Polarização CC-TBJ ou BJT (bipolar junction

transistor).

Vamos aprender a analisar e projetar um

circuito amplificador com TBJ onde tenho que
conhecer analise em CC e CA e vamos ver que
os parâmetros alguns são iguais.

Ponto de operação: O transistor possui três

tipos de região que operam que é região corte
quando I B ≤ 0 μA , região de saturação é
quando, V CE ≤ V CEsat e a região ativa (linear), e
na região ativa que fica localizado o ponto
quiescente(Q) e a palavra tem significado de
repouso, imóvel e inativo.

O transistor pode sim ser operado fora dessa

região ativa, porém iria trazer sério
consequência como redução da sua vida útil
ou até mesmo a sua destruição.

No gráfico temos o ponto A onde é quando o

transistor não está polarizado logo ele está na
região em corte. No ponto B o ponto Circuito de polarização fixa: Observe a
quiescente está numa boa localização pois a imagem abaixo
variação não atinge valores maiores que possa
sair da região ativa, logo o ponto B é uma
região mais linear em relação aos outros
ponto de modo geral é preferível operar onde
o ganho do dispositivo e razoavelmente
constante (linear) para garantir que a
amplificação em toda a excursão do sinal de
entrada seja a mesma. No ponto C e D os
valores de pico tanto positivo quanto
negativo, tende a ir fora da região ativa, assim
pode causar algumas similaridades que o
funcionamento pode trazer consequência
perceptíveis. Podemos fazer tanto uma análise CC e um
análise CA, onde podemos separar. Na análise
Outros parâmetros que temos que ver é a
CC os capacitores podem ser substituídos pelo
temperatura, pois com variação a
circuito aberto, pois a reatância de capacitor
temperatura modifica algumas características
venda da função da frequência logo,
do transistor, onde a elevação da temperatura
pode causar variação no β CA e ganho de 1 1
XC = →
corrente de fuga I CEO ,assim sempre temos ωC 2 πfC
que procurar a estabilidade do circuito. f =0 Hz
1
=∞Ω
2π 0C
 Malha do coletor-emissor: Observe a imagem
abaixo.

E também podemos separar a fonte V CC

como mostra a imagem acima.

Polarização direta da junção base-emissor:

Na polarização de base-emissor vamos fazer
análise de malhas
Podemos ver a corrente I C onde e RC porém
a corrente I C não é uma função do RC

I C =β . I B

E sim da função I B, assim podemos

determinar que R Bcontrola I B e constante β
relaciona o I C onde se mudar os RC não afeta
o I C e I B desde que dispositivo esteja na
região ativa.

O RC que determina o V CEonde quando

maior RC menor vai ser V CE, assim aplicando
Aplicando a LKT temos a LKT temos
+V CC −V RB−V BE =0 V CE + I C . R C −V CC =0
+V CC −( I B . R B ) −V BE =0 V CE =V CC −I C . RC
Colocando em função de I B Onde,

( I B . R B ) =V CC −V BE V CE =V C −V E

V CC −V BE V E=0 V
I B=
RB V CE =V C
Assim determinamos a corrente de base, onde
Onde V CE é a tensão do coletor para emissor,
a tensão V CC e V BE são constantes logo a
o mesmo acontece no V BE
resistência de R B também é constante então
V BE =V B −V E
V
R B= RB V E=0 V
IB
V BE =V B

Assim podemos colocar um voltímetro e variar

a tensão podemos ver a variação de tensão do
coletor e emissor.

EXEMPLO: Calcule os seguintes parâmetros.

a¿ IB e ICQ Q

b¿VCE Q

c ¿VBeVC

d ¿ V BC
Assim podemos dizer que quando estamos na
V CC−V BE ( 12 V −0,7 V ) corrente de saturação o V C E =0V e sua
a¿ IB = → =47,08 μA sat

Q
RB 240 kΩ resistência é 0Ω

I C =β I B → ( 50 ) . ( 47,08 μA ) =2,35 mA Como mostra o circuito abaixo

Q Q

V CE 0 V
b ¿ V C E =V CC−( I C . R C ) RCE = = =0Ω
IC IC
Q

Sat Sat

V C E =12 V − ( 2,35mA ) . ( 2,2 kΩ )

Q

V C E =6,83V
Q

c ¿ V B=V BE=0,7 V (V E =0 V )

V C =V CE=6,83V ( V E=0V )

d ¿ V BC =V B−V C

0,7 V −6,83V =−6,13 V

Deu negativo pois a junção está polarizada
E como fosse aplicar um curto circuito no V CE
reversamente.

Saturação do transistor: A saturação e

quando estamos operando com os valores
máximo, fazendo uma analogia e quando uma
esponja não consegue mais reter uma gota
liquida de água. Assim a região de saturação
tem que ser evitada pois a causa distorção no
sinal de saída a junção e base-colete não vai
estar mais polarizado reversamente.

