INSTITUTO FEDERAL DE SANTA

CATARINA DEPARTAMENTO
ACADÊMICO DE ELETRÔNICA
Disciplina: Eletrônica I
Professor: Daniel Lohmann
Aluna: Julia de Lima Comelli

ATIVIDADE 8

Parte 01: Determinar os parâmetros do transistor:

Quais os os parâmetros L, W, uo, Cox, VA e Vt? Calcule o valor de RDS para as tensões VGS de
2V, 3V, 4V, 5V e 10V

Quais as tensões máximas de operação deste componente?

Obtenha as curvas ID x VDS para esse componente para as tensões VGS de 2V, 3V, 4V, 5V e
10V e compare os resultados com as curvas presentes no Datasheet.

Utilizando a curva ID x VDS obtenha os valores RDS e compare com os valores teóricos.

Para este experimento, será empregado o transistor 2N7002.

Modelo 1:

.SUBCKT 2N7002 10 20 30

* TERMINALS: D G S

M1 1 2 3 3 NMOS L = 1E-006 W = 1E-006

RD 10 1 0.976

RS 30 3 0.001

RG 20 2 160.6

CGS 2 3 2E-011

EGD 12 0 2 1 1

VFB 14 0 0

FFB 2 1 VFB 1

CGD 13 14 5.9E-011

R1 13 0 1

D1 12 13 DLIM
DDG 15 14 DCGD

R2 12 15 1

D2 15 0 DLIM

DSD 3 10 DSUB

.MODEL NMOS NMOS LEVEL = 3 VMAX = 1E+006 ETA = 0 VTO = 2.154

+ TOX = 6E-008 NSUB = 1E+016 KP = 0.4654 KAPPA = 1E-015 U0 = 400

.MODEL DCGD D CJO = 1.2E-011 VJ = 0.6 M = 0.6

.MODEL DSUB D IS = 6.808E-010 N = 1.576 RS = 0.1408 BV = 72 CJO = 8E-012 VJ = 0.8 M =

0.6474

.MODEL DLIM D IS = 0.0001

.ENDS

*Diodes N7002 Spice Model v0 Last Revised 2017/2/9

Parâmetros

Calculo do Rds para Vgs de 2V, 3V, 4V, 5V e 10V

Tensões de operação
Obtenha as curvas ID x VDS para esse componente para as tensões VGS de 2V, 3V, 4V, 5V e
10V e compare os resultados com as curvas presentes no Datasheet.

Curvas ID X VDS
Como podemos ver, a curva da imagem acima
(resultado da simulação) e a curva ao lado (retirada
do datasheet) são parecidas

Calculo do Rds para Vgs de 2V, 3V, 4V, 5V e 10V (simulação)

Assim, vemos que os valores simulados estão dentro dos limites aceitáveis no datasheet

Modelo 2

.SUBCKT 2N7002 1 2 3

* 1=drain 2=gate 3=source

Cgs 6 3 12.3e-12

Cgd1 6 4 27.4e-12

Cgd2 1 4 6e-12

M1 5 6 3 3 MOST1

M2 4 6 5 3 MOST2

D1 3 1 Dbody

Rd 5 1 Rtemp 2.3
Rg 2 6 15

.MODEL MOST1 NMOS (LEVEL=3 W=0.1 L=0.3e-6 Vto=2.014 Kp=3.09e-7

+ RS=0 RD=0 UO=650 VMAX=0 XJ=0.5E-6 KAPPA=10E-2

+ ETA=3e-6 TPG=1 IS=0 LD=0 WD=0 CGSO=0 CGDO=0

+ CGBO=0 NFS=4.9e12 DELTA=0.1)

.MODEL MOST2 NMOS (LEVEL=3 W=0.1 L=0.3e-6 Vto=-5.69 Kp=0.315e-5

+ RS=1000 RD=1000 UO=650 VMAX=0 XJ=0.5E-6 KAPPA=10E-2

+ ETA=3e-6 TPG=1 IS=0 LD=0 WD=0 CGSO=0 CGDO=0

+ CGBO=0 NFS=0 DELTA=0.1)

.MODEL Dbody D(Is=1e-14 N=0.88 Rs=0.7 Ikf=1e3 Cjo=0 M=0.5 Vj=0.4

+ Bv=60 Ibv=10e-6 Tt=50e-9)

