UNIVERSIDADE DO ESTADO DO RIO DE JANEIRO

Centro de Ciência e Tecnologia

Faculdade de Engenharia

ADRIANA DE FREITAS LEITE

ADRIANA DIAS CARNEIRO

Projeto BJT: Polarização BJT 1

RIO DE JANEIRO
2021
Projeto BJT: Polarização BJT 1

ADRIANA DE FREITAS LEITE

ADRIANA DIAS CARNEIRO

Projeto BJT, da turma dois (2) que tem como finalidade

avaliar os conhecimentos de eletrônica I, pertencente ao
departamento de Engenharia Elétrica do Centro de Ciência
e Tecnologia da Faculdade de Engenharia.

Professor: Marco Aurélio Silva

Professor Adjunto/UERJ

RIO DE JANEIRO
2021
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 SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO:...........................................................................................................................4
1.1. Objetivo:................................................................................................................................5
1.2. Material Utilizado:...............................................................................................................5
1.3. Preparação:...........................................................................................................................5
2. MEDIDAS E DADOS:.................................................................................................................6
2.1. Cálculos:................................................................................................................................6
2.2. Simulação do circuito:..........................................................................................................9
3. TABELAS:....................................................................................................................................9
3.1 Tabelas comparativas dos circuitos:...................................................................................9
3.2 DATASHEET:....................................................................................................................10
4. A CURVA DO BJT ( Ic x Vce ):................................................................................................11
5. CONSIDERAÇÕES FINAIS:....................................................................................................12
6. BIBLIOGRAFIA:.......................................................................................................................13

3
1. INTRODUÇÃO:

No estudo da eletrônica encontra se o transistor, dispositivo que consiste de três

terminais que podem ser usados como uma fonte controlada para a base de projetos de
amplificadores. Pode também funcionar, em casos extremos, como um controlador de sinal
que pode ser utilizado para fazer a corrente no terceiro terminal variar, portanto, funciona
como uma chave que tem como função permitir a passagem de corrente.
Neste projeto será utilizado o transistor bipolar de junção (TBJ), em inglês bipolar
junction transistor (BJT) – será utilizado a sigla em inglês para este. É utilizado em circuitos
discretos, tanto analógico como digital. Sua tensão varia de acordo com o elemento químico
base do Transistor. Neste projeto será utilizado para o trabalho o Transistor de Silício (Si).
A estrutura física é composta por três regiões semicondutoras: emissor (e), base (b) e
coletor (c). Assim, seus terminais são conectados em cada região. O transistor consiste de
duas junções pn, a junção emissor-base e coletor-base. Dependendo como são polarizados,
são obtidos diferentes modos de operação do BJT (corte, ativo, saturação).
Os transistores de pequenos sinais são transistores usados principalmente para
amplificar sinais de baixo nível, mas também podem funcionar bem como interruptores. Os
pequenos transistores podem amplificar os sinais de entrada. Os valores típicos de hFE (ganho
do transistor) para transistores de sinal pequeno variam de 10 a 500, com valores máximos de
Ic (corrente de coletor) de cerca de 80 a 600 mA .Podem ser encontrados em construção NPN
e PNP. Estes transistores são excelentes para aplicação como amplificador de sinais
pequenos.1
Neste projeto o que será feito é a comparação dos valores, baseados nas informações
preestabelecidas do transistor. Também será construído o gráfico que aponta os melhores
valores da tensão - coletor emissor - e da corrente no coletor. O entendimento e uma faixa
mínima de erros dentro desses valores encontrados, gerará a confiabilidade dentro dos
parâmetros estabelecidos para o sucesso do projeto.

