UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO – UFMA

CENTRO DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA – CCET

DISCIPLINA: EXPERIMENTOS DE FÍSICA III

Experimento 3: Capacitores e Dielétricos

Aluno: Thiago Silva Oliveira

São Luís – 2021

Resumo
Este relatório tem o intuito de apresentar os resultados obtidos do
experimento que envolver capacitores de placas paralelas e dielétricos usando
plataformas e softwares virtuais gratuitos que simulem um laboratório real
envolvendo multímetros, fonte de alimentação, capacitor de placas paralelas e
um dielétrico (que se trata de um material isolante). Podendo simular a situação
usando a plataforma Phet Colorado, através dele obteremos o valor da
capacitância e da permissividade elétrica.
Fundamentação Teórica
Capacitores são elementos reativos que reagem à passagem de corrente
através do acúmulo de cargas elétricas, ou seja, o capacitor é capaz de
armazenar energia eletroestática. Os capacitores mais comuns são construídos
por duas placas condutivas (metálicas), separadas por um material dielétrico
(material isolante). Quando um capacitor está carregado as placas contém
cargas de mesmo valor absoluto e sinais opostos, +𝑞 e −𝑞. Entretanto, quando
nos referimos à carga de um capacitor estamos falando de 𝑞, o valor absoluto
da carga de uma das placas.
Como as placas são feitas de material condutor, são superfícies
equipotenciais: todos os pontos da placa de um capacitor possuem o mesmo
potencial elétrico. Além disso, existe uma diferença de potencial entre as duas
placas. Por razões históricas essa diferença de potencial é representada pelo
símbolo 𝑉 e não por ∆𝑉. A carga 𝑞 e a diferença de potencial 𝑉 de um capacitor
são proporcionais, logo:
𝑞 = 𝐶𝑉 (1)

A constante de proporcionalidade 𝐶 é chamada de capacitância do

capacitor; seu valor depende da geometria das placas, mas não depende da
carga nem da diferença de potencial. A capacitância é uma medida da
quantidade de carga que precisa ser acumulada nas placas para produzir uma
certa diferença de potencial entre elas. Quanto maior a capacitância, maior a
carga necessária. De acordo com a Eq. (1), a unidade de capacitância no SI é o
coulomb por volt. Esta unidade ocorre com tanta frequência que recebeu um
nome especial, o farad (F):
1 𝑓𝑎𝑟𝑎𝑑 = 1 𝐹 = 1 𝑐𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏 𝑝𝑜𝑟 𝑣𝑜𝑙𝑡 = 1 𝐶/𝑉 (2)

Podemos perceber, o farad é uma unidade é uma unidade muito grande.

Submúltiplos do farad, como o microfarad (1 𝜇𝐹 = 10−6 𝐹) e o picofarad ( 1 𝑝𝐹 =
10−12 𝐹) são unidades muito mais convenientes na prática.

Figura 01: Um capacitor de placas paralelas acompanhada com linhas de campo. Fonte:
https://encrypted-
tbn0.gstatic.com/images?q=tbn:ANd9GcTIzK2EzGbJ_YfQR3SODt5UioM6qGoX2ufntGBowYUE8Ctj
wIs4g5dyBBNxBX7KRhNWhkA&usqp=CAU
Carga de um Capacitor
Uma forma de carregar um capacitor é colocá-lo em um circuito elétrico
com uma bateria. Circuito elétrico é um caminho fechado que pode ser percorrido
por uma corrente elétrica. Bateria é um dispositivo que mantém uma certa
diferença de potencial entre dois terminais (pontos nos quais cargas elétricas
podem entrar ou sair da bateria) através de reações eletroquímicas nas quais
forças elétricas movimentam cargas no interior do dispositivo.

