Semicondutores de Potncia Igbts

Semicondutores de Potência: IGBTs
IGBTs
Não concordo com o acordo ortográfico
05-03-2023 Por : Luís Timóteo 1

 Semicondutores de Potência
Introdução:
Para serem aplicados em sistemas de elevada potência e substituírem as rudimentares
válvulas, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes
e elevadas tensões inversas, em comutação. Além disso, há necessidade de uma
operação em elevadas frequências de comutação dos dispositivos semicondutores, como,
por exemplo, os inversores de tensão, necessários para a construção de filtros activos de
potência. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de
potência durante a sua comutação.
Vamos ver alguns semicondutores usados em circuitos de controlo e manipulação de
circuitos de Potência:
Tiristores: SCRs, TRIACs, DIACs

MOSFETs
 IGBTs

 Semicondutores de Potência: Tiristores

O nome Tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores multicamadas, que
operam em regime de comutação, tendo em comum uma estrutura de no mínimo quatro
camadas semicondutoras numa sequência P-N-P-N (três junções semicondutoras)…
Os Tiristores são dispositivos altamente populares na electrónica de potência. São
dispositivos electrónicos realmente robustos, que permitem alcançar as potências mais
elevadas.
O primeiro Tiristor foi desenvolvido em 1956 no Bell Telephoned Laboratory.
Inicialmente foi chamado de Transistor PNPN (hoje é conhecido como SCR).
Definição e tipos
Dispositivo de 4 camadas com estados estáveis de condução e de bloqueio.
Interruptor de potência muito alta.
Potências e tensão muito altas.
Frequências de comutação não superior a 2 kHz.
SCR : (Silicon Controlled Rectifier). Rectificador controlado de Silicio - Interruptor unidireccional.
GTO: (Gate Turn-off) – interruptor unidireccional desligado pela porta (Gate).
TRIAC: (Triode AC) Interruptor bidireccional.
DIAC: (Diode AC). Interruptor bidireccional ( Control de tiristores)

Símbolo
SCR: Silicon Controlled Rectifier
A K
É sempre de Silício. O SCR é o tiristor por excelência.
(Ânodo) G (Cátodo)
(Porta -Gate)
Estrutura Interna circuito equivalente Característica K AG

IA
K G iT
Decaimento em condução
K G Corrente de
n+ p+ engate Disparo da Gate IG
P Corrente de
manutenção Voltagem
Voltagem inversa directa de
N
de ruptura ruptura
p+ I
VAC
A
A Corrente de VB0
fuga inversa

SCR: Silicon Controlled Rectifier: Estrutura A
P
N
P
N
G
G K
K

SCR: Silicon Controlled Rectifier: Um modelo ideal simples

Podemos dizer que é um interruptor de sentido único, que é fechado com um impulso de
corrente de Gate (disparo), e é aberto quando a corrente passa por zero.
K
G
A A
Tipo N – (K)
MODELO IDEAL DE UM SCR
Tipo P – (G)
Tipo N G G
K
Tipo P (A)
K
Montagem
roscada A
NOTA:
O disparo por tensão directa (VBO) é considerado indesejável e, como
regra geral, o SCR deve de ser seleccionado para que isso não ocorra.

SCR: Silicon Controlled Rectifier - Parâmetros

Tensão de disparo (VBO): É a tensão que podemos ter entre A(Ânodo) e K(Cátodo) para que o
dispositivo não conduza, quando não há disparo. Caso a tensão VBO exceda o limite, o SCR conduzirá
mesmo sem impulso na Gate.
Tensão máxima Inversa (VBR): É a tensão que pode ser aplicada entre A e K sem causar dano no
componente.
(Iak): Corrente máxima de condução. É a corrente máxima que o SCR pode conduzir. Neste caso
temos de dividir este parâmetro em outros três: corrente máxima directa em RMS, corrente média
directa e corrente de pico;
(T max): Temperatura máxima de operação. É a temperatura limite de operação normal do SCR. Caso
ela seja ultrapassada, poderão ocorrer disparos indevidos ( não comandados), ou ainda ter início o
processo de "avalanche", com a queima do componente.
(dv/dt): Taxa máxima de crescimento da tensão directa. Quando o SCR actua na comutação de cargas
indutivas, picos de tensão podem surgir nos terminais de ânodo e do cátodo. A amplitude da tensão de
pico, juntamente com a velocidade que essa tensão surge, podem danificar o componente, caso esteja
acima da especificação.

SCR: Silicon Controlled Rectifier – Parâmetros (Cont.)

(di/dt): Taxa máxima de crescimento de corrente. Analogamente, o SCR é sensível ás variações de
corrente assim como de tensões. Este é outro conceito que vale ser explorado. Quando o SCR inicia o
processo de condução, a corrente surge ao redor da Gate e, então, espalha-se radialmente até
preencher toda a área do cátodo. Nos SCRs antigos, por facilidade construtivas, a Gate era colocada na
periferia da estrutura cristalina.
 Dependendo da velocidade de crescimento da corrente ( di/dt), ocorria uma dissipação de potência
muito grande próxima da Gate, antes da corrente ocupar toda a área disponível do ânodo ( secção
condutora do SCR ). Esse fenómeno danificava o componente. Actualmente, os SCRs são construídos
com uma estrutura denominada "interdigital", isto é, a Gate é colocada no centro do cristal e ocupa
uma área maior que nos antigos .
(Ih): Corrente de manutenção. Uma vez disparado, o SCR necessita de uma corrente mínima para
manter o seu estado de condução, após a retirada do impulso de disparo. Essa corrente é chamada de
"corrente de manutenção".
(Igk): Corrente mínima de disparo. É a corrente mínima necessária, entre a Gate e a cátodo, para levar
o SCR ao estado de condução.

SCR: Silicon Controlled Rectifier – Parâmetros (Cont.)
(Vgk): Tensão máxima entre Gate e Cátodo. Este é um parâmetro muito importante no
desenvolvimento de circuitos com SCRs, pois o excesso de tensão entre a Gate e o cátodo pode
danificar o componente. Normalmente a tensão de disparo encontra-se entre 0,7 V e 2,0 V.
(Ton) Tempo de disparo e (Toff) tempo de desligamento. O tempo necessário para o SCR sair do
estado desligado e atingir a condução (Ton), e o tempo de desligamento (Toff) são factores limitantes
entre a velocidade do circuito de comando, e a carga.
Funcionamento do disparo
 Ao aplicar-se uma corrente IG, no terminal da Porta

(Gate), produz-se uma corrente IC2 = IB1. Como IB1 é a
corrente de Base do transistor Q1, que produz uma
corrente de colector de Q1 (IC1).
 A corrente IC1 faz ligar Q2, através da Base, ao injectar a corrente, produzindo a corrente IC2, que é a
mesma que IB1, este processo repete-se até saturar Q1 e Q2 causando o disparo do SCR.

SCR: Silicon Controlled Rectifier – Funcionamento do disparo

Disparo em Corrente Contínua
 Normalmente o tiristor trabalha com polarização directa entre o Ânodo (A) e o Cátodo (K)
(a corrente circula no sentido da seta do tiristor).
 Com esta condição, só é necessário aplicar um impulso na Gate para activa-lo. Este
impulso deve ter uma amplitude mínima, para que a corrente de Gate (IG) provoque a
condução.
 O SCR se comporta como um circuito aberto até que a Gate seja
activada com um impulso positivo que causa uma pequena corrente.
(ao fechar momentaneamente o interruptor S). O tiristor conduz e
mantém-se a conduzir, não necessitando de nenhum sinal adicional
para manter a condução.
 A duração do impulso aplicado na Gate, deve ser suficientemente
larga para assegurar que a corrente de ânodo se eleve até ao valor de
retenção. Outro aspecto importante a tomar em conta é a amplitude
do impulso, que influi na duração deste.
 Não é possível desactivar o tiristor (que deixe de conduzir) através da Gate.
SCR: Silicon Controlled Rectifier – desactivação de um Tiristor

