Transistores

FET e Bipolar
Prof. Sérgio Francisco Pichorim
DAELN – CPGEI
Histórico: Válvula Triodo (c. 1906)
Símbolo Válvula e Amplificação
 Transistores Semicondutores
• Inventados na década de 1940
• Funcionam a frio
• Muito menores: poucos milímetros, mas hoje
em escala micrométrica...
• Aplicações:
– Amplificação de sinais
– Chaveamento de dispositivos
– Processamento de dados (lógica)
– Conversão de sinais (cálculos de valores)
 Transistores Semicondutores
• Revolucionam a tecnologia: menor, portátil,
baixa alimentação e baixo custo, etc.
• Processadores e computadores
• Telecomunicações
FET - Transistor de Efeito de Campo
• Canal feito por um só cristal (N ou P)
• Duas junções são polarizadas inversamente
(Gate)
• A região de Depleção vai estrangulando o
canal
Transistor BIPOLAR
 Características
• Uma junção polarizada diretamente (BE)
• Outra junção polarizada reversamente (CB)

• Pequena corrente de Base (IB) controla

grande corrente no Coletor (IC)
 Exemplo
• Um transistor de silício com Ib = 10 mA, Vce = 8 V
e hFE de 250, calcular: Ic, Ie e Vcb

• Ic = 250 x 0,00001 = 2,5 mA

• Ie = 2,5 mA + 0,01 mA = 2,51 mA
• silício  Vbe = Vj = 0,7 V
• Vcb = 8 – 0,7 = 7,3 V
Curva Ic x Vce x Ib
 Transistor como Amplificador

DIB = 10mA
DIC = 1 mA

Amplificação de 100 vezes no Sinal de corrente !

Exemplo de um Amplificador
 Amplificação
Ganho de Tensão (Vo/Vi)
EXEMPLO 1
SOLUÇÃO

Supondo

Vbe = 0,7 V

5V = VRB + 0,7

VRB = 4,3 V

Ib = VRB / RB

Ib = 13 mA
 SOLUÇÃO

Ic = 1,95 mA

Ie = 1,97 mA

VRC = RC . Ic = 2,35 V

Vce = 12,65 V

Potência = Ic . Vce = 24,7 mW

EXEMPLO 2

SOLUÇÃO malha BASE SOLUÇÃO malha COLETOR

Vbe = 0,7 V Ic = b x Ib = 2,86 mA

2V = VRB + 0,7
VRC = RC . Ic = 14,3 V
VRB = 1,3 V
Vce = 25 – VRC = 10,7 V
Ib = VRB / RB

Ib = 8,67 mA
EXEMPLO 3
Se a fonte de + 2 V tiver uma
variação (sinal) de D = 10mV,
quanto será o D em Vce?
Qual a amplificação (ganho)?

SOLUÇÃO malha BASE SOLUÇÃO malha COLETOR

Vbe = 0,7 V DIc = b x DIb = 0,022 mA

2 V = VRB + 0,7 DVRC = RC . DIc = 110 mV

DVRB = 10 mV Vce = 25 – VRC

DIb = DVRB / RB DVce = 110 mV

DIb = 66,7 nA Av = 110/10 = 11 vezes!

Curva Ic x Vce x Ib
Transistor como Chave Desligada
Transistor como Chave Ligada
 Transistor como Chave Eletrônica
• CORTE  VBE << 0,7 V e IB=0
– a “chave” está Desligada (off)
– IC = 0 e VCE é máximo (=VCC)

• SATURACAO  VBE  0,7 V e IB alto

– a “chave” está Ligada (on)
– IC é máximo e VCE ≈ 0.
– IB  ICMÁXIMO / HFE
Exemplo : Controle Remoto
Exemplo 4: Supondo o circuito abaixo onde VBB é uma tensão
variável:
• Qual o valor de VBB que leva o transistor ao corte (chave
desligada)?
• Qual o valor de VBB que leva o transistor à saturação (chave
ligada)?
CORTE (Chave Desligada):
• Ic = 0 e Vce = máximo
• neste exemplo Vce = Vcc = 15 V
• Condição de corte: Vbe << 0,7 V e Ib = 0
SATURAÇÃO (Chave Ligada):
•Vce = 0 e Ic = máximo
•neste exemplo Ic = 15 V/1,2kW  12,5 mA
•Condição de saturação: Vbe ≥ 0,7 V e Ib > Ic / b
•neste exemplo Ib > 12,5 mA / 150  83,3 mA