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Instituto Superior Politécnico de Songo

Dispositivos de potência

Tiristor

Songo, 2023
O TIRISTOR
O tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores
que trabalham em comutação, tendo em comum uma estrutura
de quatro capas semicondutoras em uma sequência P-N-P-N, a
qual apresenta um funcionamento biestável (dois estados
estáveis)
O tiristor é um dos mais importantes tipos de dispositivos
semicondutores de potência
São extensivamente utilizados em circuitos de electrônica de
potência
Eles são operados como chaves biestáveis, indo do estado
de não condução para o estado de condução
Podem se considerados como chaves ideais para muitas
aplicações, mas os tiristores práticos exibem certas
características e limitações
• A comutação do estado de bloqueio (“OFF”) ao estado de
condução (“ON”) realiza-se normalmente por uma sinal de
controle externa.

• A comutação do estado “ON” ao estado “OFF” se produz


quando a corrente pelo tiristor é mais pequena que um
determinado valor, denominada corrente de manutenção,
(“holding current”), específica para cada tiristor.
TIPOS DE TIRISTORES
SCR: Retificador controlado de Silicio – Silicon (mais difundido )
GTO: Tiristor de desligamento pelo gatilho (gate-turn-off)
TRIAC: Tiristor bidirecional. (biderectional triode)
RCT: Tiristores de condução reserva (reserve-conducting)
STIH: Tiritores de indução estática (static induction)
LASRC: Rectificadores controlados de silicio ativados por luz
(light-activated silicon-controlled rectifier)
FET-CTH: Tiristores controlados por FET ( FET-controlled)
MCT: Tiristores controlados por MOS (MOS-controlled)
CARACTERÍSTICAS OS TIRISTORES SCR
É um dispositivo semicondutor de quatro camadas,
de estructura pnpn.
O SCR é um dos dispositivos mais antigos
que se conhecem dentro da Electrônica de
Potência (data de finais do anos 50).
Além disso, contínua sendo o dispositivo
que tem maior capacidade para controlar
potência (é o dispositivo que permite
suportar maiores tensões inversas entre
seus terminais e maior circulação de
corrente).
SÃO FABRICADOS POR DIFUSÃO

Têm características de comutação regenerativas próprias das estruturas


de 4 capas PNPN e que possuem dois estados estáveis.
Quando a tensão de anodo é positiva em relação ao catodo, as junções J1 e
J3 estão polarizadas directamente.
A junção J2 está reversamente polarizada e apenas uma pequena corrente de
fuga flui do anodo para o cátodo

O TIRISTOR ESTÁ NA CONDIÇÃO DE BLOQUEIO DIRETO (forward


blocking) OU ESTADO DESLIGADO (off-state) E A CORRENTE FUGA É
CONHECIDA COMO CORRENTE DE ESTADO DESLIGADO ID.

Se a tensão anado – catodo VAK for aumentada a um valor suficientemente


grande, a junção J2 romperá. Cohoecido como ruptura por avalanche e a
tensão e chamada tensão de ruptura direta (forward breakdown voltage-VBO).
Como as junções J1 e J3 já estão diretamente polarizadas, haverá um
movimento livre de portadores através de todas as três junções, resultando
em uma grande corrente de anodo no sentido directo
O DISPOSITIVO ESTARÁ EN ESTADO DE CONDUÇÃO OU ESTADO
LIGADO (on-state)
A queda de tensão se deve à queda ôhmica nas quatro camadas e é
pequena, tipicamente 1V

A corrente de anodo é limitada por uma impedância ou resistência externa RL

A corrente de anodo tem de estar acima de um valor conhecido com corrente


de travamento (latching currente IL), a fim de manter a quantidade necessária
do fluxo de portadores na junção, de outra forma o dispositivo voltará à
condição de bloqueio quando a tensão anodo – catodo for reduzida.

A corrente de travamento IL é a mínima corrente de anodo necessária para


manter o tiristor no estado de condução imediatamente após um tiristor ter
sido ligado e o sinal de gatilho ter sido removido.
FORMA SIMPLIFICADA DO DISPOSITIVO Quando se injeta uma corrente à porta faz que se estabeleça uma
corrente em sentido ânodo-catodo
Circulará uma corrente através de J3, com portadores negativo,
vai do catodo para a porta

Por sua construção a camada P onde se conecta a porta é


suficientemente estreita para que parte dos eletrões que
atravessem J3 tenham energia suficiente para vencer a barreira de
potencial existente em J2, sendo atraídos pelo ânodo
Na união polarizada reversa a diferença de potencial diminui e se
estabelece uma corrente entre ânodo e catodo que poderá
persistir ainda sem a corrente de porta.

