M 1106 1110

M-1106
POLARIZAÇÃO DE AMPLIFICADORES
OBJETIVOS
1. Estudar os 3 tipos básicos de polarização DC de um transistor a partir de uma única

fonte, isto é:
- Polarização com um único resistor de base.
- Polarização com divisor resistivo na base.
- Polarização com efeito de realimentação negativa.
2. Estudar as características básicas da configuração Darlington.
90
NOTAS DE TEORIA
Figura 6-1 Circuito Básico
Como calcular RE, RC, RB.

Inicialmente não vamos considerar RE.
Sabemos que:
VCE = VBE + VCB

IE = IC + IB
ß = IC } = IC
IB IE
Figura 6-2
Lei das Malhas:
VCC = VR2 + VCE

VCC = R2 IC + VCE
VCC = VR1 + VBE
VCC = R1 IB + VBE
Geralmente conhecemos:
VCC, VCE l VCC (para máxima excursão simétrica) e I C (o valor de IC está ligado a
2 potência da carga) e ß = escolha do transistor.
91
Assim sendo como exemplo:
VCC = 12V; VCE l 6V; IC = 3mA

ß = 250 (valor típico do BC547)
R2 = VCC - VCE = 12V - 6V l 2kΩ
IC 3mA
R1 = VCC - VBE
IB
Observação: 0.6V < VBE < 0.7V

m m
Corte Saturação
Os valores de VBE variam de transistor para transistor; para efeitos de polarização
podemos adotar VBE = 0.7V, seria mais adequado recorrermos as curvas do transistor em
apreço e para o VCE escolhido obtermos o valor de (IB, VBE).
Assim:
IB = IC = 3 mA = 12µA
ß 250
R1 = RB = VCC - VBE = 12V - 0.7V = 942k✡
IB 12µA
Observação:
- Repare que o valor de RB depende diretamente de IB ( IC / ß) porém o ß de um transistor
além de variar com a temperatura varia muito de transistor para transistor para a mesma
família (veja manual do fabricante) de transistores.
- Este método de polarização não é adequado pois depende do transistor e é sensível
a variações de temperatura.
Porque utilizar RE.
O RE é utilizado para se ter o comportamento de uma fonte de corrente constante,

estabilizando-se a corrente de base IB, para isto RE deveria ter um valor ohmico elevado,
no entanto existe um compromisso com o ganho de tensão do estágio.
AV l RC / RE = RC hFE
hIE + (hFE + 1 ) RE
No projeto de polarização a relação AV l RC quase sempre esta presente.

RE
Exemplo de polarização com RE.
VCC = 12V
VCE = 5V
RC = 10
RE
ß = 250
92
Figura 6-3
Lei das Malhas:
VCC = VR2 + VCE + VR3

VCC = R2 IC + VCE + R3 IE
IE = IC + IB = IC + IC = IC ( 1 + 1 ) l IC
250 250
Para valores muito altos de ß (ß> 100) geralmente IE { IC.
VCC = R2 IC + VCE + R3 IC
VCC - VCE = IC ( R2 + R3 )
Se RC = 10; VCC = 12V; VCE = 5V
RE
RC = 2kΩ; RE = 200Ω
IC = 3.18mA
E ainda:
VCC = VRB + VBE + VRE
VRB = RBIB = VCC - VBE - VRE
RB = 12V - 0.7V - ( 200 x 3.18 mA) = 12V - 0.7V - 0.636V
3.18mA 12.7µA
250
RB = 840k✡
93
EXPERIÊNCIA - 1
POLARIZAÇÃO COM UM ÚNICO RESISTOR DE BASE
PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
(a) (b) (c)
Figura 6-4 Polarização do Circuito Amplificador
1. Monte o circuito da Figura 6-4 (a) utilizando-se o Circuit-1 do módulo M-1106.

2. Monitore VCE com um osciloscópio ou com um voltímetro de alta impedância; ajuste
P1 até que VCEDC seja aproximadamente VCC/2 = 6V.
3. Nas condições do item anterior faça um levantamento das tensões e correntes do
circuito.
Assim:
IC = VR2; IE = (leitura do amperímetro)
R2
VBE = ______; IB = IE - IC = _______; VRB = VCC - VBE = _______
4. Monte o circuito de acordo com a Figura 6-4 (b) usando o Circuit-1 do módulo M-1106
(introdução do resistor R3 de emissor).
94
5. Ajuste o valor de VCE para VCC/2 = 6V e repita o item 3, sendo que IE = VRE
RE
6. Monte o circuito da Figura 6-4 (c) utilizando o Circuit-1 do módulo M-1106.

7. Repita o item 3.
8. Compare as experiências feitas e procure uma conclusão geral.
CONCLUSÃO
Discuta os resultados da experiência. <Conclusão 6-1>
EXPERIÊNCIA - 2
POLARIZAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO NA BASE
NOTAS DE TEORIA
Figura 6-5
Em relação ao Circuit-1 do módulo M-1106, na sua polarização de base, o valor de RB fica

dependente da corrente do transistor. Sendo o valor de ß sensível a variação de
temperatura, especialmente para transistores de silício, ficando este tipo de polarização
instável, podendo haver variações do sinal de saída amplificado.
O Circuit-2 do módulo M-1106 apresenta na polarização de base dois resistores, que
proporcionam uma tensão de base praticamente independente da corrente de base e
portanto, menos susceptível ao ß.
Analisando este tipo de polarização, se a corrente de base é muito menor do que a corrente
pelo divisor, então a tensão de base é estabelecida pela relação do divisor de tensão
formado por Rb1 e Rb2. Dessa forma, a corrente que passa por Rb1 vai quase que totalmente
para Rb2, e os dois resistores podem ser considerados efetivamente em série. Observe
a ilustração da figura abaixo:
IB << I1 e I2
I1 ¡ I2
95
Figura 6-6
De forma simples, a tensão na junção dos resistores, que também é a tensão da base do
transistor, é então determinada pelo circuito divisor de tensão Rb1, Rb2 e a fonte de
tensão. Então temos:
VB = Rb2. VCC
Rb1 + Rb2
A rigor, o projeto de polarização deve ser determinado, aplicando-se o Teorema de

Thevenin e assumindo os compromissos quanto as características desejadas do
amplificador.
Consideremos a Figura 6-5.
A malha de RC, VCE, RE é calculada de forma análoga ao Circuit-1.
Onde:
VCC = VRE + VCE + VRE; IC ¡ IE e AV ¡ RC / RE.
Na malha de base, devemos aplicar o Teorema de Thevenin, assim abre-se o circuito em

A B.
Figura 6-7
VBB = VTH = VCC .R1

R1 + R2
Visto de A-B: RTH = RBB = R1 // R2
RBB = R1.R2 (1)

R1+R2
96
Como:
VTH = VCC R1 . R2 = VCC RBB (2)

(R1 + R2) R2 R2
Aplicando-se o Teorema vem:
Figura 6-8
VTH = RBB IB + VBE + RE IE
Como:
IE = (ß+1) IB
VTH = RBB IB + VBE + RE (ß+1) IB (3)
Nota: O produto RE (ß+1) é conhecido como impedância do emissor refletida na base.

Na equação (3) VTH = RBB IB + VBE + (ß+1) IB
IB = IC (conhecido)
ß
VBE l 0.7V (conhecido)
RE l já determinado
Falta RBB para se poder determinar VTH.

RBB é um compromisso entre RE (fonte de corrente) e a impedância ZIN que se deseja do
amplificador.
ZIN = (RBB // hIE + (ß + 1) RE)
Muitas vezes adota-se: RBB l (50 a 100) x RE

Uma vez adotado RBB, calcula-se VTH na equação (3).
Com VTH, calcula-se R2 na equação (2) e com R2 calcula-se R1 na equação (1).
97
Exemplo de Cálculo:
Calcular para a Figura 6-5.
R1, R2 (resistores de base)

R3 e R4 (resistores de coletor e emissor)
Para as condições:
VCC = 12V; VCE = 6V
AV l RC l 5; IC = 5mA
RE
RBB l 8kΩ; ß l 250
Então:
VCC = VRC + VCE + VRE

VCC = RC IC + VCE + RE IE
Como (ß l 250 IC l IE) e RC = 5RE
VCC - VCE = 6 RE IC
RE = 12V - 6V = 200Ω; RC = 1k✡
6.5mA
Cálculo de R1 e R2.
RBB = R1 R2 VBB = VCC RBB

R1 + R2 R2
E ainda:
VBB = RBB.IB + VBE + RE (ß+1)IB

VBB = 8k✡ . 5mA + 0.7V + 200 (250 +1) 5mA
250 250
VBB = 1.86 V
Como VBB = VCC RBB

R2
R2 = VCC RBB = 12V.8kΩ = 52kΩ
VBB 1.86
E ainda:
RBB = R1 R2
R1+R2
R1 = 9.45kΩ
Comercialmente: R2 l 56kΩ
R1 l 10kΩ
98
1. Utilize o Circuit-2 do módulo M-1106 para o experimento de polarização com divisor

de tensão na base do transistor.
2. Adote o valor de ß = 250 (Teórico)
3. Com o voltímetro de alta impedância (ou com o osciloscópio) faça um levantamento
de todas as tensões do circuito.
VR4 = VR1 = VCE =
VR2 = VR3 = VBE =
VCB =
4. Calcule as correntes envolvidas:
IE = VR4 IR1 = VR1 IR2 = VR2
R4 R1 R2
IC = VR3 IB = IR2 - IR1

R3
5. Verifique se IE = IC + IB e VCE = VBE + VCB.

6. Utilizando as ferramentas de trabalho implemente o circuito abaixo:
4,7k
33uF
Vin
Vin 100uF
1k
Figura 6-9
7. Injete um sinal senoidal de 1kHz e ajuste a amplitude do gerador de forma a obter em

VOUT a máxima amplitude de uma senóide sem distorções.
Nestas condições meça em escala de amplitude e tempo.
VOUT (t); VR4 (t) = VRE (t); VIN (t) e V’IN (t)
8. Determine:
A1 = VOUT (t); AZ = VOUT (t); A3 = VR4 (t)
V’IN VIN VIN
A5 = VOUT (t) / R3
(VIN - V’IN) (t) / 10k✡
9. Procure explicar estes ganhos (A’s).

10. Conecte o capacitor C2 em paralelo com R4 ( 2e 2f ) e repita os itens 6 e 7.
99
CONCLUSÃO
EXPERIÊNCIA - 3
AMPLIFICADOR DARLINGTON
NOTAS DE TEORIA
Figura 6-10 Configuração Básica
Muitas vezes necessitamos de certas características, que são difíceis de serem obtidas
de um único transistor. Por isso criamos associações de transistores com o objetivo de
melhorarmos certas características. (Exemplo: aumento de VCE, aumento de IC, aumento
de potência, etc.)
A configuração Darlington é um caso particular da associação de dois ou mais transistores
com o propósito de obter-se um ß elevado.
Temos:
IC = IC1 + IC2 = ß1 IB1 + ß2 IB2 = ß1 IB1 + ß2 (1 + ß1) IB1 = (ß1 + ß2 + ß1.ß2 ) IB1
Portanto: ß = ß1 + ß2 + ß1.ß2 { ß1 ß2.
Também: RB = Rb1 + (1 + ß2 ) Rb2 e VBE l VBE1 + VBE2
(a) (b) (c)
Figura 6-11 Darlington e Aplicações
100
Um circuito equivalente da configuração Darlington é mostrada na Figura 6-11 (a). Na
Figura 6-11 (b) está em emissor comum e na (c) em coletor comum.
A corrente de base é muito baixa (l IC / ß1.ß2), o R1 e R2 apresentam uma alta resistência
e o efeito shunt de R1 // R2 da Figura 6-11 (b) pode ser ignorado. A impedância de entrada
RI é bem alta.
Figura 6-12 Darlington com Resistor Adicional
Na Figura 6-10, estando a base de T2 flutuando, as cargas elétricas ficam acumuladas

