CAPÍTULO 2 - DIODO DE POTÊNCIA :

2.1 - CARACTERÍSTICAS DO DIODO :

O diodo de potência tem uma importância muito grande em circuitos eletrônicos de

potência. Ele pode ser utilizado em retificadores ( conversor CA/CC ), como diodo de retorno
( freewheeling diode - transferência de energia ), isolador de tensão, etc.

Em algumas análises, o diodo pode ser assumido como uma chave ideal mas, sempre
observando que este componente tem algumas limitações.

O diodo de potência tem configuração similar ao diodo de sinal, sendo que opera em
uma faixa de potência bem maior que o diodo de sinal. Na formação deste diodo, são
utilizados três processos de dopagem no mesmo componente. Inicialmente há uma forte
dopagem da região n que forma o catodo do diodo; uma dopagem, de menor intensidade,
forma uma camada intermediária responsável pela barreira de potencial do diodo. A terceira
dopogem que utiliza o processo de difusão, tem a função de formar o anodo do diodo ( região
p ).

A área do anodo varia de acordo com o valor de corrente que este deverá suportar. Para
diodos que suportam milhares de ampères, a área pode ter vários cm2.

A velocidade de chaveamento é menor, no diodo de potência, quando comparado com

o de sinal.
I
A
A
p
Vr
n V
Vk

K K

(a) (b) (c)

Figura 2.1 : a) estrutura; b) símbolo; c) característica VxI do diodo

A característica VxI do diodo pode ser representada pela expressão :

I D  I S . eVD /VT  1
(2.1.)

onde :

7
 ID  corrente através do diodo

VD  tensão sobre o diodo

IS  corrente de fuga ( 10-15 A  IS  10-6 A )

  coeficiente de emissão ( 1 a 2 ) : depende do tipo de material de que é

construído o diodo

VT constante de tensão térmica

VT = k.T temperatura absoluta

constante de Boltzmann = 1,3806x10-23J/K

VT ( 25° C )  25,8mV

2.2 - CARACTERÍSTICA DE RECUPERAÇÃO REVERSA :

A corrente em uma polarização direta do diodo é devido ao efeito de portadores

majoritários e minoritários. Quando o diodo está conduzindo e sua corrente direta é levada à
zero (comutação natural ou forçada ), o diodo continuará conduzindo devido aos portadores
minoritários que permanecem armazenados na junção pn e no corpo do diodo . Estes
portadores necessitam de um certo tempo para se recombinarem com cargas opostas e se
neutralizarem. Este tempo é chamado de tempo de recuperação reversa ( trr ) do diodo.

Na figura 2.2 é mostrada a característica de recuperação reversa para uma diodo. O

tempo trr é medido à partir do instante em que a corrente pelo diodo passa por zero, até o
instante em que a corrente no diodo é de 25% do máximo valor ( pico ) da corrente reversa
Irr.

Figura 2.2: Caracterísitica de Recuperação Reversa

8
 O tempo trr é composto de duas componentes ta e tb. ta é devido às cargas
armazenadas na região de depleção do diodo e, tb é devido às cargas armazenadas no corpo do
diodo. A razão tb/ta fornece o fator de amortecimento ( softness factor SF ), que pode ser
suave (fig. 2.2a) ou abrupta (fig. 2.2b). Assim :
trr  ta  tb (2.2.)
A corrente reversa de pico do diodo é expressa por :
di
Irr  ta. (2.3.)
dt
O tempo trr depende da temperatura da junção do diodo, da taxa de descida da corrente
direta e da corrente direta imediatamente antes da comutação.

A carga de recuperação reversa Qrr, é a soma das cargas portadoras que fluem através
do diodo, na direção contrária devido a mudança da polarização do diodo. Este valor de Qrr é
determinado por :
1 1 1
Qrr  . Irr. ta  . Irr. tb  . Irr. trr (2.4.)
2 2 2
ou :

2. Qrr
Irr  (2.5.)
trr

Substituindo 2.4 em 2.5, tem-se que :

2. Qrr
trr  (2.6.)
di
dt

di
Irr  2. Qrr. (2.7.)
dt
Pode-se verificar nas expressões acima que tanto o tempo de recuperação reversa trr,
quanto o valor de pico da corrente de recuperação reversa Irr, dependem da carga armazenada
Qrr e da taxa de decrescimento de corrente di/dt. A carga armazenada Qrr depende da corrente
direta do diodo IF. As grandezas Irr, Qrr e o SF são elementos importantes na especificação do
componente para uma determinada aplicação, e devem ser fornecidos pelo fabricante.

