Transistores

Bipolares
Prof. Sérgio Francisco Pichorim
DAELN - UTFPR
Tubo TRIODO (Válvula)
início do sec. XX
Símbolo e Amplificação
 TRANSISTORES SEMICONDUTORES
• Inventados na década de 1940
• Funcionam a frio
• Muito menores: poucos milímetros, mas hoje
em escala micrométrica...
• Revolucionam a tecnologia
Transistor BIPOLAR (tipo NPN)

Emissor,
Base e Coletor
Supondo IB = 0 (base open)

• Junção PN do Coletor
polarizada inversamente
• Apenas uma corrente de
fuga (Iceo)
• Iceo na ordem de nA

• IB = 0  IC ≅ 0
 Com a polarização direta da
junção Base-Emissor...
• Circula uma corrente na Base (IB ≈ mA)
• A Base é 10 vezes menos dopada
• A Base é 100 vezes mais estreita
• Portadores majoritários do Emissor-Base são
injetados na Região de Depleção do Coletor
• Assim, surge uma grande corrente de Coletor
(IC >> IB)
 Efeito Transistor

• Assim IC = b . IB + Iceo

• Como Iceo ≈ nA I C ≅ b . IB
 Resumindo...
• Uma junção polarizada diretamente (BE)

• Outra junção polarizada reversamente (CB)

Pequena corrente de Base (IB ≈ mA) controla

grande corrente no Coletor (IC ≈ mA)
Curva Ic x Vce x Ib
 DIB = 10 mA
DIC = 1 mA

Amplificação de 100 vezes no Sinal de corrente !

Modelo para CC
Modelo para CC (NPN)
Transistor PNP
Exemplo de Transistor em CC (polarização)
Exemplo de Transistor em CC (polarização)
Exemplo de Transistor em CC (polarização)

5 = VRB + 0,7
∴
VRB = 4,3 V
 Exemplo de Transistor em CC (polarização)

Ib = VRB / Rb
∴
Ib = 13,03 mA

Ic = 1,95 mA
e
Ie = 1,97 mA

VRC = Ic . Rc
∴
VRC = 2,34 V

Vce = 12,66 V
Exercício de polarização (II)
Vbb = +3 V

+3 V = VRB + Vbe

VRB = 2,3 V

Ib = VRB / Rb = 92 mA

Ic = b . Ib = 9,2 mA

Ie = Ic + Ib = 9,3 mA

VRC = RC . Ic = 8,1 V

+12 V = VRC + Vce

Vce = 12 – 8,1 = 3,9 V

Exercício de polarização (III)
Quanto deve ser Vbb para Vce ser +7 V ?

+12 V = VRC + Vce

VRC = 12 – 7 = 5 V

Ic = VRC / RC = 5,68 mA

Ic = b . Ib ∴ Ib = 56,8 mA

VRB = RB . Ib = 1,42 V

Vbb = VRB + Vbe

Vbb = 2,12 V
Exercício de polarização (IV)
+2 V = VRB + Vbe + VRE

VRB = Rb . Ib
VRE = Re . Ie
Ie = Ic + Ib
Ic = b . Ib ∴ Ie = (b+1) . Ib

Substituindo...

+2 V = RB . Ib + Vbe + RE . (b+1) . Ib

Ib = (+2V – Vbe) / (RB + (b+1).RE )

VRC = RC . Ic e VRE = RE . Ie

+18 V = VRC + Vce + VRE

Exercício de polarização (IV)
+2 V = VRB + Vbe + VRE

VRB = Rb . Ib
VRE = Re . Ie
Ie = Ic + Ib
Ic = b . Ib ∴ Ie = (b+1) . Ib

Substituindo...

+2 V = RB . Ib + Vbe + RE . (b+1) . Ib

Ib = (+2V – Vbe) / (RB + (b+1).RE ) = 52,8 mA

Ic = 10,35 mA e Ie = 10,4 mA

VRC = 8,49 V e VRE = 1,04 V

+18 V = VRC + Vce + VRE portanto Vce = 8,47 V

Exercício de polarização PNP (V)
+12 V – 5 V = VRB + Veb

Veb = 0,7 ou Vbe = -0,7 V

VRB = 7 – 0,7 = 6,3 V

Ib = VRB / Rb = 52,5 mA

Ic = b . Ib = 6,3 mA

Ie = Ic + Ib = 6,35 mA

VRC = RC . Ic = 6,3 V

+12 V = VRC + Vec

Vec = 12 – 6,3 = 5,7 V

ou Vce = -5,7 V
Exercício de polarização PNP (VI)
No mesmo circuito, para se ter
um Vce = - 3 V, qual deve ser o
valor da fonte V ligada à base?

Solução:

VRC = 9V  Ic = 9 mA

assim Ib = 75 mA

VRB = 9 V

V = 12 - 0,7 - 9 = + 2,3 V
 Exercício de polarização (VII)
Qual a potência na lâmpada e no
transistor se Vx for + 3 V ?

