H ] é o da Fig.3.14. De salientar, atendendo a (3.75), a
seguinte igualdade

α F I E = α F I E1 (3.76)

sendo I E1 a parte da corrente I E que passa em g E .

α RU C
IE IC
E C
αF IE 1 YC

UE 1 gE CE CC UC

B B

- Fig.3.14 -
Circuito para componentes incrementais do transistor bipolar (parâmetros híbridos)

Se admitirmos o transístor a trabalhar na região activa directa, a junção emissora está

polarizada directamente e a junção colectora está polarizada inversamente. A capacidade CE é
praticamente igual à sua componente de difusão (despreza-se a capacidade diferencial de
transição que lhe está em paralelo). No que diz respeito à junção colectora é a capacidade de
difusão que se despreza face à de transição. Por outro lado g C = 0, pelo que o circuito
incremental se pode simplificar tomando o aspecto da Fig.3.15.

IE IC
E C
αF IE

UE 1 gE CE CC UC

B B

- Fig.3.15 -
Circuito para componentes incrementais do transistor bipolar na região activa directa (parâmetros híbridos)

- 3.21 -
3.6 Transistor bipolar de heterojunções

Os transístores bipolares de heterojunções permitem potências e frequências de operação

elevadas. Como exemplos, conseguem-se transístores com 10 W a 10 GHz e alguns mW a
mais de 100 GHz. Os primeiros transistores de heterojunção utilizaram a combinação
GaAs/GaAlAs, sendo o transístor de banda proibida mais estreita utilizado como base. Mais
tarde utilizaram-se compostos da família do binário InP para se conseguirem frequências de
operação mais elevadas (até 500 GHz). As melhorias face aos transístores bipolares
convencionais resultam do facto de se poderem usar bases com concentrações de impurezas
de substituição superiores às do emissor. Vimos atrás que o rendimento de injecção e o ganho
αF são tanto mais elevados quanto maior a dopagem do emissor face à da base. Isto acarreta
no entanto algumas desvantagens, nomeadamente:

(i) Diminuição da condutividade da base, ou seja, uma elevada resistência da base. A

frequência máxima de oscilação diminui, prejudicando a resposta em frequência do
transístor.
(ii) Aumento da largura da zona de transição do lado da base. O factor de Early pode ser
acentuado pelo efeito de UCE no valor de b’.

Para não haver atravessamento da base esta tem de ser larga, com evidentes prejuízos no
valor do factor de transporte θ e nos ganhos αF e βF. Vimos que nos transístores para se
obterem valores elevados dos ganhos tem de se verificar a condição nE 0 << pB 0. Nos
transístores bipolares de homojunção esta condição impõe que NAE>>NDB, já que de um e de
outro lado da junção tem-se o mesmo valor para a concentração intrínseca. Nas heterojunções
a relação das dopagens do emissor e da base não é obrigatoriamente aquela. Com efeito

2 2
niE niB 2 2
nE 0 << pB0 ⇒ << ⇒ niE << niB ⇒ WGE > WGB (3.78)
N AE N DB

Ou seja, a base deve ser o material com menor altura da banda proibida, para que mesmo com
uma menor dopagem de emissor se tenha um ganho αF praticamente unitário. Já foram
referenciados transístores com valores de βF da ordem de 50000.

Aumentar a concentração de impurezas no lado da base elimina as desvantagens referenciadas

em (i) e (ii), apesar de aumentar a capacidade de transição do colector. Como a largura da

- 3.22 -
região de transição é essencialmente do lado do colector, este efeito é minimizado. Por outro
lado diminuir a concentração de impurezas do lado do emissor tem a vantagem de diminuir a
capacidade de transição da junção emissora e aumentar a sua tensão de disrupção. As
características de saída de uma montagem de emissor comum podem aproximar-se da simetria
(ver Fig.3.9(a), onde as características do 1º e 3º quadrantes são muito diferentes), com
vantagens em aplicações nos circuitos digitais.

3.7 Fototransistores

O fototransistor bipolar apresenta uma estrutura funcional idêntica à do transistor bipolar

clássico. No entanto, a junção C-B é concebida como fotojunção, beneficiando da acção
amplificadora da junção vizinha E-B, que se encontra polarizada directamente.

3.7.1 Tratamento qualitativo

Consideremos o transistor clássico. Admitamos a junção C-B inversamente polarizada. Com o

emissor em aberto (Fig.3.16(a)) tem-se I C = I CB 0 . Com a base em aberto (Fig.3.16(b)), tem-

se I C = I CE 0 = (1 + β F )I CB 0 . É a diferença entre I CB 0 e I CE 0 que traduz a vantagem do

fototransistor sobre o fotodíodo.