Se o diodo está reveramente polarizado, circula apenas uma pequena corrente de fuga
devido aos portadores minoritários. Aplicando-se então uma tensão direta nos terminais do
diodo, estabelece-se uma corrente direta. Para que esta corrente seja estabelecida, gasta-se um
tempo chamadao de tempo de recuperação direta ( foward recovery time ). Se a taxa de
crescimento da corrente direta é alta e a corrente esta concentrada em uma pequena área da
junção, o diodo pode falhar. Assim, o tempo de recuperação direta limita a taxa de
crescimento da corrente direta e a velocidade de chaveamento do componente.

9
2.2.1 – EXEMPLO DE CARACTERÍSTICA DE RECUPERA REVERSA

Na simulação abaixo são utilizados dois diodos com características de recuperação

reversa diferentes. Pode-se observar que o diodo 1N4002 (diodo retificador) tem um tempo de
recuperação reversa muito maior que o diodo MUR420 (diodo ultra rápido).

Figura 2.3 a): Circuitos para Simulação

5.0V

0V

-5.0V
V(D2:1,D2:2) V(D1:1,D1:2) V(V1:+)
9.9mA

5.0mA

0A

-5.0mA
SEL>>

99.00us 99.50us 100.00us 100.50us 101.00us 101.50us 102.00us 102.50us 103.00us 103.50us
I(D2) I(D1)
Time

Figura 2.3 b): Resultados da Simulação

10
2.3 - TIPOS DE DIODOS DE POTÊNCIA :

Dependendo das características de recuperação reversa e das técnicas de fabricação, os

diodos de potência podem ser classificados em três categorias :

* diodo de uso geral;

* diodo de recuperação rápida;

* diodo Schottky.

a) - Diodo de uso geral (retificadores de rede): estes diodos apresentam um tempo

de recuperação reversa relativamente alta (  25s ) e, são utilizados em aplicações de baixa
velocidade, onde o tempo de recuperação do componente não é crítico (retificadores,
conversores de baixa frequência - 1kHz , conversores com comutação pela linha). Estes
diodos trabalham dentro de uma faixa que varia de 1A até milhares de ampères e de 50V até
5000V.

Características Gerais

IFAV: 1A – 6000 A

VRRM: 400 – 3600 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 10 µs

b) - Diodo de recuperação rápida : estes diodos tem um tempo de recuperação baixo

( 5s ). São utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, onde a velocidade de recuperação é
importante. Estes diodos operam em uma faixa desde 1A até centenas de ampères e de 50V
até 3000V. Aplicados em Inversores (acionamento de motores de indução); Comutação em
alta frequência (>20KHz)

Características Gerais

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 0,1 - 10 µs

11
 c) - diodo Schottky : estes diodos apresentam um tempo de recuperação reversa muito
pequeno e com uma tensão de polarização direta VD de aproximadamente 0,25V. Opera em
uma faixa de tensão de até 100V e de corrente de até 300A. São ideais para fontes CC de alta
corrente e baixa tensão, computadores digitais ( alta velocidade ), carregadores de baterias.

Características Gerais

IFAV: 1A – 120 A

VRRM: 15 – 150 V

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

trr: 5 ns

d) – diodo para aplicação em alta tensão: diodos especiais para aplicação exclusiva
em alta tensão.

Características Gerais

IFAV: 0,45A – 2 A

VR: 7,5kV – 18kV

VRRM: 20V – 100V

trr: 150 ns

e) – diodo para aplicação em alta corrente: diodos especiais para aplicação

exclusiva em alta corrente.

Características Gerais

IFAV: 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V

VF: 2V

trr:10 µs

12
2.3.1 - Características Importantes de Diodos

A especificação correta do diodo é função das características do projeto (tensão de

alimentação, tipo de carga). A escolha do diodo é feita através da seleçao do modelo
utilizando as folhas de dados (datasheets) que devem comtemplar os principais parâmetros
realcionados abaixo:

a)- Queda de tensão direta – VF ou VD;

b)- Tensão Reversa Repetitiva Máxima – VRRM;

c)- Corrente média direta – ID(AV) ou IF(AV). AV (average);

d)- Corrente máxima repetitiva – IDRM ou IFRM;

e)- Corrente máxima não-repetitiva – IDSM ou IFSM;

f)- Recuperação Reversa – se o diodo é padrão, lento, suave, etc.

