Eletrônica de Potência II

Eng. Eletrônica e de Telecomunicação

Prof. Francisco Garcia
Unidade 2 – Características dos transistores de potência
2.4 – Potência dissipada em transistores
Potência dissipada em um transistor
Potência estática (transistor ligado)

IC ID IC
IB
VCE VDS VCE
VBE

P  I CSVCE ( sat )  I BSVBE ( sat ) P  I Don

2
RDS ( on ) P  I CSVCE ( sat )

Onde:
ICS = Corrente no coletor do BJT ou IGBT quando saturado
IBS = Corrente na base do BJT quando saturado
IDon = Corrente no dreno do MOSFET quando ligado
 vBE T
t1 t2
BJT - Perdas VBEon

As perdas em um transistor acontecem por t

VBEoff
condução e na comutação.
Subida da Descida da
iC corrente corrente
ICS

td tr ts tf t
ton toff
vCE
VCC

VCEsat
t
p

t
 vBE T
t1 t2
BJT – Perdas por condução VBEon

As perdas por condução dependem da t

VBEoff
corrente de coletor IC e da tensão de
Subida da Descida da
saturação VCE(sat), além da potência dissipada iC corrente corrente
na junção base-emissor. ICS

td tr ts tf t
ton toff
vCE Perdas por
VCC condução

VCEsat
t
p

t
 vBE T
t1 t2
VBEon
Durante a condução:
t
1 tc VBEoff
PC 
T 
0
I CSVCE ( sat )  I BSVBE ( sat ) dt
Subida da Descida da
iC corrente corrente
PC   I CSVCE ( sat )  I BSVBE ( sat ) 
tc
T ICS

tc  t1  td  tr  ts
td tr ts tf t
Onde tc é o tempo que o transistor efetivamente
conduz e t1 é o tempo que o transistor é ton toff
comandado para conduzir, que depende do ciclo vCE Perdas por
de trabalho D (duty cycle) e do período T: VCC condução

t1  DT
VCEsat

tc t
Obs.: se t1 td  tr  t s Obs.: às p
vezes, a letra
então tc t1 k é usada
tc t1 indicar o ciclo
e D de trabalho
T T
t
 vBE T
t1 t2
BJT – Perdas por comutação VBEon

As perdas na comutação dependem do t

VBEoff
tempo de subida (tr) e de descida (tf).
Subida da Descida da
iC
As características de chaveamento de um corrente corrente

transistor são especificadas através de vários ICS

parâmetros:
• td = tempo de atraso (delay) t
td tr ts tf
• tr = tempo de subida (rise) ton toff
• ts = tempo de armazenamento (storage) vCE
• tf = tempo de descida (fall)
VCC
O pulso negativo na corrente de base no
início do desligamento serve para VCEsat
descarregar a carga acumulada na região da t
p Perdas na
base e, assim, diminuir os tempos de comutação
armazenamento e descida.
Em MOSFETs, td às vezes é chamado de td(on) e
ts de td(off) t
 Subida da corrente com carga resistiva A potência média devido à subida é:
tr
iC(t) 1  t t2 
ICS No intervalo 0 ≤ t ≤ tr o valor instantâneo PR   I CSVCC   2  dt
T 0  tr tr 
da corrente varia segundo uma reta:
I CSVCC 1 tr 1 tr 
iC (t )  I CS
t
tr

T

 tr

0
tdt 
tr2 
0
t 2 dt 

 1 2 
vCE(t)
t e o valor instantâneo da tensão também: 
I CSVCC
 t r 0 
1 3
2
tr  0   
T  2 t 3t 
vCE (t )  VCC  VCC  VCE ( sat ) 
vCC t r r

tr I CSVCC  tr tr  I CSVCC
    tr
se VCC VCE ( sat ) então T  2 3  6T

 t  Substituindo T = 1/f
vCE(sat)
vCE (t )  VCC 1  
t I CSVCC
 tr  PR  tr f
p(t) 6
A potência instantânea é:
De maneira semelhante, para a
p (t )  iC (t )vCE (t ) descida:
t  t   t t2  I CSVCC
p (t )  I CS VCC 1    I CSVCC   2  PF  tf f
tr  tr   tr tr  6
0 tr t
Assim, a potência de comutação é: Obs.:

PS  PR  PF 
I CSVCC
6
 tr  t f  f Quando o transistor bipolar trabalha em
operação linear, a relação entre as correntes de
coletor e de base é:
A potência total dissipada em um BJT é: IC Às vezes
 hFE
IB chamado de 
PT  PC  PS   I CSVCE ( sat )  I BSVBE ( sat )   tr  t f  f
tc I CSVCC
 Quando trabalha como chave, o circuito de
T 6
excitação é projetado para impor, para a
condição ligado (saturação), uma corrente de
O desenvolvimento para outros tipos de transistores é
base maior do que seria necessária para o
semelhante. funcionamento do transistor em operação
Para MOSFET: linear. Assim, a relação entre as correntes de
coletor e de base não é mais o valor de hFE, e
2

PT  PC  PS  I Don RDSon  tc I DonVCC
T

6
 tr  t f  f não depende do transistor, mas do circuito
I CS
Para IGBT:  hFE
I BS
PT  PC  PS   I CSVCE ( sat )   tr  t f  f
tc I CSVCC

T 6
As perdas por comutação de um transistor podem ser diminuídas com a adição de um
circuito de snubber.

A seguir será mostrado um exemplo.

Exemplo: Carga resistiva
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 Detalhe da transição de subida da corrente

Exemplo: Carga resistiva

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 Detalhe da transição de descida da corrente

Exemplo: Carga resistiva

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na subida ou descida

Exemplo: Carga resistiva

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na subida ou descida
(mesmo gráfico, escala log/log)
Exemplo: Carga resistiva
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns

Limite da operação segura para o transistor, pulsos

Exemplo: Carga RL
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 Detalhe da transição de subida

Exemplo: Carga RL
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na subida

Exemplo: Carga RL
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 Detalhe da transição de descida

Exemplo: Carga RL
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na descida

Exemplo: Carga RL
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na descida
(mesmo gráfico, escala log/log)
Exemplo: Carga RL
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns

Limite da operação segura para o transistor, pulsos

Exemplo: Carga RL, com snubber
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 Detalhe da transição de subida

Exemplo: Carga RL, com snubber

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na subida

Exemplo: Carga RL, com snubber

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 Detalhe da transição de descida

Exemplo: Carga RL, com snubber

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na descida

Exemplo: Carga RL, com snubber

f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns
 iC x vCE na descida
(mesmo gráfico, escala log/log)
Exemplo: Carga RL, com snubber
f = 100kHz, VCC = 40V, ICS = 2A
td = 0, tr = 25ns, ts = 225ns, tf = 60ns

Limite da operação segura para o transistor, pulsos

A área de operação segura mostrada no exemplo anterior foi baseada no transistor MJE182, embora os tempos de
comutação sejam de um outro transistor, mais rápido.
Fim