.MODEL Rtemp RES(TC1=5.61e-3 TC2=2.23e-5)

.ENDS

Parâmetros

Calculo do Rds para Vgs de 2V, 3V, 4V, 5V e 10V

Nos casos onde o Rds é negativo (-693,48), isso ocorre pois o VGS é menor que o Vt, assim não
há corrente na região do tríodo

Tensões de operação

Obtenha as curvas ID x VDS para esse componente para as tensões VGS de 2V, 3V, 4V, 5V e
10V e compare os resultados com as curvas presentes no Datasheet.

Gráfico da Curva ID X VDS

Mesmo com modelos com parâmetros diferentes o gráfico dos dois modelos ficaram quase
iguais.

Calculo do Rds para Vgs de 2V, 3V, 4V, 5V e 10V (simulação)

Os modelos ficaram novamente com os valores simulados estão dentro dos limites aceitáveis
no datasheet

Parte 02: Polarização de transistores do tipo NMOS:

Simule o circuito da Figura 01, com os seguintes valores:

VCC = 9,0 V, R3 = R4 = 10 kΩ, R1 = 2 kΩ, R2 = 1 kΩ.

• Em qual região o transistor se encontra polarizado?

• Compare os resultados obtidos com os valores teóricos.

Valores:
Cálculo supondo que o circuito está em saturação

----- > como precisamos do vgs maior que o vt, pegamos apenas 2,06

E assim VDS é maior que VGS-Vt. Portanto o transistor está saturado

Smiluação:

A corrente ID é igual a 2.23 mA e nos valores teóricos temos 2.24 mA. Logo vemos que está
muito próximo do esperado

Parte 03: Espelho de corrente com transistores do tipo NMOS: Simule o circuito da Figura 02,
com os seguintes valores: R1 = 1,0 kΩ, VCC= 10,0 V.
Para R2, variando entre 0 e 100kΩ.

• Explique o funcionamento deste circuito comparando as corrente ID1 e ID2.

Esse circuito funciona como fonte de corrente. Podemos projetalo para a corrente
permanecer constante. Pra isso temos que compartilhar os terminais G e S nos dois
transistores utilizados (idênticos), assim a corrente de um espelha no outro .

• Variando a resistência R2, trace a curva ID2 x V2.

Como vemos no gráfico acima, o I(R2) começa a apresentar valores espelhados de I(R1) com
V2 aproximadamente a partir de 2.3 V, na região do Vt.
• Obtenha o máximo valor de R2 para o espelho de corrente funcionar corretamente.

O espelho de corrente fica melhor para R2 de até 1k

• Compare os resultados obtidos com a teoria.

Como podemos ver, o valor Id simulado de 7,63 mA ficou muito próximo do valor calculado
(Id=7.66*10^-3)

Parte 04: Inversor com transistor do tipo NMOS (NMOS Inverter):

Simule o circuito da Figura 03, com os seguintes valores: R1 = 10 kΩ e VCC= 5,0 V. VIN = forma
de onda quadrada com 1 kHz e amplitude de 5,0 Vpp (sem valor negativo, ou seja de 0 a 5V ).

• Compare as formas de onda de entrada e de saída.

• Obtenha o valor de RDS para esse transistor para esta condição de operação.

• Caso sinal de entrada tenha(VIN) a amplitude reduzida para 2,5 V, qual o valor de RDS?

• Compare os resultados obtidos com a teoria.

Assim, vemos que o nó n001 (entrada) e no nó Vout (saída) possuem formas de onda opostas
Obtenha o valor de RDS para esse transistor para esta condição de operação.

𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 8,648𝑚𝑚
𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 = = = 1,73
𝐼𝐼𝐼𝐼 4,991𝑚𝑚

Caso sinal de entrada tenha(VIN) a amplitude reduzida para 2,5 V, qual o valor de RDS?

SIMULAÇÃO

Valores de I(R1) e Vout:

A corrente RD manteve-se igual e a tensão Vout aumentou de 8,64 mV para 37 mV, alterando
o RDS.
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 37,73𝑚𝑚
𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 = = = 7,52
𝐼𝐼𝐼𝐼 4,96𝑚𝑚