Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Santa Catarina

Departamento Acadêmico de Eletrônica

Eletrônica de Potência

Semicondutores Aplicados a Conversores

(MOSFET e IGBT)

Prof. Clóvis Antônio Petry.

Florianópolis, abril de 2012.

Bibliografia para esta aula

Capítulo 3: Transistores de potência

1.  Semicondutores aplicados a conversores CA-CA.

http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/

www.florianopolis.ifsc.edu.br/petry
Nesta aula

Semicondutores aplicados a conversores CA-CA:

1.  Introdução;
2.  Revisão dos principais componentes semicondutores de
potência;
3.  MOSFET de potência;
4.  IGBT;
5.  Comparativo BJT x MOSFET x IGBT.
Quadrantes de condução de semicondutores

http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html
Semicondutores para eletrônica de potência

Semicondutores utilizados em eletrônica de potência:

Semicondutores para eletrônica de potência
Semicondutores para eletrônica de potência
Revisão - Diodos
Revisão - Diodos
Revisão - Tiristores
Revisão - Tiristores
Revisão - BJT

BJT – Transistor bipolar de junção

Revisão - BJT

http://www.univ-lemans.fr/enseignements/physique/02/electro/mnueltro.html
Revisão - BJT

+VCC

RL IC

C
RB +
B Comutação do BJT com carga indutiva
VCE
+VCC
IB -
E
L
iL D
i
D
Comutação do BJT com carga resistiva I B1
RB

+
- I B2 V
VB2 BE
-
+
Revisão - BJT

Comutação do BJT com carga resistiva

Revisão - BJT
Entrada em condução

Bloqueio

Comutação do BJT com carga indutiva

BJT x FET

FET – Transistor de efeito de campo

FET

JFET: Operação básica.

FET

http://jas.eng.buffalo.edu/
FET

JFET canal n e canal p

Positivo da Fonte Auxiliar

+ Vaux

Aplicação do
JFET
11
Q1

3524 S2
R9 R8

12
R10
R7

Q2
MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET: Operação básica. http://jas.eng.buffalo.edu/

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET: Operação básica.

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET

MOSFET tipo Intensificação

Canal n
MOSFET de potência

D
ID

+
G VDS
+ Di -
VGS
-
S
MOSFET de potência
VDD

RL

VD

VG

S
50

VGS 90%
50% 50%

10%

T1
VDS

(VDD ) 10% (VDD )

90%

ID

90% 10%
tr

t D(on) t D(off) tf
t on

Comutação do MOSFET com carga resistiva

MOSFET de potência
VDD

I DRL

D
R
G

S
50

Comutação do MOSFET com carga indutiva

MOSFET de potência

Classificação das perdas:

1.  Condução;
ton
Pcond = ⋅ rds ( on) ⋅ id ( on) 2
T
2.  Comutação:
•  Entrada em condução e bloqueio;
f
Pcom = (tr + t f ) ⋅ id (on ) ⋅ vds (off )
2
•  Onde:
t f ≅ ton
tr ≅ toff
MOSFET de potência

Dados de catalogo:
MOSFET de potência

Quando usar MOSFET:

1.  Freqüências altas (acima de 50 kHz);
2.  Tensões muito baixas (< 500 V);
3.  Potências baixas (< 1 kW).
IGBT

Características de BJT e MOSFET

IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor

IGBT

Classificação das perdas:

1.  Condução; 0

Pcond = ( iC ⋅ VCEsat + iB ⋅ VBEsat ) ⋅ ton ⋅ f

2.  Comutação:
•  Entrada em condução e bloqueio;
1
Pcom = ( tr + t f ) ⋅ I ⋅ E ⋅ f
2

Detalhamento do cálculo de perdas

IGBT

Quando usar IGBT:

1.  Freqüências baixas (menor que 50 kHz);
2.  Tensões altas (> 500 V);
3.  Potências altas (> 1 kW).
IGBT

Quando usar IGBT:

1.  Freqüências baixas (menor que 50 kHz);
2.  Tensões altas (> 500 V);
3.  Potências altas (> 1 kW).

www.irf.com
IGBT

Encapsulamentos:

www.semikron.com.br
IGBT

Encapsulamentos:

www.irf.com
IGBT

Dados de catalogo:
BJT x MOSFET x IGBT

MOSFET IGBT BJT

Tipo de comando Tensão Tensão Corrente
Potência do
Mínima Mínima Grande
comando
Complexidade do
Simples Simples Média
comando
Elevada em
Densidade de baixas tensões e
Muito elevada Média
corrente Baixa em altas
tensões
Perdas de
Muito baixa Baixa para Média Média para Alta
comutação
Próxima aula

Introdução ao Arduino.

www.florianopolis.ifsc.edu.br/petry