Disciplina de Eletrônica

Fundamental

Prof. Leandro Zafalon Pieper

2011/1
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Polarização
Para o transistor de efeito de campo, a relação entre os
parâmetros de entrada e saída é não-linear devido ao termo
quadrático na equação de Shockley. Também para o FET a
variável de controle é um valor de tensão (VGS) que controla
os demais parâmetros do dispositivo.
As relações gerais que podem ser aplicadas a análise CC dos
amplificadores a FET são:

 2
VGS 
IG  0 A I D  IS I D  I DSS . 1




VP 

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Polarização

É importante salientar que as equações anteriores

dependem apenas do dispositivo, uma vez que o
dispositivo opera na região ativa. A solução pode ser
determinada com a utilização de um método gráfico ou
matemático, sendo que o método gráfico é o mais utilizado
para analisar circuitos contendo FETs.

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa
O mais simples dos arranjos de polarização para o FET de
canal n é mostrado abaixo:

A solução desta configuração pode ser feita pelo método

gráfico com o matemático. Lembrando que os capacitores
C1 e C2 são circuitos abertos para a análise CC e baixas
impedâncias.
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa
Análise CC:

Se: IG  0 A VG  IG.RG  0V
Com isto a queda de zero volts através de RG permite a
substituição de RG por um curto-circuito equivalente,
verificamos então que VGS é oposto a VGG: VGS  VGG
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa
Análise CC:

Como VGG é uma fonte cc constante, a tensão VGS é fixa. A

corrente de dreno é dada pela equação de Shockley:
 2
 VGS 
I D  I DSS .1 



V P 
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa
Análise CC pelo método gráfico, solução semelhante ao TBJ.

Traçada a curva VGS x ID podemos determinar o valor onde

VGS = -VGG, traçando uma curva. O ponto de interseção
destas duas curvas é chamado ponto de operação.
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa
Análise CC: A tensão VDS será dada pela malha de saída:
VDS  I D.RD VDD  0
VDS VDD  I D.RD

Para esta configuração temos: Vs  0V

VDS VD VS
VDS VD
Assim como:
VGS VG VS VG VGS

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa:
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ;IDQ;VDS;VD;VG;VS
Método matemático:

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Polarização Fixa:
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ;IDQ;VDS;VD;VG;VS
Método Gráfico:

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Esta configuração elimina a necessidade de duas fontes CC.
A tensão de controle porta-fonte é agora determinada pela
tensão através do resistor RS colocado no terminal da fonte
da configuração.

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Para análise CC os capacitores podem novamente ser
substituídos por “circuitos abertos”, e o resistor RG por um
curto-circuito equivalente já que IG = 0A.
A corrente através de RS é a corrente de fonte IS
mas IS = ID, logo: VS  I D.RS
Da malha indicada temos:
VGS VRS  0
VGS  VRS ou VGS  I D.RS
VGS é função da corrente de saída ID,
e não mais de amplitude constante,
como ocorria na configuração de
polarização fixa
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
A solução matemática pode ser obtida por meio de
substituição na equação de Shockley:
 2
 VGS 
I D  I DSS .1 



V P  2

  I D.RS 
I D  I DSS .1 



V P 
I D2  K1.I D  K2  0

Desenvolvendo a equação anterior e reorganizando os

termos, temos:
I D2  K1.I D  K2  0

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Método Gráfico: Requer que primeiro se levante a curva de
transferência do dispositivo. Com a equação de VGS = -ID.RS
definimos uma linha reta no gráfico, identificamos dois
pontos nele que estejam na linha e simplesmente traçamos
uma reta entre eles.

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Método Gráfico: E quando ,
I
I D  DSS
2
I .R
VGS  I D.RS   DSS S
2
Com isto ID e VGS podem ser
determinados e utilizados para
que sejam encontrados outros
parâmetros que interessam.

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Método Gráfico:O valor de VDS pode ser determinado
aplicando-se a LKT no circuito de saída, com o seguinte
resultado:
VRS VDS VRD VDD  0
VDS VDD VRS VRD
Mas ID = IS :
VDS VDD  I D  R  R 
 S D

Além de:
VS  I D.RS VG  0V VD VDS VS VDD  I D.RD

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ;IDQ;VDS;VS;VG;VD

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ;IDQ;VDS;VS;VG;VD

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Autopolarização:
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ;IDQ;VDS;VS;VG;VD

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão:
A polarização por divisor de tensão é também aplicada aos
amplificadores com FET assim como os TBJs. A
configuração básica é exatamente a mesma, porém a
análise CC é diferente pois IG=0A para os amplificadores
FET.

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão:
Uma vez que IG=0A, a LKC permite afirmar que I.R1=I.R2,
com isto podemos determinar o valor de VG. A tensão VG é
igual a tensão através de R2 que pode ser determinada
utilizando-se a regra do divisor de tensão.

R .V
VG  2 DD
R R
1 2

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão:
Aplicando a LKT no sentido anti-horário na malha
indicada , obtém-se:
VG VGS VRS  0
VGS VG VRS

Como VRS  IS .RS  I D.RS

VGS VG  I D.RS

O resultado é uma equação que inclui

as mesmas duas variáveis da equação
de Shockley: VGS e ID.
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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão:
A equação anterior é de uma reta, mas a origem não está
contida nela. Como são necessários dois pontos para
traçarmos uma reta:
a) Para ID=0mA:
VGS VG 0mA.RS
VGS VG
b) Para VGS = 0V:
0V VG  I D.RS
V
ID  G
R
S

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão:
Como ID=VG/RS, e VG é fixo devido ao circuito de entrada
(divisor de tensão) valores crescentes de RS reduzem o
valor de ID na interseção e também valores mais negativos
de VGS no ponto de operação

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão:
Uma vez que sejam determinados os valores de IDQ e VGSQ,
a análise restante poderá ser feita da maneira comum. Ou
seja:
VS  I D.RS

VDS VDD  I D  R  R 

 S D
VD VDD  I D.RD

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão :
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ e IDQ;VD;VS;VDS;VDG

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Transistor de Efeito de Campo (FET)

Configuração com Divisor de Tensão :
Exemplo: Determine os seguintes parâmetros para
o circuito abaixo: VGSQ e IDQ;VD;VS;VDS;VDG

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