COMANDO DA AERONÁUTICA 03 – Sobre os transistores de junção bipolar (BJT), transistores de

DEPARTAMENTO DE ENSINO DA AERONÁUTICA efeito de campo (TEC) e suas configurações, é INCORRETO

CENTRO DE INSTRUÇÃO E ADAPTAÇÃO DA AERONÁUTICA
CONCURSO DE ADMISSÃO AO EAOEAR 2002 afirmar que

EXAME DE CONHECIMENTOS ESPECIALIZADOS a) são necessários dois conjuntos de características para

PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA ELETRÔNICA
VERSÃO A
19 DE NOVEMBRO DE 2001
NOME: ______________________________________________________
Nº DE INSCRIÇÃO: ____________________________________________
ASSINATURA: ________________________________________________
representar o comportamento do transistor BJT em
configuração base-comum: o de entrada e o de saída.
b) a configuração coletor comum é usada principalmente
para fim de casamento de impedância, já que possui alta
impedância de entrada e baixa impedância de saída.
c) com o TEC, obtém-se maior estabilidade térmica do que
com o BJT.
d) o dispositivo BJT produz menos ruído do que o
dispositivo TEC; portanto, é mais adequado para
estágios de entrada de amplificadores de baixo nível.

= CONFIRA! ESTA PROVA CONTÉM 40 QUESTÕES =

GRAU DE ZERO A DEZ
PESO 3 04 – Um Mosfet de indução canal n está polarizado conforme a
figura abaixo. Sendo VT o valor da tensão de limiar e a
2
BOA PROVA ! corrente de dreno dada por ID=K(VGS-VT) , o valor de ID
quiescente, para o circuito abaixo, é uma solução da
seguinte equação:
(Considere VGS>VT)

01 – Sobre os materiais semicondutores, NÃO é correto afirmar

que

a) um semicondutor, que tenha sido submetido a um

processo de dopagem, é chamado material extrínseco.
b) o tipo n é feito com elementos de impureza que
possuem 5 elétrons de valência.
c) no caso ideal, mesmo com um número grande de
portadores livres, o material tipo p é eletricamente
neutro.
d) no tipo n, o elétron é chamado de portador minoritário.

02 – Um dispositivo semicondutor apresenta uma curva de

decaimento de potência, conforme mostrada abaixo. Nessas  2
I D2 R D   I D  2 R DVT  2V D R D    V DD
2
condições, quando a temperatura for de 150ºC, o valor em
a) 2
 2V D VT  0
 K
[ºC/W] da resistência térmica da junção para a cápsula é

 1
b) I D2 RD2  I D  2 RDVT  2 RDVDD    VDD
2
 VT2  2VDDVT  0
 K

c) I D2 RD  I D RDVDD  2 RDVT   VT2  0

1
d) I D2 RG  I D RDVDD  2 RDVT   VDD
2
 0
K

05 – Duas bobinas cujas respectivas auto-indutâncias são

L1=0,05H e L2=0,20H têm coeficiente de acoplamento K=0,5.
Sendo i1=5sen400t A a corrente na bobina 1, a tensão na
bobina 2, em volts, é igual a
a) 15.
b) 20.
a) v2=50 cos 400t.
c) 25.
b) v2=150 sen 100t.
d) 30.
c) v2=100 cos 400t.
d) v2=200 sen 400t.

ELN 1A
06 – Na figura abaixo, V RL =10V e RL=5. Se o 2N3055 tiver um 09 – Para o circuito amplificador, mostrado através da figura
abaixo, a freqüência de corte inferior é de
CC=50 e o 2N3904 tiver um CC=100, a corrente através do
diodo Zener será de

1
Considere: hie>>1K e  0,16
2
a) 160 Hz.
a) IZ= 6,3 mA.
b) 320 Hz.
b) IZ= 8,3 mA. c) 32 Hz.
c) IZ=10,8 mA. d) 16 Hz.
d) IZ=18,3 mA.
10 – A função de transferência, H0(s), para o circuito abaixo, é

07 – Nos últimos anos tem havido um interesse crescente por um

tipo de diodo. Ele é superior em aplicações onde se requer
uma faixa de freqüência muito alta e, quando comparado
com o diodo de junção de silício, é significativamente mais
robusto, possui valores típicos de tempo de resposta e
tensão de limiar menores, além de apresentar uma menor
figura de ruído. Suas aplicações incluem sistema radar,
lógica TTL para computadores, misturadores e detectores. O
diodo a que se refere este texto é o diodo

a) túnel.
b) varicap.
c) de junção de germânio.
a) H0(s)= sRC.
d) schottky.
3
b) H0(s)= .
sRC
2
c) H0(s)= .
sRC
100 t
08 – Uma tensão exponencial V=50e (volts) é aplicada ao 1
d) H0(s)= .
s RC  1
circuito RL da figura abaixo, ao se fechar o interruptor, no
instante t=0s. A corrente, em ampères, resultante, é igual a

11 – Para o circuito abaixo, quais seriam as mudanças na tensão

(ca) de saída VS, para cada um dos defeitos abaixo,
respectivamente?

