Prof.

Rômulo Augusto Nascimento de Oliveira

Prof. Raimundo Nonato das Mercês Machado (autor)

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

Unidade III – Transistor de Efeito de Campo

FET (Field­Effect Transistor)
Introdução
Dispositivos controlados por corrente e controlados por tensão

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FET (Field­Effect Transistor)
Introdução

Dois tipos de FETs serão estudados
Transistor de junção por efeito de Campo (JFET)
Transistor de efeito de campo metal­óxido semicondutor
(MOSFET)
MOSFET tipo depleção
MOSFET tipo intensificação
O MOSFET tronou­se um dos dispositivos mais importantes
utilizados no projeto e construção de circuito integrados para
computadores digitais.

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características
Funcionamento para V GS = 0 e V DS > 0

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características
Funcionamento para V GS = 0 e V DS > 0
Tensão de Pinch­off (Constrição), VP ou VGS(off)

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características
Fonte de corrente equivalente para V GS = 0 e V DS > VP
IDSS é a máxima corrente de dreno para um JFET, e é definida
pela condição V GS  = 0 V e V DS  > |VP |

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características
Funcionamento para V GS < 0

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características
Curvas características de um JFET canal n com IDSS = 8 mA e
VP= ­4 V.

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Construção e características
Resistor controlado por tensão
Na região ôhmica ou região de resistência
controlada por tensão.
O JFET pode ser usado como um resistor
variável com resistência dada pela equação

ro é a resistência para V GS  = 0
rd é a resistência para um valor particular de
V GS

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FET (Field­Effect Transistor)
JFET canal ­ n
Exemplo 3.1.
Dada a característica de saída de um JFET calcular a
resistência para VGS = 0 V? Traçar o gráfico do valor da
resistência em função de VGS.

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FET (Field­Effect Transistor)
Símbolos do JFET
JFET canal n JFET canal p

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FET (Field­Effect Transistor)
Características de transferência
A relação entre ID e VGS para um JFET é definida pela equação
de Shockley.

As características de transferência definidas pela equação de

Shockley não são afetadas pelo circuito no qual o dispositivo é
empregado.

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FET (Field­Effect Transistor)
Características de transferência
Curva de transferência a partir das curvas de dreno.

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FET (Field­Effect Transistor)
Características de transferência
Curva de transferência a partir da equação de Shockley

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FET (Field­Effect Transistor)
Características de transferência
Curva de transferência normalizada

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FET (Field­Effect Transistor)
Folhas de especificações

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FET (Field­Effect Transistor)
Folhas de especificações

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FET (Field­Effect Transistor)
Folhas de especificações

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FET (Field­Effect Transistor)
Características de transferência
Exemplo 3.2.
Traçar a característica de transferência para o 2N4391 (VP(min)
= ­4 V, IDSS(min) = 50 mA, VP(max) = ­10 V, IDSS(max) = 150 mA ).
Qual a corrente de dreno para VGS = ­2 V? Obter a
característica de transferência com VGS variando de 0 V em
passos de 0,25 V até o ponto de corte.

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FET (Field­Effect Transistor)
Características de transferência
Exemplo 3.3.
Dada as curvas de um JFET pede­se:
Determinar V DS para V GS = 0 V e ID = 6 mA. Qual a resistência
do JFET?
Determinar V DS para V GS = ­1 V e ID = 3 mA. Qual a resistência
do JFET?
Determinar V DS para V GS = ­2 V e ID = 1,5 mA. Qual a
resistência do JFET?
Definindo­se o ro como o valor obtido com VGS = 0 V,
determinar a resistência para V GS = ­1 V e V GS = ­2 V, usando a
equação

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
MOSFET tipo depleção canal n
Construção Básica

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
MOSFET tipo depleção canal n
Construção Básica
MOSFET tipo
depleção canal n com
V GS  = 0

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
MOSFET tipo depleção canal n
Operação Básica e Características
Características de dreno e curva de transferência

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
MOSFET tipo depleção canal n
Operação Básica e Características
Equação de Shockley

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
MOSFET tipo depleção canal p
Operação Básica e Características

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.
Símbolos gráficos

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo depleção
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal n
Construção básica

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal n
Formação do canal

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal n
Operação básica e
características
Alterações no canal e na
região de depleção com o
aumento de V DS para um
valor fixo de V GS

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal n
Operação básica e características
Corrente de dreno

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal n
Operação básica e características
Características de dreno com V T = 2 V e k = 0,278x10 ­3  A/V2 .

