2 - Circuitos Discretos de Polarização para o BJT

CIRCUITOS DISCRETOS DE
POLARIZAÇÃO PARA TBJ

Professor: Maicon D. Pereira
Departamento de Engenharia Elétrica e de Computação
Universidade Federal da Bahia
(Material original de autoria da Profª Ana Isabela Cunha)
Conteúdo
• Polarização e regimes de operação

• Polarização fixa
• Polarização com resistor de emissor (degeneração de
emissor)
• Polarização coletor-base (autopolarizado)
• Polarização com divisor resistivo e degeneração de
emissor (automática)
• Fatores de Estabilidade da Polarização
2
Polarização
• Polarização: ajustar os níveis de tensão (VBE, VBC, VCE) e

corrente (IE, IB e IC) DC para operação no regime desejado
do transistor. Exemplo: polarizar o transistor na região ativa
com ICQ, VCEQ @ IB2 para a configuração emissor comum.
VCE1
IB VCE2
IC
Região ativa
IB3 VCE3
Saturação (ICQ, VCEQ) @ IB2 (IB2, VBEQ) @ VCEQ
IB2
IB1
IB = -IC0
VCESAT
VCE VBE
corte 3
Polarização
• Exemplos de aplicações e regimes de operação:

• Amplificador  região ativa direta IC pouco
dependente de VCE, ganho aproximadamente constante.
• Fonte de corrente região ativa direta  IO pouco
dependente de VCE, resistência de saída elevada.
• Como chave: chave fechada  saturação 
conduzindo com queda de tensão VCE baixa). Chave
aberta  corte  sem passagem de corrente, IE = 0.
NPN
Modo Junção BE Junção BC Correntes
VC IC
Corte Reversa Reversa IC ≅ I B ≅ I E = 0
IB
Ativa direta Direta Reversa IC = βIB =αIE
VB Saturação Direta Direta IC < βIB
IE Ativa reversa Reversa Direta IC = βRIB
4
Circuitos de polarização
• Circuitos de polarização: permitem o ajuste das tensões e

correntes do transistor. Podem ser compostos por componentes
passivos e ativos, fontes de tensão, fontes de corrente, entre
outros.
• Exemplos:
Polarização Polarização com Polarização Polarização

fixa resistor de emissor coletor-base automática 5
Circuito de polarização fixa
• Configuração emissor comum:

• Referência: emissor (VE).
• Entrada: base (IB, VBE), parâmetro VCE.
• Saída: coletor (IC, VCE), parâmetro IB.
• Análise das possíveis regiões de operação:
• Nunca está em corte (VBE > 0).
• Saturação: VBE > 0 e VBC > 0  VCE < VBE. Na
prática considera-se VCE < 0,2 V pois a
corrente na junção BC é pequena para VCB
pequeno. Exemplo: VBE = 0,7 V, VCE = 0,2 V 
VCB = VCE – VBE = -0,5 V.
• Região ativa direta: VBE > 0 e VCE > 0,2 V.
• Corrente significativa apenas com VBE > 0,7.
6
• Análise do circuito (assumindo operação na região ativa):
Malha de
entrada:
 VCC  RBIB  VBE  0
VCC  VBE Assume-se VBE é

IB  IC   IB relativamente
RB estável (0,6 a 0,7 V)
7
Malha de
entrada:

Malha de
saída:
 VCC  RCIC  VCE  0
VCE> VCESAT  região ativa. Na
VCC  VBE
VCE  VCC  RCIC  VCC  RC prática usa-se VCE>VBE para
RB fazer VBC<0 e evitar a
completamente a saturação.
8
Malha de
entrada:

Malha de
saída:
 VCC  RCIC  VCE  0
VCE> VCESAT  região ativa. Na
VCC  VBE
VCE  VCC  RCIC  VCC  RC prática usa-se VCE>VBE para
RB fazer VBC<0 e evitar a
completamente a saturação.
VCC  VCE Importante: IC é definido

