-Principio de Operação -Caracteristicas de entrada e saida -Analice do transistor (BJT) em ca Bibliografia: Rashid M.H., Cap.5 Epigrafe. 5.1 e 5.2 Introdução: O transistor de União Bipolar (BJT) foi o Primeiro dispositivo utilizado para amplificar sinal. Consiste em um Cristal de Silício ou Germânio, no Qual são dopados com impurezas, de modo que fica Intercalada uma capa de Silício Tipo p ou Tipo n, Entre Duas Capa do Tipo p ou Tipo n. Existem dos tipos de transistores Tipo npn e pnp Como podemos ver na figura a baixo: A estrutura e configuração do transistores BJT Na nossa figura a seguir se ilustra uma característica de Entrada representativa de um BJT, onde Vce e Ic são Positivos nos transistores npn e negativos e negativos Nos transistores pnp As características de saída se dividem e 3 regiões: - Região Activa - Região de Corte - Região de Saturação
Os transistores podem usar-se como interruptor na
região de Saturação porque Vce, geralmente esta de baixo de 0.3 V. Obs: Tanto na região activa e saturação, a união Base-Emissor está com polarização Directa Vbe≈0.7 V Na Região Activa : 0 < Vbe < Vce Vbc= Vce - Vbe Um transistor é um dispositivo controlado por Corrente. A Corrente do colector (Ic) é a relacionada com a Corrente de base (Ic) mediante um fator de amplificação de corrente em polarização Directa. Beta também é conhecida como ganancia de CD de Um Transistor, e seu valor em geral 50 a 350.
Por general Ic e Ie podem relacionar-se com Ib como
Sigue a baixo. Ao utilizar um lei de Kirchhof de Voltagem ao redor Do laço formado por Vcc, Rc, Vce e Re (se temos Resistencia no emissor)
Vcc= Vce + Ic(Rc + Re)
Com la qual se obtem a dependencia de corrente Do colector com a Resistencia de carga Rc 𝑽𝒄𝒄 𝑽𝒄𝒆 Ic= − 𝑹𝒄+𝑹𝒆 𝑹𝒄+𝑹𝒆 Modelo de BJT em ca
O proposito de um amplificador é de converter um
sinal de entrada de Amplitude pequena em um sinal de Saida de Amplitude diferente, minimizando ao mesmo tempo qualquer distorção introduzida ao amplificador. Se a entrada é uma onda sinusoidal a saída deve ser uma Sinusoidal O Desenho e analise de um Amplificador implica Dos sinal: Uma em cd e outra em ca. O analise de cd localiza o ponto de operação (Q) Definido por Ic, Ib e Vce. Em Analise de ca se requer um modelo de ca do BJT Modelo π- Híbrido Com relação as anterior, o chamado modelo π- Híbrido esta apresentado nas suas duas formas. A primeira (a) na sua configuração o colector fonte de Corrente dependente de tensão. E a segunda (b) na sua Configuração fonte de corrente dependente de corrente. Ambas podem ser usadas na analise do circuito em Configuração Emissor-comum. 𝑰𝒄 β 𝒈𝒎 = 𝒓π = 𝑽𝑻 = 𝟐𝟓. 𝟖 𝒎𝑽 𝑽𝑻 𝒈𝒎 Modelo T O Modelo T é equivalente ao modelo π, porem é Mais interessante em analises de Circuito em Configuração Base-Comum. 𝑰𝒄 𝒈𝒎 = 𝑽𝑻 𝑽𝑻 α 𝒓𝒆 = ≈ 𝑰𝑬 𝒈𝒎 Modelo π- Estendido
Na configuração Emissor- Comum, um resultado mais
Exacto será obtido com a inclusão do efeito da tensão Vc ou Vce sobre Ic: efeito de Aerly. FIM