Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

(MOSFET)

Prof. Carlos Fernando Teodosio Soares

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

ESCOLA POLITECNICA
Departamento de Engenharia Eletronica e de Computacao

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 1/29

 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
Nos Transistores de Efeito de Campo a corrente eletrica e constituda por apenas
um tipo de portador de carga (eletrons livres ou lacunas). Por esse motivo, esses
transistores sao considerados unipolares.

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
Nos Transistores de Efeito de Campo a corrente eletrica e constituda por apenas
um tipo de portador de carga (eletrons livres ou lacunas). Por esse motivo, esses
transistores sao considerados unipolares.

Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
Nos Transistores de Efeito de Campo a corrente eletrica e constituda por apenas
um tipo de portador de carga (eletrons livres ou lacunas). Por esse motivo, esses
transistores sao considerados unipolares.

Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo

Suas caractersticas Corrente Tensao seguem normalmente um comportamento
quadratico, o que melhora a linearidade dos amplificadores construdos com esse tipo de
transistor.

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Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
Nos Transistores de Efeito de Campo a corrente eletrica e constituda por apenas
um tipo de portador de carga (eletrons livres ou lacunas). Por esse motivo, esses
transistores sao considerados unipolares.

Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo

Suas caractersticas Corrente Tensao seguem normalmente um comportamento
quadratico, o que melhora a linearidade dos amplificadores construdos com esse tipo de
transistor.
Ao contrario dos transistores bipolares, suas juncoes PN operam sempre reversamente
polarizadas.

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
Nos Transistores de Efeito de Campo a corrente eletrica e constituda por apenas
um tipo de portador de carga (eletrons livres ou lacunas). Por esse motivo, esses
transistores sao considerados unipolares.

Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo

Suas caractersticas Corrente Tensao seguem normalmente um comportamento
quadratico, o que melhora a linearidade dos amplificadores construdos com esse tipo de
transistor.
Ao contrario dos transistores bipolares, suas juncoes PN operam sempre reversamente
polarizadas.
Sao mais simples de se fabricar e facilmente miniaturizados.

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo e um dispositivo semicondutor onde a corrente

eletrica conduzida por ele e controlada por um campo eletrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados sao o JFET (Junction
Field-Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
Nos Transistores de Efeito de Campo a corrente eletrica e constituda por apenas
um tipo de portador de carga (eletrons livres ou lacunas). Por esse motivo, esses
transistores sao considerados unipolares.

Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo

Suas caractersticas Corrente Tensao seguem normalmente um comportamento
quadratico, o que melhora a linearidade dos amplificadores construdos com esse tipo de
transistor.
Ao contrario dos transistores bipolares, suas juncoes PN operam sempre reversamente
polarizadas.
Sao mais simples de se fabricar e facilmente miniaturizados.
Os circuitos digitais construdos com Transistores de Efeito de Campo consomem bem
menos potencia que os circuitos equivalentes construdos com transistores bipolares.

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Historico dos Transistores de Efeito de Campo

O JFET foi concebido por Julius Lilienfeld em 1925 e patenteado por ele mesmo
em 1930.

Julius Lilienfeld

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Historico dos Transistores de Efeito de Campo

O JFET foi concebido por Julius Lilienfeld em 1925 e patenteado por ele mesmo
em 1930.
Em 1947, os pesquisadores do Bell Labs Bardeen, Brattain e Schockley estavam
tentando construir um JFET, quando descobriram o transistor bipolar de juncao
acidentalmente.

Julius Lilienfeld

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Historico dos Transistores de Efeito de Campo

O JFET foi concebido por Julius Lilienfeld em 1925 e patenteado por ele mesmo
em 1930.
Em 1947, os pesquisadores do Bell Labs Bardeen, Brattain e Schockley estavam
tentando construir um JFET, quando descobriram o transistor bipolar de juncao
acidentalmente.
Em 1959, os pesquisadores Dawon Kahng e Martin M. Atalla, tambem dos
Laboratorios Bell, desenvolveram um novo tipo de transistor de efeito de campo,
denominado Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET).

