Eletrônica Analógica

Transistor Bipolar de Junção –

Polarização
Prof. Paulo Piber
 Polarização
• Polarizar significa estabelecer valores de correntes e tensões
no circuito, para operação dentro de uma das regiões (ativa,
corte ou saturação).
• Para região ativa, a polarização deve estabelecer uma corrente
CC constante no emissor/coletor.
• Essa corrente tem de ser calculável, previsível e insensível às
variações da temperatura e as grandes variações no valor de β
(hfe) encontradas em transistores de um mesmo tipo.
• Outra consideração é localizar o ponto de polarização no plano
IC x VCE de forma a permitir a máxima excursão do sinal de
saída.

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Circuito de polarização EC com corrente de base constante

RB > RC → Garante operação na região ativa.

Malha de Entrada: RB∙IB + VBE = VCC

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 VCC - VBE VCC - VBE
RB = IB =
IB RB
VCC e RB → constantes
VBE → não varia
Variação de IB desprezível Para região
ativa
Malha de Saída: RC∙IC + VCE = VCC

VCC - VCE VCC - VCE VCC

RC = IC = IC 
IC RC RC
-IC sensível à variação de temperatura;
- IS dobra para cada aumento de 10oC na temperatura;
- A tensão VBE diminui 2,5mV por oC;
- O ganho β (hfe) aumenta com a temperatura.
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 Polarização EC com IE constante
Aumentando IC com ΔT aumenta VRC e VRE, diminuindo
VCEQ. Porém, aumento de VRE causa diminuição de VRB, pois VBEQ
é constante.
Diminuindo VRB, diminui IBQ e consequentemente ICQ,
compensando, assim, o seu aumento inicial. Portanto, IEQ
mantém-se constante.

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 Polarização EC com IE constante
Entrada: RB∙IB + VBE + RE∙IE = VCC

VCC - VBE - R E  I E VCC - VBE

RB = IB =
IB R B + ( + 1)  R E

Saída: RC∙IC + RE∙IE + VCE = VCC

VCC - VCE
VCC - VCE - R E  I E IC =
RC = RE
IC RC +

Na prática utiliza-se α ≈ 1.

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 Polarização EC com divisor de tensão na base

Os resistores RB1 e RB2 formam um divisor de tensão.

Desta forma, assegura que a junção base-emissor opere na
região ativa. O circuito é projetado de forma a fixar o valor de
VRB2.
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 O circuito de base pode ser simplificado por Thevenin,
conforme segue:

onde
R B1  R B2 R B2
RB = VBB =  VCC
R B1 + R B2 R B1 + R B2

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O circuito resultante que será analisado é visto abaixo
Fazendo a malha do circuito de base
temos
-VBB + RB∙IB + VBE + RE∙IE = 0
Sabemos que
IE
IB =
β +1
Substituindo na expressão acima e
isolando IE resulta

VBB - VBE
IE =
RB
RE +
β +1
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 Para IE insensível às variações na temperatura e na
variação de β, projetamos o circuito para satisfazer as condições:

VBB  VBE Variações de VBE serão desprezadas

pelo valor de VBB.

RB
R E  IE insensível às Variações de β (hfe) .
β +1
Prática:
VCC
VBB =
3
VCB (ou VCE ) = CC
V
3
VCC
R C  IC =
3
Corrente no divisor de 0,1∙IE a IE.
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Polarização usando duas fontes de alimentação

VEE - VBE
IE =
RB
RE +
(β + 1)
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 Polarização por realimentação de tensão
VCC = IE∙RC + IB∙RB + VBE
como IE
IB = e IC  I E
(β + 1)
temos
VCC - VBE
IE =
RB
RC +
(β + 1)
RB
 R C IE insensível às Variações de β (hfe) .
(β + 1)
RB
VCB = I B  R B = I E  RB determina a excursão máxima
(β + 1) permitida para o sinal no coletor.

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 Transistor como Chave – Corte e Saturação
Região de Corte

v I  VBE v o = VCC
IB = 0 IC = 0 IE = 0
Na prática, podemos considerar o transistor cortado se:
VBE < 0,5V (NPN) ou VEB < 0,5V (PNP)
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Região de Saturação

vo = VCE

Ocorre quando tentamos forçar uma IC maior do que o circuito é

capaz de fornecer. Para o circuito acima, temos:

VCC - VCE
IC =
RC
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 VCC - VCE SAT
ICSAT = VCE SAT  0,2V
RC
Devemos forçar a corrente de base para o transistor saturar.
I C SAT
I B (EOS ) =
β
EOS = Edge of Saturation = Início Saturação
No projeto IB > IB (EOS) por um fator que varia de 2 a 10
chamado Fator de Saturação Forçada.

ICSAT
βforçado = βforçado  βmínimo
IB

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 Configuração Darlington
Um único transistor geralmente oferece um baixo ganho
de corrente. O Darlington é utilizado para elevar este ganho.
I C = I C1 + I C2
I C1 = β1  I B1
I C2 = β 2  I B2
I B2 = (1 + β1 )  I B1
I C2 = β 2  (1 + β1 )  I B1

I C = β1  I B1 + β 2  (1 + β1 )  I B1
I C = (β1 + β 2 + β1  β 2 )  I B1
VBE = VBE1 + VBE2

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Transistor conectado como diodo

Características iC x vCB
 Espelho de Corrente com TJB
VCC - (- VEE ) - VBE
I REF =
R
VCC + VEE - VBE
I = I REF =
R

Considera-se que Q1 e Q2 tenham

valores elevados de β, podendo desprezar suas
correntes de base. Como têm o mesmo VBE, as
correntes de coletor, também, serão iguais.

A corrente I permanecerá constante enquanto Q2 permanecer na região

ativa, ou seja, mantendo-se a tensão V maior que a tensão na base (-VEE +
VBE).
 Considerando o efeito do β
finito, temos:
β
IO =  IE
β +1
β+2
I REF =  IE
β +1
Portanto, o ganho de corrente do
espelho é dado por
IO β 1
= =
I REF β + 2 1 + 2
β
Que se aproxima da unidade para β >> 1. Se β = 100 resulta em um erro de
2%. Considerando o efeito Early temos:
I REF  VO + VEE -VBE 
IO   1 + 
1+ 2  VA 
β