nesta região, não permitindo um funcionamento em alta velocidade. Para resolver este
problema é ligada uma resistência como da Figura 6-12. Também, há uma configuração
em Darlington PNP e um Foto-Darlington nas Figura 6-13 (a) e (b).
(a) (b)
Figura 6-13
A configuração Darlington pode ser implementada de forma discreta ou já pode vir

encapsulada pelo fabricante e a menos pelas características, pode ser vista como um
único transistor .
Esta configuração é feita ligando um NPN e um PNP como mostrado na Figura 6-14.
101
Figura 6-14 Darlington Complementar
1. No Circuit-3 do módulo M-1106, conecte os pontos 3f-3g, 3j-3n e 3q-3p e aplique 3.0V
DC entre 3b-3c.
2. Meça a tensão de saída conectando um voltímetro DC entre 3r-3t e anote na Tabela
6-1 no espaço referente a único transistor (RE = R8 = 220Ω).
3. Conecte os pontos 3l-3r e meça a tensão de saída. Anote o valor medido no espaço
referente a único transistor (RE = R8 // R5 = 1kΩ // 220Ω).
4. Para as tensões de entrada 4.0V, 5.0V e 6.0V, meça os valores de acordo com os itens
2 e 3 e anote na Tabela 6-1.
5. Desfaça a ligação entre os pontos 3j-3n, conecte os pontos 3m-3q e 3q-3p e aplique
3.0V DC entre 3b-3c.
6. O método de medida é o mesmo dos itens 2 até 4 e anote na Tabela 6-1 no espaço
referente a Darlington.
Tabela 6-1
Saída Único Transistor Darlington
Entrada RE=220Ω RE=1kΩ//220Ω RE=220Ω RE=1kΩ//220Ω
3.0V DC
4.0V DC
5.0V DC
6.0V DC
CONCLUSÃO
102
EXPERIÊNCIA - 4
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO NEGATIVA
NOTAS DE TEORIA
Além do uso de um resistor de emissor para melhorar a estabilidade de polarização, a

realimentação de tensão também resulta em uma melhor estabilidade de polarização DC.
A Figura 6-15 mostra um circuito de polarização DC com realimentação negativa.
Figura 6-15 Circuito de Polarização com Realimentação Negativa
Analisando a malha de coletor:
VCC = VRC + VCE + VRE

VCC = RC.I + VCE + RE IE
VCC = RC ( IC + IB ) + VCE + RE IE
As condições de projeto quase sempre são:

VCC = conhecido VCE = conhecido ( l 50% VCC)
IC = dado VBE = 0.7V (aproximadamente)
AV { RC / RE = dado
Em relação a malha de base:
VCC = RC ( IC + IB ) + RB IB + VBE + RE IE
Sendo: IC + IB = IE
VCC = RC.IE + RB IB + VBE + RE IE

RB = VCC - VBE - IE (RC + RE )
IB
103
Exemplo:
Considere o transistor BC547 (ß = 250).

Calcular: RC1, RE, RB para VCC = 12V; VCE = 6V; IC { 2.5mA; RC l 11
RE
VCC = RC (IC + IB) + VCE + RE IE
IE = IC + IC = IC (1+1 ) = 2.51mA
ß ß
12V = 11RE ( 2.51mA ) + 6V + RE 2.51 mA
RE = 12V - 6V = 199.2✡
12 x 2.51mA
Com RE = 200✡
RC = 11.RE = 2200✡
Considerando-se a malha de base:
VCC = RC ( IC + IB ) + RB IB + VBE + RE IE
RB = VCC - VBE - RE IE - RC ( IC + IB )
IB
RB = 12V - 0.7V - ( 200 x 2.51mA ) - 22k✡ ( 2.51mA )

2.5mA
250
RB = 5.27 x 250 = 527k✡

25mA
A principal vantagem neste tipo de polarização é que além de polarizar o transistor em DC,
passa a existir uma realimentação negativa de coletor para base (realimentação paralela
de tensão, pois mostra a tensão de saída VOUT e realimenta uma corrente na base. (ver
estudo de realimentação negativa).
Figura 6-16
104
1. Monte de acordo com a Figura 6-16, usando o Circuit-4 do módulo M-1106.
2. Faça um levantamento das tensões DC do circuito (voltímetro de alta impedância) e
calcule as correntes envolvidas, assim:
VRE = VR5 = __________ IE = VR5 =

R5
VBE = ________________ VCE = __________
VCB = VRB = VCE - VBE (não medir VRB ) = ______________
IB = VRB = _____________
RB
VR4 = VRC = ___________ I = IC + IB = VR4

R4
Conforme a análise de malhas feita.
3. Injete um sinal senoidal (4a e 4b) com frequência 1kHz e ajuste o nível do gerador
de forma a se obter na saída o máximo sinal senoidal sem distorções.
4. Nestas condições meça cuidadosamente em escala de amplitude e tempo.
Vout = ; VIN = ; V’IN
Observação:
Figura 6-17
E calcule :
A1 = VOUT A2 = VOUT
VIN V’IN
A3 = VOUT / R4
(VIN - V’IN) / R1
5. Procure explicar estes ganhos de forma empírica.
105
6. Seria interessante que a experiência fosse repetida para várias frequências: 100Hz,
1000Hz, 10kHz, 100kHz.
CONCLUSÃO
106
M-1107
AMPLIFICADORES FET
OBJETIVOS
1. Verificar as características do J-FET canal n através de experiências.

2. Verificar as características do MOS-FET através de experiências.
3. Verificar as características do J-FET canal p através de experiências.
4. Verificar o funcionamento do circuito BOOTS TRAP com J-FET através de experiências.
107
EXPERIÊNCIA - 1
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO
NOTAS DE TEORIA
O transistor de efeito de campo é um dispositivo semicondutor cuja operação depende do

controle da corrente devida a um campo elétrico. Existem dois tipos: o transistor de efeito
de campo de junção (abreviadamente TECJ ou, simplesmente, TEC) e o transistor de
efeito de campo de porta isolada (IGFET), mais comumente chamado transistor (MOS)
metal-óxido-semicondutor (TMOS ou TECMOS).
Os princípios com que estes dispositivos operam, assim como as diferenças em suas
características, são examinados neste manual. Apresentaremos também circuitos
representativos fazendo uso dos transistores TEC.
O transistor de efeito de campo difere do transistor de junção bipolar nas seguintes
características importantes:
- Sua operação depende somente do fluxo de portadores majoritários; é, portanto, um

dispositivo unipolar (possui um só tipo de portador).
- É de fabricação simples e ocupa menos espaço quando integrado.
- Apresenta alta resistência de entrada, tipicamente de vários megohms.
- É menos ruidoso do que um transistor bipolar.
- Não apresenta tensão “remanescente” (offset), com corrente de dreno nula, e
consequentemente comporta-se como um excelente comutador de sinal (chopper).
O TEC tem como principal desvantagem um pequeno ganho borda passante em relação
com o obtido num transistor bipolar. As principais aplicações de TECMOS são os conjuntos
digitais com ILE (integração em larga escala).
Figura 7-1
108
A estrutura de um transistor de efeito de campo de canal n é mostrada na Figura 7-1. Os
contatos ôhmicos são feitos nos dois terminais de uma barra de material semicondutor tipo
n (se o silício do tipo p é usado, o dispositivo é denominado TEC de canal p). A corrente
flui ao longo da barra devido a uma fonte de tensão ligada entre suas extremidades. Esta
corrente consiste em portadores majoritários, que, neste caso, são elétrons. Uma vista
lateral de um TECJ é indicada na Figura 7-1 (a) e um esquema mais detalhado é mostrado
na Figura 7-1 (b). O símbolo do circuito, com as polaridades de corrente e tensão
indicadas, é dado na Figura 7-2. A notação dada em seguida para o TEC é padronizada.
O transistor de efeito de campo de junção apresenta três terminais, designados: fonte,
dreno e porta.
Fonte: A fonte S é o terminal em que a corrente devida aos portadores majoritários penetra
na barra. Esta corrente é designada por IS.
Dreno: O dreno D é o terminal em que os portadores majoritários saem da barra. A corrente

convencional que entra na barra em D é designada por ID. A tensão entre dreno e fonte
é chamada VDS e é positiva se o potencial em D é mais positivo do que em S. Na Figura
7-1, VDS = VDD = tensão de alimentação entre dreno e fonte.
Porta: Em ambos os lados da barra tipo n da Figura 7-1, as regiões fortemente dopadas
(p+) por impurezas aceitadoras são formadas por meio de liga, por difusão ou por outro
processo disponível para a formação de junções p-n. Estas regiões de impurezas são
chamadas portas G. É aplicada uma fonte de tensão VGS = -VGG para polarizar
reversamente a junção p-n entre as regiões de porta e fonte. A corrente convencional que
entra na barra em G é designada por IG.
Canal: A região de material tipo n da Figura 7-1, entre as duas regiões de porta, é o canal,
através do qual os portadores majoritários se deslocam da fonte para o dreno.
Operação do TEC: É necessário relembrar que nos dois lados da junção p-n reversamente
polarizada (região de transição) existem regiões de carga espacial. A corrente de
portadores que se difundem pela junção deixa íons positivos do lado n e íons negativos do
lado p. A intensidade de campo elétrico, dado pelas linhas de campo que agora se originam
nos íons positivos e terminam nos íons negativos, explica exatamente a queda de tensão
na junção. A polarização reversa aumenta a junção, isto é, aumenta a espessura da região
de carga espacial (cargas fixas). A condutividade desta região é nominalmente nula devido
a inexistência de portadores de corrente. Portanto, vemos que a largura efetiva do canal
da Figura 7-1 irá tornar-se progressivamente reduzida com o aumento da polarização
reversa. Assim, com uma dada tensão de dreno para a fonte, a corrente de dreno será
uma função da tensão de polarização reversa através da junção correspondente ao
terminal da porta. A expressão efeito de campo é usada para descrever este dispositivo,
pois o mecanismo de controle de corrente está no efeito de extensão do campo associado
com a região de carga espacial com o aumento da polarização reversa.
Características Estáticas do TEC: O circuito de polarização, símbolo e convenções de

polaridades para um TEC estão indicados na Figura 7-2. O sentido da flecha na porta da
junção do TEC na Figura 7-2, indica o sentido em que a corrente da porta iria fluir se na
junção estivesse diretamente polarizada. As características dreno-fonte comum para um
TEC canal n típico mostrado na Figura 7-3 apresentam ID contra VDS, com VGS como um
parâmetro. Para notar qualitativamente porque as características têm a forma
109
apresentada, consideremos, por exemplo, o caso em que VGS = 0. Para ID = 0, o canal entre
as junções da porta está completamente aberto. Na resposta a uma pequena tensão
aplicada a VDS, a barra tipo n atua como um simples resistor semicondutor e a corrente
ID aumenta linearmente com VDS. Com a corrente aumentando, a queda de tensão ôhmica
entre a fonte e a região do canal polariza reversamente a junção, e a porção condutora
do canal começa a entrar em constrição. Devido a queda ôhmica ao longo do comprimento
do canal, a constrição não é uniforme, mas é mais pronunciada nos pontos mais afastados
da fonte, como indica a Figura 7-1.
Figura 7-2 Polarização de um TEC Canal n
Figura 7-3 Características Dreno-Fonte Comum de um TEC Canal n
Eventualmente, existirá uma tensão VDS que bloqueia o canal. Esta é a tensão onde a
corrente ID tende a um valor constante (região de “joelho”) e não está exatamente definida
na Figura 7-3. De fato, em princípio não é possível fechar completamente o canal e,
portanto, reduzir a corrente ID a zero. Para obtermos realmente o bloqueio do canal, será
necessário impor uma certa tensão reversa, aplicada por meio de uma fonte externa.
Devemos notar que cada curva característica apresenta uma região ôhmica para
pequenos valores de VDS, onde ID é proporcional a VDS. A Figura 7-3 apresenta também
uma região de corrente constante para grandes valores de VDS, onde ID praticamente não
varia com VDS.
110
Se agora uma tensão de porta VGS é aplicada de modo a fornecer uma polarização reversa
adicional, a constrição (pinch-off) ocorrerá para valores menores de |VDS|, e a máxima
corrente de dreno será menor. Esta característica está indicada na Figura 7-3. Notemos
que existe uma curva para um TEC de silício mesmo para VGS = + 0.5V, que é o sentido
de polarização direta. Notemos a partir da tabela que realmente a corrente de porta será
muito pequena, pois para esta tensão de porta a junção de silício está apenas na tensão
de limiar, VO.
A tensão máxima que pode ser aplicada entre dois quaisquer terminais do TEC é a menor
tensão que causará ruptura por avalancha na junção da porta. A partir da Figura 7-3 vemos
que a avalancha ocorre por um valor de |VDS| menor, quando a porta é reversamente
polarizada, do que para VGS=0. Isto se deve ao fato de que a tensão de porta reversamente
polarizada é somada a tensão de dreno e, portanto, aumenta a tensão efetiva aplicada na
junção da porta.
Notamos na Figura 7-2 que o TEC canal n opera com polarização de porta negativa ou zero
e tensão de dreno positiva. O TEC canal p opera com tensões de polaridade opostas. Cada
terminal de canal pode ser utilizado como uma fonte. Poderemos lembrar quais as
polaridades da fonte de alimentação utilizando o canal tipo p, ou, n pela polaridade da fonte
ligada ao dreno.
Entre o TEC e um transistor bipolar, podemos comparar os terminais gate com base, dreno
com coletor e source com emissor. Mas, a condução elétrica em um TEC é controlada pela
tensão de polarização reversa entre gate e source, onde um campo elétrico proporcional
é formado.
Por causa da necessidade de polarização reversa entre gate e source, há uma grande
impedância de entrada no TEC (J-FET).
Resistência Dinâmica de Dreno
RDS é definida de acordo com a curva na região de bloqueio.
RDS = ∆ VDS
∆ ID
Com VGS = Fixo
Este valor é muito alto e RDS entre os pontos de ruptura (VDS ~ 25V) e o final da região
resistiva (VDS ~ 5V), considerando a curva para VGS = -1.5V da Figura 7-3:
RDS = 25V-5V = 20V = 40kΩ

