Teoria 6 Dispositivos Semicondutores de Potência Tiristores SCR, GTO, MCT e IGCT

Teoria 6 Dispositivos Semicondutores de Potência
Tiristores SCR, GTO, MCT e IGCT
6.1 Tiristores:
O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam

em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras
numa seqüência p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestável.
A principal vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia.

Essa característica faz com que esses dispositivos sejam utilizados tanto no controle
eletrônico de potência quanto na conversão de energia.
6.2 SCR – Retificador Controlado de Silício:
O tiristor de uso mais difundido é o SCR (do inglês Silicon Controlled Rectifier, ou
seja, Retificador Controlado de Silício), usualmente chamado simplesmente de tiristor
empregado no controle de altas potências. Um SCR é constituído por quatro camadas
(PNPN), e apresenta três terminais: o Anodo (A), o Catodo (K) e o Gatilho ou Porta (em
inglês Gate (G)).
No que se assemelha a um diodo retificador comum, o SCR é um dispositivo
semicondutor unidirecional, ou seja, a condução de corrente é possível apenas em uma
única direção, com sentido convencional específico: entrando pelo terminal de anodo e
saindo pelo terminal de catodo do SCR. No entanto, diferentemente de um diodo, o SCR
não entra em condução naturalmente: a corrente de anodo só se estabelece efetivamente se
atendermos a determinadas condições que vão além do fato de malha de anodo-catodo
estar diretamente polarizada.
A Porta (Gate) é o terceiro terminal do SCR. Trata-se de um eletrodo conectado a
uma das regiões semicondutoras e sua função é propiciar o controle de corrente principal,
entre anodo e catodo. Mediante a injeção de uma corrente relativamente pequena pelo
terminal de porta é que se pode estabelecer uma relativamente grande corrente anódica.
É através do terminal de
porta que um tiristor pode ser
“disparado” e assim controlar a
corrente de anodo. A corrente de
anodo, por sua vez, é que
alimenta uma carga. Com baixos
níveis de corrente de gate, é
possível controlar altos níveis de
corrente de anodo. A figura a
seguir mostra o símbolo e a
representação esquemática da
estrutura de um SCR.
Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: o

LASCR (SCR ativado por luz), também chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), cuja
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porta é conectada via fibra ótica ao invés de condutor elétrico, o TRIAC (tiristor triodo
bidirecional), o DIAC (tiristor diodo bidirecional), o GTO (tiristor comutável pela porta) e
o moderno MCT (Tiristor controlado por MOS).
6.3 Principio de funcionamento:
Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as junções J1 e J3 estarão

diretamente polarizadas, enquanto a junção J2 estará reversamente polarizada (ver fig. a
seguir). Não haverá condução de corrente até que ocorra uma das duas possibilidades:
Disparo por tensão:
• A tensão VAK se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de

potencial em J2 (funcionamento de modo idêntico ao de um diodo de quatro
camadas (DIAC)).
Disparo por corrente de porta:
• Existindo uma tensão VGK positiva, que faça circular uma corrente através de J3,
com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por motivos construtivos,
a camada P ligada à porta é suficientemente estreita, a fim de que uma parte dos
elétrons os quais cruzam a junção J3 possuam energia cinética suficiente para
vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo então atraídos pelo anodo.
Desta forma, a junção reversamente polarizada tem sua diferença de potencial

diminuída e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poderá persistir mesmo
na ausência da corrente de porta, ou seja, uma vez que exista a circulação de corrente
anodo-catodo, esta só cessará a partir do ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da

corrente mínima de manutenção (próxima de zero) ou a tensão anodo-catodo VAK for
removida ou estiver próxima de zero.
Quando a tensão VAK for negativa, J1 e J3 estarão reversamente polarizadas,

enquanto J2 estará diretamente polarizada. Uma vez que a junção J3 está intermediando
regiões de alta dopagem, ela não é capaz de bloquear tensões elevadas, de modo que cabe à
junção J1 manter o estado de bloqueio do componente.
Podemos fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma

associação de dois transistores (um PNP e outro NPN), conforme mostrado na próxima
figura (pseudo-SCR). O funcionamento do SCR pode ser mais bem compreendido a partir
da análise desse circuito
equivalente, mas o mesmo
não deve ser usado para
substituir o SCR na prática.
Uma tensão positiva

na porta (G) polariza
diretamente a junção base-
emissor do transistor NPN
injetando uma corrente IG
positiva, o transistor NPN
denominado T2 entra em
condução permitindo a
passagem de IC2 e IK.
Como I C 2 = I B1 , se o potencial do anodo do pseudo-SCR (no caso o potencial do

emissor do transistor PNP denominado T1) for positivo a junção base-emissor do transistor
T1 será diretamente polarizada e o transistor T1 entra em condução, fazendo surgir IC1.
Assim temos a corrente IB2 aumentada ( I B2 = I G + I C1 ). Isto provoca um aumento

da corrente IC2 e assim o dispositivo evoluirá até a saturação plena, situação essa que será
mantida mesmo que IG seja retirada.
Tal efeito cumulativo, o qual damos o nome de “disparo”, o qual ocorre bastando
que os ganhos dos transistores sejam maiores que 1. Removidas a tensão e a corrente de
gate, o SCR estará ainda em condução devido ao ciclo: o NPN supre o PNP com corrente
de base e, por sua vez, o PNP supre o NPN com corrente de base.
O componente se manterá em condução por tempo indefinido desde que:

• Após o processo dinâmico de entrada em condução, a corrente de anodo tenha
atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir é necessário que:
• A corrente que passa por ele (IA= IK) caia abaixo do valor mínimo de
manutenção (IH), permitindo que se restabeleça a barreira de potencial em J2.
Importante: Para a comutação do dispositivo ao desligamento, não basta pois, a aplicação
de uma tensão negativa entre anodo e catodo. Tal tensão reversa apressa o
processo de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores
na estrutura cristalina, mas não garante, por si só, o desligamento.
Devido a características construtivas do dispositivo, a aplicação de uma polarização
reversa do terminal de gate não permite a comutação do SCR. Este será um
comportamento dos GTOs, como se verá adiante.
6.4 Maneiras de disparar um tiristor SCR:
Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em
condução:
6.4.1 Ação da Tensão VAK:
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tensão de polarização é

aplicada sobre a junção J2. O aumento da tensão VAK leva a uma expansão da região de
transição (1) tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente.
Por efeito térmico, mesmo na ausência de corrente de gate, sempre existirá uma
certa quantidade de portadores de carga (no caso, elétrons) que penetram livremente na
região de transição, as quais são aceleradas pelo campo elétrico presente em J2.
Para valores elevados de tensão (e, conseqüentemente, de campo elétrico), é

possível iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao se chocarem
com átomos vizinhos, provoquem a expulsão de novos portadores, os quais reproduzem o
processo.
Tal fenômeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela junção

J2, tem efeito similar ao de uma injeção de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar
a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manterá em condução.
(1) A região de transição, também chamada de zona de depleção, ocorre sempre em torno de uma
junção P-N qualquer e consiste basicamente na zona de transição, entre uma região de material
semicondutor cuja condutividade elétrica é dominada por portadores de carga tipo-N (elétrons) e
uma região cuja condutividade é dominada por portadores de carga tipo-P (lacunas). Ela é
caracterizada pela existência em seu interior de um forte campo elétrico (E). Este campo é devido à
existência de cargas elétricas fixas na rede cristalina, originadas pela depleção (esvaziamento ou
redução de volume) de portadores livres que, durante a formação da junção, se difundiram para o
lado oposto. No equilíbrio, forma-se uma barreira de potencial (V0), que impede a difusão
continuada dos portadores majoritários de um lado para o outro. A largura e a simetria dessa região,
dependem dos processos de fabricação e dos materiais envolvidos. Para uma junção P-N com base
em Silício o valor de V0 é tipicamente entre 0,6 e 0,7V.
6.4.2 Ação da Corrente Positiva de Porta:
Sendo o disparo através da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o
tiristor, é importante o conhecimento dos limites máximos e mínimos para a tensão VGK e a
corrente IG, como mostrados na próxima figura.
O valor VGM indica a mínima tensão de gate que garante a condução de todos os
componentes de um dado tipo, na mínima temperatura especificada.
O valor VGO é a máxima tensão de gate que garante que nenhum componente de
um dado tipo entrará em condução, na máxima temperatura de operação.
A corrente IGM é a mínima corrente necessária para garantir a entrada em condução
de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mínima temperatura.
Para garantir a operação correta do componente, a reta de carga do circuito de
acionamento deve garantir a passagem além dos limites VGM e IGM, sem exceder os demais
limites máximos (tensão, corrente e potência).
Característica estática do tiristor
Condições para disparo de tiristor através de controle pela porta

6.4.3 Ação da Taxa de Crescimento da Tensão Direta:
Apesar da aparente sofisticação desta maneira de disparo de tiristores, ela tem dado
muita dor de cabeça a pessoal de manutenção de módulos retificadores controlados uma
vez que é devido a ela que os SCRs podem entrar em disparos aleatórios, sem que o
mesmo ou seu driver de acionamento estejam com defeito, mas sim o circuito de snubber,
a inexistência deste, ou ainda a existência de excessivo ruído na rede elétrica (EMI -
interferência eletromagnética), aos quais algumas vezes não se dá a devida importância.
Quando reversamente polarizadas, a área de transição de uma junção comporta-se
de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial.
Considerando que praticamente toda a tensão está aplicada sobre a junção J2 (quando o
SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal junção é dada
d (C J ⋅ Vak )
por:
IJ = = C J ⋅ ak + Vak ⋅ J
dV dC
dt dt dt
Onde Cj é a capacitância da junção.
Quando VAK cresce, a capacitância diminui, uma vez que a região de transição
aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variação da tensão for suficientemente
elevada, a corrente que atravessará a junção pode ser suficiente para levar o tiristor à
condução.
Uma vez que a capacitância cresce com o aumento da área do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observe-se que a limitação diz respeito apenas ao crescimento da tensão direta (VAK>0).
Por sua vez, a taxa de crescimento da tensão reversa não é importante, uma vez que as
correntes que circulam pelas junções J1 e J3, em tal situação, não têm a capacidade de levar
o tiristor a um estado de condução.
Como se verá adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores
(snubber ou amaciador) com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tensão
direta sobre eles.
6.4.4 Ação da Temperatura:
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção p-n reversamente polarizada

dobra aproximadamente com o aumento de 8ºC. Assim, a elevação da temperatura pode
levar a uma corrente através de J2 suficiente para levar o tiristor à condução.
6.4.5 Ação da Energia Radiante (Luz):

Energia radiante dentro da banda espectral do silício, incidindo e penetrando no
cristal, produz considerável quantidade de pares elétron-lacuna, aumentando a corrente de
fuga reversa, possibilitando a condução do tiristor. Este tipo de acionamento é o utilizado
nos LASCR, cuja aplicação principal é em sistemas que operam em elevado potencial,
onde a isolação necessária só é obtida por meio de acoplamentos óticos.

