Projeto de um amplificador de tensão, emissor-comum,

com o transistor BC547

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 Especificações do Projeto

Topologia emissor-comum

 Fonte de alimentação: 5 V
 Frequência de operação: 1 kHz
 Potência média consumida: 7,5 mW
 Resistência de carga: RL=10 k
 Resistência interna do gerador: rs= 50 
 Transistor disponível: BC547
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 V in  t  =  20mV  cos  210 t
 Ganho de tensão: ~30

Objetivo: determinar R1, R2, RC, RC, CB, CE, Cc

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 Parâmetros do transistor BC547

Transistor

 ICmax= 100 mA
 PDmax= 625 mW
 VBR(CE)= 45 V
 VBR(CB)= 50 V
 VEBmax= 6 V
 VBEon= 0,55 V
 fT= 300 MHz
 hFE== 220

Restrição do Projeto

P D  7 5mW 5  I 1 + I C   7 5mW , então  I 1 + I C   1 5mA

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 Descrevendo o hFE

hFE=h21=iC/iB
F: forward
E:emissor

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 Simulação para obtenção da curva IC x VBE
 Para conhecer os parâmetros do transistor. Varia-se o VBE, com uma fonte de corrente IB variável ou uma
fonte de tensão variável. Faz-se simulação DC. No caso da fonte de tensão VBB, variamo-la de 0 a 0,8 V, com
passo de 0,01. E a corrente IB, variamo-la de 0 a 500 A, com passo de 0,1.

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 Obtenção da curva IC x VBE

 Vamos assumir VBEon= 0,6 V

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 Determinando o VBE de polarização
 Considerar operação linear, ou seja, a corrente de coletor, IC, não pode ser nula, durante o ciclo do sinal de
entrada (Classe A).

Classe A(360º) Classe B (180º) Classe C (0-180º)

 Para usufruir de operação quase-linear e para obter um baixo consumo, adotamos VBEQ=0,62 V. Associada a
essa tensão, tem-se um ICQ=0,88 mA. Quando o sinal ac de amplitude 20 mV for aplicado, essa corrente
variará de 0,43 mA a 1,71 mA. E nesse caso, a transcondutância será igual a gm=40ICQ=35,2 mS.

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 Obtendo as características ICxVCE
 Faz-se simulação DC. Usam-se 2 Sweeps, um contido no bloco de simulação DC para variar o VBB e outro
que é parameter sweep independente para o VCC.

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 Curva IC x VCE do transistor BC547

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 Projeto do Amplificador Emissor-comum (1)
 A partir das curvas do amplificador

Condições a serem observadas:

v BE  t   0 60
v CE  t   v BE  t  ,
isso implica em:
V CEQ – 0 6  0 64 , então:

V CEQ  1 24 V

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 Projeto do Amplificador Emissor-comum (2)

Parâmetros já disponíveis

VBEQ = 0 62V , I CQ = 0 88mA , g m = 40I CQ = 35 2mS  400

r  = ------ = -------------------- = 11 4k ,
gm 35 2mS
R L = 10k , R S = 50
V CE VA VA VA
r 0 = -------------- = ------- = ------------------ = --------------
I C IC kT gm VT
g m  -------
q

Se fizermos Z in  R s = 50 V out  V in = – g m  r 0  R c  10k  = – 30

 Se tivéssemos a tensão de Early do transistor VA, poderíamos determinar o r0 e, por sua vez o Rc. Como não
encontramos VA no data sheet, vamos determiná-la via simulação a partir do modelo do transistor.

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 Determinação de r0 via simulação

 O módulo do ganho, Vout/Vin foi igual a 3108. Nesse caso, se considerarmos 100 M como um circuito aberto.
O ganho gm.r0=3108. Então r0= 88,2 k..

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 Resultados de simulação na obtenção de r0

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 Determinação de RC
 Nesse caso, a partir da expressão do ganho, tem-se:

g m   R C  88 2k  10k  = 30 Então: R C  945

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 Ganho obtido

 Via simulação ajustamos o R1 para 1,1 k de tal forma que o ganho de tensão ficou em 30,9

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 Determinação do RE
 Conforme condição anterior: V CEQ  1 24 . Vamos adotar V CEQ = 2 65V para potencializar o aumento da excursão
da tensão de saída.

 Como V C = 5 – 1 1  0 88 = 4 12V , então V CEQ = V C – V E = 4 12 – VE = 2 65  V E = 1 47V . Nesse caso:

VE 1 47
R E = ------- = --------------------- = 1 67k
IE 0 88mA

 Para determinar o R1 e o R2, é necessário determinar o VB. Para tal, observe as curvas de VB e de VE. Veja a
seguir:

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 Determinação do R1 e R2

 Lembre-se de que o VBE deve ser maior que o VBEon em todo o ciclo do sinal. Como o VBEon= 0,60 V.
Olhando o gráfico acima, a parte mais crítica acontece no semiciclo inferior de Vb. Por isso, deve-se fazer:
 V B – 0 020 – 1 47  0 60 . Como privilegiamos, o baixo consumo, fizemos: V B – 0 020 – 1 47 = 0 60  VB = 2 27V
IC 2 27 5
 Assumindo que I 1 = ------ = 0 088mA .
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Temos, então que R 2 = ------------------------ = 25 8k .
0 088mA
Como I 1  ------------------- = 0 088mA  R 1 = 31k
R1 + R2

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 Determinação das Capacitâncias de Bloqueio

1 1 Z in  73k
 Para cálculo de CB: ----------- « Z in . Como prática, pode-se adotar: - = 6-------------------
----------- = ------ -  C B = 0 24F
C B C B 10 10

1 1 R
 Para o cálculo de CC: ----------- « R L . Como prática, adotamos ----------- = ------L = 10k
--------------  C C = 0 16F
C C C C 10 10

1
------  R E
1 1  1 gm 28
 Para o cálculo de CE: - RE .
----------- « -----
C E g m
Como prática, pode-se adotar: ----------- = ------------------
C E
-  ----------  C E = 56 84F
10 10

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 Circuito e Resultados

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 Circuito Final com as capacitâncias de bloqueio
calculadas

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 Resultados Finais

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 Principais formas de onda para Vin=20mV

 Distorção harmônica de 2ª ordem, DH2= 14,6 %

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 Principais formas de onda para Vin=5 mV

 Distorção harmônica de 2ª ordem, DH2= 3,67%

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 Consolidação do Projeto
 Vin= 20 mV e f=1 kHz

Parâmetro
R1 31 k

R2 25 k

RC 1,1 k

RE 1,67 k

CB 0,24 F

CC 0,16 F

CE 56,84 F

ICQ 0,88 mA

IDC 1,033 mA

DH2 14,6 %

Potência média consumida VCCx IDC= 5,165 mW

Ganho de tensão 29,6

Potência média de saída 1

P out = --- Re  V out I out  = 1 21W
2

Eficiência P out
 = ---------- = 0 0234 %
P DC

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 Exercícios

 A partir desses projetos, é possível constatar que a transcondutância do transistor JFET é bem menor que a
do transistor bipolar. Ou seja, vocês verão que para obter um ganho de tensão igual a 30, a corrente de pola-
rização do JFET deverá ser bem maior que 0,88 mA do bipolar. Quanto à topologia do exercício 2, a resistên-
cia rf tem o potencial de reduzir a distorção harmônica. Claro que à custa na redução do ganho. Discuta esse
aspectos. Considere a mesma tensão de alimentação 5 V e o mesmo sinal de entrada. Lembrem-se de que o
JFET 245 é um transistor de depleção.

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