100 t 50t
a) i(t)=-5e +5e
100 t 50t
b) i(t)=-10e +10e
50t 100 t
c) i(t)=10e -10e I) C3 aberto.
100 t 50t II) Dreno-Fonte de Q2 aberto.
d) i(t)=5e -5e III) Um resistor de 3,9K foi indevidamente usado no lugar
do resistor de 3,3K.

a) Diminui, diminui, aumenta.

b) Diminui, aumenta, aumenta.
c) Aumenta, permanece, aumenta.
d) Diminui, aumenta, diminui.

ELN 2A
12 – Para o circuito abaixo, a razão entre as resistências de 14 – No circuito simplificado, abaixo, os circuitos externos aos
entrada e a de saída é, aproximadamente, igual a estágios amplificadores executam a função de um
(Considere RE=2,0 K RS=1 K hfe=100
hie=2K hoe=10,0 s)

a) oscilador com freqüência de oscilação f  1 .

2REC 2
b) estágio isolador.
a) 3
c) circuito de controle automático de ganho.
2,1  10 d) retificador para pequenos sinais, com alta impedância de
3
b) 4,1  10 entrada.
3
c) 6,7  10
3
d) 8,3  10
15 – Aplicam-se dois sinais senoidais de mesma freqüência às
entradas vertical e horizontal de um osciloscópio. A figura de
Lissajous correspondente à defasagem entre os dois sinais é
visualizada como mostrada abaixo. Nestas condições, a
defasagem entre eles é de
13 – O circuito abaixo mostra o circuito básico de uma porta lógica
tipo:

a) 45º.
b) 60º.
c) 120º.
d) 150º.

16 – Sobre os circuitos geradores de forma de onda, é

INCORRETO afirmar que

a) em um oscilador Colpitts, um divisor de tensão indutivo

produz a realimentação necessária para as oscilações.
b) o multivibrador monoestável gera um único pulso, com
duração especificada, em resposta a cada sinal de
disparo externo.
c) o multivibrador astável produz oscilações entre dois
estados não estáveis e a duração em que o circuito
permanece num estado ou outro é definida pelos valores
dos componentes.
d) embora excelente em baixas freqüências, o oscilador de
ponte de Wien não é adequado para altas freqüências.

ELN 3A
17 – A curva que melhor representa
transferência do circuito abaixo é
a característica de 18 – O princípio de modulação AM – DSB consiste no fato de que
o sinal modulante interfere exclusiva e diretamente na
amplitude da portadora. Considere que o sinal da portadora
e o sinal modulante são, respectivamente, e0(t)=2 cos (w0t) e
em(t)=em cos (wmt).
Dessa forma, o percentual da potência média total utilizado
na transmissão da portadora, para um índice de modulação
máximo possível sem distorção, é

a) 50%.
b) 66,7%.
c) 23,3%.
d) 33,3%.

19 – Observando-se o sinal modulado em amplitude, abaixo,

verifica-se que índice de modulação m é igual a

a) 1 b) 1 c) 2 d) 3
3 2 3 4

20 – Uma portadora cossenoidal de 100MHz e 200VPP é

modulada em freqüência, com desvio máximo de 75KHz, por
um sinal também cossenoidal de 15KHz e 20 VPP. Nessas
condições, o índice de modulação do sinal modulado e a
largura de faixa ocupada por esse sinal são,
respectivamente, iguais a

a) 1/4 e 90KHz.
b) 4 e 180KHz.
c) 5 e 180KHz.
d) 1/5 e 90KHz.

21 – Sobre a modulação em sistemas pulsados, é INCORRETO

afirmar que

a) no sistema TDM, uma só portadora amostra n canais e,

sendo assim, cada canal será amostrado a cada período
da portadora.
b) o sistema ASK libera ou interrompe a passagem da
portadora, de acordo com o nível do sinal modulante,
que deve ser, obrigatoriamente, discreto.
c) o sistema PWM consiste em variar a largura do pulso da
portadora, proporcionalmente ao sinal modulante,
mantendo constante a amplitude e o intervalo de tempo
em que os pulsos se repetem.
d) o sistema PPM consiste em variar a posição do pulso da
portadora, proporcionalmente ao sinal modulante,
mantendo constante a amplitude e a largura dos pulsos.

