CAPÍTULO 5

MODELAGEM DO TRANSISTOR E
ANÁLISE PARA PEQUENOS SINAIS
Engenharia Elétrica
Profa. Dra. Josiane Rodrigues
 SUMÁRIO

• 5.1. Aplicação do transistor para o domínio de corrente alternada

• 5.2. Modelo re
• 5.3. Modelo híbrido equivalente
• 5.4. Determinação gráfica dos parâmetros h
 CONTEXTUALIZANDO O CAPÍTULO

A construção, o aspecto e as características básicas do transistor foram

introduzidos no Capítulo 3. A polarização CC do dispositivo foi examinada
com detalhes no Capítulo 4. Agora, começaremos a examinar a resposta CA
do amplificador TBJ ao vermos os modelos usados com mais frequência para
representar o transistor no domínio CA senoidal.
 INTRODUÇÃO

Uma de nossas primeiras preocupações na análise CA senoidal dos circuitos

a transistor é a amplitude do sinal de entrada. Isso determina se deve ser
aplicada a técnica de pequenos sinais ou a de grandes sinais. Não há nenhuma
linha divisória especificada entre as duas, mas a aplicação — e a amplitude das
variáveis de interesse relativo às escalas das curvas características do dispositivo
— normalmente deixa muito claro qual é o método mais apropriado. A técnica
de pequenos sinais será apresentada neste capítulo
5.1. APLICAÇÃO DO TRANSISTOR PARA O DOMÍNIO DE
CORRENTE ALTERNADA

No Capítulo 3 foi demonstrado que o transistor pode ser empregado como

um dispositivo amplificador. Isto é, o sinal de saída senoidal é maior do que o
sinal de entrada senoidal, ou, em outras palavras, a potência CA de saída é
maior do que a potência CA de entrada. Surge, então, a seguinte questão: como
a potência CA de saída pode ser maior do que a potência CA de entrada? A
conservação de energia estabelece que em qualquer instante a potência total de
saída, Po, de um sistema não pode ser maior do que uma potência de entrada,
Pi, e que o rendimento definido por η = Po/Pi não pode ser maior do que 1. O
fator não considerado na discussão anterior que permite que uma potência CA
de saída seja maior do que a potência CA de entrada é a potência CC aplicada.
5.1. APLICAÇÃO DO TRANSISTOR PARA O DOMÍNIO DE
CORRENTE ALTERNADA
Em outras palavras, há uma “troca” de potência CC para o domínio CA que
permite o estabelecimento de uma potência CA de saída maior. Na verdade, o
rendimento de conversão é definido por η = Po(CA)/Pi(CC), onde Po(CA)é a
potência CA na carga e Pi(CC) é a potência CC fornecida.

Talvez o papel da fonte CC possa ser mais bem descrito se avaliarmos

primeiramente o circuito CC simples da Figura 5.1. O sentido resultante do fluxo
de corrente é indicado na figura com um gráfico da corrente i em função do
tempo.
Figura 5.1 - Corrente constante estabelecida por uma fonte CC.
5.1. APLICAÇÃO DO TRANSISTOR PARA O DOMÍNIO DE
CORRENTE ALTERNADA
Agora inseriremos um mecanismo de controle, como o que mostra a Figura
5.2. Esse mecanismo atua de modo que a aplicação de um sinal relativamente
pequeno pode resultar em uma oscilação muito grande no circuito de saída. Isto
é, nesse exemplo,
iCA(p-p) >> iCC(p-p)

e a amplificação no domínio CA foi estabelecida. O valor de um pico a outro da

corrente de saída excede em muito o da corrente de controle.
Figura 5.2 - Efeito de um elemento de controle no fluxo em estado estacionário do sistema elétrico
da Figura 5.1.
 5.1. APLICAÇÃO DO TRANSISTOR PARA O DOMÍNIO DE
CORRENTE ALTERNADA
Para o sistema da Figura 5.2, o valor de pico da oscilação na saída é controlado
pelo valor CC aplicado. Qualquer tentativa de exceder esse limite CC resultará em um
‘grampeamento’ (achatamento) da região de pico nas extremidades alta e baixa do
sinal de saída. De modo geral, portanto, um projeto adequado de amplificador requer
que as componentes CC e CA sejam sensíveis às limitações e solicitações de ambas.

No entanto, é extremamente útil

perceber que:
5.1. APLICAÇÃO DO TRANSISTOR PARA O DOMÍNIO DE
CORRENTE ALTERNADA

Em outras palavras, podemos fazer uma análise CC completa de um sistema

antes de examinar a resposta CA. Uma vez concluída a análise CC, a resposta CA
pode ser determinada por meio de uma análise completamente CA. Ocorre,
porém, que uma das componentes que aparecem na análise CA de circuitos TBJ
será determinada pelas condições de CC, o que implica que ainda há uma
importante ligação entre os dois tipos de análise.
 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
A base para a análise do transistor para pequenos sinais é a utilização
de circuitos equivalentes (modelos), que serão introduzidos neste capítulo.