Para que o SCR deixe de conduzir é necessário que sua


corrente caia por debaixo do valor mínimo de manutenção (IH),
permitindo que se restabeleça a barreira de potencial em J2.
Para a comutação do dispositivo não basta aplicar uma tensão
Polarizada reversa negativa entre ânodo e catodo. Dita tensão inversa acelera o
Polarizadas directa processo de desconexão por deslocar nos sentidos adequados
Não haverá condução até que a tensão os portadores na estrutura cristalina, mas ela sozinha não
V aumente a um valor que provoque a garante a desconexão.
AK
ruptura da barreira de potencial de J2
Uma vez que o tiristor conduz, ele se comporta com um diodo em condução
não há controle sobre o dispositivo. Ele continuará a conduzir porque não há
controle sobre o dispositivo

Ele continuará a conduzir porque não há camada de despleção devido ao


movimento livre de portadores na junção J2.

Se a corrente direta de anodo for reduzida abaixo de um nivel conhecido


como corrente de mantenção (holding current IH) uma região de despleção se
desenvolverá em torno da junção J2, devido ao reduzido número de
portadores, e o tiristor estará no estado de bloqueio.

A corrente de manutenção está na ordem de mA e é menor que a corrente de


trabamento IL.
A corrente de travamento IL é mínima corrente de anodo para manter o tiristor no
estado de condução
A corrente de manutenção é menor que a corrente de travamento. IH < IL
Quando a tensão de catodo é positiva em relação ao anodo a junção J2 está
directamente polarizada, mas as junções J1 e J3 estão reversamente polarizadas.
Como dois diodos conectas em série, com tensão reversa sobre eles.
O tiristor estará no estado de bloqueio reverso e uma corrente de fuga reversa,
conhecida como corrente reversa IR, fluirá através del dispositivo
Um tiristor pode ser ligado pelo aumento de tensão directa VAK além de VBO mas tal
forma de ligá-lo pode ser destructiva
Na prática, a tensão direta é mantida abaixo de VBO e o tiristor é ligado (disparado)
pela aplicação de uma tensão positiva entre seus terminais de gatilho e catodo
GATILHO
GATLIHO

GATILHO (G)

CAPA DE CAPA
JUNÇÃO CATÓDICA CATÓDICA
CONTROLE

JUNÇÃO DO CONTROLE
CAPA DE BLOQUEIO
JUNÇÃO ANÓDICA

CAPA ANÓDICA

VISTA LONGITUDINAL DO SCR


Porta

Seção de um SCR para potências muito elevadas


JUNÇÃO
REVERSAMENTE
POLARIZADA

Gatilho

SCR REVERSAMENTE POLARIZADO


SCR DIRETAMENTE POLARIZADO
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA
Estado de condução, ON Aplicando um pulso de corrente
positiva no porta, durante um pequeno
intervalo de tempo, possibilitando que
passe ao estado de bloqueio direto.

(1-3V)

Zona Bloqueio,
Bloqueio OFF
Reverso

Não conduz
corrente

Se não haver sinal


aplicado à porta,
permanecerá em bloqueio
independentemente do
signo da tensão VAK.

VAK. < 0. Esta condição corresponde ao estado de não


condução em inversa, comportando-se como um diodo.
Condução

BLOQUEIO
REVERSO
Existe uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de
uma associação de dois BJT
MODELO COMO DOIS TRANSISTORES DE UM TIRISTOR
A ação regenerativa ou de travamento devido àrealimenção positiva pode ser
demostrada pela ulização de um modelo de tiristor con dois transistores.

Un tiristor pode ser considerado como dois transistores complementares, un


pnp e outro npn
Ic= corrente = ganho de ICBO=corrente de fuga
colector del tiristor corrente em da junção base
base común colector

Para o transistor Q1, a corrente de emissor é a


corrente de anodo IA

Para uma corrente de gatilho de IG

  I  I CB1  I CB1 O ganho de corrente 1 varia

1     
2 G
I A com a corrente de emissor
1 2 IA=IE; e 2 varía com IK=IA+IG
  I  I CB1  I CB1
1     
2 G
I A
1 2

 Se a corrente de gatilho IG for subitamente aumentada, por examplo de 0 a 1


mA, isto imediatamente aumetará a corrente de anodo IA, o que aumentará
ainda mais 1 e 2
 2 dependerá de IA e IG
 O aumento nos valores de 1 e 2 aumentará ainda mais IA.