5.5mA - 5mA 0.5mA
Este valor é da resistência em AC, pois é obtido pela variação de VDS.

A resistência em DC (RDS) é dado:
RDS = VDS = 10V = 2kΩ

ID 5mA
111
A Figura 7-3 mostra a região de ruptura para tensão além de 20V. A ruptura acontece
quando na polarização reversa na junção pn do canal do gate.
Uma outra forma de caracterizar o dispositivo é a característica de transferência, que é

um gráfico da corrente de dreno ID em função de VGS, para um valor constante da VDS. A
característica de transferência pode ser obtida diretamente a partir de medidas da
operação do dispositivo ou desenhada a partir das características de dreno, conforme
mostrado na Figura 7-3.
Figura 7-4 Circuito de Medida das Características do J-FET (N)
1. Use o Circuit-1 do módulo M-1107 para levantar as características do J-FET. Monte o

circuito de acordo com a Figura 7-4, conectando um amperímetro entre os pontos de
terminais 1l-1m. Conecte os pontos de terminais 1f-1g, 1h-1j, 1v-1w, 1x-1a’, 1t-1u, 1n-
1r, 1d-1e. Conecte dois voltímetros sendo, um deles entre os pontos de terminais 1p-
1n e o outro entre 1k-1b.
2. Ajustando o potenciômetro P2, coloque um valor de VDS = 10V. Meça ID de acordo com
a variação de VGS segundo a Tabela 7-1 e anote os valores.
3. De acordo com a Tabela 7-2, meça a corrente ID de acordo com a variação VDS, para
cada VGS e anote os valores.
Tabela 7-1
VGS (V) -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5

ID (mA)
Tabela 7-2
VDS (V) 2 4 6 8 10 12
VGS= -0.2V
VGS= -0.1V
VGS= 0V
VGS= 0.1V
VGS= 0.2V
112
CONCLUSÃO
EXPERIÊNCIA - 2
TEC METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR (MOS-FET)
NOTAS DE TEORIA
Figura 7-5 Acumulação em um TECMOS de Canal p
Nos parágrafos precedentes mostramos as características volt-ampere e as propriedades

do transistor de efeito de campo de junção para pequenos sinais. Voltaremos agora nossa
atenção para o TEC de porta isolada, ou TEC metal-óxido-semicondutor, que é
comercialmente mais importante que o TEC de junção.
O TECMOS de canal p consiste em um substrato tipo n, fracamente dopado, no qual são

difundidas duas regiões p+ (altamente dopadas), como mostra na Figura 7-5. Estas
regiões p+ que atuarão como fonte e dreno estão separadas de 10 a 20µm. Uma fina (1000
até 2000✺) camada de dióxido de silício isolante (SiO2) é crescida sobre a superfície da
estrutura, e “janelas” são abertas na camada de óxido, permitindo contatos com a fonte
e o dreno. Então a área porta-metal é metalizada sobre o óxido, cobrindo inteiramente a
região do canal. Simultaneamente, são feitos contatos metálicos para o dreno e para a
fonte, como mostra a Figura 7-5. O contato com a região metalizada sobre a área do canal
é o terminal da porta. A área do circuito (chip) de um TCMOS é 3100µm² ou menos,
somente 5% da área necessária para a construção de um transistor bipolar de junção.
A superfície metálica da porta, a camada de óxido dielétrico de isolação e o canal

semicondutor formam um capacitor de placas paralelas. A camada isolante de dióxido de
silício é a responsável pela designação do transistor de efeito de campo de porta isolada.
Esta camada impõe uma resistência de entrada extremamente alta (1010 até 1015✡) para
o TECMOS.
O TECMOS de Acumulação: Se ligarmos à terra o substrato da estrutura da Figura 7-5

e aplicarmos uma tensão negativa na porta, um campo elétrico será dirigido
perpendicularmente através do óxido. Este campo induzirá cargas positivas na parte
113
superior do semicondutor , como mostra a Figura 7-5. As cargas positivas, que são
portadoras minoritárias no substrato tipo n, formam uma camada invertida. À medida que
a magnitude da tensão negativa aplicada na porta aumenta, a quantidade de cargas
positivas induzidas no semicondutor aumenta.
Como a região abaixo do óxido (semicondutor) possui portadores tipo p, a condutividade

aumenta e então a corrente flui da fonte para o dreno através do canal induzido. Assim,
a corrente de dreno é “acumulada” devido a tensão de porta negativa e o dispositivo é
chamado MOS tipo acumulação.
Tensão de Limiar: As características volt-ampere do dreno de um TECMOS canal p tipo

acumulação são mostradas na Figura 7-6 (a) e sua curva de transferência na Figura 7-6
(b). A corrente IDSS para VGS ú 0 é muito pequena, da ordem de alguns nanoamperes. À
medida que a tensão VGS aumenta (negativamente), a corrente ID no início aumenta
lentamente e depois mais rápido com o aumento de VGS. Normalmente, os fabricantes
indicam a tensão de limiar porta-fonte VGST ou VT, na qual ID alcança um pequeno valor
definido, digamos 10µA.
(a) (b)
Figura 7-6 Características de Dreno e Curva de Transferência (VDS = -10V)
Uma corrente de condução ID, correspondente aproximadamente ao valor máximo dado

nas características de dreno, e o valor de VGS, necessário para obter esta corrente, são
também normalmente dados pelas especificações de manuais dos fabricantes.
O valor típico de VT para o TECMOS padrão canal p é -4V, sendo comum usar uma fonte
de tensão de -12V para alimentação do dreno. Esta alta fonte de tensão é incompatível
com a fonte de alimentação de tensão de 5V, usada em circuitos integrados bipolares.
Assim, várias técnicas de fabricação foram desenvolvidas no sentido de reduzir VT. Em

geral, uma baixa tensão de limiar permite:
- o uso da fonte de alimentação de baixa tensão;

- operação compatível com dispositivos bipolares, e;
- menor tempo de comutação devido a menor variação de tensão durante o chaveamento.
Três métodos são usados para abaixar a magnitude de VT:
- A tensão de limiar alta de TECMOS acima descrita se deve ao uso de um cristal de silício
com orientação (111). Se for utilizado um cristal com orientação (100), VT terá um valor
em torno da metade daquele obtido com o uso da orientação (111).
114
- A técnica de crescimento de nitreto de silício emprega uma camada de Si3N4 e SiO2, cuja
constante dielétrica é cerca de duas vezes a do SiO2 isolado. Um TEC construído dessa
maneira (chamado dispositivo NMOS) diminui VT para aproximadamente 2V.
- O silício policristalino dopado com boro é usado como eletrodo porta ao invés de
alumínio. Isto acarreta uma redução na diferença de potencial de contato entre o
eletrodo porta e o dielétrico da porta, reduzindo assim o valor de VT. Estes dispositivos
são chamados transistores MOS com porta de silício.
Os três métodos de fabricação acima descritos fornecem dispositivos com tensão de limiar
baixa VT na faixa 1.5V até 2.5V, enquanto a tensão de limiar alta de um MOS padrão
apresenta um VT de, aproximadamente, 4V a 6V.
Especificações para Fontes de Tensão de Alimentação: A Tabela 7-3 apresenta as

tensões normalmente aplicadas em TECMOS canal p de limiar baixa. Notamos que as
tensões de alimentação VSS se referem ao substrato, VDD ao dreno e VGG à porta. O índice
1 indica que a fonte está ligada à terra e o índice 2 indica que o dreno está ligado ao
potencial da terra.
Os circuitos empregando transistores MOS com tensão limiar baixa necessitam de fontes
de tensão de alimentação baixa e isto implica a utilização de um sistema de alimentação
mais econômico. Assim, a variação da tensão de entrada, quando o dispositivo é
deslocado do ponto de operação saturado para cortado, é menor para tensão de limiar
baixa e isto significa operação mais rápida. Outra característica muito vantajosa dos
circuitos com MOS de tensão de limiar baixa é que são compatíveis com CIs bipolares.
Como eles têm, essencialmente, o mesmo sinal de entrada e produzem iguais variações
do sinal de saída, podem ser empregados no projeto de sistemas com a flexibilidade de
usar circuitos MOS e bipolar, simultaneamente.
Tabela 7-3 Tensões de Fontes de Alimentarão para TECMOS Canal p em Volts
VSS1 VDD1 VGG1 VSS2 V DD2 VGG2