Uma vez que o circuito CA equivalente tenha sido determinado, o

símbolo gráfico do dispositivo pode ser substituído por esse circuito, e os
métodos básicos de análise CA de circuito podem ser aplicados para
determinar a resposta do circuito.
 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
Visando demonstrar o efeito que
o circuito CA equivalente terá na
análise a seguir, observe o circuito da
Figura 5.3. Suponhamos por um
instante que o circuito CA
equivalente para pequenos sinais do
transistor já tenha sido determinado.
Visto que estamos interessados
apenas na resposta CA do circuito,
todas as fontes CC podem ser
substituídas por um potencial nulo
equivalente (curto--circuito), porque
elas determinam somente a
componente CC (nível quiescente) da
tensão de saída, e não a amplitude
da oscilação CA da saída. Figura 5.3 Circuito com transistor analisado nessa
discussão introdutória.
 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
Isso é claramente demonstrado na Figura 5.4.
Os valores CC foram importantes simplesmente
para determinar o ponto Q de operação
apropriado. Uma vez que ele tenha sido
determinado, os valores CC poderão ser
ignorados na análise CA do circuito. Além disso,
foi decidido que os capacitores de acoplamento
C1 e C2 e o capacitor de passagem C3 teriam uma
reatância muito pequena na frequência de
aplicação. Por isso, eles também podem, para
todos os fins práticos, ser substituídos por um
caminho de baixa resistência ou um curto-
circuito.
Figura 5.4 O circuito da Figura 5.3 após
remoção da fonte CC e inserção do curto-
circuito equivalente para os capacitores.
 OBSERVAÇÕES

Note que isso acarretará um “curto-

circuito” do resistor de polarização CC,
RE. Lembramos que os capacitores
assumem um “circuito aberto”
equivalente sob condições de estado
estacionário CC, o que permite uma
separação entre estágios para os valores
CC e as condições quiescentes.
 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
À medida que você evolui nas modificações do circuito para definir o
equivalente CA, é importante que os parâmetros de interesse como Zi, Zo, Ii e
Io, definidos na Figura 5.5, sejam conduzidos de modo adequado. Embora a
aparência do circuito possa mudar, é preciso ter certeza de que as
quantidades verificadas no circuito reduzido correspondem às definidas pelo
circuito original.

Figura 5.5 Definição dos parâmetros importantes de qualquer sistema.

 Na Figura 5.6, as impedâncias de entrada e de saída para determinado
sistema são ambas resistivas. Para o sentido de Ii e Io, a tensão resultante
através dos elementos resistivos terá a mesma polaridade que Vi e Vo,
respectivamente. Se Io tivesse sido definido com o sentido oposto na Figura
5.5, um sinal negativo teria de ser aplicado. Para cada caso, Zi = Vi/Ii e Zo =
Vo/Io com resultados positivos se todos tiverem os sentidos e a polaridade
definidos na Figura 5.5. Se a corrente de saída de um sistema real tem um
sentido oposto ao da Figura 5.5, um sinal negativo deve ser aplicado ao
resultado, porque Vo deve ser definido como aparece nessa figura. Devemos
ter a Figura 5.5 em mente ao analisar os circuitos TBJ deste capítulo.

Figura 5.6 – Demonstração da razão

dos resultados e das polaridades
definidos.
 Se estabelecermos um ponto de terra comum (GND) e reorganizarmos os elementos
da Figura 5.4, R1 e R2 ficarão em paralelo, enquanto RC aparecerá entre o coletor e o
emissor, como mostra a Figura 5.7. Visto que os componentes do circuito equivalente
do transistor da Figura 5.7 empregam componentes conhecidos, como resistores e
fontes controladas independentes de tensão, técnicas de análise, como superposição,
teorema de Thévenin e outras, podem ser aplicadas para determinar as variáveis
desejadas.

