Diodo de potência(PIN):

- Passagem de construção lateral para vertical, para conseguir comportar as correntes à

condução elevadas

- Existencia de zona quase intrinseca, de deriva, que ajuda a comportar as tensões inversa
elevadas ao corte

- Estas duas afetam o funcionamento do PIN na comutação

- Passagem corte condução pode existir uma sobrelevação da tensão que pode ir dos 10V aos
30V e que depende de di/dt

e indutancias parasitas,

- Passagem da condução ao corte, quando a corrente é reduzida a zero, o díodo continua a

conduzir devido aos portadores minoritários, armazenados

na junção P-N e no volume do material semicondutor, estes requerem algum tempo para se
recombinar com cargas opostas e serem neutralizadas,

tempo de recuperação inverso, onde a corrente fica negativa, que depende de di/dt e se
extingue rapidamente dando origem a uma sobrelevação negativa;

- Para mitigar estes efeitos, são utilizados circuitos de ajuda à comutação e protecção,
constituidos por uma indutância em sério com o diodo,

para limitar o di/dt e capacidades em paralelo para limitar o dv/dt e pico de tensão negativa, é
ainda posta ma resistência

em serie com o condesador para limitar o pico de corrente de descarga deste, quando o diodo
passar à condução.

- Fenomeno da dupla injeção reduz a resistencia do dispositivo à condução, resistência essa

que aumenta devido à existência da zona de deriva,

permitindo a Modelação de condutividade do diodo.

Tiristor (SCR)

- Quando o Tirístor, SCR, tem uma tensão negativa entre A-K, as duas junções exteriores estão

inversamente polarizadas, o SCR está ao corte e só existe uma corrente de fugas que atravessa
o dispositivo.

- Quando o SCR tem uma tensão positiva entre A-K, a junção intermédia está inversamente
polarizada. O dispositivo

pode passar à condução se for aplicada uma tensão A-K maior que a tensão VBO. A forma mais
comum é aplicar um sinal de G-K com tensão e corrente.

- Nestas duas situações o dispositivo passa à condução se a corrente A-K

for superior à corrente de lançamento, IL, e passará ao corte se a corrente A-K descer abaixo da
corrente de manutenção, IH.

Circuito de protecção

- Existe necessidade de utilização de uma indutância em série com o SCR para diminuir o di/dt
na

passagem à condução e de um condensador em paralelo para diminuir o dv/dt na passagem ao

corte, impedindo disparos intempestivos,

é também posta uma resistência em série com o condensador para diminuir o pico de corrente
na descarga do condensador na passagem à condução do SCR.

Circuito de disparo SCR

- O circuito é comando pelo sinal vgs na gate do MOSFET, este sinal deverá ter sido gerado

com base um circuito de comando que garante o sincronismo com a passagem por zero da
tensão de alimentação do SCR, só assim se consegue garantir o ângulo de disparo, e que o SCR
é colocado à condução, diretamente polarizado.

- D2 e D3, impede tensões negativas em vGK, R1, limita i1 em caso de saturação, vGK, vale 0,7V
se SCR à condução.
Isolamento galvanico:

- Transformador

Quando Sm está “ON” é aplicado no SRC uma tensão vGK=v1-vD2, onde N1=N2, i.e. v1=v2. O
valor de v1 tem que ser calculado de forma a garantir as condições para a passagem do SCR à
condução se este estiver diretamente polarizado, e para não saturar o núcleo do
Transformador, Tr, ou seja, v1.ton deve ser menor que o fluxo máximo de Tr.

- RC

Quando Sm está “OFF” é aplicada uma tensão negativa ao primário do Tr que realiza a
desmagnetização do seu núcleo, de volta ao estado inicial antes do impulso, v1=-Vc, onde
Vc=Vdc.∂/(1-∂), onde ∂ é o fator de ciclo, considerando the RcCc>>T, em que T é o período do
sinal de comando vgs

- Zener/diodo

Quando Sm está “OFF” é aplicada uma tensão negativa ao primário do Tr que realiza a
desmagnetização do seu núcleo, de volta ao estado inicial antes do impulso, v1=-Vz-VD1.

Circuito de desmagnetização D1, Vz.

TBJ

Malha anti-saturação

-Os circuitos, baseados em díodos, de anti-saturação colocados nas bases dos TBJ garantem
que a junção B-C fica polarizada 0V ou com uma tensão negativa quando se aplica um corrente
na base para saturar o dispositivo, assegurando que este funciona na região de quase
saturação.

- Esta técnica permite que o tempo de passagem à condução ao corte seja reduzido, ainda que
durante a condução a tensão no dispositivo seja maior do que se este estivesse na saturação
profunda.

- Desta forma, para frequências elevadas de comutação onde o termo de potência dissipada na
comutação é o mais significativo, o circuito anti-saturação permite reduzir as perdas.

Malha de ajuda à comutação

- As malhas de ajuda à comutação ajudam a tornar as formas de onda da V e I durante as

comutações mais lineares, limitando di/dt e dv/dt nos dispositivos,desta forma ajudam a
reduzir os tempos de comutação, reduzindo as perdas durante estes períodos.

- Um exemplo duma malha destas, para o TBJ, mostra uma indutância em série com o TBJ e um
circuito RCD em paralelo. LS limita o dic/dt na passagem à condução. Cs limita o dvCE/dt na
passagem ao corte.

- RS dissipa a energia armazenada em Cs quando o TBJ passa à condução. Ds limita a potência

dissipada em RS, devido a LS, na passagem ao corte do TBJ.

- Temos que garantir que o tempo que o dispositivo está à condução, ton, é superior ao tempo
de descarga do C, 5RC, para a tensão em C chegar a zero antes da passagem ao corte de TBJ

Cicuito de comando (4TBJ)

- Um exemplo dum conversor DC/AC em ponte com 4 TBJ, onde os TBJ Q1 e Q2 são
comandados pelo mesmo sinal

e os TBJ Q3 e Q4 são comandados por um sinal complementar ao anterior.

- De forma a não existir condução simultânea, o complemento do sinal deve

see feito por um circuito de geração de tempos mortos.