Disciplina de Eletrônica

Fundamental

Prof. Leandro Zafalon Pieper

2011/1
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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Introdução
O transistor de efeito de campo (FET – Field-Effect transistor) é um
dispositivo de três terminais muito semelhante ao TBJ, a principal
diferença é que o TBJ ser um dispositivo controlado por corrente (IC é
controlado por IB). Enquanto o FET é um dispositivo controlado por
tensão. (A corrente I é controlado pela tensão VGS).
TBJ FET
Controle da corrente de saída  IB Controle da corrente de saída  VGS
Bipolares  npn e pnp Unipolar  Canal n e canal p
Sensibilidade maior as variações do Ganho de tensão menor
sinal aplicado comparado ao FET
Impedância de Entrada  alta Impedância de entrada  mais alta que
o TBJ
Maior tamanho do que o FET Mais estáveis porém sensíveis ao
manuseio
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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Tipos:
• JFET – transistor de efeito de campo de junção
• MOSFET – transistor de efeito de campo de metal-oxido-
semicondutor. Sendo este dividido em Depleção e Intensificação.
Simbologia:

canal n canal p

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Construção básica de um JFET de canal n: Dreno (Drain), Fonte
(Source) , Porta (Gate)
Analogia de funcionamento: A fonte de pressão da água pode ser
adaptada a tensão aplicada do dreno para a fonte e esta estabelecerá
um fluxo de água (elétrons) do encanamento (fonte). A porta, por meio
de um sinal aplicado (potencial), controla o fluxo de água (carga) para
o dreno  Fluxo de elétrons

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Características:
a) VGS = 0V e VDS com algum valor positivo:
A porta está conectada diretamente a fonte (VGS = 0V). Temos uma
região de depleção maior na parte superior do material p. Com uma
tensão VDS os elétrons seguem para o terminal de dreno gerando uma
corrente convencional ID=IS, sendo esta limitada apenas pela
resistência do canal n.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Características:
a) VGS = 0V e VDS com algum valor positivo:
O gráfico ID x VDS: Para valores baixos de VDS temos uma resistência
praticamente constante através do canal. A medida que VDS aproxima-
se de VP a região de depleção se alarga  redução da largura do canal e
conseqüentemente aumento da resistência do canal  condição de
pinch-off (estrangulamento) – Tensão VP onde temos um valor de
saturação IDSS.
Para VGS = 0V e
VDS > VP o JFET
é uma fonte de
corrente :
ID = IDSS

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Características:
b) Para VGS < 0V:
A tensão Porta para a fonte denotada VGS é a tensão controladora do
JFET. Aplicando a tensão controladora VGS cada vez mais negativa, a
partir de VGS =0V com isto teremos tensões mais baixas de VDS para
que o transistor vá a região de estrangulamento (VP , IDSS) ou saturação
 correntes IDSS mais baixas.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Características:
b) Para VGS < 0V:
Para VGS= -VP , a tensão será negativa o suficiente para estabelecer um
nível de saturação basicamente de 0mA e então considera-se o
dispositivo “ desligado”. A região a direita do local do estrangulamento
é aquela normalmente empregada em amplificadores lineares. E
comumente chamada de corrente constante, saturação ou região de
amplificação linear.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Resistor controlado por tensão:
A região a esquerda da tensão de pinch-off, é chamada de ôhmica ou
região de resistência controlada por tensão. O JFET pode ser
empregado como um resistor variável, cuja tensão é controlada pela
tensão porta-fonte aplicada. Conforme VGS se torna negativa, a
resistência tem um aumento em seu valor.

rd  ro
 2
 V 
1 GS 
 V 
 P 


Onde ro é a resistência com VGS=0V

e rd é a resistência para um valor
específico de VGS

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Dispositivos canal p:
O JFET de canal p tem exatamente a mesma estrutura que o dispositivo
de canal n. Os sentidos das correntes são invertidos, assim como as
polaridades das tensões de VGS e VDS. O sinal de menos para VDS
simplesmente indica que a fonte está em um potencial mais alto do que
o dreno.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Dispositivos canal p:
Para valores elevados de VDS a curva sobe abruptamente para valores
ilimitados. Isto indica um ruptura, sendo que a corrente é determinada
agora apenas pelo circuito externo. Deve-se projetar o circuito com VDS
seja menor do que esse valor para todos os valores de VGS.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Resumo

A corrente máxima é definida por

IDSS e ocorre quando VGS = 0V e VDS
>=VP
Para tensões VGS entre porta e fonte
menores do que o valor de VP, a
corrente de dreno é 0A

Para valores de VGS entre 0V e o

valor de VP, a corrente ID vai variar
entre IDSS e 0A.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Curva característica de Transferência:
Derivação
Para o transistor TBJ, a corrente de saída IC e a corrente controladora
de entrada IB forma relacionadas por beta (β).

IC = β.IB (relação linear)

Para o JFET essa relação linear não existe entre quantidades de saída e
entrada de um JFET. A relação entre ID e VGS é definida pela equação
de Shockley:

 2
VGS 
I D  I DSS . 1




VP 

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Curva característica de Transferência:
Temos 2 gráficos : o de ID versus VDS, e o outro é ID versus VGS. O valor de
IDSS é o valor da corrente para VGS = 0V. Em resumo:
• Quando VGS = 0V , ID = IDSS.
• Quando VGS = VP = -4V , a corrente de dreno é 0 mA;

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Método simplificado para levantamento do gráfico
ID x VGS:
Partindo apenas dos valores de IDSS, VP e a equação de Shockley
podemos realizar o levantamento da curva ID x VGS de forma rápida e
eficiente.
Se especificarmos VGS como sendo metade do valor da tensão de pinch-
off o valor resultante de ID será o determinado pela equação de
Shockley: 2
 VGS 

I D  I DSS .1 


V P 

2
 VP / 2 
I D  I DSS .1 


V P 
 
2
I D  I DSS .1 
 1 
 2 I .
2 ID  DSS
I D  I DSS . 0,5 4
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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Método simplificado para levantamento do gráfico
ID x VGS:
O valor de VGS pode ser obtido também por:
 
 ID 
VGS VP. 1



I DSS
 
 

Se escolhermos ID = IDSS/2 e substituímos na equação acima teremos:

 
 I DSS / 2 
VGS VP. 1 
 
 I DSS 
 

VGS VP.1 0,5 

 

VGS VP. 0,293  VGS  0,3.VP

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Método simplificado para levantamento do gráfico
ID x VGS:
Com 4 pontos podemos esboçar com um nível satisfatório de precisão a
curva de transferência. Na maioria das situações utilizar apenas o
ponto definido por VGS = VP/2 e as interseções dos eixos em IDSS e VP
será suficiente para a obtenção de uma curva precisa para grande parte
dos cálculos.
VGS ID
0 IDSS
0,3.VP IDSS/2
0,5VP IDSS/4
VP 0mA
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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Exemplo 1: . Esboce a curva de transferência definida por
IDSS = 12mA e VP = -6V.
.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Exemplo 1: . Esboce a curva de transferência definida por
IDSS = 12mA e VP = -6V.
.

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Exemplo 2: Esboçe a curva de transferência para um
dispositivo de canal p, com IDSS = 4mA e VP = 3V

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Exemplo 2: Esboçe a curva de transferência para um
dispositivo de canal p, com IDSS = 4mA e VP = 3V

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