Capítulo 1

Amplificadores de Potência

1.1 INTRODUÇÃO

Neste capítulo, serão tratados alguns dos problemas mais importantes relativos aos
amplificadores capazes de fornecer potências elevadas. Prestar-se-à especial atenção, à
eficiência na conversão de energia das fontes de tensão DC para o sinal na carga e ao
problema da distorção harmónica.
Os amplificadores de potência são classificados de acordo com o intervalo do período
da onda sinusoidal à entrada, durante o qual circula corrente na carga.
Um amplificador diz-se de classe A quando a corrente circula no circuito de saída
durante um período completo (360º), figura 1.1.

iC

IC

0 t

Fig. 1.1 – Corrente no circuito de saída dum amplificador de classe A.

Num amplificador de classe B a corrente só circula durante meio período (180º), figura
1.2. Neste caso, o ponto de funcionamento em repouso está situado num extremo das
características de saída, pelo que a potência correspondente é muito pequena.
No caso dum amplificador de classe AB, a corrente circula durante mais de meio
período, mas sem chegar a um período completo, figura 1.3.

1
 iC

IC
t

Fig. 1.2 – Corrente no circuito de saída dum amplificador de classe B.

iC

IC

0
t

Fig. 1.3 – Corrente no circuito de saída dum amplificador de classe AB.

Finalmente, num amplificador de classe C a corrente circula no circuito de saída

durante menos de meio período, figura 1.4.

iC

t
0

Fig. 1.4 – Corrente no circuito de saída dum amplificador de classe C.

À primeira vista, pode parecer que só com um amplificador de classe A se poderá obter
uma amplificação sem distorção do sinal de entrada. Veremos porém, que utilizando
montagens do tipo “push-pull” o mesmo se passa com os amplificadores das classes B e AB.
Os amplificadores de classe C, são utilizados em situações nas quais o uso de circuitos
sintonizados permite eliminar a distorção resultante do funcionamento não linear do circuito.

2
1.2 DISTORÇÃO HARMÓNICA

Nos circuitos tratados até ao presente, considerou-se sempre que o funcionamento era
de pequenos sinais e em classe A. Nessas situações, o problema da linearidade não se
colocava. Por outro lado, dadas as baixas potências em jogo, o balanço energético não era
importante. No presente caso, por termos grandes excursões ao longo das rectas de carga e
elevadas potências em jogo, torna-se obrigatório considerar estes dois problemas.
Comecemos por considerar o circuito da Fig. 1.5. Trata-se duma montagem de emissor
comum em que a carga é RL.

VCC

RL VL
C iB IC
VCE

+ RB
Vi
-
VBB

Fig. 1.5 – Amplificador de emissor comum.

Consideremos que o transístor opera em classe A e comecemos por admitir que as

características de saída iC(VCE) são equidistantes para iguais incrementos da corrente de base.
Nestas condições, se a corrente de base for sinusoidal, também o serão a corrente no colector
e a tensão colector-emissor, como indicado na Fig. 1.6.
iC iC
Imax Imax IB1
IC IB2
t
Imin Imin IB3
vCE
Vmin VCE Vmax VCC
vCE

t
Fig. 1.6 – Características de saída e formas de onda de corrente e da tensão do circuito da Fig. 1.5.

3
 Sendo assim, a potência activa na carga devida ao sinal, PL, igual ao valor médio da
potência instantânea (excluindo o termo devido à polarização) virá:

T
1
PL = (v L i C )av = ò v L (t )i C (t )dt = VL ef I C ef cos j (1.1)
T
0

onde T representa o período, VL o valor eficaz da componente alternada da tensão na carga

ef

v L (t ), I C ef o valor eficaz da componente alternada da corrente na carga iC(t) e j o

desfasamento entre vL(t) e iC(t).

Estando vCE(t) em oposição de fase com iC(t) (ver Fig. 1.6) e sendo vL(t) = - vCE(t), iC(t)
e vL(t) estarão em fase e portanto cos j = 1. Então

PL = I C ef VL ef (1.2)

Sendo i C = I C
max
cos wt e v L = VL max cos wt , como ICmax = 2 ICef e VLmax = 2 VLef

podemos reescrever (1.2):

I C max VL max VL2 2

IC RL
max max
PL = I C ef VL ef = = = (1.3)
2 2RL 2

Admitamos agora, que as características de saída iC(vCE) não são equidistantes para
iguais incrementos da corrente de base ib. Esta, será a situação que geralmente se verifica e
não a poderemos ignorar quando se tratar de sinais com grandes excursões ao longo da recta
de carga.
Neste caso, em vez duma relação linear entre iC e ib (iC = k ib), teremos, considerando
uma aproximação polinomial para a relação de transferência,

i C = k1i b + k 2 i 2b + k 3i 3b + k 4 i 4b + ! (1.4)

onde k1 ! k n representam constantes.