- Utilizando os diodos da simulação, tem-se:

1N4002 MUR420

a)- VF ou VD: 1V 0.88V

b)- VRRM 100V 200V

c)- ID(AV) ou IF(AV) 1A 4A

d)- IDRM ou IFRM - -

e)- IDSM ou IFSM 30A 125A

f)- Recuperação Reversa PADRÃO 25ns

13
2.4 - Características de chaveamento :

Os tempos de recuperação direta e reversa do diodo de potência, são parâmetros muito

importantes e serão analisados a seguir. Observando o circuito e as suas formas de onda nas
figuras 2.4a e 2.4b, respectivamente, pode-se analisar o circuito.

Ls

S
i D1 i
1 L R
Vs
Rs
Cs Dr
i L
2

a)

iL

Io

i1
t
Io
Ip

i2
Io t

-Irr

trr
b)

Figura 2.4 : a) circuito; b) formas de onda

Quando a chave S é fechada em t=0 e permanece por um certo tempo, a corrente na

carga em regime permanente é :
VS
IL  (2.8.)
R

14
 O diodo de retorno Dr está reversamente polarizado, neste período. Se a chave S é
aberta em t=t1, o diodo de retorno Dr passa a conduzir a corrente de carga iL.

Se, agora, a chave S é novamente fechada, o diodo Dr comporta-se como um curto-

circuito. Os valores das correntes nos diodos D1 e Dr podem se tornar altos, vindo a danificá-
los. Para eliminar este problema, basta colocar um indutor Ls em série com a chave S. Assim,
o grau de crescimento da corrente através de D1 e Dr é dado por :

di Vs
 (2.9.)
dt Ls
Se trr é o tempo de recuperação reversa de Dr, a corrente Ir é :
di V
I r  trr .  trr . s (2.10.)
dt Ls

Assim a corrente através do indutor é :

Vs
I indutor  I 0  I r  I 0  trr . (2.11.)
Ls

Quando a corrente no indutor for igual a Ip, o diodo Dr comuta rápidamente.

Devido a carga ser altamente indutiva, a corrente não pode variar instantâneamente de I0
par Ip. O excesso de energia armazenada no indutor pode induzir uma tensão reversa
sobre Dr e danificá-lo.
1
Wr  . Ls .[( I0  Ir )2  I02 ] (2.12.)
2

Para evitar este problema, um capacitor Cs e um resitor Rs são colocados em paralelo

com Dr.

O capacitor absorve a energia armazenada em Ls e o resitor extingue oscilações

transitórias. O valor de Cs é dado por :
Wr
C S  2.
VC2
ou
dV 0,635;VS (2.13.)

dt RS .C S
VS
RS 
IR

15
2.5 - CONEXÕES SÉRIE E PARALELO DO DIODO :

a) - Conexão série :

Em muitas aplicações de alta tensão ( transmissão em HVDC ), apenas um

diodo não é suficiente para suportar as altas tensões a que estará sujeito. Assim, diodos são
ligados em série de forma a aumentar a capacidade do sistema quando sujeito à tensão reversa.

No circuito da figura 2.5, tem-se dois diodos ligados em série. Na prática, a

característica VxI para o mesmo tipo de diodo, é diferente devido às tolerâncias em seus
processos de produção.

Figura 2.5 : a) circuito com dois diodos em série; b) características VxI

Na região direta, os diodos conduzem a mesma corrente e as quedas de tensão direta

nos diodos são praticamente iguais. No entanto, na região reversa, cada diodo tem que atingir
a mesma corrente de fuga e assim, as suas tensões reversas VD1 e VD2 são diferentes.

Para solucionar este problema, basta se conectar um resistor R, de mesmo valor, em

paralelo com cada diodo, como é mostrado na figura 2.6.

16
 (a) (b)

Figura 2.6 : a) circuito modificado; b) características VxI

IS  IS 2  I R2  IS1  I R1 (2.14.)

mas :
VD1
I R1 
R1
(2.15.)
V V
I R 2  D 2  D1
R2 R2

Logo :
VD1 V
I S1   I S 2  D1 (2.16.)
R1 R2

Como R1=R2=R, e as tensões VD1 e VD2 dependem da característica VxI de cada

diodo, os valores VD1 e VD2 podem podem ser determinados por :

VD1 V
I S1   IS 2  D2 (2.17.)
R R

VD1  VD2  VS (2.18.)