Julius Lilienfeld Dawon Kahng Martin M. Atalla

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Efeito do Campo Eletrico em um Capacitor MOS

Metal C

xido
VC

VC
Semicondutor

Um capacitor MOS e composto por uma placa de metal e uma de semicondutor,

isoladas entre si por uma camada isolante feita de oxido de silcio (SiO2 ).
O efeito do campo eletrico no capacitor MOS sobre o semicondutor da origem ao
princpio de funcionamento do MOSFET.

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Efeito do Campo Eletrico em um Capacitor MOS

VC

Acumulao VC
de Buracos

Aplicando-se uma tensao VC < 0 ao capacitor MOS, a placa metalica fica

carregada negativamente.
As cargas negativas da placa metalica atraem os buracos (portadores de carga
positiva), aumentando a concentracao desses portadores na regiao de interface
entre o semicondutor e o oxido.

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Efeito do Campo Eletrico em um Capacitor MOS

VC

Acumulao VC
de Buracos

Aumentando-se ainda mais a intensidade da tensao VC < 0, cada vez mais

buracos sao atrados para a regiao de interface.
Mesmo com o aumento na concentracao de buracos, a capacitancia do capacitor
MOS permanece inalterada, conforme mostrado no grafico.
A regiao abaixo do oxido, onde a concentracao de buracos aumentou e
denominada regiao de acumulacao.

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Efeito do Campo Eletrico em um Capacitor MOS

VC

Regio de VC
Depleo

Aplicando-se agora uma tensao VC > 0 ao capacitor MOS, a placa metalica fica
carregada positivamente, repelindo os buracos (portadores de carga positiva) e
atraindo os eletrons minoritarios (portadores de carga negativa).
Os primeiros eletrons atrados para a regiao de interface com o oxido se
recombinam com os buracos que restaram, produzindo uma regiao de deplecao
proximo a essa interface.
A regiao de deplecao aumenta a espessura do isolante entre as placas condutivas,
reduzindo a capacitancia do capacitor MOS.

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Efeito do Campo Eletrico em um Capacitor MOS

VC

Acumulao VC
de Eltrons

Aumentando-se ainda mais a intensidade da tensao VC > 0, cada vez mais

eletrons minoritarios sao atrados para a regiao de interface.
A partir de um certo valor da tensao VC > 0, a quantidade de eletrons livres
acumulados na regiao de interface faz com que a regiao de deplecao deixe de
existir e os eletrons passem a ser majoritarios nessa pequena camada.
Como a regiao de interface volta a ser condutiva, a capacitancia do capacitor
MOS tende a voltar ao seu valor original.

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 MOSFET Construcao e Operacao Fsica

Efeito do Campo Eletrico em um Capacitor MOS

VC

Camada de VC
Inverso Vth

No ponto em que a tensao VC > 0 atinge um limiar VC = Vth (Threshold

Voltage), a concentracao de eletrons livres na regiao de interface com o oxido se
iguala a concentracao original de buracos no semicondutor P.
Quando essa situacao e atingida, a capacitancia do capacitor MOS retorna ao
seu valor original.
Os eletrons livres acumulados na interface criam a chamada camada de inversao,
onde o semicondutor tipo P foi convertido, por efeito do campo eletrico no
capacitor MOS, em um semicondutor tipo N.

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Construcao Fsica do MOSFET

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

S G D S G D

+ + + +

B B

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Construcao Fsica do MOSFET

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

S G D S G D

+ + + +

B B

Terminais do MOSFET
Dreno Drain (D)
Porta Gate (G)
Fonte Source (S)
Substrato ou Corpo Bulk or Body (B)

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Construcao Fsica do MOSFET

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

S G D S G D

+ + + +

B B

D S

B B
G G

S D

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Construcao Fsica do MOSFET

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

S G D S G D

+ + + +

B B

D D S S

B G B G
G G

S D D
S

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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS

S G D

+ +

VDS
VSS

Em um MOSFET as juncoes PN tambem devem estar sempre despolarizadas ou

polarizadas reversamente. Por essa razao, o substrato/corpo do MOSFET de
canal N devera ser conectado a menor tensao possvel em um circuito (VSS ).
Como o terminal de porta esta isolado do restante do dispositivo por uma
camada de oxido isolante, nao havera corrente de porta.
Se uma tensao VDS for aplicada entre os terminais de dreno (D) e fonte (S) do
dispositivo, havera conducao de corrente eletrica?
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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS 0

S G D

+ +

VDS
VSS

Para uma tensao VGS Vth , nao ha a formacao de uma camada de inversao
logo abaixo do oxido de porta. Portanto, as juncoes PN reversamente
polarizadas impedirao a circulacao de corrente entre dreno (D) e fonte (S) para
qualquer valor da tensao VDS .
Dessa forma, o MOSFET funcionara aproximadamente como um circuito aberto
para VGS Vth .