Sendo a entrada sinusoidal

i b = I b max cos wt (1.5)

a corrente iC virá:

i C = k1I b max cos wt + k 2 I 2b cos 2 wt + k 3 I 3b cos 3 wt + ! (1.6)

max max

4
 Considerando que 2 cos a cos b = cos(a + b ) + cos(a - b ) , é fácil de demonstrar que a
expressão da corrente instantânea total iCt é

i Ct = I C + A 0 + A1 cos wt + A 2 cos 2wt + A 3 cos 3wt + ! (1.7)

em que IC é o termo devido à polarização e os coeficientes A 0 ! A n são constantes

calculadas a partir de k1 ! k n e I b .
max

Temos então, uma distorção do sinal de saída que deixou de ser sinusoidal como a
entrada, para passar a apresentar além dum termo da mesma frequência do sinal de entrada,
um número infinito de harmónicas e ainda um termo constante A0 a somar ao termo de
polarização.
Ao quociente entre os módulos das amplitudes das harmónicas de ordem i e de ordem 1,
chamamos distorção da harmónica de ordem i. Usualmente expressa-se em percentagem:

Ai
di = ´ 100% (1.8)
A1

A potência activa total na carga, excluindo o termo devido à componente contínua virá:

(
PL = A12 + A 22 + A 32 + ! )R2L (1.9)

A potência activa na carga devida à componente fundamental é:

A12 R L
PL1 = (1.10)
2
Substituindo (1.10) em (1.9) obtemos

(
PL = 1 + d 22 + d 32 + ! PL1 ) (1.11)

em que d 2 ! d n são os factores de distorção de cada uma das harmónicas.

Chamando d à distorção harmónica total, ou factor de distorção, dado por

d = d 22 + d 32 ! (1.12)
a equação (1.11) vem então:

(
PL = 1 + d 2 PL1 ) (1.13)

5
 No caso de termos uma distorção harmónica total de 20%, a potência activa na carga
devida às componentes alternadas virá:

PL = é1 + ( 0, 2 ) ù PL1 = 1, 04PL1
2
(1.14)
ë û
ou seja, apesar de existir uma distorção harmónica total de 20%, temos somente um aumento
de 4% na potência em jogo na carga, relativamente ao valor correspondente ao termo
fundamental.

1.3 AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA DE EMISSOR COMUM

CLASSE A

Consideremos novamente o circuito da Fig. 1.5, agora em regime sinusoidal e

admitindo a distorção desprezável (acabamos de verificar que em termos do cálculo das
potências na carga os resultados pouco diferem dos que se obtêm considerando unicamente o
termo fundamental).
A potência activa na carga, será tanto maior quanto maior for a amplitude da tensão na
carga, ver eq. (1.3). Esta situação ocorre quando o ponto de funcionamento em repouso (PFR)
estiver a meio da recta de carga. Ou seja, na Fig. 1.6, quando VCE = VCC 2 (desprezando

VCE de saturação).
Sendo VL
max
= VCC 2 , e a potência activa máxima na carga será (1.3):

2
æ VCC ö
ç ÷
VL2max è 2 ø 2
VCC
PL = = = (1.15)
2RL 2RL 8RL
A potência activa fornecida pela fonte de alimentação será:

T T
1 1
PCC =
T0ò VCC iCt dt =
T ò VCC [ IC + iC (t)] dt = VCC IC (1.16)
0

Como IC foi escolhido a meio da recta de carga para que a potência activa na carga seja
máxima, teremos

VCC
IC = (1.17)
2RL

6
pelo que

2
VCC
PCC = (1.18)
2RL

A potência activa posta em jogo no transistor será igual à diferença entre a fornecida
pela fonte e a que é posta em jogo na carga, sendo necessário incluir nesta o termo devido à
componente contínua de corrente. Virá então:

PT = PCC - PL = PCC - PLac - PLDC =

2
VCC
-
VL2max
-
( )
VCC 2
2
(1.19)
2 RL 2 RL RL

A Figura 1.7 representa as variações das potências activas nos elementos do circuito da
Fig. 1.5, em função do valor máximo da tensão sinusoidal na carga.
P
1
PCC

0,75
PL
0,5
PLdc
PT
0,25

PLac
0
0 0,125 0,25 0,375 0,5

Fig. 1.7 –Potência fornecida pela fonte, PCC, posta em jogo no transistor, PT, na carga em a.c., PLac,
na carga em d.c., PLdc, (a tracejado) e total na carga PL, no amplificador da Fig. 1.5.

