7 Modelaje de transistores bipolares Z, = YJl;, I, = (Vs - V,)/R lo= (Vf - Vo) IRsnm, Zo= Vo /lo,A" = VolVj,A", =
Z b v V IL( Z + RJ, A, = -AvZ, IR,, re = 26 mVIIE; base comun: Z, = re, Zo = m R, A" = RLlre,A, = -1; emisor cornfin: Z; = Pre,
Zo =r,, A, = -RLIrr,Ai = /?,h,* = Pre, hje = Par, hib= re,hI b --a.
-
8 Anilisis a ~equefiasefial del transistor bipolar Emisor comun: A,, = -Rclre, Zi = R,(jpr<, Zo= R,, Ai = 8;divisor de
voltaje: R' = R,IIR2.A, = -Rc/r~,Zi = RrIIPre, Z, = R,; polarizaci6n en emisor: Z, = Ere+RE) = PRE.A,, = -/?R,/Z, = -RJ
(re+RE) = -RCIRE; emisor seguidor: Zb = Ere+RE), A" = I, Zo = re; base comtin: A" c R,lre, Z, = REllre,Z, = R,; retroali-
mentaci6n en colector: A" = -Rclre, Z = PrJ(R,Il AJ, Zo = RcIIR,; retroalimentacidn de dc en colector: A" = -(R, IIRc)lre,
2,= R,, IIPre,Zo = RcIIRF; parametros hibridos: A, = hf(l + h,R,), A" = -h,RL/[hi + (h,ho - hfh,)R,l, Zi = hi - h,h),/(l +
h0RL).Zo = ll[h, - (h,h)(h, + R>)1
9 Analisis a pequeiia sefial del FET g, = gm,(l - VGS13). g," = 21DssilVpl; configuration basica: A, = -g,RD;
resistencia de fuente sin desvio: A" = -gmR,l(l + gmRs); seguldor de fuente: A, = g,Rsl(l + gmRS); COmpueRa comun: A" =
gm(RDllrd)
10 Aproximacion a 10s sistemas: efecto de R"y R, BJT: A" = RLAVNL l(RL + Ro), A, = -AJ,/R,, V, = R,VJ(R, + R,);
polarization fijaja: A" = -(RcllRL)lre, A,, = Zfi,l(Z, + RJ, Z, =fire,Z, = Rc; divisor de voltaje: Av = -(RcIIRL)lre, A,, = ZjAvi
(i+:R,), Z, = RlIIR21J/3r~,Z, = R,; polarizaci6n en emisor: Av = -(RcIIRL)IRE, A", = Z A , l(Zi + RJ, Z, = R,IIPRE, Zo = R,;
retroalimentacion en colector: A, = -(RcllRL)Irc, A,,, = Z,A,/(Z, + R,), Z, = Pr,llRF/lAvl, Z, = R,IIR,; emisor seguidor: R; =
REIIR,. Au = R;(R, + re),A,, = R;I(RL + R J P + re), Zi = R,llKre + R,), Z, = R,(I(RJP + re); base comun: A" = (R,IIRL)lre,
.
A, = -1, Z, = re,Zo = R,; FET: con desvio Rs: A" = -g,(RDIIRL), Z, = RG Zo -- RD,. sin desvio R s. Av= -g , (RD IIR L )/(I +
gmRs), Z, = R,, Z, = R,; seguidor de fuenle: A" = gm(RsJIR,)I[l + g,(RsJIRL)], Zi = R,, Z, = R,l\r,JJl/g,; compuerca comfin:
A, = g,(RDIIRL), Zj = Rsllllgm, Zo = RD; en cascada: AV7=A", . A,?. A,>. . . A"", A,,= iAvTZi,IR,
ECUACIONES IMPORTANTES
2 Aplicaciones de diodos VBE= VD = 0.7 V; media onda: Vdc = 0.318Vm;onda completa: Vdc= 0.636Vm
4 Polarizaci6n en dc-BJT En general: VBE= 0.7 V, IC= IE, 1, = PIB;polarizaci6n fija: Is = (VCC- VBE)IRB,VCE=
V, - IcR, Icw= VC&,; estabilizada en emisor: Is = (VCC- VBE)I(RB+ (P + l)RE), Ri = (P + l)Rf VCE = VCC- IC(RC+
RE), jc_ = Vcc/(Rc + RE); divisor de voltaje: exacto: Rn = R , 11 RZ.En = R2VCCl(RI+ RZ),IB= (En - VBE)I(Rn + (P +
l)RE),.VCE= IICC- IC(RC+ RE), aproximado: VB = RZVCCI(RI+ RZ),PRE 2 10Rz, VE = VB- VBE. IC= IE= VE/RE;par
retroal~mentac~on de voltaje: IB= (VCC - VBE)IIRB+ P(RC+ RE)]; base comfin: IB= (VEE- VBE)IRE;conmutaci6n de
transistores: I = f , + I,,, fapa ado = IT+ I,; estabilidad: Srlco) = AlcIAlc,; polarizaci6n fija: S(l,,) = p + 1;
(j
polarizacidn en emisor: S(Ic,) = + 1)(1 + R$RE)I(l + P + R$RE); divisor de voltaje: S(Ico) = (P + 1)(1 + R#,)I(l +P +
R,,,/R,); polarizaci6n por reuoalimentaci6n: S(lco) = ( p + 1)(1 + R$Rc)l(l + P + RB/Rc), S(VBE)= AIJAVBE; polarizaci6n
fija: S(VBE)= -PJRB; polarizaci6n en emisor: S(VBE)= -PJ[RB + (P + l)RE]; divisor de voltaje: S(VBE)= -p[R.,,, + (P +
l)RE]; polarizaci6n por reuoalimentaci6n: S(VBE)= -@(RE + (P+ l)RC), S(P) = AICIA/3;polarimci6n fijz S(P) = Ic,lP,;
polarizacidn en emisor: S(P) = /,,(I + R,IRE)IIPl(l + P2 + REIRE)];divisor de voltaje: S(P) = /,$I + R,IRE)IIPl(l + P2+ -
RnIRE)]; polarizacidn por retroalimentaci6n: S(P) =Ic,(RB + Rc)IIPl(RB+ RJl + &))I, AlC= S(Ic,) Al,, + S(VBE)AVBE+
scP) AP
5 Transistores de efecto de campo IG= 0 A, ID= IDss(l - VGslVp)Z, ID= IS, VGS= VP(I - -1. ID= IDSS14
(si VGS = Vp/2), ID= IDss12 (si VGs = 0.3Vp), PD= VDslD.ID= k(VGs - V,)Z
Sexta edicidn
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
TRADUCCION:
Juan Pur6n Mier y Teran
Profesor de asignatura en el Depto. de Matemiticas,
Universidad Iberoamericana,
Profesionista en Sistemas CAD, GIS
REVISION T~CNICA:
M. en C. Agustin Suarez Fernhdez
Departamento de Ingenieria ElCctrica
Universidad Aut6noma Meeopolitana-Iztapalapa
E S P ~ A GUATEMALA
. - .
&XICO -ARGENTINA. BRAS%. COLOMBIA COSTA RlCA CHILE
PER^ PlERTO RlCO .YENEZJELA
Editor: Dave Garza
Developmental Editor: Carol Hinklin Robison
Production Editor: Rex Davidson
Cover Designer: Brian Deep
Production Manager: Laura Messerly
Marketing Manager: Debbie Yarnell
Illustrations: Network Graphics
Traducido del inglCs de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDITION
All rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, lnc
A Simon & Schuster Company.
Todos 10s derechos reservados. Traducci6n autorizada de la edici6n en inglCs publicada por Prentince-Hall, Inc.
A Simon & Schuster Company.
All rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means,
electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system.
without permission in writing from the publisher.
Prohibida la reproducci6n total o parcial de esta obra, por cualquier medio o mttodo sin autorizaci6n por escrito del editor.
Original English Language Edition Published by Prentice-Hall, Inc. A Simon & Schuster Company. cruum~~c,
m.rsru~us.m
CP-.&XICO.OF
~~~
..
~ 0 0 1 U M E b U U n V O S . IA OECV
ULZ CIUB*CINO M. L O W A
Copyright O MCMXCVl
PPRESACERTIRWDAPOR EL
All rights reserved NSnTLIlO UEXIUNODENCRUUIUCI~
YCE~LC,BUOUlMPUL
Isom2 IwMX.ccaY: 1901
CON E I N O OEREGISTRO R S W
ISBN 0-13-375734-X
Ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN y PA'ITY
Contenido
PREFACIO
AGRADECIMIENTOS
DIODOS SEMICONDUCTORES
Introducci6n 1
El diodo ideal 1
Materiales semiconductores 3
Niveles de energia 6
Materiales exhinsecos: tipo n y tipo p 7
Diodo semiconductor 10
Niveles de resistencia 17
Circuitos equivalentes para diodos 24
Hojas de especificacionesde diodos 27
Capacitancia de transici6n y difusion 3 1
Tiempo de recuperaci6n inverso 32
Notacion de diodos semiconductores 32
Prueba de diodos 33
Diodos Zener 35
Diodos emisores de luz 38
Arreglos de diodos: circuitos integrados 42
Analisis par computadora 4 4
2 APLICACIONES DE DIODOS
Introducci6n 53
Anilisis mediate la recta de carga 54
Aproximaciones de diodos 59
Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61
Configuraciones en paralelo y e n serie-paralelo 66
Compuertas AND/OR 69
Entradas senoidales; rectificacidn de media onda 71
Rectificaci6n de onda completa 74
Reconadores 78
Cambiadores de nivel 85
Diodos Zener 89
Circuitos multiplicadores de voltaje 96
Anilisis por computadora 99
Introducci6n 114
Construccidn de transistores 115
Operaci6n del transistor 115
Configuration de base comlin 117
Accidn amplificadora del transistor 121
Configuraci6n de emisor comlin 122
Configuraci6n de colector comSn 129
Limites de operacidn 130
Hoja de especificaciones de transistores 132
Prueba de uansistores 136
Encapsulado de transistores e identificacidn de terminales 138
Analisis por computadora 140
Introduction 144
Punto de operaci6n 145
Circuito de polarizaci6n fija 147
Circuito de polarizaci6n estabilizado en emisor 154
Polarizaci6n por divisor de voltaje 158
Polarizaci6n de dc por retroalimentacidn de voltaje 166
Diversas configuraciones de polarization 169
Operaciones de disetio 175
Redes de conmutaci6n con transistores 181
Ttcnicas para la localizaci6n de fallas 186
Transistores pnp 189
Estabilizacidn de la polarizaci6n 191
AnAfisis por computadora 200
5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0 215
Introducci6n 2 15
Consbucci6n y caractensticas de 10s JFET 216
Caractensticas de transferencia 223
Hojas de especificaciones (JFET) 227
Insuumentacion 230
Relaciones importantes 231
MOSFET de tipo decremental 238
MOSFET de tip0 incremental 238
Manejo del MOSFET 246
VMOS 247
CMOS 248
Tabla resumen 250
Anilisis por computadora 251
POLARIZACIONDEL FET
Introducci6n 256
Configuracion de polarizaci6n fija 257
Configuracion de autopolarizacion 261
Polarizaci6n mediante divisor de voltaje 267
MOSFET de tipo decremental 273
MOSFET de tipo incremental 277
Tabla resumen 283
Redes combinadas 285
DiseRo 288
Localizaci6n de fallas 290
FET de canal-p 291
C u ~ universal
a de polarization para JFET 294
Anilisis por computadora 297
Contenido
ANALISIS A PEQUENA SENAL
8 DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Introducci6n 346
Configuracion de emisor comun con polarizaci6n fija 346
Polarization mediante divisor de voltaje 350
Configuracion de E€ con pola~izacitinen emisor' 353
Configuracion emisor-seguidor 360
Configuraci6n debase comun 366
Configuraci6n con retroalimentaci6n en colector 368
Configuraci6n con retroalimentaci6n de dc en colector 374
Circuito equivalente hibrido aproximado 377
Modelo equivalente hibrido completo 383
Tabla resumen 390
Soluci6n de problemas 390
Analisis por computadora 393
Introducci6n 560
Conexi6n en cascada 560
Conexi6n cascode 565
Conexi6n Darlington 566
Par retroalimentado 571
Circuito CMOS 575
Circuitos de fuente de comente 577
Espejo de corriente 579
Circuito de amplificador diferencial 582
Circuitos de amplificador diferencial BiFET, BiMOS y CMOS 590
Aniilisis por computadora 591
13 TECNICAS DE FABRICACION DE
CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS 607
Introducci6n 607
Materiales serniconductores,Si, Ge y GaAs 607
Diodos discretos 609
Fabricaci6n de nansistores 611
Circuitos integrados 612
Cucuitos integrados monoliticos 614
El ciclo de producci6n 617
Circuitos integrados de pelicula delgada y pelicula gruesa 626
Circuitos integrados hfbridos 627
Introducci6n 628
Operaci6n en modo diferencial y en modo comrin 630
Amplificador operacional basico 634
Circuitos pricticos con amplificadores operacionales 638
Especificaciones, parametros de desvio de dc 644
Especificaciones de parhetros de frecuencia 647
Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 65 1
Analisis por computadora 657
Introducci6n 741
Operaci6n del comparador 741
Convertidores analbgicos-digitales 748
Operaci6n del CI temporizador 752
Oscilador controlado por voltaje 755
Lazo de seguimiento de fase 758
Circuitos de interfaz 762
Anhlisis por computadora 765
19 (REGULADORES
ALIMENTACION
FUENTES DE
DE VOLTAJE)
19.1 Introducci6n 805
192 Consideraciones generales de filtros 805
193 Filtro capacitor 808
19.4 Filtro RC 811
195 Regulaci6n de voltaje con transistores discretos 814
19.6 Reguladores de voltaje de CI 821
19.7 Anilisis por computadora 826
APENDICE A: PARAMETROSH~BRIDOS:
ECUACIONES PARA CONVERSION
(EXACTAS Y APROXIMADAS) 924
. .
APENDICE E: SOL~JCIONES
A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS
CON N ~ E R NON
O 937
Contenido
Prefacio
Seghn nos acercibamos a1 XXV aniversario del texto, se hizo verdaderamente claro que esta
sexta edici6n debia continuar con el importante trabajo de revisi6n que tuvo la edition. La
creciente utilization de la computadora, 10s circuitos integrados y el expandido rango de co-
bertura necesaria en 10s cursos basicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edici6n
contin6an siendo 10s factores principales que afectan el contenido de una nueva version. A
traves de 10s ~ o shemos
, aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a travts
de la apariencia general del texto, de tal forma que nos hemos comprometido a1 formato que
encontrari en la sexta edicion de tal manera que el material del texto parezca mas "amistoso"
para un amplio sector de estudiantes. De la misma manera que en el pasado, continuamos
empetiados en el fuerte sentido pedag6gico del texto, la exactitud y en un amplio rango de
materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo.
Sin duda, una de las mejoras mAs importantes que se han retenido de la quinta edici6n es la
manera en la cual el texto se presta para el cornpendio ordinario del curso. La nueva secuencia
de la presentacion de 10s conceptos que afect6 la hltima edicion se ha Conse~adoen la presen-
te. Nuestra experiencia docente con esta presentacidn ha reforzado la creencia de que el mate-
rial tiene ahora una pedagogia mejorada para apoyar la presentaci6n del instructor y ayudar al
estudiante a constmir 10s fundamentos necesarios para sus futuros estudios. Se ha consemad0
la cantidad de ejemplos, 10s cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quin-
ta edicibn. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclu-
siones importantes. El formato ha sido diseaado para establecer una apariencia amistosa para
el estudiante y para asegurar que el trabajo artistic0 se encuentre tan cercano a la referencia
como sea posible. Se han utilizado pantallas para definir caracteristicas importantes o para ais-
lar cantidades especificas en una red o en una caracteristica. Los iconos, desarrollados para
cada capitulo del texto, facilitan la referencia de un itrea en particular tan rapidamente como
sea posible. Los problemas, 10s cuales han sido desarrollados para cada seccion del texto, van
en progreso a partir de lo mas simple a lo mis complejo. Asirnismo, un asterisco identifica 10s
ejercicios mis dificiles. El titulo en cada seccion tambitn se reproduce en la secci6n de proble-
mas para identificar con claridad 10s ejercicios de inteds para un terna de estudio en particular.
ENFOQUE DE SISTEMAS
Durante varias visitas a otros colegios, institutos ttcnicos, y juntas de varias sociedades, se
mencionaba que deberia desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesi-
dad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicacion de paquetes de sistemas. Los
capitulos 8,9 y 10 estin especificamente organizados para desarrollar 10s cimientos del anali-
sis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. Aunque puede resultar mas ffiiil
considerar 10s efectos de Rs y R, con cada configuration cuando tsta se presenta por primera
vez, 10s efectos de R, y R, tambitn ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de 10s con-
ceptos fundamentales del anilisis de sistemas.Los 6ltimos capitulos referentes a amplificadores
operacionales y circuitos integrados desarrollan a6n mas 10s conceptos presentados en 10s
capitulos iniciales.
EXACTITUD
No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicacion es que Bsta se encuentre
libre de errores en lo posible. Ciertamente, la intenci6n no es de retar a1 instructor o a1 estu-
diante con inconsistencias planeadas. De hecho, no existe algo m b tenso para un autor que el
escuchar sobre errores en su libro. Desputs de una verificaci6n extensiva acerca de la exacti-
tud en la quinta edicion, ahora nos sentimos seguros que este texto gozarA del nivel mas alto de
exactitud que se puede obtener para una publicacion de este tipo.
MODELAJE DE TRANSISTORES
El modelaje del transistor bipolar de uni6n (BIT) es un &rea que se ha enfocado de varias
maneras. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se
apoyan en el enfoque hibrido o en una combinaci6n de estos dos. La sexta edicion destacari el
modelo re con la suficiente cobertura del modelo hibrido como para permitir una comparacion
entre 10s modelos y la aplicaci6n de arnbos. Se ha dedicado un capitulo completo (capitulo 7)
a la introducci6n de 10s modelos para asegurar un entendimiento claro y correct0 de cada uno
y de las relaciones que existen entre 10s dos.
PSpice Y BASIC
Los recientes atios han visto un crecimiento continuo del contenido de computaci6n en 10s
curses introductorios. No solamente aparece la utilizaci6n de procesadores de texto en el pri-
mer semestre, sino que tambitn se presentan las hojas de calculo y el empleo de un paquete de
andisis tal como PSpice en numemsas instituciones educativas.
Se eligi6 PSpice como el paquete que apareceri a travts de este texto debido a que
recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. Otros paquetes
posibles incluyen Micro-Cap 111 y Breadboard. La zobertura de PSpice ofrece suficiente
capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoria de las redes
analizadas en este texto. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para
computadora.
PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar a1 circuit0 en forma esquemitica, el
t:ual puede ser analizado desputs con resultados de salida similares a PSpice. A6n se incluyen
en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje
tie computaci6n y de 10s beneficios adicionales que surgen de su utilizaci6n.
SOLUCION DE PROBLEMAS
La solucion de 10s problemas es indudablemente una de las habilidades mas dificiles para
presentar, desarrollar y dernostrar en un texto. Se trata de un arte que debe ser inuoducido
utilizando una variedad de tkcnicas, pero la expenencia y la exposicion son obviamente 10s
elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. El contenido es en forma esencial una
revision de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. Se
presentan algunas ideas sobre como aislar un k e a problemktica asi como una lista de las cau-
sas posibles. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertira en un experto en la
solucion de las redes presentadas en este texto, pero al menos el lector tendra algiin entendi-
miento de lo que esta relacionado con el proceso de la solucidn.
ROBERT BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY
Agradecimientos
Nuestros mas sinceros agradecimientos se deben extender a 10s profesores que han utilizado el
texto y han enviado algunos comentarios, correccionesy sugerencias.Tambien deseamos agra-
decer a Rex Davidson, editor de Prentice-Hall, por mantener unidos 10s tantos aspectos deta-
llados de producci6n. Nuestro mas sincero agradecimiento a Dave Garza, editor senior, y a
Carol Robison, editor senior de desmollo, de Prentice-Hall,por su apoyo editorial en la sexta
edici6n de este texto.
Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluacio-
nes del presente texto a travCs de sus muchas ediciones. Los comentarios de estas personas nos
han permitido presentar Electrhnica: Teorio de Circuitos en esta nueva edicion:
donde VFes el voltaje de polarizaci6n directa a travis del diodo e I , es la comente a traves del
dido.
Por ranro, el diodo ideal es un circuiro cerrado para la regibn de conduccibn.
Si ahora se considera la regi6n de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la
figura I .lb,
-+
I, (Limitado por el circuito)
(a)
V~
+
ID= o
f
Circuit0 abieno
(b)
Fwra 1.2 a) Estados de conducci6n y b) no conducci6n del diodo ideal seg6n estd determinado
por la poiarizaci6n aplicada.
Por lo general, resulta sencillo hasta cieno punto determinar si un diodo se encuentra en la
region de conducci6n o de no conducci6n, al observar la diiecci6n de la comente ID que se
estahlece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electro-
nes), si la comente resultante del diodo tiene la misma direcci6n que la punta de la flecha del
sfmbolo del d i d o , tste estA operando en la regi6n de conducci6n, segun se describe en la
figura 1.3a. Si la coniente resultante tiene la direcci6n opuesta, como se muestra en la figura
1.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
ID 10
-
(a)
Figura 1.3 a) Estados de
0 Co conducciirn y b) no conducciirn del
C ID = O diodo ideal. segim est&determinado
ID por la direcciirn de la coniente
(b) convencional establecida por la red.
Como se indic6 antes, el prop6sito inicial de esta seccion es presentar las caractensticas
de un dispositivo ideal para poder compararlas con las caractensticas de la variedad comer-
cial. Segun se avance a travts de las pr6ximas secciones, se deben considerar las siguientes
preguntas:
iQub tan cercana serh la resistencia directa o de "encendido" de un diodoprhctico
comparado con el nivel0-R deseado?
iEs la resistencia inversa parcial lo suficientemenre grande como para permitir una
aproximacibn de circuit0 abierro?
Este hecho serh de utilidad cuando se comparen 10s niveles de resistividad en 10s anilisis que se
presentan enseguida.
En la tabla 1.I se muestran 10s valores tipicos de resistividad para tres categodas amplias
de materiales.Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eltctricas del cobre y la
mica, las caractensticas de 10s materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pue-
p z 104 R-cm
(cobre)
p -
o 5 50
Sernrconductor
50 a-cm (germanio)
x lo3 R-cm (silicio)
p-
Atslonte
1012 R-crn
(mica)
den ser relativamente nuevas. Como se encontrari en 10s capitulos que signen, ciertamente no
son 10s linicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son 10s que mas interesan en el
desarrollo de dispositivos semiconductores. En aiios recientes el cambio ha sido estable con
el silicio, pero no asi con el germanio. cuya production alin es escasa.
Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre 10s materiales conductores y aislantes para
la longitud de 1 cm (un bea de I-cmz) de material. Dieciocho lugares separan la colocaci6n del
punto decimal de un nlimero a otro. Ge y Si han recibido la atenci6n que tienen por varias razo-
nes. Una consideracion mny importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy
alto nivel de pnreza. De hecho, 10s avances recientes han reducido 10s niveles de impureza en el
material puro a una parte por cada 10 mil milloms (1 : 10 000 000 000). Es posible que alguien
se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. En realidad lo son si se consi-
dera que la adici6n de una parte de impureza (del tipa adecuado) por mill6n, en una oblea de
silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor
de electricidad. Como es obvio, se estb manejando nn espectro completamente nuevo de nive-
les de comparaci6n. cuando se tram con el medio de 10s semiconductores. La capacidad de cam-
biar las caractensticas del material en forma significativa a traves de este proceso, que se conoce
como "dopado", es otra razon m& por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atencion. Otras
razones incluyen el hecho de que sus caractensticas pueden alterarse en forma significativa a
travts de la aplicaci6n de calor o lnz, una consideracion imponante en el desarrollo de dispositi-
vos sensibles al calor o a la luz.
Algunas de las cualidades linicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su
estructura at6mica. Los itomos de ambos rnateriales forman un patron muy definido que es
periodic0 en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patron completo
se le llama cristal, y a1 arreglo periodic0 de 10s atomos, red crisralina. Para el Ge y el Si el
cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones qne se muestra en la figura 1.5.
Cualquier material compuesto so10 de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno-
mina estructura de cristal inico. Para 10s materiales semiconductores de aplicacion prictica en
el camvo de la electronics. esta caractenstica de cristal unico existe v. ademas. la ~eriodicidad
de la estructura no cambia en forma significativa con la adicion de impurezas en el proceso de
&/'b
dopado.
/ Ahora, se examinad la estructura del atomo en si y se observara c6mo se pueden afectar
las caractensticas eltctricas del material. Como se tiene entendido, el dtomo se compone de
tres particulas bbicas: el electrbn, elprotbn y el neutrbn. En la red atomica, 10s neutrones y 10s
------- protones forman el nlcleo, mientras que 10s electrones se mueven alrededor del nlicleo sobre
una brbira fija. Los modelos de Bohr de 10s semiconductores que se usan con mayor frecuen-
Rgum 1.5 Estructura de un solo cia, el germanio y el silicio, se muestran en la figura 1.6.
cristal de Ge y Si. Como se indica en la figura 1.6a, el titorno de germanio tiene 32 electrones en orbita,
mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias orbitas. En cada caso, existen cuatro elec-
trones en la orbita exterior (valencia).El potencial @orencia1 de ionizacibn) que se requiere
para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido
por cualquier otro electron dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de silicio
estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro itornos adjnntos, como se
muestra en la figura 1.7 para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como atomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cnatro electrones de valencia.
Una unwn de lrtomos fortolecida por el com@.miento de electrones se denomina
unibn covalente.