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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS ID

S G D

+ +

VDS
VSS

Para tensoes VGS > Vth , havera a formacao de uma camada de inversao tipo N
logo abaixo do oxido de porta.
Essa camada de inversao forma um canal para a conducao de corrente eletrica
entre os terminais de dreno (D) e fonte (S).
Neste modo, o MOSFET funcionara como um resistor, cuja resistencia e igual a
do canal N. Isso faz com que a relacao entre ID e VDS seja aproximadamente
linear para pequenos valores de VDS .
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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS ID

S G D

+ +

VDS
VSS

Ao aplicar uma tensao VGS > Vth cada vez maior, mais eletrons serao atrados
para o canal de conducao.
O aumento na concentracao de eletrons no canal aumenta a condutividade deste,
aumentando a devivada da curva caracterstica ID VDS conforme a tensao VGS
aumenta.

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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Ao aumentar a tensao VDS , mantendo VGS > Vth constante, a tensao VGD entre
os terminais de porta (G) e dreno (D) vai progressivamente sendo reduzida.
Com a reducao dessa tensao, o canal vai sendo estrangulado nas proximidades da
regiao de dreno.
Com o estrangulamento do canal, a condutividade deste vai progressivamente
sendo reduzida. Isso pode ser verificado com a reducao na derivada da curva
caracterstica ID VDS , conforme a tensao VDS aumenta.
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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Aumentando demais a tensao VDS , chega-se ao ponto em que a tensao

VGD Vth , estrangulando completamente o canal nas proximidades da regiao de
dreno.
A partir desse ponto, a derivada da curva caracterstica ID VDS se anula, mas
o enorme campo eletrico na regiao estrangulada mantem a corrente eletrica
saturada em um valor limite.

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 MOSFET Operacao Fsica do MOSFET

Operacao Fsica do MOSFET

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Os valores da tensao VDS em que o canal esta estrangulado nas proximidades do

dreno sao:
VGD Vth VG VD Vth
VG VS (VD VS ) Vth VGS VDS Vth
VDS VGS Vth

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modos de Operacao do MOSFET

De acordo com a operacao fsica do MOSFET, identificamos tres modos de operacao:

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modos de Operacao do MOSFET

De acordo com a operacao fsica do MOSFET, identificamos tres modos de operacao:

Modo de Corte
Quando temos VGS Vth , o canal nao estara completamente formado e teremos
ID 0, independentemente da tensao VDS . Nesse modo de operacao, o MOSFET
opera como um circuito aberto.

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modos de Operacao do MOSFET

De acordo com a operacao fsica do MOSFET, identificamos tres modos de operacao:

Modo de Corte
Quando temos VGS Vth , o canal nao estara completamente formado e teremos
ID 0, independentemente da tensao VDS . Nesse modo de operacao, o MOSFET
opera como um circuito aberto.

Modo de Triodo
Quando temos VGS > Vth , o canal estara formado e teremos ID 6= 0. Nesse modo de
operacao, o MOSFET opera como um resistor controlado pela tensao VGS . Para isso
acontecer, devemos ter VDS < VGS Vth para que o canal nao esteja estrangulado
nas proximidades do dreno.

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modos de Operacao do MOSFET

De acordo com a operacao fsica do MOSFET, identificamos tres modos de operacao:

Modo de Corte
Quando temos VGS Vth , o canal nao estara completamente formado e teremos
ID 0, independentemente da tensao VDS . Nesse modo de operacao, o MOSFET
opera como um circuito aberto.

