CAPÍTULO 3 - TIRISTORES :

O tiristor é um importante dispositivo semicondutor utilizado na eletrônica industrial. O nome

tiristor é dado à uma família de semicondutores de 4 camadas pnpn com três junções e três terminais :
anodo (A), catodo (K) e gate (G).

O componente principal da família dos tiristores é o SCR, que por ter uma aplicação muito
grande em eletrônica de potência, recebe em muitas bibliografias a denominação de tiristor. Deve-se,
portanto, considerar que : todo SCR é um tiristor mas, nem todo tiristor é um SCR. Neste item estuda-
se as características de funcionamento de alguns tiristores, principalmente o SCR.

3.1 - SCR ( SILICON CONTROLLED RECTIFIER ) :

O SCR, como o próprio nome diz, é um dispositivo de controle de potência composto por uma
estrutura de 4 camadas, com três treminais, como é mostrado na figura 3.1.

a) b)
Figura 3.1 : a) Símbolo do SCR, b) Estrutura do SCR

O gate do SCR permite controlar o momento em que a condução deve se iniciar.

Quando a tensão VA>VK as junções j1 e j3 são diretamentente polarizadas. A junção j2 está
reversamente polarizada e somente uma pequena corrente de fuga circula pelo SCR. Se VAK atinge um
valor suficientemente grande que venha a romper a junção j2, o SCR conduz por sobretensão (foward
breakdown voltage), assim há o movimento de elétrons através das três junções, resultando em uma
corrente de anodo grande.

A queda de tensão de condução direta do SCR é tipicamente 1V, podendo ser menor ou maior,
dependendo do nível de potência do componente.

Uma vez que o SCR está conduzindo, não há mais controle sobre o componente ou seja, o
circuito de gate perde a sua função. Para que o SCR cesse sua condução, a corrente IAK deve ser levada
à um valor inferior a corrente de manutenção IH, especificada pelo fabricante, indo para então para o
estado de bloqueio reverso.
Quando VA<VK, a junção j2 fica diretamente polarizada mas, j1 e j3 reversamente polarizadas
ficando o SCR, reversamente polarizado.

O SCR pode ser analisado através da analogia de 2 transistores complementares pnp-npn, como
mostrado na figura 3.2.

Figura 3.2 : modelo do SCR equivalente a 2 transistores

Equancionando-se as correntes nos dois transistores Q1 e Q2, tem-se:

IC   . I E  ICBO (3.1)

IC
 (3.2)
IE

Transistor Q1
IC1  1. I A  ICBO1 (3.3)

Transistor Q2
IC2   2 . I K  ICBO2 (3.4)

I A  IC 1  IC 2 (3.5)

I A   1 .I A  I CBO 1   2 .I K  I CBO 2 (3.6)

 Para uma corrente de gate IG,
I K  I A  IG (3.7)
Portanto, a corrente de anodo IA é dada por :

1 . I G  I CBO1  I CBO 2
IA  (3.8)
1  1   2 
1 : varia com IA;
2 : varia com IK = IA + IG
Antes da aplicação do pulso no gate existem apenas pequenas correntes de fuga devido ao
movimento de alguns elétrons-livres no corpo do componente. ( ICBO1 e ICBO2 ).

Um simples pulso no gate, incrementa a corrente que por sua vez incrementará 1 e 2. Este
incremento fará com que IA aumente. Assim existe uma realimentação positiva. Se ( 1+2 ) tender a
1, a corrente IA tenderá para o infinito. Com esta realimentação, não é mais necessário a manutenção
do pulso no gate do SCR. Esta “auto-realimentação” levará os dois transistores à saturação, fazendo
com que o mesmo passe a conduzir uma corrente IAK ( que geralmente é uma corrente de carga ).

Em condições transitórias, capacitâncias transitórias das junções, mostradas na figura 3.3,

influenciam nas características do SCR.

Figura 3.3

Se o SCR está bloqueado, um transitório dV/dt sobre o componente provoca uma alta corrente
através dos capacitores das junções. A corrente através do capacitor da junção j2, Cj2 é dada por :

 
dQ j 2 d dC j 2 dV j 2
i j2   C j 2 .V j 2  V j 2 .  C j2. (3.9)
dt dt dt dt
Onde :
Cj2 : capacitância da junção j2;
Vj2 : tensão da junção j2;
qj2 : carga na junção j2.
 Se a taxa de subida da tensão ( dV/dt ) for grande, então ij2 se tornará grande resultando no
aumento das correntes de fuga ICBO1 e ICBO2. Estes aumentos fazem com que ( 1+2 ) tendam a 1,
resultando o disparo do SCR. Esta corrente ij2 poderá danificar o componente.

3.1.1 - CARACTERÍSTICA VxI :

Na figura 3.4 é mostrada a característica VxI do SCR. Na região reversa, nota-se que a curva é
semelhante àquela de um diodo normal de silício: ao aumento da tensão aplicada corresponde a
passagem de uma pequena corrente ( microampères ), até se atingir a tensão de ruptura reversa, além
da qual se tem um rápido aumento da corrente e a destruição do componente.

A IAK
região
IAK
direta
VAK d

VG IG G IG3 IG2 IG1 IGO=0

IH
K VBR
V
VH VB3 VB2 VB1 VBO A
K

região reversa

a) b)
Figura 3.4 : a) circuito , b) característica VxI

Na região direta, e na ausência da corrente de gate IG, tem-se também a passagem de uma
pequena corrente de fuga direta ( microampères ), até que se atinja a tensão de “break-over” (tensão de
ruptura direta), à partir da qual o SCR entra em condução, assumindo então a característica de um
diodo normal, com uma queda direta de cerca de 1,5V, ligeiramente crescente com o aumento da
corrente.

Quando se aplica uma corrente IG, a tensão de “break-over” cai em proporção a esta corrente;
com uma corrente de gate suficientemente elevada, o SCR passa à condução com qualquer valor de
tensão aplicada, desde que superior ao valor da queda direta ( VH - holding voltage ).

Assim pode-se dizer que :

IG3>IG2>IG1>IG0  VB3<VB2<VB1<VB0
Esta corrente de gate IG é especificada pelo fabricante. Este forneçe a amplitude desta corrente
e o tempo em que esta tem que ficar aplicada no gate do SCR, de forma a garantir o disparo do
componente. Se a amplitude ou o tempo não forem respeitados, o SCR deixará de conduzir assim que
fro retirado o pulso do gate.
 Para que o SCR continue a conduzir, após ser retirado o pulso do gate, é necessário que a
corrente IAK tenha um valor superior a da corrente de manutenção IH ( holding current ). Esta corrente
é especificada pelo fabricante na folha de dados do componente.

3.1.2 - MÉTODOS DE DISPARO E DE COMUTAÇÃO DO SCR :

a) - DISPARO :

Para que o SCR possa ser disparado, é necessário que ele esteja diretamente polarizado ou seja,
a tensão de anodo VA mais positiva que a tensão de catodo VK.

Os métodos mais utilizados para se disparar um SCR, são :

a.1) - disparo por sobretensão : sem aplicar-se corrente no gate do SCR ( IG=0 ), aumenta-se
o valor da tensão direta VAK, até que se atinja a tensão de “break-over” do componente. Neste ponto o
SCR entra em condução e assume uma característica igual a do diodo de potência.

Este método de disparo pode ser observado na analogia a dois transistores, visto na figura 3.2.
As pequenas correntes de fuga ICBO1 e ICBO2, não são capazes de levar os transistores à saturação. À
medida em que a tensão VAK vai aumentando, um número maior de elétrons livres vão sendo atraídos
do catodo ( pólo negativo da bateria ) para o anodo ( pólo positivo da bateria ). A entrada do
componente em condução acorre quando os elétrons livres próximos da junção 2 são suficientes para
rompê-la, estabelecendo o fluxo de elétrons do catodo para o anodo ( fluxo inverso para a corrente ).
Não é um tipo de disparo desejado uma vez que sempre irá se disparar o SCR próximo do limite de sua
tensão direta máxima.

a.2) - disparo por dV/dt : é um disparo indesejado que ocorre quando há uma variação brusca
na tensão VAK. O fabricante geralmente fornece o valor máximo da taxa de crescimento ou
decrescimento da tensão ( dV/dt ) do componente. Utilizando-se este dado, pode-se protejer o SCR
através da colocação de SNUBBER ( circuito RC em paralelo com o componente ). Este tipo de
disparo pode alterar as caracterísitcas elétricas do componente ou mesmo, danificá-lo.

a.3) - disparo por aumento de temperatura : este tipo de disparo também se torna indesejado
pois, implica na entrada em operação do componente em um instante não previsto. Isto pode ocosionar
problemas tanto no componente, quanto no sistema como um todo.