Figura 02: Circuito formado por Bateria, chave e um capacitor. Fonte:

https://mundoeducacao.uol.com.br/upload/conteudo/images/circuito-eletrico.jpg

Na Fig.02 um circuito é formado por uma bateria B, uma chave S, um

capacitor descarregado C e fios de ligação. O mesmo circuito é mostrado no
diagrama esquemático da Fig.02, no qual os símbolos de uma bateria, uma
chave e um capacitor representam esses dispositivos. A bateria mantém uma
diferença de potencial 𝑉 entre os terminais. O terminal de maior potencial é
indicado pelo símbolo + e chamado de terminal positivo; o terminal de menor
potencial é indicado pelo símbolo – e chamado de terminal negativo.
Dizemos que o circuito da Fig.02 está interrompido porque a chave S está
aberta e, portanto, não existe uma ligação elétrica entre os terminais. Quando a
chave é fechada passa a existir uma ligação elétrica entre os terminais, o circuito
fica completo e cargas começam a circular pelos componentes do circuito. As
cargas que se movem em um material condutor, como cobre, são elétrons.
Quando o circuito da Fig.02 é completado, elétrons são colocados em movimento
nos fios pelo campo elétrico criado pela bateria. Esse campo faz os elétrons se
deslocarem da placa 𝑎 do capacitor para o terminal positivo da bateria; a perda
de elétrons faz com que a placa 𝑎 fique positivamente carregada. O campo
desloca o mesmo número de elétrons do terminal negativo da bateria para a
placa 𝑏 do capacitor; o ganho de elétrons faz com que a placa 𝑏 fique
negativamente carregada. As cargas da placa 𝑎 e da placa 𝑏 têm o mesmo valor
absoluto.
No instante em que a chave é fechada, as duas placas estão
descarregadas e a diferença de potencial entre elas é zero. Enquanto as placas
estão sendo carregadas, a diferença de potencial aumenta até se tornar igual à
diferença de potencial 𝑉 entre os terminais da bateria. Quando o novo equilíbrio
é atingido, a placa 𝑎 e o terminal positivo da bateria tem o mesmo potencial, e
não existe um campo elétrico no fio que liga esses dois pontos do circuito. O
terminal negativo e a placa 𝑏 também tem o mesmo potencial, e não existe um
campo elétrico nos fios que ligam o terminal negativo à chave S e a chave S à
placa 𝑏. Como o campo elétrico nos fios do circuito é zero, os elétrons param de
se deslocar e dizemos que o capacitor está totalmente carregado, com uma
diferença de potencial 𝑉 e uma carga 𝑞 relacionada a Eq.1.
Cálculo da Capacitância

Para relacionar o campo elétrico 𝐸⃗ entre as placas de um capacitor à

carga 𝑞 de uma das placas, usamos a lei de Gauss:

𝜀0 ∮ 𝐸⃗ ∙ 𝑑𝐴 = 𝑞 (3)

Onde 𝑞 é a carga envolvida por uma superfície gaussiana e

∮ 𝐸⃗ ∙ 𝑑𝐴 é o fluxo elétrico que atravessa a superfície. Em todos os casos que
vamos examinar a superfície gaussiana é escolhida de tal forma que sempre
existe um fluxo, 𝐸⃗ tem um módulo constante 𝐸 e os vetores 𝐸⃗ e 𝑑𝐴 são paralelos.
Neste caso, a Eq.3 se reduz a:
𝑞 = 𝜀0 𝐸𝐴 (4)

Onde 𝐴 é a área da parte da superfície gaussiana através da qual existe

um fluxo. Por conveniência, é necessário sempre desenhar a superfície
gaussiana de forma a envolver totalmente a carga da placa positiva.
A diferença de potencial entre as placas de um capacitor está relacionada
ao campo 𝐸⃗ através da equação:
𝑓
𝑉𝑓 − 𝑉𝑖 = − ∫ 𝐸⃗ ∙ 𝑑𝑠 (5)
𝑖

Onde a integral deve ser calculada ao longo de uma trajetória que começa
em uma das placas e termina na outra. Escolhendo uma trajetória que coincida
com uma linha de campo elétrico, da placa negativa até a placa positiva. Para
essa trajetória os vetores 𝐸⃗ e 𝑑𝑠 tem sentidos opostos e, portanto, o produto 𝐸⃗ ∙
𝑑𝑠 é a igual a −𝐸 𝑑𝑠. Assim, o lado direito da Eq.5 é positivo. Chamando de 𝑉 a
diferença 𝑉𝑓 − 𝑉𝑖 , a Eq.5 se torna:
+
𝑉 = ∫ 𝐸 𝑑𝑠 (6)
−