Tensão de Limiar alta 0 -12 -24 12 0 -12
Tensão de Limiar baixa 0 -5 -17 5 0 -12
Figura 7-7 Implantação Iônica em Dispositivos MOS
115
Implantação Iônica: A aplicação de implantação iônica mostrada na Figura 7-7 implica um
controle muito preciso da dopagem. Os íons empregados como dopantes são os dos
átomos de fósforo e de boro, que são acelerados com alta energia de até 300000eV e
usados para bombardear a lâmina de silício. A energia dos íons determina a profundidade
de penetração no alvo. Nas áreas onde a implantação iônica não é desejável, uma
máscara de alumínio ou uma grossa camada de óxido de silício (12000✺) absorve os íons
colidentes. Teoricamente, qualquer valor de VT pode ser obtido quando usamos implantação
iônica. Além do mais, na Figura 7-7 vemos que não existe superposição entre os eletrodos
de porta e dreno ou porta e fonte (compare a Figura 7-7 com a Figura 7-5).
Consequentemente, devido à implantação iônica obtemos uma acentuada redução nos
valores das capacitâncias Cgd e Cgs.
O TECMOS de Depleção: Um segundo tipo de TECMOS pode ser fabricado se, na

estrutura básica da Figura 7-5, for difundido um canal entre a fonte e o dreno, com o
mesmo tipo de impurezas usadas para difusão da fonte e do dreno. Consideremos agora
esta estrutura com canal n, mostrada na Figura 7-8 (a). Com este dispositivo flui uma
apreciável corrente de dreno IDSS para a tensão de porta-fonte VGS=0. Se a tensão
aplicada à porta é negativa, cargas positivas serão induzidas no canal através do SiO2 do
capacitor da porta. Visto que a corrente no TEC é devida a portadores majoritários
(elétrons para material tipo n), as cargas positivas induzidas diminuem quando a tensão
VGS se torna mais negativa. A redistribuição de cargas no canal causa uma depleção
efetiva de portadores majoritários, da qual decorre a designação TECMOS de depleção.
Notemos na Figura 7-8 (b), que a queda de tensão provocada pela corrente de dreno
provoca maior depleção na região do canal próxima ao dreno do que na região próxima
da fonte. Este fenômeno é análogo ao de constrição (pinch-off), que ocorre na região do
canal próximo ao dreno do TECJ (Figura 7-1). De fato as características volt-ampere do
MOS tipo depleção e do TECJ são bem semelhantes.
O TECMOS do tipo depleção descrito anteriormente pode também ser operado no tipo
acumulação. Basta aplicar tensão de porta positiva de maneira que as cargas negativas
são induzidas no canal n. Desse modo, a condutividade do canal aumenta e a corrente
alcança valores maiores que IDSS. As características volt-ampere deste dispositivo estão
indicadas na Figura 7-9 (a) e a curva de transferência é mostrada na Figura 7-9 (b). As
regiões de depleção e de acumulação, correspondendo a VGS negativo e positivo,
respectivamente, podem então ser notadas. Algumas vezes os fabricantes indicam a
tensão de corte porta-fonte, VGS, na qual ID é reduzido para algum valor específico
desprezível para uma tensão VDS recomendada. Esta tensão de porta corresponde à
tensão de constrição (pinch-off) Vp de um TECJ.
O estudo anterior é aplicado, em princípio, para TECMOS canal p. Neste caso, devem
ser trocados os sinais de todas as correntes e tensões das características volt-ampere
da Figura 7-9.
116
a) (b)
Figura 7-8 TECMOS Tipo Depleção Canal n
(a) (b)
Figura 7-9 Características do Dreno e Curva de Transferência (VDS = 10V)
Comparações entre TECs Canal n e Canal p: O TEC canal p de acumulação, mostrado

na Figura 7-5, é o mais comumente usado em sistemas MOS, por ser mais fácil produzi-
lo do que dispositivos MOS canal n. A maioria dos contaminantes empregados na
fabricação do MOS são íons móveis positivamente carregados, que ficam sob a forma de
“armadilha” na camada de óxido entre a porta e o substrato. Em um dispositivo canal n
de acumulação, a porta é normalmente positiva em relação ao substrato e, assim, os
contaminantes positivamente carregados se distribuem ao longo da interface entre o SiO2
e o substrato de silício. A carga positiva desta camada de íons atrai os elétrons livres do
canal, os quais tendem a fazer o transistor conduzir, prematuramente. Nos dispositivos de
canal p os contaminantes de íons positivos são conduzidos para o lado oposto da camada,
de óxido (para a interface alumínio-SiO2) pela tensão negativa de porta, onde não podem
afetar o canal.
A mobilidade de lacunas no silício para intensidade normais de campo elétrico é,

aproximadamente 500cm²/V-s; por outro lado, a mobilidade de elétrons está em torno de
1300cm²/V-s. Assim, o dispositivo de canal p apresentará mais do que o dobro da
resistência (correspondente ao dispositivo na condução) de um outro com canal n de
mesma geometria e sob as mesmas condições de operação. Em outras palavras, o
dispositivo canal p deve ter mais do que duas vezes a área do dispositivo canal n para
apresentar a mesma resistência. Portanto, os circuitos MOS canal n podem ser menores
para o mesmo grau de complexidade do que os dispositivos de canal p. A maior
densificação do MOS canal n também os torna mais rápidos nas aplicações de
chaveamento, devido às suas áreas de junção menores. A velocidade de operação é
117
limitada principalmente pelas constantes de tempo internas RC, e a capacitância é
diretamente proporcional à seção reta da junção. Por todas as razões acima é claro que
os circuitos com MOS canal n são mais desejados do que os circuitos com MOS canal p.
Contudo, a necessidade de maiores processos de controle para fabricar dispositivos de
canal n torna-os, atualmente, mais caros; portanto, não competem, economicamente,
com os dispositivos de canal p.
TECMOS com Proteção de Porta: Visto que a camada de SiO2 da porta é extremamente
fina, qualquer tensão excessiva pode perfurá-la com prejuízo irreparável para o
funcionamento normal do dispositivo. Uma acumulação de carga na porta em circuito
aberto produz um campo elétrico intenso capaz de perfurar o dielétrico. Para prevenir este
risco, alguns dispositivos MOS são fabricados com um diodo Zener entre a porta e o
substrato. Em operação normal o diodo está aberto e não tem efeito sobre o circuito.
Contudo, se a tensão da porta se torna excessiva, então o diodo é polarizado (reversamente)
na região de ruptura e o potencial da porta é limitado para um valor máximo igual à tensão
Zener.
(a) (b) (c)
Figura 7-10
Três símbolos utilizados em circuito para um TECMOS canal p. As Figuras 7-10 (a) e (b)
podem ser cada um dos tipos, depleção ou acumulação, enquanto a Figura 7-10 (c)
representa especificamente um dispositivo do tipo acumulação. Na Figura 7-10 (a) o
substrato está ligado internamente à fonte. Para um TECMOS canal n os sentidos das
setas são invertidos.
Símbolos dos Dispositivos TECMOS: É possível fazer uma conexão, externamente, para
o substrato, de modo a obter um dispositivo tétrodo. A maioria dos TECMOS, contudo,
são tríodos, com o substrato, internamente, ligado com a fonte. Os símbolos dos
transistores MOS utilizados em circuitos, por vários fabricantes, estão indicados na Figura
7-10. Frequentemente, o terminal do substrato é omitido no símbolo como na Figura 7-
10 (a), e fica então subentendido que a ligação com a fonte interna. Para o TECMOS tipo
acumulação da Figura 7-10 (c), G2 está ligado internamente à fonte S.
118
Figura 7-11
1. Use o Circuit-2 do módulo M-1107 para a verificação das características do MOS FET.
Monte o circuito de acordo com a Figura 7-11, conecte o amperímetro entre os pontos
de terminais 2l-2m e ligue os pontos de terminais 2v-2w, 2x-2a’, 2u-2t, 2n-2r, 2d-2e, 2f-
2g, 2h-2j e conecte dois voltímetros sendo, um deles entre 2p-2n e o outro entre 2k-2b.
2. Ajuste o potenciômetro até VDS = 10V. Meça ID variando VGS, de acordo com a Tabela
7-4, ajustando P1 e anote os valores na tabela.
3. Ajuste VGS = 0,0V, meça e anote ID variando VGS de acordo com a Tabela 7-5.
4. Para a Tabela 7-5, meça ID variando VDS para cada valor de VGS e anote os valores.
Tabela 7-4
VGS (V) 0,0 1,0 1,4 1,5

ID (mA)
Tabela 7-5
VDS 2 4 6 8 10
VGS=
VGS= 1,5V
VGS= 0,0V
VGS=
VGS=
CONCLUSÃO
119
EXPERIÊNCIA - 3
AMPLIFICADOR COM J-FET (P)
NOTAS DE TEORIA
Uma versão mais prática de um J-FET como amplificador possui uma única fonte de tensão
e um resistor de autopolarização no terminal de source.
A teoria e características aplicada a esta experiência está contida na Experiência - 1, tendo

como objetivo o uso de um J-FET canal p como amplificador de sinal.
Figura 7-12
1. Use o Circuit-3 do módulo M-1107 para a experiência do amplificador com J-FET(P).

Monte o circuito de acordo com a Figura 7-12 ligando os pontos de terminais 3g-3h.
2. Injete um sinal senoidal na faixa de frequência de acordo com a Tabela 7-6. Ajuste a
amplitude do gerador de tal forma que não haja distorções no sinal de saída e meça os
sinais de entrada e de saída com o osciloscópio em escala de amplitude e tempo. Anote
os valores nos espaços relativos a este item.
3. Desligue o capacitor de source, desconectando os pontos de terminais 3g-3h e injete

um sinal senoidal na faixa de frequência de acordo com a Tabela 7-6. Meça os sinais
de entrada e saída com o osciloscópio e ajuste sua amplitude sem haver distorções.
Anote os valores nos espaços relativos a este item.
Tabela 7-6
VIN com Voutcom VIN sem Voutsem
Frequência
Capacitor (VPP) Capacitor (VPP) Capacitor (VPP) Capacitor (VPP)
100Hz
300Hz
1kHz
3kHz
10kHz
120
CONCLUSÃO
EXPERIÊNCIA - 4
BOOTS TRAP
NOTAS DE TEORIA
Um amplificador separador ideal deve ter impedância de entrada infinita, impedância de

saída zero e ganho de tensão unitário. Uma forma prática para tal circuito pode ser obtida
usando-se o seguidor de source Boots Trap de acordo com a Figura 7-13.
Figura 7-13
1. Use o Circuit-4 do módulo M-1107 para o experimento do circuito amplificador

separador com Boots Trap de acordo com a Figura 7-13.
2. Ajuste um sinal senoidal na faixa de frequência de acordo com a Tabela 7-7. Meça os
sinais de entrada e de saída com o osciloscópio e ajuste sua amplitude sem haver
distorções. Anote os valores na tabela.
Tabela 7-7
Frequência VIN (VPP) VOUT (VPP) Ganho VOUT / VIN
100Hz
300Hz
1kHz
3kHz
10kHz
CONCLUSÃO
121
M-1108
CIRCUITOS A DIODO E MULTIPLICADORES
OBJETIVOS
1. Verificar as características de funcionamento dos circuitos ceifadores através de

experiências.
2. Verificar as características de funcionamento dos circuitos grampeadores através de
experiências.
3. Verificar as características de funcionamento dos dobradores de tensão de meia onda
e onda completa.
4. Verificar as características de funcionamento do triplicador de tensão.
122
EXPERIÊNCIA - 1
CEIFADORES
NOTAS DE TEORIA
Um circuito ceifador precisa de pelo menos dois componentes fundamentais, um diodo e

um resistor. Entretanto frequentemente também é usado uma bateria DC. A forma de onda
da saída pode ser cortada em diferentes níveis simplesmente trocando a posição dos
vários elementos, mudando a tensão da bateria DC. Em circuitos deste tipo é frequentemente
útil considerar instantes particulares do sinal de entrada variante no tempo. Estes circuitos
são encontrados em muito circuitos eletrônicos tais como: detectores de modulação,
separadores de sincronismo, filtros, etc.
Figura 8-1
Em relação a Figura 8-1, para qualquer valor de Vi < 10V o diodo estará inversamente
polarizado e Vo = 0, pois a corrente no circuito é zero e para Vi > (10V + VD) o diodo estará
diretamente polarizado e Vo ~ Vi.
A forma de onda da saída Vo aparece como se toda a entrada fosse cortada, exceto o
pico positivo.
Uma outra técnica é redesenhar a tensão aplicada como na Figura 8-2.
123
VD1
Figura 8-2
NOTA: Nestes experimentos sempre que possível analise os sinais de entrada e saída
simultaneamente com um osciloscópio duplo-traço.
1. Use o Circuit-1 do módulo M-1108 para as experiências dos circuitos ceifadores. Monte
o circuito de acordo com a Figura 8-3 (a), ligando os pontos de terminais 1i - 1l e 1m - 1n.
2. Aplique uma tensão de 5V alternada eficaz (utilize a fonte do console principal ou um
gerador de áudio) nos pontos de terminais 1f(+) e 1b(-) (Vi). Conecte um osciloscópio
nestes pontos de terminais e anote no Gráfico 8-1 de tensão de entrada. Conecte o
osciloscópio nos pontos de terminais 1i (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-2 de tensão de
saída.
(a) (b)
Figura 8-3 Ceifadores Série Simples
(a) (b)
(c) (d)
Figura 8-4 Ceifadores Série Polarizados
124
(a) (b)
Figura 8-5 Ceifadores Paralelo Simples