As tensões transitórias sobre os diodos podem ser minimizadas através da conexão de
capacitores e resitores em paralelo com os diodos, como mostrado na figura 2.7.

Figura 2.7

17
 b) - Conexão paralelo :

Em aplicações de potência, diodos são ligados em paralelo, de forma a aumentar a

capacidade de corrente do circuito. As correntes através dos diodos terão valores de acordo
con suas respectivas quedas de tensão direta. Para se ter correntes aproximadamente iguais,
colocam-se indutâncias iguais em série com cada diodo. Também podem ser especificados
diodos com o mesmo valor de queda de tensão direta, ou do mesmo tipo.

A figura 2.8 mostra um circuito com dois diodos em paralelo, de forma à dividir a
corrente total Is.

Figura 2.8

2.5 - DIODOS COM CARGA RC, RL E RLC :

a) - CARGA RC :

Dado o circuito da figura 2.9a, abaixo :

Figura 2.9.

18
A equação de tensão do circuito é :
VS  VR  VC (2.19.)
1 t
VS  R. i  .  i. dt  VC 0 (2.20.)
C 0

Em t = 0 : Vc = Vco = 0 :
1 t
VS  R. i  .  i. dt (2.21.)
C 0

derivando e dividindo por R :

di 1
 .i  0 (2.22.)
dt R. C

A solução desta equação diferencial, de 1ª ordem, a coeficientes constantes, é do tipo :

i  k. e Dt (2.23.)

Substituindo o operador D na equação, tem-se que :

1
D (2.24.)
R. C
Portanto o valor da corrente i é :
i  k. et / RC (2.25.)

Para t = 0 
VS
i (2.26.)
R

O valor final da expressão de corrente i é :

VS t / RC
i .e (2.27.)
R

A tensão sobre o capacitor é :

1 t
C 0
VC  . idt (2.28.)

Substituindo i na expressão acima, tem-se que :

VC  VS .1  et / RC  (2.29.)

19
 b) - Carga RL :

Dado o circuito da figura 2.10, abaixo :

Figura 2.10 .

A equação de tensão é :
di
VS  R. i  L. (2.30.)
dt
Derivando e dividindo por L, tem-se a equação diferencial de 1ª ordem, a coeficientes
constantes :
di R
 .i  0 (2.31.)
dt L

A solução desta equação é do tipo :

i  ip  it (2.32.)

Onde :
VS
ip  (2.33.)
R
it  k. eDt (2.34.)

Resolvendo a equação :
R
D (2.35.)
L
VS
i   k. etR/ L (2.36.)
R

20
Para t = 0  i = 0 
VS
k (2.37.)
R

O valor final da expressão de i é :

VS
i .1  etR/ L  (2.38.)
R

A tensão no indutor é :
di
VL  L. (2.39.)
dt
Substituindo i na expressão acima :

VL  VS . etR/ L (2.40.)

c) - Carga RLC Série :

Dado o circuito da figura 2.11, abaixo :

( i
a
)

Figura 2.11: circuito RLC Série.

A equação de tensão é :
di 1 t
VS  R. i  L.  .  idt  VC 0 (2.41.)
dt C 0

Derivando a expressão e dividindo por L, tem-se :

21
 d 2 i R di 1
2  .  .i  0 (2.42.)
dt L dt L. C
Que uma equação diferencial de 2ª ordem, a coeficientes constantes. Substituindo-se o
operador D, tem-se :
R 1
D2  .D  0 (2.43.)
L L. C
Portanto :

 R 
2
R 1
D     (2.44.)
2. L  2. L  L. C
Onde :

R
  coeficiente de amortecimento;
2.L

1
0   frequência de ressonância angular.
L. C
Logo :
D    2  20 (2.45.)
Se :

  0  amortecimento crítico;

  0  sobreamortecimento;

  0  subamortecimento.

A figura 2.12 mostra a característica de corrente, para cada condição de

amortecimento.
51.2A

40.0A
SOBREAMORTECIDO

20.0A

SUBAMORTECIDO

AMORTECIMENTO CRITICO
0A

-10.2A
40us 80us 120us 160us 200us 240us 280us 320us 360us 400us
I(C1)
Time

Figura 2.12: Características de Amortecimento circuito RLC série.