Figura 5.7 Circuito da

Figura 5.4 redesenhado
para análise CA de
pequenos sinais.
 Em seguida, examinaremos a Figura 5.7 e identificaremos as variáveis importantes
a serem determinadas para o sistema. Uma vez que sabemos que o transistor é um
dispositivo amplificador, esperamos ter alguma indicação de como a tensão de saída Vo
está relacionada com a tensão de entrada Vi — o ganho de tensão. Note que, na Figura
5.7 para essa configuração, o ganho de corrente é definido por Ai = Io/Ii. Em resumo, o
equivalente CA de um circuito a transistor é obtido:

Nas seções seguintes, um

modelo equivalente de transistor
será introduzido para completar a
análise CA do circuito da Figura
5.7.
 5.2. Modelo re
O modelo re para as configurações EC, BC e CC de transistor TBJ será apresentado a
seguir com uma breve explicação sobre como cada um é uma aproximação adequada
ao comportamento real de um transistor TBJ.
Configuração emissor-comum
O circuito equivalente para a configuração emissor-comum será montado a
partir da curva característica do dispositivo e de uma série de aproximações.
Começando com o terminal de entrada, verificamos que a tensão aplicada Vi é
igual à tensão Vbe, sendo a corrente de entrada a corrente de base Ib, como
mostra a Figura 5.8.

Figura 5.8 – Determinação do circuito

de entrada equivalente para um
transistor TBJ.
 Lembramos, com base no Capítulo 3, que, considerando que a corrente
através da junção polarizada diretamente do transistor é IE, as curvas
características para o terminal de entrada aparecem como na Figura 5.9(a)
para diversos valores de VCB. Tomar o valor médio das curvas da Figura 5.9(a)
resultará na curva única da Figura 5.9(b), que é simplesmente a curva de um
diodo polarizado diretamente.

Figura 5.9 – Definição da curva média

para as curvas características da
Figura 5.9 (a).
 5.2. Modelo re
Para o circuito equivalente, portanto, o terminal de entrada é simplesmente um
único diodo com uma corrente Ie, como mostra a Figura 5.10. Entretanto, agora devemos
acrescentar um componente ao circuito que estabelecerá a corrente Ie da Figura 5.10
utilizando as curvas características de saída.

Figura 5.10 – Circuito equivalente

para o terminal de entrada de um
transistor TBJ.
 5.2. Modelo re

Se redesenharmos as curvas
características do coletor para que ele
tenha um β constante, como mostra a
Figura 5.11 (outra aproximação), todas
as características na seção de saída
podem ser substituídas por uma fonte
controlada cujo valor é beta vezes a
corrente de base, como mostra a
Figura 5.11.

Figura 5.11 – Curvas Características com 훽 constante.

 5.2. Modelo re
Visto que todos os parâmetros de entrada e de saída da configuração
original agora estão presentes, o circuito equivalente para a configuração
emissor-comum foi estabelecido na Figura 5.12.

Figura 5.12 – Circuito equivalente para o TBJ.

 5.2. Modelo re
O modelo equivalente da Figura 5.12 pode ser difícil de lidar por causa da
conexão direta entre os circuitos de entrada e de saída. Ele pode ser melhorado
primeiro pela substituição do diodo por sua resistência equivalente, determinada
pelo valor de IE, como mostra a Figura 5.13. Lembre-se de que a resistência do
diodo é determinada por rD = 26 mV/ID. Usa-se o subscrito “e” porque a corrente
determinante é a corrente do emissor, resultando em re = 26 mV/Ie.

Figura 5.13 – Definição do nível de Zi.

 O resultado é que a impedância
vista “entrando” na base do circuito é
um resistor igual a beta vezes o valor
de re, como mostra a Figura 5.14. A
corrente de saída do coletor ainda
está conectada à corrente de entrada
por beta, como mostra a mesma
figura.

Figura 5.14 – Circuito equivalente

melhorado para o TBJ.
Tensão Early

Agora, temos uma representação apropriada para o circuito de entrada,

mas, além da corrente de saída do coletor definida pelo nível de beta e IB,
não temos uma representação adequada para a impedância de saída do
dispositivo. Na realidade, as curvas características não têm a aparência
ideal da Figura 5.11. Em vez disso, apresentam uma inclinação, como
mostra a Figura 5.15, que define a impedância de saída do dispositivo.
Quanto mais íngreme a inclinação, menor a impedância de saída e
menos ideal o transistor. De modo geral, é desejável ter impedâncias de
saída elevadas para evitar sobrecarregar o próximo estágio de um projeto.
Se a inclinação das curvas se estende até chegar ao eixo horizontal, é
interessante notar na Figura 5.15 que todas elas se cruzam em uma tensão
chamada tensão Early. Essa interseção foi descoberta por James M. Early
em 1952.
 À medida que a corrente de base
aumenta, a inclinação da reta aumenta, o
que resulta em um aumento da impedância
de saída com um aumento da corrente de
base e de coletor.

Figura 5.15 – Definição da tensão Early e da impedância de saída de um transistor.