Onde os sinais – e + indicam que a trajetória de integração começa na

placa negativa e termina na placa positiva.
 Figura 03: Capacitor de Placas Paralelas carregado. Fonte: https://encrypted-
tbn0.gstatic.com/images?q=tbn:ANd9GcRdu_UnnYzARah3nLP6nbQY2Pd7o0c-
X6D2cjoWLHCvOBuIqf840HweA-WtoaAMW1hxG24&usqp=CAU

Observando a Fig.03, supondo que as placas do capacitor de placas

paralelas são tão extensas e tão próximas que podemos desprezar o efeito das
bordas e supor que 𝐸⃗ é constante em toda a região entre as placas.
Escolhendo uma superfície gaussiana que envolve apenas a carga 𝑞 da
placa positiva, como na Fig.03. Nesse caso, de acordo com a Eq.4, podemos
escrever: 𝑞 = 𝜀0 𝐸𝐴, onde 𝐴 é a área da placa.
De acordo com a Eq.6, temos:
+ 𝑑
𝑉 = ∫ 𝐸 𝑑𝑠 = 𝐸 ∫ 𝑑𝑠 = 𝐸𝑑 (7)
− 0

Na Eq.7, 𝐸 pode ser colocado do lado de fora do sinal de integral porque

é constante; a segunda integral é simplesmente a distância entre as placas, 𝑑.
Substituindo o valor de 𝑞 dado na Eq.4 e o valor de 𝑉 dado pela Eq.7 na relação
𝑞 = 𝐶𝑉 (Eq.1), temos:
𝜀0 𝐴
𝐶= (8)
𝑑

Assim, a capacitância realmente depende apenas de fatores geométricos,

no caso a área das placas 𝐴 e a distância entre as placas 𝑑. Observando que 𝐶
é diretamente proporcional a 𝐴 e inversamente proporcional a 𝑑. A esta altura,
convém observar que a Eq.8 sugere uma das razões pelas quais escrevemos a
constante dielétrica da Lei de Coulomb na forma 1/(4𝜋𝜀0 ). Se não agíssemos
dessa forma a Eq.9, que é muito mais usada que a Lei de Coulomb, teria uma
forma bem mais complicada. Observando que a Eq.9 possibilita expressar a
permissividade do vácuo 𝜀0 em uma unidade mais apropriada para problemas
que envolvem capacitores:
𝜀0 = 8,85 × 10−12 𝐹/𝑚 = 8,85 𝑝𝐹/𝑚 (9)
 Essa constante também podendo ser expressa como:
𝜀0 = 8,85 × 10−12 𝐶 2 /𝑁 ∙ 𝑚2 (10)

Usando um equipamento simples, Faraday constatou que a capacitância

era multiplicada por um fator numérico 𝑘, que chamou de constante dielétrica do
material isolante. Por definição, a constante dielétrica do vácuo é igual à unidade.
Como o ar é constituído principalmente de espaço vazio, sua constante dielétrica
é apenas ligeiramente maior que a do vácuo.
Outro efeito da introdução de um dielétrico é limitar a diferença de
potencial que pode ser aplicada entre as placas a um valor 𝑉𝑚𝑎𝑥 , conhecido como
potencial de ruptura. Quando esse valor é excedido o material dielétrico sofre um
processo conhecido como ruptura e passa a permitir a passagem de cargas de
uma placa para a outra. A todo material dielétrico pode ser atribuída a uma
rigidez dielétrica, que corresponde ao máximo valor do campo elétrico que o
material pode tolerar sem que ocorra o processo de ruptura.
Logo, a capacitância de qualquer capacitor pode ser escrita na forma:
𝐶 = 𝜀0 ℓ (11)

Onde ℓ tem dimensão de comprimento. Assim, por exemplo, ℓ = 𝐴/𝑑 para

um capacitor de placas paralelas. Faraday descobriu que no caso em que um
dielétrico preenche totalmente o espaço entre as placas a Eq.11 se torna:
𝐶 = 𝑘𝜀0 ℓ = 𝑘𝐶𝑎𝑟 (12)

Onde 𝐶𝑎𝑟 é o valor da capacitância com apenas ar entre as placas.