Modo de Triodo
Quando temos VGS > Vth , o canal estara formado e teremos ID 6= 0. Nesse modo de
operacao, o MOSFET opera como um resistor controlado pela tensao VGS . Para isso
acontecer, devemos ter VDS < VGS Vth para que o canal nao esteja estrangulado
nas proximidades do dreno.

Modo de Saturacao
Nesse modo de operacao, tambem teremos VGS > Vth , para que o canal esteja
formado e ID 6= 0. Entretanto, nesse modo de operacao, a corrente ID estara saturada
em um valor limite em virtude do estrangulamento do canal nas proximidades do
terminal de dreno. Para isso acontecer, deveremos ter VDS VGS Vth .
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Modo de Corte

VDS
ID
VGS 0

S G D

+ +

VDS
VSS

Condicao de Operacao e Modelo Matematico

0 < VGS Vth

Sem a formacao de um canal entre as regioes de dreno e fonte, teremos:

ID = 0,

independentemente da tensao VDS .

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Modo de Triodo

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Condicoes de Operacao
(
VGS Vth
VDS < VGS Vth

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Dimensoes Geometricas do MOSFET

Para obter a expressao para a corrente de dreno ID , e necessario observar as

dimensoes geometricas de um MOSFET:

+ + + +

As dimensoes mais importantes de um MOSFET sao o comprimento de canal (L) e a

largura de canal (W).

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

A quantidade infinitesimal de carga dq contida em um trecho de comprimento dx do

canal e dada por:
dq = dC V

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

A quantidade infinitesimal de carga dq contida em um trecho de comprimento dx do

canal e dada por:
dq = dC V

dq = Cox dA (VGS V (x ) Vth )

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

A quantidade infinitesimal de carga dq contida em um trecho de comprimento dx do

canal e dada por:
dq = dC V

dq = Cox dA (VGS V (x ) Vth )

Capacitancia por Area do Oxido Cox

ox
A capacitancia Cox e dada por Cox = tox
.

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

A quantidade infinitesimal de carga dq contida em um trecho de comprimento dx do

canal e dada por:
dq = dC V

dq = Cox dA (VGS V (x ) Vth )

dq = Cox W dx (VGS V (x ) Vth )

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

A quantidade infinitesimal de carga dq contida em um trecho de comprimento dx do

canal e dada por:
dq = dC V

dq = Cox dA (VGS V (x ) Vth )

dq = Cox W dx (VGS V (x ) Vth )

dq
= Cox W (VGS V (x ) Vth )
dx
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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Essa quantidade infinitesimal de carga dq estara submetida a um campo eletrico

dado por:
dV (x )
E (x ) =
dx

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Essa quantidade infinitesimal de carga dq estara submetida a um campo eletrico

dado por:
dV (x )
E (x ) =
dx
Esse campo eletrico faz com que os eletrons livres se movimentem com uma
velocidade dada por:
dx dV (x )
= N E (x ) = N
dt dx

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Entao, a corrente de dreno sera dada por:

dq dq dx
ID = =
dt dx dt

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Entao, a corrente de dreno sera dada por:

dq dq dx
ID = =
dt dx dt
Usando as expressoes dos slides anteriores:
dV (x )
ID = Cox W (VGS V (x ) Vth ) N
dx

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Resolvendo a equacao diferencial por separacao de variaveis:

ID dx = N Cox W (VGS V Vth ) dV

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Resolvendo a equacao diferencial por separacao de variaveis:

ID dx = N Cox W (VGS V Vth ) dV

Z L Z VDS
ID dx = N Cox W (VGS V Vth ) dV
0 0

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Resolvendo a equacao diferencial por separacao de variaveis:

ID dx = N Cox W (VGS V Vth ) dV

Z L Z VDS
ID dx = N Cox W (VGS V Vth ) dV
0 0

 
1 2
ID L = N Cox W (VGS Vth ) VDS VDS
2

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Assim, a corrente de dreno no MOSFET operando no modo de triodo e dada por:

 
W 1 2
ID = N Cox (VGS Vth ) VDS VDS
L 2

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Corrente de Dreno ID no Modo de Triodo

VGS VDS

dq

dx

x
0 x L
V
0 V(x) VDS

Assim, a corrente de dreno no MOSFET operando no modo de triodo e dada por:

 
W 1 2
ID = N Cox (VGS Vth ) VDS VDS
L 2
Essa equacao tambem pode ser reescrita como:
 
W 1 2
ID = kN (VGS Vth ) VDS VDS
L 2
onde kN = N Cox e chamado de parametro de transcondutancia.

