Universidade Católica de Angola

Faculdade de Engenharia
Licenciatura em Engenharia de Telecomunicações
Eletrônica II

Capítulo II
Transístor de Efeito de Campo

Msc. Muanza Ngombo

Luanda 2022
 Conteúdo 2

1. Introdução e Conceito.
2. Vantagens do FET em Relação BJT.
3. Transistor de Efeito de de campo de junção(JFET)
4. Polarização JFET
5. Transistor Efeito de campo Metal-Oxido-S/C(MOSFET)
6. Polarização MOSFET
7. Quadro Comparativo
8. Referências Bibliográficas

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 1. Introdução e Conceito 3

O transístor de Efeito de Campo(FET): é um dispositivo de 3 terminais

utilizado em varias aplicação e que cuja a operação depende do controlo da
corrente devido a um campo elétrico ou seja controla a corrente por meio da
tensão aplicada em um dos seus terminais(porta).

Diferente do Transístor Bipolar de Junção(TBJ) em que o fluxo de corrente

depende da corrente aplicadas nos seus terminais.

Existe basicamente 2 tipos de Transistor de Efeito de Campo:

1.Transistor de efeito de campo de Junção (JFET).
2.Transistor de efeito de campo de metal-oxido-s/c(MOSFET).

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 1.1 Introdução e Conceito 4

O principio de Funcionamento do FET esta basiado na modulação aplicada

em seus terminais que vai controlar a corrente que circulará em uma região
denominado canal.

Onde:
•Fonte(S): fornece os electrões livres.
•Dreno(D): drena os electrões livres proveniente da fonte.
•Porta(G): controla a largura do canal controlando o fluxo de electrões
entre a fonte e o dreno.

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 2. Vantagens do FET em relação ao BJT 5

As principais são:

•Controle do fluxo da corrente: no FET é por tensão e no BJT é por corrente.

•Impedância de entrada: no FET é muito alta (> 1 MΩ) e no BJT baixa (por
causa da junção PN polarizada diretamente).
•Tipo de portador: no FET é o electrão livre ou a lacuna e no BJT são electrão
e lacuna.
•Ganho de tensão: no FET é menor que no BJT.
•Os FET pela sua simplescidade são de fácil fabricação possuem menor
tamanho e ocupam menos espaços quando integrados.

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 3.1 Transistor de Efeito de campo de Junção 6

•Porta ou Gate
•Dreno ou Drain
•Fonte ou Source

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 3.2 Transistor de Efeito de campo de Junção 7

Tal como nós BJT os transístor eram do tipo NPN e PNP nós FET teremos o
JFET canal N e JFET canal P onde o canal N será impregado.

Nós JFET canal N a maior parte da sua extrutura é composta do material tipo N
formando o canal entre as camadas imersas de material tipo P.

Simbolos:

Fig1. Simbolo do JFET: (a) Canal N: (b) Canal P.

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 3.3 Transistor de Efeito de campo de Junção 8

Funcionamento do JFET:
•Tensão Vds = 0.
•Tensão Vgs < 0 (PN c/ polariz. Reversa).

Nessas condições, o canal entre o dreno e a

fonte esta totalmente aberto e com
determinado valor de resistência. Como a
tensão Vds = 0 então Id = 0.

Se elevarmos a tensão Vgs, a polarização

reversa aumenta fazendo a região de carga
espacial avançar no canal até fechá-lo
totalmente

O valor de Vgs que provoca o fechamento

total do canal é chamada de tensão de pinch-
off (VP).
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 3.4 Transistor de Efeito de campo de Junção 9

Funcionamento do JFET:
• Inicialmente, Vgs é baixo, a região do canal
praticamente não se altera e, dentro de
certos limites, o dispositivo se comporta
como resistência.

• A medida que Vgs aumenta, a corrente de

dreno se eleva, causando queda de tensão
ao longo do canal e seu afunilamento.

• O estreitamento máximo ocorre quando o

valor de Vgs=|VP|.

• Se Vgs >|VP|, o dispositivo passa a se

comportar como fonte de corrente constante
Id=Idss.

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 3.5 Transistor de Efeito de campo de Junção 10

Curvas características de Dreno

•Vgs=0.

•Vds = 0 , Id=0.

• Vds>0 e Vds<Vp
resistor (região ohmica).

• Vds>Vp região activa, de saturação

ou de amplificação.

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 3.6 Transistor de Efeito de campo de Junção 11

Curvas características de Dreno

•Vgs<0.

•Vds = 0 , Id=0.

• Vds>0 e Vds<Vp
resistor (região ohmica).

• Vds>Vp região activa, de

saturação ou de amplificação.

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 3.7 Transistor de Efeito de campo de Junção 12

Curva Características de transferência

A curva características de transferência também conhecido como curva de

transcondutância mostra como a corrente do dreno vária a medida que Vgs é
alterada.

Qualquer JFET tem uma curva de características de transferência cujo os

pontos finais da sua curva são definida pela por Vp e Idss.

As curvas características de transferência de um JFET é definida pela

equação de Shockley:

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 3.8 Transistor de Efeito de campo de Junção 13

Com o gráfico de Id=Vgs), obtém-se a curva característica de transferência,

pois os valores de entrada são transferidos para a saída.