Este disparo ocorre quando o SCR está próximo de uma fonte de calor ou a própria temperatura
ambiente é relativamente elevada. As correntes de fuga observadas na figura 3.2, são desprezíveis.
Mas, ao aproximar-se uma fonte de calor, começam a ocorrer a quebra de algumas ligações covalentes
no cristal de silício. Isto proporciona um aumento no número de elétrons livres que por sua vez,
implica num aumento de corrente. Este torna-se ainda maior pois, existe o efeito da realimentação dos
dois transistores. Em um determinado instante esta corrente é alta o suficiente para levar os transistores
à saturação determinando a condução do SCR. Este disparo, geralemente, não danifica o componente.

a.4) - disparo por pulso no gate : e´o disparo tradicional do SCR. Consiste em se aplicar um
pulso (CC ) no gate do SCR, durante um tempo suficiente, para que o mesmo passe para o estado de
condução. Pela curva característica VxI do SCR ( figura 3.4 ), percebe-se que quanto maior a
intensidade desta corrente, menor será a tensão VAK em que o SCR irá disparar. O fabricante já fornece
este valor de corrente, de maneira que o componente sempre entre em condução com uma tensão VAK
bem menor que a tensão de “break-over”.

a.5) - disparo por luz ou radiação : é um tipo de disparo específico para um tiristor conhecido
como LASCR ( Light Actived Silicon Controlled Rectifier ). No gate deste componente, existe uma
janela que quando inside-se luz provoca o disparo do componente.

b) - COMUTAÇÃO :

Comutar um SCR significa levá-lo do estado de condução, para o estado de bloqueio. São
muitos os tipos de comutação utilizados para se comutar um SCR. O tipo de comutação depende,
necessariamente da fonte que está alimentando o circuito onde está o componente e, deve-se observar
que a comutação do componente irá ocorrer quando a corrente IAK for menor que a corrente de
manutenção IH ( IAK  zero ) ou, quando aplicar-se uma tensão revera sobre os terminais do SCR ( VAK
< 0 ). Assim pode-se citar alguns tipos de comutação :

b.1) - comutação natural : ocorre geralmente em circuitos cuja fonte de alimentação é

senoidal (CA). Seja a carga resistiva ou indutiva, exite um instante em que a corrente naturalmente irá
passar por zero. Uma vez que isto ocorre, o SCR comuta.Os conversores CA/CC ( retificadores )
apresentam este tipo de comutação.

b.2) - comutação forçada : ocorre quando a fonte de alimentação do circuito é CC. Assim são
criados meios para que a corrente IAK passe por zero, num determinado instante, ou seja aplicada uma
tensão revers sobre o SCR. Dentre estes métodos pode-se citar :

 - comutação pela carga : a própria carga força a corrente à passagem por zero. Esta carga
deve ter, necessariamente, uma característica subamortecida;

 - comutação por tensão reversa : através de configuração apropriada, aplica-se num

determinado instante uma tensão reversa sobre os terminais do SCR. Esta tensão é
provocada pela colocação de um capacitor em paralelo ou em série com o SCR;

 - auto-comutação : o disparo do componente provoca, após um certo tempo a comutação

do mesmo;

 - comutação por impulso auxiliar : utiliza-se um SCR auxiliar para comutar o SCR
principal. Após um certo tempo, o SCR auxiliar também comuta;

 - comutação por impulso complementar : uma vez que o SCR já esteja conduzindo, este é
comutado através do disparo de seu complementar;

 - comutação por pulso de corrente : utlizado para comutar o GTO ( Gate Turn-OFF ).
Aplica-se um pulso negativo com elevada ampltude mas, com tempo muito pequeno,
provocando a comutação do componente.

Todos os métodos de comutação forçada com excessão deste último, utilizam circuitos
subamortecidos ( LC ) para proporcionar a oscilação da corrente IAK. Isto torna o circuito com SCR
bastante complexo e caro. Deve-se procurar alternativas para esta situação ( transistores, GTO, IGBT ).
3.1.3 - TERMINOLOGIAS DO SCR :

Neste item são apresentadas as principais terminologias par o SCR, encontradas nos catálogos
de fabricantes.

a) - anodo-catodo :

a.1) - tensão de disparo direto (VBO) e reverso (VBR): é o mínimo valor de tensão direta e
reversa que fará com que o componente entre em condução sem que seja aplicado pulso no gate;
a.2) – tensão direta repetitiva máxima (VDRRM) e tensão reversa repetitiva máxima (VRRM): é a
máxima tensão direta e reversa repetitiva que o SCR pode suportar, sem entrar em condução ou sofrer
ruptura respectivamente;
a.3) - dV/dt: é o mínimo valor da taxa de crescimento da tensão aplicada no sentido direto, que
provocará a condução do SCR;
a.4) - IH: corrente de manutenção que permite ao componente continuar em condução;
a.5) – IT(AV): máximo valor de comrrente média que o SCR pode conduzir;
a.6) - IT(rms): máximo valor de corrente eficaz que o SCR pode conduzir;
a.7) - Itsm : corrente de surto;
a.8) - di/dt: valor máximo da taxa de crescimento da corrente, que o SCR pode suportar, em
condução, sem ser danificado;

b) - gate-catodo :

b.1) - VGT : tensão CC necessária para produzir a corrente de gate IG para o disparo do SCR;
b.2) - IGT : corrente de disparo necessária para “disparar” o SCR;
b.3) - PGM : potência de pico do gate;
b.4) - PG(AV) : máximo valor permitido para a dissipação de potência de gate que a junção do
gate do SCR pode suportar.

c) - temperatura :

c.1) - TJ : temperatura de operação;

c.2) - Tstg : temperatura de armazenamento do componente, sem ocasionar danificação;
c.3) - TC : temperatura do invólucro do dispositivo sob condições específicas de carga.

EXEMPLO : SCR TIC106D :

VBO = : VBR = 400V

VDRM = VRRM = 400V
IH = 5mA
IT(AV) = 3.2A
IT(RMS) : 5.0A
ITSM : 30A
IGT : 0.2mA (TPULSO  300s)
PG(AV) ; 0.3W
PGM : 1.3W
TJ : - 40°C a 110°C
TSTJ : - 40°C a 125°C
TC : 230°C
3.1.4 - CARACTERÍSITCAS TÉRMICAS DO SCR :

a) - Perdas no SCR :

O comportamento de um SCR ou de um Diodo é função da temperatura da junção central.

Acima de 125°C para os SCR´s e, 150°C para os Diodos, existe risco de destruição das propriedades
do semicondutor. A elevação da temperatura em um SCR ou no Diodo, se deve à energia elétrica
dissipada. As características térmicas estão relacionadas com as perdas produzidas nos períodos em
que existe corrente e tensão no componente. Assim, a dissipação de potência em um SCR pode ser
dividida em cinco partes :

a) - dissipação no estado de bloqueio no sentido direto : pouca dissipação devido ao baixo

valor da corrente direta ( IAK ), apesar da tensão VAK se geralemente elevada;

b) - dissipação durante o chaveamento do estado de bloqueio direto para o estado de

condução : a potência instantânea neste período é muito alta mas, durante um apenas um
pequeno intervalo de tempo (s), o que forneçe uma potência média baixa;

c) - dissipação durante o estado de condução : onde há maior dissipação de energia pelo

SCR;

d) - dissipação durante o chaveamento do estado de condução para o estado de bloqueio

reverso : também apresentam uma pequena dissipação de energia, semelhante ao item b;

e) - dissipação devido a polarização do gate : esta dissipação é desprezível, quando

comparda com as dissipações em bloqueio e condução.

Na figura 3.5, são ilustradas as etapas a, b, c e d :

VDIRETA
ICARGA

-IFUGA

t
IFUGA VCONDUÇÃO
-IRR

VREVERSA

POTÊNCIAS
a b c d
t
Figura 3.5: curvas de tensão, corrente e potência dissipada
 b) - Potência média :

A dissipação no componente é calculada em função do valor médio da corrente, fazendo-se

instantâneamente o produto da corrente pela tensão. As curvas de potência média são baseadas em uma
forma de onda, que é o que restou de um meia onda senoidal, resultante do atraso no disparo do
componente. Existem também curvas baseadas em formas de onda retangulares , ilustradas na figura
3.6.

Figura 3.6

Na figura 3.6, são apresentadas as curvas características de potência média, para o SCR Bst
L45, tanto com alimentação senoidal quanto não senoidal ( quadrada )

c) - Resistência térmica :

A temperatura de junção é um dos parâmetros mais importantes de um componente

semicondutor. Ultrapassado o seu valor máximo, o componente perde suas características definidas nas
folhas de dados. O calor resultante da potência dissipada na junção, flui pelas partes que compõem o
componente, pelo dissipador e, finalmente, é irradiado para o ambiente. Assim, pode-se definir um
circuito elétrico equivalente, mostrado na fiugra 3.7.
Tj - temperatura de junção

r - resistência diferencial

Rjc - resistência térmica junção-cápsula

Tc - temperatura cápsula-dispositivo
Pmédia Rcs - resistência térmica cápsula-dissipador
Ts - temperatura do dissipador
Rsa - resistência térmica dissipador-ambiente

Ta - temperatura ambiente
Figura 3.7 : circuito elétrico equivalente

TJ  TA  PMÉ DIA .  r  RJC  RCS  RSA  (3.10)

Onde : RCA = RCS + RAS

 r : resistência fictícia que leva em conta o fato de que em regime pulsado, o valor de pico da
temperatura é maior do que em regime contínuo de mesmo valor médio de potência (fator de
correção). O fabricante fornece o valor da resistência térmica diferencial na forma de um gráfico em
função do ângulo de condução, como está mostrado na figura 3.8.

