UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE

CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
Professor: Jalberth Fernandes de Araujo
Dispositivos Eletrônicos
Avaliação 03
NOME: ___________________________________________ NOTA:_________
MAT.: ________________________________ DATA: ___/____/____

ATENÇÃO: (1) Destaque suas principais respostas com caneta azul ou preta. (2) Questões sem justificativas NÃO serão corrigidas.
(3) Será atribuída nota zero ao aluno que devolver sua prova em branco, independentemente de ter assinado a ata da prova. (4) NÃO
é permitido o porte e o uso calculadoras programáveis ou que possam visualizar textos, nem qualquer outro equipamento eletrônico
como celulares, tabletes, etc. (5) Não é permitido ter nenhum material além da prova que será entregue, como cadernos, livros,
papéis (mesmo em branco), etc. (6) Ao aluno flagrado utilizando meios ilícitos ou não autorizados pelo professor para responder
a avalição será atribuída nota zero e, mediante representação do professor, responderá a Procedimento Administrativo Disciplinar,
com base no Código de Ética. (7) Utilize duas casas decimais, por arredondamento, nos seus cálculos.

1. (4,0) Suponha que você tenha que projetar um circuito de segurança digital para entrada em festas. O circuito permite
a entrada de, no máximo, 01 pessoa por vez. Considere que: você deve utilizar a tecnologia CMOS para projetar o
circuito; o seu circuito deve possuir 03 entradas e 01 saída; 01 pessoa representa nível lógico alto na entrada; entrada
na festa permitida representa nível lógico alto na saída. (a) Determine a expressão lógica da saída do circuito digital que
implementa o circuito de segurança digital para entrada em festas. (b) Desenhe o circuito digital que implementa o
circuito de segurança digital para entrada em festas.
2. (3,0) Considere o circuito da Figura 1. Suponha que: I 1 = 10 µA; Vt = 0,6 V; λ = 0; µnCox = 40 µA/V2; L1 = 0,35 µm,
L2 = 1 µm, W1 = 0,7 µm e W2 = 20 µm. (a) Determine o valor da tensão no gate de T1. (b) Determine o valor da corrente
no dreno de T2. (c) Determine o menor valor da tensão no dreno de T 2 para que T2 esteja na região de saturação. (d)
Determine o valor de R que faz a tensão no dreno de T 2 ser igual a 5 V.
3. (3,0) Para o circuito amplificador apresentado na Figura 1, considere que V G1 = 2,5 V; W1/L1 = 20; W2/L2 = 40; W3/L3
= 20; µn3Cox3 = 100 µA/V2; Vt = 0,5 V e VA = 50 V. Determine: (a) o valor cc da corrente I; (b) o valor cc de V GS3
(considere VA muito grande); (c) o valor da resistência de entrada, Rin, do amplificador (considere o valor de VA); (d)
o valor da resistência de saída, Rout, do amplificador (considere o valor de VA); (e) o ganho de tensão, vo/vi, do
amplificador (considere o valor de VA).

Figura 1 Figura 2
 Dados Complementares

Y  A B  A  B A A A A 1 A A  0 Y  A  B  A B A  B  C   A  B  A  C

Canal N Canal P

MOSFET de acumulação MOSFET de acumulação

Vt + -

k’ µnCox µpCox

gm W 2  ID W W 2  ID W
k '  VGS  Vt    2  k '  I D k '  VGS  Vt    2  k '  I D
L VGS  Vt  L L VGS  Vt  L

Em condução VGS > Vt VGS < Vt

VDS + -

Na região de saturação VDS > VGS - Vt VDS < VGS - Vt

 VGS  Vt   1    V DS  )
W
I D  0,5  k '
2

ro = |VA|/ID

Na região de triodo VDS < VGS - Vt VDS > VGS - Vt

I D  k '
W
L

 VGS  Vt   V DS  0,5  V DS
2

1
RDS 
k '  VGS  Vt 
W
L