Onde se olhar na imagem abaixo quando

estamos com corrente máxima estamos com
Assim temos que a corrente de saturação é
VCE Sat
dada por

V CC
IC =
sat
Rc
Exemplo: V CC
I C= |
Calcule a corrente de saturação da figura RC V CE =0 V

abaixo: Agora temos os dois parâmetros de limite de

um transistor em corte e saturação, onde se
colocarmos esse ponto no gráfico e traçar
uma reta entre esse ponto temos uma reta de
carga.

V CC 12V
IC = = =5,45 mA
sat
R C 2,2 kΩ
Analise por reta de carga: Vamos aprender
agora analisar um transistor por sua reta de
carga, onde e um gráfico que as
cargas(resistores) determina a inclinação da Onde podemos ver que posso definir qual a
reta de carga, esse carga é pela Rc que corrente de base do circuito.
determina a inclinação da equação de circuito Nesse gráfico podemos tirar três definição.
e a interseção resultante entre dois gráfico.
Primeira definição que se mudar o R B o ponto
O primeiro parâmetro é quando o transistor
quiescente vai andar sobre reta.
está em corte, logo tensão da fonte está toda
sobre ele, pois ele está se comportando com
um circuito aberto (resistência muito alta)
logo queda de tensão vai ficar toda sobre ele.

V CE =V CC + I C R C

I C =0 mA

V CE =V CC −( 0 mA ) RC

V CE =( V CC ) |I C =0 mA

E também podemos definir que é corrente de Segunda definição é que se mudar o RC

saturação máxima, e a corrente de saturação vamos variar a inclinação da reta de carga
máxima é quando o transistor se comporta assim vamos provar que RC define a
como curto-circuito, logo que vai assegurar inclinação da reta de carga.
limite de corrente é resistor RC

V CE =0 V

V CC −I C RC =0V
 V CC −V BE
I B=
RB
V CC−V BE
R B=
IB
20V −0,7 V
R B= =772 kΩ
25 μA
Configuração de polarização do emissor

Agora vamos analisar um circuito composto

com um resistor no emissor, onde esse
resistor é essencial para deixar mais estável o
E terceira definição que se variar a tensão de
funcionamento do transistor onde o R E tem a
entrada vamos estar variando os dois
finalidade de melhorar os nivel de
parâmetros do gráfico.
estabilidade, onde quando um circuito não é
muito estável altera suas configurações
trazendo resultado indesejáveis, que são
causados pela temperatura e variação do
parâmetro.

Exemplo: Calcule o V CC , RC e R B

No circuito acima que vamos analisar,

primeiro vamos analisar a malha base-
emissor.

Malha base-emissor: Pode redesenhar o

circuito desta forma.

V CE =V CC =20 V em I C =0 mA

V CC
I C= em V CE =0 V
RC
V CC 20 V
RC = = =2 kΩ
I C 10 mA
Onde nessa malha com aplicação das leis de
Kirchhof temos:

+V CC −I B RB −V BE −I E RE =0

Sabemos que,

I E =( β+ 1 ) I B

Então mudando o I E

+V CC −I B RB −V BE ( β+ 1 ) I B RB =0

Deixando o I B em evidencia temos que

−I B ( R B+ ( β+1 ) R E ) +V CC −V BE =0

Deixando em relação a I B
Onde aplicando a LKT temos
( V CC −V BE ) + I E R E +V CE + I C RC −V CC =0
I B=
R B + ( β+ 1 ) R E
IE ≅ IC
Onde podemos fazer uma comparação que na
polarização fixa era só resistor de base sobre V CE −V CC + I C ( RC + R E )
denominador, agora vou acrescentado o
V CE =V CC −I C (R C + RE )
( β +1 ) R E . Onde podemos analisar que o R E
que também tem parte na malha coletor-
emissor, na malha de base-emissor aparece
Sabe-se que a V E é relação a terra temos que
como ( β +1 ) R Ee de modo geral ele aparenta
ser um resistor muito maior no circuito de V E=I E R E
entrada. Assim podemos concluir que valor da
impedância refletida de R E é V cE =V C −V E

Ri= ( β +1 ) RE V C =V CC−I C R C

Malha coletor-emissor: Na análise de coletor- Na malha de base-emissor também podemos

emissor tirar o V B

V B =V CC −I B R B

Ou,

V B =V BE +V E

Exemplo:

Calcule:

A) I B

b) I C

c)V CE

d)V C
e)V E V CE =13,97 V

f)V B d)

g)V BC VC

Do circuito abaixo: V C =V CC−I C R C

V C =20−( 2,01 mA ) .2kΩ

V C =15,98 V

e)

V E=V E−V CE

V E=15,98 V −13,97 V

V E=2,01 V

f)