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 4. Polarização JFET 14

• Configuração com polarização fixa

Denominado configuração com polarização fixa, é uma das pouca configurações

com FET que podem ser solucionados ultilizando-se tanto o método gráfico e
método matemático.
Equações
Condições

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 4.1 Polarização JFET 15

Exemplo 1:
1. Determine as seguintes quantidades para o circuito da figura.
a)VGS Q

b)ID
Q

c)VDS
d)VD
e)VG
f)VS

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 4.2 Polarização JFET 16

• Soluções
Método Matemático

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 4.3 Polarização JFET 17

• Soluções
Método Gráfico

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 4.4 Polarização JFET 18

• Configuração com Autopolarização

A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes dc. A

Tensão controladora porta-fonte é agora determinada pela tensão através do
resistor Rs colocado entre a fonte e a terra.

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 4.5 Polarização JFET 19

• Equações
Logo:
Para malha indicada da figura.

(1) Resultando

onde:
Outras equeção:

Substituindo a eq (1) na equação de Shockley

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 4.6 Polarização JFET 20

Exemplo 2:
1. Determine as seguintes quantidades para o circuito da figura.
a)VGS Q

b)ID
Q

c)VD
d)VG
e)VS
f)VDS

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 4.7 Polarização JFET 21

• Soluções
Método Gráfico
(a)

(b)

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 4.8 Polarização JFET 22

• Configuração por divisor de Tensão

A polarização por divisor de tensão aplicada aos amplificadores com TBJ

também é aplicada aos amplificadores com FET.

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 4.9 Polarização JFET 23

• Equações

Aplicando divisor de tensão na entrada Equeção Shockley :

obteremos a seguinte equação:

Outras equeções:
Para malha indicada da figura

Condições para recta de carga

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 4.10 Polarização JFET 24

• Recta de Carga da polarização por divisor de tensão

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 4.11 Polarização JFET 25

Exemplo 3:
1. Determine as seguintes quantidades para o circuito da figura.
a)VGS Q

b)ID
Q

c)VD
d)VS
e)VDS

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 4.12 Polarização JFET 26

• Soluções
Método Gráfico

(a)

(b)

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 5. MOSFET 27

O outro tipo de transístor efeito de campo e o MOSFET (metal-oxide-

semiconductor FET) ou IGFET (insulated gate FET). Esse dispositivo controla
também a condutividade do canal condutor por meio da tensão aplicada entre o
canal e a porta, criando um caminho que conecta o dreno e a fonte com um
isolante. Assim, mesmo invertendo a tensão, não haverá corrente de porta.
• Existe dois tipos de MOSFETs:

Modo de Crescimento (enriquecimento)

MOSFET de Depleção
(D-MOSFET) Modo de Depleção (empobrecimento)

MOSFET de Enriquecimento Modo de Crescimento (enriquecimento)

(E-MOSFET)

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 5.1 MOSFET 28

• D-MOSFET tipo Depleção

Funcionamento Canal N

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 5.2 MOSFET 29

• D-MOSFET tipo Depleção

Funcionamento Canal N

Com a porta negativa, os eletrões da gate

irão repelir os eletrões livres que estão no
canal n sendo assim o canal fica com poucos
eletrões livres.
Variando a tensão VGS consegue-se controlar
a corrente no canal. Como a ação de VGS
negativa cria uma diminuição de eletrões no
canal, daí o nome de MODO de
DEPLECÇÂO

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 5.3 MOSFET 30

• D-MOSFET tipo Crescimento

Funcionamento Com a porta positiva, haverá uma indução
de eletrões no canal n. Estes eletrões irão
acrescentar aos já existem no canal daí o
nome de MODO de CRECIMENTO.

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 5.3 MOSFET 31

• E-MOSFET tipo Crescimento

Funcionamento Este transístor só funciona em modo de
Crescimento pelo que com Vgs ≤ 0 não
existe canal.
Com Vgs positiva ocorre a atracão dos
eletrões criando um canal induzido por onde
fluirá a corrente.

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 6 Polarização MOSFET 32

• Configuração por divisor de Tensão

A polarização por divisor de tensão do MOSFET do tipo Crescimento

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 6.1 Polarização MOSFET 33

• Equações
Equeção que determine ID:
Aplicando divisor de tensão na entrada
obteremos a seguinte equação:
Onde: K é uma constante que
é função da construção do
dispositivo.

Para malha indicada da figura

Outras equeções:
Condições para recta de carga

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 6.2 Polarização MOSFET 34

Exemplo 4:
1. Determine as seguintes quantidades para o circuito da figura.
a)VGS Q

b)ID
Q

c)VDS

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 6.3 Polarização MOSFET 35

• Soluções
Quando VGS=0V
Método Gráfico

Aplicando divisor de tensão na entrada

Aplicando LKT tensão na entrada

Quando ID=0mA

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 6.4 Polarização MOSFET 36

• Soluções
(a)
Traçando o Gráfico:

(b)

(c)

Aplicando LKT tensão na saída

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 7.Quadro Resumo 37

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 7.1 Quadro Resumo 38

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 8. Referências Bibliográficas 39

 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos ,

Boylestad Nashelsky

 Eletrônica Malvino.

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