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal n
Operação básica e características
Curva característica de transferência

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação canal p
Operação básica e características

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.
Símbolos gráficos

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
Símbolos, folhas de especificações e encapsulamento.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
MOSFET tipo intensificação
Exemplo 3.4.
Considerando­se o MOSFET 2N6757:
Encontrar o fator k para VGS  = 3.5, 4.0, 4.5 e 5.0 V.
Com os valores de k encontrados, traçar a característica de
transferência do dispositivo.

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
CMOS

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
CMOS
Inversor CMOS

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MOSFET (Metal­Oxide­Semiconductor Field­Effect Transistor)
CMOS
Inversor CMOS
Níveis relativos de resistência para V i = 5 V.

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta

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FET (Field­Effect Transistor)
Polarização do JFET
Polarização de porta
Exemplo 3.5.
O JFET do circuito tem IDSS = 12 mA e VP = ­4 V, pede­se:
A característica de transferência do dispositivo.
Determinar I DQ graficamente.
Determinar V DSQ .

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FET (Field­Effect Transistor)
Polarização do JFET
Polarização de porta
Exemplo 3.6.
O JFET do circuito tem IDSS = 10 mA e VP = ­4,5 V. Pede­se
IDQ, VGSQ , VDS , VD, VG e V S .

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta
Polarização na região ôhmica

Para polarização na região

ôhmica deve­se ter

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta
Polarização na região ôhmica
Circuito equivalente

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta
Polarização na região ôhmica
VP = 4, V GSoff = ­4 V se V GS  = ­10 V, JFET no corte e V D = 10 V.
V GS  = 0 V, I Dsat  = 1 mA,
 RDS = 400 Ω, VD = 0,385 V.

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização de porta
Polarização na região ôhmica
Exemplo 3.7.
O JFET do circuito está polarizado na região ôhmica. Traçar a
curva para variação da resistência RDS  para VGS  entre 0 e ­3 V.

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Configuração com Autopolarização
Método gráfico

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Configuração com Autopolarização
Método gráfico
Reta de carga

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FET (Field­Effect Transistor)
Polarização do JFET
Configuração com Autopolarização
Exemplo 3.8.
O JFET do circuito tem IDSS = 10 mA e VP = ­4 V, pede­se:
A curva característica do dispositivo.
Determinar I DQ, VGSQ , graficamente.
Determinar V D,Vs, VG e V DS .

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização com duas fontes

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização com duas fontes
Exemplo 3.9.
O JFET do circuito tem IDSS = 9 mA e
V P  = ­3 V, pede­se:
A curva característica do
dispositivo.
IDQ, VGSQ , graficamente.
V D,Vs, VG e V DS .

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização por Divisor de Tensão

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização por Divisor de Tensão
Reta de carga DC

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização por Divisor de Tensão
Exemplo 3.10.
O JFET do circuito tem IDSS = 8 mA e
V P  = ­6 V, pede­se:
A curva característica do
dispositivo.
IDQ, VGSQ , graficamente.
V D,Vs, VG e V DS .

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização com Fonte de Corrente

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Polarização do FET
Polarização do JFET
Polarização com Fonte de Corrente
Exemplo 3.11.
O JFET do circuito tem IDSS = 8 mA e
V P  = ­6 V, pede­se:
A curva característica do
dispositivo.
IDQ, VGSQ , graficamente.
V D,Vs, VG e V DS .

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Polarização do FET
Polarização do MOSFET tipo Depleção
A análise é a mesma usada para o JFET.
A única etapa não definida são os valores de ID para valores
positivos de V GS, já que esses valores são maiores que I DSS.

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Polarização do FET
Polarização do MOSFET tipo Intensificação
Polarização com Realimentação de Dreno

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Polarização do FET
Polarização do MOSFET tipo Intensificação
Polarização com Realimentação de Dreno
Determinação do ponto Q

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Polarização do FET
Polarização do MOSFET tipo Intensificação
Polarização com Divisor de Tensão

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Polarização do FET
Dispositivos de Canal p
Para dispositivos de canal p, as curvas de transferência são
imagens refletidas das curvas de dispositivos de canal n, e os
sentidos das correntes são invertidos.
Devido ao fato das análises para os dispositivos de canal n e
canal p serem semelhantes, dose­se assumir um dispositivo
de canal n, inverter a tensão da fonte, e realizar normalmente
toda a análise para o canal p.
Os resultados obtidos terão amplitude correta, mas os
sentidos das correntes e as polaridades das tensões terão de
ser invertidos.

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