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Modo de Triodo

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Modelo Matematico de Primeira Ordem

A corrente de dreno no MOSFET e dada por:
 
W 1 2
ID = kN (VGS Vth ) VDS VDS
L 2
onde kN = N Cox .

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Modo de Saturacao

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Condicoes de Operacao
(
VGS Vth
VDS VGS Vth
Com o estrangulamento do canal nas proximidades do terminal de dreno, a corrente
ID satura no valor limite atingido no ponto onde o MOSFET muda de operacao do
modo de triodo para o modo de saturacao.
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Modo de Saturacao

O valor de saturacao da corrente ID e atingido quando o MOSFET, operando no

modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS Vth .

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modo de Saturacao

O valor de saturacao da corrente ID e atingido quando o MOSFET, operando no

modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS Vth .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
 
W 1 2
ID = kN (VGS Vth ) VDS VDS
L 2

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modo de Saturacao

O valor de saturacao da corrente ID e atingido quando o MOSFET, operando no

modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS Vth .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
 
W 1 2
ID = kN (VGS Vth ) VDS VDS
L 2

Obteremos:
 
W 1
ID = kN (VGS Vth ) (VGS Vth ) (VGS Vth )2
L 2

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modo de Saturacao

O valor de saturacao da corrente ID e atingido quando o MOSFET, operando no

modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS Vth .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:
 
W 1 2
ID = kN (VGS Vth ) VDS VDS
L 2

Obteremos:
 
W 1
ID = kN (VGS Vth ) (VGS Vth ) (VGS Vth )2
L 2

1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modo de Saturacao

VDS
ID
VGS ID

S G D

VDS
VSS

Modelo Matematico de Primeira Ordem

Na saturacao, a corrente de dreno do MOSFET e dada por:
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L
onde kN = N Cox .

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Modo de Saturacao

VDS
ID
VGS ID

S G D

Vth VGS
VSS

Modelo Matematico de Primeira Ordem

Na saturacao, a corrente de dreno do MOSFET e dada por:
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L
onde kN = N Cox .

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Curvas Caractersticas do MOSFET

ID
A transicao entre o modo de triodo e o
modo de saturacao acontece quando
VDS = VGS Vth . Nessa situacao, a
corrente ID satura em:
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L
VDS

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 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Curvas Caractersticas do MOSFET

ID
A transicao entre o modo de triodo e o
modo de saturacao acontece quando
VDS = VGS Vth . Nessa situacao, a
corrente ID satura em:
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L
VDS
Assim, substituindo VGS = VDS + Vth na equacao da corrente de saturacao ID ,
obteremos a curva que define a fronteira entre os modos de triodo e de saturacao no
grafico ID VDS :
1 W
ID = kN (VDS + Vth Vth )2
2 L

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 20/29

 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Curvas Caractersticas do MOSFET

ID
A transicao entre o modo de triodo e o
modo de saturacao acontece quando
VDS = VGS Vth . Nessa situacao, a
corrente ID satura em:
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L
VDS
Assim, substituindo VGS = VDS + Vth na equacao da corrente de saturacao ID ,
obteremos a curva que define a fronteira entre os modos de triodo e de saturacao no
grafico ID VDS :
1 W
ID = kN (VDS + Vth Vth )2
2 L

1 W 2
ID = kN VDS
2 L

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 20/29

 MOSFET Modos de Operacao do MOSFET

Curvas Caractersticas do MOSFET

ID
A transicao entre o modo de triodo e o
modo de saturacao acontece quando
VDS = VGS Vth . Nessa situacao, a
corrente ID satura em:
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L
VDS
Assim, substituindo VGS = VDS + Vth na equacao da corrente de saturacao ID ,
obteremos a curva que define a fronteira entre os modos de triodo e de saturacao no
grafico ID VDS :
1 W
ID = kN (VDS + Vth Vth )2
2 L