V B =V BE +V E

¿ 0,7+2,01 V
¿ 2,71 V
g)
A) Solução
V BC =V B −V C

¿ 2,71 V −15,98 V
( V CC −V BE )
I B= ¿−13,27 V
R B + ( β+ 1 ) R E
20−0,7
I B=
( 430× 103 ) + ( 51 ) 103 Melhoria na estabilidade da polarização

I B=40,1 μ A A adição do resistor de emissor ao circuito de

polarização CC do TBJ acarreta uma melhoria
b) na estabilidade e, isto é, as correntes e tensão
I C =I B β CC permanecem próximas aos valores
estabelecidos pelo circuito quando
I C =( 40,1 μA )( 50 ) modificações externas, como temperatura e
beta do transistor, ocorrem.
I C ≅ 2,01mA
Exemplo: Vamos usar como exemplo duas
c) figuras abaixo
V CE

V CE =V CC −I C ( RC + R E )

V CE =20 V −2,01 mA ( 2 kΩ+1 kΩ )


Usando essa figura acima vamos calcular para
dois tipos de de β=100 e 50 que vai da esses
resultados
A corrente do coletor do TBJ aumentou 100%
devido a uma variação de 100% do valor de β .
O valor de I B permaneceu o mesmo e o V CE
diminuir 76%
Agora refazendo os cálculo para esse circuito
Agora a corrente de coletor do TBJ aumenta
aproximadamente 81% devido ao aumento de
100% em β .Observe que I B diminuiu,
ajudando a manter o valor de I C ou pelo
menos, reduzindo a variação total de I C
devido á variação em β . A variação de V CE
diminuiu aproximadamente 35% em relação á
variação anterior. Assim podemos dizer que
esse circuito é mais estável que outro.
Nivel de saturação
Para obter o nivel de saturação é quando o
transistor não dá mais ganho de corrente,
damos um curto-circuito entre terminal
coletor e emissor, e assim com resistor de
emissor levamos o nivel de saturação para
nivel mais baixo. Onde para saber o nivel de
saturação é:
V CC
I Csat= |
RC + R E V CE =0 V

abaixo variando o beta temos seguinte

resultados.

Exemplo:

V CC
I Csat=
RC + R E
20 V 20V
= =6,67 mA
2 kΩ+1 kΩ 3 kΩ
1.8 Configuração de polarização por divisor
de tensão.
 Agora vamos analisar a polarização por
divisor de tensão, onde esse tipo de
polarização sobre ou bastante independente
do β , pois o beta como se sabe sofre
alterações em meio externos, principalmente
transistor de silício, e esse circuito
independente do beta, porém se analisar
profundo sensibilidade de alteração junto com
beta, porém é muito pequena.

Onde para achar a resistência de thévenin

temos que eu curto-circuito a fonte

Rth =R1∨¿ R 2
Para isso vamos fazer por dois tipos de
Depois que determinamos a resistência de
método (exato e aproximado), onde o método
thévinian vamos determinar a tensão de
exato pode ser aplicado em qualquer divisor
thévinian onde é aplicando o divisor de tensão
de tensão já método aproximado só em
condições específicas.

Analise exata: Vamos fazer utilizando a

analise exata onde vamos ter aplicação do
teorema de thevenian do circuito abaixo.

R2 V CC
Eth =V R =
2
R1 + R2
Assim resenhando o circuito com aplicação do
thévianin,

Redesenhando temos,
Para poder I B é aplicação da lei das tensões Eth −V BE
I B=
de Kirchhof Rth + ( β+ 1 ) R E
Eth −V BE
I B= 2V −0,7 V
Rth + ( β+ 1 ) R E =8,38 μA
3,55 kΩ+ ( 101.1,5 kΩ )

I C =β I B
Onde podemos analisar que para determinar a
corrente de base é mesma da polarização de I C =( 100 ) ( 8,38 μA )
emissor, onde no numerador temos diferença
de potencial e denominador a resistência da I C =0,84 mA
base mais resistor de emissor refletido.
V CE =V CC −I C ( RC + R E )
Assim com I Bconhecido podem determinar
outros parâmetros; V CE =22 V −( 0,84 mA )( 10 kΩ+ 1,5 kΩ )
V CE =V CC −I C ( RC + R E )
V CE =22 V −9,66 V
Exemplo: Determine a V CE e I C
V CE =12,34 V

Primeiro vamos determinar a Rth

Rth =R1∨¿ R 2

39 kΩ .3,9 kΩ
¿ =3,55 kΩ
39 kΩ+3,9 kΩ
Agora determinar a tensão de Eth , como a
utilização divisor de tensão;

R2 VCC
Eth =
R 1 + R2

(3,9 kΩ )( 22 V )
Eth = =2V
39 kΩ+3,9 kΩ

E podemos determinar o I B ;