Figura 1.6 Estructura atomica: a) germanio; F e r a 1.7 Union covalente del &tornode
b) silicio. silicio.
Si bien la union covalente generari una union m b fuerte entre 10s electrones de valencia
y su itomo, aiin es posible para 10s electrones de valencia absorber suficiente energia cinttica
por causas naturales, para romper la union covalente y asumir el estado "libre". El tkrmino
"libre" revela que su movimiento es muy sensible a 10s campos el6ctricos aplicados, como 10s
establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas natura-
les incluyen efectos como la energia luminica en la forma de fotones y la energia termica del
medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 101° portadores
libres en un centimetro clibico de material inbinseco de silicio.
Los materiales intrinsecos son aquellos semiconductores que han sido
cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo,
esencialmente tan puro como se puede obtener a travks de la tecnologia moderna.
A 10s electrones libres localizados en el material que se deben solo a causas naturales, se
les conoce como portadores intrlnsecos. A la misma temperatura, el material intrinseco de
germanio tendri aproximadamente 2.5 x 1013 transmisores libres por centimetro clibico. La
relacion del nllmero de ponadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica
que el germanio es uu mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, aunque
en el estado inm'nseco ambos ahn son considerados conductores pobres. Observe en la tabla
1.1 como la resistividad tambien difiere por una relacion de aproximadamente 1000 : 1 con el
silicio, teniendo, por tanto, un mayor valor. Por supuesto, Cste debe ser el caso, debido a que la
resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales.
Un incremento en la temperatura de un semieonductorpuede generar un incremento
sustnncial en el niimero & electrones libres en el material.
Seglin aumenta la temperatura desde el cero absoluto (0 K), un nlimero mayor de
electrones de valencia absorben suficiente energia ttrmica como para romper la union
covalente y contribuir asi a1 n6mero de ponadores libres, seglin se describi6 antes. Este
mayor numero de portadores aumentarii el indice de conductividad y generara un menor
nivel de resistencia.
Se dice que 10s materiales semiconductores como el Ge y el Si, que mueskran una
reduccibn en resistencia con el incremento en la tempemura, tienen un coefciente
de temperatura negativo.
Quiza el lector recuerde que la resistencia de casi todos 10s conductores se incrementari
con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nivmero de portadores en un conductor no
c:
Ttccer *el (e(c.)
E~WJOES ;Ei
Banda de conducci6n "libre'"
estab'ecerla Ban& de conducci6n
conduction
Las bandas
se naslapan ,
E8>5,V
Elecuoner
de valencia
....
Banda & val-a
E = 1 1 eV (Si)
Rgura 1.8 Niveles de energia: a) 2 = 0:67 eV (Ge)
niveles discretos en estructuras
at6inicas aisladas: b) bandas de
4 = 1.41 eV (GaAs)
conducci6n y valencia de un Aislante Semiconductor Conductor
aislador, semiconductor y
conductor.
Entre 10s niveles de energia discretos existen bandas vacias, en las cuales no pueden apa-
recer electrones dentro de la estructura at6mica aislada. Cuando 10s atomos de un material se
unen para formar la estructura de la red cristalina, existe una interacci6n entre 10s itornos que
ocasiona que 10s electrones dentro de una orbita en particular de un atomo tengan ligeras
diferencias en sus niveles de energia, respecto a 10s electrones en la misma 6rbita de un dtomo
adjunto. El resultado net0 es una expansion de la banda de 10s niveles discretos de estados de
energia posibles para 10s electrones de valencia, como se muestra en la figura 1.8b. Observe
que existen niveles y estados de energia miximos en 10s cuales se puede encontrar cualquier
electron, y una regibnprohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionization. Recuerde
que la ionizaci6n es el mecanismo mediante el cual un electron puede absorber suficiente
segun se deriv6 de la ecuacion definida para el voltaje V = WIQ. Q es la carga asociada con un
unico electr6n.
Sustituyendola carga de un electron y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacion
(1.2) se tiene uu nivel de energia referido como un electrbn volt. Debido a que la energia
tamb'ikn se mide en joules y que la carga de un electr6n = 1.6 x 10-19 coulomb,
A 0 K o cero absoluto (-273.15 "C), todos 10s electrones de valencia de 10s materiales
semiconductores se encuentran en la capa exterior del atomo con niveles de energia asociados
con la banda de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo, a temperatura ambiente (300 K, 25 OC)
un gran numero de electrones de valencia han adquirido suficiente energta para dejar la banda
de valencia, y han atravesado la banda de energia vacia definida por E, en la figura 1.8b y
entrado a la banda de conducci6n. Para el silicio Eg es de 1.1 eV, para el germanio 0.67 eV
y para el arseniuro de galio 1.41 eV. Para el germanio, Es obviamente es menor, y se debe a1
gran numero de portadores en dicho material, comparado al silicio expuesto a temperatura
ambiente. Observe que para el aislante la banda de energia es con frecuencia de 5 eV o mL, lo
cual lirnita drasticamente el numero de electrones que pueden entrar a la banda de conduccion
a temperatura ambiente. El conductor tiene electrones en la banda de conduccion aun a 0 K.
Por tanto, es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres mis que
suficientes para soportar un gran flujo de carga o comente.
En la secci6n 1.5 encontrari que si ciertas impurezas se aiiaden a 10s materiales
semiconductores intrinsecos, ocumran estados de energia en las bandas prohibidas, lo que
causari una reducci6n neta en E, para ambos materiales semiconductores y, por consecuen-
cia, tambiCn una mayor densidad de portadores en la banda de conducci6n a temperatura
ambiente.
Material tipo n
Tanto el material tipo n como el tip0 p se forman mediante la adici6n de un numero predetermi-
nado de atomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travis de la innoduccion
de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
antimonio, arsenico y jhsforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1.9
[ j ( ] ' 1mpur=ra de
anurnonlo (Sb)
(utilizando el antimonio como impurezaen el silicio).Observe que las cuauo uniones covalentes
aiin se encuentran presentes. Existe, sin embargo,un quinto electr6n adicional debido al atomo
de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquier uni6n covalente en particular.
Este elecnon restante, unido dtbilmente a su Atomo (antimonio), se encuentra relativamente
libre para moverse dentro del recitn formado material tip0 n. Debido a que el itorno de impu-
reza insertado ha donado un electr6n relativamente "libre" a la estructura:
A ins impurezas difundidpr con cinco electrones & valencin se les Uama btoms donores.
Es importante comprender que, aunque un niimero importante de portadores "libres" se
han creado en el material tip0 n, 6ste aun es elCctricamente neutral, debido a que de manera
ideal el ndmero de protones cargados positivamente en 10s nucleos es todavia igual a1 numero
de electrones "libres" cargados negativamente y en 6rbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a
travks del diagrama de bandas de energia de la figura 1.lo. Observe que un nivel de energia
discreto (Ilamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente
menor que aquel del material inm'nseco. Aquellos electrones "libres" que se deben a la impu-
reza ariadida se sinIan en este nivel de energia, y tienen menor dificultad para absorber la
energia ttrmica suficiente para moverse a la banda de conducci6n a temperatura ambiente. El
resultado es que a temperatura ambiente existe un gran niimero de portadores (electrones) en el
nivel de conducci6n, y la conductividaddel material aumenta en forma significativa. A tempe-
ratura ambiente en un material de Si inbinseco existe aproximadamente un electr6n libre por
cada 1012dtomos (uno por cada 109 para Ge). Si el nivel de "dosificaci6n" fuera de 1 en 10
millones (lo7),la proporci6n (10'21107 = 105) indicm'a que la concentraci6n de portadores se
ha incrementado en una proporci6n de 100,000 : 1.
Et = 0.05 eV (Si),O.OleV(Ge)
Eb como antes Nivel & magia del donor
Para el material tipo p el numero de huecos snpera por mucho el nlimero de electrones,
como se muestra en la figura 1.1 3b. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es elporfador mayoritario y el electrbn es el portador
minoritario.
Cuando el quinto electron de un itomo donor deja a su btomo, el atomo restante adquiere
una carga positiva neta: de ahi el signo positivo en la representation del ion donor. Por razones
anilogas, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Los materiales tip0 n y p representan 10s bloques de construcci6n bisicos de 10s dispositi-
vos semiconductores. En la siguiente seccion se encontrari que la "union" de un solo material
tipo n con nn material tipo p tendri por resultado un elemento semiconductor de imponancia
considerable en 10s sistemas electr6nicos.
I p u
Renion de agotamiento
n
I
Figom 1.16 Union pn con polarizaci6n
(V)
Para valores positivos de VD,el primer tkrtnino de la ecuacion anterior creced con mayor
rapidez. y superari el efecto del segundo termino. El resultado seri positivo para 10s valores
positivos de VD e I,, y crecera de la misma manera que la funcion y = @,la cud aparece en la
figura 1.20.En VD= 0 V, la ecuacion (1.4) se convierte en I, = I,(eO- 1) = If(l - 1) = 0 mA,como
aparece en la figura 1.19. Para valores negativos de V, el primer termino disminuiri ripidamen-
te debajo de Is, dando como resultado ID=-I,, que es la linea horizontal de la figura 1.19.La mptura
de las caracteristicasen V, = 0 V se debe d l o al cambio drastic0 en la escala de mA a PA.
Observe en la figura 1.19 que la unidad comercial disponible tiene caractensticas que se
encuenuan desplazadas a la derecha por unas cuantas dbcimas de un volt. Esto se debe a la
resistencia intema del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. Cada una
contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de coniente, como lo determina la ley
de Ohm (V = IR). Con el tiempo, mientras se mejoran 10s metodos de producci6n, esta diferen-
cia disminuiri y las caracteristicas reales se aproximarh a aquellas de la secci6n (1.4).
Es importante observar el cambio en la escala para 10s ejes vertical y horizontal. Para
10s valores positivos de I,. la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la comente
abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). Para VD, la escala
para 10s valores positivos esti en dtcimas de volts y para 10s valores negativos la escala es
en decenas de volts.
En un principio, la ecuacidn (1.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un
temor injustificado de que tsta se someted a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos.
Sin embargo, afortuuadamente en una secci6n posterior se ha16 un n6mero de aproximaciones
que eliminari la necesidad de aplicar la ecuacion (I .4) y ofreceri una soluci6n con un minimo
de dificultad matemdtica.
Antes de dejar el tema del estado de polarizacidn directa, las condiciones para la conduccion
(el estado "encendido") se repiten en la figura 1.21 con 10s requerimientos de polaridad y la
direccidn resultante del flujo de portadores mayoritarios. Observe en particular como la direc-
cion de la conduccion concuerda con la flecha en el simbolo (se&n se revel6 para el diodo ideal).
Regi6n Zener
Figura 1.21 Condiciones de Aunque la escala de la figura 1.19 se encuenua en multiplos de diez volts en la region negativa,
polarization directa para un diodo existe un punto en el cual la aplicacion de un voltaje demasiado negativo d a ~por
i resultado un
semiconductor. agudo cambio en las caracteristicas, como lo muestra la figura 1.22. La coniente se incrementa
14
Capitdo 1 Diodos semiconductores
0
t "0
a una velocidad muy rapida en una direccion opuesta a aquella de la regi6n de voltaje positivo.
El potencial de polarization inversa que da como resultado este cambio muy drastic0 de las
caracteristicas se le llamaporencial Zener y se le da el simbolo V,.
Mientras el voltaje a traves del diodo se increments en la region de polarizaci6n inversa, la
velocidad de 10s ponadores minoritarios responsables de la corriente de saturation inversa 1%
tambien se incrementaran. Eventualmente. su velocidad y energia cinitica asociada (Wx=
:m v') sera suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras
estructuras atomicas estables. Esto es, se genera6 un proceso de ionizacibn por medio del cual
10s electrones de valencia absorben suficiente energia para dejar su itomo. Dichos portadores
adicionales pueden luego ayudar a1 proceso de ionizacion, hasta el punto en el cual se estable-
cr una gran corriente de avalancha que determina la region de ruptura de avalancha.
La region de avalancha (V,) se puede acercar al eje vertical a1 incrementar 10s niveles de:
dopado en 10s matenales tipo p y tipo n. Sin embargo, mientras VZ disminuye a niveles muy
bajos. como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuiri con un cambio agudo en
la caractenstica. Esto ocurre debido a que existe un fuene campo elictrico en la regi6n de la
union que puede superar las fuerzas de union dentro del dtomo y "generar" ponadores. Aunque el.
mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente si,&icativo s610 en 10s niveles mas bajos de V,,
este cambio ripido en la caracteristicaa cualquier nivel se denomina regibn Zener, y 10s diodos que:
utilizan esta porci6n unica de la caracteristica de una uni6n p-n son 10s diodos Zener. Estos
diodos se describen en la secci6n 1.14.
La region Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un
sistema no dehe ser alterada completamente por el severo cambio en las caractensticas de esta
regi6n de voltaje inverso.
El mirrimo potencial de polarizacibn inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la region Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el
valor PZV,por las iniciales en ingl6s de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las
iniciales en ing1i.s de: Peak Reverse Voltage).
Si una aplicaci6n requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad, se deberl
conectar en sene un numero de diodos de la misma caracteristica. Los diodos tambikn se
conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transpone de comente.
para alcanzar la regi6n de conducci6n. este suele ser del orden de 0.7 V de magnitud para 10s
diodos de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redon-
dea a la siguiente dtcima. La mayor variation para el silicio se debe, basicamente, al factor q
en la secci6n (1.4). Este factor toma pane en la determination de la forma de la curva so10 en
niveles de coniente muy bajos. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical, el factor
q cae a 1 (el valor continuo del germanio). Esto es evidente por las similitudes en las curvas
una vez que el potencial de conduccion se ha alcanzado. El potencial por el cual ocurre este
crecimiento se conoce comopotencial de conduccibn de umbral o de encendido. Con frecuen-
cia, la primera letra de un termino que describe una cantidad en particular se usa en la notaci6n
para dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un rninimo de confusion con otros ttrminos,
como el voltaje de salida (V,, por las iniciales en inglts de: output) y el voltaje de polarization
duecta (VF, por la inicial en ingMs de:forward), la notacion VTha sido adaptada para este libro
por la palabra "umbral" (por la inicial en inglts de: threshold).
En resumen:
Obviamente, mientras m8s cercana al eje vertical es la excursion, m b cerca de lo "ideal" esta
el dispositivo. Sin embargo. las otras caracteristicasdel silicio comparadas con el germanio lo
hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caracteristicas de un diodo
semiconductor de silicio, segdn se comprob6 mediante un diodo de silicio tipico en la figura
1.24. A pmir de mliltiples experimentos se encontro que:
La corriente de saturacibn inversa serir casi igual a1 doble en magnitudpor cada
10 'C de increment0 en la temperatura.
Cuando el punto de operation de un diodo se mueve desde una region a otra, la resistencia del
diodo tambitn carnbiari debido a la forma no lineal de la curva caractenstica. En 10s siguientes
p h a f o s se demostrar6 como el tipo de voltaje o setial aplicado definira el nivel de la resisten-
cia de interts. Se presentah tres niveles diferemes en esta section, pero aparecerh de nuevo
cuando se analicen otros dispositivos. Por tanto, es muy importante que su determinacion se
comprenda con ciaridad.
Los niveles de resistencia en dc en el punto de inflexion y hacia abajo seran mayores que
10s niveles de resistencia que se obtienen para la seccion de crecimiento vertical de las carac-
tm'sticas. Coma es natural, 10s niveles de resistencia en la region de polarizacion inversa serin
muy altos. Debido a que, par lo regular, 10s ohmetros utilizan una fuente de comente relativa-
mente constante, la resistencia determinada seri en el nivel de corriente predeterminado (casi
siempre unos cuantos miliamperes).
Resistencia en ac o dintmica
A partir de la ecuacion 1.5 y en el ejemplo 1.1 resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo
es independiente de la forma de la caractenstica en la region que rodea el punto de interis. Si
se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de dc, la situation cambiari por comple-
to. La entrada variante desplazara de manera instanthea el punto de operation hacia arriba y
abajo en una region de las caractensticas y, por tanto, define un cambio especifico en coniente
y voltaje, como lo muestra la figura 1.27. Sin tenet una sefial con variacion aplicada, el punto
de operation sena el punto Q que aparece en la figura 1.27, determinado por 10s niveles de dc
aplicados. La designacion del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglCs
de: quiescent), que significa "estable o sin variacion".
-.. ...............
Linea langente
...............
: h", Q
(operaci6n dc)
.........
F m 1.27 Definicibn de la
resistencia d i n h i c a o en ac.
Una linea recta dibujada tangencialmente a la c w a a traves del punto Q, como se muestra en
la figura 1.28,definiri un cambio en particular en el voltaje, asi como en la coniente que pueden
ser utilizados para deterrninar la resistencia en ac o dihmica para esta region en las caracteristi-
cas del diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequefio y equidistante como sea
posible el cambio en ei voltaje y en la comente a cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacion,
Mienuas mayor sea la pendiente, menor sera el valor de AVd para el mismo cambio en Aid y
- de crecimiento vertical de la caracteris-
menor sera la resistencia. La resistencia ac en la region
tics es, por tanto, muy pequefia,mientras que la resistencia ac es mucho m b alta en 10s niveles ~ i 1.28~ Determinacibn
a de la
de coniente bajos. resistencia en ac en un punt0 Q.
30 -
1I
>,-----___--__-_---_--, }.,',
I
20 - J
'b,
15 -
I0 -
5-
~
* -- - - - - - - - - - - - - -
I l l 1 1 I
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0 5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 v,,iv,
ii
AV,,
Figura 1.29 Ejemplo 1.2.
a) Para I,, = 2 mA; la lfnea tangente en I,, = 2 mA se dibujo como se muestra en la figura y se
eligi6 una excursi6n de 2 mA aniba y abajo de la comente del diodo especificada. En ID =
4 mA; V D= 0.76 V, y en ID = 0 mA; V D= 0.65 V. Los cambios que resultan en la comente
y el voltaje son
AI, = 4mA - 0 mA = 4mA
Y AV, = 0.76V - 0.65V = 0.11 V
y la resistencia en ac:
dl, k
- = -(ID + Is)
~ V D TK
siguiendo algunas maniobras biisicas de ciilculo diferencial. En general,ID> Isen la secci6n de
pendiente vertical de las caractensticas y
y a temperatura ambiente
dl, ID
rd = - (1.7)
GcSi
ohms (1 .-3)
El factor rBpuede tener un rango tipico desde 0.1 R para 10s dispositivos de alta potencia
a 2 52 para algunos diodos de baja potencia y prop6sitos generales. Para el ejemplo 1.2 la
resistencia ac en 25 mA se calcul6 como 2 Q. Utilizando la ecuaci6n (1.7) se obtiene
Resistencia en ac promedio
Si la seiial de entrada es lo suficientemente grande para producir una g a n excursi6n tal como
lo indica la figwa 1.30, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta regi6n se le llama
resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definicidn, la resistencia deter-
minada por una linea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores
maximos y minimos del voltaje de entrada. En forma de ecuaci6n (obdrvese la figura 1.301,
Tabla resumen
La tabla 1.2 se desarroll6 con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las ultimas
paginas y de hacer enfasis en las diferencias entre 10s diversos niveles de resistencia. Como se
indic6 antes, el contenido de esta seccion es el fundamento para gran cantidad de cAlculos de
resistencia que se efectuaran en secciones y capitulos posteriores.
travCs del dispositivo, y se generara una condicdn de polarizaci6n inversa en el estado de circui-
to abierto para el dispositivo. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el
estado de conducci6n hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarizaci6u directa (se@n se muestra
en la figura 1.31), debe aparecer una bateria V, que se opone a la conducci6n en el circuito
equivalente segun se muestra en la figura 1.32. La bateria so10 especifica que el voltaje a traves
del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la bateria antes que pueda establecer-
se la conduccion a travQ del dispositivo en la direccian que dicta el diodo ideal. Cuando se
establezca la conduccidn, la resistencia del diodo sera el valor especificado de r,,.
Sin embargo, tenga en cuenta que VTenel circuit0 equivalente no es una fuente de voltaje
independiente. Si se coloca nn voltimetro a travis de un diodo aislado encima de una mesa de
laboratorio, no se obtendra una lectura de 0.7 V. La baterfa s610 represents el defasamiento
horizontal de las caracterkticas que deben excederse para establecer la conducci6n.
Por lo regular, el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de
operaci6n en la hoja de especificaciones (la cual se analizarri en la seccion 1.9).Por ejemplo,
para un diodo semiconductor de silicio, si I, = 10 mA (una comente de conducci6n directa en
el diodo) a VD = 0.8 V, se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.7 V antes que haya
conduccion y
equivalente es la misma que aparece en las caracteristicas del diodo, tal como se muestra en la
figura 1.33. Desde luego, esta aproximacion se emplea con frecuencia en el analisis de circui-
tos semiconductores segrin se demuestra en el capitulo 2. El circuito equivalente reducido
aparece en la misma figura. ~ s t establece
e que un diodo de silicio con polarization directa en
un sistema electr6nico bajo condiciones de dc tiene una caida de 0.7 V a travCs de 61, en el
estado de conduction a cualquier nivel de coniente del diodo (desde luego, dentro de 10s
valores nominales).
Tabla resumen
Por claridad, 10s modelos de diodos que se utilizan para el rango de parimetros y aplicaciones
de circuito se presentan en la tabla 1.3, con todas sus caracteristicas en segmentos lineales.
Cada uno se investigarz4 con mayor detalle en el capitulo 2. Siempre existen excepciones a la
regla general, pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizari con mu-
cha frecuencia en el anilisis de sistemas electr6nicos, rnientras que el diodo ideal es aplicado
con mayor regularidad en el anilisis de 10s sistemas de fuente de alimentaci6n donde se loca-
lizan 10s mayores voltajes.
Modelo de segmentos
lineales
Dependiendo del tipo de diodo que se considere, tambiin se presentan datos adicionales.
como el rango de frecuencia, el nivel de mido, el tiempo de conmutaci6n, 10s niveles de resis-
tencia ttrmica y 10s valores pico repetitivos. Para la aplicaci6n considerada, el significado de:
10s datos, en general, seri claro por sf mismo. Si se proporciona la mkima potencia o el valor
nominal de disipacibn, se entiende que este es igual al producto siguiente:
DIFL~SIONPLANAR DE SILICIO
- I
A
BV ... 125 V (MIN) @ 100 p.4 (BAY731 ENCAPSULADO DO-35 !
B
VALORES NOMINALEB MAXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1)
Ternperaturns
Rango de ternperanria de almaeenamienlo
Temperaura mixima de operaci6o de la mi60
-65°C a +WOQC
c175OC ~
~
Temperaura de la cooexi6n +26OeC
Disipaeih de potencia (Nota 2 )
D
lo
IF
Comiente rectiticada pmmedio
Comiente directs continua
BA129 18OV
200 mA
mm.4
~
i ",119101*1
NOTAS
---- Dl*
0"0,1JI>
CARACTERISTICAS ELI
S~MBOLO CARAC'
E v~ Voltaje dir
F
-
G IR Comiente I
Bv Volraje de
H C Capaciranc
I In -Tiempo dc
R, = 1.0 a 100 kR
CL = 10 pF, IAN 256
I I I I I I
NOTAS
I Estor son vrlores limner robre o r cuale, el Cunczonamscn!~del dlcdo pvsdc urdsdado.
2 Eslaa son lim~tesde enado cral~lcs.Lnfibrics d e b rcr~onrvluderohrc ipbcacioner qus lnvolucnn pulror u operncidn con siclo dc t r a b ~ obajo.
CAPACITANCIACONTRA
VOLTAJE INVERSO
CORRIENTE RECTIFICADA
PROMEDIO Y C8ORRIENTE DIRECTA
CONTRA TEMPISRATURA AMBIENTE
500
400
2
-0
2 300 300
-"-
0
-
2
:P
M
200 :.3 zoo
.-ma. q
a loo 1 100
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figura 1.36 Caracteristicas tBrmicas d e 10s diodos d e alto voltaje Fairchild BAY73
BA 129. (Cortesia d e Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
A: Los voltajes minimos de polarizacidn inversa (PIV) para cada diodo a una comente
de saturaci6n inversa especificada.
B: Caracterfsticas de temperatura segun se indican. Observe el empleo de la escala Celsius
y un amplio rango de utilizaci6n [recuerde que 32 "F = 0 "C = congelamiento (H,O)
y 212 "F = 100 O C = ebullici6n (H,O)].
C: Nivel de disipaci6n de potencia mrixima P, = VDI, = 500 mW. El valor de potencia
mkima disminuye a una proportion de 3.33 mW por grado de increment0 en la
temperatura amba de la temperatura ambiente (25 "C), segun se indica con claridad
en la curva de phrdida de disipacion de potencia en la figura 1.36.
D: Comente diiecta continua mixima = 500 mA (observe I, en funcion de la
temperatura en la figura 1.36).
E: El rango de valores de VF en 1, = 200 mA. Observe que excede VT= 0.7 V para am-
bos dispositivos.
F: El rango de valores de VFen I, = 1.0 mA. En este caso, observe como 10s limites su-
periores se encuentran alrededor de 0.7 V.
G : En VR= 20 V y una temperatura de operacion tipica 1, = 500 nA = 0.5 pA,mientras
que a un voltaje inverso mayor I, cae a 5 nA = 0.005 MuA.
H: El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el
diodo BAY73 en VR = V, = 0 V (sin polarizaci6n) y con una frecuencia aplicada de
1 MHz.
I: El tiempo de recuperation inverso es 3 ps para la lista de condiciones de operacion
. .
