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Faculdade de Engenharia
Engenharia Elétrica
Prática 4
Polarização de Transistores
15/04/2009
1 - Objetivo
2 - Trabalho Preparatório
+12 V
+12 V
+12 V
150 kΩ 150 Ω
6,8 kΩ 150 Ω
220 kΩ 330 Ω
180 Ω
3,3 kΩ 180 Ω
Figura 1
Figura 2
Figura 3
3 - Execução
Medido
Parâmetro Calculado Simulado
BC 238 BC 338 BC 548
Vb (mV) 700 680 664 714 670
Vc (V) 6,91 7,15 8,01 5,36 8,05
Ib (μA) 51,4 51,46 51,8 50,9 51,4
Ic (mA) 15,4 14,7 11,6 20,3 11,1
VCE (V) 6,91 7,15 8,01 5,36 8,05
β 300 286 224 399 216
Tabela 1
O fator de variação da corrente de coletor em função da variação de β pode ser
encontrado através da seguinte fórmula:
∆ I C | I C (calculado) − I C (medido) |
=
∆β | β ( fornecido) − β (medido) |
Medido
Parâmetro Calculado Simulado
BC 238 BC 338 BC 548
Vb (V) 3,70 2,93 4,19 2,90 3,00
Vc (V) 9,51 10,14 9,00 9,97 9,87
Ve (V) 3,00 2,25 3,47 2,34 2,32
VCE (V) 6,51 7,89 5,41 7,54 7,50
Ib (μA) 55,3 60,47 53,1 60,7 60,3
Ic (mA) 16,6 12,42 19,2 12,8 12,6
Ie (mA) 16,7 12,48 19,3 13,0 12,9
β 300 205,39 362 211 209
Tabela 2
Medido
Parâmetro Calculado Simulado
BC 238 BC 338 BC 548
Vb (V) 3,79 3,79 3,66 3,60 3,60
Vc (V) 9,43 9,42 9,42 9,45 9,46
Ve (V) 3,09 3,10 2,99 2,95 2,94
VCE (V) 6,34 6,32 6,55 6,44 6,46
Ib (μA) 57,1 60,57 105,3 115,0 119,4
Ic (mA) 17,1 17,17 16,5 16,3 16,2
Ie (mA) 17,2 17,23 16,6 16,4 16,3
β 300 283,47 157 142 136
Tabela 3
4 – Conclusões:
Em vista das polarizações testadas experimentalmente, podemos afirmar que a
terceira, usando um divisor de tensão na base e resistor de degeneração de emissor
como realimentação negativa, fornece o modo mais estável de se trabalhar na região
linear do transistor bipolar.