Figura 04: circuito com capacitor de placas paralelas com dielétrico. Fonte: Fundamentos
de Física vol. III.
 A Fig.04 mostra, de forma esquemática, os resultados dos experimentos
de Faraday. A bateria mantém uma diferença de potencial 𝑉 entre as placas.
Quando uma placa de dielétricos é introduzida entre as placas a carga 𝑞 das
placas é multiplicada por 𝑘; a carga adicional é fornecida pela bateria. Na Fig.04b
não há nenhuma bateria e, portanto, a carga 𝑞 permanece constante quando a
placa de dielétrico é introduzida; nesse caso, a diferença de potencial 𝑉 entre as
placas é dividida por 𝑘. As duas observações são compatíveis (através da
relação 𝑞 = 𝐶𝑉) com um aumento da capacitância causado pela presença do
dielétrico. Comparando a Eq.11 e Eq.12 é sugerido que o efeito de um dielétrico
pode ser descrito da seguinte forma:
“Em uma região totalmente preenchida por um material dielétrico de
constante dielétrica 𝑘, a permissividade do vácuo 𝜀0 deve ser substituída por 𝑘𝜀0
em todas as equações.”
Assim, o módulo do campo elétrico produzido por uma carga pontual no
interior de um dielétrico é dado pela seguinte forma:
1 𝑞
𝐸= (13)
4𝜋𝑘𝜀0 𝑟 2

Do mesmo modo, a expressão do campo elétrico nas proximidades da

superfície de um condutor imerso em um dielétrico é a seguinte:
𝜎
𝐸= (14)
𝑘𝜀0

Como 𝑘 é sempre maior que a unidade, essas equações mostram que

para uma dada distribuição de cargas o efeito de um dielétrico é diminuir o valor
do campo elétrico que existe no espaço entre as cargas.

Objetivos
Analisar a teoria sobre capacitores e dielétricos usando a plataforma Phet
colorado, a partir disso encontrar valores da capacitância e seus respectivos
erros. Com os valores obtidos trançar um gráfico no software gratuito SciDavis e
analisar o seu desvio padrão e o seu significado e se o 𝑋 2 obtido é razoável e
aceitável. Encontrado o valor da permissividade elétrica e sua análise da
propagação de erro.

Procedimento de Coleta de Dados

Iniciando o experimento, foi utilizado para obtenção de dados a plataforma
PhET Interactive Simulations, desenvolvido pela Universidade do Colorado do
qual contém diversas simulações gratuitas de Matemática e Física.
Selecionando o link: https://phet.colorado.edu/en/simulation/capacitor-lab. Que
retrata o laboratório de Capacitor, disponível no roteiro do experimento.

Figura 05: Plataforma PhET do Capacitor Lab. Fonte:

https://phet.colorado.edu/en/simulation/capacitor-lab

Após a abertura e carregamento da simulação foi selecionado a aba

“Dielectrics” e feita as dimensões da placa informado para cada aluno, do qual o
aluno Thiago Silva Oliveira foi direcionado com as seguintes informações:
236.4 ± 1,0 𝑚𝑚2 para a área das placas (A), e 8.80 ± 0.05 𝑚𝑚 para a distância
de separação entre as placas (d).

Figura 06: Simulação de um circuito com capacitor de placas paralelas e dielétrico. Fonte:
PhET Simulation (colorado.edu)
 Usando o PhET e os dados da tabela encontrado no roteiro, obtemos os
seguintes valores de capacitância e o erro na capacitância do qual se trata de
1% do valor obtido.

Trial Constante Dielétrica - K Capacitância (F) - C Erro de Capacitância

1 1 2,4 ∙ 10−13 2,4 ∙ 10−15
2 1,5 3,6 ∙ 10−13 3,6 ∙ 10−15
3 2 4,8 ∙ 10−13 4,8 ∙ 10−15
4 2,5 5,9 ∙ 10−13 5,9 ∙ 10−15
5 3 7,1 ∙ 10−13 7,1 ∙ 10−15
6 3,5 8,3 ∙ 10−13 8,3 ∙ 10−15
7 4 9,5 ∙ 10−13 9,5 ∙ 10−15
8 4,5 1,07 ∙ 10−12 1,07 ∙ 10−14
9 5 1,19 ∙ 10−12 1,19 ∙ 10−14
Tabela 01: Dados Experimentais

Seguindo o proceder do roteiro, foi usado uma bateria como fonte de

alimentação de 1,5 𝑉 e seguindo variando a constante dielétrica para obter
diversos valores de capacitância e seus erros e plotado um gráfico usado o
software gratuito SciDavis.

Figura 07: Software SciDavis. Fonte: SciDAVis (sourceforge.net).