Como se pode verificar, a potência posta em jogo no transistor é máxima em repouso.

Vê-se também, que no ponto mais favorável em termos energéticos, a potência na carga
devida à componente alternada, é apenas ¼ da fornecida pela fonte de alimentação.
Ao quociente entre a potência na carga devida ao termo alternado e à potência fornecida
pela fonte de alimentação, chamamos rendimento, h, do amplificador.
No presente caso teremos:

VL2max
2RL VL2max
h= 2
´ 100% = 2
´ 100% (1.20)
VCC VCC
2RL

7
 Como já foi dito, o rendimento máximo no presente caso, será conseguido quando
VLmax = VCC 2 e será portanto

h=
( ) VCC 2
2
´ 100% = 25% (1.21)
2
VCC

O estudo que fizemos, revela que este amplificador de classe A é um amplificador de

potência pouco eficaz. Se se tratasse do andar de saída dum sistema de alta fidelidade, que
entregasse 20 W por canal, teríamos de fornecer ao andar de saída uma potência de 80 W o
que corresponderia a um desperdício de energia 3 vezes superior à dissipada na carga.
É possível construir amplificadores em classe A capazes de conseguir melhor
rendimento do que a montagem estudada. O rendimento máximo será, no entanto, de 50%. É
o caso da montagem da Fig. 1.8.
O circuito é projectado de forma a que os condensadores se comportem como curto-
circuitos e a bobina como circuito aberto para as frequências do sinal de entrada. Para a
componente contínua, os condensadores comportam-se como circuitos abertos e a bobina
como um curto-circuito.

VCC

IC iL
CC

RB RL VL
ii RE CE
VB

Fig.1.8 – Amplificador de classe A com acoplamento indutivo a VCC.

A equação para a recta de carga de corrente contínua é:

VCC = VCE + I C RE (1.22)

A resistência de emissor, RE, mantém-se o mais pequena possível, para minimizar as

perdas de potência no circuito de polarização, mas suficientemente grande para garantir a

8
estabilidade do PFR, o que se consegue desde que R e >> (1 - a ) R B .

Para a recta de carga em corrente alternada temos

v L = vCE = -iCt R L = i L R L (1.23)

Reescrevendo (1.23), decompondo VCE e iCT nas suas componentes contínuas (VCE e IC)
e alternadas (vCE e iC):

v CE + VCE
iC + IC = - (1.24)
RL

Para determinar o PFR temos que calcular a intersecção da equação

VCE
IC = (1.25)
RL

com a recta da carga da corrente contínua (1.22), no entanto, como já dissemos o valor da
resistência RE é pequeno, pelo que, a inclinação da recta de carga de c.c. é praticamente
infinita e portanto VCE @ VCC . Sendo assim de (1.25) tiramos que

VCC
IC = (1.26)
RL

iC

recta de carga de c.c.

(inclinação

recta de carga de c.a.

(inclinação

vCE
0 VCC @2VCC

Fig.1.9 – Rectas de carga do circuito da Fig. 1.8.

Para termos a máxima excursão simétrica, este PFR deve situar-se a meio da recta de
carga de c.a.. Nesta situação, como se pode ver na Fig. 1.9, a excursão da corrente do colector
vai de 0 a 2IC quando VCE varia de 2VCC a 0. Isto desprezando a tensão de saturação VCE,sat.