22
 Para que a corrente i passe por zero, em um certo instante t, o circuito RLC deve ser
subamortecido.

Logo :
D    jr (2.46.)
Onde :
r  20  2 (2.47.)
r  frequência ressonância natural do circuito.

A expressão final da corrente i é da da por :

i  et . k1.cos r t  k2 .sen r t  (2.48.)

As constantes k1 e k2 são determinadas através das condições iniciais do circuito, ou

seja, os valores de corrente i e de tensão no capacitor Vc no instante em que se inicia a análise
do circuito.

- Exemplo de Circuito RLC Série Subamortecido com diodo.

Figura 2.13: Circuito RLC série subamortecido com diodo.

349

TENSAO NO CAPACITOR

200

CORRENTE NO CAPACITOR

-53
40.0us 60.0us 80.0us 100.0us 120.0us 140.0us 160.0us 180.0us 199.6us
I(C1)*5 V(C1:1)
Time

Figura 2.14: Formas de onda. Corrente (Vermelho) e Tensão (Verde) no capacitor C1.

23
- Exemplo de Circuito RLC Série com Diodo e Inversão da Corrente de Carga (Inversor
Ressonante)

Figura 2.15: Circuito RLC Série Subamortecido com Inversão de Corrente (Inversor
Ressonante)
349

TENSAO NO CAPACITOR

200

CORRENTE NA CARGA

-151
41.6us 60.0us 80.0us 100.0us 120.0us 140.0us 160.0us 180.0us 200.0us 220.0us 240.0us
V(C2:1) I(C2)*5
Time

Figura 2.16: formas de Onda Tensão (Verde) e Corrente (Vermelho) no capacitor C2.

24
 Uma condição particular do circuito RLC série mostrado na figura 2.11, ocorre quando
a resistência é considerada nula ou praticamente desprezível (R = 0), o que torna o circuito LC
já com caracterísitca subamortecida conforme cirucito da figura 2.17.

Figura 2.17: Cicuito LC série com diodo.

Assim:

R

2 .L
R0 (2.50)
  o

i  e t .k1 . cos r t  k 2 .sen  r t 

e t  1 (2.51)
 i  k1 . cos r t  k 2 .sen  r t

25
 *OBS : DIODO DE RETORNO : este diodo, também conhecido como diodo de
roda livre, é utilizado quando a carga é R-L ou altamente indutiva e, tem duas funções: não
permitir que seja aplicada tensão negativa na carga e manter a corrente circulando plea
mesma, no período em que a a tensão na carga é nula.

A figura 2.18 (a e b), mostra um circuito utilizando o diodo de retorno Dm e, a figura

2.18 (c) mostra as formas de onda para este circuito.

Figura 2.18 (a e b).

VS
0  t  t1  i1  .1  etR/ L  (2.49.)
R
VS tR/ L
t1  t  t2  i2  .e (2.50.)
R

Figura 2.18c. Formas de Onda da Corrente nos diodos.

26
2.6 - CIRCUITOS DE APLICAÇÃO PARA O DIODO DE POTÊNCIA:

Os Diodos de Potência tem sua aplicação quase que totalmente em Conversores CA/CC
(RETIFICADORES), com fonte de alimentação tanto monofásica quanto trifásica. Como não existe
controle para o início de sua condução, bastando o diodo estar diretamente polarizado, tanto a tensão
média quanto a tensão eficaz aplicada na carga, apresentam valores constantes. Este tipo de topologia
não controlada, é utilizada basicamente como fonte de alimentação para cargas resistivas/indutivas ou
como fonte de alimentação com filtro capacitivo na sua saída, utilizado para alimentar outras etapas de
conversão (CC/CC ou CC/CA).

A equação da tensão méoda para este tipo de Conversor é dada por:

2
1
VMÉDIO 
2.  V MAX .sen  .d
1
p
Onde:
-VMAX : Tensão Máxima de Entrada;
-p : número de pulsos da tensão de saída do retificador para um ciclo do
-1 e 2 : Intervalo de Integração da Tensão de Entrada.