Figura 3.8

O valor de RJC é fornecido pelo fabricante, pois depende das características internas do
dispositivo. A resistência RCS, é afetada pelos procedimentos de montagem, embora alguns
fabricantes forneçam este dado para determinadas condições de montagem. Alguns fabricantes de
SCR´s, já apresentam um valor total para a resistência RCA, aplicável a cada tipo de dissipador e
determinadas condições de ventilação. A figura 3.9 mostra a curva que relaciona a resitência térmica
cápsula-ambiente para o SCR Bst L45, montado em um dissipador tipo PK20 ( Icotron S/A ).

Figura 3.9
 O dissipador de potência é um importante elemento para que a temperatura no componente,
possa ser melhor dissipada e, consequentemente, não seja atingida a máxima temperatura de junção.

Uma forma de se determinar o fluxo de ar necessário em um dissipador, é dado através das

curvas Itmédio x Tamb. ( forma de onda senoidal e quadrada ) dados pelo fabricante. Na figura 3.10a
(senoidal) e 3.10b ( quadrada ), dá-se esta relação de corrente, temperatura e fluxo de ar, para
dissipadores KK32.

Figura 3.10
 Montando-se dois módulos de SCR, no mesmo dissipador, o circuito elétrico equivalente é
dado na figura 3.11. Cada módulo de SCR, tem sua resistência à passagem do calor. Para efeito de
análise e cálculo, supõe-se que existe uma perfeita simetria entre os SCR´s do módulos. Observar que
quando se fala em módulo, deve-se entender que existem dois SCR´s no mesmo.

(1/2)r (1/2)r

(1/2)Rjc
(1/2)Rjc

Ptotal
(1/2)Rcs (1/2)Rcs

Rsa

Figura 3.11

OBS : cada módulo contribui com a sua resistência térmica equivalente, sendo utilizado para cálculo, a
associação térmica do dois módulos.

PTOTAL  n. PT (3.11)

 R  r 
TJ  TA  PTOTAL . JC  RCA  (3.12)
 n 

Onde :
PTOTAL : potência total no dissipador;
PT : potência dissipada em um dos SCR‟s;
n : quantidade de SCR‟s por dissipador

3.1.5 - ESPECIFICAÇÕES DE CORRENTE E TENSÃO :

Estas especificações são geralmente determinadas na pior condição, ou seja, quando a

temperatura da junção é máxima. Após estes testes, já não são garantidos vários parâmetros do SCR.

a) - Corrente :
As especificações de corrente de um SCR podem ser divididas em duas classes : especificação
de corrente recorrente e epscificação de corrente não recorrente.

a.1) - Correntes recorrentes : ou periódicas são aquelas em que o componente é aplicado de

uma maneira tal, que o máximo valor de temperatura de junção não é excedido.

*Corrente média ( IT(AV) ) : é apresentada na forma de curva de degradação, parametrizada

pelo ângulo de condução (  ). A curva é apresentada na forma de TC x ITAV ( TC :temperatura de
encapsulamento ), mostrada na figura 3.12 para o caso de um SCR Bst L45.
 Figura 3.12.

Se, por exemplo , a temperatura da cápsula aumentar, não será possível manter a corrente, no
seu valor médio original pois, a temperatura máxima da junção será excedida. Deve-se, então, diminuir
o valor médio da corrente.Para se obter um mesmo valor médio de corrente, que se tem quando o
ângulo de condução é grande, deve-se ter um pico de corrente maior para um ângulo de condução
menor. Isto acarreta num maior aquecimento de junção durante a condução.

I MAX
I MÉ DIO  .1  cos  (3.13)
2. 

*Corrente eficaz ( ITRMS ) : a especificação do valor eficaz da corrente é sempre utilizado no

dimensionamento de um circuito, apesar de não ser muito visível ao projetista, visto que ele está
interessado no valor da corrente média fornecida à carga. Mas, uma vez especificada a corrente média,
o valor da corrente eficaz já estará determinada.

1
 1  
. I
2
I TRMS  2
.sen 2 . d (3.14)
 2.   MAX 

1
 1  sen 2  2
I TRMS  I MAX .    (3.15)
 4 4.  8.  

O patamar onde o valor médio é limitado, para cada ângulo de condução, corresponde ao valor
eficaz máximo permitido para o componente. A especificação do valor eficaz da corrente de um SCR é
necessária para evitar aquecimento excessvio das partes resistivas que compõem o componente (
juntas, terminais, etc. ).
 a.2) - Correntes não-recorrentes :ou não-periódicas, são aquelas em que se permite que a
máxima temperatura de junção seja excedida por um breve período de tempo. Isto geralmente ocorre
quando há uma sobrecarga ou uma falha no funcionamento do circuito. Desta forma, os SCR´s ficam
sujeitos à temperaturas de junção maiores que a especificada.

*Corrente de surto ( ITSM ) : o valor de ITSM é determinado experimentalemtne, fazendo com

que o componente conduza semiciclos senoidais de corrente em 60Hz, com amplituda igual ao
máximo valor eficaz especificado. A seguir é aplicado um meio-ciclo de corrente acidental. Logo após,
segue-se um meio-ciclo de onda senodal em 60Hz, de tensão reversa, com uma amplitude igual à
especificação de bloqueio não repetitivo. Se após este teste o componente não perder sua capacidade
de bloqueio, eleva-se o valor da corrente acidental aplicada, repetindo-se o procedimento. Prossegue-
se até que ocorra uma falha. Avaliando-se o limite de sobrevivência de um número elevado de
amostras, estabelece-se o valor de ITSM. Na figura 3.13 está ilustrado este teste.

ITSM

ITRMS

VRSM

Figura 3.13 : curvas de corrente e tensão do SCR para determinação de ITSM

*Capacidade térmica de corrente ( I2t ) : a especificação desta grandeza é dada na figura

3.14. É utilizada para se especificar a capacidade térmica dos fusíveis de proteção.

I2t ( fusível ) < I2t ( SCR )

IPP

IRMS

tS
Figura 3.14

O valor da corrente eficaz é dado por :

I PP
I RMS  (3.16)
tS
 Para um tempo tS, obtém-se o valor da corrente de pico permito ( IPP ). Assim, determina-se o
valor da corrente eficaz I.

O valor de I2t é dado por :

I 2 t  I 2RMS . t S (3.17)

Esta especificação presume que o fusível irá eliminar uma falha em menos do que meio-ciclo.
Entretanto, antes que isso ocorra, o SCR estará sujeito à temperaturas elevadas.

*Taxa de crescimento de corrente de anodo ( di/dt ) : esta taxa determina o máximo di/dt
que o SCR pode suportar. Valores típicos de di/dt são 200A/s para SCR´s de controle de fase
(retificadores) e, 800A/s para SCR´s utilizados em inversores.

Quando um SCR é disparado, através de uma corrente de gate, inicialmente o fluxo de corrente
se concentra em uma área próxima ao gate. A área de concentração de corrente se espalha por toda a
área de catodo a uma taxa aproximada de 0.1mm/s. Se a corrente de anodo aumentar muito
rapodamente, haverá um aquecimento localizado nesta área preferencial, face à elevada densidade de
corrente, resultando em temperaturas extremamente elevadas, podendo causar a destruição do
componente.

Este di/dt geralmente ocorre no instatne de chaveamento do SCR. Assim coloca-se um indutor
em série com o SCR limitando o crescimento indesejado da corrente.

b) - Tensão :

As especificações de tensão também podem ser classificadas em : tensão direta e tensão

reversa.

b.1) -Tensão direta : quando o SCR é polarizado diretamente.

*Tensão direta repetitiva máxima ( VDRM ) : é a máxima tensão direta repetitiva que o SCR
pode suportar, sem que passe do estado de bloqueio direto para o estado de condução ( IG = 0 ).

*Tensão direta de surto máxima ( VDSM ) : é a máxima tensão direta, não repetitiva, que o
SCR pode suportar, sem passar do estado de bloqueio direto para o estado de condução. Este valor de
corrente, se ultrapassado, danifica o componente. A figura 3.15 mostra as duas especificações dadas.
 VAK
VDSM

VDRM

A B C
Figura 3.15 : aplicação das especificações de VDRM e VDSM

A : região de operação normal do SCR;

B : região onde o SCR pode disparar mas não se danifica;
C : região onde o SCR pode disparar e pode ser danificado.

*Taxa de crescimento da tensão direta ( dV/dt ) : se houver variação muito rápida da tensão
VAK, esta variação pode ocasionar uma corrente suficiente para que, somada à corrente de fuga que
circula pelo SCR ( ICBO ), provoque o disparo acidental do mesmo. Uma maneira de se limitar este
dV/dt é o de se colcar um circuito “SNUBBER”, já visto anteriormente.

b.2) -Tensão reversa : quando o SCR é polarizado reversamente, ele atinge uma valor de
tensão reversa que desencadeia um fenômeno de ruptura, que se ultrapassado, provoca a destruição do
componente.

*Tensão reversa repetitiva máxima ( VRRM ) : é a máxima tensão reversa repetitiva que o
SCR pode suportar, sem que ocorra a ruptura.

*Tensão reversa de surto máxima : ( VRSM ) : é a máxima tensão reversa, não repetitiva, que
o SCR pode suportar sem que ocorra a ruptura ( às vezes pode ocorrer ).