Além da elevada isolação, o disparo por fibra ótica é muito mais imune à
interferência eletromagnética (EMI) do que o disparo realizado por condutor elétrico da
corrente de porta.
6.5 Tipos de Encapsulamento de SCR:

Há SCRs de várias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de
anodo de 1 ampère ou menos, os de média corrente, na faixa de 1 a 20 ampéres e os de alta
corrente que permitem corrente de anodo de até centenas de ampéres, até mesmo altíssimas
correntes de alguns milhares de ampéres.
Os tipos de encapsulamento são bastante diversificados:
Para pequenas e médias Na faixa de médias e altas

correntes são bastante correntes também são
comuns os SCRs com bastante comuns os
encapsulamento TO-220: encapsulamentos tipo cravo:
SCR TO-220 Tipo Cravo:
Stud Type (Cravo):
Cravo de
Base Plana
(Flat Based):
Cravo com Rabicho:
Tipo Disco:

Já na faixa de altas correntes o mais comum são os tipos disco:
Disco (Press Pack ou Hockey Puck)
6.6 Parâmetros básicos de tiristores:
Apresentaremos a seguir alguns parâmetros típicos de tiristores e que caracterizam

condições limites para sua operação. Alguns deles serão melhores explorados durante a
realização do ensaio prático, tendo como base o datasheet de um componente real:
a. Tensão direta de ruptura (VDRM);

b. Tensão reversa máxima (VRRM);
c. Corrente de anodo máxima (IAMAX): pode ser dada como valor RMS (IT(RMS)), médio
(IT(AV)), de pico instantâneo (ITSM);
d. Temperatura de operação máxima (TJMAX): temperatura acima da qual, devido a um
possível processo de avalanche, pode haver destruição do cristal;
e. Resistência térmica (RTH): é a diferença de temperatura entre 2 pontos
especificados ou regiões, dividido pela potência dissipada sob condições de
equilíbrio térmico. É uma medida das condições de fluxo de calor do cristal para o
meio externo;
f. Característica I2t: é o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num
determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da máxima potência dissipável
pelo dispositivo. É dado básico para o projeto dos circuitos de proteção;
g. Máxima taxa de crescimento da tensão direta VAK (dVD/dt);
h. Máxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o início do
processo de condução de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de
silício, ao redor da região onde foi construída a porta, espalhando-se radialmente
até ocupar toda a superfície do catodo, à medida que cresce a corrente. Mas se a
corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a expansão necessária na
superfície condutora, haverá um excesso de dissipação de potência na área de
condução, danificando a estrutura semicondutora. Este limite é ampliado para
tiristores de tecnologia mais avançada fazendo-se a interface entre porta e catodo
com uma maior área de contato, por exemplo, interdigitando a porta.
i. Corrente de manutenção de condução (IH): a mínima corrente de anodo necessária

para manter o tiristor em condução;
j. Corrente de disparo (IL): mínima corrente de anodo requerida para manter o SCR
ligado imediatamente após ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e
ser removida a corrente de porta;
k. Tempo de disparo (TON): é o tempo necessário para o tiristor sair do estado

desligado e atingir a plena condução;
l. Tempo de desligamento (TOFF): é o tempo necessário para a transição entre o estado

de condução e o de bloqueio. É devido a fenômenos de recombinação de portadores
no material semicondutor.
m. Corrente de recombinação reversa (IRQM): valor de pico da corrente reversa que

ocorre durante o intervalo de recombinação dos portadores na junção.
As figuras a
seguir ilustram
algumas destas
características:
Características do tiristor
Expansão da área de condução do tiristor a partir das vizinhanças da região de gate

6.7 Redes Amaciadoras:
O objetivo destas redes é evitar problemas advindos de excessivos valores para

dv/dt e di/dt, conforme descrito anteriormente.
6.7.1 O problema di/dt: Uma primeira medida capaz de limitar possíveis danos
causados pelo crescimento excessivamente rápido da corrente de anodo é
construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta derivada de
corrente de disparo para que seja também rápida a expansão da área condutora.
Um reator saturável em série com o tiristor também limitará o crescimento da
corrente de anodo durante a entrada em condução do dispositivo.
Além deste fato tem-se outra vantagem adicional que é a redução da potência
dissipada no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tensão VAK
será reduzida pela queda sobre a indutância.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar à necessidade de um
pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma seqüência de pulsos, para que seja
assegurada a condução do tiristor.
6.7.2 O problema do dv/dt: A limitação do crescimento da tensão direta VAK,
usualmente é feita pelo uso de circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o
dispositivo, como mostrado na figura a seguir.
(a) (b) (c)

Circuitos amaciadores para dv/dt
No caso mais simples (a), quando o tiristor é comutado, a tensão VAK segue a
dinâmica dada por RC que, além disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutação.
Quando o SCR é ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no
tiristor, limitado pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. Já no caso (c), o pico é limitado por L, o que não traz
eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em
condução do tiristor, uma vez que se soma à corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor é praticamente toda dissipada sobre o resistor de

descarga.