1 W 2
ID = kN VDS
2 L

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 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim como no JFET, a corrente ID VDS

no MOSFET tambem apresenta uma
ligeira dependencia com respeito a VGS
tensao VDS .
Com o aumento da tensao VDS , o
progressivo estrangulamento do canal
provoca uma reducao em seu
comprimento efetivo (Lef ), afetando a
corrente ID :
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 Lef

Quanto mais estrangulado estiver o canal, menor sera o seu comprimento efetivo.
Esse efeito tem como consequencia um ligeiro aumento da corrente ID .

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 21/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim como no JFET, a corrente ID VDS

no MOSFET tambem apresenta uma
ligeira dependencia com respeito a VGS
tensao VDS .
Com o aumento da tensao VDS , o
progressivo estrangulamento do canal
provoca uma reducao em seu
comprimento efetivo (Lef ), afetando a
corrente ID :
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 Lef

Quanto mais estrangulado estiver o canal, menor sera o seu comprimento efetivo.
Esse efeito tem como consequencia um ligeiro aumento da corrente ID .

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 21/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim como no JFET, a corrente ID VDS

no MOSFET tambem apresenta uma
ligeira dependencia com respeito a VGS
tensao VDS .
Com o aumento da tensao VDS , o
progressivo estrangulamento do canal
provoca uma reducao em seu
comprimento efetivo (Lef ), afetando a
corrente ID :
1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 Lef

Quanto mais estrangulado estiver o canal, menor sera o seu comprimento efetivo.
Esse efeito tem como consequencia um ligeiro aumento da corrente ID .

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 21/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim, com o aumento da tensao VDS , ocorre um ligeiro aumento na corrente ID :

ID

VDS

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 22/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim, com o aumento da tensao VDS , ocorre um ligeiro aumento na corrente ID :

ID

VA VDS

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 22/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim, com o aumento da tensao VDS , ocorre um ligeiro aumento na corrente ID :

ID

VA VDS

Para incluir o Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal no modelo do

MOSFET no modo de saturacao, altera-se a equacao da corrente de dreno ID :

1 W
ID = kN (VGS Vth )2
2 L

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 22/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal

Assim, com o aumento da tensao VDS , ocorre um ligeiro aumento na corrente ID :

ID

VA VDS

Para incluir o Efeito de Modulacao do Comprimento de Canal no modelo do

MOSFET no modo de saturacao, altera-se a equacao da corrente de dreno ID :

1 W
ID = kN (VGS Vth )2 (1 + VDS )
2 L
1
onde o fator = VA
.

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 22/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

O Efeito de Corpo

VDS Efeito de Corpo

Como o MOSFET e um dispositivo de
VGS ID quatro terminais, a tensao aplicada ao
terminal de substrato/corpo influencia o
funcionamento do dispositivo. Essa
S G D
VSB influencia e denominada Efeito de Corpo.
Em um MOSFET de canal N, a tensao
aplicada entre a fonte e o substrato deve
ser VSB 0 de modo que as juncoes PN
B permanecam reversamente polarizadas.

Partindo de VSB = 0, teremos as juncoes PN despolarizadas. Note que tambem

existe uma juncao PN entre o canal e o substrato.
Aumentando-se a tensao VGS , aumenta-se a concentracao de eletrons abaixo da
regiao de gate, aumentando a profundidade do canal.

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 23/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

O Efeito de Corpo

VDS Efeito de Corpo

Como o MOSFET e um dispositivo de
VGS ID quatro terminais, a tensao aplicada ao
terminal de substrato/corpo influencia o
funcionamento do dispositivo. Essa
S G D
VSB influencia e denominada Efeito de Corpo.
Em um MOSFET de canal N, a tensao
aplicada entre a fonte e o substrato deve
ser VSB 0 de modo que as juncoes PN
B permanecam reversamente polarizadas.

Partindo de VSB = 0, teremos as juncoes PN despolarizadas. Note que tambem

existe uma juncao PN entre o canal e o substrato.
Aumentando-se a tensao VGS , aumenta-se a concentracao de eletrons abaixo da
regiao de gate, aumentando a profundidade do canal.