3.1.7 - TEMPOS DE DISPARO E DE COMUTAÇÃO :

Observando a figura 3.16, abaixo, tem-se que :

IG
0.9IG

t
IA
0.9IA

0.1IA
t
tr td
tON

Figura 3.16
 a) - Tempo de disparo ( tON ) : como o SCR não entra em condução imediatamente após a
aplicação do pulso na gate, pode-se definir o tempo de disparo como sendo o intervalo entre
o ponto no início do pulso de gate e o instante em que a tensão no SCR sobe a um valor
especificado, durante o chaveamento de um SCR do estado de bloqueio ao estado de
condução. Este tempo também representa a duração mínima que deve ter o pulso de
corrente de gate IG. Logo :

t ON  t d  t r (3.18)

Onde :
td : tempo de atraso ( delay time ) - 0.90.IG  td  0.10.IA;
tr : tempo de crescimento ( rise time ) - 0.10.IA  tr  0.90.IA

b) - Tempo de comutação ( tOFF ) : é o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente

do SCR cai à zero, e o instante em que o mesmo está em condições de ser novamente
disparado. Este tempo é importante em circuitos cuja alimentação é CC, visto que há a
necessidade de se utilizar métodos de comutação forçada para o SCR. O valor de t OFF é
utilizado para calcular os elementos passivos ( indutor e capacitor ) que irão realizar o
processo de comutação forçada do SCR.

O tempo de comutação é definido por :

t OFF  t S  t f (3.19)

Onde :

tS : tempo de armazenamento ( storage time ) - é devido à recombinação da cargas armazenadas

próximas da junção. Este tempo é determinado à partir do instante em que a corrente IAK se anula, até o
instante em que ela atinge um valor negativo IRR. Pode-se dizer que tS é o próprio tempo de
recuperação reversa do SCR tRR.

tf : tempo de descida ( fall time ) - este tempo é determinado à partir do instante em que a
corrente IAH é igual à IRR, até o instante em que IAK se anula. Neste instante o SCR deve estar em
condições de ficar sujeito à uma tensão direta, podendo ou não ser novamente disparado. A figura 3.17
observa-se o tempo de comutação tOFF.
IAK tf
tS

- IRR

tOFF
Figura 3.17
 Os SCR´s que possuem tempos de comutação acima de 50s, são chamados de SCR´s de rede
(lentos ), sendo utilizados principalmente, em retificadores ( conversores CA/CC ). Os SCR´s rápidos
(abaixo de 50s são utilizados em aplicações de alta frequência ( conversores CC/CC e CC/CA ).

3.1.7 - CONEXÕES SÉRIE E PARALELO DO SCR :

a) - Conexão série :

Para aplicação em alta tensão, dois ou mais SCR´s devem ser conectados em série de modo a
dividir a tensão total aplicada . Na figura 3.18 são apresentadas as características de dois SCR‟s, à
princípio idênticos, mas que na verdade, apresentam características diferentes.

IAK

T2 T1
IT2

IT1

-V1 -V2
VAK

VT1 = VT2
IS

Figura 3.18

No caso de diodos de potência, apenas a tensão reversa é dividida entre os componentes. Já no

caso dos SCR´s, a tensão direta também é importante uma vez que o SCR pode estar sujeito à uma
tensão VAK diferente de zero ( geralmente alta ), quando é disparado.

Esta tensão direta é normalmente dividida, colocando-se resistores em paralelo com os SCR´s,
como é mostrado na figura 3.19, abaixo.

Figura 3.19 : conexão série de SCR‟s

 Para se obter tensões iguais nos componentes ( VT1 = VT2 ), necessariamente as correntes são
diferentes ( IT1  IT2).

Sendo nS o número de SCR´s conectados em série; IT1 a corrente através do SCR T1 e as

correntes IT2=IT3=IT4=ITn, onde IT1 < IT2. Nota-se que o SCR T1 por apresentar uma menor corrente de
bloqueio direto, suporta uma maior tensão de bloqueio direto do que os outros SCR´s. Se I1 é a
corrente através do resistor R1, que está em paralelo com T1, e as correntes através dos outros resitores
I2=I3=I4=In , tem-se que :

IT  IT2  IT21  IT  I2  IT  I1  I1  I2 (3.20)

Ou :

I2  I1  IT (3.21)
A tensão sobre o SCR T1 é :

VS  ( nS  1). R.IT
VT 1  (3.22)
nS
A tensão VD1 será máxima quando IT for máxima. Para IT1 igual a zero :

VS  ( nS  1). R. I D 2
VT 1  (3.23)
nS

Durante o estado de bloqueio reverso, as diferenças entre as cargas armazenadas nos SCR´s,
causam diferenças nas tensões reversas. O SCR com menor tempo de recuperação reversa ( trr ), terá
um maior transitório de tensão. As capacitâncias da junções que controlam dos SCR´s, normalmente
não são suficientes para suportarem estes transitórios. Assim, torna-se necessário a colocação de
capacitores (C1) sobre os SCR´s, como mostrado nas figura 3.15. Os resistores ( R1 ), colocados em
série com os capacitores limitam a descarga da corrente. A variação da tensão sobre o SCR T 1 é dada
por :

Q2  Q1 Q
V  R. I D   (3.24)
C1 C1

Onde Q1 é a carga armazenada no SCR T1 e Q2, a carga armazenada nos demais SCR´s ( Q2 =
Q3 = Q4 = Qn e Q1 < Q2 ). Substituindo a equação 1.74 na equação 1.72, tem-se que :

1   nS  1.Q 
VT 1  .VS   (3.25)
nS  C1 

O pior caso ocorre quandoQ1 é igual a zero. Assim :

1   nS  1. Q2 
VT 1  .V   (3.26)
nS  S C1 
 b) - Conexão paralelo :

Quando os SCR´s são conectados em paralelo, a corrente de carga nã é dividida igualmente

entre eles devido às diferenças nas suas características. Se um SCR suporta uma maior corrente que os
outros, isto ocasiona um aumento na dissipação de potência deste SCR, que por sua vez aumenta a
temperatura de junção, diminuindo a resistência interna. A consequência disto é a destruição do
componente pelo aumento da corrente. Quando este SCR queima, os demias SCR´s em paralelo têm
que assumir correntes maiores, o que ocasionará a destruição deles.

Para se forçar uma equalização de correntes boa entre os SCR´s, conecta-se em série com cada
um, uma pequena resistência. Pode-se também utilizar indutores magnéticamente acoplados. Se a
corrente pelo SCR T1 aumenta, uma tensão com polaridade invertida será induzida no indutor ligado
em série com o SCR T2, diminuindo a impedância no ramo deste SCR oque, por sua vez, ocasionará o
aumento da corrente po T2.. Estes métodos de equalização de corrente pode ser visto nas figura 3.20a e
3.20b.

Figura 3.20

3.2 – Proteções para o SCR:

3.2.1 – Proteção contra di/dt e dV/dt:

O circuito da figura 3.21 mostra os elementos de proteção contra di/dt (LS) e dV/dt (RS e CS)
que podem ser inseridos para proteção do SCR.

Figura 3.21: Proteção di/dt e dV/dt para o SCR.

 A proteção contra di/dt compreende a colocação em série de um indutor LS, que minimiza o
crescimento da corrente quando o SCR é ligado, evitando o seu aquecimento e preservando o
componente. O cálculo de LS é dado por (3.27).

Vs/(di/dt) (3.27)

A proteção contra dV/dt atua através da coloação de um capacitor CS e um resistor RS em série

e em paralelo com o SRC T1. Quando o SCR é ligado, a corrente de descarga do capacitor é limitada
pelo resistor. A equação (3.28) fornece o valor aproximado de dV/dt para o circuito da figura 3.21, de
onde se obtém o valor de CS.

( )
(3.28)

O valor de RS é determinado a partir do valor da corrente de descarga do capacitor (ITD).

(3.29)

O coeficiente de amortecimento δ é dado através da equação (3.30).

( ) (3.30)

3.2.2 – Proteção entre gate (G) e catodo (K):

Deve-se também, proteger o gate do SCR de forma a se evitar disparos indesejados do mesmo,
devido a ruídos de alta frequência. Esta proteção é feita colocando-se um resistor, ou um indutor ou
um capacitor, entre o gate e o catodo do SCR.
a ) - Efeito de um resistor entre gate e catodo :
A

IAK
IG
G
VG RG

Figura 3.22 : Proteção do gate utilizando-se um resistor.

a.1 ) - reduz a sensibilidade do gate. Os SCR‟s de baixa potência e grande sensibilidade são
disparados com corrente baixas. Coloca-se um resistor entre gate e catodo, para se evitar disparos
indesejados, devido a pequenas correntes de fuga originadas pelo aquecimento do componente;
a.2 ) - aumenta IH, pois há um desvio de corrente para o circuito de gate;
 a.3 ) - aumenta o limite dV/dt, pois a corrente originada por este efeito pode ser desviada para o
circuito de gate;
a.4 ) - aumenta a tensão VBO ( tensão de break-over );
a.5 ) - reduz o tOFF do SCR.

b ) - Efeito de um capacitor entre gate e catodo :

A

IA K
IG
G
VG C

Figura 3.23 : Proteção do gate utilizando-se um capacitor.

b.1 ) - aumenta o limite dV/dt;

b.2 ) - elimina as componentes de alta-frequência.
OBS : durante a condução do SCR, o gate se comporta como uma fonte que carrega o
capacitor. No estado bloqueado, a descarga poderá provocar disparos indesejados.

c ) - Efeito de um indutor entre gate e catodo :

A

IA K
IG
G
VG L

Figura 3.24 : Proteção do gate utilizando-se um indutor.

c.1 ) - aumenta o limite dV/dt;

c.2 ) - elimina componentes de baixa frequência;
c.3 ) - aumente IH;
c.4 ) - reduz o tOFF do SCR.
Um diodo também pode ser colocado entre gate e catodo, para proteger o gate de tensões
negativas.
3.3 – Circuitos de Disparo para SCR´S:

Os dispositivos eletrônicos de potência utilizados em eletrônica industrial, geralmente,

necessitam de circuitos auxiliares de comando, também chamados de circuitos de disparo. Estes
circuitos tem a função de produzir pulsos de tensão ou de corrente que são aplicados no gate ou na
base do componente, num tempo determinado, proporcionando assim, o disparo do componente de
potência.
Em alguns casos, a retirada do sinal de disparo, provoca a comutação do componente (
transistores ); em outros casos, há a necessidade de circuitos auxiliares de comutação forçada, para que
o componente ( SCR ) possa comutar.
Como estes circuitos de disparo apresentam um nível de potência baixo, se comparado com o
nível de potência do circuito principal, deve-se utilizar elementos que proporcionem um isolamento
elétrico entre estes circuitos, de forma que ruídos indesejados não venham causar o mau
funcionamento do sistema, ou até danificá-lo.
Existem várias configurações de circuitos de disparo, bem como vários dispositivos eletrônicos
utilizados para este fim. Alguns destes circuitos serão apresentados, com uma aplicação específica de
dispositivo de potência.