ELN 4A
 26 – No circuito mostrado através da figura abaixo, o interruptor se
22 – Um sistema de controle por realimentação negativa NÃO tem fecha em t=0s. Se o capacitor possui uma carga q0
como objetivo inicialmente, antes de a chave ser fechada, então a
expressão que melhor representa a potência instantânea p(t)
a) tornar o sistema estável ou aumentar a estabilidade do no capacitor é igual a
sistema.
b) tornar o sistema insensível às variações de parâmetros.
c) atender requisitos de desempenho estabelecidos.
d) diminuir o erro em regime estacionário.

23 – Um sistema como o da figura abaixo, cuja função de

1
transferência da planta é dada por G(s)= (sistema
s ( s  1)
do tipo I), apresenta erro em regime estacionário para
2
q  C 2  
t 2t
1   q0   RC
a) p(t)=  0  e RC
    e
 4R 2 R  R4 C 
2
q  C 2  
t 2t
1   q0   RC
b) p(t)=  0  e RC
    e
 2R 4 R  R2 C 
2
 q0  C 2   RC
2t 2t
1     RC
c) p(t)=  e
    e
 R  R2
a) uma entrada do tipo rampa. 2
 q0  C 2   RC
2t 2t
1     RC
b) uma entrada do tipo degrau. d) p(t)=  e
    e
 R  R 2
c) uma entrada do tipo impulso.
d) qualquer que seja o tipo de sinal de entrada.
27 – Um circuito é alimentado com V(t)=300 cos (20t + 30º)V e
solicita uma corrente i(t)=15 sen (20t + 60º)A. Dessa forma,
a potência média absorvida pelo circuito, é igual a ____watts.
24 – Sobre a análise de estabilidade para sistemas contínuos
a) 1.125
SISO, não se pode afirmar que
b) 1.508
a) um sistema que apresenta um pólo de malha aberta no
c) 3.015
semiplano direito do plano s, é estável se o diagrama de
Nyquist envolver o ponto –1, uma vez no sentido anti- d) 4.500
horário.
b) o critério de Routh-Hurwitz é baseado na resposta do
sistema em malha aberta. 28 – O circuito de dois ramos, representado pela figura abaixo, é
alimentado por uma fonte de alimentação senoidal. A
c) o lugar das raízes da equação característica no plano s
freqüência f0 da fonte que faz o circuito entrar em
indica instabilidade, caso haja pólos, não cancelados, no
ressonância, em Hertz, é igual a
semiplano direito.
d) a margem de fase e a margem de ganho podem ser
obtidas dos diagramas de Bode.

25 – Seja E(z) a transformada Z da seqüência e(KT), onde T é o

período de amostragem e K é o número da amostra
iniciando-se do zero. O valor da amostra no instante K=3 é
igual a
1 RL2  L
4 5 7 10 a) f0  C
E( z)  1  4z  5z  4 z  3z 2 LC RC2  L
C

1 R L
2

b) f0 
C C
a) e(3T)=-2.  LC RL2  L
C
b) e(3T)=-5.
1 RL2  L
c) e(3T)=0. c) f0  C
2 LC RC2  L
d) e(3T)=4. C

1 RL2 L
d) f0  C
2 LC RC2  L
C

ELN 5A
29 – Sobre a teoria eletromagnética, é INCORRETO afirmar que 34 – Com referência a microprocessadores, considere os itens
abaixo:
a) o fluxo elétrico que atravessa qualquer superfície fechada
é igual à carga total envolvida por essa superfície. I – Processo feito passo-a-passo para resolver um
2 2 2 problema.
b) o campo potencial V=4x -y +z satisfaz a equação de
Laplace. II – Assemblador que lida com linguagens de alto nível e as
c) num meio isotrópico, o vetor densidade de fluxo elétrico transformam em linguagem de máquina.
III – Posição codificada em uma memória ou registro.
D é paralelo ao vetor intensidade de tempo elétrico E . IV – Parte da máquina onde a informação é armazenada.
d) a lei circuital de Ampère estabelece que a integral de
linha do vetor campo magnético H em qualquer A correta definição para os itens acima é:
percurso fechado é exatamente igual à corrente
enlaçada pelo percurso. a) (I) – Linguagem Assembly; (II) – Operando; (III) – Byte e
(IV) – ULA.
b) (I) – Código ASCII; (II) – Hardware; (III) – Periférico e
30 – Seja [S] a matriz de uma junção de microondas. É correto (IV) – Rotina.
afirmar que esta junção c) (I) – Registro; (II) – Controlador; (III) – Palavra e
(IV) – Terminal.
0,5 0,3 0,1 d) (I) – Algoritmo; (II) – Compilador; (III) – Endereço e
[S] =
0,6 0,5 x  (IV) – Memória.
 