+3 V = VRB + Vbe

Ib = 2,3 / 200 = 11,5 mA

Ic = b . Ib = 575 mA

VL = RL . Ic = 8,63 V

Supondo a lâmpada ser linear, ou P lamp = 8,63 . 0,575 = 4,96 W

seja: R = V/I e I=P/V

RL = 15 W
Vce = 15 – 8,63 = 6,37 V

P transistor = 6, 37 . 0,575 = 3,66 W

 CHAVEAMENTO:
Transistor Bipolar operando
como uma Chave Eletrônica
 Transistor como Chave Eletrônica
CORTE

• VBE << 0,7 V

• IB = 0
– a “chave” está Desligada

– IC = 0 (mínimo)
– VCE é máximo (=VCC)
 Transistor como Chave Eletrônica
SATURAÇÃO

• VBE  0,7 V
• IB alto
– a “chave” está Ligada
– IC é máximo do circuito (ICSat)
– VCE ≈ 0 (mínimo: ver datasheet)
– IB > ICSat / hFEmin
Exercício: Calcular a faixa da tensão de entrada (Vi)
que faça acionar o chaveamento do LED.
 Exercício: Calcular a faixa da tensão de entrada (Vi)
que faça acionar o chaveamento do LED.

Para CORTAR (desligar o LED):

Ic = 0 e Ib = 0 ∴ VRB = 0
Vbe << 0,7 V
Malha  Vi = VRB + Vbe ∴ Vi << 0,7 V
 Exercício: Calcular a faixa da tensão de entrada (Vi)
que faça acionar o chaveamento do LED.

Para SATURAR (ligar o LED):

Ic = ILED = (5-2-0,4)/330 ∴ Ic = 7,88 mA

Ib > Ic/b = 7,88 mA / 75 ∴ Ib > 105 mA
VRB > 2,3 V e Vbe ≥ 0,7 V
Malha  Vi = VRB + Vbe ∴ Vi ≥ 3 V
EXEMPLOS High (alto) Low (baixo)
Família TTL +5 V (de 2 a 5 V) 0 V (de 0 a 0,8 V)
Família CMOS Até 18 V (de 3 a 18 V) 0 V (de 0 a 1,5 V)
Interface RS 232 De -3 a -15 V De +3 a +15 V
USB (low & full-speed) + 3,3 V (de 2,8 a 3,6 V) 0 V (de 0 a 0,3 V)
USB (high-speed) De 360 a 440 mV De −10 a 10 mV
Exercício: Calcular o resistor RB para chavear o Buzzer.
Exercício: Calcular o resistor RB para chavear o Buzzer.

Do datasheet, IbuzzerMAX = 7 mA

Ib > 7 mA / 110 ∴ Ib > 63,6 mA

RB < (2,4 – 0,7) / 63,6 mA ∴ RB < 26,7 kW (comercial 22 kW)

TIPOS DE CARGAS GERALMENTE CHAVEADAS:
• Resistivas: Lâmpada CC, LEDs, Buzzer, etc
TIPOS DE CARGAS GERALMENTE CHAVEADAS:
• Indutivas: Eletroímãs
TIPOS DE CARGAS GERALMENTE CHAVEADAS:
• Indutivas: Relé
TIPOS DE CARGAS GERALMENTE CHAVEADAS:
• Indutivas: Bobina, Solenoide, Motor CC, etc
Exercício: Calcular a faixa da tensão de entrada (Vi)
que faça acionar o chaveamento do Relé.
Dados do relé: bobina 24 V / 50 mA
Dados do transistor: Silício com b de 125 a 180

* D diodo supressor (Snubber)

 Exercício: Calcular a faixa da tensão de entrada (Vi)
que faça acionar o chaveamento do Relé.
Dados do relé: bobina 24 V / 50 mA
Dados do transistor: Silício com b de 125 a 180

SATURAÇÃO (ligado):
> 11,0 V
Ic = 50 mA

Ii > 470 mA >10,3V Vbe > 0,7 V

Ib > 50 mA / 125
Ib > 400 mA
Ib > 400 mA

Ir > 70 mA
Vbe > 0,7 V
* D diodo supressor (Snubber)
 Exercício: Calcular a faixa da tensão de entrada (Vi)
que faça acionar o chaveamento do Relé.
Dados do relé: bobina 24 V / 50 mA
Dados do transistor: Silício com b de 125 a 180

CORTE (desligado):
< 2,2 V
Ic = 0

Ii < 70 mA <1,5V Vbe < 0,7 V

Ib = 0
Ib = 0

Ir < 70 mA
Vbe < 0,7 V
* D diodo supressor (Snubber)
• Chaveamento de Carga Indutiva (relé, bobina,
solenoide, eletroímã, motor, etc)
• Indutor armazena corrente (campo magnético)
• Constante de tempo: t = L / R
• Quando transistor liga: R é baixa (carga lenta)
• Quando transistor desliga: R é alta (descarga
rápida)
• Variação rápida de corrente (alto di/dt)
• Indutor de opõe gerando: Vfcem = L . di/dt
• Aparece um pico (spike) sobre o transistor que
pode danificá-lo!
Spike
 Circuito Snubber (flywheel)
• Chaveamento de carga indutiva (relé, etc)
• Para a Proteção do Transistor!

• O Snubber cria um caminho alternativo para a

descarga da corrente do Indutor, através de um
Diodo, Resistor, Capacitor, etc

• Quando transistor desliga: Rsnubber é baixa

(descarga mais lenta)
• Vfcem é bem menor!!
Desativação Lenta
Sem Spike
Desativação mais Rápida
Com pequeno Spike
 FIM

• Resolver os exercícios do site!