3.3.1 - Circuitos com isolação elétrica :

Em conversores que utilizam SCR‟s, existem diferentes níveis de potência ao longo do

circuito. O circuito de potência está submetido a tensões relativamente altas (acima de 100V ),
enquanto que os circuitos de disparo ficam sujeitos a tensões baixas (12V a 30V ). Torna-se importante
uma isolação elétrica entre estes dois circuitos, de maneira a proteger os circuitos e o próprio usuário.
A isolação elétrica é feita através de transformadores de pulso ou de optoacopladores.
A isolação com optoacopladores permite uma proteção melhor dos circuitos mas, há um
encarecimento do sistema devido a necessidade de se ter uma fonte CC extra, como mostrado na figura
3.25, onde o optoacoplador utilizado é um foto-SCR.
+ VCC
ICARGA
+
R1 TAUX.
TPRINC.
V1 D1
VS
RG
-

IG
R2 R CARGA

Figura 3.25: Isolação feita utilizando-se um foto-SCR.

A isolação com transformadores de pulso é a mais utilizada em circuitos de disparo para

tiristores, proporcionando uma boa qualidade do pulso mas, pode servir como caminho para ruídos
provenientes tanto do circuito de potência, quanto do circuito de disparo, ocasionando problemas de
operação e até queima de componentes.
Circuitos com transformadores de pulso são mostrados abaixo :
a) - Pulso estreito :

Figura 3.26: Isolação com transformador de pulso - pulso estreito.

* ANÁLISE : quando um pulso de tensão é aplicado na base do transistor Q1, este satura e a
tensão VCC é aplicada no primário do transformador, que induz uma tensão no secundário V2. Esta
tensão ( pulso ) é aplicada entre gate e catodo do SCR, provocando o seu disparo.
Quando o pulso é retirado da base de Q1, este corta e é induzida uma tensão com polaridade
invertida no primário do transformador, fazendo com que o diodo D2 conduza. Circula uma corrente
que é devido a energia armazenada no primário do transformador, que decai até zero, quando D2
bloqueia. Durante este intervalo de tempo, uma tensão reversa no secundário, também decai até zero.

b) - Pulso longo :
O pulso aplicado no gate do SCR pode se tornar longo, se um capacitor C 2 for colocado em
paralelo do o resistor R2, como mostrado na figura 3.26.

* ANÁLISE : uma tensão VC2 aparece nos terminais do capacitor C2. Quando o transistor Q1 é
cortado, o diodo D2 é polarizado diretamente mas, a tensão no transformador não inverte
instantaneamente, devido a descarga do capacitor. Após o capacitor ter se descarregado, ainda existe
energia armazenada no transformador, fazendo com que a tensão se torne negativa e, após um tempo ,
a tensão se anula.
A introdução da rede RC, aumenta a largura do pulso aplicado ao SCR. Assim, pode-se
estabelecer o tempo tON do SCR com os valores de R e C.
 c) - Gerador de trem de pulso :

Em muitos conversores de potência com carga indutiva, o período de condução de um SCR

depende do fator de potência da carga, logo, o início de condução do SCR não é definido. Neste casos,
torna-se necessário manter um pulso contínuo no gate do SCR. Isto ocasiona perdas no componente.
Para se diminuir estas perdas, aplica-se ao gate do SCR, um trem de pulsos. A figura 3.27 mostra o
circuito para se gerar o trem de pulso no gate do SCR.

Figura 3.27: Circuito gerador de trem de pulso.

* ANÁLISE : quando o transistor Q1 é ligado, é induzida uma tensão no enrolamento auxiliar

N3, que polariza reversamente o diodo D1, desligando o transistor. Neste instante p capacitor começa a
ser novamente carregado e liga Q1 novamente, repetindo-se o processo de “liga-desliga”. Esta técnica
permite a produção de um trem de pulsos, que é aplicado ao gate do SCR.

3.3.2 - Disparo em corrente contínua :

A característica V-A do gate é semelhante a da curva de um diodo, embora tenha uma

variação considerável de componente para componente. A figura 3.28 mostra, como exemplo, as
curvas de uma família de SCR‟s.

Figura 3.28 : Característica V-A de uma família de SCR‟s.

 O circuito que proporciona o disparo, deve :
a ) - considerar as variações da curva característica dentro destes limites;
b ) - não exceder as especificações de tensão, corrente e potência do gate;
c ) - assegurar que o disparo não ocorra quando não desejado, através de sinais indesejados
(ruídos);
d ) - assegurar que o disparo ocorra quando desejado.
Para que todas estas condições sejam satisfeitas, devem ser impostas restrições à curva
característica acima, como mostrado na figura 3.29.

Figura 3.29 : Limites da curva V-I.

As curvas A e B são limites da curva característica V-A de uma determinada série de SCR‟s.
As características de disparo são definidas na curva acima, por três zonas :
a ) - zona de disparo impossível ( área escura ) : o conhecimento desta zona é importante,
porque permite manter uma pequena tensão no gate que não provoca o disparo do SCR;
b ) - zona de disparo incerto : contém todos os pontos ( IGT e VGT ) de todos os SCR‟s da
família. Isto significa que qualquer SCR terá um ponto de disparo dentro desta área, ou seja, se é
desejado disparar um SCR, a tensão e a corrente de gate devem estar fora desta zona; pois, poderiam
ser disparados alguns SCR‟s desta família;
c ) - zona de disparo seguro : região na qual garante-se que apenas o SCR desejado será
disparado. Deste modo, a reta de carga do circuito de comando deve ser tal que não passe pela zona de
disparo incerto e se situe dentro da zona autorizada pelos valores máximos de tensão, corrente e
potência de gate.
As retas C e D, definem os valores máximos da tensão e corrente de gate. Além disso, o ponto
de operação deve estar o mais próximo possível da curva de potência máxima, para minimizar o tempo
de disparo. O ponto de operação do SCR é determinado pela intersecção da curva do SCR com a reta
de carga para VG = VS.
3.3.3 - Disparo em corrente alternada :

Através de sinais derivados da própria fonte CA, pode-se controlar de forma simples, tiristores
em aplicações em corrente alternada.
Observando-se o circuito da figura 3.30, tem-se que ao se variar R2, o ângulo de disparo  varia
de 0° até um máximo de 90°.
RCARGA

R1

VS R2 T

D1

Figura 3.30 : Circuito de disparo do SCR em corrente alternada.

Definindo RT ( R1 + R2), o seu valor para que o SCR dispare sempre no mesmo ponto é :

VDISPARO  2 volts
RT  ( 3.31 )
I GT

Onde : 2 volts :compensação da queda de tensão no diodo D1 e no diodo gate-anodo.

Para controle de  ( 0° a 90° ), o valor máximo de RT é dado por :

2.V
RTMAX  ( 3.32 )
I GT

3.3.4 - Circuito de disparo utilizando o UJT ( Transistor de Unijunção ) :

Este transistor é um dispositivo utilizado essencialmente em chaveamento. O UJT apresenta

algumas características :
a ) - dispositivo com três terminais ( e, b1 e b2 ) e uma junção PN;
b ) - sua tensão de disparo é uma fração fixa de sua tensão de alimentação, como mostrado na
figura 3.31
 B2 B2
B2
rB
2

E
P Vx
E E
D
r
B1
B1
B1
B1

a) b)
Figura 3.31: a) Símbolo; b) tensão de disparo do UJT.

rB1
Vx  .VBB  .VBB ( 3.33 )
rB1  rB2

rB1 e rB2 : resistências interbases;

 : razão intrínseca de equilíbrio ( 0,4.   0,9 )
c ) - permite a simplificação dos circuitos de disparo, reduzindo o número de componentes;
d ) - quando desativado possui uma resistência interna eleva ( 10k );
e ) - possui uma região de „resistência negativa”, mostrada na figura 3.32, bastante estável, o
que lhe permite ser empregado em circuitos de disparo e osciladores.

REGIÃO DE
VE(V) RESISTÊNCIA NEGATIVA

VP

VV

t
IP IV

Figura 3.32: Cuva Característica do UJT.