En algunas de las curvas de la figura 1.36 se utiliza una escala loganantmica. Una breve
investigaci6n de la seccidn 11.2 debe ay udar a la lectura de las grificas. Observe, en la figura
superior izquierda, la manera en que V, se increment6 desde cerca de 0.5 V a mas de 1 V,
mientras IF aumento de 10 pA a mris de 100 mA. En la figura inferior se encuentra que la
comente de saturacion inversa cambia un poco con 10s cambios crecientes de VR,per0 perma-
nece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V. Sin embargo, como se
aprecia en la figura adjunta, la corriente de saturacion inversa se increments con rapidez con el
aumento en la temperatura (tal como se pronostic6 antes).
En la fignra superior derecha se observa c6mo disminuye la capacitancia con el incremen-
to en el voltaje de polarizaci6n inversa, y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac
(rd)es s610 cercana a 1 Q en 100 mA y aumenta a 100 Q en comentes menores de 1 mA (segun
se esperaba a partir del antilkis en secciones anteriores).
La comente rectificada promedio, la comente directa pic0 repetitiva y la comente de
sobrecarga pico, como aparecen en la hoja de especificaciones, se definen de la manera
siguiente:
1. Corrienre rectificada promedio. Una seiial rectificada de media onda (descrita en la sec-
ci6n 2.8) tiene un valor promedio definido por Iav = 0.318 $., El valor de la comente
promedio es menor que las comentes directas continuas o pic0 repetitive, porque una for-
ma de onda de comente de media onda tendra valores instantaneos mucho m h altos que el
valor promedio.
2. Corriente directapico reperirivo. kste es el valor maxim0 instanthe0 de la comente direc-
ta repetitiva. Observe qne deb'ido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo,
su nivel puede ser superior a1 nivel continuo.
3. Corriente de sobrecarga pico. En ocasiones, durante-eln e
y otros factores similares, e x i s t i h comentes muy alas a uavCs del dispositivo durante
breves infervalos de tiempo (que no son repetitivos). Este valor nominal define el valor
miximo y el interval0 de tiempo para tales sobrecargas del nivel de comente.
Mientras m h se esta en contact0 con las hojas de especificaciones, &as se volverin mas
"amistosas", en particular cuando el impacto de cada partimetro se comprende con mayor
claridad para la aplicacion que se este investigando.
'dimcu I I/
I
Cambio de estado (encendido-spasado)
requcndo en I = r , .
,:,,;. -.
Fwra 1.41 Varios tipos de diodos de union. [a) Cortesia de Motorola Inc.; y
b) y c) Cortesia de International Rectiiier Corporation.]
0.67 V "D
Egura 1.43 Verificacion
de un diodo en el estado
(bl de polarizaci6n directa.
~ e r m i n a mja
,.*I
+
l
1 1
U
Terminal negra
,COMl
-
semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarizaci6n inversa. Por tanto, si se
mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se seiialan en la figura 1.44a,
se puede esperar un nivel relativamente bajo. La indicacion resultante en el ohmetro seri una
funci6n de la comente establecida por la bateria intema a travks del diodo (a menudo 1.5 V)
por el circnito del ohmetro. Mientras mis alta sea la comente, menor sera el nivel de resisten-
cia. Para la situaci6n de polarizaci6n inversa la lectura debe ser bastante alta, reqniriendo, tal
vez, de una mayor escala de resistencia en el medidor, segun se indica en la figura 1.44b. Una
lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condici6n abierta
Terminal negra Terminal roja (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direc-
ciones quiz6 indique un dispositivo en corto.
U +
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede desplegar las caractensticas de una gran cantidad
Figura 1.44 Verificacion de un de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. A1 conectar el diodo en forma adecuada a1
diodo rnediaa!e un 6hrnetro. tablero de pruebas en la pane central e inferior de la unidad y ajnstando 10s controles, se puede
0 P 0 s,,,
por dlvlrlbn
Rgura 1.46 Respuesta del
trazador de curvas para el
diodo de silicio 1N4007.
obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.46. Observe que la escala vertical
es de 1 d l d i v , lo que da por resultado 10s niveles indicados. Para el eje horizontal, la escala es
de 100 mvldiv, lo que da por resultado 10s niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de
2-mA, como se defini6 para un DDM,el voltaje resultante seria de 625 mV = 0.625 V. Aunque,
en principio, el instrumento parece ser muy complejo, el manual de instmcciones y algunos
momentos de contact0 revelariin que 10s resultados deseados por lo general se pueden obtener
sin mucho esfuerzo y tiempo. El mismo instrumento apareceri en mas de una ocasi6n en 10s
capitulos subsecuentes, a medida que se investigan las caracteristicas de diversos dispositivos. ",
Iz, = 32 mA
Figura 1.50 Caracteristicas de
prueba de Zener (Fairchild 1N961).
TABLA 1.4 Caracte~Ssticaselkchicas (25'C de temperatura ambiente, a meuos que se observe lo contrario)
- -
S. debido a1 coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por V;, es
V ; = V, + 0.54V
= 1054 V
I 6 .
L. L. I! $4 1x:i JL.< I < i l .udI :i
intCnl.JdJ 1cninl:~es1 2 n i l c d L l a ~nte!.~~ddJ .uminlcl ~ 1 ~ ~ 1
.' L: del~ J . Z ~ : = CJr.
.~ni.:.J JC unl: donljn~nLe )i, .c J r . r # > ~ Acrorna~;~;~.: Clt \ rcprc.scnl2la . ~ r ~ c Jc
u J ,nz: d r : c I q - c
define el color del disporitivo.
1 La intensidad radmnte. I*. en wartriestereorradianei.se puede encontrar a pmir de laecuaci6n I,, = I,,Iq,,dondelven la
intensldad luminica en canclelar y q3 es la eficacia lurninica en llimenesiwatt.
Fwra 1.55 LBmpara subminiatura roja de estado solido de alta eficiencia de HewlettPackard:
. .
a) apariencia: b) valores nominales rnhimos absolutes: c>caracteristicas elCctricasIboticas:
d) intensidad relativa contra longitud de onda: e) corrientedirecta contra voltaje directo: f ) intensidad
g) eficiencia relativa contra corriente oico: h) corriente
luminica relativa contra corriente directa; -.
pic0 mixima contra duracibn del pulso; I) intensidad luminica relativa contra desplazamiento angular
(Cortesia de Hewlett-Packard Corporation.)
-
$ Duracih del pulro - us
Hoy en dia, las pantallas de visualization LED se encuentran disponibles en muchos ta-
maiios y formas diferentes. La region de emision de luz esta disponible en longitudes desde 0.1
a 1 pulgada. Los numeros pueden crease por segmentos como 10s que se ejemplifican en la
figura 1.56. Al aplicar una polarizacion directa al segment0 apropiado de material tip0 p, se
puede desplegar cualquier nfimero del 0 al 9.
I D I ~ G R A M ADE C O N E X ~ ~ N I
F@ra 1.58 Arreglo monolitico de diodos. (Cortesia de Fairchild Camera and Instrument
Corporation.)
Los diodos restantes se quedm'an "colgando" y no afectarian la red a la cual so10 estm'an
conectadas las terminales 1 y 2.
Ouo arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente,
per0 la secuencia de numeraci6n aparece en el diagrama de base. La terminal 1 es la que esta
directamente arriba de la pequefia muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales
hacia abajo.
TO-I 16-2Desc"pc16n
-1 0.785"-
I
Diaorarnar de base
1 FSA2500M
Figura 1.60 Arreglo monolitico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas,
(Cortesia de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
1.17 A N ~ I S I POR
S COMPUTADORA
La computadora se ha convertido en una pane integral de la industria electrdnica, de tal mane-
ra que las capacidades de esta "herramienta" de uabajo se deben presentar en la primera opor-
tunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computaci6n, existe a1
principio un temor muy comun hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando
esto en cuenta, el analisis por computadora de este libro fue disefiado para hacer que el sistema
por computadora resulte mas "amistoso", mediante la revelaci6n de la relativa facilidad con
que se puede aplicar para llevar a cab0 algunas tareas muy utiles y especiales con una cantidad
minima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribio suponiendo que el
lector no tiene experiencia previa en computation ni tampoco contact0 con la terminologia que
se utilizar8. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea
suficiente para permitir una comprension completa de 10s "c6mos" y 10s "porquts" que surgi-
r6n. El proposito aqui es meramente presentar algo de la terminologia, analizar algunas de sus
capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demos-
trar su versatilidad con un numero de ejemplos cuidadosamente seleccionados.
En general, el anasis por computadora de 10s sistemas electr6nicos puede tomar uno de
dos mttodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un
paquete de programacibn como PSpice, MicroCap 11,Breadboard, o Circuit Master, por nom-
brar unos cuantos. Un lenguaje, a Eaves de su notacion simb6lica, construye un puente entre el
Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglon seguida
por la identificacion que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de 10s nodos (puntos
de conexion para 10s diodos) define el potencial en cada nodo y la direction de la conducci6n
para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conducci6n se especifica a partir del nodo
positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la
descripcion del parametro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier
numero de diodos en la red, como D2, D3, y asi sucesivamente.
Los parametros se especifican cuando se usa una instruccibn MODEL que tiene el formato
siguiente para un diodo:
MODEL DI
Y -+- 15)
D(IS = 2E
nombre especificaciones
del modelo de parametro
La especificacion se inicia con 10s datos MODEL seguido por el nombre del modelo
segun se especificd en la descripci6n de la ubicaci6n y la literal D para especificar un diodo.
27. Determine la resistencia estatica o dc del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una
comente directa de 2 mA.
28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA y compare 10s resultados.
29. Determine la resistencia estitica o dc del diodo disponible en el mercado de la figura 1 .I9 con un
voltaje inverso de -10 V.;C6mo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de
-30 V?
30. a) Determine la resistencia dinamica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de
10 mA utilizando la ecuacion ( I .6).
b) Precise la resistencia dinimica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10
mA utilizando la ecuaci6n ( I .7).
C ) Compare las soluciones de 10s incisos n y b.
31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA
y compare sus magnitudes.
32. Utilizando la ecuacion ( I .6).determine la resistencia ?c con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y desarrolle una conclusi6n general respecto a
la resistencia ac y a 10s crecientes niveles de comente del diodo.
33. Utilizando la ecuaci6n (1.7). determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacion cuando sea necesario para 10s niveles bajos de
corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32.
34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la region entre 0.6 y
0.9 V.
35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1.19 a 0.75 V y compare con la resistencia ac
promedio obtenida en el problema 34.
36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19.Utilice un
segment0 de lfnea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V y que mejor se aproxima a la
curva para la regi6n mayor a 0.7 V.
37. Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29
* 38. Grafique IF contra VFutilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe
que ia grifica que se presenta utiliza una escala logaritmica para el eje vertical (las escalas
logm'tmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3).
39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarizaci6n
inversa para el diodo BAY73
40. jCambia significativamente en magnitud la coniente de saturaci6n inversa del diodo BAY73 p a n
potenciales de pola1izaci6n inversa en el rango de -25 V a -100 V?
* 41. Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 "C) y en el
punto de ebullici6n del agua (100 ' C ) , iEs significativo el cambio? iCasi se duplica el nivel por
cada increment0 de 10 'C en la temperatura?
42. Para el diodo de la figura 1.36 determine la resistencia en ac m&xima (dinarnica) con una coniente
diiecta de 0.1 mA, 1.5 mA y 20 mA. Compare 10s niveles y comente silos resultados respddan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este capitulo.
43. Utilizando las caractensticas de la figura 1.36, determine 10s niveles mAximos de disipacidn de
potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 'C) y 100 'C. Suponiendo que V,permanece
fijo a 0.7 V, jcomo ha cambiado el nivel miximo de I, enue 10s dos niveles de temperatura?
44. Haciendo uso de las caractensticas de la figura 1.36, determine la temperatura en la cud la co-
mente del diodo seri del50'0 de su valor a temperatura ambiente (25 'C).
Problemas
- ~-
5 1.10 Capacitancia de transicion y difusi6n
* 45.a) Con referencia a la figura 1.37, determine la capacitancia de transicion con potenciales de
pola~izacidninversa de -25 V y -10 V. iCu5l es la proporcion del cambio en la capacitancia al
cambio en el voltaje?
b) Repita el inciso a para potenciales de polarization inversa de -10 V y -1 V. Determine la
proporcicin del camhio en capacitancia al cambio en el voltaje.
c) iCdmo se comparan las proporciones detenninadasen 10s h y b? iQue le indica a usted acerca
de cud rango tendri m h heas de aplicacion practica?
46. Refiriendose a la figura 1.37. determine la capacitancia de difusih a 0 V y a 0.25 V.
47. Describa, con sus propias palabras,como difieren las capacitancias de difusion y de transicion
48. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las caracteristicas de la figura 1.37, a
un potencial directo de 0 2 V y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de
6 MHz.
--
circuito. Mediante el sencillo dibujo de una linea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede
determinarse el voltaje del d i d o VD ,mientras que una lhea horizontal a paRir del punto de inter-
secci6n y hasta el eje venical dax%eliivel de ID .La coniente ID es en realidad la comente a travts
de toda la config&aci6n en serie de la figura f . l a . En general, al punto de operaci6n se le llama
punto estable (abreviado "Q-pt", par las palabras en inglks de: Quiescent P o i n n y refleja sus
cualidades de "estable y sin movimiento" segdn se definio para una red de dc.
La soluci6n que se obtiene por la intersecci6n de las dos curvas es la misma que podria
conseguirse mediante la soluci6n matematica de las ecuaciones simultheas (2.1) y (1.4) [ID =
I , ( e K V a i T ~ - I)]. Puesto que la curva para un diodo tiene caracteristicas no lineales,
las matemsticas involucradas requeridan del uso de tknicas no lineales que es6n fuera de las
necesidades y objetivo de este libro. El analisis de la recta de carga descrito antes ofrece una
soluci6n con un minimo de esfuerzo, y una description "pictorica" de la razdn par la cual se
obtuvieron 10s niveles de soluci6n para VDQe IDQ . Los siguientes dos ejemplos demostrarin las
tecnicas que se presentaron, las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse
la recta de caqa utilizando las ecuaciones (2.2) y (2.3).
Determinar para la configuracion de diodos en serie de la figura 2.3a usando las caractensticas EJEMPLO 2.1
de diodo de la fizura 2.3b:
la) (b)
El nivel de VDes una estimacidn y la exactitud de 1, esti limitada par la escala elegida. Un
grado mas alto de exactitud requeriria de una grifica mucho mis grande.
Solucion
.
La ecuaci6n (2.3): VD = E 1 I , o A = 10 V
La recta de carga resultante aparece en la figura 2.5. Obsirvese la pendiente reducida y 10s niveles
de corriente del diodo para las cargas crecientes. El punto Q resultante esti definido par
= 0.7 V V
DQ -
z 4.6 mA
'DQ
b) VR = IRR = I R = (4.6 mA)(2 kR) = 9 2 V
De
con VR = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9 3 V
La diferencia en 10s niveles se debe, una vez m b , a la exactitud con la cual se pueda leer la
a-ca. Es cierto que 10s resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje VR.
VDoz 0.7 V (El
Como se observa en 10s ejernplos anteriores, la recta de carga esta determinada solo por la
red aplicada, mientras las caractensticas estin definidas para el dispositivo elegido. Si se recurre
al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red, la recta de carga seri exactamente la
misma que se obtuvo en 10s ejemplos anteriores. De hecho, 10s siguientes dos ejemplos repiten
el analisis de 10s ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir
una comparaci6n de 10s resultados
Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor' EJEMPLO 2 3
de silicio.
Se dibuja de nuevo la recta de carga segdn se muestraen lafigura 2.6, con la mismainterseccion
como se defini6 en el ejemplo 2.1. Las caracterkticas del circuit0 equivalente aproximado para
el diodo tambiin se han trazado en la misma grifica. El punto Q resultante:
Figura 2.6 Soluci6n al ejemplo 2.1 usando el modelo aproximado del diodo.
EJEMPLO 2.4 Repetir el ejemplo 2.2 usando el modelo equivalente aproximado para el d'iodo semiconductor
de silicio.
La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.7, con la misma intersecci6n
definida en el ejemplo 2.2. Las caractedsticas del circuit0 equivalente aproximado para el
diodo tambiCn se dibujaron en la misma grrifica. El punto Q resultante:
niv
En el ejemplo 2.4 10s resultados que se obtienen tanto para VD como para IDQ son 10s
mismos que 10s que resultaron empleando las caractensticas compfetas en el ejemplo 2.2.
Los ejemplos anteriores demuestran que 10s niveles de comente y voltaje que se obtuvieron a1
utilizar el modelo aproximado, son muy cercanos a 10s que resultaron a1 utilizar las caracteris-
ticas completas. Esto sugiere, como se verri al aplicarlo en las proximas secciones. que el uso
de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtenci6n de soluciones que son
muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduc-
ci6n adecuada de las caractensticas, eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. Los
resultados indicarh las cond'iciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalen-
te ideal de forma adecuada.
En la figura 2.8 se mostro c6mo la recta de carga continha siendo la misma, per0 ahora las
caracterfsticas ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical. Por tanto, el punto
Q estri definido por
v = 0v
I = 10 mA
,
\ Recta de carsa
v,o~ov
ngum 2.8 Soluci6n al ejernplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal.
Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2.1 como
para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. ES cierto que ofrecen alguna indicacidn
acerca del nivel de voltaje y comente que deben esperarse para ouos niveles de voltaje de la
red, pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0.7 V, muestra que el metodo del
ejemplo 2.3 es mas apropiado.
Por tanto, el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando
la funcion de un diodo sea mas importante, que 10s niveles de voltaje que pueden variar en
dkcimas de un volt, y en las situaciones donde 10s voltajes aplicados son de manera considerable
mas grandes que el voltaje de umbral V,. En las siguientes secciones se usara en foma casi
exclusiva el modelo aproximado, ya que 10s niveles de voltaje que resulten s e r h sensibles alas
variaciones que se aproximan a V,. TambiCn en secciones posteriores se us& el modelo ideal con
mayor frecuencia debido a que 10s voltajes aplicados Serb un poco m h altos que V ,y 10s autores
desean asegurarse que la funci6n del diodo quede comprendida en forma correcta y clara.
En esta secci6n se usara el modelo aproximado para investigar una variedad de configuracio-
nes de diodos en serie con entradas de dc. Dicho contenido establece 10s fundamentos en el
analisis de diodos que se aplicarin en las secciones y capitulos siguientes. El procedimiento
descrito podri aplicarse a redes con cualquier numero de diodos y en una variedad de configu-
raciones.
Primero, paracada configuration debe determinarse el estado de cada diodo. iCua1es diodos
se encuentran en "encendido" y cuales en "apagado"? Una vez que esto se hace. se puede
sustituir el equivalente adecuado como se defini6 en la section 2.3 y detenninar 10s parametros
restantes de la red determinada.
En general, un diodo esta en estado "encendido" si la com'ente establecidapor las
fuentes aplicadas es tal que su direccibn concuerda con Iaflecha del simbolo del
diodo, y V D2 0.7 V p a r a el silicio y V D2 0 3 V para el germanio.
Para cada configuracidn, se reemplazarin mentalmenre 10s diodos por elementos resistivos
y se observani la direccion resultante de la corriente, de acuerdo como se establece debido a 10s
voltajes aplicados ("presion"). Si la direccion resultante es "similar" a la flecha del simbolo del Figura 2.10 Configuraci6n con
diodo. ocurrira la conduccion a traves del diodo y el dispositivo estari en estado "encendido". diodo en serie.
La descripci6n anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de
"encendido" (VT) de cada diodo.
Si un diodo esti en estado "encendido", se puede colocar una caida de 0.7-V a trav6s del
elemento. o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente VTcomo se definio en la tabla
2.1. Con el tiempo, probablemente se preferiri incluir la caida de 0.7-V a traves de cada diodo
en "encendido" y dibujar una linea a usves de cada diodo en estado "apagado" o abierto.
Inicialmente el metodo de sustitucion se utilizara con el fin de asegurar que se detenninen el
voltaje y 10s niveles de corriente adecuados.
El circuito en serie de la figura 2.10, descrito brevemente en la seccion 2.2. se necesitari
para demostrar la aproximacion descrita en 10s parrafos anteriores. Primero, el estado del diodo
se determina de forma mental a1 reemplazar el diodo con un elemento resistivo, como lo indica
la fizura 2.1 1. La direccion resultante de I coincide con la flecha en el simbolo del diodo, y Figura 2.11 Determinaciirn dei
dado que E > V, el diodo se encuentra en estado "encendido". Se dibuja de nuevo la red como estado del diodo de la figura 2.10.
lo sefiala la figura 2.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con
polarizaci6n directa. Observese para una futura referencia, que la polaridad de V, es la misma
que la que resultaria si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo. El voltaje resultante y 10s
niveles de comente son 10s siguientes:
En la figura 2.13 el diodo de la figura 2.10 se invirti6. El reernplazo mental del diodo por
un elemento resistive se$n la figura 2.14 indicari que la direccion resultante de la corriente
no coincide con la flecha del simbolo del diodo. El diodo esti en estado "apagado", lo que
genera el circuito equivalente de la figura 2.15. Debido al circuito abierto, la comente del
diodo es de 0 A y el voltaje a trav6S de la resistencia R es la siguiente:
El hecho de que VR= 0 V estableceri E volts a travis del circuito abierto, como se definio por
la ley de voltaje de Kuchhoff. Siernpre se tomari en cuenta que bajo cualesquiera circunstan-
cias,valores instantheos de dc,ac,pulsos,etc.,debera satisfacerselaley de voltaje de Kichhoff.
. .
EJEMPLO 2.6 Para la configuracion de diodos en sene de la figura 2.16, determinar VD,VRe ID.
+ "D - Debido a que el voltaje establece una comente en la direccion de las manecillas del reloj para
coincidir con la flecha del simbolo y que el diodo esti en estado "encendido",
+l'
'T
-
v: 2.2 1in
+
v,, VD = 0.7 V
VR = E - V, = 8 V - 0.7V = 7 3 V
EJEMPLO 2.7
Repetir el ejemplo 2.6 con el diodo invertido
Soluci6n
7 1 * = O A
+ A1 eliminar el diodo, resulta que la direcci6n de Ies opuesta a la flecha en el simbolo del diodo,
E 2.2 kn v,, y que el equivalente del diodo es el circuit0 abierto sin importar que modelo se utilice. Debido
- a1 circuito abierto, el resultado es la red de la figura 2.17, donde ID = 0 A.Esto es porque VR=
18,VR= (0)R = 0 V .Aplicando la ley de voltaje de Kircbhoff alrededor del lazo cerrado genera
I E-V..-V.=O
F i r a 2.17 Deterrninaci6n de las
cantidades desconocidas para el Y
Para la configuraci6nde diodo en sene de la figura 2.19, determinar V,, VRe I,. EJEMPLO 2.8
A pesar de que la "presi6nVestablece una comente con la misma direccion que el simbolo de la
flecha, el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio. El
punto de operaci6n sobre las caractensticas se seiiala en la figura 2.20, y establece el equiva-
lente del circuito abierto como la aproximacion adecuada. El voltaje resultante y 10s niveles de
coniente son por tanto 10s siguientes:
I, = OA
V, = I$ = I$ = (OA) 1.2kQ = OV
V, = E = 0 5 V
1
F
Figura 2.21 Circuito para el
ejemplo 2.9.
Un enfoque similar que se aplico en la figura 2.6 revelara que la corriente resultante tiene la
misma direccion que las flechas de 10s simbolos de ambos diodos, y que la red de la figura 2.22
es el resultado, porque E = 12 V > (0.7 V + 0.3 V) = 1 V. N6tese la fuente redibujada de 12 V
y la polaridad de Vo a traves de la resistencia de 5.6 kQ. El voltaje resultante
'I""
F
5.6 kR Ve
- Rgura 2.22 Determinacihn de las
cantidades desconocidas para el
ejemplo 2.9.
I=O
- i-
\,,\,,\\-,~,,~,,\~
+ +
E 25,6kC2V0 12 V 5.6 m v,,
- -
t
Figura 2.24 Determinacihn del estado Rgura 2.25 Sustitucihn del &ado
de 10s diodos d e la figura 2.23. equivaiente para el diodo abierto.
v, =0 V
i=OA
+
5.6 kn V-
+
_ Rgurael 2.26
paracantidades
ias circuit0
Determinaci6n
desconocidas
del ejempio 2.10.
de
- -
d
E, = -5 V
F w r a 2.27 Circuito para el
ejempio 2.11.
Rgura 2.28 Determinacidn del estado del diodo Figura 2.29 DeterminaciBn de las cantidades desconocidas
para la red de la figura 2.27. para la red de la figura 2.27.
Y Vo = V, - E, = 4.55 V - 5 V = -0.45 V
El signo de menos indica que Votiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.27.
EJEMPLO 2.12 Determinar V,,, I,, I D ,e I,? para la configuration de diodos en paralelo de la figura 2.30.
- - F
- 2.30 Red para el
ejemplo 2.12.
Para el voltaje aplicado, la "presion" de la fuente es para establecer una comente a travks de
cada diodo en la misma direccion que se muestra en la figura 2.31. Debido a que la direction
de la comente resultante es igual a la de la flecha en cada simbolo de diodo, y que el voltaje
aplicado es mayor que 0.7 V, ambos diodos estin en estado "encendido". El voltaje a traves de
10s elementos en paralelo es siempre el mismo y
La comente
El ejemplo 2.12 demostr6 una razon para colocar diodos en paralelo. Si la comente nomi-
nal de 10s diodos de la figura 2.30 es s610 de 20 mA, una comente de 28.18 mA daiiaria el
dispositivo si apareciera s610 en la figura 2.30. A1 colocar dos en paralelo, la comente esta
limitada a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo voltaje terminal.
- - ~~ -
-
SI
-
U
1 I
!