9
 É de salientar, que neste caso a tensão entre colector e emissor pode ser o dobro da
tensão de alimentação.
A potência activa fornecida à carga, será máxima na situação de máxima excursão
VCC
simétrica, em que como vimos I L = IC = × A potência activa virá então
max
RL

PL = I 2Lef
æ IL
R L = çç max
ö
2
÷ RL =
( )
VCC 2
RL
RL =
2
VCC
(1.27)
÷ 2 2RL
è 2 ø
Como a potência fornecida pela fonte de alimentação é:

2
VCC
PCC = VCC I C = (1.28)
RL

Teremos um rendimento máximo de

2
VCC
PC 2RL
h= ´ 100% = 2
´ 100% = 50% (1.29)
PCC VCC
RL

P
PCC
0,5

PT

0,25

PL

0
0 0,125 0,25 0,375
V0,5
CC
0,625

Fig.1.10 – Variações das potências com a tensão de carga no circuito da Fig. 1.8.

1.4 AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA DE CLASSE B E AB

Como acabamos de verificar, o rendimento máximo nos amplificadores de classe A é de

50%. Esta situação corresponde às montagens com acoplamento indutivo, para as quais se
colocam problemas em termos da resposta em frequência. De facto, à medida que a

10
frequência sobe, o circuito equivalente da bobina deve incluir um condensador em paralelo
para dar conta dos efeitos capacitivos entre espiras, cada vez mais importantes. Nas aplicações
em que as frequências de interesse façam surgir estes problemas, estaremos limitados a
rendimentos máximos de 25% no caso dos amplificadores de classe A.
Veremos em seguida que a utilização de amplificadores de classe B, em que o PFR está
situado num extremo das características, faz aumentar o rendimento até ao valor máximo de
78,5%, correspondendo portanto a uma muito maior eficiência na conversão da energia do
que os amplificadores de classe A.
Como foi dito na introdução, num amplificador de classe B a corrente só circula durante
meio período. Estando interessados em aplicações que requerem a condução durante todo o
período, torna-se necessário utilizar dois amplificadores de classe B, um que conduz durante o
meio período positivo e o outro durante o negativo. A Fig. 1.11 apresenta um diagrama de
blocos que ilustra a ideia exposta. Cada um dos amplificadores, Ap e An, amplifica somente
meio ciclo de onda. As saídas dos dois amplificadores são somadas para obter a tensão de
saída, uma sinusóide completa. Para evitar a distorção, os dois amplificadores devem ter
exactamente o mesmo ganho. Caso contrário, as amplitudes das metades positiva e negativa
serão diferentes.

VL
AP

+
Vi
AN VL RL

Fig.1.11 – Princípio de funcionamento dum amplificador de classe B.

Na Fig. 1.12 apresenta-se o esquema eléctrico dum amplificador “push-pull” (também

designado por vaivém) classe B que utiliza um transistor pnp e outro npn. Este tipo de
amplificador, utiliza a simetria complementar. O seu funcionamento explica-se com auxílio
das formas de onda desenhadas na figura.
Os dois transistores estão polarizados na região de corte, IB = 0. T1, o transistor npn,
funciona como seguidor de emissor durante o meio período positivo da corrente de base.

11
Neste intervalo de tempo T2, o transistor pnp, está no corte. Quando a corrente da entrada é
negativa, é T2 quem conduz, estando T1 ao corte. A corrente total na carga é

i L @ iC1 + iC2 (1.30)

IB1 ic1

t
t +VCC
Vi IC1
Cc1 IB1
T1 (npn) i LiL@=iiC1
c1+i
+c2iC2
t R IE1
t
iL
R IE2
Cc2 RL
Vi ~ T2 (pnp)
ic2
IB2 IB2 IC2
t t+T/2 -VCC t t+T/2

Fig.1.12 – Montagem “push-pull” em classe B de simetria complementar.

Como os dois transistores funcionam simetricamente, cada um durante metade do

tempo, basta estudar o funcionamento de um dos transistores. A Fig. 1.13 apresenta a recta de
carga para o transistor T1.

IC1

VCC 2VCC VCE1

Fig.1.13 – Recta de carga para o transistor T1 da Fig. 1.12.

Quando T1 conduz, a recta de carga tem uma inclinação de - R1 × Quando T1 não

L

conduz IC1 = 0 e portanto vCE1=2VCC-vCE2, variando portanto de 2VCC (quando vCE2 = 0) até
VCC (quando vCE2 = VCC). Ou seja, enquanto T1 não conduz, a recta de carga é horizontal com
iC1 = 0.

12
 O valor máximo da corrente na carga é portanto

VCC
I Lmax = (1.31)
RL

e a potência activa na carga será

2
æ IL ö V2
PL = çç max ÷ R L = CC
÷
(1.32)
è 2 ø 2R L

tal como no caso dos amplificadores de classe A.

vi

t
iC1

vCE1

VCC t

t
vCE2 iC2

-ILmax

Fig.1.14 – Formas de onda da tensão e corrente para o circuito da Fig. 1.12.