 O tiristor, uma vez activado, mantém-se em condução, mesmo que a corrente de Ânodo
(IA), seja maior que a corrente de retenção (IH). Normalmente a Gate (G), não tem controlo
sobre o tiristor logo que este esteja em condução.
Opções para desactivar um tiristor:
1. Abrindo o circuito de Ânodo (corrente IA = 0).
2. Polarizando inversamente o circuito Ânodo-Cátodo (o cátodo terá um nível de tensão
maior que o do Ânodo).
3. Diminuindo a corrente de Ânodo IA , de maneira que esta corrente se reduza e seja menor
que a corrente de manutenção IH.
 Se se diminui lentamente a voltagem (tensão), o tiristor continuará conduzindo até que a
corrente baixe para um valor menor que a chamada "corrente de manutenção ou de
retenção (IH)", o que causará que o tiristor deixe de conduzir, ainda que a tensão VG
(voltagem da Gate em relação á terra) não seja zero.
 Como se pode ver o SCR , tem dois estados:
1. Estado de condução, quando a resistência entre Ânodo e o Cátodo é muito baixa.
2. Estado de corte, quando a resistência é muito elevada.
SCR: Silicon Controlled Rectifier – Tiristor e a corrente alterna

Controlo de fase com tiristor
 Se usa principalmente para controlar a potência que se aplica a uma carga. (no caso
uma lâmpada ou foco). A fonte de voltagem pode ser de 110V, 120V, 240VAC, etc. A
potência aplicada a uma carga, controla-se variando o ângulo de condução.
 O circuito RC produz uma alteração de fase entre a tensão de

entrada e a tensão no condensador, que é a que fornece a
corrente da Gate do tiristor.
 Como R é um potenciómetro, o valor resistivo pode variar, e
assim, produzir uma alteração de fase ajustável, que fará com
que a potência aplicada á carga (o foco) também seja variável,
variando assim a intensidade da luz do foco.
 O diodo na Gate do tiristor, usa-se para bloquear a tensão da Gate durante o ciclo
negativo (de 180° a 360°).


Controlo de fase com tiristor Vin(t)Vout(t)
Vmax
Vout(t)
IA Carga 
t
Ig
A
Rg t
VAK Vin(t) VAK
G
IG K Vmax


Características “Turn-On”
iT
IT
0,9IT
0,1IT
Ton  td  tr
0 t
iG
IG
0,1IG
0 t
td tr
Ton


Características “Turn-Off”
V AK tc
tq
IA
A corrente de ânodo Comutação di
começa a diminuir
dt
Recuperação Recombinação
t1 t2 t3 t4 t5
t
tq = device off time. trr tgr
tq
tc = Circuit off time. tc
15

SCR: Silicon Controlled Rectifier – Alguns encapsulamentos

 O SCR é o dispositivo electrónico mais robusto que existe.

 Pode manejar tensões e correntes realmente impressionantes.
 Alguns exemplos são realmente espectaculares.
Um dos 12 SCRs para um “pequeno” rectificador trifásico de 500

MW e 500 KV - (Inga-Shaba, ZAIRE)

TRIAC: (Triode for Alternating Current)

 É um dispositivo semicondutor de três terminais, que se usa para controlar o fluxo de
corrente fornecido a uma carga, com a particularidade de conduzir em ambos os sentidos,
e que pode ser bloqueado por inversão da tensão, ou através da diminuição da corrente
para um valor, abaixo do valor de manutenção.
 O TRIAC pode ser disparado independentemente da polarização da Gate, quero dizer,

mediante uma corrente de Gate positiva ou negativa. Característica
Estrutura Interna Circuito Equivalente Símbolo IG Característica de condução
T2 1º Q
Corrente de Manutenção
N4 (IH) Característica de bloqueio
P1
VB02
N1 G -V V VB01 +V
T1 Característica de bloqueio
P2 Corrente de Manutenção
3º Q (IH)
N3 N2
Característica de condução

TRIAC: (Triode for Alternating Current): Estrutura

N4
 A estrutura interna TRIAC contém seis camadas, como mostrado na figura, P1
mas funciona sempre como um tiristor de quatro camadas.
 A condução no sentido T2-T1 faz-se através de P1N1P2N2 e no sentido N1
T1-T2 através P2N1P1N4.
 A camada N3 facilita o disparo da Gate com corrente negativa. A P2
estrutura mais complexa torna o TRIAC mais delicado mas não em termos
N3 N2
de di/dt e dv/dt e capacidade para suportar o excesso de corrente.
 São produzidos para alguns amperes até 200 (A) eficazes e tensões de 400-1000 (V) de tensão de pico
repetitivo e funcionam para baixa e média frequência…
 A versatilidade do TRIAC e a simplicidade do seu uso, o torna ideal para uma ampla variedade de
aplicações relacionadas com o controlo de correntes alternadas. Uma delas é a sua utilização como
interruptor estático, que oferece muitas vantagens sobre os interruptores mecânicos convencionais,
que sempre requerem o movimento de um contacto, sendo a principal delas que ocorre como
resultado de a cada meio ciclo o TRIAC dispara sempre quando a corrente passa por zero, de modo
que serão evitados os arcos e as sobre tensões resultantes da comutação das cargas indutivas, que
armazenam uma certa energia durante o seu funcionamento.


T2
TRIAC: (Triode for Alternating Current): Estrutura
G
T1
T2
T2
N
N
P
N N
G
P
T1
G
T1

TRIAC: (Triode for Alternating Current): Modelo ideal simples

 Podemos dizer que é um interruptor bidireccional que é fechado com um impulso de corrente na Gate
(disparo), e abre quando a corrente passa pelo zero. A porta (Gate) é agora bidireccional (dois diodos
em oposição).
MODELO IDEAL DE UM TRIAC

T2
G T2
G
T1
T1

TRIAC: (Triode for Alternating Current): Exemplo de controlo de Fase.

VCarga
RL
Desligado
Vmax
T2 VCarga
t
IG VT2T1 
Vin
G IG
T1
IG
Disparo
IT(RMS) = 12A
VDRM = VRRM = 700 V

TRIAC: (Triode for Alternating Current): Características

 O TRIAC comuta do modo de corte para o modo de condução quando se injecta corrente na Gate
(Porta).
 Após o disparo a Gate não tem controle sobre a situação do TRIAC. Para desligar o TRIAC, a corrente
de ânodo deve ser reduzida abaixo do valor da corrente de retenção Ih.
 A corrente e a tensão de disparo diminui com o aumento da temperatura e com o aumento da tensão
de bloqueio.
 As aplicações dos TRIACs, são, essencialmente, na corrente alternada. A sua curva característica
reflecte de forma muito semelhante, a operação de um SCR, aparece no primeiro e terceiro
quadrantes do sistema de eixos. Isto é devido à sua bidireccionalidade.
 A principal aplicação dos TRIACs é como um regulador da potência aplicada a uma carga em
corrente alterna.

DIAC: (Diode Alternating Current): Características

O DIAC, é um dispositivo de disparo bidireccional, que conduz corrente apenas após a
tensão de disparo ser atingida, e pára de conduzir quando a corrente eléctrica cai abaixo
de um valor característico, chamada de corrente de corte. Este comportamento é o mesmo
nas duas direcções de condução de corrente. A tensão de disparo é por volta dos 30 volts
para a maioria destes dispositivos.
O DIAC é um tiristor bidireccional (capaz de bloquear ou conduzir uma corrente nos dois
sentidos), bastante utilizado na protecção de circuitos e no disparo de TRIACs.
Conduz quando recebe uma tensão maior que sua tensão de trabalho V BO, sendo ela
positiva ou negativa. Curva característica +I
Estrutura Interna Símbolo 10mA
F
A1
IBO
n+ VB02 IB
P -V +V
0,5VB0
N V
P
n+ VF VB01
A2 -IF
DIAC: (Diode Alternating Current): Características

Conduz quando recebe uma tensão maior que sua tensão de trabalho V BO, ou tensão de
disparo, sendo ela positiva ou negativa.
Exemplo: DB3 (DO-35)
VBO = 28V a 36V
Ele também pode ser disparado pelos outros processos

comuns a todos os tiristores (elevação de temperatura,
incidência de luz, etc).
Para permanecer em condução a corrente deve ser maior do que um valor de

manutenção. Se a corrente cai abaixo desse valor o dispositivo comuta para bloqueio. O
processo de corte pode ser acelerado pela passagem de uma corrente de recuperação no
sentido inverso ao sentido prévio de condução. Essa corrente contudo é limitada pois existe
o risco de disparo do DIAC no outro sentido.