IC  Reta de carga por IB e não pela reta de
RC carga
9
Características de saída em EMISSOR COMUM com
reta de carga
A relação entre as expressões e os limites para os valores dos
parâmetros (VCE, IB, VCC) e componentes (RC e RB) podem ser
explorados usando a reta de carga e as característica de saída:
IC
IB3
VCC/RC
Reta de carga IB2

VCC  VCE Reta de carga:
IC  inclinação -1/RC
RC
IB1
IB = -IC0
VCESAT VCC
VCE
10
Ponto de polarização
Ponto de polarização, ou ponto quiescente Q, é a interseção entre

a reta de carga e a curva para IC correspondente a corrente IB.
IC
VCC/RC
Ponto quiescente
Reta de carga na região ativa
VCC  VCE (VCEQ, ICQ) @ IBQ
IC 
RC VCC  VBE
ICQ IBQ 
RB
VCESAT VCEQ VCC

VCE
11
Variação de IB
Para VDD fixo, IB aumenta
para uma redução em VCC  VBE
RB, podendo levar à IB 
IC RB
região de saturação.
VCC/RC IB4
Q3
Qlim IBlim
Q2 IB3 IBlim é a corrente que define
o limite entre as regiões
Q1 ativa direta e de saturação
IB2
Qlim (IClim,VCESAT).
Q
IB1
VCESAT VCC
VCE
12
Variação de IB
Para garantir operação

na região ativa direta:
IC
IB  IBlim
VCC/RC IB4
Q3 IBlim  IC / 
Qlim IBlim VCC  VBE
Q2
IB 
IB3 RB
Q1
IB2 VCC  VBE VCC  VCESAT
Q 
IB1 RB  RC
VCESAT VCC VCC  VBE
VCE RB   RC
VCC  VCESAT
13
Variação de RC
RC1 < RC2 < RC3

IC Para VDD fixo, quanto menor RC,
maior a inclinação (-1/RC) 
-1/RC1 Transistor tende à região ativa
VCC/RC2
direta  pontos Q1, Q2 e Q3.
-1/RC2
Q2 Q3
VCC/RC3 Q1 IBQ
-1/RC3
VCESAT VCC VCE
14
Variação de RC
RC1 < RC2 < RC3 Na região ativa direta (pontos

Q2 e Q3), como IC = βIB, RC tem
IC
pouco controle sobre a
corrente IC  IC@Q2 ~ IC@Q3 
VCC/RC2 -1/RC1 IC controla VCE.
VCC  VBE
IC   IB  
-1/RC2 RB
Q2 Q3
IBQ
VCE  VCC  RCIC
VCC/RC3 Q1
-1/RC3
VCESAT VCC VCE
15
Variação de VCC
VCC3 > VCC2 > VCC1
Para RC fixo, quanto maior VCC,

IC VCESAT maior VCE  Transistor tende à
VCC3/RC região ativa direta.

VCC2/RC VCC tem pouco controle sobre
a corrente IC.
VCC1/RC Q2 Q3
Q1 IBQ
-1/RC -1/RC -1/RC
VCC1 VCC2 VCC3

VCE
16
Instabilidade da polarização fixa
VCC  VBE
• IC Na região ativa: IC   IB  (  1)IC 0 IB 
RB
• IC0 e β variam com a temperatura ou com o transistor.
• IB varia com VBE e incerteza em VBE torna-se mais crítica
para VCC baixo.
IC
VCC/RC Curvas de IC x VCE
dependem do transistor,
e da temperatura e de IB.
Q2 IB2, T2 T2 > T1
Q1
IB1, T1
VCESAT VCC VCE
• Alternativa: variar IB para compensar demais variações, 17

minimizando variações em IC.
Exemplo 1
Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

que VCC = 12 V, RC = 2 kΩ, RB = 250 kΩ, β= 200, IC0 é desprezível, VBE
= 0,6 na região ativa direta, VCEsat = 0,2 V e VBE = 0,8 V na região de
saturação.
Supondo que o transistor está

na região ativa:

VCC  VBE
IB   45,6 uA
RB
18
Exemplo 1

saturação.

na região ativa:

VCC  VBE
IB   45,6 uA
RB
IC   IB  (  1)IC 0   IB  9,12 mA
19
Exemplo 1

saturação.

na região ativa:

VCC  VBE
IB   45,6 uA
RB
IC   IB  (  1)IC 0   IB  9,12 mA
VCE  VCC  RCIC  6, 24 V
Menor que VCEsat  transistor
está em saturação. 20
Exemplo 1

saturação.
Para o transistor na
região de saturação:
VCC  VBEsat
IB   44, 8 uA
RB
21
Exemplo 1

saturação.
Para o transistor na
região de saturação:
VCC  VBEsat
IB   44, 8 uA
RB
Se IB > IBlim, então transistor está de fato em saturação.
No limite entre saturação e região ativa direta:
VCC  VCEsat
VCE  VCEsat  IC lim   5,9 mA
RC
IC lim
IB lim  22

Exemplo 1

saturação.
No limite entre saturação e

região ativa direta:
IC lim 5,9.10 3
IB lim    29, 5 uA
 200
IB  44,8 uA  IB lim  29, 5 uA
Transistor está em
saturação.
Ic lim
Importante: na saturação β  131.7   forçado  
diminui e deve-se usar βforçado. IB 23
Resumo: Procedimento para verificação
do ponto de operação DC
1. Assuma que o transistor está operado na região ativa.

2. Determine as tensões e correntes nos terminais do
transistor e verifique a consistência com o modo de
operação assumido, ou seja, que VCE > VCEsat.
3. Se houver inconsistência, assuma a operação na região
de saturação.
4. Determine as tensões e correntes e verifique a
consistência com a operação em saturação, ou seja,
verificar se IB > IBlim ou que a razão IC/IB é menor que o β.
A ordem da aplicação dos testes pode ser invertida: primeiro
assume-se saturação, seguida da região ativa direta, caso
necessário.
24
Exemplo 2
Dimensionar RB e RC no circuito a seguir para que o BJT PNP opere

com VEC = 5 V e IC = 2 mA. Adote: VCC = 10 V, β = 150, IC0 = 0,5 uA,
VEB = 0,6 V (para a região ativa direta) e VECsat = 0,2 V.
VEC = 5V > VECsat  região ativa
Malha de saída:
VCC  VEC  RCIC

VCC  VEC
RC   2, 5 k
IC
25
Exemplo 2

Malha de entrada:
VCC  VEB  RBIB

VCC  VEB
RB 
IB
26
Exemplo 2

Malha de entrada:
VCC  VEB  RBIB

VCC  VEB
RB 
IB
IC  (  1)IC 0
IC   IB  (  1)IC 0  IB   12,83 uA

RB  733 k 27
Exemplo 3
Calcular o valor máximo de RB para o BJT operar em saturação no

circuito a seguir, onde VCC = 12 V, RC = 10 kΩ, β = 100, IC0 é
desprezível, VBEsat = 0,8 V e VCEsat = 0,2 V.
No limite entre saturação e

região ativa direta:
IB  IBlim  IC lim / 
VCC  VBEsat VCC  VCESAT


RB  RC
VCC  VBEsat
RB   RC  949 k
VCC  VCESAT
28
Exemplo 4
Calcular a corrente IC pelo método iterativo para o circuito com

polarização fixa a seguir, onde VCC = 2,5 V, RC = 1 kΩ, RB = 100 kΩ
β = 100, IS = 10-17 A, = 1, 𝒕 = 29 mV, VCESAT = 0,2 V e IC0 é
desprezível. Verifique se o dispositivo opera na região ativa.
Vamos assumir inicialmente operação

na região ativa e VBE = 0,8 V.
IC   IB
VCC  VBE
IB   17 uA IC  1,7 mA
RB
Arbitramos VBE, então como saber se este é o
valor correto de IC?
Podemos recalcular VBE a partir de IC = 1,7 mA:
VBE
IC  Ise  t
 IC0 VBE  852 mV 29
Exemplo 4

