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Questão 1

GEEE - Eletrônica Industrial Exercício 1

Transistor de potência Página 2


Questão 2
Questão 3
4 ex4

A Objetivo do circuito é melhorar a frequência de chaveamento que determina quantos


ciclos são realizados a cada segundo, ou seja, quantas vezes o transistor conduz e corta a
tensão para a carga.

Isso pq quando a corrente de base (e a de coletor também) aumentam, causam um


aumento também no tempo de armazenamento de carga. Ou seja, fica reduzida sua
frequência máxima de chaveamento.

A ideia desse circuito é diminuir a corrente IC para uma saturação fraca. Isso é feito
colocando os diodos D1 e D2, criando um circuito grampeador de tensão que diminui o
valor de Vce e consequentemente a corrente Ic
GEEE - Eletrônica Industrial Exercício 4

Com uma corrente a gente acha a outra e segue essa logica!

Nota: quando a gente fala corrente X FORTE, significa que a corrente da entrada foi
toda para aquele lugar. (rudolf nunca falou isso, achei em uns sites aleatórios ai)

LTK na esquerda

VB − VD1 − VBE 12 − 1.5 − 0.7


IBf orte = =
RB 3

IBf orte = 3.2667A

Com IB forte achamos IC forte (β foi dado e vale 10). Vale lembrar que isso é dado
do transistor, por isso nao podemos só fazer um LTK e dizer que toda a corrente foi pro
coletor.
ICf orte = β · IBf orte = 32.6667A

Tendo IC forte, achamos IC "normal", e podemos achar as outras também

IC = 0.8 · ICf orte = 0.8 · 32.6667 = 26.13A

IC 26.13
IB = = = 2.613A
β 10

Tomando a maior corrente IB (supostamente o máximo de corrente que vai rolar),


Achamos I1 e I2 a partir dos resultados acima

I1 = IBf orte

Por LCK:
I1 = I2 + IB → 3.26667 = I2 + 2.613 → I2 = 0.65333A

IC = IL + I2 → 26.13 = IL + 0.6533 → IL = 25.48

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GEEE - Eletrônica Industrial Exercício 4

Por fim, vamos descobrir o valor de RC comparando a tensão "vindo da esquerda"e a


tensão causada pela fonte na direita:

VCC − IL · RC = VBE + VD1 − VD2

Equação do professor: (é a mesma, só isolada)

VCC − VD1 + VD2 − VBE 200 − 1.5 + 0.7 − 0.7


IL = → 25.48 =
RC RC

∴ RC = 7.8Ω

Transistor de potência Página 7


5 ex5

Seguir passo a passo:

VBB − VBEsat 8 − 1.75 6.25


IB = = =
Rb Rb Rb

VCC − VCEsat 100 − 2.5


ICsat = = = 19.5A
Rc 5

VCC − VCEsat 100 − 2.5


ICsat = = = 19.5A
Rc 5

Para β = 10 IB 6.25 1
ODF = → 20 = ·
IBsat Rb 1.95
ICsat 19.5
IBsat = = = 1.95A Rb = 0.16Ω
β 10
GEEE - Eletrônica Industrial Exercício 5

Para β = 60 IB 6.25 1
ODF = → 20 = ·
IBsat Rb 0.325
ICsat 19.5
IBsat = = = 0.325A Rb = 1.12Ω
β 60

Assim a gente tem que o Rb deve estar entre:

0.16Ω < Rb < 1.12Ω

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