 Aumenta-se VE até VP. À partir de VP o diodo fica diretamente polarizado e o UJT conduz até
VE = VV.
VP  V X  VD
(3.34)
VP  .VBB  VD
g ) - o UJT necessita de baixos valores de corrente de disparo ( 2 a 10 A ).

* Circuito de Relaxação utilizando o UJT :

O circuito da figura 3.33, é o circuito de um oscilador de relaxação utilizando o UJT.

Figura 3.33: Oscilador de Relaxação a UJT.

t
1
VBB  R1 .i  . i .dt  i  k1 .e  t /  (3.35)
C 0
Tensão no capacitor :
VE  VBB  R1. k1.et /  (3.36)

t = 0  VE = 0  k1 = VBB/R1

VE  VBB . 1  e  t /   (3.37)

Para R1 = RT :


VE  VBB . 1  e  t / RT .CT  (3.38)

O valor de RT deve estar dentro dos limites permitidos da reta de carga (figura 3.34a). Assim :
VBB  VV V V
 RT  BB P (3.39)
IV IP
 VE

VE=VBB-RT.IE
VBB

VP
IP t
I
V
Figura 3.34a: Limites da reta de carga.

VE
VP

VV

VB1 t

I1.RB1
t
VB2

Figura 3.34b: Formas de onda de interesse.

A frequência de oscilação do circuito é dada por :

1
fOSC .  (3.40)
 1 
RT .CT . ln 
 1  
O valor de RB1 por ser calculado por :
t g  RB1.C (3.41)
onde : tg - tempo de chaveamento.
Em geral, RB1 é limitado em 100, podendo, entretanto, ter valores entre 2 e 3k. O resistor
RB2 é conectado à base 2 para compensar uma diminuição de VP devido ao aumento de temperatura e
dar estabilidade térmica ao UJT. Geralmente RB2 apresenta valores superiores a 100, podendo ser
determinado por :
104
RB2  (3.42 )
.VBB
- Exemplo de Retificador utilizando SCR com Circuito de Disparo à UJT:

O circuito da figura 3.35 é uma topologia alternativa de um retificador controlado. Ele utiliza
uma ponte retificadora a diodos, que fornece em sua saída uma forma de onda completa retificada, sem
controle. Com a carga colocada em série com um SCR, nesta saída, a tensão aplicada na mesma pode
ser variada através do controle do instante (ângulo de disparo – α), em que o SCR é disparado.
O circuito de disparo, que gera o pulso que é aplicado no gate do SCR, é um Oscilador de
Relaxação à UJT, sincronizado com a rede. Isso significa que o ângulo de disparo ocorre sempre em
função da frequência da fonte de alimentação.
São mostradas as formas de onda correspondentes a cada ponto de medição do circuito.

REF

REF
REF

Figura 3.35: Topologia Alternativa de Retificador Controlado utilizando um SCR e Circuito de

Disparo com transistor UJT.

3.3.5 - Circuito de disparo utilizando o PUT ( Transistor de Unijunção Programável )

O PUT apresenta as seguintes características :

a ) - dispositivo eletrônico de quatro camadas;
b ) - é dito ser programável devido ao fato de podermos “programar” a sua tensão de disparo
através de um divisor resistivo;
c ) - é empregado no lugar do UJT, onde se requer uma frequência de oscilação mais precisa;
d ) - existe uma semelhança muito grande entre o PUT e o UJT;
 e ) - a razão intrínseca  no UJT não pode ser alterada, sendo que no PUT a mesma pode ser
alterada;
f ) - possui característica V-A idêntica ao do UJT.
O circuito de relaxação utilizando o PUT é mostrado na figura 3.36.
+VBB
RT RB2

A G
PUT

CT +
+ K
VA RB1 VG
- +
RS VRs -
-

Figura 3.36: Oscilador de Relaxação a PUT.

A tensão VP no PUT pode ser variada pelo divisor resistivo R1-R2. Se a tensão no anodo VA é
menor do que a tensão no gate VG, o PUT não dispara.
Quando :
VA  VG  VD (3.43)

O PUT dispara. As correntes IP e IV dependem da impedância equivalente no gate RG e de VBB.

RB1 . RB2
RG  (3.44)
RB1  RB2

I G  1   .
VBB
(3.45)
RG

Os valores de RB1 e RB2 são calculados através das equações :

RG
RB1 
1 
(3.46)
RG
RB2 

A tensão VP é :
RB1
VP  .VBB  VG
RB1  RB2
(3.47)
RB1

RB1  RB2

A frequência de oscilação fs é dado por :

1 1
fOSC .   (3.48)
 1   VBB 
RT .CT . ln  RT .CT . ln 
 1    VBB  VP 
3.4 - TRIAC ( TRIODE AC SWITCH ) - TIRISTOR BIDIRECIONAL :

Este componente conduz tanto direto quanto reversamente polarizado. É geralmente utilizado
em controle de fase CA, onde controla-se o valor eficaz ( rms ) da tensão CA que esta sendo fornecida
para a carga. O TRIAC pode ser considerado como sendo dois SCR´s ligados em anti-paralelo, mas
com apenas um gate em comum, como mostrado na figura 3.37.
A1

n
A1
p A1
G
n
G
p
G
A2
n A2

A2
a) b) c) d)
Figura 3.37 : a) Estrutura do TRIAC; b) Símbolo do TRIAC; c) Circuito equivalente a 2 SCR´s; d)
Cuva Caracterísitica V x I.

Pode-se notar que o TRIAC é um elemento de cinco camadas, tendo dois caminhos P-N-P-N
entre os terminais principais A1 (ou MT1) e A2 (ou MT2), podendo portanto conduzir nos dois
sentidos.

O TRIAC pode ser levado ao estado de condução, pela aplicação de um pulso positivo ou
negativo, no terminal de gate, embora seja mais confiável levá-lo ao estado de condução aplicando um
pulso positivo no gate, quando A2 é positivo e, um pulso negativo no gate, quando A1 é positivo.
Assim, existem quatro modos possíveis de operação do TRIAC ( operação em quatro quadrantes ),
mostradas na tabela da figura 3.38.

QUADRANTES VA2 VG
I + +
II + -
III - -
IV - +
Figura 3.38 : Modos de operação do TRIAC.

I e II QUADRANTES : condução do SCR1 ;

III e IV QUADRANTES : condução do SCR2 .

3.4.1 - Circuito de disparo para o TRIAC utilizando o DIAC :

O DIAC ( Diode Alternative Current ) é destinado ao comando dos TRIAC‟s, também podendo
ser utilizado no disparo de SCR´S quando configurados para operar como TRIAC. O DIAC tem
característica simétrica com relação à origem e, apresenta uma resistência dinâmica negativa a partir de
uma certa tensão chamada ( tensão de break-over - 20V a 40V ). A figura 3.41 mostra o símbolo para o
DIAC, bem como a sua curva característica. O DIAC é uma chave controlada por tensão que, gera um
pulso sempre que a tensão nos seus terminais ultrapassa VBO ).
A1
I

A2
DIAC
V

Figura 3.41 : Símbolo e curva VxI do DIAC.

Na figura 3.42, tem-se um circuito simplificado utilizando o DIAC para se disparar o TRIAC.
Os resistores R1 e R2 , o capacitor C e o DIAC formam o circuito de disparo do TRIAC.
TRIAC

DIAC
R1
Vca CARGA
R2 C

Figura 3.42: Controle do TRIAC utilizando o DIAC: a) Circuito discreto; b)Formas de Onda: (1)
Carga e (2) TRIAC.

Para que o TRIAC venha a disparar, é necessário que o DIAC também dispare, ou seja, ele tem
que atingir a sua tensão de disparo VBO. Assim, utiliza-se o circuito RC. Este circuito determina o
tempo que o capacitor leva para se carregar ( ). Quanto maior o valor de R1, maior será a constante de
tempo  e, consequentemente, o capacitor demora mais para se carregar. Esta constante de tempo
determina qual vai ser o ângulo de disparo do TRIAC.
O capacitor começa a se carregar e, ao atingir o valor da tensão de disparo do DIAC, este
conduz e o capacitor descarrega, sendo aplicado um pulso no gate do TRIAC, que conduz. Através do
controle do circuito RC, controla-se o ponto em que o disparo do DIAC ocorrerá. Para  pequena, o
capacitor se carrega mais rapidamente, atingindo a tensão de disparo do DIAC mais cedo;
consequentemente, o ângulo de disparo do TRIAC será menor. O oposto ocorrerá para um  maior.
3.2 - GTO ( GATE-TURN-OFF ) :

Em muitas aplicações de eletrônica de potência, os SCR´s são considerados como chaves

ideais. Eles suportam altas tensões reversas ( e diretas quando em não condução ), e altas correntes
diretas, apresentando uma pequena queda de tensão direta. A sua principal característica está no seu
disparo que é realizado através de um sinal positivo aplicado em seu gate.

A principal desvantagem está na impossibilidade de se desligar o componente através do

próprio gate. A inclusão desta capacidade de “desligamento” em um SCR, requer modificações no
componente e algumas limitações de operação do mesmo.

O componente ( tiristor ) que apresenta esta capacidade de “desligamento” através do seu

terminal de gate é chamado de GTO ( Gate turn-off ).