 y z 0,8
35 – A figura abaixo representa um
a) pode ser recíproca.
b) possui 9 acessos.
c) pode ser casada.
d) pode ser sem perdas.

31 – Um guia de onda retangular possui 2,5 cm de largura e

recebe uma onda com 0=3 cm. É correto afirmar que

a) esta onda não pode passar pelo duto.

b) o comprimento de onda dentro do duto é de 2,5 cm.
c) o comprimento de onda dentro do duto é de 3,0 cm.
d) o comprimento de onda dentro do duto é de 3,75 cm. a) registrador de deslocamento para y=0.
b) contador assíncrono para y=1.
c) contador de Década para y=1.
d) contador crescente para y=1 e decrescente para y=0.
32 – Sobre os dispositivos de microondas, NÃO é correto afirmar
que
36 – A figura abaixo representa a curva característica de um SCR.
a) é comum manter pressão de ar, ou gás inerte, dentro Os pontos A, B, C correspondem, respectivamente, à
dos guias de onda, a fim de se diminuir a permissividade
elétrica no interior desses guias.
b) os filtros “passa banda” e “rejeita banda”, para
microondas, podem ser construídos através do uso de
cavidades ressonantes.
c) um circulador pode ser construído através do uso de 2 T
mágicos e um girador.
d) a grande desvantagem da válvula magnetron é sua
incapacidade de fornecer altas potências em curta
duração de tempo, tornando o seu uso quase que
impraticável em radares.

33 – Assinale a alternativa correta:

a) No período noturno, a radiodifusão por ondas curtas a) tensão de ruptura inversa, tensão de avalanche direta e
sofre degradação devido ao desaparecimento da corrente de manutenção.
camada da ionosfera.
b) tensão de avalanche inversa, tensão de ruptura direta e
b) A radiodifusão comercial de AM não se encontra na corrente saturação direta.
categoria de propagação por ondas terrestres.
c) tensão de ruptura inversa, tensão de saturação direta e
c) Para uma mesma antena, os diagramas de radiação de corrente saturação direta.
transmissão e recepção são diferentes.
d) tensão Zener, tensão de avalanche inversa e corrente
d) Em transmissões de microondas, o tipo de propagação saturação inversa.
mais utilizada é o de visada direta.

ELN 6A
37 – NÃO é aplicação típica de um circuito PLL (Phase Locked
Loop):

a) Demodulador de freqüência.
b) Sintetizador de freqüência.
c) Conversor A/D (Analógico Digital).
d) Decodificador FSK.

38 – Aplicando-se o método dos dois wattimetros a um sistema

trifásico a três condutores, 100 volts, seqüência ABC, tem-se
PB=200W e PC=200W, correspondentes às medições nas
linhas B e C. A corrente da linha para a montagem é
aproximadamente igual a
1
Considere: = 0,577
3
P  PC
Dado: tg  3  B
PB  PC

a) 2,3 A.
b) 5,6 A.
c) 10,2 A.
d) 15,3 A.

39 – Para o circuito ressonante, abaixo, determine o fator de

qualidade Q, sabendo que a banda BW, no ponto de –3dB, é
5KHz.

Dados: R=1K L=0,16mH C=0,4F

1
Considere:  0,16
2
a) Q=20.
b) Q=4.
c) Q=2,5.
d) Q=1.

40 – Sobre os dispositivos de armazenamento digital “memórias”,

é INCORRETO afirmar que

a) o tempo de acesso de uma memória é o tempo desde a

entrada de um endereço nela até o momento em que a
informação esteja disponível na saída.
b) quanto ao tipo de armazenamento, as memórias
classificam-se em estáticas e dinâmicas.
c) as memórias EEPROM possuem a vantagem de
poderem ser apagadas mediante banho de luz
ultravioleta.
d) as memórias SRAM utilizam, como célula básica de
memória, o flip-flop.

ELN 7A