 Por tanto há um efeito regeneratibo ou de realimentação positiva


 Que acontece se 1+ 2 tender á unidade?
 O denominador de IA se aproximará de zero, resultando em uma grande
corrente de anodo, e o tiristor será disparado com uma pequena corrente de
gatilho
So condições transitórias, as capacitâncias das junções pn infuenciarão a
curva característica do tiristor
Ordem de µs, os portadores sofrem um deslocamento infinitesimal para fazer
frente à tensão exterior aplicada.
A medida que a corrente
de gatilho aumenta, a
tensão de bloquei direta
diminui
É importante o conhecimento dos limites máximos e
mínimos para a tensão VGK e a corrente IG

Mínima tensão de porta


que assegura a
condução de todos os
componentes de um
tipo determinado, para a
mínima temperatura
especificada.
Máxima tensão de porta que
assegura que nenhum Mínima corrente necessária para
componente de um tipo assegurar a entrada em condução de
determinado entrará em qualquer dispositivo de um certo tipo, à
condução, para a máxima mínima temperatura.
temperatura de operação..
DISPARO DE UN TIRISTOR
AUMENTANDO-SE A CORRENTE DE ANODO A TRAVÉS DE:

TÉRMICA. Se a temperatura de um tiristor for elevada, haverá um aumento no número de


pares elétrons-lacunas que aumentará as corrente de fuga, causando aumento de 1 e 2.
Esse tipo de disparo pode causar agitação térmica, é evitado.

LUZ. Se for permitido que a luz atinja as junções de um tiristor, os pares electrões-lacunas
aumentarão

TENSÃO ELEVADA OU SOBRETENSÃO. Se a tensão directa anado –catodo for maior que la
tensão directa de ruptura VBO fluirá uma corrente de fuga suficiente para inicar o disparo
regenerativo. Esse tipo de disparo pode ser destrutivo

CORRENTE DE GATILHO. Se o tiristor estiver directamente polarizado, a injeção de corrente


de gatilho plea aplicação de tensão positiva entre os terminaies de gatilho e catodo irá
dispará-lo. À medida que la corrente de gatilho aumenta, a tensão de bloqueio direta disminui
Formas de Há um atraso de tempo da corrente
onda da de anodo, seguindo a aplicação do
corrente de sinal de gatilho, conhecido como
anodo, tempo de disparo (turn-on-time, ton),
seguindo a entre a aplicacão do signal de gatilho
aplicaçâo do e a condução do tiristor
sinal de
gatilho

O ton é definido como o intervalo de


tempo entre 10% da corrente de
gatilho de regime permanente
(0,1IG) e 90% da corrente de regime
permanente em estado de
conduçãodo tiristor (O,9IT)

ton=td+tr

td: intervalo de tempo entre 10% da corrente de gatilho e 10% da corrente de tiristor
em estado de condução
tr: tempo necessário para a corrente de anodo crescer de 10% a 90% da corrente
de condução (ou seja 0,1 IT a 0,9IT)
Pontos devem ser considerados no projeto de
controle de gatilho
O sinal de gatilho deve ser removido após o disparo do tiristor. Uma sinal
contínua aumentaría a perda de potência na junção do gatilho
Enquanto o tiristor estiver reversamente polarizado, não deverá haver sinal
de galilho; de outra forma o tiristor podería falhar devido a um aumento da
corrente de fuga.
A largura do pulso de gatilho tG tem de ser maior que o tempo necessário
para a corrente de anodo crescer até o valor da corrente de manutenção IH.
 Na práctica a largura do pulso TG normalmente é feita maior que o tempo de
disparo do tiristor ton
Desligamento do tiristor
Um tiristor que esteja em estado de condução pode ser desligado pela
redução da corrente directa a um nível abaixo da corrente de manutenção IH.

Ha várias técnicas para o deligamento, en todas a corrente de anodo é


conservada abaixo da corrente de manutenção por um tempo
suficientemente grande de forma que todos os portadores em excesso nas
quatro camadas sejam eliminados ou recombinados
A tensão de entrada é alternada, uma
tensão reversa aparece sobre o tiristor
imediatemente após a corrente direta ir
para o valor zero
Esta tensão reversa acelerará o processo
desligamento, eliminando o excesso de
portadores nas junções pn J1 e J3
A junção pn J2 necessitará de um tempo
conhecido com tempo de recombinação
trC para recombinar o excesso de
portadores
Uma tensão reversa negativa reduziría
esse tempo de recombinação, por tanto
tRC depende da amplitude de essa tensão
O tempo de desligamento tq é a soma do
tempo de recuperação reversa trr e do tempo
de recominação trC.
Ao término do desligamento, uma camada
de depleção desenvolve-se sobre a junção
J2 e o tiristor recupera sua capacidade de
suportar (bloquear) tensão direta
O tempo de desligamento (turn-off time, tq) é
o valor mínimo do intervalo de tempo entre o
instante em que a comente em estado de
condução e diminuida da a zero e aquele em
A carga recuperada reversa (reverse recovered charge que a tiristor é capaz de suportar tensão
QRR= é a quantidade de carga que tem de ser directa sem disparar.
recuperadadurante o processo de desligamento. Seu valor
é determinado a partir da área englobada pelo caminho d Depende do valor máximo da corrente de
corrente de recuperação reversa. Depende da taxa de condução e do valor instantáneo da tensão
decaimento da corrente de condução e do valor máximo
da corrente, em estado de conduçao ambas em estado de condução
CARACTERÍSTICA DINÂMICA
td = Tempo de demora 1- 2 µs.
tr = Tempo de ascensão 2 – 8
µs.
tgt = Valor típico 10 µs.
Tempo de curvatura (8 ÷20µs.)
VG (3 ÷20V)
IG (100 ÷ 200mA)
Principais parâmetros eléctricos do tiristor
Corrente nominal em sentido direto In. Valor meio da corrente retificada com
frequência de (50 ou 60Hz) em um circuito monofásico de ½ onda sinusoidal com
carga ativa em condições de esfriamento normais e A uma temperatura de 125
C; alguns tiristores contêm o valor In em sua nomenclatura, por exemplo T 160,
no qual a corrente nominal é de 160 A (In = 160 A.)