DIAC: (Diode Alternating Current): Aplicações

O DIAC é utilizado como dispositivo auxiliar de disparo dos SCRs e dos TRIACs.
Exemplo: Controlo de TRIAC com DIAC (Típico regulador de luz de salão simplificado)
R1 = 0 , máxima potência.
Carga R1 = Elevada, mínima potência.
R1 Ponto de disparo
T2 ajustado em P1.
R2
R3
A1 A2 G
 
IG T1
 
C
Ponto de disparo.
R     o diac dispara mais cedo ( )  o triac conduz mais cedo ( )  a carga recebe mais potência.
R     o diac dispara mais tarde ( )  o triac conduz mais tarde ( )  a carga recebe menos potência.

GTO: (Gate Turn-Off): Estrutura

Estrutura de um GTO simétrico.
A estrutura específica do dispositivo permite desligar através da Gate(com um impulso
negativo). De resto, é semelhante ao SCR.
Símbolo Circuito Equivalente
A
Estrutura Interna
G
K
Vista de baixo
Os GTOs, basicamente, sãoK SCRs comG controlo de desligamento, ou seja, possuem mais um
terminal de Gate, que serve para parar a sua condução.
GTO: (Gate Turn-Off): Estrutura
G K
IGQ IK
P Tr1
Tr2 N
IA
A
 Quando um tiristor GTO está no estado “on”, as regiões centrais de base estão cheias de buracos,
fornecidos a partir do ânodo e electrões fornecidos a partir do cátodo. Se polarização inversa é
aplicada para fazer tornar a Gate negativa em relação ao cátodo, uma parte dos buracos da camada
de p-base, são extraídos através da Gate, suprimindo a injecção de electrões pelo cátodo. Em resposta
a esta supressão, mais buracos (ou lacunas) são extraídos através da Gate, suprimindo ainda mais a
injecção de electrões. No decorrer deste processo, a junção cátodo emissor, é colocada num estado de
polarização inteiramente inversa, desligando o tiristor GTO. A figura ilustra a operação de “turn-off”,
usando um modelo de dois transistor.

GTO: (Gate Turn-Off): Vantagens/Desvantagens
Vantagens sobre SCRs

 A eliminação dos componentes de comutação.
 Redução de ruído acústico e electromagnético devido a eliminação de estrangulamentos.
 Turn-off mais rápido, por isso pode ser usado para frequências de comutação mais elevadas.
 Melhoria da eficiência dos conversores.
Vantagens sobre os BJTs

 Maior capacidade de bloqueamento de altas tensões.
 Alto ganho no estado “On”.
 Alta taxa de corrente arranque (surge current) em relação á corrente média.
 Só necessita de um impulso de curta duração para desligar (ou comutar).
Desvantagens dos GTOs.

 Maior queda de tensão no estado “On”.
 Devido à estrutura de multi-cátodos é necessária maior corrente de Gate. M
 Maiores perdas no circuito drive da Gate.
 A capacidade de bloqueamento Inverso, é menor do que a sua capacidade de bloqueio directo.

LASCR: (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier)

Tiristor controlado por luz. G
 São Tiristores activados por luz.
 Utilizados em Alta tensão. A K
 Frequências de comutação até 2KHz.
 Tensões elevadas até 6000V e 1500A
A maioria dos LASCRs também têm um terminal de Gate para serem disparados por um
impulso eléctrico como um SCR convencional. Luz
Lente
Cátodo
Gate
K
A
Sensor de luz G
G A
K
NOTA:
Normalmente dispõem de ligações especiais para serem disparados com fibra óptica.
São interessantes em ambientes de correntes e tensões elevadas, permitindo um alto
isolamento entre o circuito de potência e o circuito de controlo.
LASCR: (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier) - Estrutura

Estrutura Interna Circuito equivalente Símbolos
A
A
A A
P
i =C.dv/dt
PNP
N N i
C

Ip
G G
G NPN G
P P
K K
K
N
K
O LASCR consiste de quatro camadas de semicondutores, que formam uma PNPN ou
NPNP, tem três junções e também três terminais. O terminal de Ânodo(A), está ligado ao
material de tipo-P da estrutura PNPN e o terminal do cátodo(K) é ligado à camada tipo-
N, enquanto que o terminal Gate(G) do LASCR está ligado ao material tipo-P, próximo do
cátodo, conforme ilustrado na figura .
LASCR: (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier) - Funcionamento

A
Entra em condução quando é polarizado directamente. Para este
i =C.dv/dt efeito, o Cátodo(K) é mantido em polarização negativa, e o
PNP
i ânodo(A) com polarização positiva. Ao aplicarmos um impulso
C
 positivo no terminal da Gate o LASCR é ligado “ON”.
Ip
G
NPN
Quando a tensão de polarização directa é aplicada ao LASCR, as
A K junções J1 e J3 ficam polarizadas directamente, enquanto que a
junção J2 fica polarizada inversamente. Quando aplicamos um
P
J1 impulso positivo no terminal da Gate (G) ou a luz aplicada atinge
N N um nível requerido, a junção J2 tornar-se directamente polarizada
e o LASCR, dispara iniciando a condução.
G J2
P P Ligar e desligar “ON/OF” no LASCR acontece muito rapidamente,
J3
N oferecendo resistência infinita em “OFF”, e no estado “ON”, oferece
uma resistência muito baixa, que é na ordem de 0.01Ω a 1Ω.
K
Tiristores – Alguns encapsulamentos
MAGN A Pack
PACE Pack ADD A Pack
TO 209 AD
B7
TO 200 AF TO 208 Ac
B 20 B2
TO 220 Ab
500 V
100A
500 V 500 V
1300 V
24A 7,5A
1800A

 Semicondutores de Potência: MOSFETs

Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
Introdução:
1. O controlo do transistor MOSFET é feito aplicando-se uma tensão VGS > VTH para
condução e VGS < VTH para bloqueio;
2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 4V;
3. A impedância de entrada de um transistor MOSFET é muito elevada;
4. O MOSFET de Potência é constituido de muitas células conectadas em paralelo;
5. A condução é feita por portadores maioritários;
6. A máxima tensão VGS é de +20V e a mínima é de -20V;
7. Em condução, o MOSFET se comporta como uma resistência com coeficiente de
temperatura positivo ( Rdson) e o valor dessa resistência depende da amplitude de V GS;
8. Quanto maior for a tensão de ruptura do MOSFET, maior o valor da resistência Rdson;
9. No processo de fabricação aparece um diodo em anti-paralelo com o transistor que
apresenta um tempo de recuperação elevado;

Estrutura:
Porta (G)
Fonte (S) Oxide Dreno (D) Símbolo
(SiO2)
Metal Drain: D
n+ Área do canal n+
Gate: G
Semicondutor Tipo-p
Substrato (corpo)
Source: S
SS(Corpo-Body )


Estrutura:
Símbolo Circuito equivalente (canal –n)

Drain: D D Se desejado, pode ser
inserido aqui em série um
diodo de bloqueio para
evitar uma corrente inversa
G
Gate: G
Switch fecha quando
VGS ≈ 4V, e abre quando
S
VGS= 0V
Source: S
 Interruptores de alta velocidade, controlados por de tensão que nos permitem operar acima da faixa
audível de 20kHz.
 Ligação controlada a ”On” e a “Off”(mas há um diodo interno em paralelo).


Circuito Equivalente total:
• Cgs : grande, essencialmente constante.