(a) (b) (c)
(d) (e)
Figura 8-6 Ceifadores Paralelo Polarizados
Gráfico 8-1 Gráfico 8-2
3. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-3 (b). Basta inverter o diodo no circuito
anterior da Figura 8-3 (a).
4. Aplique uma tensão de 5V alternado eficaz (utilize a fonte do console principal ou um
gerador de áudio) nos pontos de terminais 1i (+) e 1b (-). Conecte um osciloscópio
nestes pontos e anote no Gráfico 8-3 de tensão de entrada. Conecte o osciloscópio nos
pontos de terminais 1f (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-4 de tensão de saída.
125
5. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-4 (a). Ligando os pontos de terminais 1i - 1l
e 1m - 1n. Conecte uma fonte de 10V DC, sendo o (+) no ponto de terminal 1a e o (-
) no 1f (utilize a fonte de 0-20V do console principal).
gerador de áudio) nos pontos de terminais 1a (+) e 1b (-). Conecte o osciloscópio nestes
pontos de terminais e anote no Gráfico 8-5 de tensão de entrada. Conecte o osciloscópio
nos pontos de terminais 1l e 1n e anote no Gráfico 8-6 de tensão de saída.
7. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-4 (b), ligando os pontos de terminais 1f - 1l
e 1m - 1n. Conecte uma fonte de 10V DC, sendo o (+) no ponto de terminal 1a e (-) no
1i (utilize a fonte de 0-20V do console principal).
pontos de terminais e anote no Gráfico 8-7 de tensão de entrada. Conecte o
osciloscópio nos pontos de terminais 1l (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-8 de tensão de
saída.
126
9. Inverta a fonte DC (+10V) e repita o item 6 de acordo com Figura 8-4 (c). Completando
os Gráficos 8-9 e 8-10.
10. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-4(d). Note que é o mesmo circuito da Figura
8-4(b) com a fonte ivertida. E repita a experiência preenchendo os Gráficos 8-11 e 8-
12.
127
11. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-5 (a), ligando os pontos de terminais 1i -
1e e 1f - 1n.
gerador de áudio) nos pontos de terminais 1d (+) e 1b (-). Conecte o osciloscópio
nestes pontos de terminais e anote no Gráfico 8-13 de tensão de entrada. Conecte
o osciloscópio nos pontos de terminais 1i (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-14 de tensão
de saída.
13. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-5 (b), ligando os pontos de terminais 1f -
1e e 1i - 1n (basta inverter o diodo no item 11). Aplique uma tensão de 5V alternado
eficaz (utilize a fonte do console principal ou um gerador de áudio) nos pontos de
terminais 1d (+) e 1b (-). Conecte um osciloscópio nestes pontos de terminais e anote
no Gráfico 8-15 de tensão de entrada. Conecte o osciloscópio nos pontos de terminais
1f (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-16 de tensão de saída.
128
14. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-6 (a), ligando os pontos de terminais 1e -
1i . Conecte uma fonte de 10V DC, sendo 0 (+) no ponto de terminal 1f e (-) no 1n.
de saída.
16. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-6 (b), ligando os pontos de terminais 1e -
1f . Conecte uma fonte de 10V DC, sendo o (+) no ponto de terminal 1n e o (-) no 1i.
gerador de áudio) nos pontos de terminais 1d (+) e 1b (-). Conecte um osciloscópio
o osciloscópio nos pontos de terminais 1f (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-20 de tensão
de saída.
129
18. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-6 (c), ligando os pontos de terminais 1e -
1i. Conecte uma fonte de 10V DC, sendo o (+) no ponto de terminal 1n e o (-) no 1f.
de saída.
20. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-6 (d), ligando os pontos de terminais 1e -
1f . Conecte uma fonte de 10V DC, sendo o (+) no ponto de terminal 1i e o (-) no 1n.
o osciloscópio nos pontos de terminais 1f (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-24 de tensão
de saída.
130
22. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-6 (e), ligando os pontos de terminais 1e -
1g , 1j - 1h e 1k - 1n.
o osciloscópio nos pontos de terminais 1g (+) e 1n (-) e anote no Gráfico 8-26 de tensão
de saída.
CONCLUSÃO
131
EXPERIÊNCIA - 2
GRAMPEADORES
NOTAS DE TEORIA
O circuito grampeador precisa de no mínimo três elementos: um diodo, um capacitor e um

resistor. O circuito grampeador também pode incluir uma bateria DC. Os valores R e C
devem ser escolhidos tais que a constante de tempo t = RC seja suficientemente grande
para garantir que a tensão nos terminais do capacitor não sofra variação significativa
durante o intervalo de tempo, determinado pela entrada em que ambos R e C afetam a
forma de onda da saída. Durante toda a apresentação teórica admitiremos que para todos
os fins práticos a carga de um capacitor atinge o valor final em cinco constantes de tempo.
De acordo com o circuito da Figura 8-7 no instante que a entrada comuta para o estado
+5V, o circuito se comporta conforme a Figura 8-8. A entrada permanecerá no estado de
5V, por um intervalo de tempo igual a metade do período da forma de onda, pois o intervalo
de tempo 0 até t1 é igual ao intervalo t1 até t2.
O período de Vi é t = 1/ƒ = 1/1000 = 1ms e o intervalo de tempo do estado +5V e t/2 =

0.5ms.
Figura 8-7
Figura 8-8
132
Como a saída é tomada diretamente nos terminais do diodo, ela será 0V para este intervalo
de tempo. O capacitor, entretanto, se carregará rapidamente com 5V, pois a constante
de tempo do circuito agora é t = R C = 0 . C = 0.
Quando a entrada comuta para -10V, resulta o circuito da Figura 8-9. A constante de tempo
agora é:
t = R C = (100 x 10³) x (0.1 x 10-6) = 10ms
Figura 8-9
Como o capacitor leva aproximadamente cinco constantes de tempo ou 50ms para se

descarregar e a entrada fica neste estado apenas 0.5ms, podemos supor que a tensão
nos terminais do capacitor não varia durante este intervalo de tempo. Portanto, a saída
é: Vo = - 10 - 5 = - 15V. A forma de onda resultante da saída (Vo) é dada na Figura 8-10.
Conforme indicado, a saída é grampeada na região negativa e terá a mesma frequência
que o sinal de entrada. Note que as tensões pico a pico de entrada e saída são iguais a
15V. Em todos os circuitos grampeadores a tensão pico a pico das formas de onda da
entrada e da saída será sempre a mesma. Os circuitos grampeadores são utilizados
principalmente em sinais de comunicação que no processo de transmissão ou recepção
perderam a referência DC.
Figura 8-10
133
(a) (b)
Figura 8-11 Circuitos Grampeadores Simples

(a) (b)
(c) (d)
Figura 8-12 Circuitos Grampeadores Polarizados
1. Use o Circuit-2 do módulo M-1108 para as experiências dos circuitos grampeadores.

Monte o circuito de acordo com a Figura 8-11 (a), ligando os pontos de terminais 2g -2h.
osciloscópio nos pontos de terminais 2l (+) e 2m (-) e anote no Gráfico 8-28 de tensão
de saída.
134
3. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-11 ( b ), ligando os pontos de terminais 2j - 2k.
de saída.
5. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-12 (a). Conecte uma fonte de 10V DC, sendo
(+) no ponto de terminal 2g e o (-) no 2h.
de saída.

7. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-12 (b). Conecte uma fonte de 10V DC, sendo
(+) no ponto de terminal 2j e o (-) no 2k.
osciloscópio nos pontos de terminais 2l (a) e 2m (-) e anote no Gráfico 8-34 de tensão
de saída.
135
9. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-12 (c). Conecte uma fonte de 10V DC, sendo
(+) no ponto de terminal 2h e o (-) no 2g.
gerador de áudio) nos pontos de terminais 2a (+) e 2b (-). Conecte o osciloscópio
o osciloscópio nos pontos de terminais 2l (+) e 2m (-) e anote no Gráfico 8-36 de tensão
de saída.
11. Monte o circuito de acordo com a Figura 8-12 (d). Conecte uma fonte de 10V DC, sendo
(+) no ponto de terminal 2k e o (-) no 2j.
gerador de áudio) nos pontos de terminais 2a (+) e 2b (-). Conecte o osciloscópio
o osciloscópio nos pontos de terminais 2l (t) e 2m (-) e anote no Gráfico 8-38 de tensão
de saída.
136
CONCLUSÃO
EXPERIÊNCIA - 3
DOBRADOR
NOTAS DE TEORIA
Uma variação do circuito de filtro a capacitor permite a obtenção de uma tensão maior do
que a tensão retificada de pico (Vm). O uso deste tipo de circuito permite manter a baixa
capacidade de tensão de pico do transformador e ao mesmo tempo aumentar a tensão
de pico de saída para duas, três, quatro ou mais vezes a tensão retificada de pico.
Figura 8-13 Dobrador de Tensão de Meia Onda
A Figura 8-13 mostra um dobrador de tensão de meia-onda. Durante o meio ciclo de tensão
positiva nos terminais do transformador, o diodo D1 conduz (e o diodo D2 não conduz),
carregando o capacitor C1 até a tensão retificada de pico (Vm). No caso ideal, o diodo D1,
é um curto durante este meio ciclo, e a tensão de entrada carrega o capacitor C1 com Vm,
de acordo com a Figura 8-14 (a). Durante o meio ciclo de tensão negativa, o diodo D1 não
conduz e o diodo D2 conduz, carregando o capacitor C2. Como o diodo D2 atua como um
curto durante o meio ciclo negativo, podemos somar as tensões na malha de fora. (Figura
8-14 (b)).
139
(a) (b)
C1
--
8-14 (a) 8 - 14 (b)

Figura 8-14
Um outro circuito dobrador é o circuito dobrador de onda completa da Figura 8-15. Durante
o meio ciclo positivo da tensão do transformador (Figura 8-16 (a)), o diodo D1 conduz,
carregando o capacitor C1 com a tensão de pico Vm. Neste intervalo de tempo, o diodo
D2 está bloqueado. Durante o meio ciclo negativo (Figura 8-16 (b)) o diodo D2 conduz,
carregando o capacitor C2, enquanto que o diodo D1, está bloqueado.
Figura 8-15
(a) (b)
Figura 8-16
140
Figura 8-17 Circuitos Dobradores de Tensão de Meia Onda
1. Use o Circuit-3 do módulo M-1108 para a experiência do circuito dobrador de tensão.

Monte o circuito de acordo com a Figura 8-17.
2. Aplique uma tensão de 5V alternado eficaz nos pontos de terminais 3a e 3b.
3. Conecte um osciloscópio nos pontos de terminais 3f e 3g, obtendo a medida VC2 (t) e
anote seu valor na Tabela 8-1. Conecte um osciloscópio nos pontos de terminais 3a e 3c,
obtendo a medida VC1 (t) e anote seu valor na Tabela 8-1. Realize a experiência com carga
R1 (470kΩ) e depois com carga R2 (1.8MΩ) e faça uma análise da influência da carga no
resultado final.
Tabela 8-1
Com Carga R1 Com Carga R2

VC1 Valor Médio
VC2 Valor Médio
NOTA: Seria interessante desenhar em um mesmo gráfico as formas de onda (em escala
de amplitude e tempo de VIN (t), VC1 (t) e VC2 (t). Para isto, referencie o osciloscópio em
3a (-) e anote VC1 (t) (canal 2) e VIN (t) (canal 1) e depois referencie o osciloscópio em 3b
e anote VC2 (t) (canal 1) e VIN (t) (canal 2).
CONCLUSÃO
EXPERIÊNCIA - 4
TRIPLICADOR
NOTAS DE TEORIA
Figura 8-18 mostra uma extensão do dobrador de tensão, que fornece três ou quatro vezes
a tensão de pico de entrada. A partir do tipo de ligação do circuito, é imediato como devem
ser conectados novos diodos e capacitores, de forma que a tensão de saída possa ser
também cinco, seis, sete, etc., vezes a tensão básica de pico (Vm).
141
Em funcionamento, o capacitor C1 se carrega através de diodo D1 com a tensão de pico,
Vm, durante o meio ciclo positivo da tensão transformador. O capacitor C2 se carrega com
duas vezes a tensão de pico (2Vm) resultante da soma das tensões nos terminais do
capacitor C1 e do transformador, durante o meio ciclo negativo da tensão do transformador.
Durante o meio ciclo positivo o diodo D3 conduz, e a tensão nos terminais do capacitor C2
carrega o capacitor C3 com a mesma tensão de pico 2Vm. A tensão nos terminais do
capacitor C2 é 2Vm, nos terminais de C1 e C3 é 3Vm. Se forem adicionadas duas seções
de diodos e capacitores, cada capacitor será carregado em 2Vm.
Figura 8-18 Circuito Triplicador
1. Use o Circuit-4 do módulo M-1108 para a experiência do circuito triplicador de tensão.

