Transistores de efeito de

campo (FET)
 Classificação dos transistores
TRANSISTOR

BIPOLAR (BJT) UNIPOLAR (UJT)

NPN PNP JFET MOSFET

CANAL CANAL ENRIQUECI-

DEPLEÇÃO
N P MENTO

CANAL CANAL CANAL CANAL

N P N P
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Funcionamento do JFET
Funcionamento do JFET
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Curvas características do JFET
Curvas características do JFET
 Efeito da temperatura sobre as
características do JFET

Efeito da temperatura sobre a curva característica IC vs. VG

do JFET.
Circuito de polarização do JFET
Ganho de tensão do amplificador JFET
Transistor de Efeito de Campo: JFET
Entrada de Corrente Amplificador Saída de Corrente
de
Tensão
O JFET é
um aplificador
de tensão
controlada.
 Gatilho Dreno
Fonte

Canal N
Substrato do tipo P
Estrutura de um
canal N JFET Dreno

Gatilho
O canal possui portadores para que se possa
conduzir da fonte para o dreno. Fonte
 Gatilho Dreno
Fonte

Canal N
Substrato do tipo P

Uma tensão de gatilho Dreno

negativa pode empurrar
Gatilho
os portadores do canal
e desligar o JFET. Fonte
 0V
-1 V
-2 V
ID em mA VGS
-3 V
-4 V

0 -5 V
VDS em volts

Isto é conhecido como um dispositivo de modo depleção.

Família de curvas características de um canal N de dreno JFET

É possível fazer transistores de efeito de campo
de potência também.
Isolador de
óxido metálico Dreno

n
VDD D
Gatilho
p G

n S
VGG
Fonte Canal N
MOSFET
Polarização de gatilhos potencializa o canal e liga o dispositivo.
 5V
4V
3V
ID em mA VGS
2V
1V

0 0V
VDS em volts Dreno

Família de curvas características Gatilho

de um dreno MOSFET
em modo de intensificação Fonte
Aplicação de JFET: fonte de corrente

JFET com o fonte de corrente constante: (a) circuito

básico; (b) adição de RS para corrigir efeito de
temperatura; (c) referência de tensão de baixo ruído
usando JFET canal P.
Transistor de Efeito de Campo: JFET

Curva característica do JFET

Transistor de Efeito de Campo de
Óxido Metálico: MOSFET

Transistor de efeito de campo de porta isolada

ou FET óxido metálico semicondutor
MOSFET
 MOSFET
Dispositivo semicondutor de quatro terminais: Gate (G),
Source (S), Dreno (D) e Substrato ou Body (B), controla
a corrente IDS por meio da tensão VGS.
MOSFET
Funcionamento do MOSFET
 Modos de operação do MOSFET
Curvas características Curva de transferência

(a) Curvas I-V características e (b) curva de transferência (para VDS

= 10 V) para um NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de
depleção quanto no modo de enriquecimento.
Curvas características do CMOSFET
O MOSFET como Amplificador
MOSFET de potência
Portas lógicas e circuitos digitais

Porta lógica OU
Portas lógicas e circuitos digitais

Porta lógica AND

O transistor como chave: portas
lógicas e circuitos digitais

Porta lógica NAND

O transistor como chave: portas
lógicas e circuitos digitais

Porta lógica inversora

 Circuitos com transistor:
amplificador e porta lógica
 Transistores FET complementares: CMOS

NMOS PMOS

S G D D G S

Poli-
SiO2 silício SiO2
SiO2 SiO2 SiO2

N- N- P+ P+
Cavidade tipo N

Corpo tipo P

Par complementar de MOSFETs canal N e canal P = CMOS

 Transistor CMOS: porta lógica inversora
+VDD

Parâmetros operacionais:
VDD = 3 a 15 V
Q1 Pd = 0,3 mW,
d = 200 ns,
Vin Vout VNM = 0,4 VDD

Q2 Estado lógico “1” Vo  VDD

Estado lógico “0” Vo = 0 V.
Transistores MOSFET: memória RAM
Comparação de circuitos chave com
transistor: bipolar (BJT) e JFET
Comparação de transistores: bipolar
(BJT) vs. FET
Comparação de transistores: bipolar
(BJT), JFET e MOSFET

Corrente de polarização e impedância de entrada

Símbolos FET
 MOTOR STEPPER

A B C D

A
Energia do modo
de intensificação B
de MOSFETs
usada como chaves C

D
 Amplificador BJT x FET

Um diodo zener deve ser colocado no terminal gate do

MOSFET se a tensão no gate vindo da fonte for maior
que 20V.
 Amplificador BJT x FET

BJT PNP PMOSFET