• Cgd : pequena, altamente não-linear.
• Cds : valor intermédio, altamente não-linear.
G
 O Tempo de comutação é determinados pela taxa com que o

S driver da Gate carrega/descarrega Cgs e Cgd.
C0 V0 C0
C ds ( v ds )  C ds ( v ds )  C 0 
v ds v ds v ds
1
V0


Vantagens de operar acima de 20 kHz:
Os seres humanos não podem ouvir…

Para o mesmo efeito de alisamento desejado, as Ls e os Cs, podem ser menores, porque,
com o aumento da frequência e período T diminui, Ls e Cs carregam e descarregam
menos energia por ciclo de operação, logo, menores Ls e Cs, permitem circuitos menores
e mais leves.
Correspondentemente a menores, Ls e Cs, menores correntes rms de ondulação, de
modo que a corrente pode ser menor. Assim, circuitos menores, logo, mais leves.
Os Transformadores AC são menores porque, para uma dada tensão nominal, a
densidade de fluxo de pico, no o núcleo é menor (o que significa que os núcleos do
transformador podem ter áreas de secção transversal menores…
Em vez de utilizarmos transformadores para adaptação da tensão da rede eléctrica para
alimentar os circuitos electrónicos, utilizamos SMPS (fontes comutadas), muito mais
eficientes e de menores dimensões.


Tipos:
 Dois Tipos
– Tipo Deplexão
• A região do já esta difundido entre Drain (D) e a Source (S):
• Deplete, ou “pinch-off” o canal.
– Tipo Enriquecimento
• Não existe canal na região entre Drain e Source.
• “Inverte” a região entre Drain e Source para induzir um canal.
– Podem ter Canal n ou canal p.


 Tecnologia -Vertical Power MOSFET
Transistor Process Integrated Circuit Process
(n-channel) (n-channel)
Gate Drain Gate
Source Source
Source Source
n+ n+ n+ n+
p+ p+
p+ p+
p +
p +
n- n- n- n-
n-
n+
n+ p-
Drain Ground

 Tecnologia – Outras tecnologias
Source
Gate
 Comprimento da Gate aproximando 1micron.
n+ n+ n+ n+  Consiste de muitas pequenas células de MOSFETs de
p+ p+
enriquecimento, ligados em paralelo, cobrindo a
n-
superfície da pastilha de Silício.
 Fluxo de corrente vertical.
n+
 Canal n.
Drain

 Curvas Características
Curva de transferência e curvas características de Dreno típicas de um nMOS.
Na ausência de canal para VGS = 0 não há corrente ID. É necessário um valor mínimo de voltagem limiar
VTP positiva de VGS para que se forme o canal. Aumentando V GS aumenta o valor da corrente de
saturação. I  K (V  V )2
ID (mA) ID (mA) D Sat GS T
10 10 VGS= 7 V
9 9
8 8
7 7
6 6 VGS= 6 V
5 5
4 4
3 3
2 2 VGS= 5 V
VT
1 1 VGS= 4 V
0 0 VGS=2V= VTP VDS

1 2 3 4 5 6 7 8
VGS (V)

 Operação na região do corte (Cutoff)
Junção pn:
Polarização
inversa
iD=0 para n+
vGS<Vt0
p
n+
Quando vGS=0 então iD=0 até vGS>Vt0 (Vt0 – threshold voltage).


 Operação na região Triodo (Triode Region)
Para pequenas variações de vDS, iD é proporcional ao excesso de voltagem vGS-Vt0
n+ Aumento de vGS
Canal
p
Característica Resistiva
(R entre S & D, usada como resistência
n +
controlada por voltagem).

i D  K 2v GS  Vt 0 v DS  v DS
2

 W  KP Parâmetro KP para NMOSFET é
K  
L 2 de 50 mA/V2 .
Para vDS<vGS-Vt0 e vGS>Vt0 o NMOS opera na Região Triodo.

 Operação na região de Saturação (Saturation Region – aumento de vDS)
Estrangulamento do canal - incrementos

da iD são menores quando vDS e maior.
Canal
n+
n+
i D  K vGS  Vt 0 
2
Quando vGD=Vt0 então a espessura do canal é 0 e…


 Resumo
• Os MOSFETs possuem características de reduzidos tempos durante as comutações

(frequências típicas de dezenas à centenas de kHz).
• A RDSon aumenta rapidamente com o aumento de VDSmax suportável.
• O Circuito de comando de Gate é muito simples.
• A escolha dos MOSFETs normalmente são para aplicações com VDSmax < 500 V.
• Aplicações de MOSFETs com capacidade de bloqueio em torno de 1000 V são para
baixas potências (não superior a 100 W).
• Os BJTs têm sido substituídos por MOSFETs em aplicações de baixa tensão (<500V).
Aplicações.
• Dispositivo de portadores minoritários: em comparação com os MOSFETs, o BJT
apresenta comutações mais lentas, mas mais baixa na resistência “ON” em tensões
mais altas.

 IGBTs
Introdução:
Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência e a
elevada impedância de entrada dos MOSFET’s, os IGBTs tornam-se cada vez mais
populares nos circuitos de controlo de potência de uso industrial e até mesmo em
electrónica de consumo e embarcada.
O equilíbrio na combinação entre velocidade de comutação, perdas de condução, e

robustez, que está sendo sempre afinado para que os IGBTs estejam invadindo o domínio
de alta eficiência, e alta frequência, dos MOSFETs de potência
 Na verdade, a tendência da indústria é para que os IGBTs, substituam os MOSFETs de

potência, excepto em aplicações de muito baixa corrente. Para ajudar a entender as
vantagens e desvantagens e para ajudar os projectistas de circuitos com a selecção do
dispositivo IGBT e sua aplicação, existe uma aplicação que fornece uma visão
relativamente clara da tecnologia IGBT e um “passo a passo” do Advanced Power
Technology IGBT datasheet information.

 IGBTs: Estrutura NPT(*) (*)Non Punch-Through
 O IGBT tem alta impedância de entrada e a alta velocidade características de um MOSFET

com a condutividade característica de um transistor bipolar (baixa tensão de saturação).
O IGBT é ligado “ON”, através da aplicação de uma tensão positiva entre a Gate e o
emissor e, como no MOSFET, é desligado “OFF”, fazendo o sinal de Gate zero, ou
ligeiramente negativo.
Estrutura Interna Símbolo Circuito Equivalente

Gate
C
Emissor
C
n+ n+
p+ p+
G
G
N-
Epitaxial drift
region E E
p+
Colector
 IGBTs: Estruturas PT (*) e funcionamento (*)Punch-Through
Os PT IGBTs têm uma camada “n+“ adicional, por conseguinte, a operação de um PT IGBT
é muito semelhante á de um MOSFET.
VGE
Gate  A tensão positiva aplicada a
Emissor
partir do Emissor para os
terminais de Gate, faz com que
n+ n+ os electrões sejam atraídos em
p body region Estrutura direcção ao terminal Gate na
MOSFET
região do corpo (body region).
n- Drift region canal- n
n+ Buffer layer
p+ Substrate (Injecting layer)

VCE
Colector
 Se a tensão de Gate-Emissor (VGE) é igual ou acima da tensão limiar (VT), electrões suficientes são
atraídos para a Gate, e são capazes de formar um canal condutor através da região do corpo,
permitindo que a corrente flua a partir do Emissor para o Colector.
 Este fluxo de electrões atrai iões positivos, ou lacunas, a partir do substrato do tipo “p+” pela região de
desvio (drift region) até ao Emissor. Isto conduz a um par de circuitos equivalentes simplificados para
um IGBT, como mostrado na Figura da pagina seguinte .
 IGBTs: Estrutura PT
 O IGBT tem alta impedância de entrada e a alta velocidade características de um MOSFET com a
condutividade característica de um transistor bipolar (baixa tensão de saturação). O IGBT é ligado
“ON”, através da aplicação de uma tensão positiva entre a Gate e o emissor e, como no MOSFET, é
desligado “OFF”, fazendo o sinal de Gate zero, ou ligeiramente negativo.
Metal
Colector
Símbolo Circuito Equivalente
C
p+Substrato G C
n+ Camada buffer
SiO2 E
C
N- epi
G
G
p+
p p E
E
n+ P- n+
Gate
Gate
Emissor
 IGBTs: Estruturas e funcionamento (PT) (*)Punch-Through

Indução do Canal para VGE  VT
Colector
Canal Induzido
p+Substrato
n+ Camada buffer PNP