+ R Dl E, = 4 V
A1 dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2.33, se seiiala que la direccion de la
corriente resultante es como para encender el diodo D,y apagar el diodo D,.La comente
resultante I es entonces
,fl~{I R =2.2 LR
E,l-Tv 214V
Inicialmente, pareceria que el voltaje aplicado "encenders" ambos diodos: sin embargo. si
ambos estAn en "encendido", la caida de 0.7-V a traves del diodo de silicio no seri igual a 10s
0.3 V a traves del diodo de germanio como se requiere, por el hecho de que el voltaje a traves
si de elementos paralelos debe ser el mismo. La accion resultante se puede explicar solo con
notar que cuando la fuente se enciende incrementara de 0 V a 12 V en un periodo, aunque quizri
se podria medir en milisegundos. Durante el increment0 en que se establece 0.3 V a travis del
i
diodo de germanio. Cste "prender? y mantendri un nivel de 0.3 V. El diodo de silicio nunca
tend16 la oportunidad de capturar su 0.7 V requerido, y por tanto permaneceri en su estado de
2.2 kc2 circuit0 abierto como lo indica la fizura 2.35. El resultado:
vo
EJEMPLO 2.15 Determinar las col~ientesI,,I, e I,, para la red de la figura 2.36.
R,
Soluci6n
El voltaje aplicado (presi6n) es como para encender ambos diodos, como se O ~ S ~ Npor @ las
direcciones de corriente resultante en la red de la figura 2.37. Notese que el uso de la notacion
abreviadapara 10s diodos "encendido" y que la solucion se obtienen a travis de una aplicacion de
tknicas aplicadas alas redes dc en serie-paralelo.
1 - ------
_ - _ _ _ _ _ _ i a Rgura 2.37 Determlnacibn de las
5.6 kn cantidades desconocidas para el
- Vi + eiemplo 2.15.
,
E='O
ov
;;I
v+
Si
D:
" ",
de salida sera de 1 si alguna o ambas entradas son 1. La salida es de 0 si ambas entradas estan
en el nivel 0 .
El anilisis de las compuertas AND/OR se realiza con ficiles mediciones a1 utilizar el
equivalente aproximado para un diodo, en lugar del ideal, debido a que puede estipularse que
el voltaje a travts del diodo debe ser 0.7 V positivos para el diodo de silicio (0.3 V para el de
RfkQ
w
- -
compuena OR. Un anilisis de la misma red con dos entradas de 10-V dari par resultado que
ambos diodos esten en estado "encendido" y con una salida de 9.3 V. Una entrada de 0-V en am-
bas entradas, no proporcionari el 0.7 V requerido para encender 10s diodos y la salida seri de
0 debido a1 nivel de salida de 0-V. Para la red de la figura 2.40 el nivel de comente se encuentra
determinado par
-- -- - - -
EJEMPLO 2.1 7 Determinar el nivel de salida para la compuerta Iogica AND positiva de la figura 2.41
Solucian
Observese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de
la red. Debido a razones que pronto serin obvias, se elige el mismo nivel que el nivel logico de la
entrada. La red esti dibujada en la figura 2.42 con las suposiciones iniciales respecto a
10s estados de 10s diodos. Con 10 V del lado del catodo de Dl se asume que D, se encuentra en
estado "apagado", aunque exista una fuente de 10-V conectada a1 dnodo de D, a travts de la
resistencia. Sin embargo, recuerde que se mencion6 en la introducci6n de esta seccion que el
empleo del modelo aproximado servirh de ayuda para el analisis. Para D l ide d6nde vendri
el 0.7 V, si 10s voltajes de entrada y fuente se encuenuan en el mismo nivel y creando "presio-
nes" opuestas? Se supone que D,se encuentra en estado "encendido" debido a1 bajo voltaje del
lado del citodo y la disponibilidad de la fuente de 10-V a travts de la resistencia de 1-kR.
Para la red de la figura 2.42 el voltaje en V,, es de 0.7 V, debido a que el d i d o D, esti
Figura 2.41 Compuerta logica polarizado directameute. Con 0.7 V en el h a d o de Dl y 10 V en el citodo, D, est6 defi-
AND positiva.
nitivamente en estado "apagado". La comente I tendri la direction que se indica en la figura
2.42 y una magnitud igual a
+ I cicio I+ - "L -
v, = V sen or
A travts de un ciclo complete, definido por el period0 T de la figura 2.43, el valor prome-
dio (la suma algebraica de las Areas aniba y abajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.43,
llamado recrificador de media onda, genera5 una forma de onda vo, la cual tendri un valor
promedio de uso particular en el proceso de conversi6n de ac a dc. Cuando un diodo se usa en
el proceso de rectificacidn, es comlin que se le llame rectificador. Sus valores nominales de
potencia y coniente son normalmente mucho mas altos que 10s de 10s diodos que se usan en
otras aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicaci6n.
Durante el interval0 t = 0 + TI2 en la figura 2.43, la polaridad del voltaje aplicado v, es
como para establecer "presi6nn en la direccidn que se indica, y encender el diodo con la pola-
ridad indicada arriba del diodo. A1 sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo
dari por resultado el circuito equivalente de la figura 2.44, donde parece muy obvio que la
seiial de salida es una rCplica exacta de la seiial aplicada. Las dos terminales que definen el
voltaje de salida estan conectadas directamente a la setial aplicada mediante la equivalencia de
corto circuito del diodo.
T '
Defasamienm dcbido s Vi
Si vm es suficientemente mas grande que VT,la ecuaci6n 2.7 es a menudo aplicada como
una primera aproximacion de V,,.
a) Dibujar la salida vo y deteminar el nivel dc de la salida de la red de la fisura 2.48 EJEMPLO 2.18
b) Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.
c) Repetir 10s incisos a y b si V,,, se increments a 200 V, y comparar las soluciones utilizando
las ecuaciones (2.7) y (2.8).
Solucion
a) En esta situation el diodo conducira durante la parte negativa de la entrada segfin se mues-
tra en la figura 2.49, y vo aparecera como se sefiala en la misma figura. Para el periodo
completo, el nivel dc es
la que es una diferencia que, en efecto, puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones.
Para el inciso c el desvio y la caida en la amplitud debido a V, no seria discernible en un 1 ' ZOV- 0 . 7 V = 1 9 3 V
V(PIV) +
7 1 + T r
2
Debido a que el Area arriba del eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparacidn
con la obtenida para un sistema de media onda, el nivel de dc tarnbiin ha sido duplicado y
Si se emplea diodos de silicio en lugar de 10s ideales coma se indica en la figura 2.57, una
aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conduccidn resultaria
vI - v T- v 0
- V T -- 0
Y V" = vi - 2VT
Para las situaciones donde Vm>> 2VT,puede aplicane la ecuacion (2.1 1) para el valor promedio
con un nivel relativamente alto de precisidn.
-2
I Fwra 2.57 Determinaci6n de
Vomhpara 10s diodos de silicio en
la configuration puente.
Si Vm es lo suficiente m& grande que 2V,, entonces la ecuacion (2.10) a menudo se aplica
como una primera aproximaci6n para V,,.
Durante la porci6n negativa de la entrada, la red aparece como lo indica la figura 2.61,
invirtiendo 10s papeles d= 10s diodos, pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a
PIV
La red de la figura 2.62 ayudara a determim el PIV neto paracada diodo de este rectificador
de onda completa. La insertion del voltaje mhimo del voltaje secundario y el Vm de acuerdo ;: - +
con lo establecido para la red adjunta dara por resultado ".
2:
V,
-. ,
'IV = Vsecundano 8' +
Figura 2.62 Determinacidn del
= v, + vm nivel de PIV para 10s diodos del
transformador con derivacion
(2,13) central para un rectiiicador de
transformador CT.reclificador de onda cornplera onda completa.
Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2.63 y calcular el nivel dc de EJEMPLO 2.19
salida y el PIV que se requiere para cada diodo.
La red aparecera como en la figura 2.64 para la regi6n positiva del voltaje de enuada. El redibujo
de la red generarfi la configuraciirn de la figura 2.65, donde vo = jvi o VOme= $Vimll= $(lo V) =
5 V, como lo indica la figura 2.65. Para la parte negativa de la enuada la funci6n de 10s diodos
seri intercambiada y vo aparecerA seglin la figura 2.66.
Figurn 2.64 Red de la figura2.63 para la regi6n Figum 2.65 Red redibujada de la figura 2.64
positiva de v,.
El efecto de remover dos diodos de la confi,waci6n puente fue, por tanto, reducir el nivel
de dc disponible a1 siguiente:
1"'
Vdc= 0.636(5 V) = 3.18V
En serie
La respuesta de la configuraci6n en serie de la figura 2.67a a una variedad de fomas de onda
altemas se ilustra en la figura 2.67b.Aunque se present6 al principio como un rectificador de
media onda (para fomas de onda senoidales), no existen limitaciones sobre el tip0 de seiiales
que pueden aplicarse a un reconador. La adicion de una fuente de dc como la que se muestra en
la figura 2.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un reconador. El anilisis
inicial se limitari a 10s diodos ideales, y se reservara el efecto de V , a un ejemplo posterior.
(b)
te dc.
No existe un procedimiento general para el ansisis de las redes como las del tipo que se
presenta en la figura 2.68, per0 existen cienas ideas que deberin considerme mientras se tra-
baja en la solution.
I . Hacer un dibujo mental de la respuesta de la red basandose en la direccibn del
diodo y en 10s niveles de voltaje aplicados.
Para la red de la figura 2.68, la diiecci6n del diodo sugiere que la seiial v, debe ser positiva
para encenderlo. La fuente dc requiere mas a6n que el voltaje v, sea mayor que V volts para
encender el diodo. La regi6n negativa de la serial de enuada estA "presionando" al diodo hacia
v
Figura 2.69 Determinacibn dei nivei v
de transici6n para el circuito de la
figura 2.68. +
.
Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo esta en estado de corto circuito, mientras
que para 10s voltajes de entrada menores que Vvolts esta en estado de circuito abierto o "apa-
gado".
-
.JtR;
Figura 2.70 Deterrninacion de u".
3 . Estnr consciente continuamente de las terminales definidas y la polaridad de vo.
Cuando el diodo se encuenua en estado de corto circuito, coma el que se muestra en la
figura 2.70, el voltaje de salida vo se puede determinar mediante la aplicacion de la ley de
voltaje de Kirchhoff en la direccion de las manecillas del reloj: A ",
!
vI - V - vo = 0 (direccion de las manecillas del reloj) I A".
1;;" I"/ 1 +
4 . Puede ayudar el dibujar la seiial de entrada arriba de la seiial de salida y
determinar 10s valores instantitneos de la entrada.
1, 1
1
, Y I
,
1
'
1
I
1
I , ' I
Posteriormente, es posible dibujar 10s voltajes de salida a partir de 10s puntos de datos
resultantes de vo, como se demostro en la figura 2.71. Tenga en cuenta que a un valor instanta- "1
neo de vi la entrada puede ser tratada coma una fuente dc de dicho valor y el valor de dc
correspondiente (el valor instantaneo) de la salida determinada. Par ejemplo, para el caso v, =
VnZen la figura 2.68, se analizarila red que aparece en lafigura 2.72. Para Vm> V el diodo esti - f
2.9 Recortadores 79
Repetir el ejemplo 2.20 para la onda cuadrada de entrada de la figura 2.78. EJEMPLO 221
Para v, = 20 V (0 -+ Tl2) generara la red de la figura 2.79. El diodo esta en estado de corto
circuit0 y vo = 20 V + 5 V = 25 V. Para vl = -10 V dari como resultado la figura 2.80, colocando
el diodo en estado "apagado" y vo = i,R = (0)R= 0 V. El voltaje resultante de salida aparece en
la figura 2.81.
La red de la figura 2.82 es la mis sencilla de las configuraciones de diodos, en paralelo con la
salida para las mismas entradas de la figura 2.67. El an4lisis de las configuraciones en paralelo
es muy similar a la que se aplica a las configuracioaes en sene, como se demostrari en el
siguiente ejemplo.
2.9 Recortadores
EJEMPLO 222 Determinar vo para la red de la figura 2.83
La polaridad de la fuente dc y la diieccion del diodo sugieren que el diodo esta en estado "encen-
dido" para la regi6n negativa de la sefial de entrada. Para esta region la red aparecera como lo
sefiala la figura 2.84, donde las terminales definidas para vo requieren que vo = V = 4 V.
I
v 4v
Rgura 2.84 %para la regihn
+
.c
-
o negativa de v,.
",
;
4 "
v ~ 4 v z
FiguIa 2.87 Dibujo de v, para el
Figura 2.86 Determinacibn de vo ejemplo 2.22.
para el estado abierto del diodo.
Para examinar 10s efectos de V, sobre el voltaje de salida, el siguiente ejemplo especifica-
ra un diodo de silicio, en lugar del equivalente del diodo ideal.
VI
-
o
vTF0.7"
v -4v -
o
Figura 2.88 Determinacibn del nive~de
transicibn para la red de la figura 2.83.
Para 10s voltajes de entrada mayores que 3.3 V, el diodo estari en circuit0 abieno y vo = v,.
Para 10s voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo estari en estado "encendido" y resul-
tari la red de la figura 2.89, donde
La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2.90. Notese que el hnico efecto da
VTfue disminuir el nivel de transition desde 3.3 V a 4 V.
No hay duda de que incluir 10s efec:os de VTccmplicaranel analisis un poco, per0 una vez
que el ansisis se comprende con el diodo ideal, el procedimiento, incluyendo 10s efectos de V,,
no ser4n tan dificiles.
Resumen
Una variedad de recottadores en serie y en paralelo con 10s resultados de salida para las entra-
das senoidales se presentan en la figura 2.91. Obdmese en particular la respuesta de la hltima
configuraci6n. con su capacidad de recortar una seccion positiva o negativa como se determi:ne
por la magnitud de sus fuentes de dc.
2.9 Recortadores
pKd
POSlTIVO
pu +TTT
Recortadores en paralelo simples (diodos ideales)
+.,
.?
,. .f,."
,.
-vm
-
"0
d
-
,,\"' ,a,.".
.".
-e
r
Durante el intervalo 0 -t TI2 la red aparecera como lo indica la figura 2.93; con el diodo en
estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistenciaR. La constante
de tiempo RC resultante es tan pequeiia ( R se determina por la resistencia inherente de la red)
que el capacitor se cargara a V volts ripidaniente. Durante este intervalo el voltaje de salida
esta directamente a traves del "corto circuito" y vo = 0 V .
Cuando la entrada cambia a1 estado -V, la red aparecera como lo indica la figura 2.94, con
el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la sefial aplicada y el voltaje
almacenado a traves del capacitor, ambos "presionando" la comente a traves del diodo desde el
citodo hacia el inodo. Ahora que R se encuentra de regreso en la red, la constante de tiempo
determinada por el producto RC es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga Figura 2.94 Deterrninacihn de v,
5 ~ m u c h omayor que el periodo TI2 + T, y puede asumirse sobre una base aproximada que el con el diodo en "apagado".
capacitor mantiene toda su carga y, por tanto, el voltaje (debido a que V = QIC) durante este
periodo.
Debido a que vo esti en paralelo con el diodo y la resistencia. tambitn puede dibujarse en
la posicion altema que se indica en la figura 2.94. La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff
alrededor del lazo de entrada dari por resultado
El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por v,,. La
forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2.95 junto con la seiial de entrada.
La seiial de salida "cambia de nivel" a 0 V durante el intervalo de 0 a Tl2, per0 mantiene la
misma excursion de voltaje total (2V) que la entrada.
Para una red de cambio de nivel:
La excursibn de voltaje total de la seiial de salida es igual a la excursibn de voltaje
total de la seiial de entrada.
Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene.
En general, 10s siguientes pasos pueden ser iitiles cuando se analizan redes cambiadoras
de nivel.
I . Iniciar el analisis de las redes cambiadoras de nivel medianre la consideracibn de Figura 2.95 Dibujo de v, para la
la parre de la seRal de enrrada que dara polarizacibn direcra a1 diodo. red de la figura 2.92.
EJEMPLO 2 2 4 Determinar v,, para la red de la figura 2.96 para la entrada que se indica.
-
Firmra 2.98 Determinaci6n de v."
con el dlodo en estado "apagado". y v,, = 35 V
Debido a que el intemalo r,+ tj durara solo 0.5 ms, es cierto que resulta buena la aproximacion
de afirmar que el capacito; mantendri su voltaje durante el periodo de descarga entre 10s pul-
sos de la serial de entrada. La salida resultante aparece en la figura 2.99 junto con la sefial de
entrada. Obstmese que la excursion de voltaje de salida de 30 V iguala a la excursion del
voltaje de entrada como se observa en el paso 5.
Para el estado de corto circuit0 la red toma ahora la apariencia de la figura 2.100, y vo puede -
determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la secci6n de salida.
+ 5 V - 0.7V - v = 0
Ahora, para el periodo r, + r, la red aparecerri como la figura 2.101, siendo el dnico
cambio el voltaje a travts del capacitor. La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff genera
Figurn 2.103 Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (57. 5RC> Ti2).
Viy R fijas
Las redes mas simples del diodo Zener aparecen en la figura 2.106. El voltaje de dc aplicado
es fijo, asi como la resistencia de carga. El anilisis puede hacerse fundamentalmente en dos
I3gura 2.106 Reguiador Zener
pasos. b8sico.
I . Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminaci6n de la red y
calculando el voltaje a tmvks del circuito abierto resultante.
La aplicacion del paso 1 a la red de la figura 2.106 generari la red de la figura 2.107, donde
una aplicacion de la regla del divisor del voltaje resultara
Si I/ 2 V,, el diodo Zener esta en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equiva-
lente de la figura 2.105a. Si V < V,, el diodo esta en "apagado" y se sustituye la equivalencia de I3gura 2.107 Determinacidn del
circuito abierto de la figura 2.105b. estado del dicdo Zener.
T
*
P..
1: RL v,
de la figura 2.108. Puesto que 10s voltajes a travCs de 10s elementos paralelos deben ser 10s
mismos, se encuentra que
La coniente del diodo Zener debe determinarse por la aplicacion de la ley de comente de
Figura 2.108 Sustituci6n del Kirchhoff. Esto es
equivalente Zener para la situation
"encendido". IR = Iz + IL
donde
1 ---4
v e I --=
v, v; - VL
L - R -
RL R R
EJEMPLO 2 2 6 a) Para la red de diodo Zener de la figura 2.109, determinar VL,V, IZ y PZ.
b) Repetir el inciso a con RL = 3 W2.
+
1.2 kn V'
P, = 30 m W -
- F e r a 2.109 Regulador de diodo
Zener para el ejernplo 2.26.
a) Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se redibuja como lo indica la figura 2.1 10.
La aplicaci6n de la ecuaci6n (2.16) da
Dado que V = 8.73 V es menor que V , = 10 V, el diodo esta en estado "apagado", como se
muestra en las caractensticas de la figura 2.1 11. Sustituyendo el equivalente de circuit0 abierto
resultara la misma red queen la figura 2.110, donde se encuentra que
VL = V = 8.73 V
8.73 V
VR = Vi - VL = 16 V - 8.73 V = 727 V
I, = O A
I3gura 2.1 11 Punto de operacibn
Y P, = vg, = V , (0 A) = 0 W resultante para la red de la figura
:1.109.
b) Aplicando la ecuacion (2.16) ahora resulta
I 1
-- Figura 2.112 Red de la figura
2.109 en estado "encendido".
Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL que se obtiene de la ecuacion (2.20)
asegurari que el diodo Zener esti en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado
por su fuente equivalente V,.
a la ecuacion (2.20) establece el R, minimo, pero a su vez especifica
La condition d e f ~ d por
el I, miximo como
Una vez que el diodo estd en estado "encendido", el voltaje a travCs de R permanece cons-
tante en
e 1, permanece fija en
La coniente Zener
Solucion
a) Para determinar el valor de R, que encenderi el diodo Zener, se aplica la ecuacion (2.20):
IL~,"
= I, - Iz,, = 40 n1A - 32 mA = 8 mA
con la ecuacion (2.26) se determina el valor maximo de R,:
(2.28)
Debido a que 1, esti fijo en VJRL y que I,, es el valor maxima de I,, el miximo Vi se
define par
y , --R' , + 2'
(2.29)
EJEMPLO 2.28 Determinar el rango de valores de Vj que mantendran el diodo Zener de la figura 2.1 15 en
estado "encendido".
Solucion
= 16.87 V + 20 V
",
Figura61'.' funcidn de I/, Se presenta en la figura 2.116 una gikica de V, en funcion de Vj.
para el regulador de la ligura
2.115.
Pueden establecerse dos o mas niveles de referencia a1 colocardiodos Zener en sene como
lo indica la figura 2.1 18. Mienuas Vi sea mayor que la suma deV,, y V,,, ambos diodos se
encontrarin en estado "encendido" y estarh disponibles tres voltajes de referencia.
Tambien pueden utilizarse dos diodos Zener conectados en sus citodos (espalda con es-
palda) como un regulador de ac, como lo indica la figura 2.1 19a. Para la sefial senoidal vi, el
circuito aparecera como en la figura 2.1 19b en el instante vi = 10 V. La regi6n de operaci6n de
cada diodo se indica en la figuraadjunta. Obdwese queZ, esta en una regi6n de bajaimpedancia,
mientras que la impedancia de 2, es muy grande, la que corresponde a la representacidn de Figun 2.118 Establecimiento de
circuito abierto. El resultado es vo = v, cuando vi = 10 V. La entrada y salida continuaran dupli- tres niveles de voltaje de
candose mutuamente hasta que vi alcance 20 V. Entonces Z, se encendera (como un diodo referencia.
20-v
Zener
-22 v
10-v
Zener +
Doblador de voltaje
La red de la figura 2.121 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de
voltaje positivo a travCs del transformador, el diodo del secundario D lconduce (y el diodo
D, esti en corte), cargando el capacitor C , hasta el voltaje pico rectificado (V,,,). El diodo D,
es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga a1
capacitor C, hasta Vmcon la polaridad mostrada en la figura 2.122a. Durante el medio ciclo
negativo del voltaje del secundario, el diodo D lesta en corte y el diodo D, conduce carga al
capacitor C 2 .Dado que el diodo D, actlia como un corto circuito durante el medio ciclo
negativo (y el diodo D,abierto), S e d e n sumarse 10s voltajes alrededor del lazo externo
(vease la figura 2.122b):
de la cual
Triplieador @V,) +
1 2 1
L__1
sion del punto invalidara completamente el archivo de entrada. Insoueeioaes
para an6lisis
El archivo de entrada para la red de la figura 2.126 se presenta en la figura 2.128. La linea
del titulo especifica el circuit0 de diodo para la red de la figura 2.1 26 como el circuit0 que debe
analizarse. La primera linea de la descripci6n de la red especifica la fuente de dc de 10-V. Para
todas las fuentes dc la primera linea debe ser la literal V, seguida por el nombre de la fuente. El
E I Iastrucci6nEND
nombre es so10 una elecci6n de letras ylo numeros para identificar la fuente en la estructura de figura 2.127 componentes de
la red. Despuis se captura el nodo con el lado positivo de la fuente seguido por la polaridad un archivo de entrada.
negativa. Se captura la magnitud de la fuente como se indic6.
La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para
empezar el rengl6n seguido por el nombre elegido (en este caso so10 el ndmero 1 para referir el
subindice en la red de la figura 2.126). La "presi6nmde la fuente de 10-V sugiere que la corrien-
te resultante harri a1 nodo 1 positivo respecto al nodo 2, de ahi el orden de 10s nodos en el ar-
chive de entrada. La magnitud de la resistencia se especific6 como de 4.7 kn.
El formato para la entrada del diodo se present6 en el capitulo 1. ObsC~esela entrada en
el rengldn 3 de la descripcion de la red y la del modelo del diodo en el rengl6n 6. Recuerde que
VEl 1 0 10V
R1 124.7K
Dl 2 3 DI
R2 3 4 2.2K
.MODEL DI D(IS=2E-15)
.DC VE1 10V 10V 1V
.PRINT DC V(3) I(D1) V(1.2) V(3.4) V(2.3)
.OPTIONS NOPAGE
.EWD
tttt Diode MODEL PARAMETERS
DI
IS 2.000000E-15
DIODO
El diodo esti en la biblioteca evalslb de la caja de dialog0 Get Part. Oprimiendo el diodo
DIN4148 y el OK colocara el simbolo del diodo en la pantalla. Se mueve el diodo a la posi-
ci6n correcta, y se oprime una vez. Las etiquetas D l y DIN4148 apareceran cerca del diodo.
Se oprime el lado derecho del mouse para terminar las series de colocaci6n de 10s diodos. En la
figura 2.126 la etiqueta Si aparece en lugar del D l . Al dar doble "click" el D l traer6 el Edit
Reference Designator para cambiarlo a Si. Si la etiqueta Dl no desaparece por completo, se
utiliza la instrucci6n Ctrl L para dibujar de nuevo la red y tsta eliminari cualquier linea que
persists. Si se desean ver las especificaciones de 10s diodos, se oprime una vez el simbolo del
- -
diodo y se utiliza la secuencia Edit (editar) Model (modelo) Edit Instance Model (editar
modelo ejemplo). El Model Editor aparecera y mediante un "click" puede cambiarse una
pme. Para este anilisis se camhi6 Is a 2E-15 en lugar del valor implfcito de 1 PA.
IPROBE
Puede desplegarse la comente de la red al insertar un IPROBE (ensayo) en sene con
10s elementos de la red. IPROBE esti en la librena speeialslb y aparece como una caratula
de medidor en la pantalla. El IPROBE respondera con una respuesta positiva si la comente
entra al simbolo al final con un arco que representa la escala. Debido a que se esti buscando
una respuesta positiva en esta investigacibn, el IPROBE debe ser instalado como se indica
en la figura 2.130. Donde aparece el simbolo primero, Cste esta 180" fuera de fase con la
comente deseada. Por tanto, es necesario oprimir la secuencia Ctrl R dos veces para rotar el
simbolo antes de colocarlo en posicion. Una vez en posicibn, un "click" completara el pro-
ceso. Un "click" en el bot6n derecho del mouse terminari la caracten'stica de insertion del
IPROBE.