Resultados e Discussões
Fazendo o cálculo da propagação de erro para uma placa retangular 𝐴 =
𝑥𝑦, de dimensões 𝑥 e 𝑦, mostrando 𝜎𝐴 = √2𝐴𝜎𝑥 tendo que na dimensão x o erro
é de 0.05mm, mostrando que 𝜎𝐴 é da ordem de 1mm².
Usando a seguinte relação:

𝜕𝐴 2 2 𝜕𝐴 2 2
𝜎𝐴2 = ( ) 𝜎𝑥 + ( ) 𝜎𝑦 (1)
𝜕𝑥 𝜕𝑦

Como temos uma placa retangular, com 𝐴 = 𝑥𝑦, obtemos:

2 2
𝜕(𝑥𝑦) 𝜕(𝑥𝑦)
𝜎𝐴2 =( ) 𝜎𝑥2 + ( ) 𝜎𝑦2 (2)
𝜕𝑥 𝜕𝑦

Assim:
𝜎𝐴2 = 𝑦 2 𝜎𝑥2 + 𝑥 2 𝜎𝑦2 (3)

Substituindo em 𝜎𝐴2 /𝐴2 :

𝜎𝐴2 𝑦 2 𝜎𝑥2 𝑥 2 𝜎𝑦2
= + (4)
𝐴2 𝑥 2 𝑦 2 𝑥 2 𝑦 2
Resultando em:

𝜎𝐴2 𝜎𝑥2 𝜎𝑦2

= + (5)
𝐴2 𝑥 2 𝑦 2
Sabendo que 𝐴 = 𝑥 2 , assim a equação (2) resulta em:
2
𝜕𝐴(𝑥)
𝜎𝐴2 =( ) 𝜎𝑥2 (6)
𝜕𝑥
Portanto
𝜕𝐴(𝑥, 𝑦)
= 2𝑥 (7)
𝜕𝑥

𝜎𝐴 = √4𝜎𝑥2 𝑥 2 (8)

𝜎𝐴2 = 2√𝐴𝜎𝑥 (9)

Resultando em:

𝜎𝐴 = 1,5 𝑚𝑚2 (10)

 Usando os dados da tabela 1 do roteiro considerando 𝐴 = 236.4 𝑚𝑚2 e
𝜎𝑥 = 0.05 𝑚𝑚, encontramos 𝜎𝐴 = 1,5 𝑚𝑚2.
Com os valores da tabela 01 foi utilizado o SciDAVis para plotar um gráfico
com os valores da constante dielétrica (K) no eixo das abscissas e os valores da
capacitância (C) no eixo das ordenadas e escolhendo o melhor ajuste da curva
atrelado com o erro da capacitância.

Gráfico 01: K x C

Após a plotagem do gráfico e o fit linear, obtemos os seguintes dados:

• Coeficiente angular (A) = 2,36 ∙ 10−13 ± 1,59 ∙ 10−15
• Coeficiente linear (B) = 4,04 ∙ 10−15 ± 3,24 ∙ 10−15
• 𝑋 2 = 1,73
• 𝑅 2 = 0,99
Podemos perceber como o valor do 𝑋 2 obtido é bem baixo como esperado
com os dados obtidos que são 9 pontos e 2 parâmetros que são os valores de A
e B e como a curva ajusta-se bem aos pontos. Foi obtido um 𝑅 2 bem próximo de
1.
Sabendo que o ajuste de curva usado foi: 𝑦 = 𝐴𝑥 + 𝐵. Analisando com a
equação 𝐶 = 𝐾𝐶0. 𝑦 equivale a 𝐶, 𝐾 equivalente a 𝑥 e 𝐶0 equivalente a 𝐴.
Podemos perceber que o valor de 𝐶0 obtido na plataforma do PhET é de
0,24 × 10−12 𝐹, enquanto o valor do coeficiente angular (𝐴) alcançado no
SciDAVis foi de aproximadamente 0,236 × 10−12. Logo podemos observar a
semelhança a entre os valores do 𝐶0 obtido no PhET com o valor de 𝐴
encontrado no SciDAVis. Além de um desvio padrão do coeficiente angular
consideravelmente baixo, indicando uma menor dispersão nos dados.
Com o valor de 𝐶0 = 0,24 × 10−12 𝐹, podemos calcular a permissividade
elétrica no vácuo usando a seguinte equação:
𝐶0 = (𝜀0 𝐴)/𝑑
(11)
 Usando os valores da tabela 1 do roteiro dado, temos que 𝐴 = 236,4 𝑚𝑚2
e 𝑑 = 8,80 𝑚𝑚. Substituindo os valores:
236,6
0,24 ∙ 10−12 = 𝜀0 ∙
8,8 (12)