RMOD
NPN N- epi
Electrões
p+
p
RBE p
n +
P- n +
Gate
Gate
Emissor

 IGBTs : Funcionamento PT
Circuito Equivalente para VGE<VT Circuito Equivalente para VGEVT
+VCC +VCC
IEPNP Transistor PNP “ON”.
IBPNP
RMOD diminui devido á injecção
de portadores do emissor PNP.
Corrente de Fuga
ICNPN  A junção BE do Transistor NPN
ICPNP fica polarizada directamente,
IBNPN
conduz devido á corrente de
base do transistor PNP.
 O transistor MOSFET conduz
também devido á corrente do
IRBE
IENPN transistor PNP.
Ambos os transistors ”OFF”

 IGBTs : Funcionamento
Características de saída Características de Transferência
Segue a característica dum SCR
Corrente de Colector (A)

Corrente de Colector (A)
VCE VGE
Voltagem Gate Emissor
Voltagem Colector -Emissor

 IGBTs : Funcionamento
Características de saída
 IGBT – Formas de onda de Corrente e Voltagem “Turn-on” e “Turn-off”

 IGBTs: Evolução de Estruturas

 Estruturas: Punch-Through/Non Punch-Through
Field Stop
P- n+ n+ P-
P- n+ n+ P-
P- n +
n +
P-
n-
n-
n+
n-
n+
p+ p+
p+


Gen 4 IGBT Gen 6 IGBT

E G Gen 5 IGBT
E G
E G
n+ n+ n+ n+
P+ n
+
n
+
P+
P+
70 micros
87 micros
DS Trench IGBT
n- NPT IGBT n-
300 micros
PT IGBT n-
n+ Depletion Stop
p-
p- C
n+ Field Stop Trench
C
E G
P+ n+ n+
P+
C
n-
Trench NPT
P-




 Estruturas: Soft Punch-Through/Field Stop


Estrutura
Características Alguns dispositivos mostram-se Coeficiente de temperatura Coeficiente de temperatura

“difíceis” de desligar (OFF), a positivo em “ON”. Extremamente positivo em “ON”. Extremamente
alta tensão DC. robusto. robusto. Baixas perdas.

 IGBTs : Características – Construção….

Punch-Through (PT)
p +, substrato e epi.
– Alta injecção de portadores minoritários.
– Requer controlo de vida dos portadores minoritários
“drift region“ mais fina, menor VCE(on).
O Campo eléctrico perfura (punch through) a “drift region”, até á
camada “buffer”.
Um dispositivo PT é mais adequado para comutação suave a maiores
velocidades, devido à redução da corrente de cauda, porém um dispositivo NPT
também irá funcionar.
Non-Punch-Through (NPT)
Injector p, implantado.
– Processo rigidamente controlado.
– Injecção controlada de portadores minoritários.
Sem epi (menor custo).
Normalmente nenhum controlo de vida.
O Campo eléctrico não perfura a “drift region”.
Aconselhável em aplicações” Drive” de motores, e de frequência
de comutação relativamente baixo. P Implantado
 IGBTs : Características – Construção….

Field Stop
Injector p, implantado.
– Processo rigidamente controlado.
– Injecção controlada de portadores minoritários.
Sem epi (menor custo).
Região de deriva fina, reduz VCE (on).
Pode usar o controlo de tempo de vida.
O campo eléctrico termina no Field Stop, a camada “buffer”.
P Implantado
A Tecnologia IGBT mais popular de hoje é a IGBT Field Stop (IGBT FS), que combina as
vantagens das estruturas IGBT PT (Puncht Through) e da NPT (Non-Punch-Through),
ultrapassando as desvantagens de cada estrutura anterior. Proporciona menor VCE (sat)
durante o estado “ON”e menores perdas de comutação durante o instante de “Turn-off”.
No entanto, uma vez que ele não inclui um diodo corpo intrínseco (body diode), comum
em todos os outros tipos de IGBT, é geralmente embalado, junto com um diodo de
recuperação rápida (FRD) adicional , para a maioria das aplicações de comutação.

 IGBTs : Características – Condução Vs Perdas de comutação…

MOSFET APT5014B2LL 500V, 35A IGBT APT30GT60BR 600V, 30A
Gate voltage
Eoff = 442 μJ Condições do ensaio: Eoff = 910 μJ
400V, 30A, 125 °C, RG = 10Ω,
Collector current
VGG = 15V comutação em
carga, sem snubber. Collector voltage
Perdas de Perdas de Corrente de cauda
Condução = 250W Condução = 65W
IGBTs têm baixas perda de condução devido à corrente bipolar.

IGBTs têm maior perdas de comutação, devido à corrente de cauda no “turn-off”.
– Eoff aumenta as perdas comutação para “turn-off”.

– Causada por portadores minoritários .
• No “turn-off” devem ser removidos por recombinação interna e varrimento…
• Controlo do tempo de vida de portadores minoritários é usado às vezes, para acelerar
a recombinação interna.
 IGBTs : Características – Velocidade de comutação…

PT
O campo expande-se á medida que os portadores se recombinam

(alguns portadores perto do limite do campo–E, são varridos para fora)
até a tensão total ser suportada e o campo–E, termina na região de
“buffer”.
Corrente de cauda, curta.
–A velocidade de “Turn-off” é determinada em grande parte, pelo controlo
do tempo de vida dos portadores minoritário (define taxa de recombinação).
–O Campo eléctrico expande-se ao longo da “drift region” , eliminando a
baixa amplitude de corrente cauda, longa.
Mais sensível à temperatura devido ao campo de maior número de portadores minoritários.

–Eoff aumenta significativamente com a temperatura, devido ao grande número de
portadores minoritários.
–VCE (on) diminui um pouco á corrente de operação, também por causa do grande número
de portadores minoritários.


NPT
O campo–E expande-se á medida que os portadores se
recombinam e varridos, até que a tensão total seja
suportada e o campo–E termine na “drift region”. Alguns
portadores permanecem fora do campo–E, até serem
varridos ou recombinados.
Longa, corrente de cauda de baixa amplitude.

– Longa vida de portadores minoritários.
– O campo eléctrico termina dentro da “drift region”.
– Os Portadores minoritários que não estiverem sob presença de campo eléctrico, difundem-
se no campo eléctrico.
– O “varrer” desses portadores, faz com que a corrente cauda, de baixa amplitude, seja
longa.

Field Stop
O campo –E expande-se á medida que os portadores se
recombinam e varridos, até que a tensão total seja suportada e
o campo –E termine na “Field Stop region”.
Corrente de cauda, curta.
– Tem uma injecção de portadores superior aos NPT e, portanto, às

vezes usam controlo de vida dos portadores minoritários (em
menos quantidade do que nos PTs).
–O Campo eléctrico se estende em toda a “ drift region”, eliminando
a longa, corrente de cauda de baixa amplitude.
A tecnologia Field Stop, proporciona uma distribuição apertada de parâmetros e aumenta

a capacidade de suportar maior energia de avalanche. Estes dispositivos são projectados
para uma vida longa e são ideais para aplicações onde a alta performance e baixas perdas
de comutação e condução, são cruciais.