3.2.1 - Características do GTO :,

Existem três diferenças significativas entre o GTO e o SCR que podem ser observadas através
da figura 3.43 :

Figura 3.43 : Estrutura interna do GTO.

a) - as estruturas do gate e do catodo são altamente interligadas com muitos tipos de formas
geométricas sendo utilizadas no desenvolvimento ( lay-out ) do gate e do catodo, incluindo
estruturas involutes. Estas modificações visam aumentar a periferia do catodo e diminuir a
distância do gate a região central do catodo;

b) - as áreas do catodo apresentam o formato de “ilhas “, e são formadas através do desgaste

da camada de silício ao redor destas “ilhas “. Quando o GTO é encapsulado, todas as
“ilhas” do catodo são conectadas diretamente à um dissipador de calor metálico, formando
o próprio catodo;
 c) - a maior diferença está na região de anodo do GTO. Em intervalos regulares, na região p
(p1), são introduzidas regiões do tipo n+, permitindo o contato com a região n-, que forma a
região n1. As regiões n+ são otimizadas de forma a permitir que se tenha um “ anodo
pequeno “, aumentando-se assim a velocidade de “desligamento” do GTO. Alguns GTO‟s
são desenvolvidos sem este “anodo pequeno” de forma a permitir bloqueio em tensões
reversas.

A característica do GTO, na região direta é idêntica a do SCR. Mas, na região reversa, o GTO
não apresenta uma capacidade de bloqueio elevada ( 20V a 30V ), devido ao “anodo pequeno”. O
símbolo do GTO é mostrado na figura 3.44.

G
K
Figura 3.44 : Símbolo do GTO.

* Característica de “desligamento” :

Na analogia a dois transistores ( figura 3.45 ), se ambos estão saturados ( Q1 e Q2 ), significa

dizer que o componente está conduzindo. Para provocar o seu “desligamento”, basta que a corrente de
base IB2 (Q2 ) se torne menor que o valor necessário para manter o transistor saturado.
A
I =I
A T

Q1
IB1 = I
C2
I
C1
G Q2
I I
G B2
I
K
K
Figura 3.45 : Circuito equivalente a dois transistores para o Tiristor

I B2  I C 2 /  2 (3.49)

Logo o transistor Q2, após o processo de realimentação, cortará, fazendo com que o GTO
também deixe de operar. Assim :

I B 2  1 . I A  I G (3.50)

A corrente IC2 é :
I C 2  1  1 . I A (3.51)
 Como :
IC2
IB2 
2
(3.52)
2
2 
12
Tem-se :
IA
IG  (3.53)
 OFF

OFF : ganho de desligamento do GTO

Este ganho não é grande ( tipicamente  5 ), portanto há a necessidade de pulso de corrente,

negativa, com grande amplitude para se desligar o componente. Esta amplitude de corrente é limitada
pelo fenômeno “ Crowding” e, portanto, existe uma corrente máxima de anodo que garante o
desligamento seguro do componente.

Os GTO‟s são utilizados em aplicações de média a alta potência. Geralmente são utilizados
“Snubbers” para proteger o componente no desligamento, principalmente contra sobre-correntes; já
que o gate não desliga para correntes que excedem o valor máximo especificado.

* Características de Chaveamento do GTO :

A figura 3.46 mostra as formas de onda relativas as características de chaveamento do GTO.

O intervalo t1, representa o disparo do GTO ( turn-on ). O processo de disparo é semelhante ao
do SCR. Deve-se aplicar um pulso de corrente, positiva, no gate do componente, especificado pelo
fabricante e, após o disparo total do componente, apenas uma pequena corrente ( “backparch current” )
circula pelo mesmo. Esta corrente é necessária pois evita que algumas ilhas do catodo parem de
conduzir ( quando IG é zero ). Se a corrente de anodo aumenta rapidamente, não há tempo para que
estas ilhas voltem a conduzir novamente, assim as outras ilhas ficam sobrecarregadas e o GTO é
destruído por avalanche térmica.

O intervalo t2, representa a comutação ( turn-off ) do GTO. Aplica-se uma alta corrente
negativa no gate do GTO. Esta corrente varia em torna de 1/3 a 1/5 do valor da corrente de anodo, mas
durante um intervalo de tempo muito pequeno. Como pode ser observado, existem vários intervalos de
tempo no processo de comutação do GTO:
 Figura 3.46 : Características de disparo e de comutação do GTO.

- tS - storage time : a corrente negativa IG é utilizada para remover cargas armazenadas nas
regiões p2 e n2 em direção a periferia das ilhas dos catodos ( figura 3.21 ). Quando uma
quantidade suficiente de cargas armazenadas foram removidas, a corrente de anodo começa
a decrescer;
- tf - fall time : quando as cargas são removidas, a corrente decresce rapidamente ( tfi ). Este
tempo cessa quando o excesso de portadores na junção gate-catodo são eliminados e a
junção recupera sua capacidade de bloqueio reverso;
- tw2 - gate-cathode junction avalanche breakdown time : neste período a tensão VGK torna-
se negativa e a corrente ( negativa ) IG começa a decrescer rapidamente ( dIG/dt ) provocando a ruptura
por avalanche da junção gate-catodo. Esta ruprtura por avalanche é desejável somente neste intervalo,
de forma a retirar o máximo possível, as muitas cargas armazenadas no gate e na região p2;
- ttail - anode tail-currente time : é o intervalo de tempo em que circula uma corrente de anodo
para o gate (tail currente - corrente de cauda ), devido à diferença de potencial entre ambos. Este
intervalo contribui com a maior dissipação de potência, durante o turn-off do GTO. Isto porque o
intervalo é relativamente longo e a tensão sobre o GTO é relativamente alta. Quando a corrente de
anodo fica abaixo de IH, a tensão VGK cai a um valor mínimo e o GTO pode ser novamente disparado.

O GTO, portanto, permite algumas vantagens sobre o SCR, como :

a) - eliminação de circuitos de comutação forçada;

b) - redução de ruídos - eliminação dos circuitos de comutação ( ressonância );
c) - chaveamento para o estado de bloqueio mais rápido, permitindo operação em altas
frequências;
d) - maior eficiência.

Apesar do GTO ocupar uma posição privilegiada em termos de potência, o valor da corrente de
pico necessária para comuta-lo ainda é bastante elevada.
3.4.1 - Circuito de comando para o GTO :

A figura 3.47 mostra o circuito de comando utilizado tanto para disparar quanto para comutar o
GTO.

R4 L'
R2
Q1 Q2
+ RS
R1 D
R3 VGG +
-
GTO
R5 I1 I2 R6
I GT CS

LG +
VGG -
-

R7 M1

Figura 3.47 : Circuito de comando para o GTO.

* Disparo : os transistores Q1 e Q2 conduzem. A corrente que é aplicada no gate do

GTO ( IGM ) é a soma das correntes I1 e I2. Após o tempo necessário para o GTO entrar em condução, o
transistor Q2 corta, ficando aplicada ao gate apenas uma corrente de manutenção (IGT).

* Comutação : os transistores Q1 e Q2 estão cortados e o transistor M1 é ligado. É

estabelecido então, um circuito de bloqueio formado por LG, M1 e VGG-. A derivada de corrente (di/dt)
é limitada apenas por LG e VGG-.
3.5 – CIRCUITOS DE APLICAÇÃO PARA TIRISTORES:

Os SCR´s tem a sua aplicação atualmente, basicamente em Conversores CA/CC (Retificadores

Controlados), aonde há a necessidade de se variar a tensão média que é aplicada na carga. Existem
várias topologias que empregam os SCR´s. Desde para somente em operação em primeiro quadrante
(V e I na carga sempre positivas), até a possibilidade de topologias para operação em quatro
quadrantes (acionamento de motor de corrente contínua – MCC).
Aplicações em Conversores CA/CA (Chave Estática OU Controlador CA) também podem
empregar o SCR, sendo que há a possibilidade também do uso do TRIAC.
Podem ainda ter sua aplicação em Conversores CC/CC ou CC/CA mas, devido a sua frequência
de chaveamento baixa e a necessidade de circuitos de comutação forçada, são utilizados transistors de
potência como MOSFET e IGBT.

3.5.1 – Conversor CA/CC – Retificadores:

A equação da Tensão Média na carga é dada por:

2
1
VMÉDIO 
2. V
1
MAX .sen .d

p (3.54)
Onde:
- VMAX : Tensão Máxima de Entrada;
- p : número de pulsos da tensão de saída do retificador para um ciclo do
- 1 : Instante em que o SCR é disparo através de pulso positivo aplicado no gate (G) e, é aplicada a
tensão da fonte de alimentação CA na carga.
Este instante é definido por ÂNGULO DE DISPARO (α) e, seu valor está entre:
0o ≤ α ≤ 180o
- 2 : Instante em que o SCR em CONDUÇÃO , é BLOQUEADO (IAK=0 e VAK < 0).

A- RETIFICADOR MONOFÁSICO de MEIA ONDA:

A.1- CARGA RESISTIVA:

Figura 3.48: a) Circuito; b) Quadrante de Operação; c) Formas de Onda.

- COMO : p = 1; 1 = ; 2 = 
- A tensão média na carga é dada por:

VMAX
.1  cos 
1
2. 
VMÉDIO  V . sen  .d 
2.
MAX (3.55)

A.2 – CARGA R-L:

Figura 3.49: a) Circuito; b) Sem diodo de retorno; c) Com diodo de retorno.