 Para determinada corrente de base
e de coletor, como mostra a Figura
5.15, a impedância de saída pode ser
determinada pela seguinte equação:
Figura 5.16 – Modelo re para a
configuração emissor-comum do transistor,
incluindo os efeitos de ro.
Configuração base-comum
Lembre-se de que vimos na configuração emissor-comum a utilização de um
diodo para representar a conexão base-emissor. Para a configuração base-
comum da Figura 5.17(a), o transistor pnp empregado apresentará a mesma
possibilidade no circuito de entrada. O resultado é a utilização de um diodo no
circuito equivalente, como mostra a Figura 5.17(b).

Figura 5.17 – (a) Transistor TBJ base-comum; (b) Circuito equivalente para a configuração de (a).
Configuração base-comum
Para a resposta CA, o diodo pode ser substituído por sua resistência ca
equivalente determinada por re = 26 mV/Ie, como mostra a Figura 5.18. Note
que a corrente de emissor continua a determinar a resistência equivalente.

Figura 5.18 – Circuito base-comum re equivalente.

 Uma resistência de saída adicional pode ser determinada a partir das
curvas características da Figura 5.19 de modo muito semelhante ao aplicado
à configuração emissor-comum. As linhas quase horizontais revelam
claramente que a resistência de saída ro, tal qual vemos na Figura 5.18, será
bastante elevada e certamente muito maior do que para a configuração
emissor-comum mais usual.

Figura 5.19 - Definição de Zo.

 Os modelos de transistor que acabamos de apresentar serão usados
agora em uma análise CA de pequenos sinais para uma série de
configurações padrão de circuitos transistorizados. Os circuitos analisados
representam a maioria dos circuitos usados na prática. Modificações nas
configurações padrão serão relativamente fáceis de examinar uma vez que o
conteúdo deste capítulo seja discutido e compreendido. Para cada
configuração, o efeito de uma impedância de saída é analisado para
complementar a análise.
 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM
POLARIZAÇÃO FIXA

A primeira configuração a ser analisada com

detalhes é o circuito emissor-comum com
polarização fixa da Figura 5.20. Observe que o
sinal de entrada Vi é aplicado na base do
transistor, enquanto a saída Vo está disponível no
coletor. Além disso, note que a corrente de
entrada Ii não é a corrente de base, mas a
corrente da fonte, enquanto a corrente de saída Io
é a corrente do coletor.

Figura 5.20 – Configuração emissor-

comum com polarização fixa.
 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM
POLARIZAÇÃO FIXA
A análise CA para pequenos sinais começa com a remoção dos efeitos de VCC
e a substituição dos capacitores CC de acoplamento C1 e C2 por curtos-circuitos
equivalentes, o que resulta no circuito da Figura 5.21.

Figura 5.21 – Circuito da Figura 5.29 após a remoção dos efeitos de VCC, C1 e C2.
 Observe na Figura 5.21 que o terra comum (GND) da fonte CC e do
terminal emissor do transistor permite o reposicionamento de RB e RC em
paralelo com as seções de entrada e saída do dispositivo, respectivamente.
Além disso, veja o posicionamento dos importantes parâmetros de circuito Zi,
Zo, Ii e Io no circuito redesenhado. A substituição do modelo re na configuração
emissor-comum da Figura 5.21 resulta no circuito da Figura 5.22.

Figura 5.22 – Substituição do modelo re no circuito da Figura 5.21.

 O passo seguinte é determinar β, re e ro. O valor de β normalmente é
obtido a partir de uma folha de dados ou por medição direta, utilizando-se
um traçador de curvas ou um instrumento de teste para transistor. O valor
de re deve ser determinado por meio de uma análise CC do sistema, e ro
normalmente é obtido das folhas de dados ou a partir de curvas
características. Supondo que β, re e ro tenham sido determinados teremos
como resultado as seguintes equações e características importantes do
sistema.
 Relação de fase
O sinal negativo na equação resultante para Av revela que um
deslocamento de fase de 180° ocorre entre os sinais de entrada e saída,
como mostra a Figura 5.24. Isso resulta do fato de que βIb estabelece
uma corrente através de RC que resultará em uma tensão através RC, o
oposto do definido por Vo.

Figura 5.24 – Demonstração do

deslocamento de fase 180º entre as
formas de onda de entrada e saída.
Exemplo 5.1
Solução
 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
A próxima configuração a ser analisada é o circuito com polarização
por divisor de tensão da Figura 5.26.

Figura 5.27 – Substituição do circuito re equivalente no circuito

CA equivalente da Figura 5.26.

Figura 5.26 – Configuração com

polarização por divisor de tensão.
Exemplo 5.2
Solução
 CONFIGURAÇÃO EC
COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR

Sem desvio

Figura 5.30 – Substituição do circuito re equivalente no

circuito CA equivalente da Figura 5.29.
Figura 5.29 – Configuração EC com
polarização do emissor.
Com desvio

Exemplo 5.3
Solução
Exemplo 5.4
Exemplo 5.5
Solução
Solução