INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO

Universidade Técnica de Lisboa

Teoria dos Circuitos e Fundamentos

de Electrónica

Montagem de Emissor Comum

09/05/2006
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Dimensionamento
VCC   V
RC  1,2 k
RE  560 
R   k
VBEON  ,  V
=100
VCESat =0,2 V

Dimensionar R1 de modo a que no

ponto de funcionamento em repouso
Vout=7,5 V.
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Dimensionamento

VCC  Vout   , 
IC    ,  mA
RC , 
IC , 
IB    ,  A
 
I 
IE  C  IC  ,  mA
 
VB  VBE  RE I E  ,   ,  ,  
 ,  V
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Dimensionamento

V , 
I R  B   ,  A
R 
I R  I R   I B  ,   ,   , A
V V  VB   , 
R  R  CC  
 ,  k
I R I R ,

Como não dispomos de tal resistência

vamos fazer R1=100 k

Em seguida vamos recalcular os

valores que tínhamos determinado.
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Cálculo do Ponto de Funcionamento

Efectivo
VCC   V
RC  1,2 k
RE  560 
R   k
R   k
VBEON  ,  V
=100
VCESat =0,2 V

Calcular todas as correntes e

tensões para R1=100 k .
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Transformação para Cálculo da

Corrente de Base

R RR
VBB  VCC RB  R // R 
R  R R  R
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Cálculos:

RB  R // R   , k
  
R 
VB  VCC    ,  k
R  R 
VB  VBE  RB I B  RE ( ) I B
VB  VBE ,   , 
IB    ,  A
RB  RE ( ) , , 
IC   I B  ,  mA I E  ( ) I B =6,02 mA
RC IC  ,  ,   , V RE I E =0,56  6,02=3,37 V
Vout   - RC IC =7,85 V VCE  Vout - RE I E =4,47 V
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Inclusão de uma Fonte de Sinal

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Esquema Incremental

 u , 
r    T      (fez-se uT =25 mV)
gm IC , 
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Resistência de Entrada

vi  rib  RE ( )ib  r  RE ( ) ib  ,   , ib  , ib
Ri  RB // ,   , // ,   , k
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Ganho de Tensão

vi
vout   RC ic   RC ib   RC  
r  ( ) RE
vout RC , 
   ,
vi r  ( ) RE , 