Monte o circuito de acordo com a Figura 8-18.
2. Aplique uma tensão de 5V alternado eficaz nos pontos de terminais 4b e 4c.
3. Conecte um osciloscópio nos pontos de terminais 4a e 4e, obtendo a medida de VC1 (t)
e anote o seu valor na Tabela 8-2. Conecte um osciloscópio nos pontos de terminais 4f
e 4e obtendo a medida VC3 (t) e conecte um osciloscópio entre os pontos 4h e 4i, obtendo
a medida de VOUT (t) = VC1 (t) + VC3 (t).
Tabela 8-2
Com Carga de R1 Com Carga de R2

VC1 (Valor Médio)
VC3 (Valor Médio)
VOUT (Valor Médio)
NOTA: Seria interessante realizar a experiência com cargas R1 (470kΩ) e R2 (2.2MΩ)

verificando a influência da carga no resultado do triplicador.
Usando um osciloscópio duplo-traço procure levantar formas de onda simultaneamente e
construa os gráficos em escala de amplitude e tempo, para um aprendizado mais eficiente;
assim pode-se medir:
VOUT (t) e VC3 (t) referência do osciloscópio em 4i.
VIN (t) e VC1 (t) referência do osciloscópio em 4a.
CONCLUSÃO
142
Minipa Indústria e Comércio Ltda.
Alameda dos Tupinás, 33 - Planalto Paulista - SP - CEP: 04069-000
CGC: 43.743.749/0001-31
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E-mail: minipa@minipa.com.br
SD1100
Sistema de
Treinamento em
Eletricidade e
Eletrônica
VOL - 2
Manual de Instruções
ÍNDICE
Volume 1
Apresentação ........................................................................ 01
Assessórios ........................................................................... 02
Main Console ......................................................................... 03
Módulo Fonte de Alimentação .............................................. 04
Módulo Multímetro Multifunções .......................................... 06
Módulo Gerdor de Funções ................................................... 12
M-1101 Circuito DC ............................................................... 15
M-1102 Princípios Amperímetro, Voltímetro e

Ohmímetro ................................................................. 26
M-1103 Circuitos AC ............................................................. 37
M-1104 Transformadores ...................................................... 57
M-1105 Semicondutores ........................................................ 69
M-1106 Polarização de Amplificadores ................................ 90
M-1107 Amplificadores FET...........................................107

M-1108 Circuitos a diodo e Multiplicadores.....................122
Volume 2
M-1109 Fonte de Alimentação .............................................. 01
M-1110 Geradora e Detectora de Nível ................................ 16
M-1111 Lógica Digital ........................................................... 21
M-1112 Multivibradores ........................................................ 30
M-1113 Circuitos Lógicos ..................................................... 39
M-1114 Lógica Sequêncial .................................................... 46
M-1115 Lógica Combinacional .............................................. 60
M-1116 Memórias ................................................................. 74
M-1117 Circuitos Conversores .............................................. 88

M-1118 Amplificadores a Transistor .................................... 99
M-1119 Amplificador com Realimentação Negativa ............ 147

Volume 3
M-1120 Características de Tiristores ................................... 01
M-1121 Configurações Básicas com CI 555 ........................ 18
M-1122A/B Correção de Fator de Potência .......................... 35
M-1123 Multímetro Digital .................................................... 40
M-1124 Teorema de Thevenin e Superposição ..................... 49
M-1125 Optico Eletrônica ..................................................... 59
M-1126 Ferramentas de Trabalho ......................................... 65
M-1127 Transformador Trifásico ........................................... 69
M-1128 Força Eletromotriz .................................................... 84
M-1129 Circuitos de Trava e Relê ........................................ 89
M-1130 Amplificadores Operacionais 1 ................................ 96

Volume 4
M-1131 Amplificador Operacional II ............................... 01
M-1132 amplificador Operacional III ............................. 13
M-1133 Amplificador Operacional IV ..............................22
M-1134 Amplificador Operacional V ...............................34
M-1135 Oscilador ...........................................................50
M-1136 AM / FM Modulação e Demodulação ....................61
M-1137 Fonte Linear .......................................................71
M-1138 Fonte Chaveada ..................................................77
M-1139 Estabilizador de Voltagem ...................................90

M-1109
FONTE DE ALIMENTAÇÃO
OBJETIVOS
1. Examinar os princípios de operação do retificador de meia onda usando um diodo

através das experiências.
2. Examinar os princípios de operação do retificador de onda completa usando a bobina
do secundário com um center tap através das experiências.
3. Entender os princípios de operação do retificador de onda completa em um circuito
fonte.
4. Entender o meio de regular uma onda retificada fundamental com uma experiência e
observar a sua relação de ripple.
5. Praticar a construção e as características de saída de um circuito de tensão padrão.
1
EXPERIÊNCIA – 1
RETIFICADOR
NOTAS DE TEORIA
Retificador de Meia Onda
Um diodo, quando é usado para converter AC para DC, é chamado de “retificador” e o

processo é referenciado como retificação. O método mais fundamental de retificação é
o circuito retificador de meia onda como mostrado na Figura 9-1. Quando a tensão do
secundário do transformador está na metade do ciclo da onda (VAB é +), o diodo D1 torna-
se polarizado diretamente e portanto, a maior parte da tensão do secundário aparece nas
extremidades de RL, pois o diodo possui um valor muito baixo de resistência. O diodo
polarizado diretamente mostra queda de tensão de 0.5V a 1.0V no caso do silício e 0.2V
a 0.6V no caso do germânio. A queda de tensão é ignorada para simplificar a interpretação
do circuito e especialmente, a queda de tensão direta do diodo torna-se muito pequena
comparada a tensão de saída quando a tensão de alimentação é alta.
Tensão de Entrada
Vprimário Vsecundário Meio Ciclo (Direta)
Meio Ciclo (Reversa)
(a) Circuito Retificador de Meia (b) Forma de Onda de Entrada / Saída

Onda
Figura 9-1 Circuito Retificador de Meia Onda
A Figura 9-1 (b) explica a operação do retificador de meia onda. Aqui, note que a saída
VCD torna-se zero quando a tensão do transformador VAB é negativa (-). Isto porque o diodo
torna-se reversamente polarizado (o polo positivo torna-se negativo contra o polo
negativo). Isto é o mesmo que circuito aberto. A tensão DC média (VDC) é igual a 0.318
(0.318 = 1 / π) vezes o valor máximo (Vp). Como a maioria dos voltímetros mostram o valor
médio, eles indicam 0.318 vezes a tensão máxima para o circuito retificador de meia onda.
Entretanto, o valor real deve ser usado para calcular a potência elétrica. A tensão real para
o circuito retificador é 0.5 vezes o valor máximo. No caso de meia onda,
Estes dois métodos de representação de tensão podem ser um fator de confusão. Por
sorte, o valor real e o valor médio em DC, que normalmente nos deparamos, são quase
iguais, e não devemos nos preocupar muito com isto. A corrente média I0 é o valor obtido
da divisão da tensão média pela carga resistiva.
2
A queda de tensão é muito pequena quando polarizados diretamente. Mas a tensão de
entrada máxima aparece como a queda de tensão nas extremidades do diodo quando
polarizado reversamente. Esta é chamada de PRV (pico de tensão reversa). Todos os
diodos tem um PRV máximo permitido padrão que não devem ser excedidos, e quando
excedidos, levam a queima do componente. Quando um diodo é polarizado reversamente,
a tensão do diodo VAC da Figura 9-1 (b) segue VAB e retém um valor de resistência alto
devido a isto. E ainda, quando D1 é polarizado diretamente, a queda de tensão (VAC) não
é zero e deve ser considerado que tem um pequeno valor positivo. Esta é a queda de tensão
direta do diodo e está normalmente abaixo de 1V.
Retificador de Onda Completa
Geralmente, um método mais usado e eficiente de transformar AC em DC é usar ambas

as partes positiva e negativa do sinal de entrada AC. Existem dois circuitos usados com
este objetivo e um deles é mostrado na Figura 9-2. Com este método utiliza-se de toda
a onda de entrada como saída DC, é chamado também de retificação de onda.
O retificador de center tap da Figura 9-2 é construído usando a bobina do secundário que
possui um center tap. Se a polaridade da tensão em um certo momento é a mesma da
mostrada na figura, D1 torna-se polarizado diretamente e entra em estado de condução,
pois o polo positivo retém uma polaridade positiva com relação ao polo negativo. De modo
contrário, D2 é polarizado reversamente e entra em estado de não condução. Portanto,
somente D1 fornece corrente para a carga.
Figura 9-2 Retificador de Onda Completa com Center Tap
No próximo ciclo do AC, a polaridade da tensão do secundário do transformador torna-se

invertida e a situação torna-se a oposta. Portanto, D1 e D2 tornam-se reversamente
polarizado e diretamente polarizado, respectivamente e D2 fornece a corrente para a
carga. Como cada diodo entra em estado de condução somente durante meio ciclo
(alternadamente), a corrente de carga é praticamente o dobro da corrente do retificador
de meia onda. A forma de onda de saída para isto é representada na Figura 9-3. Aqui,
observe que a situação de duplicação da frequência realmente ocorre na saída. Isto
porque o período T da forma de onda de saída torna-se ½ do período do sinal AC de
entrada. Lembre-se de que a frequência é o inverso do período (f = 1 / T).
Na maioria das fontes DC, quando um diodo de tubo de vácuo é trocado por um diodo de
silício, o circuito de center tap era o circuito retificador de onda mais comum. Entretanto,
o circuito ponte atualmente é a forma mais comum devido a aparência do diodo de silício,
seu baixo custo, sua alta confiabilidade e tamanho reduzido.
3
Entrada 60 Hz
Saída 120 Hz
Figura 9-3 Forma de Onda de Entrada e Saída de um Retificador de Onda Completa
A razão é porque o tamanho do transformador com ganho de saída aproximadamente igual

ao do circuito de center tap, pode ser reduzido. No circuito de center tap, a corrente flui
alternadamente em direção oposta cortando a metade do secundário do transformador
durante cada meio ciclo (positivo – negativo).
1. No Circuit-1 do módulo M-1109, aplique (retificador de meia onda) uma tensão de 15V
AC aos terminais 1a – 1b. (A tensão de 15V AC pode ser obtida na parte superior do
módulo M-1109).
2. Na condição sem carga (abra a conexão 1j – 1k e 1l –1m), meça cada forma de onda
de saída e a tensão efetiva para os casos dos filtros totalmente abertos (abra as
conexões 1f – 1g e 1h – 1i), conectando somente um filtro (conectando 1f – 1g ou 1h
– 1i).
3. Preencha os espaços em branco apropriados com os resultados do item 2, na Tabela
9-1, juntamente com a forma de onda.
4. Repita os itens 2 e 3 após conectar uma carga de 180Ω (conectando 1j –1k) no
retificador de meia onda do item 1.
5. No Circuit-1 do módulo M-1109, aplique (retificador de onda completa) 15V AC com
center tap aos terminais 1a – 1b – 1c. (A tensão de 15V AC com center tap pode ser
obtida na parte superior do módulo M-1109).
6. Repita o item 2.
7. Preencha os espaços em branco apropriados com os resultados do item 6, na Tabela
9-2, juntamente com a forma de onda.
8. Repita os itens 6 e 7 após conectar uma carga de 180Ω no retificador de onda completa
do item 5.
9. Repita os itens 6 e 7 após conectar (conectando 1j – 1k e 1l – 1m) uma carga de 90Ω
no retificador de onda completa do item 5.
4
Tabela 9-1
Filtro Sem 10µF 100µF