1
<https://www.mundodaeletrica.com.br/como-funciona-um-transistor-e-qual-a-sua-aplicacao/#:~:text=O
%20transistor%20bipolar%20de%20jun%C3%A7%C3%A3o,o%20coletor%20e%20o%20emissor.&text=Esses
%20transistores%20s%C3%A3o%20os%20%C3%BAnicos,atrav%C3%A9s%20da%20base%20do
%20transistor.>
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1.1. Objetivo:
- Encontrar os valores teóricos, utilizando a base de dados dada para o BJT e comparar com
os práticos – obtidos através de simulação por um software.
1.2. Material Utilizado:
Observação: Em aulas presenciais de laboratório, o atual experimento seria realizado
em bancada, com os resistores, fonte de tensão e multímetro, disponibilizados na bancada de
testes. Como os laboratórios não estão sendo utilizados, a alternativa paralela é o uso de
programas de simulação. Um software que simule o circuito como se estivesse sendo montado
em um laboratório, com a opção de fazê-lo “rodar” e verificar as medidas dos componentes e
se há algum erro dentro da colocação dos dispositivos no circuito.
Nas simulações serão usados:
- Uma fonte de alimentação cc de 10 V;
- Um transistor (BJT) BC548B;
- Quatro resistores ( Rb 1 , R b 2 , ℜe Rc ); a serem calculados;
- Medidor de tensão e medidor de corrente, o multímetro (utilizados de forma virtual, no
“software” simulação).
1.3. Preparação:

Será montado um circuito com o transistor e os componentes listados anteriormente.

Serão feitas as medições dos valores de tensão e de corrente dentro deste, com o intuito de
fazer as comparações teóricas e práticas dos valores encontrados.
- Circuito demonstrativo:

Figura - 1

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2. MEDIDAS E DADOS:

2.1. Cálculos:

Polarização BJT 1:
 BJT BC548B;
 Divisor de tensão na base;
 Vcc=10 V ;
 Vbe=0 , 7V ;
 Vce=4 V ;
 Ic=2 mA ;
 β=300 ;

R b1=? ; R b2=? ; Rc=? ; ℜ=?

 Exata:

Ic
β=
Ib
Rth =R1 /¿ R2
R2 .Vcc
Eth =
R 1+ R 2
Eth .Vbe
I B=
Rth + ( β+ 1 ) . Re
Ic=β . Ib
Ie=( β +1 ) . Ib
Vce=Vcc−(Vc + Ic . ℜ)
Vce=Vcc−Ic.(Rc + ℜ)
 Aproximando: β . ℜ ≥ 10. R2
R2 .Vcc
Vb=
R 1+ R 2
Ve=Vb−Vbe
Ve
Ie=
ℜ

6
 Ie
Ie=
( β+1 )
Vce=Vcc−Ic(Rc+ ℜ)
Vcc
Ic=
Rc+ ℜ
Vcc
Rc+ ℜ= │
Ic Vce=0V
10
Rc+ ℜ= =5 kΩ
2.10−3

 Sendo 2mA o Ic Máx no circuito:

Vcc−Vce=Ic (Rc+ ℜ)
6V
=Rc + ℜ
2mA
Rc+ ℜ=3 k Ω
Vcc=10 V ; Vce=4 V ; Ic=2 mA ; β=300
Vcc
Rc= =5 kΩ
Ic

Rth =R1 /¿ R2

Vcc−IcRc−Vce−IeRe=0
10−IcRc −4−IeRe=0

Ic q=Ie q =2 mA
2mA
Ib= =6,67 μA
300

Figura - 2
7
 6
Rc+ ℜ= =3 k Ω
2 mA
1
Ve= Vcc=1V
10

1V
ℜ= =0,5 k Ω
2 mA
≈ ℜcomercial=560 Ω
Rc=2,5 k Ω
≈ Rccomercial =2,4 kΩ

Vb=Vbe +Ve=0,7+1,0=1,7 V
Vc=Rc . Ic=2,5 k Ω ×2 mA=5 V
- Vce=4 V -

ℜ. β
Rb2=R2 = =15 k Ω
10
Rb1=R1

Vcc . R2 10 .15 k
Vb= = =1,7 V
R 1+ R 2 R 1+15 k

150 k −25,5 k
Rb1=R1= =73,24 kΩ
1,7

Rth =R1 /¿ R2
15 k ∙73,24 V
Rth = =12,45 kΩ
88,24 k

R2 ∙ Vcc 150 k
Eth = = 1,69 V
R1 + R2 88,24 k

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2.2. Simulação do circuito:

3. TABELAS:
3.1 Tabelas comparativas dos circuitos:
Resistores Teórico Comercial

ℜ 0,5 k Ω 0,56 k Ω
Rc 2,5 k Ω 2,4k Ω

R1 73,24 kΩ 75 k Ω

R2 15 k Ω 15 k Ω

Tensões / Correntes Teórico Simulado

Vc e 4V 4,222 V

9
 Vc 5V 4,796 V

Vb 1,7 V 1,623 V

Ve 1V 0,982 V

Ic 2 mA 1,919 mA

Ib 6,67 μA 6 , 995 μA

Ie 2 mA 1,925 mA

3.2 DATASHEET:

O ponto marcado em azul representa as características do transistor utilizado para o projeto

deste relatório.