6.8 Associação em Paralelo/ Associação em série de tiristores:
Desde o início da utilização do tiristor, em 1958, têm crescido constantemente os

limites de tensão e corrente suportáveis, atingindo hoje faixas de 5000V e 4000A. Há, no
entanto, diversas aplicações nas quais é necessária a associação de mais de um destes
componentes, seja pela elevada tensão de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga.
Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessária, não pode

ser suportada por um único tiristor, é essencial a ligação em paralelo. A principal
preocupação neste caso é a perfeita distribuição da corrente entre os dispositivos
associados, tanto em regime, como durante o chaveamento. Diversos fatores influem na
distribuição homogênea da corrente, desde aspectos relacionados à tecnologia construtiva
do dispositivo, até o arranjo mecânico da montagem final.
Quando o circuito opera com tensão superior àquela suportável por um único
tiristor, é preciso associar estes componentes em série, com precauções para garantir a
distribuição equilibrada de tensão entre eles. Devido a diferenças nas correntes de
bloqueio, capacitâncias de junção, tempos de atraso, quedas de tensão direta e
recombinação reversa, redes de equalização externa são necessárias, bem como cuidados
quanto ao circuito de disparo.
6.9 Disparo:
Há duas características do tiristor bastante importantes para boa distribuição de

corrente entre os componentes no momento em que se deve dar o início da condução: o
tempo de atraso (TD) e a mínima tensão de disparo (VONMIN).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicação do sinal
de porta e a real condução do tiristor.
A mínima tensão de disparo é o valor mínimo da tensão direta entre anodo e catodo
com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da
característica estática do tiristor, que quanto menor a tensão VAK, maior deve ser a corrente
de gate para levar o dispositivo à condução.
Diferenças em TD podem fazer com que um componente entre em condução antes

do outro. Com carga indutiva este fato não é tão crítico, devido a inerente limitação de
di/dt da carga, o que não ocorre com cargas capacitivas ou resistivas. Além disso, como
VONMINé maior que a queda de tensão direta sobre o tiristor em condução, é possível que
nem seja factível ao outro dispositivo entrar em condução.
Esta situação é crítica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo

minimizada através dos dispositivos de equalização e ainda por sinais de porta de duração
maior que o tempo de atraso.
6.10 Desligamento:
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que
consiga manter o equilíbrio de corrente mesmo que haja diferentes características entre os

tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitância do
circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor
que começa a desligar.
6.11 Circuito de disparo:
A corrente de porta deve ser alvo de atenções. O uso de um único circuito de

comando para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Além
disso, deve-se procurar usar níveis iguais de corrente e tensão de porta, uma vez que
influem significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das
diferenças nas junções porta-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor
ou indutor em série com a porta, para procurar equalizar os sinais. É importante que se
tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de porta, o que pode
levar à necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessária. Uma
seqüência de pulsos também pode ser empregada.
Em muitas aplicações, devido à necessidade de isolamento elétrico entre o circuito

de comando e o de potência, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum
dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores óticos:
6.11.1 Transformador de pulso:
Neste caso, têm-se transformadores capazes de responder apenas em alta

freqüência, mas que possibilitam a transferência de pulsos de curta duração (até centenas
de microssegundos), após o que o transformador satura. Caso seja necessário um pulso
mais largo, ele poderá ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro
passa-baixas no lado de saída. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de
limitação de tensão no secundário (onde está conectado o gate), a fim de evitar sobre-
tensões.
Quando se usar transformador de pulso é preciso garantir que ele suporte pelo
menos a tensão de pico da alimentação. Como as condições de disparo podem diferir
consideravelmente entre os tiristores, é comum inserir uma impedância em série com a
porta para evitar que um tiristor com menor impedância de porta drene o sinal de disparo,
impedindo que os demais dispositivos entrem em condução. Esta impedância em série
pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rápido o crescimento do pulso de
corrente.
6.11.2 Acoplamento Ótico:
O acoplamento ótico apresenta como principal vantagem a imunidade a

interferências eletromagnéticas, além da alta isolação de potencial. Dois tipos básicos de
acopladores são usados: os opto-acopladores e as fibras óticas. No primeiro caso tem-se
um dispositivo onde o emissor e o receptor estão integrados, apresentando uma isolação
típica de 2500V. Já para as fibras óticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potência necessária para o disparo é provida por duas fontes: uma para alimentar
o emissor (em geral a própria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor.
Eventualmente, a própria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalização), através de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado
do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potência durante todo
o período de condução (3.5).
Circuitos de acionamento com Circuitos de acionamento com

transformador de pulso (TP) Acoplador Ótico
6.11.3 Sobre-tensão:
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino

da tensão, superando o limite de dv/dt ou o valor da máxima tensão direta de bloqueio,
deve-se manter uma polarização negativa no terminal da porta, aumentado o nível de
tensão suportável.
6.11.4 Resfriamento:
As características do tiristor são fornecidas a uma certa temperatura da junção. O

calor produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o
encapsulamento, deste para o dissipador e daí para o meio de refrigeração (ar ou líquido).
6.12 GTO - Gate Turn-Off Thyristor:

O GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60, por problemas de
fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avanço da tecnologia de construção de
dispositivos semicondutores, novas soluções foram encontradas para aprimorar tais
componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicação, especialmente naquelas de
elevada potência, uma vez que atualmente estão disponíveis dispositivos para até 5000V,
4000A.
6.12.1 Princípio de funcionamento:
O GTO possui uma estrutura de quatro camadas, típica dos componentes da família
dos tiristores. Sua característica principal é sua capacidade de entrar em condução e
bloquear através de comandos adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo é semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente

polarizado, quando a corrente de gate é injetada, circula corrente entre gate e catodo.
Grande parte de tais portadores, como a camada de gate é suficientemente fina, desloca-se
até a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atraídos pelo
potencial do anodo, dando início à corrente anódica. Se esta corrente se mantiver acima da
corrente de manutenção, o dispositivo não necessita do sinal de gate para manter-se
conduzindo.
A figura a seguir mostra o símbolo do GTO e uma representação simplificada dos

processos de entrada e saída de condução do componente.
A aplicação de uma polarização reversa na junção gate-catodo pode levar ao

desligamento do GTO, e esta é uma diferença principal em relação aos tiristores, os quais
não podem ser desligados, senão pela queda da corrente de condução direta abaixo de um
valor mínimo de manutenção.
Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo são

atraídos pela porta, fazendo com que seja possível o restabelecimento da barreira de
potencial na junção J2.
Símbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO
Aparentemente seria possível tal comportamento também no SCR. As diferenças,

no entanto, estão nos níveis de dopagem na construção do componente.
6.13 MCT (MOS Controlled Thyristor):

Apesar das vantagens do uso dos tiristores convencionais (SCR), outros dispositivos
de chaveamento de potência foram desenvolvidos ao longo dos últimos anos. A partir da
metade da década de 80, começaram a surgir os dispositivos híbridos, utilizando a
tecnologia bipolar (dos transistores de junção) e a tecnologia MOS (Metal Óxido
Semicondutor). Estes novos dispositivos apresentam como vantagens a baixa perda de
condução, alta velocidade de chaveamento e baixa potência de controle. Dentre as mais
recentes inovações podemos citar: o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e o MCT
(MOS Controlled Thyristor), que será foco deste estudo.

MCT (MOS-Controlled Thyristor) é um novo tipo de dispositivo semicondutor de
potência que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tensão (alta
potência) típicas da família dos tiristores, porém com o terminal de controle de comutação
(porta) que o torna um tiristor completamente controlável, isto é o MCT é semelhante ao
tiristor de GTO na operação, apesar de diferir deste na tecnologia: o MCT é constituído de
dois transistores MOSFETs em seu circuito equivalente, sendo um deles responsável pela
comutação de ligamento e o outro responsável pela comutação de desligamento.
OBS: Tiristores com apenas um MOSFET em seu circuito equivalente, o qual

comutado para ligamento (semelhante aos SCRs comuns) é chamado MOS
Gated Thyristor (MGT).
Assim, por ser baseado na tecnologia dos dispositivos MOS (Metal-Oxide-

Semiconductor), um MCT possui uma elevada impedância de porta (porta isolada) e
enquanto um GTO tem a porta controlada em corrente, um MCT é controlado por tensão: a
comutação do MCT é comandada pela aplicação de diferentes níveis de tensão à porta, a
qual funciona pelo principio de campo elétrico, praticamente sem consumo de corrente,
típico de um dispositivo de MOS.
Colocando-se uma tensão positiva no terminal de porta em relação a cátodo comuta

o tiristor para o estado ligado. Já uma tensão negativa no terminal de porta com relação ao
ânodo (a qual tem valor próximo da tensão de cátodo no estado de ligado) comuta o tiristor
para o estado desligado.
Em virtude da diferença tecnológica, os MCTs apresentam uma facilidade de

comando muito superior aos GTOs. Um GTO apresenta um baixo ganho de corrente no
desligamento, exigindo um circuito de comando relativamente complexo. No entanto, os
MCTs mesmo atualmente não atingiram os elevados níveis de tensão e de corrente
comparáveis aos dos GTOs, estando limitados a valores inferiores a 2500V e 800A. No
entanto o MCT é um dispositivo de comutação ainda muito promissor.
O fato da estrutura física do MCT ser constituída de milhares de pequenas células,

muito menores do que as células que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma área
semicondutora, a capacidade de corrente dos MCTs seja menor do que um GTO
equivalente: esta é uma limitação tecnológica atual.
A dissipação de potência de um MCT depende das perdas que ocorrem no

transitório de ligamento, de desligamento e durante a condução.
Princípio de funcionamento:
Considerando o modelo de dois transistores para um tiristor, um MCT pode ser

representado como mostrado na figura a seguir. Nesta figura também se mostra uma seção
transversal de uma célula do dispositivo. Um componente é formado pela associação em
paralelo de milhares de tais células construídas numa mesma pastilha.

Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de uma célula e símbolo do componente.
Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsável pela entrada em

condução do tiristor (on-FET) é também de canal P, sendo levado à condução pela
aplicação de uma tensão negativa no terminal de porta. Estando o anodo positivo, a
condução do on-FET realiza uma injeção de portadores na base do transistor NPN, levando
o componente à condução. Uma vez que o componente é formado pela associação de
dezenas de milhares de células, e como todas elas entram em condução simultaneamente, o
MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt.
O MCT permanecerá em condução até que a corrente de anodo caia abaixo do valor
da corrente de manutenção (como qualquer tiristor), ou então até que seja ativado o off-
FET, o que se faz pela aplicação de uma tensão positiva no gate.
A condução do off-FET, ao curto-circuitar a junção base-emissor do transistor PNP

(é possível também uma estrutura que curto-circuita as junções base-emissor de ambos os
transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao
bloqueio do MCT. A queda de tensão deve ser menor que Vbe.
O MCT não apresenta o efeito Miller, de modo que não se observa o patamar de
tensão sobre o terminal de porta, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitância.
Esta capacidade de desligamento está associada a uma intensa interdigitação entre o off-
FET e as junções, permitindo absorver portadores de toda superfície condutora do anodo (e
do catodo).
Assim como um GTO assimétrico, o MCT não bloqueia tensão reversa acima de
poucas dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curto-circuitam a
junção J1, e q junção J3, por estar associada a regiões de dopagem elevada, não tem
capacidade de sustentar tensões mais altas. É possível, no entanto, fazê-los com bloqueio
simétrico, também sacrificando a velocidade de chaveamento.
O sinal de porta deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a
fim de evitar comutações (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejáveis.
Na figura ao lado mostra uma comparação entre a queda de tensão entre os

terminais principais, em função da densidade
de corrente, para componentes (MCT, IGBT
e MOSFET).
Nota-se que o MCT apresenta tensões

muito menores do que os transistores, devido
à sua característica de tiristor. Ou seja, as
perdas em condução deste dispositivo são
consideravelmente menores, representando
uma de suas principais características no
confronto com outros componentes.
Mantendo o off-FET operando

durante o estado bloqueado, tem-se que a
corrente de fuga circula por tal componente
auxiliar, resultando numa melhoria na
capacidade de bloqueio, mesmo em altas Comparação entre componentes para 600V,
temperaturas. Devido a este desvio da com 1μs de tempo de desligamento,
corrente através do MOSFET, o limite de desprezando a resistência do encapsulamento.
temperatura está associado ao
encapsulamento, e não a fenômenos de perda da capacidade de bloqueio. Isto significa que
é possível operá-los em temperaturas bem mais elevadas do que os outros componentes
como, por exemplo, 250ºC.
Devido à elevada densidade de corrente, e conseqüente alto limite de di/dt,

suportável pelo MCT, circuitos amaciadores devem ser considerado basicamente para o
desligamento, podendo ser implementados apenas com um capacitor entre anodo e catodo,
uma vez que a descarga deste sobre o MCT no momento da comutação ao ligamento, não é
um problema.
Comparação entre P-MCT e N-MCT:
É possível construir MCTs que são ligados por um MOSFET de canal N, e

desligado por um MOSFET de canal P. Este componente entra em condução quando um
potencial positivo é aplicado ao terminal de porta, desligando com uma tensão negativa.
Como o anodo está em contato apenas com uma camada P, este dispositivo é capaz de
sustentar tensões com polarização reversa.
Sabe-se que um MOSFET canal N é mais rápido e apresenta menor queda de

tensão do que um MOSFET canal P.

Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma célula e símbolo do
componente.
Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N é capaz de comutar
uma corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtém em um N-MCT. Em
contraposição, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em condução é mais
lenta do que a que se tem em um N-MCT.
A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP não
conduza. Esta queda de tensão se dá com a passagem da totalidade da corrente de anodo
pelo MOSFET.
IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor):

Desenvolvimento da tecnologia dos GTOs conduziu a uma larga variedade de
aplicações na a gama de 1 a 20 MVA, principalmente de acionamentos velocidade
ajustável e interfaces de energia para ferrovias. Embora estas aplicações tenham provado a
confiança e efetividade de custo do tiristor GTO, ainda há desvantagens incômodas nesta
tecnologia. O modo não uniforme de chaveamento do GTO dá origem à necessidade de
capacitores como amaciadores para limitar dv/dt, e grandes dispersões nos tempos de
desligamento torna complicada a conexão de GTOs em série.
Recentemente uma inovação na tecnologia dos GTOs foi alcançada pela introdução
do “Hard Driven GTO” conduzindo à possibilidade de chaveamento sem amaciadores.
Este novo modo de chaveamento é caracterizado por uma comutação extremamente rápida
da corrente de cátodo para a porta (Gate Commutated Thyristor - GCT) por meio de que o
emissor de cátodo é desenergizado antes que a tensão na junção de bloqueio principal suba
menos de 1 μs. Qualquer ação regenerativa do cátodo é então prevenida, deixando apenas o
(veja Figo. 1). Para realizar isto a corrente de cátodo inteira é comutada à porta dentro de
equivalente a um transistor pnp ativo durante o desligamento. De fato um modo de

desligamento a transistor é conveniente para altos níveis de desligamento sem
amaciadores.