 IGBTs : Características – Condução versus Perdas de Comutação…
Pelo design, Eoff (perdas de comutação)

pode ser diminuída pelo aumento de
VCE (on) (perdas de condução).
NPT
Reciprocamente, VCE (on) pode ser PT & Field Stop
reduzido através do aumento Eoff.
Eoff versus VCE(on) forma uma curva de tecnologia:

– Ambos, Eoff e VCE (on), devem ser considerados em conjunto ao comparar IGBTs.
– Quanto melhor a tecnologia, mais próximo a curva da origem…

 IGBTs : Características – VCE(on) e Eoff versus Temperatura…

VCE (on) e Eoff são ambos dependentes da temperatura
– O Declive do VCE (on) em função da temperatura é o coeficiente de temperatura.
– Vida de portadores minoritários aumenta com a temperatura.
PT
– Eoff aumenta significativamente com a temperatura, devido ao grande número de portadores
minoritários.
– VCE (on) diminui um pouco á corrente de operação, também por causa do grande número de
NPT e Field Stop
– Eoff aumenta moderadamente com a temperatura, pois são injectados um número moderado de
– VCE (on) aumenta porque há menos portadores minoritários para superar a resistência de silício,
que aumenta com a temperatura.
Um tipo de IGBTs pode ter melhor performance do que outro tipo à temperatura
ambiente, mas pior a temperaturas mais altas…

 IGBTs : Características – VCE(on) e Eoff versus Temperatura…
PT
Field Stop
NPT
NPT
Field Stop
PT

 IGBTs : Características – Paralelos…
IGBTs PT são mais difíceis:

Uma triagem é necessária para uma boa partilha de corrente:
– Triagem recomendada tipo teste na corrente nominal com variação de VCE (on) em saltos de 0.1V.
– A variação parte-a-parte da VCE (on) é maior por causa de:
• Substrato p + e epi.
• Controlo da vida dos portadores minoritários.
Coeficiente de temperatura negativo de VCE (on) (questão secundária)
– Os IGBTs PT podem ser ligados em paralelo, se devidamente triados, eles partilham calor.
– Pode-se evitar o paralelismo usando IGBTs PT, de grandes dimensões…
Com IGBTs NPT e Field Stop, é mais fácil:

Boa partilha de corrente, devido à estreita distribuição parte-a-parte de VCE (on).
– Distribuição apertada de parâmetros, simplifica ou elimina exigência de triagem.
Coeficiente de temperatura positivo do VCE (on).
– Inerente estabilidade térmica.
Paralelo semelhante aos MOSFETs.

 IGBTs : Características – Capacidade de Avalanche…
Todos os tipos de IGBTs podem suportar avalanche

– Embora nem todos os IGBTs tenham essa especificidade.
– Depende do design específico do IGBT.
São mais limitados do que os MOSFETs devido a:
– Menor tamanho do “chip”para o mesmo nível de potência.
– Maior ganho no ponto de avalanche, devido à estrutura PNP.
Avalanche inversa a cerca de 25V para os PT, muitos NPT e Field Stop.
– Alguns dispositivos possuem alta capacidade avalanche inversa, outro não, geralmente
não é especificado.
– Os NPT podem teoricamente bloquear tensão semelhante em ambas as polaridades,
mas a voltagem inversa de ruptura é geralmente muito menor (excepto para
dispositivos especiais).

 IGBTs : Características – Frequências e corrente…
IGBTs são melhores em:

 Baixa a média frequência, até cerca de 150 kHz para IGBTs de 600V, 100kHz para IGBTs de 900V,
50kHz para IGBTs de 1200V, em comutação bruta (hard).
 Alta corrente, mais de 25% de corrente nominal.
 Alta tensão - mais de 200V de tensão aplicada menores IGBTs substituem MOSFETs.
 Ao substituir MOSFETs, a corrente do IGBT deve ser tal que Ic nominal 2 ≥ ID nominal do MOSFET.
Exemplo:
IGBT PT 600V vs. MOSFETs 500V o mesmo
diodo de “clamp” ultra rápido, em cada caso.
Fmax min(fmax1. f max 2 )

0,05
f max1 
t d ( on)  t r  t d(off)  t f
Pdiss  Pcond
f max2 
Eon2  Eoff
TJ  TC
Pdiss 
RJC
 IGBTs : Características – Funcionamento a baixa corrente
Os IGBTs batem os MOSFETs apenas em alta potência e comutação bruta (acima de ~
2kW) porque:
Baixa corrente perto de passagens por zero, favorece MOSFETs.
Superiores perdas no “turn-off” dos IGBTs.
Possível incompatibilidade com amortecedores (snubbers) de “turn-off”, se usado com IGBTs.
 Em baixa corrente, um IGBT tem um "cotovelo” no VCE (on). VCE (on) nunca é inferior a uma queda de
tensão de um diodo, devido à segunda junção p-n num IGBT.
MOSFETs têm menor perda em condução a baixa corrente.
IGBTs são mais

eficientes em altas
72A, 600V iGBT PT
correntes
47A, 600V CoolMOS
MOSFETs são mais
eficientes em baixa
corrente
35A, 500V MOSFET
no VCE (on). “cotovelo”

 IGBTs : Características - Snubbers e Soft Switching

A Comutação suave pode ser zero de tensão, zero de
corrente, ou uma combinação das duas.
 O turn-on do IGBT é como a de um MOSFET.
– Zero-tensão e zero-corrente, ambos funcionam bem no
“turn-on”.
– Redução de Tensão e / ou corrente também funcionam
bem.
turn-off do IGBT é como a de um transistor bipolar
– Zero-corrente trabalha com IGBTs porque não existem
portadores minoritários armazenados.
– Com zero-volts ou voltagem reduzida, uma corrente residual (tail current ) pode
aparecer á medida que aumenta a tensão VCE.
– O impacto desta corrente de cauda será menor, se for usado o “controlo de vida “ do
portadores minoritários (como nos IGBT PT de comutação rápida).

 IGBTs : Características - diodo Anti-Paralelo…
Algumas aplicações requerem um diodo anti-paralelo para:

Transportar corrente de carga (free wheeling diode).
Proteger o pack optimizado de comutação dos IGBTs.
Carga de recuperação mais baixa do o diodo de corpo de um MOSFET/FREDFET.
NOTA: Os IGBT em packs projectados para SMPS tem um diodo com corrente nominal
que é geralmente inferior á corrente nominal do IGBT, porque:
-Um “duty factor” inferior para o diodo é comum em aplicações de SMPS.
-Menor perdas na comutação do próprio diodo; menos calor é gerado no diodo do que
no IGBT.
Carga indutiva

 IGBTs : Características - Circuito Gate Drive

 Velocidade de comutação (subida e queda)
Controlo sobre
controlada pela resistência de Gate RG, como velocidade de
num MOSFET. comutação
 Somente Gate Drive positiva, OK, mas ...
0 – 20V
 Gate Drive negativa é recomendada para
Low Power
imunidade a ruído e em aplicações de pontes
e de alta potência.
 Gate Drive negativa não tem efeito na 0 – 20V
Optional Negative
corrente de cauda. Gate Drive
 Faixa de tensão de Drive é de 15 a 18 Volts,
normalmente (muitas vezes mínimos 15V, 20V
máximo):
 Os IGBTs têm ganho maior do que MOSFETs
de alta tensão, portanto, beneficiam mais de
maior tensão da Gate (menor perda para
“ON”, perdas de condução ligeiramente NOTA: O método de dessaturação para a detecção de
inferior). excesso de corrente, é mais eficaz com os IGBTs NPT e
 Alguns MOSFETs têm uma faixa de tensão Field Stop, devido a:
limiar inferior aos IGBTs. -Menor ganho.
 Os IGBTs muitas vezes têm menor capacitância -Coeficiente temperatura VCE (on) Positivo, torna
devido ao menor tamanho, necessitam de difícil conseguir trabalhar com dessaturação
menos corrente de Gate do que os MOSFETs.
 O driver é um circuito de interface entre o circuito de controlo e o circuito de potência,

cujas funções são: amplificar os níveis de corrente e tensão para accionar os transistores
de potência, que se encontram em diferentes potenciais e realizar a protecção dos
transistores quando detectado um curto-circuito.
Ilustração de circuitos driver.


Qual é o requisito mais importante para uma Drive de IGBT? Corrente de pico da Gate
 AN2123 - Aplicação de alta potência: Drive negativa da Gate e caminho de descarga
secundária da Gate.

 IGBTs : Características – Resumo da Capacidade da Tecnologia IGBT…
Tecnologia IGBT
PT NPT Field Stop
Baixas Média Baixas
Perdas de -Corrente de cauda, curta. -Corrente de cauda, curta.
-Corrente de cauda, longa.
Comutação -Aumento significativo da Eoff com a -Aumento moderado da Eoff com a -Aumento moderado da Eoff com a
temperatura. temperatura. temperatura.
Perdas de Baixas Médias Baixas

Condução -Ligeira diminuição com a temperatura -Aumentam com a temperatura. -Aumentam com a temperatura.
Difícil Fácil Fácil

Paralelismo - Deve triar-se o VCE (on). - Triagem opcional. - Triagem opcional.
- Deve partilhar calor. - Partilha de calor recomendada. - Partilha de calor recomendada.
Capacidade de Limitada
Curto circuito Sim Sim
- Alto ganho .