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4. A CURVA DO BJT ( Ic x Vce ):

Figura - 3
As curvas para os valores de Ib estão dimensionadas de 5μA em 5μA, como o valor
encotrado pelos cálculos teóricos apontam o valor de Ib=6,67 μA , o ponto que este ocupa
dentro do gráfico é condizente com o seu valor encontrado.
Esse gráfico foi feito a partir do software de simulação Multisim, sendo que este
considera a parte negativa do gráfico, mostrando o eixo antes do valor zero (0).
A reta de carga é traçada pelos pontos máximos e mínimos de Vce e Ic, no ponto do
gráfico em que eles passam pelas proximidades do valor teórico de Ib, encontramos os valores
aproximados de Icq e Vceq. Que pela análise do gráfico, percebe-se que os valores da
corrente e da tensão estão próximas dos valores encontrados pelos cálculos.

2
Gráfico obtido a partir do Multisim.
11
 Figura - 4
O ganho 𝛽 é sensível a temperatura, por isso temos que ter cuidado ao tipo de
configuração, para não danificarmos o dispositivo. Com as variações de temperatura, em
outras configurações de polarização fixa faz com que o ponto de operação se desloque.
Posto isso, sabe-se que o ponto quiescente é o ponto de operação estável de um
transistor, onde é um ponto que não há muitas variações do sistema caso sejam submetidos às
condições externas. Ademais, a configuração de polarização por divisor de tensão garante
maior estabilidade deste ponto. Portanto, a escolha dos resistores para o coletor e para o
emissor se torna importante tambémpara a determinação de um ponto de operação estável.

5. CONSIDERAÇÕES FINAIS:
Após feita a análise de todos os componentes e dados encontrados para este projeto,
pode-se concluir que este atendeu as expectativas dentro do que foi proposto. Os valores
encontrados para Ic estão dentro da faixa de erro aceitável. Além disso, pode-se estabelecer
um valor Ic máx =3,3 mA e Vcemáx =10 V .
Assim, estabelece-se os valores dos erros para a tensão no coletor como:
V exp /¿
¿ V teo− ¿
¿ V exp /¿ x 100 % ¿
4,796 /¿
E V c =¿ 5− ¿
¿ 5 /¿ x 100 % ¿
E V c =4,08 %

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 E o erro percentual para a corrente no coletor como:
V exp /¿
¿ V teo− ¿
¿ V exp /¿ x 100 % ¿

10−3 /¿
E I c =¿ 2 x 10−3−1,919 x ¿
¿ 2 x 10−3 /¿ x 100 % ¿
E I c =4,05 %

A análise do valor quiescente da tensão Vce e da corrente Ic podem ser obtidas através
do gráfico registrado anteriormente e encontrado a partir do Multisim. Sendo assim, pode-se
considerar a tensão Vce q ≅ 3 ,3 V e Ic q ≅ 1,7 mA . Dentro desses valores encontrados a conclusão
geral é de confiabilidade da experiência feita.
Em suma, tem-se que o projeto foi desenvolvido com sucesso, atendendo todos os
requisitos solicitados, garantindo estabilidade de operação e baixo custo de desenvolvimento,
como os resistores utilizados foram dois de valores comercias e dois não comerciais. Dito
isso, pode-se estabelecer os níveis de precisão e garantir que o projeto em questão saciará as
necessidades para que foi criado.

6. BIBLIOGRAFIA:

Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis. Dispositivos Eletrênicos e teoria de circuitos. – 11ª
ed. – São Paulo: Pearson Eduacation do Brasil, 2013.
<https://www.multisim.com/>
Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth, C. Microeletrônica. – São Paulo: Pearson Education do
Brasil, 200.

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