AMPLIFICADORES LINEARES

A TBJ
 Generalidades

VCC iC Reta de carga

RC iC

RS C
B + IBQ

+ vCE
+ iB
vs(t) vBE E -
-
-
VSS
vCE

Ponto quiescente
(de polarização): para vs(t) = 0
 VCC iC
iBmáx
RC iC

RS C
+ IBQ
B
+ vCE
+ iB iBmin
vs(t) vBE E -
-
-
VSS
vCE

VCEQ
 iC
iBmáx
iCmáx

ICQ IBQ

iBmin
iCmin

vCE

vCEmin vCEmáx
VCEQ
 vSS = VSS + vss(t)

VCC vBE = VBE + vbe(t)

vCE = VCE + vce(t)

RC
C iB = IB + ib(t)
RS
+
B iC = IC + ic(t)
+ vCE
vs(t) + - Convenção:
vBE E
-
- xA = XA + xa
VSS
componente AC
componente DC
sinal completo
 iB

iB = IB + ib(t)

iC = .iB
IBQ
iC = IC + ic(t) = IB + ib(t)
t
da ordem de centenas:
iC
iB = iBmáx – iBmin: ordem de 10-5 A

ICQ

iC = iCmáx – iCmin: ordem de 10-3 A

t
 Atenção:

iC = IC + ic(t) = IB + ib(t)

Como não é constante (dispositivo não linear):

I C ≠ IB e ic(t) ≠ ib(t)

 A forma de onda não é reproduzidavalor

fielmente: distorção
médio = componente DC

 I ≠I
C CQ e IB ≠ IBQ
valor quiescente
 vBE

De modo análogo para valores típicos de

resistências RS e RC:

VBEQ vBE = vBEmáx – vBEmin: ordem de 10-2 V

t
vCE

vCE = vCEmáx – vCEmin: ordem de 100 V

VCEQ

VCE ≠ VCEQ e VBE ≠ VBEQ

t
Portanto o transistor bipolar é capaz de amplificar sinais
de corrente e tensão!
 Portanto o transistor bipolar é capaz de amplificar sinais
de corrente e tensão!
Mas para isto a operação tem que acontecer na
REGIÃO ATIVA

iC
iBmáx
iCmáx

ICQ IBQ

iBmin
iCmin

vCE

vCEmin V vCEmáx
CEQ
 Na região de SATURAÇÃO as características se aproximam e
não há amplificação significativa

iC
iBmáx

IBQ
iCmáx
ICQ iBmin
iCmin

vCE

vCEmáx
vCEmin VCEQ
Importância do PONTO DE POLARIZAÇÃO (QUIESCENTE)

 É das fontes DC que alimentam o circuito que é

retirada a potência extra do sinal amplificado

 Deve garantir a polarização na REGIÃO ATIVA

 Sua localização deve permitir uma boa excursão

simétrica do sinal

 Ganhos e outras características dinâmicas

dependem do ponto quiescente
 Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

Q1
SATURAÇÃO

IBQ1

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ1
 Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

Q2 IBQ2
SATURAÇÃO

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ2
 Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

Q2 IBQ2
SATURAÇÃO

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ2
 Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

SATURAÇÃO

Q3 IBQ3

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ3
 Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

SATURAÇÃO

Q3 IBQ3

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ3
 Distorção da forma de onda

iC
iBmáx
iCmáx

ICQ IBQ

iBmin
iCmin

iB/2 = iBmáx - IBQ = IBQ - iBmin vCE

mas:
espaçamentos desiguais e
vCEmin vCEmáx
inclinações variáveis VCEQ
 Mas... operando com PEQUENOS SINAIS:

iC

iBmáx
iCmáx
ICQ IBQ
iCmin iBmin

iB muito pequena

vCE
Características retilíneas,
paralelas e uniformemente vCEmin vCEmáx
espaçadas VCEQ
 Operação com

PEQUENOS SINAIS = COMPONENTES AC DE PEQUENA AMPLITUDE:

 A excursão do sinal limita-se a uma vizinhança do ponto quiescente

 Nesta vizinhança, as características I-V podem ser consideradas

retilíneas, paralelas e uniformemente espaçadas

 O TBJ pode ser aproximado por um DISPOSITIVO LINEAR

apenas do ponto de vista dos sinais de pequena amplitude

 A distorção dos sinais é quase desprezível

 Modelos do TBJ para operação
com pequenos sinais
em baixas frequências

I)Modelo de Parâmetros Híbridos na Configuração Emissor Comum -

parâmetros he

características de saída na configuração emissor comum:

iC = f(iB, vCE)

características de entrada na configuração emissor comum:

vBE = f(iB, vCE)

características de entrada na configuração emissor comum:

vBE = f(iB, vCE)

diferencial total:
v BE v BE
dv BE  di B  dv CE
iB v CE

aproximação:

vBE v BE
v BE  iB  v CE
iB Q v CE Q
 aproximação:

vBE v BE
v BE  iB  v CE
iB Q v CE Q

vBE = vBE – VBEQ ≈ vBE – VBE = vbe

iB = iB – IBQ ≈ iB – IB = ib

vCE = vCE – VCEQ ≈ vCE – VCE = vce

vBE vBE
v be  ib  v ce
iB Q v CE Q
 vBE v BE
v be  ib  v ce
iB Q v CE Q

Definindo:

vBE impedância de entrada (input)

h ie 
iB Q com a saída em curto

v BE ganho reverso de tensão (reverse)

hre 
v CE Q com a entrada em circuito aberto
 vBE v BE
v be  ib  v ce
iB Q v CE Q

Definindo:

vBE unidade: 
h ie 
iB Q ordem de grandeza: 103 

v BE adimensional
hre 
v CE Q ordem de grandeza: 10-4
 vBE vBE
v be  ib  v ce
iB Q v CE Q

v be  h ie ib  h re v ce

A componente AC de vbe é uma

COMBINAÇÃO LINEAR
das componentes AC de ib e vce
Representação através de rede linear:

v be  h ie ib  hre v ce
ib

B
+ hie
+
vbe hrevce
-
-
E
características de saída na configuração emissor comum:

iC = f(iB, vCE)

diferencial total:
iC iC
di C  di B  dv CE
iB v CE

aproximação:

iC iC
iC  iB  v CE
iB Q v CE Q
 aproximação:

iC iC
iC  iB  v CE
iB Q v CE Q

iC = iC – ICQ ≈ iC – IC = ic

iB = iB – IBQ ≈ iB – IB = ib

vCE = vCE – VCEQ ≈ vCE – VCE = vce

iC iC
ic  ib  v ce
iB Q v CE Q
 iC iC
ic  ib  v ce
iB Q v CE Q

Definindo:

iC ganho direto de corrente (forward)

h fe 
iB Q com a saída em curto

iC admitância de saída (output)

h oe 
v CE Q com a entrada em circuito aberto
 iC iC
ic  ib  v ce
iB Q v CE Q

Definindo:
iC adimensional
h fe 
iB Q ordem de grandeza: 102

iC unidade: S
h oe 
v CE Q ordem de grandeza: 10-6 S
 iC iC
ic  ib  v ce
iB Q v CE Q

ic  h fe ib  hoe v ce

A componente AC de ic é uma
COMBINAÇÃO LINEAR
das componentes AC de ib e vce
Representação através de rede linear:

ic  h fe ib  hoe v ce

ic
C
+

hfeib 1/hoe vce

-
E
 QUADRIPOLO LINEAR que representa o
TBJ na operação com pequenos sinais
(só para as componentes AC)

v be  h ie ib  hre v ce ic  h fe ib  h oe v ce

ib
ic
B C
+ hie +
+
vbe hrevce hfeib 1/hoe vce
-
- -
E E
 Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hie e hre:

iB
Características de entrada:

vCEmáx
iBmáx
VCEQ
IBQ
iBmin VCEmin

vBE
vBEmin
vBEmáx
VBEQ
 Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hie e hre:

vBE
Características de entrada:

vCEmáx
vBEmáx
VCEQ
VBEQ
vBEmin vCEmin

vBE
iBmin
iBmáx
IBQ
 Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hie e hre:

Características de saída:

vCEmáx
VCEQ
 vCEmin
Q
vBE

IBQ

vBE
h re  h ie  tg 
v CEmáx  v CEmin i  I
B BQ
 Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hfe e hoe:

iC
Características de saída:

iBmáx
iCmáx
IBQ
ICQ
iCmin iBmin

vCE
vCEmin
vCEmáx
VCEQ
 Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hfe e hoe:

iC
Características de saída:

iBmáx
iCmáx
IBQ
ICQ
iCmin iBmin

iB
vCEmin
vCEmáx
VCEQ
 Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hfe e hoe:

Características de saída:

iBmáx

IBQ
Q
iC 
iBmin

modela
o efeito Early
VCEQ

iC
h fe  hoe  tg 
iBmáx  iBmin v  V
CE CEQ
II) Modelo de Parâmetros -híbridos

ib
ic
B C
+ r +

vbe gmvbe ro vce

- -
E E

v ce
v be  r ib ic  g m v be 
ro
 Na região ativa:

I  
iC  ISe vBE  t   IC 0 iB  S e vBE  t  IC 0


iC IS VBEQ  t  ICQ

gm   e 
vBE Q  t  t

1 modela
 iB   t  o efeito Early
r     
 v BE  ICQ g m
 Q

ro: inverso da inclinação da característica de saída em

torno do ponto quiescente
Os modelos lineares do TBJ para operação com
pequenos sinais :

Só se aplicam às componentes AC dos sinais de

pequenas amplitudes

Dependem das inclinações e espaçamentos relativos

das características, portanto...

Dependem do ponto quiescente, do dispositivo

(tecnologia) e da temperatura

Podem ter seus parâmetros convertidos uns nos

outros
 Características de Desempenho
de Amplificadores Lineares

(i) Ganhos de tensão

RS ii io

+ +
is
+ vi vo RL
vs RPOL
-
- -

vo vo
Av  A vs 
vi vs
(ii) Ganhos de corrente

RS ii io

+ +
is
+ vi vo RL
vs RPOL
-
- -

io io
Ai  A is 
ii is
(iii) Resistência de entrada = resistência de
Thévenin vista da entrada

RS ii io

+ +
is
+ vi vo RL
vs RPOL
-
- -

vi

Ri   RPOL // Ri
is vi
Ri 
ii
 RS
Ri
vi  vs
Ri  Rs +
is
+ vi
Ri vs R’i
A vs  Av -
Ri  Rs
-
 RS
RPOL
ii  is +
Ri  RPOL is ii
+ vi RPOL Ri
vs
RPOL -
A is  Ai
Ri  RPOL -
(iv) Resistência de saída = resistência de
Thévenin vista da saída

RS ii -io

+ +
is
vs = 0 vo +
vi RPOL
-
- -

vo
Ro 
 io v  0
s
 As características de desempenho:

São parâmetros dinâmicos - relacionam as componentes AC dos

sinais

Podem ser expressas em termos dos parâmetros de modelagem do

TBJ e as resistências do circuito

Dependem do ponto de polarização

 Capacitâncias de Acoplamento

São utilizadas em circuitos discretos para evitar que as

resistências de fonte e de carga, e de entrada e saída de blocos
vizinhos interfiram na polarização

Capacitores funcionam como circuito aberto em baixas

frequências, bloqueando a passagem da corrente DC

Para não alterar o circuito AC, devem apresentar impedância

desprezível nas frequências de operação do amplificador
 VCC VCC VCC
RS C1 C2 C3 C4

+
- R
L

R’i1 R’o1 R’i2 R’o2 R’i3 R’o3

1

C i   0
 VCC VCC VCC
RS C1 C2 C3 C4

+
- R
L

R’i1 R’o1 R’i2 R’o2 R’i3 R’o3

1 1
 min Rs , Ri1   min Ro 2 , Ri3 
min C 1 min C 3

1 1
 min Ro 1, Ri2   min Ro 3 , RL
min C 2 min C 4
Metodologia de Análise de Amplificadores Lineares

1) Determinação do ponto de polarização

(os parâmetros do modelo são determinados a

partir do ponto de polarização)

2) Determinação do circuito equivalente AC:

2.1) desativar fontes DC (curto-circuitar VCC)

2.2) substituir capacitores de acoplamento e
aterramento por curto-circuito

3) Substituição do TBJ por um modelo de quadripolo

linear para operação com pequenos sinais

4) Análise do circuito para determinação dos

parâmetros de desempenho (Av, Ri, Ai etc)
 Estágios Básicos de Amplificação a TBJ

A) Configuração Emissor-Comum

Convenção:

BASE: terminal de entrada

COLETOR: terminal de saída

EMISSOR:
terminal de referência para os sinais AC
(comum entre a entrada e a saída)
 A) Configuração Emissor-Comum

VCC

RB1 RC CL
CS C
RS
B +

E RL vO
+ +
vs RB2
- vI RE
- CE -
 CE = capacitor de aterramento
do terminal de emissor para
VCC
sinais AC

RB1 RC CL
CS
RS
+

RL vO
+ +
vs RB2
- vI RE
- CE -
 CE = capacitor de aterramento
do terminal de emissor para
VCC
sinais AC