EGND
El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para 10s voltajes de 10s
nodos. La tiema (EGND, por las palabras en inglCs de: Earth GrouND) es parre de la biblioteca
portslb y puede colocarse de la misma manera que 10s otros elementos de la red.
VIEWPOINT
Los voltajes de 10s nodos pueden desplegarse sobre el diagrama desputs de la simulaci6n
utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que estan en la biblioteca specialslb de la caja de
diilogo Get Part. So10 se coloca la flecha del simbolo VIEWPOINT en el punto donde se
desea el voltaje respecto a la tierra. Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si
es necesario. Ahora, la red esta completa como lo indica la figura 2.130.
i-
EL 5 10V
E2 -- 5" Figura 2.130 Respuesta
-T T+ de Windows para la red d e
i la figura 2.126.
ASIGNACION DE NODOS
Cuando 10s elementos son capturados como en la p m e anterior, la probabilidad es que
10s nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de 10s nodos asig-
nadas de la figura 2.126. Sin embargo, esto pnede cambiarse al oprimir el Examine Netlist
(examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (anilisis). El resultado es un listado de
10s elementos de la red y el valor numkrico asignado a cada nodo. Esta lista puede cambiarse
para igualar la de la figura 2.126 con una simple secuencia de inserci6niborrado para cada
referencia de 10s nodos. Para este analisis las referencias de 10s nodos se cambiaron para
igualarlas a la figura 2.126.
Ahora, la red esta lista para el anilisis. Para acelerar el proceso, se oprime Analysis (ani-
h i s ) y se elige Probe Setup (inicializacion de la prueba). Se elige Do Not Auto-Run R o b e
(no autoejecutar la pmeba) debido a que Probe no es apropiada para este analisis. Es una
opcion que se presentari en un capitulo posterior cuando se manejen las cantidades que cam-
bian con el tiempo, la frecuencia o cualquier otra variable importante. Desputs se procede con
OK-AnalysisSimulate (Ok, analisis, sirnulacion) para llevar a cab0 el anaisis. Si se desarro-
Ila correctamente, una caja de diilogo de PSpice aparecera indicando que el anaisis en dc se
termin6. Se sale de la caja y el diagrama tendra la corriente y el voltaje de 10s nodos como en la
figura 2.130. La coniente del circuit0 de 2.07 mA concuerda con la solucion en DOS, y el
voltaje de 10s nodos en -0.46 V es muy cercano a la soluci6n DOS de -0.45 V.
.....
...............*....*..*..,....*.............1..L..........."
VOLTAGE SOUIlCECURRENTS
NAME CURRBNT
v-El -2-.
v-F.2 2.ossE-03
v-V6 2.ossE-cG
TOTAL~DLSSIPATION3.IQEMW
-
A '
NAME D-DI
MODa DlN4148-X
m 2.01~3
M 119fal
Rgura 2.131 Archivo de salida para el analisis PSpice (Windows) del circuit0 de la figura2.126
10s diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parametros de modelos
de diodos). La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (soluci6n de pequefia seiial de polarization)
incluye todos 10s voltajes de 10s nodos con la comente listada a continuaciirn como las VOLTAGE
SOURCE CURRENTS (comentes de las fuentes de voltaje). La OPERATING POINT
INFORMATION (infonnaci6n del punto de operacidn) revela que I, es de 2.07 mA y que el
voltaje a travts del diodo es de 0.749 V en lugar de10.7 V utilizado en la solucion manual, una
posible razon para la ligera diferencia en el voltaje de 10s nodos listado aniba.
Id)
2. a) Usando las caracteristicas de la figura 2.132b. determine I," y V", para el circuito de la figura
2.133.
b) Repita el inciso a con R = 0.47 kQ. + V, -
c) Repita el inciso a con R = 0.18 kR.
3. Determine el valor de R para el circuito de la f i p a 2.133 que resultara para una coniente del
diodo de 10 mA si E = 7 V. Utilice las caracteristicas de la figura 2.132b para el diodo.
4. a) Usando las caractensticas aproximadas para el diodo de Si, determine el valor de V,.l, y V R ,
para el circuito de la figura 2.1?4.
b) Desarrolle el mismo analisis del inciso o utilizando el modelo ideal para el diodo.
E i c l +-
2.2 LR 1,
Problemas 105
5 2.4 Configuraciones de diodos en sene con entradas de dc
5. Determine la corriente I para cads una de las configuraciones de la figura 2.135 utilizando el
modelo equivalente aproximado para el diodo.
n g u m 2.135 Problema 5
-
(a) (bl Figura 2.136 Problemas 6.52.
* 7. Determine el nivel de V,, para cada una de las redes de la fizura 2.137.
C*)
(a) (b)
Problemas
12. Determine V o , ,Vo2,e I para la red de la figura 2.142.
* 13. Determine Vo e I, para la red de la figura 2.143.
d -5 v
Figura 2.145 Problema 19. F w r a 2.146 Problema 20. Figura 2.147 Problema 21.
* 27. a) Dado Pm_ = 14 mW para cada diodo de la figura 2.152, determine el valor mdximo de corrien-
re de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado).
b) Determine lms,para V ,msx= 160 V,
c) Determine la comente a travCs de cada diodo para V,ma,utilizando 10s resultados del inciso b.
d) iEs laconiente determinadaenel inciso c menor queel valor miximo determinadoenel inciso a?
e) Si s61o estuviera presente un diodo, determine la coniente del diodo y cornpirela con el valor
miximo.
-c
Flgura 2.154 Problema 30.
§ 2.9 Recortadores
32. Dibuje vo para cada red de la figura 2.156 para la entrada que se indica
33. Dibuje vo para cada red de la figura 2.157 para la entrada que se indica.
(a)
* 35. Dibuje para cada red de la figura 2.159 para la entrada que se indica.
i.,,
36. Dibuje i, y v,, para la red de la figura 2.160 para la entrada que se indica
5 2.10 M i a d o r e s de nivel
37. Dibuje vo para cada red de la figura 2.161 para la entrada que se indica
Ideal
v' +(=
Problemas
- - -- -
38. Dibuje vo para cada red de la figura 2.162 para la entrada que se indica. 'Serfa una buena aproxi-
maci6n considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? ~ P o que?
r
la) lb)
b:. .
f = 1 kHz
-10
Problema 39
* 40. Diseiiar un circuit0 cambiador de nivel para llevar a cabo la funcion que se seiiala en la figura 2.164.
2 0 v
* 41. Diseiiar un cucuito cambiador de nivel para llevar a cabo la funcion que se indica en la figura 2.165.
* 43. a) DiseRe la red de la figura 2.167 para rnantener VLen 12 V para una variaci6n en la carga (I,)
desde 0 hasta 200 mA. Esto es, determine R y VZ.
b) Determine P,msLpara el diodo Zener del inciso a.
* 44. Para la red de la figura 2.168, determine el rango de V, que rnantendri VLen 8 V y no excedera el
valor mBximo de potencia del diodo Zener.
45. Disefiar un regulador de voltaje que mantendrd un voltaje de salida de 20 V a travCs de una carsa + g
de 1 kR con una entrada que tendri una variaci6n entre 30 y 50 V. Esto es. determine el valor Figura 2.167 Problema 43.
adecuado de Rsy la comente maxima IZ,.
46. Dibuje la salida de la red de la figura 2.120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V. Repita para
una onda cuadrada de 5-V.
Durante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo fue, sin duda, el dispositivo electr6nico miis
interesante y tambiCn el que mas se desarrollo. El diodo de bulbo fue introducido por J. A .
Fleming en 1904. Poco tiempo despues,en 1906, Lee De Forest le aiiadio un tercer elemento a1 --
diodo a1 vacio, denominado rejilla dr control, lo cual dio por resultado el rriodo, primer
amplificador de su genero. En 10s aiios subsecuentes. la radio y la television ofrecieron un gran
estimulo a la industria de 10s bulbos. La production se incrementode cerca de un millon de
bulbos en 1922 a cien millones aproximadamente en 1937. A principio de 10s aiios treinta el
tub0 de vacio de cuatro y cinco elementos cobro gran imponancia en la industria de 10s tubos
electronicos a1 vacio. En 10s aiios siguientes la industria se convinio en una de las rnis
imponantes y se lograron rapidos avances en el disefio, ticnicas de manufactura, aplicaciones
de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturization.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrdnica registr6 la apari-
cion de un nuevo campo de inter& y desarrollo. Fue esa tarde cuando Walter H. Brattain y
Joseph Bardeen demostraron la acci6n amplificadora del primer transistor en la compaiiia Bell
Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra
en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado s6lido de tres terminales respecto a1
bulbo se manifestaron de inmediato: era m b pequeiio y ligero, no tenia requerimientos de
114
calentamiento o disipacion de calor, su constmccidn era resistente y era mis eficiente debi- 0.150 in.
do a que el mismo dispositivo consumia menos potencia, estaba disponible parautilizarse de 0.001 in.
del emisor se encuentra fuertemente dopada. la base ligeramente dopada y el colector s6lo muy
poco dopado. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipop o n
a1 que circundan. Para 10s transistores que se muestran en la figura 3.2, la proporcion del
espesor total respecto al de la capa central es de 0.15010.001 = 150 : 1. El dopado de la capa
central es tambiin mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o
menos). Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este
material a1 limitar el ntimero de portadores "libres".
Para la polarizacion que se muestra en la figura 3.2 las terminales se indican mediante
las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollara una aprecia-
Figura 3.2 Tipos de transistores:
cidn de la eleccion de esta notaci6n cuando se analice la operacion bisica del transistor. La a ) pnp; bl npn.
abreviatura BIT, de transistor bipolar de unibn idel inglis, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El termino bipolar refleja el hecho de
que 10s buecos y 10s electrones panicipan en el proceso de inyeccion hacia el material pola-
rizado de forma opuesta. Si solo se utiliza un portador (electron o hueco), entonces se consi-
dera un dispositivo unipolar. El diodo Schottky, que se considera en el capitulo 20, es uno de
estos dispositivos.
figura 3.4 Union con polarization inversa de Rgura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios
un transistor pnp. y rninoritarios de un transistor pnp.
y se observa que la comente del emisor es la suma de las comentes del colector y de la base. Sin
embargo, la comente del colector esti formada por dos componentes: 10s portadores mayorita-
nos y minoritarios, segun se indica en la f i p r a 3.5. A1 componente de comente minoritaria se le
denomina corriente defuga y se le asigna el simbolo ICo (comente Ic con la terminal del emisor
abierta). Por tanto, la comente total del colector se determina mediante la ecuacion (3.2).
4 - o r 4 mA
-0 Y
c
; - M
; M- :o y
<
3 rnA
2
?
I
-
-
,
r
I
2m
mA
Li= I mA
A
1
ngura 3.8 Caracteristicas de
salida o colector para un
0 I
-1
I
0'
I
5
I
10
I
15
I,=OmA
20
1
T *
vvce
,, (V)
(v)
amplificador a transistor debase
comhn.
Region de cone
en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacibn. La region activa es la que suele
utilizarse para 10s amplificadores lineales (sin distorsion). En paaicular:
En la regibn activa la unibn base-colector se pohriza inversamente, mienfras que h
unibn emisor-base se polariza directamente.
La region activa se define mediante 10s arreglos de polarizacidn de la figura 3.6. En el
extremo mas bajo de la region activa, la comente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera
comente del colector, y se debe a la comente de saturacion inversa I , , como lo sefiala la
figura 3.8. La comente I real es tan pequeiia (microamperes) en magnitud si se compara con
co
!a escala vertical de % (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma linea horizontal
en donde Ic= 0. Las condiciones de circuit0 que existen cuando IE = 0 para la configuration de
base comlin se muestran en la figura 3.9. La notacid que con mis frecuencia se utiliza para
I,, en 10s datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 3.9,1c,,. Debido
to---. C
lr = o a las mejoras en las tecnicas de fabrication, el nivel de I, para 10s transistores de proposito
general (en especial 10s de silicio) en 10s rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es
'a0 = 'co
tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potenciaICBo
Y ; m s o r
B apareceri todavia en el rango de 10s microamperes. Ademb, recuerde que I,,,, asi como <,
abieno
Coiector a base para el diodo (ambas comentes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de I,,, puede convertirse en un factor importante debido a que aumen-
Figura 3.9 Corriente de saturacibn ta muy rapidamente con la temperatura.
inversa. Observese en la figura 3.8 que cuando la comente del emisor se incrementa por arriba de
cero, la comente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a aquella de la comente
del emisor, seglin se determina por las relaciones bbicas de comente en el transistor. Ndtese
asimismo el efecto casi nulo de V,, sobre la comente del colector para la regi6n activa. Las
curvas indican con claridad que una primera aproximacibn a la relacibn entre I, e Ic en la
regibn activa esth especificada por
Como se infiere por su propio nombre, la region de corte se define como la region en la que la
comente del colector es 0 A, seglin indica la figura 3.8. Asi tambiCn:
En la region de corte, tanto la unibn base-colector como la unibn emisor-base de un
transistor tienen polarizacibn inversa.
n V8, = 0.7 V
(3.4)
En otras palabras. el efecto de las variaciones debidas a V,, y a la pendiente de las caracteris-
ticas de entrada se omitir6n en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera
que ofrezcan una buena aproximacion a la respuesta real. sin involucrarse demasiado en las
variaciones de 10s parametros de menor imponancia.
Figura 3.10 Desarrallo del modelo equivalente para ser utilizado para la regi6n base-emisor
de un ampliiicador en modo de dc.
Alfa (a)
En el modo de dc 10s niveles de I, e 1, debidos a 10s portadores mayoritarios se encuentran
relacionados por una cantidad llamada a@ y definida por la siguiente ecuacion:
donde I, e 1, son 10s niveles de comente en el punto de operaci6n. Si bien las caractensticas de
la figura 3.8 podrfan sugerir que a = I para 10s dispositivos practicos, el nivel de alfa suele
extenderse de 0.90 a 0.998, donde la mayoria se aproxima al extremo alto del rango. Debido a
que alfa so10 puede definirse para 10s portadores mayoritarios, la ecuacion (3.2) se convierte en
Para las caractensticas de la figura 3.8 cuando I, = 0 mA, I, es por consiguiente igual a
I,,; no obstante, como se menciono antes, el nivel de I,, es con frecuencia tan pequefio que
practicamente no es posible detectarlo en la graficica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando
I, = 0 mA, en la figura 3.8, 1, tambiin parece ser de 0 mA para el rango de valores de V,,.
Para las situaciones de ac donde el punto de operation se desplaza sobre la curva de
caractenstica, un alfa en ac se define mediante
En titminos formales, alfa de ac se denomina como de base comkn, corro circuit0 o facror de
amplification por razones que resultarb mas obvias cuando se analicen 10s circuitos equiva-
lentes para transistores en el capitulo 7. Por el momento, se debe reconocer que la ecuaci6n
(3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la comente del colector se divide entre el
cambio correspondiente en 1, cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. En
la mayor parte de las situaciones,las magnitudes de a, y a son rnuy cercanas, lo cud permite
dC ,
utilizar la magnitud de una para la otra. El uso de una ecuaclon como la (3.7) se demostrar.4 en
la secci6n 3.6.
Las corrientes del emisor, colector y base se muestran en su direccidn convencional para
la comente. Si bien cambi6 la configuraci6n del transistor, aun se puede aplicar las relaciones
de comente que se desarrollaron antes para la configuracion de base comun. Es decir, IE= IC+
I, e I, = od;.
Para la configuraci6n de ernisor comun, las caractensticas de salida son una grifica de la
comente de salida (Ic) en funci6n del voltaje de salida (V,,) para un rango de valores de comen-
te de entrada (I,). Las caracteristicas de entrada son una grifica de la corriente de entrada (I,)
en funci6n del voltaje de entrada (V,,) para un rango de valores de voltaje de salida (V,,).
(Regi6n de cone)
(CEO = Jcoo
- I"' - 2501,,,
0.004
Si I,,, fuera 1 PA. la coniente resultante del colector con I, = 0 A sena 250(1 pA) = 0.25 mA,
segun se refleja en las caractensticas de la figura 3.14.
Como referencia futura, a la corriente del colector definida con la condicion I, = 0 pA se
le asignari la notation que indica la ecuacion (3.9).
En la figura 3.15 se demuestran las condiciones para esta comente recien definida con su
direction asignada de referencia.
Parapropbsitos de amplificacibn lineal (la menor distorsion), el corte para la
configuracibn de emisor comiin se definirir medionte Ic =.,I
En otras palabras, la region por abajo de I, =OpA debe evitarse si se requiere una sefial de
salida sin distorsion.
Cuando se utiliza como intemptor en el circuit0 logico de una computadora, un transistor
tendri dos puntos de operation interesantes: uno en la region de corte y ouo en la regi6n de
saturation. La condici6n ideal de cone debe ser 1, = 0 mA para el voltaje elegido V,. Debido
a que loosuele ser hajo en magnitud para 10s materiales de silicio, el ccrte existirh parafines
de conmutacibn cuando I, = 0 p.4 o Ic = I,,,,. per0 sblo para 10s transistores de silicio. Sin
embargo, para 10s transistores de germanio, el corre parafines de conrnuzacibn se definirh
mediante las condiciones que existan cuando Ic = IcBo.Dicha condicion se puede obtener, por
lo regular, para 10s transistores de germanio mediante la polarizaci6n inversa de la uni6n base-
emisor, con unas cuantas dCcimas de volt.
Recuerde que para la configuraci6n de base comun se hizo una aproximacion a1 conjunto
de caracteristicas de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales, que dio como
resultado V, = 0.7 V para cualquier nivel de 1, mayor que 0 mA. Para la configuration de
emisor comun se puede recumr a1 misrno mitodo, lo cual da por resultado el equivalente
aproximado de la figura 3.16. El resultado da sustento a la conclusi6n anterior respecto a que
para un transistor "encendido" o activo, el voltaje de la hase-emisor es de 0.7 V. En este caso,
el voltaje esta fijo para cualquier nivel de comente de base.
7: = .%, c
Bsse abiena
Colector a emisor 10
,
L
1 1 1 1 I l l I i
Fwra 3.16 Equivalente de segmentos
Figurn 3.15 Condiciones de cin:uito relativos
0 0.2 0.4 0.6
1 08 1 VBs(V)
lineales para las caracteristicas del
a 'CEO' 0.7 V diodo de la figura 314b.
Beta CO)
En el modo de dc, 10s niveles de Ice I8 se relacionan mediante una cantidad a la que llamare-
mas bera y se definen mediante la ecuacion siguiente:
El nombre formal para Pa, es factor de amplificacibn de corrienre directa de emisor cornin.
Debido a que, por lo general, la comente del colector es la comente de salida para una confi-
guracion de emisor comun, y la corriente de base es la corriente de entrada, el ttrmino ampli-
ficacibn se incluye en la nomenclatura anterior.
La ecuaci6n (3.1 1) es similar en cuanto a formato a la ecuaci6n para a,, en la secci6n 3.4.
El procedimiento para obtener as< a partir de las curvas de caractensticas no se explico debido
a la dificultad para medir realmente 10s cambios de % e 1, sobre las caractensticas. Sin embar-
go, la ecuacion (3.11) puede describirse con cierta claridad, y de hecho el resultado se puede
utilizar para encontrar cl,empieando una ecuacion que se obtendrd mhs adelante.
Por lo regular, en las hojas de especificaciones P,, se indica como hfe. ObsCrvese que la
finica diferencia entre la notacihn que se utiliza para la beta dc, especificamente Pdc= hFE,
radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad sefialada como subindice. La literal
h continda haciendo referencia a1 circuito equivalente hfhrido que se describira en el capitulo 7
y la fe a la ganancia de corriente directa (por las sigJas en ingles de, forward) en la configura-
ci6n de emisor comun.
El uso de la ecuacion (3.11) se describe mejor rnediante un ejemplo numeric0 utilizando
un conjunto real de caractensticas. como las que aparecen en la figura 3.14a y se repiten en la
3.17. Determine P, para una region de las caractensticas definidas por un punto de operacion
de 1, = 25 PA y V,, = 7.5 V, como se indica en la figura 3.17. La restricci6n de VcE= constante
requiere que se dibuje una linea vertical a travCs del punto de operaci6n en VCE= 7.5 V . En
cualqnier lugar de esta linea vertical el voltaje Vo es 7.5 V , una constante. El cambio en I,
Figura 3.17 Determinacibn de P,, y DdCa partir de las caracteristicas del colector.
( A l , ) como aparece en la ecuaci6n (3.1 1) se define entonces a1 elegir dos puntos en cada lado
del punto Q a lo largo del eje vertical, y adistancias aproximadamente similares a cada lado del
punto Q. Para esta situacidn, las curvas de I, = 20 pA y de 30 pA cumplen el requisito sin
extenderse muy lejos del punto Q. Tambien definen 10s niveles de I, que se definen con facilidad
en lugar de tener que interpolar el nivel de 1, entre las curvas. Es pertinente mencionar que la
mejor deteminaci6n suele hacerse manteniendo la A18 que se seleccion6 tan pequeiia como
sea posible. En las dos intersecciones de I, y el eje vertical, 10s dos niveles de I, pueden
deteminarse trazando una lfnea horizontal sobre el eje vertical y leyendo 10s valores resultantes
de I,. El P,, resultante para la regidn se puede determinar mediante
La solucion anterior revela que para una entrada de ac en la base. la comente del colector seri
de aproximadamente 100 veces la magnitud de la comente base.
Si se deterrnina la beta de dc en el punto Q:
lo cual revela que si las caracteristicas tienen la apariencia de la figura 3.18, la magnitud de
.. y de PAP
. seru la misma en cada punto de las caracteristicas. Es importante observar que
.
I,=OfiA.
Aunque un conjunto de caracteristicas de an transistor real nunca tendrri la apariencia de
la figura 3.18. ofrecemos un conjunto de caractensticas con el objeto de compararlas con las
que se obtienen con un trazador de curvas (que se describira enseguida).
se tiene
o bien P = ap + a = (P + 1)a
en consecuencia
o bien
o bien
seglin se indica en la figura 3.14a. Beta es un parametro en particular importante porque ofrece
un vinculo directo entre 10s niveles de corriente de 10s circuitos de entrada y 10s de salida
para una configuracion de emisor comun. Es decir,
y dado que
se tiene
Las dos ecuaciones anteriores desempeiian un papel muy importante en el analisis que se realiza
en el capitulo 4.
Para cada transistor hay una region de operacion sobre las caracteristicas. las cuales asegura-
rin que no se rebasen 10s valores mriximos y que la sefial de salida exhiba una distorsion
minima. Esta region se defini6 para las caractensticas del transistor de la figura 3.22. Todos 10s
limites de operacion para un transistor se definen en la hoja de especificaciones que se descri-
biri en la seccion 3.9.
Algunos de 10s limites de operacion se explican por sisolos, tales como la coniente mixi-
made1 colector (a la que por lo regular se hace mencion normalmente en la hoja de especifica-
ciones como coniente continua del colector) y voltaje maximo del colector al emisor (que a
menudo se abrevia como VCEoo VcBR)CEO en la hoja de especiiicaciones). Para el transistor de
la figura 3.22, Icm6,se especific6 corno 50 mA y VcE0 como 20 V.La linea vertical relativa a
o bien
En cualquier punto de las caracteristicas el producto de V e lc debe ser igual a 300 mW.
C"
Si se elige que I , tenga un valor maximo de 50 mA y se sustltuye en la relacion anterior, se
obtiene
En las caracteristicas de pequeiia sefial se proporciona el nivel de hfe (Ps,) junto con una
grifica de la forma en que vm'a con la coniente del colector en la figura 3.23f. En la figura
3.23j se demuesua el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h ,
(P,) A temperatura amhiente (25 "C) obskrvese que h, (PdC) tiene un valor maxim0 de I en el
irea cercana a 8 mA aproximadamente. Conforme I, se incrementa por arriba de este nivel,
h disminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA. TambiCn puede disminuir a este
fE
nlvel si Ic disminuye a1 nivel bajo de 0.15 mA. Como se trata de una curva normalizada, si se
tiene un transistor con pdc= hFE= 50 a temperatura ambiente, el valor miximo a 8 mA es 50.
Cuando Ic = 50 mA ha disminuido a 5012 = 25. En otras palabras, la normalizaci6n revela que
2N4123
ENCAPSULADO 2944, EFTCLO I
TO-92 (TO-226A)
T!?RMICAS
C~RICTER~STICAS
Caracterirths Simbolo MPxirno Unidad TRANSISTOR DE PROPI~SITO
Rrs>sanc$rlcm#cn." n i b r cncnprulldo Rmc S? 3 OC W
GENERAL
NPX SILlClO
RcrlilcnclnI.mlci.unidn armblcnlc R. 2UO OC W I
, ,
10 ~ ~
0.1 0.2 0.3 [1.50.7 1.0 2.0 3 0 5.0 7.0 I0 20 30 40 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
Vultaje de polariracirjn )"versa (Vj I,. Con~enrede colector (mA)
(C)
6 Rrristencha de la fuente = I kR
;r 7 - q .
<= 2.0
-
1.0 -
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
I,. Carriente de solector (mA)
(g)
--
Y 1.0
CARACTER~STICASESTATICAS
Figura 9 - Ganancia de corriente en DC
20
-E
0
1.0
--- -
a
2
.:
,? 5
0.7
-- - 0.5
,
.-0 e
5-
z 0.3
-
q--
- 0.2
0.1
0.1 0.2 0.5 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
lc.Corrienie de colector (mA)
ti)
Flgura 3.23 Continuacibn.