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 23/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

O Efeito de Corpo

VDS Efeito de Corpo

Como o MOSFET e um dispositivo de
VGS ID quatro terminais, a tensao aplicada ao
terminal de substrato/corpo influencia o
funcionamento do dispositivo. Essa
S G D
VSB influencia e denominada Efeito de Corpo.
Em um MOSFET de canal N, a tensao
aplicada entre a fonte e o substrato deve
ser VSB 0 de modo que as juncoes PN
B permanecam reversamente polarizadas.

Ao aumentar a tensao VSB , a regiao de deplecao das juncoes PN se alarga,

inclusive a regiao de deplecao entre o canal e o substrato.
Ao aumentar a largura da regiao de deplecao, a espessura do canal diminui,
alterando a sua condutividade e, consequentemente, a corrente de dreno ID .

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 23/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

O Efeito de Corpo

VDS Efeito de Corpo

Como o MOSFET e um dispositivo de
VGS ID quatro terminais, a tensao aplicada ao
terminal de substrato/corpo influencia o
funcionamento do dispositivo. Essa
S G D
VSB influencia e denominada Efeito de Corpo.
Em um MOSFET de canal N, a tensao
aplicada entre a fonte e o substrato deve
ser VSB 0 de modo que as juncoes PN
B permanecam reversamente polarizadas.

Portanto, para formar o mesmo canal que o MOSFET apresentava quando

VSB = 0, e necessario um valor mais elevado para a tensao VGS .
Dessa forma, a tensao de limiar Vth (threshold) e afetada pela tensao entre o
substrato e a fonte VSB .

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 23/29

 MOSFET Efeitos de Segunda Ordem

O Efeito de Corpo

VDS Efeito de Corpo

Como o MOSFET e um dispositivo de
VGS ID quatro terminais, a tensao aplicada ao
terminal de substrato/corpo influencia o
funcionamento do dispositivo. Essa
S G D
VSB influencia e denominada Efeito de Corpo.
Em um MOSFET de canal N, a tensao
aplicada entre a fonte e o substrato deve
ser VSB 0 de modo que as juncoes PN
B permanecam reversamente polarizadas.

Entao, a tensao de limiar sera dada por:

hp p i
Vth = Vth0 + 2F + VSB 2F

onde = 2qSi NA /Cox e o parametro de efeito de corpo, F e o potencial de Fermi
do substrato e Vth0 e o valor que Vth assume quando VSB = 0.

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 23/29

 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS

S G D

VDS
VDD

Em um MOSFET de canal P as juncoes PN tambem devem estar sempre

despolarizadas ou polarizadas reversamente. Por essa razao, o substrato/corpo
do MOSFET de canal P devera ser conectado a maior tensao possvel em um
circuito (VDD ).
Em um MOSFET de canal P, deveremos ter VGS < 0 para haver a formacao de
canal.
Por convencao, em um MOSFET de canal P, deveremos ter VDS < 0.
Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29
 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
0

S G D

VDS
VDD

Como o MOSFET de canal P necessita de uma tensao VGS < 0 para a formacao
de um canal, entao a tensao de limiar Vth para este transistor tambem devera
ser negativa.
Para uma tensao Vth VGS < 0, nao ha a formacao de uma camada de inversao
logo abaixo do oxido de porta. Portanto, as juncoes PN reversamente
polatizadas impedirao a circulacao de corrente entre dreno (D) e fonte (S) para
qualquer valor da tensao VDS .
Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29
 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
0

S G D

VDS
VDD

Nesse caso, o MOSFET de canal P estara operando no modo de corte e teremos:

ID 0

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29

 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Para tensoes VGS < Vth < 0, havera a formacao de uma camada de inversao tipo
P logo abaixo do oxido de porta.
Essa camada de inversao forma um canal para a conducao de corrente eletrica
entre os terminais de dreno (D) e fonte (S).
Neste modo, o MOSFET funcionara como um resistor, cuja resistencia e igual a
do canal P. Isso faz com que a relacao entre ID e VDS seja aproximadamente
linear para pequenos valores de VDS .
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 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Ao aplicar uma tensao VGS < Vth < 0 cada vez menor (ou maior em modulo),
mais buracos serao atrados para o canal de conducao.
O aumento na concentracao de buracos no canal aumenta a condutividade deste,
aumentando a devivada da curva caracterstica ID VDS conforme a tensao VGS
aumenta.