RB1 RC CL
CS
RS
+

RL vO
+ +
vs RB2
- vI como
Deve funcionar curto nas RE
frequências
- de operação: CE -

1
 RE
min C E
 Passo 2: Circuito equivalente AC

RS
+

RC RL vo
+ +
vs RB2
- vi RB1
- -
 Passo 2: Circuito equivalente AC

io
RS is ii C
B
+

E RC RL vo
+ +
vs
- vi RB = RB1 //RB2
- -
 Passo 3: Substituição do TBJ por modelo

ii = i b
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC
E -
 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b
RS is ic io
B C
hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC
E -

vce

v i  h ie ib  hre A v v i
 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b
RS is ic io
B C
hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC
E -

v i  h ie ib  hre A v v i

O.G: 10-4 102

 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b
RS is ic io
B C
hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC
E -

v i  h ie ib  hre A v v i v i  h ie ib
hre pode ser
O.G: 10-4 102 desprezado: curto
 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b
RS is ic io
B C
hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC
E -

Se 1/hoe >> RC//RL ...

 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b
RS is ic io
B C
hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC
E -

Se 1/hoe >> RC//RL hoe pode ser

desprezado:
circuito aberto
O.G: 105  103 
 Passo 3:
Modelo simplificado válido:

ii = i b
RS is ic io
B C
hie +
+ + RL
vs RB RC vo
- vi
- hfeib
E -
 Passo 4: Análise do circuito

i i = ib
RS is ic io
B C
hie +
+ + RC RL
vs RB vo
- vi
- hfeib
E -

R’i Ri Ro R’o

RC
v i  h ie ib io   ic v o   RC // RLic
RC  RL
ii  ib ic  h fe ib
 Passo 4: Análise do circuito

RS is
B

+ + Ri
vs vi  vs
- vi R’i Ri  RS
-
 Passo 4: Análise do circuito

i i = ib
RS is
B

+ + RB
vs RB Ri ii  ib  is
- vi RB  Ri
-

R’i Ri
 v i  h ie ib vi
Ri   h ie
ii  ib ii

O.G.: 103  (média)

RB vi
ii  ib  is Ri   RB // Ri
RB  Ri is

O.G.: 103  (média)

v i  h ie ib
vo h fe
v o   RC // RLic Av    RC // RL
vi h ie
ic  h fe ib

O.G.: 102 (alto)

com inversão de fase

Ri vo Ri
vi  vs A vs   Av
Ri  RS v s Ri  RS

O.G.: 102 (alto)

com inversão de fase
 ii  ib
RC io RC
io   ic Ai    h fe
RC  RL ii RC  RL
ic  h fe ib
O.G.: 102 (alto)
com inversão de fase

RB io RB
ii  ib  is Ais   Ai
RB  Ri is Ri  RB

O.G.: 102 (alto)

com inversão de fase
 Determinação das resistências de saída

ii = ib
is ic
B C

RS hie
+ hfeib
vs=0 +
vi RB vo
-
-
E

Ro
v s  0  ib  0  ic  h fe ib  0
vo
Ro  
ic v 0
s
 ic -io
C
+

RC + vo
-
hfeib
E -

Ro R’o

vo
Ro   Ro // Rc
 io v  0
s O.G.: 103  (média)
Ro    Ro  Rc
B) Configuração Base-Comum

Convenção:

EMISSOR : terminal de entrada

COLETOR: terminal de saída

BASE:
terminal de referência para os sinais AC
(comum entre a entrada e a saída)
 B) Configuração Base-Comum

VCC

RB1 RC CL
C
B CS +
RS
CB E RL vO
RB2 + +
RE vI vs - -
-
 CB)
B =Configuração Base-Comum
capacitor de aterramento
do terminal de base para sinais
V AC
CC

RB1 RC CL
C
B CS +
RS
CB E RL vO
RB2 + +
RE vI vs - -
-
 CB)
B =Configuração Base-Comum
capacitor de aterramento
do terminal de base para sinais
V AC
CC

RB1 RC CL
C
B CS +
RS
CB E RL vO
RB2 +
Deve funcionar como curto nas +
RE vIde operação:
frequências vs - -
-
1
 RB1 // RB2
min C B
 Passo 2: Circuito equivalente AC

RS is ii io

E C +

+ + B vo
vs RE RC RL
- vi
- -
 Passo 3: Substituição do TBJ por modelo

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL vo
vs RE RC
- vi -
- hrevce +
B -
 Passo 3: Modelo simplificado válido?

