Reflexões (Presidente Franklin Roosvelt)

“É melhor atirar-se à vida em busca

de dias melhores, mesmo correndo
o risco de perder tudo, do que ser
daqueles que não disputam, mas
também não vencem. Que não
conhecem a dor da derrota, mas
que não tem a glória de ressurgir
dos escombros. Esses pobres de
espírito, ao final da jornada aqui na
terra, não agradecem a Deus por
terem vivido, mas desculpam-se
diante Dele por haverem passado
simplesmente pela vida.”
 Eletrônica de Potência

 Diodos Semicondutores de Potência;

 Capítulo 2, páginas 29 à 35;
 Aula 5;
 Professor: Fernando Soares dos Reis;
 Sumário Capítulo 2

 2.4 Tipos de Diodos de Potência;

 2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e
Reverso;
 RESUMO;
2.4 Tipos de Diodos de Potência

 Diodos padrão ou genéricos;

 Diodos de recuperação rápida;
 Diodos schottky
2.4.1 Diodos Genéricos

 Apresentam tempos de recuperação reversa da

ordem de 25s. São utilizáveis até freqüências de
1 kHz;
 Suportando correntes de 1 A até milhares de Amp;
 Geralmente são fabricados por difusão. Entretanto,
tipos de retificadores de junção fundida, utilizados
em fontes de alimentação de máquinas de solda, são
mais baratos e robustos. 300 A e 1000V
2.4.2 Diodos de Recuperação Rápida

 Apresentam tempos de recuperação reversa trr

menores que 5s.
 Suportando correntes de 1 A até centenas de Amp e
tensões entre 50 e 3000 V;
 Para tensões abaixo de 400 V utilizam a tecnologia
epitaxial aumentando assim a sua velocidade. Porém,
para tensões maiores é necessária a utilização da
difusão, o que aumenta o tempo de recuperação
reversa;
 2.4.3 Diodos Schottky
 O problema do armazenamento de cargas em uma jun-ção pn
pode ser minimizado, fazendo-se uma barreira de potencial
com um contato entre um metal e um semi-condutor. Uma
camada de metal é depositada em uma fina camada epitaxial
de silício do tipo n. A barreira de potencial simula o
comportamento da junção pn. A ação dos portadores depende
apenas dos portadores majoritá-rios, e como resultado não há
portadores minoritários em excesso para se recombinarem. O
efeito de recupera-ção deve-se unicamente à capacitância
própria da junção semicondutora.
2.4.3 Diodos Schottky
 A corrente de fuga de um diodo Schottky é maior
que a de um diodo de junção pn e é diretamente pro-
porcional ao valor da tensão reversa;
 Assim, a máxima tensão disponível é geralmente
limitada a 100 V;
 A sua faixa de corrente esta entre 1 a 300 A;
 São utilizados em fontes de alimentação CC. Altas
correntes e baixas tensões;
 Aumentar eficiência;
 Pequena queda de tensão;
2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso

 A chave SW conduz de t = 0 até t = t1;

 O diodo Dm conduzirá de t = t1 até t = t2 devido a
presença do indutor no circuito;
 No instante t = t2 um novo ciclo tem início com a
condução da chave SW;
 di di
I RR  2 QRR dt
dt

IRR
2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso
 Para limitar o pico de corrente acrescenta-se um pequeno
indutor em série com a chave SW. O indutor Ls limita a di/dt;
 Os diodos práticos requerem um certo tempo de entrada em
condução trf (tempo de recuperação direta - forward recovery
time) antes que todo a área da junção se torne condutiva;

di VS

dt LS
2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso

VS
di VS I p  I 0  t rr
 LS
dt LS

i1

i2
di VS
I RR  t rr  t rr
dt LS
2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso

1 VS
WL  LS I 2 I p  I 0  t rr
2 LS

 A energia armazenada em excesso em LS induziria

uma tensão reversa elevada em Dm;
 Essa energia em excesso pode ser transferida do
indutor Ls para um capacitor CS;
1   VS 
2
 1 2
WR  LS  I 0  t rr   I 0 
2
WC  C S VC
2  LS   2
RESUMO

 As curvas dos diodos práticos diferem dos diodos

ideais;
 O trr tem um papel significativo, especialmente em
aplicações de alta velocidade de chaveamento;
 Diodos genéricos;
 Diodos de recuperação rápida rápida;
 Diodos Schottky;
RESUMO

 Diodos Schottky; Apesar de um diodo Schottky

comportar-se como um diodo de junção pn, não há
junção física; e como resultado o diodo Schottky é
um dispositivo de portadores majoritários. Por outro
lado, um diodo de junção pn é um dispositivo de
portadores tanto majoritários quanto minoritários;