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 generari una imagen igual a la pantalla de la figura 3.24
una vez que todos 10s controles se ajusten de manera adecuada. Las pantallas mas pequefias a
la derecha indican la escala que debe aplicarse a las caracterfsticas. La sensibilidad vertical es
de 2 mA Idiv, lo que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor. La
sensibilidad horizontal es de 1 V Idiv, lo que da por resultado la escala que se muestra abajo de
las caractensticas. La funcion de paso indica que las curvas estan separadas por una diferencia
de 10 p4,empezando en 0 pA para la curva de la pane inferior. El hltimo factor de escala que
se proporciona se puede utilizar para determinar con rapidez la para cualquier region de las
caractensticas. S610 multiplique el factor que aparece en pantalla por el nhmero de divisiones
entre las curvas I8 en la region de interis. Por ejemplo, determine Pa, para un punto Q de Ic =
7 mA y Vc, = 5 V.En esta region de la pantalla. la distancia entre las curvas I, es de& de una
division, como se indica en la figura 3.25. Si se usa el factor especificado, se encuentra que
P ac
9
= - div
10
(GI = 180
diviii6n
0
Horizanrai por
divisi6n
[Z]Por paso
D o om par
divisi6n
2M)
Figura 3.24 Respuesta del !
trazador de curvas al transistor OmAi O a
;
, ,
npn 2N3904.
Figura 3.29 Varios tipos de transistores. a) Cortesia de General Electric Company; b) y c) cortesia
de Motorola. Inc.; d) cortesia de International Rectifier Corporation.
Inyeccibn dr campuesro de
moldeo axivl
Dado con pioceso de
paaivacibn
Es~ructurade cobrc
Encapsuiado de epbxro
Len,ouetar de cirrre
PSpice (version D O 9
El enunciado de PSpice para la introducci6n de 10s elementos de un transistor tiene el formato
siguiente:
Como se indica, el enunciado debe comenzar con .MODEL y seguido por el nombre del mode-
lo del transistor como se especific6 en el enunciado anterior. Desputs, se indica el tipo de
transistor y 10s valores de 10s parhetros que se especificaran que se incluyen dentro del pa-
rkntesis. La lista de parimetros, coma aparece en el manual PSpice, es muy extensa y de hecho
incluye 40 terminos. Para las necesidades actuales s610 es necesario especificar dos parimetros.
Entre estos se incluyen el valor de beta, que se sefiala como BF, y la corriente de saturaci6n
inversa IS a un nivel que de por resultado un voltaje base-emisor de aproximadamente 0.7 V
cuando el dispositivo esta "encendido".
Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecerrin en la secci6n de analisis par
computadora que se incluye en el capitulo 4. Serin 10s 6nicos enunciados diferentes de 10s que
aparecen en el anilisis de diodos del capitulo 2. En ouas palabras, 10s elementos nuevos pueden
10. De memoria, dibuje el simbolo del transistor para un transistorpnp y npn. e insene la direcci6n
conventional del flujo para cada coniente.
11. Utilizando las caracterlsticas de la figura 3.7, especifique VBEaI, = 5 mA para VCB= 1 V, 10 V y
20 V. iEs razonable suponer, con base en una aproximaci6n, que Vc, tiene s61o un pequefio efecto
en la relaci6n entre V, e I,?
12. a) Determine la resistencia prornedio en ac para las caracteristicas de la figura 3.10b.
b) Para has redes en la$ cuales la mapitud de 10s elementos resistivos se encuentra en kiiohms,
ies vaida la aproximaci6n de la figura 3 . 1 0 ~(basbdose en 10s resultados del inciso a)?
13. a) Usando las caracteristicas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colector siI, =
4.5 mA V, = 4 V.
b) Repita el inciso a para IE= 4.5 mA V, = 16 V.
C) iC6rno han afectado 10s cambios de VC8 el nivel resultante de I,?
d) Respecto a una base a~roxirnada,jcbmo se relacionan I, e I, bashdose en 10s resultados
antenores?
Problemas
14. a) Empleando las caractensticas de las figuras 3.7 y 3.8, determine 1, si Vc, = 10 V V, = 800 mV.
b) Determine V, si lc= 5 mA y V, = 10 V.
c) Repita el inciso b utilizando las caractensticas de la figura 310b.
d) Repita el inciso b utilizando las caractensticas de la figura 3 . 1 0 ~ .
e) Compare las soluciones para V, para los incisos b. c . y d. jSe puede ignorx la diferencia si
normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts?
15. a) Dada una a,,de 0.998. determine I, si I, = 4 mA.
b) Determine ad< si I, = 2.8 mA e 1, = 20 FA.
c j Encuentre IF si I, = 40 pA y adc es 0.98.
16. Dibuje de memona la configuracihn del transistor en base comcn (para npn y pnp) e indique la
polaridad de la polarizacihn aplicada y las direcciones de corriente resultantes.
17. Calcule la gananciade voltaje (A>= V,I V,) para la red de lafigura 3.12 si V, = 500 mV y R = 1 kR.
(Los otro5 valores del c~rcultopermanecen iguales.)
18. Calcule la ganancia de voltaje (A, = V, I V,) para la red de la figura 3.12 si la fuente tiene una
resistencia intema de I00 R en sene con V2.
19. Definal,,, e ICE,.&Enq u t son diferentes? jC6mo estan relacionados? jPor lo regular sus magni-
tudes son cercanas?
20. Utilizando las caractensticas de la figura 3.14:
a) Encuentre el valor de I, correspondiente a V, = +750 mV y VcE = +5 V.
b) Encuentre el valor de VcE y V, correspondiente a IC= 3 mA e 1, = 30 PA.
-21. a) Para las caractensticas de emisor comun de lafigura 3.14, determine la beta en dc en un punto
de operacihn de VcE = +8 V e 1, = 2 mA.
b) Encuentre e! valor de a correspondiente a este punto de operacion.
C) A VcE = +8 V, encuentre el valor correspondiente de I.,
d) Calcule el valor aproximado deIc,, utilizando el valor de betadc que se obtuvo en el inciso a.
* 22. a) Usando las caracteristicas de la figura 3 . 1 4 ~determine I,, a VcE = 10 V.
b) Determine p,, en I, = 10 pA y VcE = 10 \'.
C) Utilizando la pdcdeterminada en el inciso b. calcule Icso.
23. a) Utilizando las caractensticas de la figura 3.14a. determine pdcen I, = 80 pA y VcE = 5 V.
b j Repita el inciso a en I, = 5 pA y Vo = 15 V.
C) Vuelva a utilizar el inciso a en 1, = 30 pA y VcE = 10 V.
d) Revisando 10s resultados de 10s incisos a a c, jcambia el valor de pdcentre punto y punto en
las caractensticas? ~ D o n d ese encuentran 10s valores m& altos? jPuede desarrollar algunas
conclusiones generales acerca del valor de D,, con base en un conjunto de caracteristicas
como las que se presentan en la dgura 3.14a?
* 24. a) Utilizando las caracteristicas de la figura 3.14a. determine Pa, en 1, = 80 pA y VcE = 5 V.
b) Repita el inciso n en 1, = 5 pA y Vc, = 15 V.
C) Vuelva a hacer el inciso a en 1, = 30 p A y VcE = 10 V.
d) A1 revisar 10s resultados de los incisos a a c, jcambia el valor de p, entre punto y punto en
las caracteristicas? iD6nde se encuentran 10s valores mas altos? jPuede determinar algunas
conclusiones generales acerca del valor de pnCcon base en un conjunto de caracteristicas de
colector?
e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son 10s mismos que 10s que se utilizaron en el pro-
blema 23. Si se llevara acabo el problema 23, compare los niveles de p,, y p, para cada punto
y comente acerca de la tendencia en magnitud para cada cantidad.
25. Utilizando las caracteristicas de la fiema 3.14a, determine p, en 1, = 25 pA y VcE = 10 V. Despues
calcule a,, y el nivel resultante de I, (Utilice el nivel de I, determinado por I, = pd,I,.)
26. a) Dado que ad,= 0.987, especifique el valor correspondiente de pdi.
b) Una vez especificado pd, = 120, determine el valor correspondiente de a.
C) Si pdc= I80 e I, = 2.0 mA, encuenue I, e I,.
-
d) Determine pdcen Ic = 1 mA y Vc, = 8 V.
e) ~ C o m ose comparan 10s niveles de Pa,y de Pd,en cada region?
fj iEs vilida la aproximacion P, P, para este conjunto de caractensticas?
Problemas
-- .- .- -
El analisis o disefio de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto para la
respuesta en dc como para la respuesta en ac del sistema. Muy a menudo se asume que un
transistor es un dispositivo magico que puede elevar el nivel de una sefial de entrada de ac, sin
la asistencia de una fuente externa de energia. En realidad, el nivel de potencia de salida de ac
mejorado es el resultado de una transferencia de energia desde las fuentes de dc aplicadas. Por
tanto, el anilisis o diseiio de cualquier amplificador electr6nico tiene dos componentes: la
porcion de dc y la porci6n de ac. Por fortuna, el teorema de la superposici6n puede aplicarse y
la investigaci6n de las condiciones de dc puede separarse por completo de la respuesta de ac.
Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante el estado de diseiio o sfntesis, la eleccion de
10s parhetros para 10s niveles requeridos de dc afectarAn la respuesta en ac, y viceversa.
El nivel de dc de un transistor en operaci6n es controlado por diversos factores, incluyendo
el rango de puntos de operaci6n posibles sobre las caractensticas del dispositivo. En la seccion
4.2 se especifica el rango para el amplificador a BJT. Una vez definidos 10s niveles de voltaje
y de comente de dc, se debe construir una red que establecera el punto de operaci6n deseado;
en este capitulo se analizan vaxias de estas redes. Cada disefio tambiin determinara la estabilidad
del sistema, es decir, quC tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura. Este
aspect0 tambiCn se investigara en una secci6n posterior del presente capitulo.
Aunque en este capitulo se analiza cierta cantidad de redes, existe una similitud fundamental
entre el analisis de cada configuraci6n debido al uso recurrente de las siguientes relaciones
bbicas, que son importantes para un transistor:
Una vez que esten analizadas las primeras redes, la soluci6n de las siguientes se tomari
mas clara. En la mayoria de 10s casos la coniente base I, es la primera cantidad que debe
determinarse. Una vez qne I, se conoce, las relaciones de las ecuaciones (4.1) a (4.3) pueden
aplicarse para encontrar las cantidades de inter& restantes. Las similitudes en el analisis sedn
inmediatamente obvias segdn vaya avanzando en este capitulo. Las ecuaciones para I, son tan
familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuaci6n puede derivarse de otra s610
con eliminar o afiadir uno o dos terminos. La principal funci6n de este capitulo es desarrollar
un nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual podria permitir un an&isis en dc de
cualquier sistema que pueda utilizar el amplificador a BJT.
Fmra 4.1 Varios puntos de operaci6n dentro de 10s limites de operaci6n de un transistor.
cias entre 10s diversos puntos mostrados en la figura 4.1 para presentar algunas ideas bbicas
acerca del punto de operaci6n y, por tanto, del circuito de polarizacion.
Si no se utilizara la polarizaci6n, el dispositivo estaria a1 principio cornpletamente apaga-
do, dando por resultado un punto Q en A, es decir, cero comente a travCs del dispositivo (y cero
voltaje a travts de 61). Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda
responder al rango completo de la sefial de entrada, el punto A no seriaprecisamente el adecua-
do. Para el punto B, si la sefial se aplica al circuito, el dispositivo tendra una variation en
comente y voltaje desde el punto de operacidn, permitiendo al dispositivo reaccionar (y posi-
blemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como negativas de la seiial de entra-
da. Si la seiial de entrada se elige correctamente, el voltaje y la comente del dispositivo ten-
dran variation, per0 no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el rorte o a la
saturacibn. El punto Cpermitiria cierta variation positiva y negativa de la seiial de salida, per0
el valor pico a pico estada limitado por la proximidad de VcE= 0 Vile = 0 mA. La operaci6n en
el punto C tambiCn acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de
que hay un cambio rapid0 en las curvas de IBen esta regi6n. En general, es preferible operar
donde la ganancia del dispositivo es muy constante (a lineal) para asegurar que la amplifica-
ci6n a travts de la excursi6n completa de la seiial de entrada es la misrna. El punto B es una
regi6n de espaciamiento m b lineal y, por tanto, de operaci6n mis lineal, segun se muestra en
la figura 4.1. El punto D establece el sitio de operacidn del dispositivo cerca del nivel de
voltaje y potencia maxima. La excursion del voltaje de salida en la direcci6n positiva se en-
cuentra entonces limitada para no exceder el voltaje rnsimo. Por tanto, el punto B parece ser
el mejor punto de operaci6n en ttrminos de ganancia lineal y la excursion mas grande posible
de voltaje y comente. 6sta es por lo general la condici6n deseada para 10s amplificadores de
peqnefia sefial (capitulo 8),per0 no necesariamente es el caso para 10s amplificadores de poten-
cia, 10s cuales sedn considerados en el capitulo 16. En este anaisis, nos concentramos bbica-
mente en la polarizacion del transistor para la operaci6n de amplification enpequeiia seital.
Existe otro factor para la polarizacion muy importante que todavia debemos considerar.
Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operaci6n, tambien debe
tomarse en cuenta el efecto de la temperatura.Este factor ocasiona que cambien 10s parametros,
como la ganancia en comente del transistor (B,) y la corriente de fuga del transistor (IcEo).
Las mayores temperaturas dan como resultado rnayores comentes de fuga en el dispositivo,
causando un cambio en la condici6n de operaci6n establecida por la red de polarizacion. El
resultado es que el diseiio de la red debe ofrecer tambien un ggrdo de estabilidad en tempera-
tura, de tal forma que dichos cambios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el
punto de operation. La estabilidad del punto de operaci6n puede especificarse mediante un
factor de estabilidad S, el cual indica el grado de cambio en el punto de operaci6n debido a una
variaci6n en la temperatura. Es mejor un circuito de gran estabilidad; comparada con la estabi-
lidad de varios circuitos polarizados.
Para que el BJT estt polarizado en su region lineal o de operaci6n activa, 10s siguientes
puntos deben resultar exactos:
1. La uni6n base-emisor debe tener una polarizaci6n directa (voltaje de laregi6np mAspositivo)
con un voltaje de polarizacion directa resultante de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La uni6n base-colector debe tener una polarizaci6n inversa (voltaje de la regi6n n mas
positive) con un voltaje de polarizaci6n inversa resultante de cualquier valor dentro de 10s
limites maximos del dispositivo.
i F w 4.3 Equivalente de dc de
ia figura 4.2.
Polarizaci6n directa base-emisor
Considere primer0 la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. Cuando escriba la ecuacion
de voltaje de Kirchhoff en la diieccion de las manecillas del reloj, se obtendri
+vcc - 18, - VBE= 0
,fee
(4.4)
Vcc aplicado en un extremo menos la caida a travCs de la union base-emisor (VBE).Debido a I'igura 4.4 Malla base-emisor.
f + Es interesante observar que debido a que la comente de base esti controlada por el nivel
figurn 4.5 Malla colector-emisor. de RB y que I, esta relacionada a 1, por la constante p, la magnitud de I, no es una funci6n de
la resistencia R,. El cambio de R, hacia cualquier nivel no afectara el nivel de IB o de I,
mientras se permanezca en la region activa del dispositivo. Sin embargo, como se verh mas
adelante, el nivel de Rc determinara la magnitud de VcE,el cual es un parimetro importante.
La aplicacion de la ley de voltaje de Kuchhoff en la diuecci6n del sentido de las manecillas
del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 4.5 dari por resultado lo siguiente:
(4.7)
donde VcE es el voltaje colector-ernisor y Vc y V Eson 10s voltajes del colector y del emisor a
tierra, respectivamente. Pero en esre caso, debido a que V, = 0 V, se tiene que
(4.8)
Ademis, ya que
1-
I
4 y que vE= 0 V, entonces
(4.9)
(4.10)
Fmra 4.6 Medici6n de V , y V,
Tenga presente que 10s niveles de voltaje como VCEson determinados mediante la coloca-
cion de la punta de pmeba roja (positiva) del voltimetro en la terminal del colector y la punta
de prueba negra (negativa), a la terminal del emisor se@n se muestra en la figura 4.6. V , es el
voltaje del colector a la tierra y se mide seg6n la misma figura. En este caso las dos lecturas son
idtnticas, per0 en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Comprender la
diferencia entre ambas medidas puede ser muy impoaante para la localizaci6n de fallas en las
redes de transistores.
EJEMPLO 4.1 Determinar lo siguiente para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.7.
a) I e IcQ.
BQ
b' 'cE,'
0 v, y V,.
d) VBc.
C) VB = VBE= 0.7 V
Vc = V,, = 6.83 V
d) La utilization de la notaci6n del subindice doble da por resultado
V,, = V , - Vc = 0.7 V - 6.83 V
= 6.13 V
y el signo negativo revela que la union tiene polarizacion inversa. como debe ser para la
amplificacidn lineal.
caracteristicas.
Si se aproximan las curvas de la figura 4.8a a las que aparecen en la figura 4.8b, el metodo
diuecto para determinar el nivel de satnracion se toma aparente. En la figura 4.8b la comente es
mas o menos alta y el voltaje Vase asume de 0 volts. A1 aplicar la ley de Ohm, puede calcularse
la resistencia entre las terminales del colector y las del emisor de la siguiente manera:
R,, = - --
Vc, - o v = OR
'c Ic <",
4.3 Circuito de polarizaci6n fija
Figura 4.8 Regi6n de saturacibn a) real b) aproximada.
j{ R ~ ~ = O R maxima del colector (nivel de saturaci6n) para un disefio en particular, sdlo se inserta un
c V c ~ = O v . ' c = ' r ~ J x ) equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la comente
resultante del colector. En resumen, solo haga Vo = 0 V. Para la configuraci6n de polarizaci6n
fija de la figura 4.10 el con0 circuito se aplic6, causando que el voltaje a travks de Rc se
conviena en el voltaje aplicado VCc La coniente de saturaci6n resultante para la configuracion
Figura 4.9 Determinacibn de ICU, de p o l ~ z a c i 6 nfija es
Ra I +
VCE= ov
-
Figura 4.10 Determinacibn de para
I la configuraci6n de polarization fija.
Una vez que I,_ se conoce puede tenerse idea de la comente maxima posible del colectorpara el
diseiio escogido, y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificaci6n lineal.
Las caracterkticas de salida del transistor tarnbikn relacionan las dos variables lc y VCEcomo
-
se muestra en la figura 4.11b.
En esencia, se tiene una ecuacion de redes y un conjunto de caracteristicas que utilizan las
mismas variables. La soluci6n cornun de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones
establecidas por cada una de manera simultanea. Esto es similar a encontrar la soluci6n para
dos ecuaciones simuhaneas: una establecida por la red y la otra por las caracteristicas del
dispositivo.
Las caracteristicas del dispositivo de Ic en funci6n de VcE se ofrecen en la figura 4.11h.
Ahora, se debe superponer la linea recta definida pot la ecuacidn (4.12) sobre las caracteristicas.
El mCtodo mis direct0 para graficar la ecuacion (4.12) sohre las caracteristicas de salida es
rnediante el hecho de que una linea recta se encuentra definida par dos puntos. Si se elige que
lc sea 0 mA, entonces se especifica el eje horizontal como la linea sohre la cual esti localizado
un punto. A1 sustituir Ic = 0 mAen la ecuacion (4.12), se encuentra que
Ahora, si se elige que VcE sea 0 V, lo que establece al eje vertical como la linea sobre la
cud estaradefinido el segundo punto, se tiene que 1,esta determinado por la siguiente ecuacion:
0 = vcc - I&
I "cc "cr
Fgua 4.14 Efecto de 10s niveles crecientes de R,sobre la
Rgura 4.13 Movimiento del purlto Q con niveles crecientes de I, recta de carga y el punto Q.
Flgura 4.15 Electo de valores
pequenos de Vcc sobre la recta de
carga y el punto Q.
Dada la recta de carga de la figura 4.16 y el punto Q definido, calcule 10s valores requeridos de EJEMPLO 4 3
Vcc, R, y R, para la configuration de polarization fija.
Soluci6n
A partir de la figura 4.16
Malla emisor-base
La malla emisor-base de la red de la figura 4.17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica
en la figura 4.18. La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de
las manecillas del reloj darh por resultado la siguiente ecuacion:
+Vc, - I#, - V,, - I$, =0 (4.15)
Recuerde del capitulo 3 que
1, = (P + 1)1, (4.16)
Sustituyendo por I, en la ecuaciou (4.15) resultari
Vcc - 1 8 , - v,, - (P + l)I#, =0
La a,mpaci6n de 10s terminos ofrecerri lo siguiente:
-I,(R, + (P + l)RE) + Vcc - VBE = 0
Multiplicando por (-1) se tiene
+ (B + l)RE) - VcC + VBE = 0
con I,(R, + (P + l)RE) = Vcc - vBE
y resolviendo para I, da
+- c
es el caso de la red de la figura 4.19. La solucion para la corriente I, dari por resultado la Rgura 4.20 Nivel reflejado de
misma ecuacion obtenida. Obskwese que ademis del voltaje de la base a1 emisor V, el irnpedancia de R,
resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ( p + 1 ) . En
otras palabras, el resistor del emisor, que forma pane de la malla colector-emisor, "aparece
como" ( p + l)REen la malla de la base a1 emisor. Debido a que Pes normalmente 50 o mis,
el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. Por tanto, para la
configuration de la figura 4.20,
La ecuacion 4.18 puede ser de utilidad en el anilisis que seguiri a continuaci6n. Ofrece
una forma relativamente sencilla para recordar la ecuaci6n (4.17). Utilizando la ley de Ohm, se
sabe que lacomente a traves de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito.
Para el circuito de la base a1 emisor, el voltaje neto es Vcc - V,,. Los niveles de resistencia son
R, mas RE reflejado por (P + 1). El resultado es la ecuacion (4.17).
Malla colector-emisor
La malla colector-emisor esti dibujada de nuevo en lafigura 4.21.La ley de voltaje de Kirchhoff
para la malla indicada en la direction de las manecillas del reloj dari por resultado
o (4.22)
(4.23)
I
v, v*, + v,
= (4.24)
v2 4
el circuito cuando cambian las condiciones extemas, como la temperatura y la beta del transis-
tor. Mientras que un analisis matematico se ofrece en la section 4.12, puede obtenerse una
comparaci6n de la mejona como lo demuestra el ejemplo 4.5.
Prepare una tabla y compare las comentes y voltajes de polarizaci6n de 10s circuitos de la EJEMPLO 4 5
figura 4.7 y la figura 4.22, para el valor dado de = 50 y para un nuevo valor de P = 100.
Compare tambien 10s cambios en lc y VcEpara el mismo incremento en P.
Solucion
Si se utilizan 10s resultados calculados en el ejemplo 4.1 y se repiten para un valor de P = 100,
se genera lo siguiente:
Se aprecia un cambio del 100% en la comente del colector de BIT debido a1 cambio del 100%
en el valor de p. I,es el mismo y VcEdisminuye 76%.
Utilizando 10s resultados del ejemplo 4.4 y despuCs repiti6ndolos para un valor de 0 =
100,da lo siguiente:
Ahora, la coniente del colector del BJT se increments aproximadamente 81% debido al 100%
de incremento en P. Notese como I, disminuye, y ayuda a mantener el valor de Ic, o por lo
menos reduce el cambio total en 1, debido a1 cambio en P. El cambio en VCEha caido cerca del
35%. La red de la figura 4.22 es, por tanto, m b estable que la de la figura 4.7 para el mismo
cambio en p.
Nivel de saturaci6n
El nivel de sa~raci6ndel colector o la comente m k i m a del colector para un disefio de
polarizacion en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo mktodo aplicado para la
configuration de polarizaci6n fija: se aplica un con0 circuito enhe las terminales del colector-
emisor como se muestra en la figura 4.23, y luego se calcula la comente del colector resultan-
te. Para la figura 4.23:
que es mis o menos el doble del nivel de IcO para el ejemplo 4.4.
como se muestra en la figura 4.24. Los diferentes niveles de I, 0 desplazarin, desde luego, el
punto Q hacia aniba o hacia abajo de la recta de carga.
circuito que fuera menos dependiente 0, de becho, independiente de la beta del transistor. La
red a la que nos referimos es configuration de polan'zacion par divisor de voltaje de la figura
4.25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a 10s cambios en beta, resulta ser muy
pequeiia. Si 10s parrimenos del circuito se eligen adecuadamente, 10s niveles resultantes de
ICQ y de VcEp pueden ser casi totalmenre independientes de beta. Recuerde que en anilisis
antenores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de IcQ y de V,,. coma se muestra en la
figura 4.26.El nivel de I cambiari con el cambia en beta, pero el ?unto de operaci6n definido
Bc2
sobre las caractensticas par Icpy VcEo puede permanecer fijo si se utilizan 10s parimetros
adecuados del circuito.
Como antes se o b s e ~ 6existen
, dos mitodos que pueden aplicarse para analizar la confi-
guracion del divisor de voltaje. El motivo principal para elegir 10s nombres en esta configura-
ci6n sera mas obvio en el anilisis que sigue. El primer0 que varnos a demostrar es el m2todo
exacto que puede aplicarse en cualquier configuraci6n de divisor de voltaje. A1 segundo se le
llama mktodo aproximado y puede introducirse s61o si son satisfechas las condiciones especi-
ficas. El mktodo aproximado permite un analisis mris direct0 con un mayor a h o l ~ en
o tiempo y
en energia. Tambien es mas util en el modo de diseiio que sera descrito en una seccion poste-
rior. En conjunto, el mitodo aproximado puede aplicarse a la mayoria de las situaciones y, par
tanto, debe ser examinado con el mismo inter& que el mttodo exacto.