2.6.1 – Retificadores Monofásicos:

A- Retificador Monofásico de Meia Onda:

a) b)

Figura 2.19: Retificador Monofásico de Meia-Onda: a) Carga Resistiva; b) Carga R-L, com Diodo de
Retorno

Como: p = 1; 1 = 0; 2 = 


1 VMAX
VMÉDIO 
2.  VMAX .sen  .d 
0

p

27
B- Retificador Monofásico de Onda Completa:

B.1- Com Transformador com Tap Central:

Figura 2.20: Retificador de Onda Completa com Tranformador com Tap Central

B.2- Ponte Retificadora com Transformador de Secundário Simples:

Figura 2.21: Retificador de Onda Completa em Ponte

-p = 2; 1 = 0; 2 = ;
- VMAX: Tensão Máxima de 01 enrolamento do transformador


1 2.VMAX
VMÉDIO 
2.  VMAX . sen .d 
0

.

28
2.6.2 - Retificadores Trifásicos :

A- Retificador Trifásico de Meia Onda:

Figura 2.24: Retificador Trifásico de Meia Onda

Obrigatoriamente o secundário do Transformador deve ser conectado em Estrêla. O retorno da

corrente de carga é feita via Neutro do Transformador.

- p = 3; 1 = /6; 2 = 5./6
- VMAX: Tensão Máxima de Fase

5.
6
1 3. 3VMAX ( FASE
VMÉDIO   VMAX ( FASE ) . sen  .d 
)

2.  2.
3 6

29
B- Retificador Trifásico de Onda Completa:

Figura 2.24: Retificador Trifásico da Onda Completa a) Circuito; b) Formas de Onda.

O Secundário do Trnsformador pode ser tanto em Estrêla quanto em Triângulo. O

retorno da Corrente de Carga para a fonte de alimentação é feita via diodos.

- p = 6; 1 = /3; 2 = 2./3
2.
3
1 3.VMAX ( LINHA )
VMÉDIO 
2.  VMAX ( LINHA ) . sen  .d 
 
6 3

30
2.6.3- Outras Configurações:

- Retificador de Doze Pulsos Sem Controle:

(c)
Figura 2.25: Retificador de Doze Pulsos: a) Tensão na Carga; b) Corrente na Carga; c) Circuito.

31
 Lista de Exercícios

1)- O retificador monofásico de meia onda a diodo, é utilizado para alimentar uma carga. A fonte de
alimentação disponível é VS igual a 240V/50Hz. Pede-se para calcular a tensão média (VMÉDIO e a
tensão eficaz (VRMS) na carga, quando:
a)- Carga puramente resistiva com R= 10Ω;
b)- Carga R-L com R= 10Ω e L= 0.1H

2)- Para se controlar uma carga indutiva ( R = 15 e L = 5mH ), acionada através de um diodo em
série com uma chave, alimentada por uma fonte de tensão CC igual a 150V, deve-se ligar um
capacitor C em série com a carga, de forma a permitir que a corrente se anule num certo tempo t,
comutando o diodo. Dispõe-se dos seguintes valores de capacitores :

+
S +
i
D
R V
R
-
+

Vs L VL

+
C V
- C
-

C1 = 100F/150V; C2 = 100F/200V; C3 = 15F/150V e C4 = 15F/200V

Pede-se:
a) - Escolher o capacitor que permite o funcionamento correto do circuito!!!! Justificar a escolha através de
cálculos!!!!!!!!!!!
b) - Qual a especificação de tensão e corrente para o diodo???

3)- É disponibilizada uma carga CC, altamente indutiva, com característica de tensão e corrente
nominais de 500V/300A. Deseja-se fazer a especificação dos diodos dos retificadores utilizados para
alimentar a referida carga, bem como a especificação do transformador de alimentação. Os diodos
devem ser especificados em função da tensão repetitiva reversa máxima (VRRM) e da corrente média
(IDMÉDIO). O transformador deve ser especificado através de sua relação de espiras (N1:N2) e Potência
Aparente (VA). Assim, pede-se qeu sejam realizadas as especificações quando o retificador é:
a)- Monofásico em ponte, com transformadorde enrolamento simples com tensão no primário de
220V/60Hz;
b)- Trifásico de meia onda, com transformador (Y-Y), com tensão de fase no primário de 127V/60Hz;
c0- Trifásico de onda completa, com transformador em (Δ-Y), com tensão de linha no primário de
220V/60Hz.

- Exercícios do Livro: Eletrônica de Potência – dispositivos, Circuitos e Aplicações (4ª. Edição):

- Capítulo 2: 2.1 ao 2.13; 2.15 ao 2.17 e 2.22 ao 2.34

- Capítulo 3: 3.1; 3.5; 3.7 e 3.8

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