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL vo
vs RE RC
- vi -
- hrevce +
B -

vce
v i  h ie ib  hre v o  v i 
 Passo 3: Modelo simplificado válido?

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL vo
vs RE RC
- vi -
- hrevce +
B -

v i  h ie ib  h re A v  1v i v i  h ie ib
hre pode ser
O.G: 10-4 102 desprezado: curto
 Passo 3: Modelo simplificado válido?

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL vo
vs RE RC
- vi -
- hrevce +
B -

hoe pode ser

Se 1/hoe >> RC//RL + RE
desprezado:
circuito aberto
O.G: 105  103 
 Passo 3: Modelo simplificado válido:

ii = -ie hfeib ic io
RS

E C +
is
+ + ib RL vo
vs RE hie RC
- vi
-
B -
 Passo 4: Análise do circuito

ii = -ie hfeib ic io
RS

E C +
is
+ + ib RL vo
vs RE hie RC
- vi
-
B -

R’i Ri Ro R’o

RC
v i  h ie ib io   ic v o   RC // RLic
RC  RL
ii   ie   1  h fe ib ic  h fe ib
 Passo 4: Análise do circuito

RS is
B

+ + Ri
vs vi  vs
- vi R’i Ri  RS
-
 Passo 4: Análise do circuito

ii = -ie
RS is
B

+ + RE
vs RE Ri ii   ie  is
- vi RE  Ri
-

R’i Ri
 v i  h ie ib vi h ie
Ri  
ii   1  h fe ib ii 1  h fe

O.G.: 101  (baixa)

RE vi
ii  ib  is Ri   RE // Ri
RE  Ri is

O.G.: 101  (baixa)

 v i  h ie ib
vo h fe
v o   RC // RLic Av   RC // RL
vi h ie
ic  h fe ib

O.G.: 102 (alto)

sem inversão de fase

Ri vo Ri
vi   vs A vs   Av
Ri  RS v s Ri  RS

O.G.: 101 (médio-alto)

sem inversão de fase
 ii   1  h fe ib
RC io RC h fe
io   ic Ai  
RC  RL ii RC  RL 1  h fe
ic  h fe ib
O.G.: < 1 (aprox. 1)

RE io RE
ii  ib  is Ais   Ai
RE  Ri is Ri  RE

O.G.: < 1
 Determinação das resistências de saída

ii = -ie hfeib ic
RS

E C +
is
+ ib +
vs = 0 RE hie vo
vi -
-
B -

Ro

v s  0  RS // RE1  h fe ib  h ie ib  ib  0

vo
ic  h fe ib  0  Ro  
ic v 0
s
 ic -io

C +

RC + vo
-
hfeib
B -

Ro R’o

vo
Ro   Ro // Rc
 io v  0
s O.G.: 103  (média)
Ro    Ro  Rc
C) Configuração Coletor-Comum

Convenção:

BASE: terminal de entrada

EMISSOR: terminal de saída

COLETOR :
terminal de referência para os sinais AC
(comum entre a entrada e a saída)
 C) Configuração Coletor-Comum

VCC

RB1 RC
CS C
RS
B
CC
CL
+ E
vs + +
- vI RB2
RE RL vO
- -
 C) Configuração Coletor-Comum
CC = capacitor de aterramento
VCC
do terminal de base para sinais
AC

RB1 RC
CS C
RS
B
CC
CL
+ E
vs + +
- vI RB2
RE RL vO
- -
 C) Configuração Coletor-Comum
CC = capacitor de aterramento
VCC
do terminal de base para sinais
AC

RB1 RC
CS C
RS
B
CC
CL
+ E
vs + +
- vI RB2
REnas
Deve funcionar como curto RL vO
- frequências de operação:
-
1
 RC
min C c
 Passo 2: Circuito equivalente AC

io
is ii E
RS
B
+

C RE RL vo
+ +
vs
- vi RB = RB1 //RB2
- -
 Passo 3: Substituição do TBJ por modelo

ii = i b hrevce
RS is ie io
B E
+ -
hie +
+ + RL
vs RB hfeib vo
- vi
- 1/hoe RE
C -
 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b hrevce
RS is ie io
B E
+ -
hie +
+ + RL
vs RB hfeib vo
- vi
- 1/hoe RE
C -

vce
v i  h ie ib  hre  v o   v o v i  h ie ib  v o
hre pode ser
desprezado: curto
 Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = i b hrevce
RS is ie io
B E
+ -
hie +
+ + RL
vs RB hfeib vo
- vi
- 1/hoe RE
C -