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 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Ao aumentar o modulo a tensao VDS < 0, mantendo VGS < Vth < 0 constante, a
tensao VGD entre os terminais de porta (G) e dreno (D) vai progressivamente
aumentando. Com o aumento dessa tensao, o canal vai sendo estrangulado nas
proximidades da regiao de dreno.
Com o estrangulamento do canal, a condutividade deste vai progressivamente
sendo reduzida. Isso pode ser verificado com a reducao na derivada da curva
caracterstica ID VDS , conforme a tensao |VDS | aumenta.
Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29
 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Assim, no modo de triodo, a corrente de dreno ID no MOSFET de canal P

tambem sera dada por:
 
W 1 2
ID = kP (VGS Vth ) VDS VDS
L 2
onde kP = P Cox .
Normalmente, em circuitos integrados CMOS, temos N 3 P .
Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29
 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Aumentando demais |VDS |, chega-se ao ponto em que a tensao Vth VGD ,

estrangulando completamente o canal nas proximidades da regiao de dreno.
A partir desse ponto, a derivada da curva caracterstica ID VDS se anula, mas
o enorme campo eletrico na regiao estrangulada mantem a corrente eletrica
saturada em um valor limite.

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29

 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Os valores da tensao VDS em que o canal esta estrangulado nas proximidades do

dreno sao:
VGD Vth VG VD Vth
VG VS (VD VS ) Vth VGS VDS Vth
VDS VGS Vth

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29

 MOSFET O MOSFET de Canal P

Operacao Fsica do MOSFET de Canal P

VDS
ID
VGS
ID
S G D

VDS
VDD

Assim, no modo de saturacao, a corrente de dreno ID no MOSFET de canal P

tambem sera dada por:
1 W
ID = kP (VGS Vth )2
2 L
onde kP = P Cox .

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 24/29

 MOSFET Processos de Fabricacao MOS

Processos de Fabricacao de Circuitos Integrados MOS

S G D B S G D

Circuitos
PMOS

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 25/29

 MOSFET Processos de Fabricacao MOS

Processos de Fabricacao de Circuitos Integrados MOS

S G D B S G D

Circuitos
PMOS
S G D B S G D

Circuitos
NMOS

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 25/29

 MOSFET Processos de Fabricacao MOS

Processos de Fabricacao de Circuitos Integrados MOS

S G D B S G D

Circuitos
PMOS
S G D B S G D

Circuitos
NMOS
S G D B S G D B

Circuitos
CMOS

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 25/29

 MOSFET Processos de Fabricacao MOS

Processos de Fabricacao de Circuitos Integrados MOS

Microfotografia da secao reta transversal de um circuito integrado CMOS, mostrando

em detalhes a estrutura fsica de um MOSFET.

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 MOSFET Resumo MOSFET

Resumo - Modo de Corte

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

D D S S

B G B G
G G

S D D
S

( (
0 < VGS Vth Vth VGS < 0
VDS > 0 VDS < 0

Corrente de Dreno no Modo de Corte

ID 0

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 MOSFET Resumo MOSFET

Resumo - Modo de Triodo

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

D D S S

B G B G
G G

S D D
S

( (
0 < Vth < VGS VGS < Vth < 0
VDS < VGS Vth VDS > VGS Vth

   
W 1 2 W 1 2
ID = kN (VGS Vth ) VDS VDS ID = kP (VGS Vth ) VDS VDS
L 2 L 2

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 28/29

 MOSFET Resumo MOSFET

Resumo - Modo de Saturacao

MOSFET de Canal N MOSFET de Canal P

D D S S

B G B G
G G

S D D
S

( (
0 < Vth < VGS VGS < Vth < 0
VDS VGS Vth VDS VGS Vth

1 W 1 W
ID = kN (VGS Vth )2 ID = kP (VGS Vth )2
2 L 2 L

Eletronica II Prof. Carlos Teodosio 29/29