Iterativamente, recalculamos IC para a

nova tensão VBE = 852 mV:
IC   IB
VCC  VBE
IB   16, 5 uA IC  1,65 mA
RB
Novo cálculo VBE para IC = 1,65 mA:
VBE
Variação muito pequena
IC  Ise  t
 IC0 VBE  851 mV em VBE comparada com o
valor anterior  fim dos
cálculos. 30
Exemplo 4

Verificação da região de operação:

VCE > VCESAT.
VCE  VCC  ICRC  0, 85 V
VCE > VCESAT  região

ativa
31
Circuito de polarização com resistor de
emissor
• O Efeito do acréscimo de RE:

1 - A queda de tensão em RE é comum à entrada e
à saída.
Malha de entrada: VCC  RBIB  VBE  REIE
Malha de saída: VCC  RCIC  VCE  REIE
2 - Se IC aumentar (devido a β ou IC0, por exemplo),
a tensão IERE tende a aumentar, afetando a entrada.
3 - Com VCC e VBE aproximadamente constantes, a
tensão RBIB obrigatoriamente diminui  IB diminui.
4 - Porém, se IB diminuir, IC e IE devem diminuir: IC ≈
βIB e IE = IC+IB.
5 - Assim, RE funciona como uma realimentação
negativa: variações na saída (IC) são compensadas
pela entrada do circuito (IB). 32
emissor
Análise do circuito (na região ativa):

IE  IC  IB  VCC  RBIB  VBE  RE ( IB  IB )

IC   IB  VCC  VBE
IB 
RB  RE (  1)
33
emissor
Análise do circuito (na região ativa):

IE  IC  IB  VCC  RBIB  VBE  RE ( IB  IB )

IC   IB  VCC  VBE
IB 
RB  RE (  1)
Malha de saída: VCC  RCIC  VCE  REIE
 (  1) 
VCE  VCC  RC  RE  IC
  
34
Polarização coletor-base
• O Efeito da conexão coletor-base:

1 - A tensão e a corrente de base são fornecidas
pelo coletor.
2 - Circuito está sempre operando na região ativa
porque a tensão de base é sempre menor do que
a tensão de coletor (VB = VC - RBIB).
3 - Se IC aumentar (devido β ou IC0, por exemplo),
a tensão RCIC tende a aumentar, afetando a
entrada.
Malha de entrada: VCC  RC (IC  IB )  RBIB  VBE
4 - Com VCC e VBE aproximadamente constantes, a
tensão (RC + RB)IB obrigatoriamente diminui  IB
diminui.
5 - Assim, RB funciona como uma realimentação
negativa: variações na saída (IC) são
compensadas pela entrada do circuito (IB). 35
• Análise:
Malha de entrada:
VCC  RC (IC  IB )  RBIB  VBE

VCC  VBE
IC   IB IB 
RC (  1)  RB
VCC  VBE
IC 
(  1) RB
RC 
 
36
• Análise:
Malha de entrada:
VCC  RC (IC  IB )  RBIB  VBE

VCC  VBE
IC   IB IB 
RC (  1)  RB
VCC  VBE
IC 
(  1) RB
RC 
 
Malha de saída:
VCC  RC (IC  IB )  VCE
(  1)
 37
Procedimento de projeto:
• VCC – VBE deve ser muito maior que
variações em VBE para IC variar pouco.
• Para β elevado, a partir do valor definido
para IC, escolher RB = βRC/10, ou seja RC
>> RB/β. Assim:
VBE   t ln  IC / IS 
VCC  VBE V  VBE V  VBE