 IGBTs : Na hora da escolha de IGBTs…

– Os Field Stop irão substituir NPTs ao longo do tempo.
– O Field Stop pode ser usado onde é usado o NPT.
– O Field Stop é considerado NPT. Porque não tem epi, embora o campo eléctrico tenha
acção através do região de deriva (drift region). É realmente um IGBT PT sem epi.
– O Field Stop é às vezes chamado simplesmente de NPT, pelo que você nem sempre sabe
que é realmente Field Stop.
– Quando em paralelo, são normalmente utilizados NPTs e Field Stop.
Com a velocidade de comutação a aproximar-se das dos MOSFETs, Field Stop será atraente
para a maioria das aplicações em paralelo.
– Capacidade de Curto Circuito (accionamento de motores):
Os IGBTs PT de alta velocidade não têm protecção curto-circuito, embora alguns IGBTs PT
baixa velocidade tenham.
Os IGBTs NPT e Field Stop, têm capacidade de suportar curto-circuito.
– Para uma dada velocidade de comutação, os IGBTs PT, têm a vantagem de menor perda
em condução à temperatura de funcionamento.
– NPT e Field Stop podem ser mais baixo custo.

 IGBTs: Vantagens do IGBT de alta tensão

No estado de condução, tem uma queda de tensão muito baixa devido à modulação de
condutividade, e uma densidade de corrente superior . Assim, é possível um tamanho
mais pequeno do chip, e o custo pode ser reduzido.
Tem uma capacidade de condução de corrente superior, em comparação com o transistor
bipolar. Ele também tem uma excelente capacidade de bloqueio para tensão directa ou
inversa.
Módulo com base isolada, facilitando a construção mecânica.
Robustez contra curto-circuito e sobre corrente.
Circuito de disparo simplificado.
Coeficiente de temperatura positivo da tensão de saturação,
facilitando o paralelismo.
Base isolada com a liga AISiC permitindo longa vida útil com ciclagem térmica.
O IGBT em tensões menores (600,1200 e 1700V) tornou-se actualmente o padrão para
inversores de baixa tensão (220,440 e 690Vca).
Esta tendência está também sendo observada para os inversores de média tensão.

 IGBTs: Desvantagens do IGBT de alta tensão
A Velocidade de comutação é inferior ao de um MOSFET e superior ao de um BJT. A

corrente de cauda (tailing ) do Colector devida aos portadores minoritários, faz com que a
velocidade de “Turn-Off” seja lenta.
Existe a possibilidade de Latchup devido à estrutura interna PNPN tiristor.
Latchup : A Estrutura PNPN que actua como um transistor PNP e NPN, empilhadas ao
lado da outra, pode, por efeitos parasitas, provocar curto-circuito que pode ocorrer num
circuito integrado projectado inadequadamente….
Aplicações típicas dos IGBTs incluem:
Controlo de Motores: - Frequência <20kHz, protecção de curto circuito/ in-rush limit.
UPS: - Uninterruptible power supply, Carga constante, tipicamente a baixa frequência.
 Soldagem: -Corrente média alta, de baixa frequência (<50kHz), circuitos ZVS.
Iluminação de baixo consumo: baixa frequência(<100kHz).

 IGBTs: Aplicações típicas dos IGBTs…

 IGBTs : Conclusões
A Tecnologia IGBT tem mais de 20 anos e continua evoluindo, e está atingindo performances de topo a
6.5kV, e continua melhorando as tecnologias para menores dimensões e velocidades de comutação
mais elevadas.
Os IGBTs fazem agora parte de soluções integradas: Módulos de alimentação e controlo são agora
cada vez mais utilizados.
Os IGBTs fazem agora parte de dispositivos de consumo: Usados em electrodomésticos, veículos EV /
HEV, e em soluções de energia renovável residencial.
Os IGBTs são fabricados por empresas chinesas a baixo custo, para servir o mercado global.
Os transistores IGBTs permitiram avanços até então inviáveis particularmente em variadores de
frequência, em aplicações de máquinas eléctricas e conversores de potência, que estão connosco
todos os dias e em todos os lugares, sem que estejamos particularmente conscientes disso: carro,
comboio , metro, autocarro, avião, barco, elevador, electrodomésticos, televisão, domótica, Sistemas
de Alimentação ininterrupta "Uninterruptible Power Supply" ou “no-break” (UPS Inglês, etc.)
Há tendências que estão actualmente sob grande investigação: evolução Drive de IGBTs, Módulos de
potência (EV / HEV) ...
Esperamos que a tecnologia do Silício (assim como do IGBT) ainda possam durar por um longo tempo,
e sempre numa tendência de crescimento…
A nova era está criada por: A competição (GaNa e SiC), os fabricantes e as aplicações: O
mesmo IGBT em uma nova imagem ...
 IGBTs: Encapsulamentos
Encapsulamentos discretos:
TO-247AC
Encapsulamentos de alta potência

 IGBTs: Evolução: Densidade de corrente
Tamanho relativo dos espessura e densidade de corrente actuais
A densidade da corrente foi

multiplicada por 3,5 em 20 anos.
A Tecnologia IGBT está agora mais madura,

usando tecnologias de trincheiras, e wafers
mais finas. Source : Infineon Yole Développment
 IGBTs: Evolução: Fabricantes
2012 – Fabricantes de IGBTs e quotas de mercado

Vincotech
ABB 2%
Mitsubishi electric
Toshiba 2%
27%
2%
Danfoss
2%
Fairchild semiconductor
3%
ON semi
3%
Hitachi
4%
Outros
8%
Infineon
23%
Semikron
12%
Fuji Electric
12% Source: Yole Développement, May 2013

 IGBTs: Evolução: IGBTs por tensão
2013 Divisão do mercado IGBTs por Tensão: ($3.6B em 2013)
+3.3kV 400V
5% 4%
1700V
IGBT é o principal 13%
dispositivo para
comutação para a 600V -> 900V
faixa de 1.2KV a 33%
3.3kV.
Está competindo
com outras
tecnologias abaixo
e acima dessa 1200V/1300V
45%
faixa….
Source: Yole Développement, May 2013

 IGBTs: VS BJTs e MOSFETs
BJT x MOSFET x IGBT

MOSFET IGBT BJT
Tipo de comando Tensão Tensão Corrente
Potência do comando Mínima Mínima Grande
Complexidade do Simples Simples Média

comando
Densidade de corrente Elevada em BT e Muito elevada Média

baixa em AT
Perdas de comutação Muito baixa Baixa para Média para

média alta

 IGCTs :
IGCT: (Integrated Gate Control Thyristor):

O membro mais novo da família de semicondutores de potência, introduzido em 1997,
pela ABB.
Actualmente, a estreita integração dos GTOs e da Gate com o circuito de Drive, com vários
MOSFETs em paralelo fornecendo as correntes de Gate… Apelido: IGCT.
Queda de Condução, perdas no circuito drive da Gate, e velocidade de comutação são

melhores do que nos GTOs.
Competindo com os IGBTs e outros novos dispositivos para substituir os GTO.
Combinam as qualidades dos tiristores (como baixa resistência de condução e robustez)

com os IGBTs (capacidade de “Turn Off” pela Gate, e níveis de corrente de saturação).
Por exemplo, as perdas de potência de comutação de um IGCT são três a quatro vezes
(dependendo da tensão de funcionamento) menores do que as de um IGBT, enquanto que
a queda de tensão em condução é a mesma.