- Sem diodo de retorno:

 
.cos  cos   
1 VMAX
VMÉDIO 
2. V

MAX . sen  .d 
2.
(3.56)

Com diodo de retorno:

VMAX
VMÉDIO  . cos(1   ) (3.57)
2.
B- RETIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA (PONTE RETIFICADORA):

B.1 – TOTALMENTE CONTROLADO:

Figura 3.50: a) Circuito; b) Formas de Onda de Tensão e Corrente.

- COMO : p = 2; 1 = ; 2 = +
 
1 2.VMAX
VMÉDIO 
2.  VMAX .sen .d 
 
. cos  (3.58)

B.2 – SEMI CONTROLADO:

COMO :
p=2
1 = 
2 = 

1  V
VMÉDIO   VMAX .sen .d  MAX .1  cos   (3.59)
2.  
2

Figura 3.51: Retificador Monfásico Semicontrolado.

C– RETIFICADOR TRIFÁSICO:

C.1 – MEIA ONDA CONTROLADO:

 A REFERÊNCIA PARA O ÂNGULO DE DISPARO

( = 0), É O CRUZAMENTO ENTRE SI DAS
TENSÕES DE FASE.

- COMO :
p = 3; 1 = /6 + ; 2 = 5./6 +

5.

6
1 3. 3VMAX ( FASE )
VMÉDIO 
2. 
V MAX ( FASE ) . sen  .d 
2.
. cos 

3 6

(3.60)

Figura 3.52: Retificador Trifásico de Meia Onda.

C.2- ONDA COMPLETA CONTROLADO:

Figura 3.53: a) Circuito do Retificador Trifásico Controlado; b) Formas de Onda de Tensão e Corrente.

COMO : p = 6; 1 = /6+; 2 = /2 +



1 2
  3.V
VMÉDIO  V .sen  .d  MAX ( LINHA) . cos 
2. 
MAX ( LINHA)
 6 
(3.61)

6
6
3.6- Conversor CA-CA: Controlador de Tensão CA (Chave Estática):

A- MONOFÁSICO COM CARGA RESISTIVA:

Figura 3.53: Controlador de Tensão CA: a) Circuito; b) Formas de Onda (Carga R).

- Controle da Tensão Eficaz (RMS) aplicada na carga;

- A frequência de saída é igual a frequência da entrada;
1/ 2
1  2
VCARGA( RMS )   . VMAX .sent )  
  
(3.62)

VFONTE( MAX )   sen2  1/ 2  1 

1/ 2

VCARGA( RMS )  .1     VFONTE( RMS )  .2.(   )  sen(2 )

2   2   2 

(3.63)
 LISTA DE EXERCÍCIOS - CAPÍTULO 03

1) - Dada a característica de chaveamento do SCR, para um período de chaveamento, pede-se :

a) - determinar as equações de i(t), v(t) e p(t) para cada intervalo;
b) - calcular a potência média dissipada sobre o SCR;
c) - desenhar a curva de potência p(t), com todos os valores de interesse;
d) - em quantas partes pode ser dividida a dissipação de potência em um SCR? Quais são elas ???
DADOS : Vs=400V; VD=1V; Icarga=100A; Ifuga=5mA; ton=5s; toff=50s e fs=60Hz.
VDIRETA
ICARGA

-IFUGA

t
IFUGA VCONDUÇÃO
-IRR

VREVERSA

POTÊNCIAS

t
a b c d

2) - Para o circuito abaixo, são dados : Vs=400V; R=25; L=70H e ITD=7A. Pede-se :
a) - calcular Rs; Cs; Ps e o máximo dV/dt para um fator de amortecimento de 0,65;
b) - em uma outra situação, verificou-se que a potência dissipada sobre o resistor Rs é de 5W.
Calcular:
b.1) - o valor de Cs para esta situação;
b.2) - calcular o novo valor do fator de amortecimento;
b.3) - quais as funções de Rs e Cs???

3) - Seis SCR‟s BstL45 são montados em uma configuração “ponte trifásica controlada”. Esta ponte é
utilizada para alimentar uma carga CC que necessita de um valor médio de tensão (CC) de 400V e, que
consome 96kW. O ângulo de disparo dos SCR‟s para se obter esta corrente é de 90°. Calcular a
potência média dissipada em cada SCR; o Rca do dissipador e qual deve ser o Qlmin do dissipador,
para:
a) - 01 SCR por dissipador;
b) - 03 SCR‟s por dissipador;
c) - 06 SCR‟s por dissipador.
*DADOS : Tj=125°C; Ta=40°C; Rjc=0.11K/W
4) - São utilizados 03 módulos tiristorizados tipo MTT65A para a configuração de uma ponte
retificadora trifásica, totalmente controlada, utilizada para acionar uma carga resistiva que requer uma
corrente média de 90A, para um ângulo de condução  de 120°. Determinar a resistência térmica RCA
para :
a) - 03 módulos montados em apenas 01 dissipador;
b) - 01 módulo por dissipador.
DADOS : RJC = 0,5K/W; RCS = 0,08K/w  para cada SCR do módulo
Tj = 125°C; Ta = 35°C

6) - O circuito do retificador monofásico semi-controlado dado abaixo, está sendo empregado para o
acionamento de uma carga fortemente indutiva ( motor CC, por exemplo ), de modo que a corrente
média na carga é 50A ( sem ondulações ). O transformador tem a função de apenas isolar elétricamente
a fonte de tensão CA da carga. Sabendo-se que a tensão média na carga é de 150V, pede-se :
a) - a corrente média no diodo;
b) - a corrente eficaz solicitada pela fonte;
c) - a potência ativa, aparente solicitada pela fonte e o fator de potência do circuito.

7) - Considerando o mesmo circuito do exercício anterior mas agora, com carga resistiva pura
(lâmpadas incandescentes, por exemplo), e sabendo-se que a resistência é de 3 e que a tensão média
na carga é de 150V, pede-se :
a) - a corrente média no diodo;
b) - a corrente eficaz solicitada pela fonte;
c) - a potência ativa, aparente solicitada pela fonte e o fator de potência do circuito.

8) - Repetir os exercícios 6 e 7, para retificador monofásico em ponte totalmente controlado, sem e

com diodo de retorno
9) - Utiliza-se um retificador trifásico de onda completa, totalmente controlado ( SCR´s ) para
alimentar uma carga altamente indutiva, que necessita de 300V/60A. Sabendo-se que o primário do
transformador (-Y) é alimentado com uma tensão de 415Vrms e a queda em cada diodo é de 0.7V,
pede-se:
a)- dimensionar os diodos da ponte e o transformador de entrada.
b) - Calcular a tensão média na carga para  : 30º; 60º; 90º; 120º; 150º e 180º.
 Equação de tensão média para retificadores de p pulsos

10) - Projetar o oscilador à UJT da figura abaixo, de maneira que se tenha a forma de onda dada no
ponto A . Dados : VBB = 20V; VV = 2V; VD = 0.7V; IV = 8mA; IP = 10A; VP = 14.7V e RT =
3*RTMIN.
Respostas : RT = 6.75k; CT = 123nF; RB1 = 161.8; RB2 = 714.3.

11) - O circuito da figura abaixo é um retificador de meia-onda, totalmente controlado ( SCR ),

utilizado para alimentar uma carga resistiva. O circuito de disparo do SCR utiliza um oscilador de
relaxação à UJT. Pede-se :
a) - desenhar as formas de onda dos pontos indicados no circuito para apenas um ciclo do sinal de
entrada;
b) - são dados : Vent = 127V (rms); Vcarga = 40Vcc; f = 60Hz; Vz = 22V; Ip = 8uA; Iv = 8mA; Vv =
3V; VD = 0.5V; tg = 400us;  = 0.7 .
OBS : RT = 3*Rtmin

Calcular os valores de RT, CT, RB1 e RB2 para que o circuito de disparo proporcione um ângulo de
disparo  que produza a tensão desejada na carga.
Respostas :  = 66.46º;  = 3.077ms; RT = 7.125k; CT = 0.43F; RB1 = 930.2; RB2 = 649.35.
12) - a) -Para o circuito de relaxação à PUT, são dados : VBB = 12V; RT = 20k; CT = 1uF; Rs = 100
; RB1 = 10k; RB2 = 5k; Ip = 100uA; Vv = 1V; VD = 0.7V e Iv = 5.5mA, determinar :
a.1) - Vp;
a.2) - RTmax e RTmin;
a.3) - frequência de oscilação fs .
b) - se VBB = 20V e RB1 = 3RB2, calcular  e VG
Respostas : Vp = 8V; RTmax = 40k; Rtmin = 2k; fs = 45.5Hz;  = 0.75; VG = 15V.

13)- O retificador monofásico de meia onda a SCR, é utilizado para alimentar uma carga. A fonte de
alimentação disponível é VS igual a 240V/50Hz. Pede-se para calcular a tensão média (VMÉDIO e a
tensão eficaz (VRMS) na carga, quando:
a)- Carga puramente resistiva com R= 10Ω;
b)- Carga R-L com R= 10Ω e L= 0.1H

- EXERCÍCIOS COMPLEMENTARES :

LIVRO : ELETRÔNICA DE POTÊNCIA – RASHID, 4a Edição.

CAP.9 – 9.1 ao 9.15

CAP.11 – 11.7; 11.8 e 11.13