IC   CC  RC  CC
(  1) RB 1,1RC 1,1IC
RC 
 
38
Exemplo 5
Projetar um estágio NPN com polarização coletor-base

para IC = 2 m A, IS = 5.10-16 A, VCESAT = 0,2 V, t = 26 mV, β =
100 e VCC = 1,8 V.
VBE   t ln  IC / IS   754 mV
VCC  VBE
RC   475 
1,1IC
RC
RB    4.75 k
10
(  1) VCE > VCESAT 
VCE  VCC  RCIC  0,84 V
 Transistor operando na
região ativa. 39
Polarização com divisor resistivo
• Circuito utiliza divisor resistivo para fixar VBE e reduzir

dependência com o β para valores pequenos de IB (IB <<
IRB1): VBE será definida apenas pelo divisor resistivo  IC,
dependerá apenas desse divisor.
Na polarização fixa:
IC   IB
IC
VBE  VCC  RB
IRB1 VCC  VBE 
IB 
RB
Na polarização com divisor resistivo
RB2 VCC
VBE 
RB1  RB2
 RB 2 VCC 
 
 RB1 RB 2  t 
IC  ISe 40
• Para analisar o circuito, deve-se calcular o equivalente

Thévenin da rede de resistores conectada à base.
Equivalente
IRB1 Thévenin
41
• Equivalente Thévenin da rede de resistores conectada à

base.
RTH  Resistência de
curto-circuito:
RB1RB2
R TH 
RB1  RB2
VTH  Tensão de circuito

aberto:
RB2 VCC
VTH 
RB1  RB2
42
• Análise do circuito equivalente:

Malha de entrada:
VTH  R THIB  VBE
VTH  VBE
IB 
R TH
 VTH  IBR TH   VTH 

   
t IBR TH  VTH  t 
IC  ISe  
  IC  ISe
43
• Análise do circuito equivalente:

Malha de entrada:
VTH  R THIB  VBE
VTH  VBE
IB 
R TH
 VTH  IBR TH   VTH 

   
t IBR TH  VTH  t 
IC  ISe  
  IC  ISe
Malha de saída:
VCC  RCIC  VCE Variações nos elementos de RTH
ou VCC ainda causam grande
variação em IC.
VCE  VCC  RCIC 44
Polarização com divisor resistivo e
degeneração de emissor (Automática)
• Circuito adiciona o resistor de emissor para reduzir a

sensibilidade com VBE, mantendo a baixa sensibilidade com
o β.
• Variações em VB devido à vin ou a erros RB1, RB2 ou VCC são
parcialmente absorvidos por VRE.
45
degeneração de emissor
• Análise do circuito equivalente, já aplicado o equivalente

Thévenin: RB1RB2 RB2 VCC
R TH  VTH 
RB1  RB2 RB1  RB2
Malha de entrada:
VTH  R THIB  VBE  REIE

VTH  VBE
IB 
R TH  (  1)RE
46
• Análise do circuito equivalente, já aplicado o equivalente

Thévenin: RB1RB2 RB2 VCC
R TH  VTH 
RB1  RB2 RB1  RB2
Malha de entrada:

VTH  VBE
IB 
R TH  (  1)RE
Malha de saída:
VCC  RCIC  VCE  REIE

 (  1) 
VCE  VCC  RC  RE  IC
   47
Análise do circuito equivalente:

1 - IC praticamente independente de β:
VTH  VBE  RE RTH VTH  VBE
IB    IB 
R TH  (  1)RE  RE
VTH  VBE
IC   IB 
RE
VCE  VCC  RC  RE  IC
2 - Queda de tensão em RE é comum à entrada e à
saída  Realimentação negativa acontece.