Saída
Forma de Onda
SemCarga
Saída (V RMS)
Forma de Onda
Carga 180Ω
Saída (V RMS)
Observação
Tabela 9-2
Filtro Sem 10µF 100µF

Saída
Forma de Onda
SemCarga
Saída (V RMS)
Forma de Onda
Carga 180Ω
Saída (V RMS)
Forma de Onda
Carga 90Ω
Saída (V RMS)
Observação
CONCLUSÃO
5
EXPERIÊNCIA – 2
RETIFICADOR PONTE & CIRCUITO DE REGULAÇÃO
NOTAS DE TEORIA
Retificador Ponte
O retificador ponte da Figura 9-4, em comparação com o retificador de meia onda, pode
fornecer um fluxo duas vezes maior de corrente de carga DC com a mesma tensão de
transformador. A corrente da tensão do transformador no meio ciclo +, quando V = VAD,
flui na direção indicada na Figura 9-4 (c) e no meio ciclo – de V, flui na direção indicada
em (d). Portanto, uma corrente de mesma direção sempre flui por RL. Este retificador é
chamado de retificador de onda completa e sua corrente é definida como a seguinte.
Por outro lado, a desvantagem de um retificador ponte é que ele requer quatro diodos, tem
um consumo elétrico em dois diodos em qualquer ciclo + ou -, e a tensão de carga diminui
proporcionalmente a queda de tensão nos dois diodos.
(a) (b)
(c) V>0 (D1 e D4 OFF) (d) V<0 (D2 e D3 OFF)

Figura 9-4 Retificador Ponte de Onda Completa
Circuito de Regulação
De maneira a transformar AC em DC, ele deve passar por um filtro passa baixo (circuito
regulador) após a retificação feita pelo diodo.
Em outras palavras, de maneira a obter uma corrente retificada sem ripple em DC, deve-
se tentar evitar todos os ripples possíveis através do circuito de regulação.
As vantagens e desvantagens dos vários métodos frequentemente usados aqui serão
descritos mais adiante.
1. Circuito de Regulação com Uso de Capacitor e Indutor
Tal circuito tem uma relação de flutuação baixa da tensão de saída para uma carga e
também, tem uma eficiência de saída alta, comparado com o método de regulação RC
porque a resistência DC da bobina é extremamente pequena e então, ele tem a relação
de flutuação de tensão somente para a parte do ripple. Mas, como a reatância AC do
indutor é alta, o ripple pode ser bastante reduzido
6
[Referência] Relação de Flutuação de Tensão =
Tensão de Saída sem Carga – Tensão de Saída com Carga x 100 (%)
Tensão de Saída com Carga
a. Em um circuito de regulação com uso de indutor, do tipo capacitor de entrada, pode-

se obter uma tensão DC maior que a tensão do retificador AC (abaixo 2 vezes).
Entretanto, o tipo indutor de entrada obtém tensão de saída menor (abaixo1/ 2 vezes).
b. Como o tipo indutor de entrada fornece uma relação de flutuação da tensão de saída
menor que o tipo capacitor de entrada, o método indutor de entrada é selecionado para
circuitos de fonte de alimentação DC onde necessita-se de estabilização de tensão ou
utiliza-se uma tensão menor que centenas de volts que são difíceis de serem
estabilizadas.
c. O circuito de regulação que usa indutor apresenta uma eficiência de saída relativamente
alta comparada com circuito que usa resistência. A razão é que enquanto o indutor
apresenta uma reatância alta para ripple, a de tensão DC na carga é extremamente
baixa porque somente a resistência DC da bobina causa influência.
d. Os valores de L e C ou R e C podem proporcionar eficiência máxima na remoção de
ripple e na eficiência de saída sem prejudicar um ao outro quando mutualmente
apropriados.
[Referência] Para o caso de um retificador onda completa, a relação de ripple =
Tensão Ripple (VRMS)

x100 (%)
Tensão de Saída DC (VAV)
2
Aqui, Tensão Média (VAV) = tensão máxima (VPK) x
π
1
Tensão Efetiva (VRMS) = tensão máxima ( VPK ) x
2
2. Circuito de Regulação com Resistor e Capacitor
O circuito de regulação RC possui a característica de baixo custo e também, requer um

pequeno espaço de montagem . Entretanto, como a corrente de carga torna-se maior, uma
queda de tensão maior na resistência no filtro DC é gerada e portanto, tem a desvantagem
de uma relação de flutuação de tensão maior e uma eficiência de saída baixa. Portanto,
é usado em circuitos com corrente de carga abaixo de centenas de mA.
No circuito de regulação RC, uma coisa que deve ser considerada no projeto é a razão de
potência de R. Quando o fluxo de corrente em um resistor série é IR, a capacidade de
potência torna-se W=R.I 2 e em seu uso real, deve ser considerado um valor duas vezes
R
maior.
a. Como a corrente de carga torna-se maior no mesmo circuito de tensão, a capacidade

do capacitor deve ser aumentada para um valor maior que o do indutor ou resistência
de regulação. A razão é que o indutor e a resistência são aplicados somente à relação
de ripple e mais, ele torna-se uma desvantagem para sua relação de flutuação de tensão
quando a corrente de carga aumenta.
7
b. O circuito de regulação a resistência é usado somente para cargas com baixo consumo
de potência, onde não há necessidade de preocupação com relação à eficiência de
potência. Isto porque o circuito é miniaturizado.
c. Em um circuito de regulação construído com L e C, se reduzir o valor de L mais que o

valor pertinente de L e aumentar C, relação de flutuação da tensão de saída aumenta
muito.
Indutor Indutor
Entrada Saída Entrada Saída
GND GND
(a) Circuito Filtro LC com Capacitor de (b) Circuito Filtro LC com Indutor de
Entrada ( Tipoπ ) Entrada
Entrada Saída
GND
(c) Circuito Filtro RC
Figura 9-5 Circuito de Regulação
[Referência-1] Dimensionamento dos valores de L e C de um circuito de regulação,

construído com L e C (C é o valor mínimo)
- Dimensionamento do valor de L (Indutância)

1 E (Tensão de entrada do indutor V)
X L= . Portanto, L (Henry) = 1. E (Volt) ~ E (Volt)
K I (Fluxo de corrente pelo indutor A) K 2π.I (Ampere) I (mA)
- Dimensionamento do valor de C (Capacitância)

I .t
C (µF) ~ L . 104
0.5 r
R
Aqui, com IL = corrente de carga (A),rR = Relação de Ripple (%), e o ciclo de ripple t é uma
retificação de onda completa de 60Hz, t = 1 = 8.3x10-3 s
120Hz
[Referência-2] Dimensionamento dos valores de R e C de um circuito de regulação,
construído com R e C (C é o valor mínimo).
- Dimensionamento do valor de R (Resistência)

E (Tensão de entrada de R)
R (Ω) = K .
R I (Corrente de carga A)
8
25
Aqui, K = . Significa que a queda de tensão nas extremidades do resistor R de
R 100
regulação é ajustado para 25% da tensão de entrada de R.
- Dimensionamento do valor de C (Capacitância)
C (mF) ~
I t . 104
L.
0.12 r
R
Aqui, IL = corrente de carga A

rR = relação de ruído (%)
1
t= = 8.3 x 10-3s
120
Figura 9-6 Circuito Retificador Ponte
Figura 9-7 Circuito de Regulação RC
1. Construa o circuito retificador ponte e o circuito de regulação RC da Figura 9-6 e Figura

9-7, usando o Circuit-2 e Circuit-3 do módulo M-1109 (Use uma entrada de 15V AC).
2. Preencha os espaços em branco apropriados da tabela 9-3 marcando a forma de onda

de saída e a tensão efetiva sobre a condição sem carga.
3. Preencha os espaços em branco apropriados da tabela 9-3 marcando a forma de onda

de saída e a tensão efetiva após conectar as respectivas cargas.
9
Figura 9-8 Circuito Retificador com Indutor de Entrada
Figura 9-9 Circuito Retificador com Capacitor de Entrada
4. Construa o circuito retificador com indutor de entrada e o circuito retificador com

capacitor de entrada das Figuras 9-8 e 9-9 usando o Circuit-2 e o Circuit-3 do módulo
M-1109. (Use uma entrada de 15V AC).
5. Preencha os espaços em branco apropriados da tabela 9-4 medindo a forma de onda

de saída e a tensão efetiva sobre a condição sem carga.
6. Preencha os espaços em branco apropriados da tabela 9-4 medindo a forma de onda

de saída e a tensão efetiva após conectar uma carga.
10
Tabela 9-3
Filtro Figura 9-6 Figura 9-7

Saída
Forma de
SemCarga Onda
Saída (V RMS)
Forma de
Carga Onda
180Ω
Saída (V RMS)
Observação:
Tabela 9-4
Filtro Figura 9-8 Figura 9-9

Saída
Forma de
SemCarga Onda
Saída (V RMS)
Forma de
Carga Onda
180Ω
Saída (V RMS)
Observação:
CONCLUSÃO
Discuta os resultados da experiência < Conclusão 9-2 >
11
EXPERIÊNCIA-3
REGULADOR DE TENSÃO FIXA
NOTAS DE TEORIA
Geralmente, uma fonte de alimentação padrão precisa ser projetada para ter a função de
proteção de sobrecarga assim como ajuste de controle padrão. Por exemplo, se uma
corrente acima de 1A fluir em um equipamento de carga de tensão padrão de 30V, o
equipamento pode ser protegido contra danos pelo ajuste da corrente padrão para 1A,
para os casos em que pode ser danificado quando uma corrente de 1A ou mais estiver
presente. A Figura 9-10 é um circuito fundamental que possui as funções de modos tensão
padrão e corrente padrão.
Sensor de Sensor
Corrente Comum
Entrada
Ajuste de
GND Corrente GND
Padrão
Sensor de Tensão
Figura 9-10 Circuito de Tensão/Corrente Padrão Simples
Referindo ao circuito, D1, RV e RMV ao redor de Amp-1 compõe o circuito de tensão padrão
e a fonte de tensão padrão (Vref) é normalmente usada com Amp-2. Enquanto D1 e D2 são
usados para que as saídas de Amp-1 e Amp-2 não sejam mutualmente integrados, ele
opera com a porta OR na entrada Tr2. Rb é usado para polarizar a base de Tr2, pois Amp-
1 e Amp-2 são completamente integrados através da direção de condução do diodo. O
transistor de regulação Tr1 é integrado com Tr2 pela integração de Darlington. (Mesmo
no circuito experimental real, ele é derivado da integração de Darlington, assim como este
circuito.) Entretanto, no circuito experimental para uma tensão fixa de saída, é montado
um circuito ainda mais simples do que o da Figura 9-11.
12
AC INPUT
15V
Figura 9-11 Circuito de Tensão Padrão
1. Construa um circuito de tensão padrão como o da Figura 9-11 usando o Circuit-2 e o

Circuit-4 do módulo M-1109.
2. Na condição sem carga, preencha os espaços em branco apropriados da Tabela 9-5

obtendo a forma de onda de saída e a tensão efetiva quando conectar um diodo D1
(conectando 4e-4f) e quando conectar outro diodo D2 (4g-gh).
3. Repita o item 2 após conectar uma carga de R2.
Tabela 9-5
V
Saída ZD D1 (5.1V) D2 (9.1V)
Forma de
SemCarga Onda
Saída (V RMS)
Forma de
Carga R2
Onda
Saída (V RMS)
Observação:
13
EXPERIÊCIA-9
REGULADOR DE TENSÃO VARIÁVEL
AC INPUT
15V
Figura 9-12 Circuito de Tensão Padrão Variável com Transistor
AC INPUT
15V
Figura 9-13 Circuito de Tensão Padrão Variável com Amp - Op
1. Construa um circuito de tensão padrão variável com transistor como na Figura 9-12,
usando o Circuit-2 e o Circuit-5 do módulo M-1109.