 IGCTs :
IGCT: (Integrated Gate Control Thyristor):

(K)Cátodo Estrutura Interna Símbolo Cátodo(k)
Gate(G)
Gate(G)
Fluxo de Electrões Ânodo

Os IGCTs podem ser ligados e desligados por um sinal na Gate, têm
menor perda de condução, em comparação com GTOs e suportam
maiores taxas de aumento de tensão (dv / dt), de tal forma que
nenhum amortecedor (snubbers) é necessário para a maioria das
aplicações…
Ânodo(A)
 IGBTs têm frequências de comutação mais altas que os IGCTs.
 IGCTs são dispositivos de forma circular – têm alta emissão electromagnética e problemas de
arrefecimento.
 IGBTs são construídos como dispositivos modulares – durabilidade é 10 x IGCT.
 IGCTs têm 2X menos perdas de queda de tensão no estado “ON”.

 Semicondutores de Potência: Outros novos dispositivos electrónicos de potência

Outros novos dispositivos electrónicos de potência
 Static induction transistor —SIT.

 Static induction thyristor —SITH.
 MOS controlled thyristor —MCT.
 Power integrated circuit and power module.
Static induction transistor—SIT

 Outro nome: junction field effect transistor de potência, com Características de JFET
-Dispositivo de portadores maioritários.

-Comutação rápida, comparável ao MOSFETs de potência.
-Maior capacidade de potência do que os MOSFETs de potência.
-Perdas de condução, superior às dos MOSFETs de potência.
-Dispositivo normalmente, “ON”, não é conveniente (podo ser feito normalmente “OFF”,
mas com ainda maiores perdas em “ON”.


Static induction thyristor—SITH
 Outros nomes:
 – Field controlled thyristor — FCT.
 – Field controlled diode.
 Características:
-Dispositivo de portadores minoritários, uma estrutura JFET com uma camada de
injecção adicional.
-Capacidade manipulação de potência semelhante aos GTOs.
Velocidades de comutação mais rápidas do que os GTOs.
-Dispositivo normalmente, “ON”, não é conveniente (podo ser feito normalmente “OFF”,
mas com ainda maiores perdas em “ON”.


MOS controlled thyristor — MCT
É essencialmente um GTO com entradas de Gate tipo “MOS-driven” integradas, que
controlam tanto “turn-on” como o “turn-off” que potencialmente irá simplificar
significativamente o projecto de circuitos usando GTOs. A dificuldade é como criar um
MCT, que pode ser ligado e desligado igualmente bem.
Acreditado como um dispositivo muito promissor, mas ainda não é comercializado em

larga escala. O futuro permanece incerto.
IPM: - Power integrated circuit and power module.
Contendo um circuito de Drive interno, dedicado para extrair mais desempenho do chip
IGBT, o IPM (Módulo de Alimentação Inteligente) é um módulo de alta função com um IC
dedicado para funções de auto-protecção (por excesso de corrente, subtensão de
alimentação e controle sobreaquecimento).
Os fabricantes continuam a desenvolver uma variedade nova de séries IPMs, em linha
com a evolução do chip IGBT.

 Semicondutores de Potência:
IPM: Intelligent Power Modules
 Usando tecnologias VLSI para design compacto, baixo custo, acção rápida e comutadores de
potência mais eficientes (IGBTs), para centenas de amperes e milhares de volts, num pequeno e
compacto bloco.
 Electrónica de potência para aplicações incorporadas nas unidades motoras, precisa de ser
compacta, e ter boas características térmicas. Diferentes conceitos de IPM estão competindo com
diferentes conjuntos de recursos para serem a melhor solução.
 Subsistemas mais complexos e de maior
integração, são algumas das actuais mega
tendências na electrónica de potência. Os
IPMs são muito populares para aplicações
de accionamento de motores. Eles são uma
combinação de semicondutores de potência,
como IGBTs, MOSFETs e diodos com
componentes periféricos como circuitos de
drive. Se um subsistema inteiro tem um bom
desempenho para uma aplicação, um IPM
pode trazer uma série de benefícios
exclusivos.

 Usando tecnologias VLSI para design compacto, baixo custo, acção rápida e comutadores
de potência mais eficientes (IGBTs), para centenas de amperes e milhares de volts, num
pequeno e compacto bloco.
Multi-chip
IGBT
Assembly

 Função Smart Shutdown
IGBT 6,5KV com placa de disparo  Comparador de Protecção
 Amplificador Operacional
(Avançado sensor de corrente)
 Bloqueio de Intertravamento
e de subtensão
IGCT 10KV com placa de disparo

 IGBTs: Como Testar IGBTs

Estes componentes possuem características híbridas, com uma porta (Gate) isolada como
um MOSFET, e junções entre o Colector e Emissor, como um transistor bipolar.
Teste da Resistência
Um teste que pode ser feito com multímetro analógico, e mesmo com alguns tipos de
multímetros digitais que tenham tensão de prova suficiente para saturá-lo, quando
colocados nas escalas de resistências ou teste de diodos. Para esta finalidade podemos
inicialmente fazer um teste de curto-circuito, conforme mostra a figura.
Alta C Medimos inicialmente a resistência entre os terminais da Gate
e o Colector e depois entre o gate e o emissor.
G Nas duas medidas devemos ter leituras de altas resistências. Por
alta resistência entendemos valores acima de 10M. Se em
qualquer das medidas tivermos uma leitura de baixa resistência ou
Alta E mesmo média (entre 10k e 1M), o IGBT está inutilizado por
curto ou ainda por fuga excessiva. C
Se ele passar neste teste, medimos a resistência entre o Colector e
o Emissor. Num sentido ela deve ser alta e no outro baixa, pois G AltaBaixa
devemos considerar o diodo de protecção que estes componentes
têm, conforme mostra a figura seguinte:
E
 IGBTs: Como Testar IGBTs

Teste com Multímetro Analógico
IGBT
Dependendo da tensão da bateria do multímetro,
pode ser realizado um teste de comutação
relativamente simples. Para isso, utilizamos a
montagem da figura, com o multímetro numa
E C G escala intermediária de resistências.
Tocando com uma chave de fendas ou fazendo
uma ponte entre a Gate (G) e o Colector (C) do
transistor, ele deve comutar.
Isso fará com que a resistência caia, passando de
um valor muito alto para um valor mais baixo que
depende das características do IGBT em teste e do
próprio multímetro.
No entanto, é preciso levar em conta que a bateria interna de alguns multímetro não têm tensão
suficiente para levar o componente á condução. Para não ter dúvidas se este teste se aplica com o
multímetro de que se dispõe, será interessante tentar com um IGBT que sabemos estar em bom estado.
 Semicondutores de Potência: Aplicações

Hoje, a distribuição entre os diferentes dispositivos é bastante clara, com cada um a ser usado em
cada aplicativo.
As recentes melhorias nos

Aplicações: Drive AC – Redes T&D / Média a alta voltagem dispositivos de Si (junção
super, IGBTs de alta
velocidade) e materiais
futuros (SiC, GaN) irão
misturar as performances
Aplicações: e abrir novas opções de
Drive AC – Energias dispositivos.
Renováveis – Redes T&D
Somente média voltagem
Aplicações: (>1kV DC link)
Todo o tipo de inversores Faixa mínima MWs.
Faixa de kWs a MWs.
Aplicações:
Pequenos inverters – SMPS
- Faixa Watts-KWs.
Source: Yole Développement, May 2013

 Semicondutores de Potência: Perceptivas de Mercado
Perceptivas de Evolução dos Mercados

 Semicondutores de Potência: Tendências dos Sistemas

Tendências dos Sistemas de Potência
Tendência de integração Turbinas
Eólicas
Laminados,
BusBars, PCBs…
Sistemas de Inversores
Refrigeração
Condensadores
Motor
Drive
Bobines, Sensores
de Corrente
Resistências
Tracção Carril
IGBT Stack UPS

INVERTER
Módulos Potência
Power Connectors
IGBT Drive VE/VEH
Pastilha de Link Técnico

Semicondutor
Source: Yole Développement Medical….

Dúvidas?

OBRIGADO PELA ATENÇÃO !...

Bibliografias
http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/scr/
http://www.unicrom.com/Tut_scr
http://www.i-micronews.com/upload/presentation/Yole_-_Fortronic_2013_Public.pdf
http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/14709-igbt-technical-overview
Tiristores - UNIVERSIDAD DE OVIEDO de Manuel Rico Secades
ECE 442 Power Electronics

Semicondutores de Potncia Igbts

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