Anaisis exacto
El lado de entrada de la red de la figura 4.25 puede volver a dibujarse segun se muestra en la
figura 4.27 para el anilisis en dc. La red equivalente Thivenin a la izquierda de la terminal de
la base puede encontrarse de la siguiente manera:
1
Thevenin
Rgura 4.27 Redibujo de la rnalla de
entrada de la red de la figura 4.25.
(4.28)
E,,: La fuente de voltaje VCC regresa a1 circuito y el voltaje de circuito abieno Thtvenin
T
4,28 ~
figura ~de R,. de~la figura 4.29
~ se calcula ~
de la siguiente
~ manera: ~ ~ ~ ~
La aplicacion de la regla del divisor de voltaje:
DespuCs se vuelve a dibujar la red Thtvenin como se muestra en la figura 4.30 e IBQ
puede calcularse a1 aplicar primer0 la ley de voltaje de Kirchhoff en la duecci6n de las manecillas
del reloj para la malla que se indica:
- E T ~- IBRT~- "BE - I E ~ E= 0
Aunque la ecuacion (4.30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes,
obsimese que el numerador es, una vez mas, una diferencia de dos niveles de voltaje y que el
denominador es la resistencia de la base mas el resistor de emisor reflejado por ( p + 1), ciena-
mente muy similar a la ecuaci6n (4.17).
Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la
misma manera como fueron desarrolladas para la configuracion de polarization en emisor.
Esto es,
(4.31)
I
ngura
4.30 ~ ~del circuito
~ ~que es exactamente
~ ~ la misma
i que
b la ecuaci6n
~ (4.19).Las ecuaciones restantes para VE,V , y VB
equivalente de ThCvenin. son las mismas que se obtuvieron para la configuraci6n de polarizaci6n en emisor.
EJEMPLO 4.7 Determine el voltaje de polarizaci6n de dc VcEy la corriente Ic para la siguiente configuracion
de divisor de voltaje de la figura 4.3 1.
1 -
I
F w r a 4.31 Circuito para beta estabilizada
para el ejemplo 4.7.
R,Vcc
La ecuacion (4.29): ETh = - -
R, + R?
A n x i i s aproximado
La secci6n de enuada de la configuraci6n del divisor de voltaje se representa por la red de la
figura 4.32. La resistenciaR, es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor
con un resistor de emisor RE.Recuerde que, como se vio en la secci6n 4.4 [ecuacion (4.1811, la
resistencia reflejada entre la base y el emisor esta definida par Ri = (P + I)RE. Si R i es mucho
mayor que la resistencia R2, la coniente I, seri mucho menor que I? (la coniente siempre
busca la trayectoria de menor resistencia), e I2 sera aproximadamente igual a I,. Si se acepta la
aproximacion de que 1, es esencialmente cero comparada con I , o I?, entonces I, = I 2 y R, Y R2
pueden considerarse elementos en sene. El voltaje a travts de R2, que en realidad es el voltaje
Debido a que R8= (P + ~)R,E PR,, la condicion que definir6,en caso que pueda aplicarse
a la aproximaci6n, ser6 la siguiente:
En otras palabras, si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R,, la
aproximacidn podri aplicarse con un alto grado de precision.
Una vez determinado VB,el nivel de VEpuede calcularse a partir de
(4.37)
EJEMPLO 4.8 Repita el an6lisis de la figura 4.31 utilizando la ttcnica aproximada y compare las soluciones
Para ICp y Para '
Soluci6n
Probando:
Obdmese que el nivel de V , es el misrno que para EThcalculado en el ejemplo 4.7. Por
tanto, esencialmente laprincipal diferencia entre las tkcnicas aproximada y exacta es el efecto
de RThen el anilisis exacto que separa E,, y V,.
- - ~-
-- -
Repita el analisis exacto del ejemplo 4.7 si /I se reduce a 70 y compare las soluciones para Ic, y EJEMPLO 4.9
para ' C E Q '
Este ejemplo no trata de la comparacion de 10s mktodos exactos en funci6n de uno aproxima-
do, sino de probar cuinto se moveri el punto Q si el nivel de P se corta por la mitad. R,, y ETh
son 10s mismos:
Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuit0 hacia el cambio en P.
Aunque fi se cone drbticamente a la mitad, de 140 a 70,los niveles de IcQy de VcEQ son en
esencia 10s mismos.
EJEMPLO 4.10 Determine 10s niveles de Ica y de VcEQpara la configuration del divisor de voltaje de la figura
4.33, utilizando las tCcnicas exacta y aproximada para comparar las soluciones. En este caso
las condiciones de la ecuaci6n (4.33) no serin satisfechas, per0 10s resultados revelarin la
diferencia de la soluci6n si se ignora el criterio de la ecuaci6n (4.33).
Anilisis exacto:
La ecuaci6n (4.33): PRE t 10R2
(50)(1.2 kR) 2 lO(22 kR)
60 kR 2 220 kR (no sarisfecha)
R, = R , l l ~ ,= 82 kR1122 kR = 17.35 kR
IB= En - v~~ -
- 3.81 V - 0.7 V - 3.11 V
R,, + (fi + l)RE 17.35 kR + (51)(1.2 kR) 78.55 kR
Analisis aproximado:
I
C" "CEO
Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada. I es aproxima-
CQ
damente 30% mas grande con la soluci6n aproximada; mientras que VCE es mas o menos 10%
menor. Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a magnitul, per0 aunque PREes
solo tres veces mas grande que R,,los resultados son todavia cercanos uno del otro. Sin embar-
go, para el fnturo el anilisis ser6 dictado por la ecuacion (4.33) para asegurar una similitud
entre las soluciones exacta y aproximada.
El nivel de I, desde luego se determina mediante una ecuaci6n diferente para las configuracio-
nes de polarizaciOn por divisor de voltaje y de polarizaci6n en emisor.
Malla baseemisor
La figura 4.35 muestra la malla base-emisor para la configuracion de retroalimentacion de
voltaje. La aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las
manecillas del reloj dari por resultado
Vcc - I;Rc - I#, - V,, - I P E = 0
'CC -
PIPC - - ' B E - P1$B =O
C - F, ,,'
Sin embargo, el nivel de I, e 1: supera por mucho el nivel normal de I, y la aproximaclon I
=
I, por lo general se utiliza. Sustituyendo I: 5 Ic = PI, e I, Ic resultar6
El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar alas ecuaciones
para I, obtenidas para configuraciones anteriores. El numerador es de nuevo la diferencia
entre 10s niveles disponibles de voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de la
base mas 10s resistores del colector y del emisor reflejados por beta. Por tanto, la trayectoria
de retroalimentaci6n da por resultado un reflejo de la resistencia Rc de regreso a1 circuit0 de
entrada, muy similar al reflejo de RE.
En general, la ecuacion para 1, ha tenido el siguiente formato:
V'
I, =
R, + PR'
con la ausencia de R' para la configuraci6n de polarizaci6n fija, R' = RE para la configuracion
de polarization en ernisor (con (P + I ) s B), y R' = Rc + RE para la configuraci6n de retroali-
mentacion del colector. El voltaje V'es la diferencia entre 10s dos niveles de voltaje.
En general. mientras m k grande sea PR' comparado con R,, menor sera la sensibilidad de lc
a las variaciones en beta. Obviamente, si PR' *
R, y R, + PR's PR', entonces
R
e JcR es independiente al valor de beta. Debido a que R' nomalmente es mayor para la confi-
guracion de retroalimentaci6n de voltaje que para la configuraci6n de polarizaci6n en emisor,
la sensibilidad a las variaciones en beta seri menor. Desde luego, R' es cero ohms para la
configuracion de polarizacion fija y por tanto bastante sensible alas variaciones en beta.
/:I I
Malla colectoremisor
La malla colector-emisor parala red de la figura4.34 se presenta en lafigura4.36. La aplicacion
de la ley de voltaie de Kirchhoff para la malla indicada en la direcci6n de las manecillas del
reloj dara por resultado
JERE + VcE + I i R , - Vcc = 0
=
Debido a que I: E Ic y que IE IC,se tiene
Determinar 10s niveles de reposo de JcQ y de VmQ para la red de la figura 4.37 EJEMPLO 4.11
'CC - 'BE
Ecuacion (4.41): I, =
R, + P(Rc + RE)
10 V - 0.7 V
-
250 k.Q + (90) (4.7 k n + 1.2 kR)
rQ fl
= PI, = (90) ( 1 1.91 PA)
'c, 8 =90
= 1.07 mA
EJEMPLO 4.12 Repetir el ejemplo 4.11 utilizando una beta de 135 (50% mas que en el ejemplo 4.11).
Condiciones de saturation
Utilice la aproximaci6n de 1; = I, que es una ecuacion para la comente de saturacion, y resulta
ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarizacion en
emisor. Esto es
Soluci6n
a) La ausencia de RE reduce la reflexi6n de 10s niveles resistivos s610 al de Rc y la ecnacion
para I, se reduce a
IB = Vcc - VBE
RE + BRc
- 20 V - 0.7 V 19.3 V
-
-
680 kR + (120)(4.7 kn) 1.244 MR
= 15.51 pA
IcQ = PI, = (120)(15.51 pA)
= 1.86 mA
= 'CC I$c
-
= 20 V - (1.86 mA)(4.7 W2)
= 11.26 V
V, = V,, = 0.7 V
V, = VcE = 11.26 V
V,=OV
V,, = V, - Vc = 0.7 V - 11.26 V
= -1056 V
Solucib
La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff en la direction de las manecillas del reloj para
la malla base-emisor darri por resultado
La sustitucion genera
Solucib
La aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff a1 circuito de entrada dara por resultado
RB + ( B + l)RE
Sustituyendo 10s valores queda
Determine el voltaje VcB y la corriente I B para la configuracion de base cornun de la EJEMPLO 4.17
figura 4.42.
- -- ~ -
El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicacion del teorerna de Thtvenin
para determinar las incognitas deseadas.
EJEMPLO 4.18 Especifique Vc y VB para la red de la figura 4.43
Solucian
La resistencia y voltaje Thkenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base,
como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.
R,.,,:
R,, = 8.2 kRll2.2 k R = 1.73 kR
I = v~~ + v~~ -- 20 v+ 20 v - 40 V
Luego la red puede ser redibujada segiin se muestra en la figura 4.46, donde la aplicacion
de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado
LI Figura 4.46 Sustitucibn del circuito
V, = -2OV equivalente de Thevenin.
EJEMPLO 4.19 Dadas las caractensticas del dispositivo de la figura 4.47a, determinar Vcc, RB y R, para la
configuraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.47b.
--
(a) (b) Figura 4.47 Ejemplo 4.19.
De la recta de carga
con
Los resistores de valores esthdar:
R, = 2.4 kn
R, = 470 W2
El uso de resistores de valores estindar dan
I, = 41.1 PA
la cual se encuentra dentro del 5% del valor especificado.
Dado IcQ= 2 mA y VcE, = 10 V, deteminar R, y Rc para la red de la figura 4.48. EJEMPLO 420
con
Para 10s valores estindar:
El analisis que sigue presenta una tecnica para el diseiio de un circuito complete, pensado
para operar en un punto de polarizacion especifico. A menudo. las hojas de especificaciones
del fabricante ofrecen informaci6n sobre un punto de operacion sugerido (o regi6n de operaci6n)
para un transistor en particular.Ademk, 10s otros componentes del sistema conectados a una
etapa de amplificaci6n dada pueden definir tambitn la excursion de la comente, la excursion
del voltaje, el valor del voltaje de la fuente comun, y asi sucesivamente para el diseiio.
En la prictica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la
selection del punto de operaci6n que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos
concentraremos en la determination de 10s valores de 10s componentes para encontrar un punto
de operaci6n especifico. El analisis estara limitado a las configuraciones de polarizaci6n en
emisor y a la de polarizacion por divisor de voltaje, aunque el mismo procedimiento puede
aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.
EJEMPLO 4-22 Determine 10s valores de 10s resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operacion
y el voltaje de la fuente de alimentacion.
- V, VcE - V, 20 V - 8 V - 2 V 10 V
R,=-- " R ~ -
-
- =-
Ic 'c 10 mA 10 mA
(1.6 kR)(20 V)
V,, = 2.7 V =
El diseiio ideal para el proceso de inversi6n requiere que el punto de operaci6n conmute
de cone a la saturation, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para
estos prop6sitos se asurnid que Ic = IcEo = 0 mA cuando I, = 0 p A (una excelente aproximaci6n
de acuerdo con las mejoras de las tkcnicas de fabricaci6n1, como se muestra en la figura 4.52b.
Ademis, se asumirri que Vc, = VcEsa,= 0 V en lugar del nivel tipico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi= 5 V, el transistor se encontrari "encendido" y el diseiio debe asegurar que la
red est&saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva I B , que aparece
cerca del nivel de saturaci6n. La figura 4.52b requiere que IB > 50 pA. El nivel de saturaci6n
para la comente del colector y para el circuit0 de la figura 4.52a estA definido por
Los resultados del nivel de I, en la region activa justo antes de la saturation pueden aproxi-
marse mediante la siguiente ecuaci6n:
Por lo mismo, para el nivel de saturacion se debe asegurar que la siguiente condicion se
satisfaga:
la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de I, mayor que 60 pA pasara a travCs del
punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical.
Para V,= 0 V, I, = 0 pA,y dado que se esta suponiendo que Ic = lo = 0 mA.el voltaje cae
a travks de Rc como lo determino VRc = I$, = 0 V ,dando por resultado Vc = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a.
Ademis de su contribution en 10s circuitos logicos de las computadoras, el transistor se
puede utilizar como un intemptor, si se emplean 10s extremos de la recta de carga. En la
saturacion la coniente Ic es muy alta y el voltaje VCEmuy bajo. El resultado es un nivel de
resistencia entre las dos terminales determinado por
lc,,,
y descrito en la figura 4.53.
Para Vi= 0 V como lo vemos en la figura 4.54, la condici6n de corte ocasionari un nivel de
resistencia de la siguiente magnitud:
Solucion
En la saturaci6n:
"cc
'c,~,= -
Rc
asi que
e 1, = 62 pA > ------- -
- 40 @,
4'
Por tanto. use R, = 150 kR y R, = 1 kQ.
J. J.
I
t
ngura 4.56 Deiinici6n de 10s intervalos de tiempo de una formade onda de pulso.
El tiempo total que requiere un trarsistor para cambiar del estado "encendido" a1 "apaga-
do" se le conoce como laparadoy se define asi
(4.48)
donde r, es el tiempo de alrnacenamiento y rfes el tiempo de bajada del90 a1 10% del valor
inicial.
Al comparar 10s valores anteriores con 10s siguientes parametros de un transistor de conmutacion
BSV52L, se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutacidn cuando surge
la necesidad de este.
El arte de la localization de fallas es un tema tan amplio. que no puede ser cubieno un rango
tan lleno de posibilidades y de tecnicas en unas cuantas secciones de un libro. Sin embargo, un
practicante debe estar enterado de unas cuantas maniohras y medidas que pueden aislar el irea
de problema, y posiblemente encontrar una solucidn.
Es muy obvio que el primer paso para poder resolver un problema en una red es entender
el ~om~ortarniento de la misma y teneralguna idea de 10s niveles de voltaje y coniente esperados.
Para el transistor que esti en la regidn activa el nivel dc mesurable mas importante es el voltaje
emisor-base.
Para el amplificador fpico a transistor que estir en la regibn aetiva, VCEesta por lo
general entre el 25 y el 75% de Vcc.
"lit - Para Vcc = 20 V una lectura de V, entre 1 y 2 V o entre 18 y 20 V como se mide en la
ngura 4.57 Verification dei nivei figura 4.58, es cieno que es un resultado fuera de lo comlin, y a menos que se conozca otro
dc de VBE disefio para esta respuesta, deben investigarse tanto el disefio como la operaci6n. Si VcE= 20 V
(con Vcc = 20 V) existen por lo menos dos posibilidades: o bien el dispositivo (BJT) estrl
91' ., I
0.3 V = saeraci6n
~
O V = estado de -no c i ~ u i t o
ode conexi6n ~ o b r e
o mar
u
Normalmentc unos cuanior volts
::T
voltaje resultante a traves de Rc Clara" por resultado una lectura de 20 V. Si el medidor esti
conectado a la terminal del colector del BJT, la lectura serii de 0 V, porque V,, esta blo-
queado del dispositivo activo por un circuito abierto. Uno de 10s errores m i s comunes en
la experiencia de laboratorio es el uso del valor err6neo de la resistencia para un disefio
dado. Imagine el impact0 del uso de un resistor de 680 R para R, en lugar del valor de
disefio de 680 kR. Para Vcc = 20 V y una configuration de polarizacion fija. la corriente
de base resultante seria /
I
20 V - 0.7 V
IB = = 28.4 mA
680 R Figura 4.59 Efecto de una
conexion pobre o un dispositivo
en lugar del valor deseado de 28.4 PA, juna diferencia significativa! dailado.
Una corriente base de 28.4 mA es cierto que colocaria al disefio en una region de
saturation y es posible que se dafie el dispositivo. Ya que 10s valores reales de los resistores
a menudo son diferentes de 10s valores de 10s codigos de color nominales (recuerde que
los valores de tolerancia de 10s resistores), es una buena inversion de tiempo hacer la
medicion de un resistor antes de insertarlo en la red. El resultado serii tener valores reales
mas cercanos a 10s niveles teoricos y cierta seguridad de que el valor correcto de la resis-
tencia se utiliza.
Hahri momentos en que suigira la frustration. Se habra verificado el dispositivo en un
trazador de curvas u otro instrumento para probar BJT y parecera correcto. Todos 10s niveles
de los resistores parecen adecuados, las conexiones se ven solidas y se ha aplicado la fuente
adecuada de voltaje, iqu&sigue? Ahora, la persona encargada de resolver el problema debe
esforzarse para lograr un mayor nivel de sofisticacion. podr ria ser que la conexion interna
entre el cable y la conexion final de una punta esti daiiada? iCuantas veces el simple hecho
de tocar una punta crea una situation "correcta o incorrecta" entre las conexiones? Quiz6 la
fuente fue encendida y ajustada en el voltaje correcto, pero el control de limitation de co-
mente se dejo en cero, evitando el nivel adecuado d e corriente segfin lo demanda el disefio
de la red. Obviamente, mientras m L sofisticado es el sistema, mas extenso el rango de
posibilidades. En cualquier caso, uno de 10s mitodos mas efectivos para verificar la opera-
ci6n de una red es probando varios niveles de voltaje respecto a la tierra y a1 conectar la
punta de pmeba negra (negativa) de un volmetro a tierra y "tocando" las terminales impor-
tantes con la punta de prueba roja (positiva). En la figura 4.60, si la punta roja se conecta
directamente a Vc,, se deben leer VCc volts, porque la red tiene una tierra comun para la
fuente y 10s componentes de la red. En V, la lectura debe ser menor por la caida a travCs de
R, y V, debe ser menor que Vc por el voltaje colector emisor VcE.La falla en cualquiera "CC
de estos dos puntos siwe para registrar lo que podna parecer un nivel razonable y ser
autosuficiente para definir la falla o el elemento defectuoso. Si V R cy V R cson valores razo-
nahles pero V,, = 0 V,existe la posibilidad de que el BJT este dafiado y presente un equiva-
lente de cono circuito entre las terminales del colector y del emisor. Antes dijimos que si VcE
registra un nivel de aproximadamente 0.3 V, como seiiala VCE= VC - V E (la diferencia entre
10s dos niveles como se midi6 miba), la red puede estar saturada con un dispositivo que est6
o no defectuoso.
Pareceria obvio, a partir del analisis anterior, que la seccion de volmetro de un VOM
o DMM es muy importante en el proceso de localizaci6n de fallas. Por lo general, 10s
niveles de corriente se calculan a partir de 10s niveles de voltaje a traves de 10s resistores,
en lugar de "romper" la red para insertar la seccion de miliamperimetro de un multimetro.
En 10s diagramas grandes se ofrecen 10s niveles especificos de voltaje respecto a la tierra,
para facilitar la verification e identification de las posibles areas d e problemas. Para las Figurn4,60 Veriiicacidn de los
redes cubienas en este capitulo se deben considerar 10s niveles tipicos dentro del sistema, ,,iveies de voltale respecto a
como lo definio el potencial aplicado y la operaci6n general de la red. tierra.
EJEMPLO 425 Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4.61 para detenninar si la red esti
operando adecuadamente, y si no lo esti, encontrar la posible causa.
Por tanto, el resultado es que el transistor esta daiiado en una condicidn de corto circuito entre
la base y el emisor.
EJEMPLO 426 Basindose en las lecturas que aparecen en la figura 4.62, determinar si el transistor se encuen-
tra"encend'idon y si la red esta operando de manera corrects.
Si nos basamos en 10s valores de 10s resistores R , y R? y la magnitud de Vcc, el voltaje V, =
4 V parece adecuado (y de hecho lo es). Los 3.3 V en el emisor son el resultado de una caida de
0.7 V a travis de la union base-emisor del transistor lo que sugiere un transistor "encendido".
Sin embarxo. 10s 20 V en el colector revelan que lc = 0 mA. aunque la conexion a la fuente
debe ser "solida" o 10s 20 V no aparecerian en el colector del dispositivo. Existen dos posibi-
lidades: o bien puede existir una conexion pobre entre Rc y la terminal del colector del transis-
tor. o el transistor tiene abierta la union base-colector. Primero se verifica la continuidad en la
union del colector utilizando un 6hmetro. y si esti bien. debe verificarse el transistor usando
uno de 10s mitodos descritos en el capituio 3.
Hasta ahora. el analisis se ha limitado totalmente a 10s transistores npn para asegurar que el
anilisis inicial de las configuraciones basicas sean lo mis claras posible y simplificadas para
no intercambiar entre 10s tipos de transistores. Por fortuna. el analisis de 10s transistores pnp
sigue el mismo patron que se establecio para 10s transistores npn. Primero se calcula el nivel de
I,, sexuido por la aplicacion de las relaciones adecuadas de 10s transistores para determinar la
lista de las cantidades que se ignoran. La unica diferencia entre las ecuaciones resultantes para
una red en la que se reemplazo un transistor npn por un transistor pnp es la seiial asociada con
las cantidades en particular.
Como se observa en la figura 4.63. la nolacion de doble subindice continiia de manera
normal. como ya se menciono. Sin embargo. las direcciones de las corrientes se invirtieron
para reflejar las direcciones reales de conduccion. En caso de que se utilicen las polaridades
definidas de la figura 4.63, tanto V,, como VcEseran cantidades negativas.
La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla base-emisor darli por resultado la
siguiente ecudci6n para la red de la figura 4.63:
La ecuacion resultante es la misma que la ecuacion (4.17) except0 por el signo para VBE.
Sin embargo, en este caso VBE= -0.7 V y la sustituci6n de 10s valores resultara el mismo signo Figura 4.63 Transistor pnp en
para cada termino de la ecuacion (4.49) y la ecuacion (4.17). Considere que la direction de I , una configuraci6nde
ahora se definio como opuesta para un transistor npn, segin la figura 4.63. estabilizacion en emisor.
Para Vc, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor, dando por
resultado la siguiente ecuacion:
Sustituyendo I, r Ic da
La ecuacion resultante tiene el mismo formato que la ecuacion (4.19). per0 el signo antes
de cada tennino en el miembro de la derecha ha cambiado. Debido a que Vcc sera mayor que
la magnitud dei ttrmino subsiguiente, el voltaje VcE tendra un signo negative, como se pudo
observar anteriormente.
Solucion
Probando la condition
PRE 2 IOR,
da pot resultado (120)(1.1 k n ) 2 lO(10 kR)
132 kR 5 100 kR (satisfecha)
Si se resuelve para V, se tiene
Obdmese la similitud en el formato de la ecuaci6n con el voltaje resultante negativo para V,.
La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera
+VB - VBE - VE = 0
Y v, = v, - V,,
Sustitnyendo 10s valores, se obtiene
N6tese c6mo en la ecuacion anterior se utiliza la notacion de subindice sencillo y doble. Para
un transistor npn la ecuaci6n VE = V, - VBEseria exactamente la misma; la unica diferencia
aparece cuando se sustituyen 10s valores.
La coniente
La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red bacia las vaiaciones
en sus parametros. En cualquier amplificador que utiliza un transistor, la corriente del colector
I, es sensible a cada uno de los siguientes parimetros:
p: se incrementa con el aumento en h temperatura
I V,, / :decrece aproximadamente 7.5 mVpor incremento en grado Celsius ('C) en la
temperatura
bo(corriente de saturacihn inversa): dnplica su valor par cada 10 "Cde incremento
en la temperatura
Cualquiera o todos estos factores pueden causar que el punto de polarizaci6n cambie del
punto de operacion diseiiado. La tabla 4.1 describe la forma en que ICo y VBEcambiaron con
el incremento en la temperatura para un transistor en particular. A temperatura ambiente (cerca
de 25 'C) Ice = 0.1 nA, mientras que a 100 OC (punto de ebullition del agua) ICoes aproxima-
damente 200 veces mayor a 20 nA. Para la misma variation en temperatura, P se increment6
de 50 a 80 y VBEcay6 de 0.65 a 0.48 V. Recuerde que I, es muy sensible al nivel de VHE.
especialmente para 10s niveles mas all&d d valor del umbral.
El efecto de 10s cambios en la corriente de fuga (I,,) y la ganancia de comente (fg sobre el punto
de polarizacion de dc se demuestra par las caractensticasde colector para emisor-comh de las-,if
4.65a y 4.65b. La fi,wa 4.65 muestra la foima como cambian las caractensticas de colector del
transistor desde una tempetawade 25 "C a una tempetawade 100 'C. Obsirvese que el incremento
si-acativo en la comente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que tambikn
existe un incremento en la beta,s e g n se observa a travCs del mayor espaciamiento enhr: las curvas.