Quanto à potência posta em jogo nos dois transistores será o dobro da potência em cada
transistor. Assim

T
1
T ò0
PT @ 2 ´ vCE1iC1dt (1.33)

Como iC1 é dado por (ver Fig. 1.14):

13
 ì T
ïïI Lmax sen ( wt ) 0 £ t £ 2
i C1 = í (1.34)
ï0 T
<t<T
ïî 2

VCE1 = VCC - VLmax sen ( wt ) (1.35)

substituindo em (1.33), vem

T
12
PT = 2 ´ ò éë VCC - VLmax sen ( wt ) ùû I Lmax sen ( wt ) dt (1.36)
T0

VLmax
resolvendo o integral e substituindo I L = , temos que
max
RL

VLmax æ 2 VCC VLmax ö

PT = ç - ÷ (1.37)
R L çè p 2 ÷
ø

e portanto a potência activa total fornecida pela fonte é

2
VCC 2 VLmax VCC VL2max
PCC = PL + PT = + - (1.38)
2 RL p RL 2 RL

como VL = VCC
max

2
2 VCC
PCC = (1.39)
pRL

temos portanto um rendimento máximo de

2
VCC
PL 2RL p
h= = 2
´ 100% = ´ 100% = 78,5% (1.40)
PCC 2 VCC 4
pRL

A Fig. 1.15 apresenta a variação das potências postas em jogo na carga, nos transistores
e a fornecida pela fonte.

14
 P
1, 4

1, 2
PCC
1

0, 8
PL
0, 6

0, 4

PT
0, 2

0
0 0, 1 0, 2 0, 3 0, 4 0, 5
20, 6VCC0, 7 0, 8
VCC
0, 9 1 1, 1

Fig.1.15 – Variação das potências nos elementos do circuito da Fig. 1.12.

Como se verifica, na ausência de sinal, a potência fornecida pela fonte é nula,

aumentando com a amplitude do sinal de saída, ao contrário dos amplificadores de classe A
em que PCC era constante. Por outro lado, a potência posta em jogo nos transístores deixou de
2 VCC
ser máxima em repouso (como na classe A), para atingir um máximo para VL = ×
max p

Vi

+0,7
-0,7
V t

iL

Fig.1.16 – Distorção de travessia (crossover).

Utilizando o circuito da Fig. 1.12, a corrente na carga apresentar-se-ia muito distorcida

próxima de zero, como se indica na Fig. 1.16. A este efeito chama-se distorção de travessia
(crossover na literatura de língua inglesa) e é devido ao facto de os transistores só entrarem
em condução para VBE superior à tensão de limiar, ou seja, para os transistores de silício para
VBE aproximadamente igual ou superior a 0,7V.

15
 Para eliminar esta distorção, polariza-se cada um dos transistores aproximadamente a
0,7V. Neste caso, o funcionamento em rigor é de classe AB, mas encontra-se tão próximo da
classe B que geralmente é referido como de classe B. Dois dos circuitos possíveis para
eliminar a distorção são apresentados na Fig. 1.17 e 1.18.

+VCC

C1 R1
T1
VBE1 VL
1,4 V R2 VBE2
RL
Vi ~ C2
T2
R3

-VCC

Fig.1.17 – Amplificadores de classe B de simetria complementar, com polarização através de divisor

de tensão.

No caso do circuito da Fig. 1.17, os 1,4 V necessários para polarizar directamente as

duas junções base emissor, são conseguidas através da divisão resistiva das tensões de
alimentação pelo divisor constituído por R1, R2 e R3. R2 é ajustável, de modo a ser possível
igualar as verdadeiras tensões de limiar dos transístores.
No circuito da Fig. 1.18, as quedas de tensão nos díodos D1 e D2 providenciam as
tensões de polarização. Os díodos devem ser escolhidos emparelhados com os respectivos
transistores.

+VCC

R1
T1
D1
1,4 V
VL
C D2
Vi ~ T2 RL

-VCC

Fig.1.18 – Amplificadores de classe B, com polarização por díodos.