48
Procedimento de projeto:
• Definir corrente IC de acordo com aplicação.
• Escolher VRE = IC.RE de acordo com variações em
VB (devido RB1, RB2) e VBE, por exemplo, 100~200
mV.
• Calcular VB = VBE + ICRE, com VBE = tln(IC/IS).
• Escolher RB1 e RB2 para obter VB e garantir IRB1 >>
IB.
• Escolher RC para manter o transistor na região
ativa direta.
49
Exemplo 5
Analise o circuito abaixo para RB1 = 100 kΩ, RB2 = 50 kΩ, RC =

5 kΩ, RE = 50 kΩ, VCC = 15 V e assumindo β = 100 e VBE = 0,7
V.
50
Exemplo 5

V.
1 – Simplificação do circuito.
RB1RB2
R TH   33, 3 k
RB1  RB2
RB2 VCC
VTH  5V
RB1  RB2
51
Exemplo 5

V.
2 – Cálculo das correntes
52
Exemplo 5

V.

Assumindo
modo ativo IE  (  1)IB
VTH  VBE
IB   12, 8 uA
R TH  (  1)RE
53
Exemplo 5

V.
IE  (  1)IB
VTH  VBE
IB   12, 8 uA
R TH  (  1)RE
IE  (  1)IB  1, 29 mA IC   IB  1, 28 mA
54
Exemplo 5

V.
3 – Cálculo das tensões
VE  REIE  3,87 V
VB  VBE  REIE  4, 57 V
VC  VCC  RCIC  8,6 V
A tensão do coletor é maior do que a

tensão da base, portanto o transistor
operação na região ativa.
55
Fatores de Estabilidade da Polarização
• A estabilidade de um sistema é uma medida da sensibilidade

do sistema à variações em seus parâmetros.
• Fatores de estabilidade (S) são figuras de mérito utilizadas

para quantificar o grau de estabilidade do ponto de
polarização no circuito (VCE, IC).
• A corrente IC depende dos seguintes parâmetros, que variam

com T ou ao trocar o dispositivo:
IC  f(,IC 0 ,VBE )
56
Definição dos fatores de estabilidade
IC IC IC

S    S  IC0   S  VBE  
 Q
IC0 Q
VBE Q
• São calculados a partir das equações de análise dos

circuitos.
• Dependem da topologia e dos valores das resistências.
• Quanto menor S, maior a estabilidade.
57
Sensibilidade: circuito de polarização fixa

VCC  VBE
IC   IB  (  1)IC 0 IB 
RB
VCC  VBE
IC    (  1)IC 0
RB
 V  VBE 
   CC  (  1)IC 0 
IC  RB   VCC  VBE  I  IC
S     B
 Q
 RB 
IC
S  IC0    1
IC0 Q
IC 
S  VBE   
VBE Q
RB 58
Expressões dos fatores de estabilidade
Topologia S() S(IC0) S(VBE)
Polarização
Fixa
Polarização
Coletor-Base
Polarização
com RE
Polarização
Automática
Para a polarização automática, RB é a associação em paralelo

59
de duas resistências RB1 e RB2.
Polarização
Fixa
Polarização
Coletor-Base
Polarização
com RE
Polarização
Automática
S() e S(IC0) decrescem de polarização fixa para coletor-base

(ou com RE) e desta para polarização automática. 60
Polarização
Fixa
Polarização
Coletor-Base
Polarização
com RE
Polarização
Automática
S(VBE) é negativo para todas as topologias e decresce em direção à

polarização fixa. Porém, VBE varia pouco com T ou entre dispositivos 61
S() e S(IC0) são mais importantes.
Polarização
Fixa
Polarização
Coletor-Base
Polarização
com RE
Polarização
Automática
β é o parâmetro que mais varia, mas S() = S(IC0).IC/[( + 1)]. Como S(IC0)
não depende diretamente de IC, é usado como especificação de projeto.
62
Sensibilidade total
Diferencial total para IC:
dIC  S( )d  S(IC 0 )dIC0  S(VBE )dVBE
Aproximação:
IC  S( )  S(IC 0 )IC0  S(VBE )VBE
Exemplo para a polarização fixa:

IC 
IC    (  1) IC0   VBE
 RB
63
Exemplo 6
Dimensionar os resistores RC, RB1, RB2 e RE num circuito de

polarização automática para que o ponto de polarização
seja IC = 2 mA, VCE = 5 V, para que S(IC0) seja inferior a 15 e
para que RE < RC/2. Admitir: β = 200, IC0 desprezível, VBE = 0,65
V na região ativa e VCC = 10 V.
64
Exemplo 6