Se 1/hoe >> RE//RL hoe pode ser

desprezado:
circuito aberto
O.G: 105  103 
 Passo 3:
Modelo simplificado válido:

ii = i b
RS is ie io
B E

hie +
+ + RE RL
vs RB hfeib vo
- vi
- C -
 Passo 4: Análise do circuito

ii = i b
RS is ie io
B E

hie +
+ + RL
vs RB hfeib RE vo
- vi
- C -

R’i Ri Ro R’o

v i  h ie ib  v o v o  RE // RL1  h fe ib

RE
ii  ib io  ie ie  1  h fe ib
RE  RL
 Passo 4: Análise do circuito

RS is
B

+ + Ri
vs vi  vs
- vi R’i Ri  RS
-
 Passo 4: Análise do circuito

i i = ib
RS is
B

+ + RB
vs RB Ri ii  ib  is
- vi RB  Ri
-

R’i Ri
v i  h ie ib  v o
vi
v o  RE // RL1  h fe ib Ri   h ie  RE // RL1  h fe 
ii
ii  ib

O.G.: 105  (alta)

RB vi
ii  ib  is Ri   RB // Ri
RB  Ri is

O.G.: 104  (média-alta)

v i  h ie ib  v o vo RE // RL1  h fe 
Av  
v i h ie  RE // RL1  h fe 
v o  RE // RL1  h fe ib

O.G.: < 1 (aprox. 1)

sem inversão de fase

Ri vo Ri
vi   vs A vs   Av
Ri  RS v s Ri  RS

O.G.: < 1 (aprox. 1)

sem inversão de fase
 ii  ib
RE io RE
io  ie Ai   1  h fe 
RE  RL ii RE  RL
ie  1  h fe ib
O.G.: 102 (alto)
com inversão de fase

RB io RB
ii  ib  is Ais   Ai
RB  Ri is Ri  RB

O.G.: 101 (médio-alto)

com inversão de fase
 Determinação das resistências de saída

i i = ib
RS is -ie
B E
hie

vs = 0 + +
RB hfeib vo
vi -
- C

Ro
v s  0  v o  RS // RB   h ie ib  ie   1  h fe ib
vo RS // RB   h ie
Ro  
 ie v  0 1  h fe O.G.: 101  (baixa)
s
 -ie -io
E
+

RE + vo
-
hfeib
C -

Ro R’o

vo
Ro   Ro // RE
 io v  0 O.G.: 101  (baixa)
s
 Tabela Comparativa
EC BC CC
Av alto com alto ~1 (<1)
defasagem
Avs alto com médio-alto ~1 (<1)
defasagem

Ai alto com ~1 (<1) alto

defasagem
Ais alto com ~1 (<1) médio-alto
defasagem
Ri média baixa alta
R’i média baixa média-alta
Ro alta alta baixa
R’o média média baixa
Emissor Comum: configuração mais
utilizada graças aos altos ganhos de tensão
e corrente

Coletor Comum: utilizada para transferir

tensão de fontes de alta impedância para
cargas de baixa impedância

Base Comum: utilizada para transferir

corrente de fontes de baixa impedância
para cargas de baixa impedância
 Acoplamento direto entre fonte de alta
impedância e carga de baixa impedância

RS

+ + RL
vs RL vo  vs
- vo RL  Rs
-

Se RL << RS, então vo << vs

 Acoplamento utilizando um estágio coletor comum

RS R’o
coletor comum

+ + + +
vs R’i Avovi
- vi - R’L vo
- -

Avo ~1 é o ganho em circuito aberto

Como Rs<< R’i e RL >> R’o, então:

RL RL Ri
vo  A vo v i  A vo vs  vs
RL  Ro RL  Ro Rs  Ri
 Acoplamento direto entre fonte de baixa
impedância e carga de alta impedância

is RS
RS RL io  is
io RL  Rs

Se RL >> RS, então io << is

 Acoplamento utilizando um estágio base comum

base comum

is ii
RS R’i R’o RL io
Aiscii

Aisc ~1 é o ganho em curto circuito

Como Rs>> R’i e RL << R’o, então:

Ro Ro Rs
io  A isc ii  A isc is  is
RL  Ro RL  Ro Rs  Ri