16
1.5 – MODELO TÉRMICO DO TRANSISTOR

Uma das principais causas de destruição dos dispositivos semicondutores de potência, é

o aquecimento das junções para lá da máxima temperatura que o dispositivo admite. Esta é
dependente do material semicondutores utilizado no fabrico dos dispositivos. No caso do
silício oscila, entre 125 e 200ºC. Para o Germânio está compreendida entre 100 e 110ºC.
Na ausência de corrente eléctrica não é posta em jogo potência no transistor, pelo que as
temperaturas da junção (Tj) e da cápsula (Tc) são iguais e estão à temperatura ambiente (Ta).
Ou seja,

T j = Tc = Ta (1.41)

Com o transístor a conduzir, a potência activa neste será aproximadamente

PT = VCEef ICef , provocando portanto a elevação da temperatura na junção. O calor assim

produzido no interior do dispositivo, é perdido por condução da sua fonte (a junção colectora)
para a cápsula do transístor e desta para o exterior. O ritmo a que essa perda se dá será função
apenas da diferença de temperaturas entre a junção e o ambiente e é proporcional a essa
diferença. Temos então, para o ritmo de dissipação de calor a potência

T j - Ta
Pd = (1.42)
q ja

onde qja é uma constante característica dos materiais utilizados e da sua geometria, que tem
por dimensões ºC/W e que se designa por resistência térmica.
A temperatura de equilíbrio, será condicionada pelo ritmo de libertação do calor por
efeito de Joule (PT) e o ritmo de dissipação desse calor para o ambiente (Pd). Ou seja,

Tj - Ta
VCEef ICef = (1.43)
q ja

Conhecidos os valores de qja, da temperatura ambiente e a temperatura máxima

admitida na junção, podemos determinar qual a potência máxima que pode ser posta em jogo
no transistor.
Exemplifiquemos para o transistor 2N4900. A sua resistência térmica entre a junção e a

17
cápsula é q jc = 7 º C / W. Se a potência posta em jogo no transistor for 5W, a temperatura de

junção estará 7´5 = 35ºC acima da da cápsula. Se considerarmos que a resistência térmica
entre a cápsula e o ambiente é qCA = 5ºC/W, a diferença de temperatura entre a cápsula e o
ambiente será 5´5 = 25ºC. Ou seja, a temperatura da junção está 35+25=60ºC acima da
temperatura ambiente.
Se a temperatura máxima admitida na junção for Tj = 200º C e a temperatura
max

ambiente for 25ºC, a potência máxima no transístor será

T jmax - Ta 200 - 25
P jmax = = = 14,5 W (1.44)
q jc + q CA 7+5

No entanto se a temperatura ambiente subir para 40ºC, a potência máxima na junção

passará para 200 - 40 = 13,3 W. Para Ta = 188º C, P j virá igual a 1W!

7+5 max

Normalmente o fabricante apresenta uma curva de dissipação máxima dum transístor

como o da Fig. 1.19.

Pj

Tc0 Tc

Fig.1.19 – Curva de dissipação máxima dum transístor.

Estas curvas servem para determinar a máxima potência permitida para uma dada
temperatura de cápsula (TC). T j é a temperatura máxima na junção, para essa temperatura a
max

potência admitida é de 0 W. Para temperaturas da cápsula inferiores a TC0 (normalmente

25ºC), o transistor pode estar sujeito à sua potência máxima admissível. Para temperaturas
superiores a TC0 , a potência máxima vai diminuindo até se anular para T j .
max

Quando estão em jogo potências consideráveis, como é o caso dos amplificadores de

18
potência, a resistência térmica entre a cápsula e o ambiente é por vezes demasiado elevada.
Nestas situações, é necessário aumentar a capacidade de transferir calor para o exterior. Para
tal, monta-se o transístor sobre uma base boa condutora de calor, habitualmente provida de
aletas para aumentar a superfície de contacto com o ar, que se designa por dissipador de calor,
e que apresenta uma baixa resistência térmica.
No caso do exemplo anteriormente apresentado, se a resistência cápsula ambiente for
substituída pela soma da resistência térmica entre a cápsula e o dissipador com a da
resistência térmica do dissipador para o ambiente. Ou seja,

q CA = q CD + q DA (1.45)

e se o valor da resistência térmica passar de 5ºC/W para 1ºC/W, à custa da introdução do

200 - 25
dissipador, a potência máxima passará dos 14,5W (equação 1.44) para = 21,9 W
7 +1
para Ta = 25ºC.

19