Disciplina de Eletrônica

Fundamental

Prof. Leandro Zafalon Pieper

2011/1
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Modelagem FET
Introdução
Os amplificadores com transistor de efeito de campo
proporcionam um ótimo ganho de tensão, além de fornecer
alta impedância de entrada e de serem considerados
dispositivos muito pequenos com baixo consumo de
potência.
O FET é um dispositivo que controla a corrente de saída
(dreno) mediante uma baixa tensão aplicada a entrada
(porta-fonte), sendo que este possui uma alta impedância
de entrada e possui um fator de transcondutância
(gm) como fator de amplificação (β para o TBJ)
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Modelagem FET
Introdução
Este fator de transcondutância (gm) se dá através da variação
na corrente de dreno resultante de uma variação da porta-
fonte pode ser determinada por:
I D  gm.VGS

I
gm D
V
GS
A unidade é o Siemens que vem da condutância de um
resistor G = 1/R = I/V. OBS.: gm também pode ser visto
nas folhas de dados como yfs
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Modelagem FET
Determinação gráfica de gm:
Da curva característica de
transferência vemos que gm
é a inclinação da curva no
ponto de operação Q.

I
gm  m  y  D
x VGS

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Modelagem FET
Determinação gráfica de gm: (Exemplo)
Determine o valor de gm para o JFET que apresenta IDSS=8mA
e VP = -4V nos seguintes pontos de polarização CC.
a) VGS = -0,5V
b) VGS = -1,5V
c) VGS = -2,5V

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Modelagem FET
Determinação matemática de gm:
No procedimento gráfico é limitado pela precisão do gráfico
de transferência.
Um método matemático pode ser usando utilizando a equação
de Shockley que nos dá:
2I DSS  VGS 
gm  1 
VP   V 
P 
Para VGS = 0V temos:
2I DSS  0 
gm  1 
VP  VP 



2I DSS VGS 
gmo  gm  gmo 1 
 
VP VP 



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Modelagem FET
Determinação matemática de gm: (exemplo)
Para o JFET com a curva característica do exemplo anterior
determine:
a) O valor máximo de gm;
b) O valor de gm em cada ponto de operação e compare os
resultados.

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Modelagem FET
Gráfico gm x VGS:
O valor de gm diminui a medida que VGS se aproxima de VP.

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Modelagem FET
Gráfico gm x VGS: (exemplo)
Trace o gráfico gm x VGS para os exemplos anteriores.

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Modelagem FET
Impedância de Entrada do FET (Zi):
A impedância de entrada de todos os FETs disponíveis
comercialmente é suficientemente alta para que se possa
considerar um circuito aberto entre os terminais de entrada.

Zi(FET) = ∞ Ω

Valores típicos: 109 Ω

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Modelagem FET
Impedância de Saída do FET (Zo):
Similar aos valores de impedância de saída dos TBJs.

Zo(FET) = rd = 1/yos

Onde yos é uma componente de um circuito equivalente de

admitância.

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Modelagem FET
Circuito Equivalente CA do FET:
O controle de ID por VGS é incluído como uma fonte de
corrente gm.Vgs. A seta da fonte de corrente apontando nessa
direção para estabelecer uma fase de 180° entre as tensões de
saída e de entrada, assim com ocorre na operação real.
A impedância de entrada é representada pelo circuito aberto
nos terminais de entrada, e a impedância de saída é
representada pelo resistor rd.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
A análise de diversas configurações fundamentais do FET para
pequenos sinais é realizada da mesma forma que os
amplificadores com TBJ onde serão determinados os valores
de Zi, Zo e Av importantes para cada configuração.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
Realizando a análise temos que C1 e C2 isolam o circuito de
polarização do sinal aplicado e da carga. gm e rd são
determinados a partir da polarização CC, da folha de dados ou
da curva característica. As fontes VGG e VDD são programadas
para 0V por um curto-circuito equivalente.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
Zi:
Zi = RG porque o circuito aberto é equivalente nos terminais
de entrada do FET.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
Zo :
Fazendo Vi = 0V temos VGS =0V logo gm.VGS = 0mA na qual é
substituída por um circuito aberto.
Zo = RD // rd
Se rd for suficientemente alto (pelo menos 10:1) : Zo ≈ RD

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
Av:
Vo = -gm.Vgs(rd//RD)  Vgs = Vi
Vo = -gm.Vi (rd//RD)
Av = Vo/Vi = -gm.(rd//RD)
Se rd≥ 10.RD  Av= -gm.RD

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
Relação de Fase:
O sinal negativo na equação resultante para Av revela
claramente que há um desvio de fase de 180° entre as tensões
de entrada e saída.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Polarização Fixa:
Exemplo: A configuração abaixo tem um ponto de operação
definido por VGSQ=-2V e IDQ= 5,635mA, com IDSS= 10mA e
VP=-8V. O valor de yos fornecido é de 40 µS. Determine:
a) gm;
b) rd;
c) Zi;
d) Zo;
e) Av;
f) Av desconsiderando os
efeitos de rd.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Autopolarização:
O circuito com polarização fixa necessita de duas fontes de
alimentação CC. Na autopolarização temos somente uma
fonte para estabelecer o ponto de operação.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Autopolarização:
O circuito equivalente para esta polarização é mostrado
abaixo:

Redesenhando o circuito:

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Autopolarização:
Zi: Zi = RG;
Zo: Zo = rd // RD;
Se rd ≥ 10.RD: Zo ≈ RD;
AV:
Av = - gm (rd // RD)
Se rd ≥ 10.RD
Av = - gm. RD
Relação de fase: O sinal negativo nas soluções para Av
indica um desvio de fase de 180°.

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Autopolarização:
Exemplo: O circuito abaixo apresenta um ponto de operação
definido por VGSQ=-2,6V e IDQ=2,6mA, com IDSS=8mA e VP=-
6V. O valor de yos é dado como 20µS. Determine:
a) gm;
b) rd;
c) Zi;
d) Zo;
e) Av;

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Divisor de Tensão:
A análise é muito próxima a feita com o TBJ:

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Divisor de Tensão:
Realizando a análise do circuito como nas demais
configurações:

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Análise FET para pequenos sinais

Circuito com Divisor de Tensão:
Zi: Zi = R1 // R2
Zo: Zo = rd // RD
Para rd ≥ 10.RD
Zo ≈ RD
AV:
Vgs = Vi
Vo = - gm. VGS (rd // RD)
Av = Vo/ Vi = - gm. (rd // RD)
Se rd≥ 10.RD : Av = - gm.RD
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