O Transistor MOS

http://www.ett.bme.hu/sensedu/menu.html Technologies ->Semiconductor

Polysilicon
Modelo de comutação para o transístor NMOS

Eléctrodo
da gate
| VGS | Gate vGS
S G Canal n D
SiO2 induzido

Source Drain
Substrato p
(de portadores) (de portadores) Região de
depleção B

Aberto (off) (Gate = ‘0V’) Fechado (on) (Gate = ‘1’)

Ron

VGS < VT VGS > VT

Modelo de comutação para o transístor PMOS

Gate
| VGS |

Source Drain
(de portadores) (de portadores)

Aberto (off) (Gate = ‘0’) Fechado (on) (Gate = ‘1’ (-xxxV))

Ron

VGS > VT
| VGS | < | VT | VGS < VT
|-0.7| < |-1| | VGS | > |VT|
Ex. |-2| > |-1|
Transístores MOS - Símbolos
D D D

G G G B

S S S
NMOS com contacto Bulk
NMOS

S
S S

G
G G B

D
D D
PMOS PMOS com contacto Bulk
 Inversor CMOS
N Well VDD
VDD
PMOS 2l
S
PMOS
A A’
D Contactos

Vin Vout
D

In Out
Metal 1
NMOS S Polysilicon

B B’
NMOS
GND

A-A’ B-B’
 Inversor CMOS
VDD
VDD=2.5V

VT=-1V

Vout (V)
D

Vin Vout
D

VT=1V
S

Vin (V)

Exercício: Vo = f (Vi), para 0V<Vi<2.5V

 Inversor CMOS
VDD
VDD=2.5V

VT=-1V
D

Vin Vout
D

VT=1V
S

Vin (V)

Exercício: Vo = f (Vi), para 0V<Vi<2.5V

 Inversor CMOS
VDD
VDD=2.5V

VT=-1V
D

Vin Vout
D

VT=1V
S

Vin (V)
Vo=f(Vi)
Vi Vo Considera-se 0 (lógico) quando Vi<Vdd/2 (Vi<1.25V)
0 1 Considera-se 1 (lógico) quando Vi>Vdd/2 (Vi>1.25V)
1 0
INVERSOR
Inversor CMOS em cascata - buffer
Partilham alimentação
e GND

VDD

Ligação em Metal
Inversor CMOS em cascata
Inversor
simples Inversor em
cascata
Vout (V)

Vin (V)
Comutação do inversor
Calcule a corrente no inversor
a) Qual a tensão Vi em que estão ambos em saturação? Vi=1.92V
b) Qual a corrente máxima? Io=506uA
c) Como varia o consumo médio de corrente, com a frequência de comutação?

Na saturação:
Vdd=5V W 
k n   (vGS − Vth )
1
iD =
2

W/L= 10/1 2 L

Calcule a corrente no inversor (resolução)
Vdd=5V
W/L= 10/1

a) Qual a tensão Vi em que estão ambos em saturação?

A corrente é igual nos dois Mosfets:
{Kn=74
Kp=23.6
WL=10
Solve[.5*Kn*WL*(Vi-.74)^2 == .5*Kp*WL*(Vi-5+.98)^2,Vi]},
Vi=1.92
}

b) Qual a corrente máxima?

Vi=1.924
Io=.5*Kn*WL*(Vi-.74)^2
Io=506uA

c) Como varia o consumo médio de corrente, com a

frequência de comutação?
Consumo médio proporcional à frequência de comutação
Outras funções (1)
Exercício:
Calcule V(out) em função
de V(A) e V(B)

Considere:
Vdd=5V
As várias combinações de V(A)=0V
ou V(A)=5V
V(A)=0V ou V(A)=5V

V(A) V(B) V(OUT)

Outras funções (1)
Exercício:
Calcule V(out) em função
de V(A) e V(B)

Considere:
Vdd=5V
As várias combinações de V(A)=0V
ou V(A)=5V
V(A)=0V ou V(A)=5V

V(A) V(B) V(OUT)

0 0 1
NOR 0 1 0
1 0 0
1 1 0
Outras funções (2)
Exercício:
Calcule V(out) em função
de V(A) e V(B)

Considere:
Vdd=5V
As várias combinações de V(A)=0V
ou V(A)=5V
V(A)=0V ou V(A)=5V

V(A) V(B) V(OUT)

Outras funções (2)
Exercício:
Calcule V(out) em função
de V(A) e V(B)

Considere:
Vdd=5V
As várias combinações de V(A)=0V
ou V(A)=5V
V(A)=0V ou V(A)=5V

V(A) V(B) V(OUT)

NAND 0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
NAND e NOR
AND
OR
O Díodo
B Al A
SiO2

Perfil de uma junção p-n num processo IC

A Al
p A

B B
Representação
Uni-dimensional Símbolo do díodo

Em ICs digitais, na maioria, aparece como elemento parasita

 Ligação do Bulk (substrato)
Mosfet P
+Vdd

A ligação do Bulk representa a

ligação do substrato (body). Nos
mosfets tipo N, o substrato é o
mesmo para todos os mosfets, logo
todas as ligações têm de estar ao
mesmo potencial. Este terá de ser
mais baixo (ou igual) que qualquer
região que seja fronteira ao substrato
(n+ e n_well na figura), para evitar
condução nas junções p-n (díodo)
Mosfet N
GND
Nos mosfets tipo P, o bulk é a região
n-well. Cada n-well pode conter
vários mosfets P, e pode haver
várias regiões n-well. Mas o
potencial em cada n-well deverá ser
maior que o potêncial de todas as
suas regiões fronteira (p+ e body)