Logo:

𝜀0 = 8,93 ∙ 10−12 𝐶 2 /𝑁 ∗ 𝑚2
(13)

Percebe-se que o valor da permissividade elétrica no vácuo adquirida é

bem próximo da encontrada nos livros didáticos como Fundamentos de Física
vol.III do Halliday baseado nos estudos e escritos de Charles Coulomb que dizia
que 𝜀0 = 8,85 ∙ 10−12 𝐶 2 /𝑁 ∗ 𝑚2 .
Usando a propagação de erros, foi calculado o desvio padrão da
permissividade elétrica no vácuo em função dos desvios padrão de 𝐶0 , 𝐴 e 𝑑.
A função será 𝜀0 = 𝐶0 𝑑/𝐴.
Para 𝐶0 :

𝐶0 𝑑 2
𝜕 𝐴
2
𝜎𝑔1 =( ) 𝜎𝐶20 (14)
𝜕𝐶0

Substituindo os valores:
Onde 𝜎𝐶0 vai ser o desvio padrão do coeficiente angular obtido no gráfico.

𝑑 2
2
𝜎𝑔1 = ( ) 𝜎𝐶20 (15)
𝐴

8,80 2
𝜎𝑔21 = ( ) ∙ (0,0015 × 10−12 )2 (16)
236,4

Para 𝐴:

𝐶0 𝑑 2
𝜕 𝐴
2
𝜎𝑔2 =( ) 𝜎𝐴2 (17)
𝜕𝐴
 2
𝐶0 𝑑 2 2
𝜎𝑔2 = (− 2 ) 𝜎𝐴 (18)
𝐴

Substituindo os valores:
2
0,236 ∙ 10−12 ∙ 8,80 × 10−3
𝜎𝑔22 =( ) ∙ (1,5 × 10−3 )2
(236,4 ∙ 10−3 )2 (19)

Para 𝑑:

𝐶0 𝑑 2
𝜕 𝐴
2
𝜎𝑔3 =( ) 𝜎𝑑2 (20)
𝜕𝑑

𝐶0 2
2
𝜎𝑔3 = ( ) 𝜎𝑑2 (21)
𝐴

Substituindo os valores:
2
0,236 × 10−12
𝜎𝑔23 =( ) ∙ (0,05 × 10−3 )2
236,4 × 10−3 (22)

Assim, o desvio padrão da permissividade elétrica no vácuo será:

𝜎𝜀0 = √𝜎𝑔21 + 𝜎𝑔22 + 𝜎𝑔23

(23)

Resultando em:
𝜎𝜀0 = 7,54 × 10−14 = 0,0754 × 10−12
(24)
Assim, o valor experimental da permissividade elétrica no vácuo obtida e
com o seu desvio padrão é de:

𝜀0 = (8,93 ± 0,075) ∙ 10−12 𝐶 2 /𝑁 ∗ 𝑚2

(25)

Conclusão
Com o uso da plataforma PhET Colorado, foi possível simular um
laboratório real de um experimento envolvendo capacitores de placas paralelas
e dielétrico, houve semelhança do valor da capacitância sem dielétricos com o
valor do coeficiente angular, sendo respectivamente iguais. O que nos leva que
o experimento foi um sucesso e os dados foram obtidos corretamente. Entretanto
o valor da permissividade elétrica foi satisfatório, aproximando bem próximo do
que o encontrado nas literaturas atuais.
Referências Bibliográficas
PHET COLORADO. Disponível em: Cargas e Campos - Campo Elétrico |
Eletrostática | Equipotencial - Simulações Interativas PhET (colorado.edu).
Acessado em: 17/01/22

HALLIDAY, David, 1916 – Fundamentos de Física, volume 3: eletromagnetismo /

Halliday, Resnick, Jearl Walker; tradução e revisão técnica: Ronaldo Sérgio de
Biasi. – Rio de Janeiro; LTC, 2009. 4v