Modo de Desligamento de um GCT (modelo de dois transistores)
IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor): desenvolvido e projetado pela

ABB. O IGCT combina as vantagens dos tiristores (baixa queda de tensão em estado de
condução e altos níveis de tensão de bloqueio), com as características robustas de
chaveamento dos transistores. O uso de IGCTs resulta em um acionamento de média
tensão e elevada potência simplificado, mais eficiente, compacto e confiável, minimizando
os custos de operação e manutenção e permitindo realizar a performances utilizando
modernos algoritmos de controle, os quais podem eliminar harmônicos, melhorar o tempo
de resposta dinâmica e manter, ou mesmo controlar, o fator de potência.
As inerentes baixas perdas totais do IGCT requerem uma capacidade de

refrigeração menor e um pequeno equipamento de refrigeração.
Descrição de dispositivo:
Um IGCT é um tipo especial de tiristor semelhante a um GTO. Eles podem ser

comutados de ciclicamente por um sinal de porta, tendo uma menor perda de condução se
comparado com os GTOs, e suporta taxas mais altas de
elevação de tensão (dv/dt), de modo que nenhuma rede
amaciadora (snubber) é requerida para a maioria das
aplicações.
A estrutura de um IGCT é bem parecida com a de um

tiristor GTO. Em um IGCT, a corrente de porta de estado
desligado é maior do que a corrente de ânodo. Isto resulta em
uma eliminação completa da injeção de portador minoritária
da junção de PN mais baixa e acelera o tempo de
desligamento. A diferença principal é uma redução no
tamanho das células, em adição a uma conexão de porta
muito mais significativa com indutância muito mais baixa no
Simbologia do IGCT
circuito de acionamento da porta e na conexão do circuito de
acionamento. Uma corrente de porta muito mais alta, adicionada a uma rápida recuperação
de porta significa que fios condutores convencionais não podem ser usados para conectar o
circuito acionador ao IGCT. A placa de circuito impresso do circuito acionador é integrada
no pacote do dispositivo. O circuito acionador envolve o dispositivo e um condutor circular
grande prenso à extremidade da estampa de IGCT é usado. A área de contato maior e a
curta distância reduzem a indutância e resistência da conexão.
Os tempos de desligamento do IGCT são muito mais rápidos se comparados com

os de um GTO, o que lhes permite operar a freqüências mais altas - até vários de kHz -
para períodos muito curtos de tempo. No entanto, por causa das altas perdas na comutação,
a freqüência operacional típica até 500 Hz.
Características de Polarização Reversa:
Os IGCT estão disponíveis com ou sem capacidade de bloqueio reversa. A

capacidade de bloqueio de reverso tem como efeito colateral à queda de tensão direta por
causa da necessidade de ter uma região de P1 de baixa dopagem alongada.
O IGCT capaz de bloquear tensão reversa é conhecido como IGCT simétrico (S-
IGCT). Normalmente, o valor da tensão de bloqueio reversa e o da tensão bloqueio direto
em estado desligado são ambas de mesmo valor. A aplicação típica do IGCT simétrico é
em inversores de fonte de corrente.
O IGCT sem a capacidade de bloquear tensão reversa é conhecido como IGCT

assimétrico (A-IGCT). Eles têm um valor de tensão reverso típico da ordem de poucas
dezenas de volts. O A-IGCT pode ser usado tanto no caso onde um diodo colocado em
paralelo faz a condução na ocorrência de polarização reversa (por exemplo, em inversores
de fonte de tensão), quanto no caso onde a tensão reversa de fato nunca ocorra (por
exemplo, fontes chaveadas ou circuitos recortadores (shoppers)).
O A-IGCT pode ser fabricado com um diodo de condução reverso integrado no

mesmo pacote. Estes são conhecidos como RC-IGCT (IGCT com condução reversa).
Aplicações:
As aplicações principais estão em conversores de freqüência variável e acionadores
para máquinas de tração.
Materiais Emergentes:
Silício é ainda hoje praticamente o único material utilizado para a fabricação de

componentes semicondutores de potência. Isto se deve ao fato de que já se tem tecnologia
para fazer o crescimento de monocristais de silício com pureza e em diâmetro suficientes,
o que ainda não é possível para outros materiais.
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relação ao

silício, mas que ainda não são produzidos em dimensões e grau de pureza que são
necessários à produção comercial de componentes de potência.

O Arsenieto de Gálio (GaAs) é um destes materiais. Por possui um maior gap de
energia (energia de afastamento entre as bandas de condução e de valência) em relação ao
silício, dispositivos construídos a partir deste material apresentam menor corrente de fuga
e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a mobilidade dos
portadores é muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistência de
condução, especialmente nos dispositivos com condução por portadores majoritários
(MOSFET). Além disso, por apresentar uma maior intensidade de campo elétrico de
ruptura, ele poderia suportar maiores tensões.
A tabela a seguir mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-
se, potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potência.
Propriedades de Materiais Semicondutores

Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Diamante
Gap de energia a 300ºK (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 5,5
Condutividade térmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 20
Max. temperatura de operação (K) 300 460 873 1240 1100
Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 8500 1000 600 2200
5 5 6
Campo elétrico máximo (V/cm) 3.10 4.10 4.10 4.106 1.107
O Carboneto de Silício (SiC) é um material sobre o qual faz-se uma intensa

pesquisa. Seu gap de energia é maior que o dobro do Si, permitindo operação em
temperaturas elevadas. Adicionalmente apresenta elevada condutividade térmica (que é
baixa para GaAs), facilitando a dissipação do calor produzido no interior do semicondutor.
Sua principal vantagem em relação tanto ao Si quanto ao GaAs é a intensidade de campo
elétrico de ruptura, que é aumentada em uma ordem de grandeza.
Outro material de interesse potencial é o diamante. Apresenta, dentre todos estes

materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade térmica e a maior intensidade de
campo elétrico, além de elevada mobilidade de portadores.
Muitos problemas tecnológicos ainda devem ser solucionados para que estes
materiais se possam ser, efetivamente, alternativas para o Si. Silício é um material que vem
sendo estudado há quase meio século e com enormes investimentos. O mesmo não ocorre
com os demais materiais.
O GaAs vem sendo estudado nas últimas 2 décadas, mas com uma ênfase em
dispositivos rápidos, seja para aplicações computacionais, seja em comunicações óticas.
Não existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimensão
necessárias à construção de componentes de potência. Além disso, em relação ao Si, este
material não possui um óxido natural (como é o SiO2), dificultando a formação de
camadas isolantes e de máscaras para os processos litográficos. Em 1994 a Motorola
anunciou o lançamento comercial de diodo schottky de 600V. No entanto, embora para
este componente específico o aumento da tensão seja significativo, as vantagens do GaAs
sobre o Si são incrementais, quando comparadas com os outros materiais.
Até bem pouco tempo ninguém antes havia conseguido produzir cristais de
carboneto de silício puros e sem falhas, pois os métodos até então utilizados geravam
cristais com grande número de falhas, defeitos macroscópicos como túneis e inclusões, o
que impedia sua utilização na eletrônica.
Ma recentemente, uma pesquisa feita por cientistas da Toyota Central R&D Labs,
Japão, que desenvolveu um método promissor, capaz de gerar cristais de carboneto de
silício de alta pureza e qualidade, criando assim a expectativa do carboneto de silício sair
das oficinas de pesquisa e ir direto para as salas limpas dos principais laboratórios e
fábricas de semicondutores do mundo.
O carboneto de silício transmite energia com muito maior eficiência do que o

silício puro, o que poderá diminuir consideravelmente a necessidade de refrigeração,
operando com mínimas perdas de energia. Além disso, dispositivos de carboneto de silício
podem suportar altas temperaturas e poderão trabalhar em ambientes extremos.
Agora os pesquisadores vão trabalham na geração de cristais de maiores dimensões

para aplicação em dispositivos de potência.
Quanto ao diamante, não existe ainda uma tecnologia para construção de "waffers"
de monocristal de diamante. Os métodos existentes para produção de filmes finos levam a
estruturas policristalinas. A difusão seletiva de dopantes e a realização de contatos ôhmicos
ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.
André Luis Lenz – andrellenz@estadao.com.br – 2002/2005


Teoria 6 Dispositivos Semicondutores de Potência Tiristores SCR, GTO, MCT e IGCT

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Teoria 6 Dispositivos Semicondutores de Potência

Tiristores SCR, GTO, MCT e IGCT

O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam

A principal vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia.

6.2 SCR – Retificador Controlado de Silício:

Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: o

6.3 Principio de funcionamento:

Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as junções J1 e J3 estarão

• A tensão VAK se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de

Desta forma, a junção reversamente polarizada tem sua diferença de potencial

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 60

Quando a tensão VAK for negativa, J1 e J3 estarão reversamente polarizadas,

Podemos fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma

Uma tensão positiva

Como I C 2 = I B1 , se o potencial do anodo do pseudo-SCR (no caso o potencial do

Assim temos a corrente IB2 aumentada ( I B2 = I G + I C1 ). Isto provoca um aumento

O componente se manterá em condução por tempo indefinido desde que:

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 61

6.4 Maneiras de disparar um tiristor SCR:

6.4.1 Ação da Tensão VAK:

Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tensão de polarização é

Para valores elevados de tensão (e, conseqüentemente, de campo elétrico), é

Tal fenômeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela junção

Característica estática do tiristor

Condições para disparo de tiristor através de controle pela porta

6.4.4 Ação da Temperatura:

A altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção p-n reversamente polarizada

6.4.5 Ação da Energia Radiante (Luz):

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 64

6.5 Tipos de Encapsulamento de SCR:

Os tipos de encapsulamento são bastante diversificados:

Para pequenas e médias Na faixa de médias e altas

SCR TO-220 Tipo Cravo:

Stud Type (Cravo):

Cravo com Rabicho:

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 65

Disco (Press Pack ou Hockey Puck)

6.6 Parâmetros básicos de tiristores:

Apresentaremos a seguir alguns parâmetros típicos de tiristores e que caracterizam

a. Tensão direta de ruptura (VDRM);

i. Corrente de manutenção de condução (IH): a mínima corrente de anodo necessária

k. Tempo de disparo (TON): é o tempo necessário para o tiristor sair do estado

l. Tempo de desligamento (TOFF): é o tempo necessário para a transição entre o estado

m. Corrente de recombinação reversa (IRQM): valor de pico da corrente reversa que

Expansão da área de condução do tiristor a partir das vizinhanças da região de gate

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 67

O objetivo destas redes é evitar problemas advindos de excessivos valores para

(a) (b) (c)

A energia acumulada no capacitor é praticamente toda dissipada sobre o resistor de

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 68

Desde o início da utilização do tiristor, em 1958, têm crescido constantemente os

Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessária, não pode

Há duas características do tiristor bastante importantes para boa distribuição de

Diferenças em TD podem fazer com que um componente entre em condução antes

Esta situação é crítica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo

SENAI Rua Jaguaré Mirim, 71 - Vila Leopoldina” 69

6.11 Circuito de disparo:

A corrente de porta deve ser alvo de atenções. O uso de um único circuito de

Em muitas aplicações, devido à necessidade de isolamento elétrico entre o circuito

6.11.1 Transformador de pulso:

Neste caso, têm-se transformadores capazes de responder apenas em alta

O acoplamento ótico apresenta como principal vantagem a imunidade a

Circuitos de acionamento com Circuitos de acionamento com