obtendo o ripple máximo de saída, a tensão efetiva e a relação de ripple enquanto varia
a tensão de saída para 6V, 7.5V e 9V.
3. Registre na tabela obtendo o ripple máximo de saída, a tensão efetiva e a relação de

ripple após conectar uma carga de 120Ω.
Tensão de Ripple (V )
RMS
Relação Ripple = x 100(%)
Tensão Saída DC (V )
AV
4. Construa um circuito de tensão padrão variável com amplificador operacional (Amp-Op)

como o da Figura 9-13, usando o Circuit-2 e o Circuit-6 do módulo M-1109.

obtendo o ripple máximo de saída, a tensão efetiva e a relação de ripple enquanto varia
a tensão de saída para 6V, 7,5V e 9V.
6. Registre na tabela obtendo o ripple máximo de saída, a tensão efetiva e a relação de

ripple após conectar uma carga de 120Ω.
14
Tabela 9-6
Tensão de Figura 9-12 Figura 9-13

Medidas Saída
6V 7.5V 9V 6V 7.5V 9V
Ripple (V )
P-P
Sem
Ripple (V )
Carga RMS
Ripple Ratio (%)
Ripple (V )
P-P
Carga Ripple (V )
180Ω RMS
Ripple Ratio (%)
Observação
CONCLUSÃO
Discuta os resultados da experiência. < Conclusão 9-4 >
15
M-1110
GERADOR & DETECTOR DE NÍVEL
OBJETIVOS
1. Fornecer ao usuário um conjunto de chaves, displays e indicadores (lâmpada, buzzer,

alto-falante), indispensáveis aos ensaios dos demais módulos do Sistema Didático de
Treinamento em Eletrônica Básica.
2. Fornecer ferramentas de trabalho para qualquer experimento que se deseje implementar.
16
CIRCUIT - 1
GERADOR DE 24 BITS
Este circuito é composto por 24 chaves do tipo alavanca separadas em dois blocos: 8
chaves do bit0 ao bit7 (DATA - Dados) e 16 chaves do bit0 ao bit15 (ADDRESS -
Endereços).
A diagramação destas chaves encontra-se na Figura 10-1.
ADDRESS DATA
bit15 bit0 bit7 bit0
0V
+5V
CONECTOR CN3 (16 VIAS) SUPERIOR CONECTOR CN1 (10 VIAS) SUPERIOR
BUFFER WRITE BUFFER ENABLE
CONECTOR CN4 (16 VIAS) INFERIOR CONECTOR CN2 (10 VIAS) INFERIOR
Circuit-1 Circuit-1
A15 A0 D7 D0
CONVERSOR HEXADECIMAL CONVERSOR HEXADECIMAL Circuit-3

Circuit-3
DISPLAY DISPLAY
Figura 10-1
Como pode ser visto no diagrama em blocos, as chaves de alavanca estão conectadas
ao terra ou a Vcc (+5V) e ao acioná-las, os bornes de 2mm superiores (logo abaixo das
chaves) e os conectores de 16 vias e 10 vias superiores (CN3 e CN1, respectivamente)
recebem +5V ou 0V (terra). O nível lógico é indicado pelo LED correspondente. Note que
não há circuito de filtro ou anti-ruído para esta operação.
O controle (WRITE e ENABLE), habilitam ou não os buffers correspondentes. Assim toda
informação das chaves é transferida para os conectore de 16 vias e 10 vias inferiores (CN4
e CN2, respectivamente) e para os bornes de 2mm inferiores (A0 ao A15 e D0 ao D7).
A tecla ENABLE quando apertada momentaneamente habilita o buffer correspondente,
transferindo as informações dos bornes de 2mm e conector de 10 vias superiores para os
bornes de 2mm e conector de 10 vias inferiores. Quando desabilitada os níveis nos bornes
de 2mm e conector de 10 vias inferiores são indeterminados.
Quanto a chave WRITE o funcionamente é similar, o estado ON correspondente a
permanecer com a tecla ENABLE apertada. Quando em OFF, correspondente a tecla
ENABLE desabilitada.
17
Note que no diagrama são mostrados os blocos conversor hexadecimal e display de sete
segmentos, entretanto estes blocos não fazem parte do Circuit-1, eles pertencem
fisicamente ao Circuit-3. Mas é muito importante observar que estão internamente
conectados aos conectores de 16 vias e 10 vias inferiores e aos bornes de 2mm inferiores.
A divisão das 24 chaves em dois blocos de 8 (DATA - bit0 ao bit7) e 16 (ADDRESS - bit0
ao bit15) chaves, foram assim arquitetadas para permitirem o envio em paralelo e sem
ruído de uma palavra de 8 bits e o endereço de 16 bits, respectivamente. Esta configuração
de chaves é utilizada por exemplo no módulo M-1116 (Memória), para endereçamento de
transferência de dados.
NOTA: Lembre-se de que quando os controles WRITE e ENABLE são acionados, os

bornes de 2mm e os conectores de 16 vias e 10 vias superiores são curto-circuitados com
os bornes de 2mm e conectores de 16 vias e 10 vias inferiores, correspondentes.
CIRCUIT - 2
DE-BOUNCE
Este circuito é composto por 6 chaves, sendo 2 do tipo alavanca e as outras push-button
momentânea.
As saídas destas chaves é obtida em bornes de 2mm (bit0 ao bit5), entretanto existe um
circuito de-bounce (anti-ruído) entre as chaves e os bornes de saída, para que possam
ser utilizadas em módulos de lógica sequencial ou combinacional, tais como os módulos
M-1111, M-1112, M-1113, M-1114 e M-1115.
CIRCUIT - 3
DISPLAY HEXADECIMAL
Este circuito tem como função a apresentação de 8 bits de dados (D0 ao D7 do Circuit-
1) e de 16 bits de endereços (A0 ao A15 do Circuit-1) em formato hexadecimal.
Como pode ser visto este circuito utiliza como entrada os bornes de 2mm inferiores ou os
conectores de 16 vias e 10 vias inferiores do Circuit-1.
E ainda, como mencionado na descrição do Circuit-1, este conjunto de display mostra a
representação hexadecimal dos dados (bit0 ao bit7) e endereços (bit0 ao bit15)
codificados nas 24 chaves de alavanca do Circuit-1, quando os controles WRITE e
ENABLE são utilizados.
Refira-se as Tabelas 10-1 e 10-2 para ver a relação entre os bits de entrada (ADDRESS
- A0 ao A15 e DATA D0 ao D7, do Circuit-1) com a indicação do display.
18
Tabela 10-1
ADDRESS
DISPLAY
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 4 3 2 1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 2 2 2 2
0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 3 3 3 3
0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 4 4 4 4
0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 5 5 5 5
0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 6 6 6 6
0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 7 7 7 7
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 8 8 8 8
1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 9 9 9 9
1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 A A A A
1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 B B B B
1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 C C C C
1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 D D D 3
1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 E E E E
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 F F F F
4 3 2 1
ADDRESS BUS
Tabela 10-2
ADDRESS DISPLAY
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 2 1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0 1 1 1
0 0 1 0 0 0 1 0 2 2
0 0 1 0 0 0 1 0 2 2
0 0 1 1 0 0 1 1 3 3
0 1 0 0 0 1 0 0 4 4
0 1 0 1 0 1 0 1 5 5
0 1 1 0 0 1 1 0 6 6
0 1 1 1 0 1 1 1 7 7
1 0 0 0 1 0 0 0 8 8
1 0 0 1 1 0 0 1 9 9
1 0 1 0 1 0 1 0 A A
1 0 1 1 1 0 1 1 B B
1 1 0 0 1 1 0 0 C C
1 1 0 1 1 1 0 1 D D
1 1 1 0 1 1 1 0 E E
1 1 1 1 1 1 1 1 F F
2 1
DATA BUS
19
NOTA: Lembre-se de que no Circuit-1 quando os controles WRITE e ENABLE são
acionados, os bornes de 2mm e os conectores de 16 vias e 10 vias superiores são curto-
circuitados com os bornes de 2mm e conectores de 16 vias e 10 vias inferiores,
correspondentes.
CIRCUIT - 4
INDICADORES
Este circuito deve ser utilizado como ferramenta para observação e estudo e vários tipos
de sinais.
Contém um circuito detector de nível lógico para 16 bits, com LEDs indicadores
correspondentes e entrada para borne de 2mm.
Contém ainda um lâmpada (12V DC / 1W), um alto-falante (0.5W / 8Ω) e um buzzer (5V
DC).
20

M 1106 1110

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M-1106

1. Estudar os 3 tipos básicos de polarização DC de um transistor a partir de uma única

Figura 6-1 Circuito Básico

Como calcular RE, RC, RB.

VCE = VBE + VCB

Lei das Malhas:

VCC = VR2 + VCE

VCC = 12V; VCE l 6V; IC = 3mA

Observação: 0.6V < VBE < 0.7V

Porque utilizar RE.

O RE é utilizado para se ter o comportamento de uma fonte de corrente constante,

No projeto de polarização a relação AV l RC quase sempre esta presente.

Exemplo de polarização com RE.

VCC = VR2 + VCE + VR3

Para valores muito altos de ß (ß> 100) geralmente IE { IC.

(a) (b) (c)

Figura 6-4 Polarização do Circuito Amplificador

1. Monte o circuito da Figura 6-4 (a) utilizando-se o Circuit-1 do módulo M-1106.

6. Monte o circuito da Figura 6-4 (c) utilizando o Circuit-1 do módulo M-1106.

Discuta os resultados da experiência. <Conclusão 6-1>

Em relação ao Circuit-1 do módulo M-1106, na sua polarização de base, o valor de RB fica

A rigor, o projeto de polarização deve ser determinado, aplicando-se o Teorema de

VCC = VRE + VCE + VRE; IC ¡ IE e AV ¡ RC / RE.

Na malha de base, devemos aplicar o Teorema de Thevenin, assim abre-se o circuito em

VBB = VTH = VCC .R1

Visto de A-B: RTH = RBB = R1 // R2

RBB = R1.R2 (1)

VTH = VCC R1 . R2 = VCC RBB (2)

Aplicando-se o Teorema vem:

VTH = RBB IB + VBE + RE IE

Nota: O produto RE (ß+1) é conhecido como impedância do emissor refletida na base.

Falta RBB para se poder determinar VTH.

ZIN = (RBB // hIE + (ß + 1) RE)

Muitas vezes adota-se: RBB l (50 a 100) x RE

R1, R2 (resistores de base)

VCC = VRC + VCE + VRE

Como (ß l 250 IC l IE) e RC = 5RE

RBB = R1 R2 VBB = VCC RBB

VBB = RBB.IB + VBE + RE (ß+1)IB

Como VBB = VCC RBB

1. Utilize o Circuit-2 do módulo M-1106 para o experimento de polarização com divisor

IC = VR3 IB = IR2 - IR1

5. Verifique se IE = IC + IB e VCE = VBE + VCB.

7. Injete um sinal senoidal de 1kHz e ajuste a amplitude do gerador de forma a obter em

9. Procure explicar estes ganhos (A’s).

Discuta os resultados da experiência. <Conclusão 6-2>

Figura 6-10 Configuração Básica

Portanto: ß = ß1 + ß2 + ß1.ß2 { ß1 ß2.

Também: RB = Rb1 + (1 + ß2 ) Rb2 e VBE l VBE1 + VBE2

(a) (b) (c)

Figura 6-11 Darlington e Aplicações

Figura 6-12 Darlington com Resistor Adicional

Na Figura 6-10, estando a base de T2 flutuando, as cargas elétricas ficam acumuladas

A configuração Darlington pode ser implementada de forma discreta ou já pode vir

Discuta os resultados da experiência. <Conclusão 6-3>

Além do uso de um resistor de emissor para melhorar a estabilidade de polarização, a

Figura 6-15 Circuito de Polarização com Realimentação Negativa

Analisando a malha de coletor:

VCC = VRC + VCE + VRE

As condições de projeto quase sempre são:

Em relação a malha de base:

VCC = RC.IE + RB IB + VBE + RE IE