1
 S  IC0 máx RB  S  IC0 máx
 RE   1  15,13
1
RE  RB RE   1  S  IC0 máx
65
Exemplo 6

1
 S  IC0 máx RB  S  IC0 máx
 RE   1  15,13
1
RE  RB RE   1  S  IC0 máx
VCE  VCC  RC  RE  IC RC  1,66 k

RE < RC/2 RE  833,33 
RB  R TH  12, 5 k
RB < 15,13RE
66
Exemplo 6

VTH  VBE RB1  53,88 k

IC  VTH  2, 32 V
RE RB2  16, 28 k
67
Referências e leituras recomendadas
• Seções 4.1-4.10, 4.18, Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos”, Robert Boylestad & Louis Nashelsky. Prentice-
Hall doBrasil.
• Seção 5.2, Razavi, Behzad. Fundamentos de
microeletrônica. LTC, 2010.
• “Microeletrônica”, Adel SEDRA & Kenneth SMITH. Prentice
Hall (Pearson).
68

2 - Circuitos Discretos de Polarização para o BJT

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2 - Circuitos Discretos de Polarização para o BJT

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CIRCUITOS DISCRETOS DE

POLARIZAÇÃO PARA TBJ

• Polarização e regimes de operação

• Polarização: ajustar os níveis de tensão (VBE, VBC, VCE) e

• Exemplos de aplicações e regimes de operação:

• Circuitos de polarização: permitem o ajuste das tensões e

Polarização Polarização com Polarização Polarização

• Configuração emissor comum:

• Análise do circuito (assumindo operação na região ativa):

VCC  VBE Assume-se VBE é

• Análise do circuito (assumindo operação na região ativa):

VCC  VBE Assume-se VBE é

• Análise do circuito (assumindo operação na região ativa):

VCC  VBE Assume-se VBE é

VCC  VCE Importante: IC é definido

Reta de carga IB2

Ponto de polarização, ou ponto quiescente Q, é a interseção entre

VCESAT VCEQ VCC

Para garantir operação

RC1 < RC2 < RC3

VCESAT VCC VCE

RC1 < RC2 < RC3 Na região ativa direta (pontos

VCESAT VCC VCE

Para RC fixo, quanto maior VCC,

VCE  VCC  RCIC

VCC1 VCC2 VCC3

VCESAT VCC VCE

• Alternativa: variar IB para compensar demais variações, 17

Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

Supondo que o transistor está

 VCC  RBIB  VBE  0

Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

Supondo que o transistor está

 VCC  RBIB  VBE  0

Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

Supondo que o transistor está

 VCC  RBIB  VBE  0

Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

Verificar o ponto de operação do BJT no circuito a seguir sabendo

No limite entre saturação e

1. Assuma que o transistor está operado na região ativa.

Dimensionar RB e RC no circuito a seguir para que o BJT PNP opere

VEC = 5V > VECsat  região ativa

VCC  VEC  RCIC

Dimensionar RB e RC no circuito a seguir para que o BJT PNP opere

VEC = 5V > VECsat  região ativa

VCC  VEB  RBIB

Dimensionar RB e RC no circuito a seguir para que o BJT PNP opere

VEC = 5V > VECsat  região ativa

VCC  VEB  RBIB

Calcular o valor máximo de RB para o BJT operar em saturação no

No limite entre saturação e

VCC  VBEsat VCC  VCESAT

Calcular a corrente IC pelo método iterativo para o circuito com

Vamos assumir inicialmente operação

Calcular a corrente IC pelo método iterativo para o circuito com

Iterativamente, recalculamos IC para a

Novo cálculo VBE para IC = 1,65 mA:

Calcular a corrente IC pelo método iterativo para o circuito com

Verificação da região de operação:

VCE  VCC  ICRC  0, 85 V