Consideremos de novo o circuito da Fig.3.16(a). Para que I E = 0 , as componentes de difusão

dum lado e de outro da zona de transição da junção emissora cancelam-se. Os portadores
difundem-se no mesmo sentido, o que só é possível com concentrações inferiores às de
equilíbrio termodinâmico. A junção emissora, com o terminal emissor "no ar", está polarizada
inversamente. As contribuições de minorias estão representadas na Fig.3.17.

R ICB0
ICB0 R
E

(a) (b)
- Fig.3.16 -
Fototransistor com o emissor em aberto (a) e com a base em aberto (b)

- 3.23 -
 Emissor Base Colector
(p) (n) (p)
n p 0C

LC

pn 0 B
LE
n p0E

- Fig. 3.17 -
Distribuição dos portadores minoritários num fototransistor com o emissor em aberto.
A tracejado representam-se as distribuições de equilíbrio termodinâmico.

Consideremos agora o circuito da Fig.3.16(b). A corrente verificada corresponde a I C = I E .

Para que a corrente de difusão de electrões do emissor seja igual à de difusão de electrões do
colector, a junção emissora está neste caso polarizada directamente. A componente da
corrente devida à base é muito maior do que no caso da Fig.3.17 porque existe agora uma
junção directamente polarizada. A distribuição de minorias está representada na Fig.3.18.

Emissor Base Colector

(p) (n) (p)
n p 0C
LC

pn 0 B
LE
n p0E

- Fig.3.18 -
Distribuição dos portadores minoritários num fototransistor com a base em aberto.
A tracejado representam-se as distribuições de equilíbrio termodinâmico.

3.7.2 Tratamento quantitativo

O efeito fotoeléctrico manifesta-se também na junção E-B do transistor. Assim, sendo

I E 0 e I C 0 , respectivamente, as correntes de curto-circuito de emissor e de colector, tomadas
como positivas, as equações devem ser substituídas por:

- 3.24 -
 I E = I ES δ (U E ) − α R I CS δ (U C ) − I E 0 (3.79)

I C = − I CS δ (U C ) + α F I ES δ (U E ) + I C 0 (3.80)

sendo

δ (U ) = eU / U − 1
T
(3.81)

Normalmente despreza-se I E 0 em face de I C 0 . Isto resulta de, por construção, a área exposta
da junção emissora ser desprezável em relação à área iluminada da junção colectora, além de,
pelo facto de normalmente a junção colectora estar inversamente polarizada, o comprimento
da região de transição ser menor no caso da junção emissora.

Numa montagem com a base em aberto I E = I C . O circuito exterior polariza inversamente a

junção colectora com U C << −U T . A tensão U E ajusta-se às correntes I C 0 e I E 0 resultantes

da iluminação. Por um procedimento análogo ao do transistor clássico, pode deduzir-se que

I C = β F I E 0 + (1 + β F )I C 0 − I CE 0δ (U C ) (3.82)

A equação (3.82) mostra que as contribuições associadas à iluminação se somam a I C depois

de sujeitas à amplificação traduzida pelo factor β F . Baseado nesta equação, é possível

modelizar o comportamento do fototransistor à custa de um fotodíodo e de um transistor
clássico (Fig.3.19).

- Fig. 3.19 -
Modelização de um fototransistor à custa de um fotodíodo+um transistor.

Concluímos assim com base nas considerações dos parágrafos anteriores que numa montagem
com o emissor em aberto o fototransistor trabalha abaixo das suas potencialidades no que toca
à sensibilidade, uma vez que com as duas junções inversamente polarizadas a função
amplificadora não é efectuada. Isto é, nesta situação o fototransistor funciona como um

- 3.25 -
fotodíodo. A Fig.3.20 representa a estrutura esquemática de um fototransistor.

Camada anti-reflectora
SiO2

Colector
Emissor

SiO2
n+ n+

Região de ganho óptico elevado

Substrato Si (p)

- Fig.3.20 –
Estrutura de um fototransistor de sílicio.

O efeito fotocondutor pode ser melhorado por construção, em alguns fototransistores, ou em

montagens especiais. Assim, por exemplo, para aumentar a eficiência da fotocondução, o
colector deve ter uma concentração muito fraca de impurezas de substituição de modo a
aumentar a respectiva região de transição. Contudo, a elevada resistividade que lhe está
associada pode originar uma queda de tensão que polariza directamente a junção colectora,
levando o transistor à saturação para baixos valores da tensão U CE e perdendo-se a
linearidade do sensor óptico, que apresentará uma distorção das características de saída. Um
outro exemplo é o acoplamento entre o fototransistor e um transistor normal numa montagem
de Darlington (Fig.3.21). No transistor exterior as correntes I C 0 e I E 0 aparecem

multiplicadas por factores da ordem do produto dos β F associados aos dois transistores.
Embora com maior ganho, a montagem citada perde em rapidez.

- Fig.3.21 –
Montagem de Darlington.

- 3.26 -