Voltagem nominal valor instantâneo máximo direto e inverso que se pode aplicar
ao tiristor geralmente Vn = 0,6 V para V > V o ou Vn = 0,6 Vo para o Vo > V .
Magnitudes das correntes inversas e de fuga
permisivas

DENOMINAÇÃO. Normas estabelecidas para os tiristores dos tipos

T10 T25 T50 T100 T160 T200 TB200 T320 TB320

Corrente inversa e
corrente de fuga
(mA) 5 10 10 10 15 15 15 15 15
Queda de voltagem em sentido direto
nominal Vn, mede-se para o In uma
temperatura de 25C
Grupos de
transístores A B C D

DENOMINAÇÃO.

Queda de
voltagem em Até Mais de Mais de Mais de
sentido direto em 0.65 0.65 até 0.75 até 0.85 até
caso de corrente 0.75 0.85 1.4
nominal In
• Tempo de desconexão (Tz) oscila entre 25 s e 200 s.

Grupo ao que
pertence o I II III
tiristor
Denominação.

Tempo de Não mais de 25 Mais de 25 Mais de 70


desconexão em Até 70 até 200
µs
• Tempo de conexão (tb) desde que se aplica
impulso ao EM até que Va diminui aos 10 % de
seu valor inicial (tb oscila entre 8 s e 20 s)

• Corrente de retenção (holding.) É a corrente


mínima em sentido direto que garante que o
tiristor se mantenha em condução

• Temperatura máxima permissível normalmente


125C
Velocidade permissível de crescimento da voltagem
em sentido direto no ânodo (dua/dtmáx.). É um
parâmetro muito importante já que a um grande
dua/dt, a voltagem de ruptura V diminui
bruscamente e pode ocorrer a abertura espontânea
do tiristor, dua/dt = 200 V/s para os tiristores e
dua/dt = 20 V/  s para os triacs.
Velocidade permissível de crescimento da
corrente em sentido direto (di/dtmáx.) . Existe
um limite se se ultrapassa se eleva a
densidade de corrente na zona próxima ao
Gate, incrementando a temperatura e se se
ultrapassar os limite pode danificar a união.
RESUMO DAS CARACTERISTICAS DO SCR
Características mas destacadas do SCR:
Estrutura de quatro capas p-n alternadas.
Diretamente polarizado tem dois estados: cevado y bloqueado. Polarizado
reversamente estará bloqueado.
Dispositivo capaz de suportar as potências mais elevadas. Único dispositivo
capaz de suportar I>4000A. (Von2÷4V.) e V>7000V
Controle do aceso por corrente de porta (pulso). Não é possível apagá-lo
da porta. O circuito de potência deve baixar a corrente de anodo por
debaixo da de manutenção.
Frequência máxima de funcionamento baixa, já que se sacrifica a
velocidade (vida média dos portadores larga) para conseguir uma queda em
condução o menor possível. Seu funcionamento se centra em aplicações A
frequência de rede.
Características mas destacadas do SCR:

• A derivada da corrente de anodo respeito ao tempo no


momento do pico deve limitar-se para dar tempo à
expansão do plasma em todo o cristal evitando a
localização da corrente.

• A derivada da tensão ânodo catódico ao voltar a aplicar


tensão positiva deve limitar-se para evitar que volte cevar-
se. Também se deve esperar um tempo mínimo para
voltar a aplicar tensão positiva.
Material de apoio para aula

• Ashfaq Ahmed, Electrónica de Potência,


Editora Afiliada, 2000, São Paulo.
• Muhammad H. Rashid, Eletrônica de
Potência,Editora Afiliada, segunda Edição
1999.
• Notas do Docente.

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