Se puede especificar un punto de operacion mediante el dibujo de la recta de carga de dc
del circuito sobre la grifica de las caractensticas de colector, y notando la intersection de la
recta de carsa y la comente de base de dc establecida por el circuito de entrada. Se marca un
punto de forma arbitraria en la tigura 4.6% en 1, = 30 pA. Debido a que el circuito de polarizacion
fija proporciona una comente debase cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la
fuente de alimentacion y el resistor de la base, ninguno se ve afectado por la temperatura o el
cambio en la comente de fuga o en la beta, pero existira la misma magnitud de la comente de
base a altas temperaturas, segun se indica en la grifica de la figura 4.65b. Como lo muestra la
figura, dari por resultado el cambio del punto de polarizacion de dc a una mayor coniente de
colector y a un menor volraje colector-emisor en el punto de operaci6n. En el extremo, el
transistor no podria llevarse a saturacion. En cualquier caso, el nuevo punto de operacion
puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsion considerable debido al cambio del punto
de polarizaci6n. Un mejor circuito de polarizaci6n es el que estabilizari o mantendri la polari-
En cada caso el simbolo delta (A) significa un cambio en dicha cantidad. El numerador de cada
ecuacion es el cambio en la corriente del colector, segun se establecio mediante el cambio de
la cantidad en el denominador. Para una configuraci6n en particular, si un cambio en lco
no puede producir un cambio significative en I,, el factor de estabilidad definido por S(l,,) =
Al, IAI,, sera muy pequeiio. En otras palabras:
Las redes que son rnuy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la
temperatura tienen bajos factores de estabilidad.
Pareceria mas apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las
ecuaciones (4.51 a 4.53) como 10s factores de sensibilidad porque:
Mientras mas alto es el factor de estabilidad, mayor sensibilidad tendrir la red a Ins
variaciones de dicho parametro.
El estuaio de 10s factores de estabilidad requiere de: conocimiento del c.dlculo diferencial.
Sin embargo, el proposito aqui es revisar 10s resultados del anilisis matemitico y realizar una
evaluaci6n total de 10s factores de estabilidad para las configuraciones de polarizaci6n m i s
comunes. Gran cantidad de literatura referente a este tema esti disponible. y si el tiempo lo
permite se le propone leer mas acerca del tema.
S(1cJ:
CONHGURACIONDE POLARIZACION EN EMISOR
En anilisis de la red para la configuraci6n de polarizacion en emisor darli por resultado
(4.54)
revelando que el factor de estabilidad se acercara a su nivel mas bajo mientras RE se vuelve lo
suficientemente grande. Sin embargo, considere que un buen control de la polarizaci6n nor-
malmente requiere que R B sea mayor que R,. Por tanto, el resultado es una situaci6n donde 10s
mejores niveles de estabilidad estin asociados con un criterio pobre de disefio. Obviamente,
debe existir un cornpromiso que satisfaga tanto a la estabilidad como alas especificaciones de
polarizacion. Es importante observar en la figura 4.66 que el valor mas bajo de S(l& es 1,
revelando que Ic siempre se incrementara a un ritmo igual o mayor que I,,.
Para el rango donde R,/R, fluctua entre 1 y (P + I), el factor de estabilidad se encontrar5
determinado por
EJEMPLO 428 Calcular el factor de estabilidad y el cambio en Ic desde 25 "C hasta 100 % para el transistor
definido por la tabla 4.1 para los siguientes arreglos de polarizaci6n en emisor.
a) R, I RE = 250 (R, = 250RE).
b) R, I RE = 10 (R, = ]OR,).
c) R,lRE=O.Ol(RE=lOORB).
Solucion
-
1 250 25 1
51 + 250 301
4253
la cual empieza a acercarse al nivel definido par + 1 = 51
AIc = [S(l,o)l(Ncl,,) = (42.53)(19.9 nA)
E 0.85 pA
= 1.01
la cual se encuentra muy cercana al nivel de 1 del pronostico si R,IRE <I
El ejemplo 4.28 revela como 10s niveles m b bajos de Ico para el transistor BJT modemo
mejoraron el nivel de estabilidad de las confi,waciones de polarizaci6n bisicas. Aun cuando el
cambio en lces considerablementediferente en un circuit0 con una estabilidad ideal (S = l), de uno
con un factor de estabilidad de 42.53.el cambio en I, de una comente en dc que se fij6,por ejemplo,
en 2 mA, seria de 2 mA a 2.085 mA en el peor caso, lo cual es obviamente lo suficientemente
pequeiio como para que lo ignoren la mayoria de las aplicaciones.Alpnos transistores de potencia
exhiben mayores comentes de fuga, per0 para la mayor parie de 10s circuitos amplificadores 10s
niveles m b bajos de Icohan tenido un impact0 muy positivo sobre la cuesti6n de la estabilidad.
(4.58)
Obsimese que la ecuaci6n resultante asemeja el valor miximo para la configuracidn de
polarizacion en emisor. El resultado es una configuraci6n con un factor de estabilidad pobre y
una alta sensibilidad alas variaciones de Ice.
Notense las similitudes con la ecuaci6n (4.54), donde se determino que XIm) tenia su
nivel mb bajo y la red tenia su mayor estabilidad cuando RE > R,. Para la ecuacion (4.59), la
condicion correspondiente es RE > RTho bien, R,,IRE debe ser tan pequeiio como sea posible.
Para la configuracion de polarizaci6n por divisor de voltaje_RTh
puede ser mucho menor que la
correspondiente Rg en la configuraci6n de polarizaci6n en emisor y aun asi tener un disefio
efectivo. ngura 4.67 Circuito equivalente
para la confiiguracicin de divisor
de voltaje.
Configuracion de polarizacion por retroalimentacion (RE= 0 Q)
En este caso,
Debido a que la ecuaci6n es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de
polarizaci6n en emisor y de polarizacion por divisor de voltaje_tambiin aqui pueden aplicarse
las mismas conclusiones respecto a la relacion de RB lRc.
Impacto fisico
El tipo de ecuaciones que se desarrollaron aniba, a menudo fallan en cuanto a proporcionar un
sentido fisico para el motivo, por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen.
Ahora se sabe de 10s niveles relativos de estabilidad y coma la eleccion de 10s parimetros
puede afectar la sensibilidad de la red, pero sin estas ecuaciones quiza resulte dificil explicar
con palabras par qui una red es mas estable que oua. Los p k a f o s siguientes intentan llenar
este vacio auavis ciel uso de alsunas de las relaciones basicas asociadas con cada confi~uraci6n.
Para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.68a, la ecuaci6n para la corriente
de base es la siguiente:
Una caida en I.0 tendri el efecto de reducir el nivel de I,L a travCs de la acci6n del transistor.
y por 10 rnismo compensa la tendencia de I, a incrementarse por un aurnento en la ternperatura.
En total, la configuracion es tal que existe una reaccion hacia un increment0 en I,, que tendera
a oponerse a1 carnbio en las condiciones de polarizaci6n.
La confi,waci6n de retroalirnentacion de la figura 4 . 6 8 ~opera de la misrna forma que la
confi,wci6n de polarizaci6n en emisor cuando llegaa 10s niveles de estabilidad.Si 1, se incrementa
dehido al aumento en la ternperahua, el nivel de VRcse elevarA en la siguiente ecuaci6n:
S(VB3:
El factor de estabilidad definido por
revela que mientras mas zrande sea la resistencia RE.menor serd el factor de estabilidad y mas
estable el sistema.
Determine el factor de estabilidad S(V,,) y el cambio en lc desde 25 "C basta 100 "C para el EJEMPLO 4 2 9
transistor seaahdo en la tabla 4.1 para 10s siguientes arreglos de polarizacion.
a) Polarizacion fija con R, = 240 kR y B = 100.
b) Polarizacion en emisor con R, = 240 kR, RE = 1 kR y P = 100.
c) Polarizacion en emisor con R, = 47 kR, RE = 4.7 kR y B= 100.
+
b) En este caso, (p + 1) = 101 y Rg i RE = 240. La condicion (P + 1) RBiREno esti satis-
fecha. y no permite el uso de la ecuacion (4.67) y requiere del uso de la ecuacion (4.64).
la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarizaci6n fija debido al tbrmino
adicional ( p + l)RE en el denominador de la ecuaci6n S(V,,).
C) En este caso,
(p + 1) = 101 + 2 = -= 10 (satisfecha)
RE 4.7 kR
4.12 Estabilizaci6n de la polarizacion
1
La ecuacion (4.67): S(VBE) = --
RE
so:
El ultimo factor de estabilidad que se investigara es el de S(P). El desarrollo matemstico
es mis complejo que el que se enconuo para S(ICO)y para S(VBE),como lo da a entender la
siguiente ecuacion para la configuracion de polanzacion en emisor:
La notacion I,, y PI se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de
red, mienuas que la notaci6n p, se usa paradescribir un nuevo valor de beta como lo establecen
causas como un cambio en temperatura,la variation d e b del rnismo transistor o un cambio de
transistores.
-- - -
EJEMPLO 430 Calcule I a una temperatura de 100°C e I, = 2 mA a 25 'C. Utllice el translstor descrlto
C@
en la tabla 4.1, donde PI = 50 y P2 = 80 y un &ciente de resistencia RBIRE de 20.
En conclusion, la comente del colector cambi6 de 2 mA a una temperatura ambiente a 2.25
mA a 100 O C , representando un cambio de 12.5%.
La configuracion de polarizaci6n fija esta definida por S(P) = I,, ID, y la RE de la ecuaci6n
(4.68) puede reemplazarse par R1., para la configuracion del divisor de voltaje.
Para la configuracidn de retroalimentacion en colector con RE = 0 Q,
Resumen
Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad imponantes, el efecto total sobre la co-
rriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuacion:
Al principio, la ecuacion puede parecer muy compleja, pero tome en cuenta que cada
componente so10 es un factor de estabilidad para la configuracion multiplicado por el cambio
resultante en un parimetro entre 10s limites de inter& de temperatura. Ademas, la Mc que debe
determinarse simplemente es el cambio en Ic a partir del nivel a una temperatura ambiente.
Par ejemplo. si se examina la configuracion de polarizacion fija, la ecuacidn (4.70) se
conviene en la siguiente:
despues de sustituir 10s factores de estabilidad como se derivo en esta seccibn. Ahora, se usara
la tabla 4.1 para encontrarel cambia en la comente del colector para un cambio de temperatura
desde 25 C ' (temperatura ambiente) a 100 "C (el punto de ebullici6n del agua). Para este rango
la tabla revela que
iU,, = 20 nA - 0.1 nA = 19.9 nA
AV,, = 0.48 V - 0.65 V = 4 . 1 7 V (obsirveseel signo)
Empezando con una comente de colector de 2 mA con una RE de 240 kR, el cambio
resultante en 1, debido a un increment0 en la temperatura de 75 "C es el siguiente:
DC Biasing of BJT
VCC 2 0 22v
-Fig.
Rl 2 1 39K
R2 1 0 3.9K
RC 2 3 10K
RE 4 0 1.SK
CE 4 0 SOUF
Q l 3 1 4 W
.HODEL QN NPN(BF-140 IS-
.MI vcc 22 22 1
Figura 4.70 Archivo de entrada .PRINT DC I(RC) V ( 3 , 4 )
para el anQisis con PSpice de la .OPTIONS NOPAGE
red de la figura 4.69. .END
.*.* c r y O~cnrpnow , .
. >,...
: _ - .,
.,.
, > .
. . ,.,..>
~
,
,
:
a
.,., ,- .- : ., .. . ,
+*+*.*w*u+****r++*r~***b***::*er*****..t*t*~t~*tltm~$u-~~,.
WX: 2 0 2 2 v
R1 2 139R
R2 1 0 3.9s
RC 2 3 10K
RE 4 0 1.S
CB 4 0 50UP
Q l 3 1 4 Q N
.UODE% QN RPII(BPs140 15-2SI5)
.DC VCC 22 22 1
.PRXWT DC I(=) V ( 3 . 4 )
.ORIMIS YOpnoE
.EIR)
Fwra 4.71 Archivo de salida para el analisis con PSpice de la red de la figura 4.69
vcc _tL
22v2
02h2222 1.2588
'SchmuksNltlin'
R-R? 0 Slri_OWI 3.9k
R-RI SN_OWIIN-%XU 39k
R-RC SN-0003 SSp005 IOk
R-RE 0 IN-OOW 1.5k
C-CE OIF;.OOW 5 0 S
v-vcc SN-OWZ o cc nv
QQl SN_W03 IN-0001 S N - W Q2NZ2-X
v_V2 SN-OWZ SN_W05 0
".' BJT MODU P A U M E T W
.....
...................I...........*.*.........*.,........,.*,*...*.**.......
Q2NZW-x
UDU
-~
W F 1.7
1TF 6
TR 46.91MOOE-09
XI5 1.5
SMALL SIGNAL BIAS SOLUllON TEMPUIANRE -
.........................................................................
2 7 . W DEG C
.....
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE
VOLTAGE SOURCE C U R R h m
N&* CURRWI
V-VCt -1.338E-03
"_v2 8242W
-
VBC -1.l8EtOl
VCE 1.25ElOl
BETADC 5.SOE41
GM 3.18E-02
RPI ZMEU))
Rx I.MEIOI
RO 1.ME45
CBE 5mE-11
C K 239E-12
CBX O.WE+OO
---
BASIC
El programa que se desarrollari con BASIC llevara a cab0 el mismo analidis que el otro lista-
do, ira un paso adelante y permitira cambia la configuracion mediante la especificacion de un
circuito abierto o un corto circuito para 10s pardmetros. Por ejemplo, si R, se hace igual a 1E30
ohms, se trata en esencia de un circuito abierto y que da por resultado una configuracion de
polarizaci6n en emisor. Si RE se queda en cero ohms con R2 en 1E30 ohms, dari por resultado
una configuracion de polarizacion fija. De esta manera. el rango de aplicaciones se expande y
limita la biblioteca de programas necesarios para hacer el analisis en un area en particular.
En la tabla 4.2 aparece un resumen de las ecuaciones utilizadas junto con un resumen de
las variables en la tabla 4.3. Un modulo de programa que empieza en la linea 10000 esta escrito
en BASIC para realizar 10s calculos necesarios para el analisis en dc de la red de la figura 4.69.
La linea 10010 calcula la resistencia de base equivalente de Thevenin de R, en paralelo con
R,. La linea 10020 calcula el voltaje equivalente de Thevenin en la base. Luego se determina I,
en la linea 10030 utilizando un voltaje base-emisor de 0.7 V. La linea 10040 pmeba para una
condicion de carte, la que ocune si el valor de VTes menor que V, = 0.7 V, en cuyo caso I,
toma el valor de cero; de otra forma, I, permanece como se calcul6 en la linea 10030. Las
lineas 10060 y 10070 calculan I, e IE.respectivamente.
TABLA 4.2 Eeuaciones y enunciados del programa para el TABLA 4.3 Variables para eeuaei6n y el
modulo de cilculos de polarization de dc programa para el m6dulo de
cAlculos de wlarizaci6n de dc
Ecuoci6n Enunciados porn el programa
Voriable en lo ecuaci6n Variable en el pmgramo
CC
ETh - 0.7
la = IB = (VT - 07)I(RT + (BETA + I) RE) VT
R, + (0 + l)R,
IB
= 61,
Ic IC = BETA * IB
BE
,=
I (0 + I)!, IE = ( B E T A + I ) ' 1B
BETA
V s = IERE VE = 1E RE
RE
V, = V , + 0.7 VB = VE + 0.7 IC
Vc = V,, - IcR, VC = CC - IC RC 1E
VcA = 'Jc - VE CE = VC - VE VE
Circuit voltages:
Vb= 1.978567 volts
VE= 1.278567 volts Rgura 4.74 Programa BASIC
VC= 13.53667 volts para el anilisis de la red d e la
VCE= 12.25811 volts
figura 4.69.
I
1
lJlE=4
I Figura 4.77 Problema 3.
4. Encuenee la corriente de saturaci6n (Icu,) para la configuration de polarizacihn fija de la figura 4.75.
* 5. Dadas las caractensticas del transistor BJT de la figura 4.78:
a) Dibuje una recta de carga sobre las caracteristicas determinada porE= 21 V y R, = 3 kRpara
una configuraci6n de polaizacion fija.
b) Escojaunpunto de operaci6n a Iamitad entre el cone y la saturation. Determine el valor deR,
para establecer el punto de operaci6n resultante.
c) iCuiles son 10s valores resultantes de Ic, y de VCEn?
d) iCuAl es el valor de 0en el punto de opeiacih?
e ) iCual es el valor de adefinido para el punto de operation?
O iCuril es la coniente de saturacion (Ir,,, ) para el disefio?
g) Dibuje la configuracihn resultante de polarizacion fija.
h) iCual es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operacihn?
i) ~ C u ies
l la potencia proporcionada por V,?
j) Determine la potencia que 10s elementos resistivos disiparon a1 tomar la diferencia enue 10s
resultados de 10s incisos h e i.
2.4 kR
510kR
v c p= loo
'$0 -
I
§
. 4.4 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor
6 . Para el circuito de polarizacion con emisor estabilizado de la figura 4.79, determine:
a) I , ,.
b) 1,: .
_" 10.
%
9. Calcule la comente de saturation para la red de la fi, ours 4.79.
pola1izaci6n
Usando las caractensticas
en emisor si sededefine
la figura
un punto
4.78,Qdetermine
en Ice= 4lomA
siguiente
y VcE, =para
10 V.
una configuration de 2 0 ! ' A ~ 1 ~ ~ 2.1 \r. p 3 v
a) RcsiVcc=24VyRE=I.2kR. 0.68 kR
b) p e n el punto de operaci6n.
c)
d)
R,.
La potencia disipada por el transistor.
-
el La potencia disipada por el resistor Rc. n g u n 4.81 Problema 8.
Problemas 207
* 11. a) Determine I, y VCEpara la red de la figura 4.75.
b) Cambie fl a 135 y calcule el nuevo valor de I, y V,,para la red de la figura 4.75.
c) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en I, y Vcf, utilizando las siguientes ecuaciones:
g) En cada una de las ecuaciones anteriores. la mamitud de 0 se increment6 en "11 50%. Compare
el porcentaje de cambio en I, y Vo para cada configuraci6n y comente sobre cuil parece ser
menos sensible a los cambios en P.
d) Compare la soluci6n del inciso c con las soluciones que se obtuvieron para c y f del
problema 11. Si no se llevo a cabo, observense las soluciones proporcionadas en el
apendice E.
e) Basandose en 10s resultados del inciso d, jcual configuration es menos sensible a las
vaiaciones en pl
* 21. I Repita 10s incisos a a e del problema 20 para la red de la figwa 4.85. Cambie P a 180 en el
inciso b.
I1 conclusiones generales se pueden hacer respecto alas redes en las cuales se satisface la
condici6n PRE > ]ORz y las canudades I, y VCEdeben resolverse en respuesta a un carnbio en fl
Problemas
* 24. a) Determine 1, y VcE para l a red de la figura 4.88.
b) Cambie p a I35 (50% de incremento) y calcule 10s nuevos niveles de 1, y Vcr
C) Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en lc y V,, usando las siguientes ecuaciones:
!
d) Compare los resultados del inciso c con las soluciones de 10s problemas I I c. 11 f y 20 c.
iC6mo se compara la red de retroalimentaci6n del colector en funcih de las otras configura-
ciones respecto a la sensibilidad a los cambios en
25. Determine el rango de posibles valores para Vc para la red de la figura 4.89 empletndo el
potenci6metro de I-MQ.
* 26. Dado V , = 4 V para la red de la figura 4.90, resuelva:
a) v,.
b) lc.
c) vc.
d) VCr
e) 1,.
n p.
*
F W r a 4.88 Problema 24. Figura 4.89 Problema 25 Figura 4.90 Problema 26.
I
-18\ b-6v d lob
Figura 4.93 Problema 29. Fxgura 4.94 Problema 30. Figura 4.95 Problema 31
1,
* 37. Diseiie el inversor a transistor de la figura 4.97 para operar con una corriente de saturacion de
8 mA empleando un transistor con una beta de 100. Utilice un nivel de I, igual a1 120% de I, y m,,
'1t.. 2.4 kR
5v
y qv b= loo
, 1 ov . -
figurn4.96 Problema 36. F q n 4.97 Problema 37.
Problemas
38. a) Con las caracteristicas de la figura 3 . 2 3 ~determine
. t y bnpadO para una comente de
2 rnA. ObsCrvese c6mo se utilizan las escalas logaritmicas y la posible necesidad de referir-
se a la secci6n 11.2.
b) Repita el inciso a para una comente de 10 mA. iC6mo han cambiado fcnCcndidoy fapapado con
el increment0 de comente del colector?
C) Dibuje para 10s incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.56 y c&pare 10s
resultados.
+
(a)
. .
Figura 4.98 Problema 39.
* 40. Las rnediciones que aparecen en la figura 4.99 revelan que las redes no e s t h operando adecuada-
mente. Sea especifico al describir por q u t 10s niveles reflejan un problema en el comportamiento
esperado de la red. En otras palabras, 10s niveles obtenidos seiialan un problema muy especifico en
cada caso.
figura 4.100
b=5kR
-
Problerna 41.
41. Para el circuit0 de la figura 4.100:
a)
b)
C)
d)
e)
iSe incrernenta o disminuye V c si R, aumentb?
iSe incrernenta o disminuye Ic si P se incrernenta?
i Q u t sucede con la comente de saturaci6n si paumenta?
iSe incrernenta o disminuye la comente del colector si Vcc se disminuye?
iQue sucede a VcE si el transistor se reemplaza con uno con una P rn8s pequefia?
42. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura4.101.
a) iQuC le sucede a1 voltaje Vc si el transistor se reemplazacon unoque tenpaun mayor valor de p
b) iQu6 le pasa al voltaje VCEsi la terminal de tierra del resistor R se abre (no se conecta a la
8:
tierra)?
c) ;Que le sucede a Ic si el voltaje de la fuente es bajo?
d) ~ Q u voltaje
e VcEdebe ocumr si launion del msistorbase-emisorfallaal convelfirseen abiera?
e) i Q u t voltaje VcE debe resultar si la union del transistor base-emisor falla al convenirse en
cono circuito?
43. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la tigura 4.102.
a) iQu6 le sucede al voltaje Vc si el resistor R, se abre?
e pasa al voltaje Vo si p se increments debido a la temperatura?
b) ~ Q u le
c) iC6mo se vetd afectado V, cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia
esta en el extrerno inferior del ranpo de tolerancia?
d) Si !a conexion del colector del transistor se abre, iquC le pasara a VE?
+
e) iQuC puede rnotivar que VcE tome el valor de cerca de 18 V? Figun 4.102 Problema 43.
3 4.11 Transistorespnp
i- "c
Problemas
3 4.12 Estabilizacion de la polarization
47. Determine lo siguiente para la red de la figura 4.75.
a) S(lc0).
b) SW,,).
C) S(B) utilizando T, como la temperatura en la que 10s valores de 10s parimetros &tin especifi-
cados y P(T,) como el 25% mayor que P(T,).
d) Determine eicambio neto en I, si resulta un cambio en las condiciones de operation con un incre-
mento de ic0de 0 2 &A a 10 &A, una caida de VBEde 0.7 V a 0.5 V y un incremento de Pdel25%.
* 48. Para la red de la figura 4.79, determine:
a) SU,,).
b) S(VBE).
c) S(P) utilizando TI como la temperatura en la cual 10s valores de 10s parimetros estan especifi-
cados y P(T2)como el 25% mayor que P(T,).
d) Determine el cambio net0 en 1, si resulta un cambio en las condiciones de operaci6n con un
incremento del,, de 0.2 pA a 10 pA, una caida de V, de 0.7 V a 0.5 V y un incremento de P
del25%.
* 49. Para la red de la figura 4.82. determine:
a) S(lco).
b) S(VBE):
c) S(P) utlllzando TI como la temperatura en la que 10s valores de 10s parametros estin especifi-
cados y P(T2) como el 25% mayor que P(T,).
d) Determine el cambio neto en I, si resulta un cambio en las condiciones de operaci6n con un
incremento de I, de 0.2 pA a 10 pA, una caida de V, de 0.7 V a 0.5 V y un incremento de P
del25%.
* 50. Para la red de la figura 4.9 I , determine:
a) S(Ico).
b) s(VBE); ;
C) S(P) ut~llzandoTI como la temperatura en la cual 10s valores de los paramenos estan especifi-
cados y KT2) como el 25% mayor que P(T,).
d) Determine el cambio neto en I , si resulta un cambio en las condiciones de operaci6n con un
incremento de I,, de 0.2 pA a 10 MA,una caida de VnEde 0.7 V a 0.5 V y un incremento de
Pdel25%.
* 51. Compare 10s valores relatives de la estabilidad para 10s problemas 47 a1 50. LC: resultados para 10s
ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el ap4ndice E. iSe pueden derivar algunas conclusiones
generales a partir de 10s resultados?
* 52. a) Compare 10s niveles de estabilidad para la configuration de polarizaci6n fija del problema 47
b) Compare 10s niveles de estabilidad para la configuraci6n de divisor de voltaje del problema 49.
c) ~ C u a l e factores
s de 10s inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del
sistema, o no existe un patr6n general sobre 10s resultados?
! -1 F i n 5.1 Amplificadores
controlados por a) corriente y
(a) (b) b) voltaje.
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor
BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conduccion es una funcian de
dos ponadores de carga, 10s electrones y 10s huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende linicamente de la conduccion o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
El tinnino "efecto de campo" en el nornbre seleccionado merece cierta explicacian. Toda
la gente conoce la capacidad de un iman permanente para atraer limaduras de metal hacia el
iman sin la necesidad de un contact0 real. El campo magnitico del iman permanente envuelve
las limaduras y las atrae a1 imin por media de un esfuerzo par p m e de las lineas de flujo
magnetic0 con objeto de que sean lo mas conas posibles. Para el FET un campo el2ctrico se
establece mediante las cargas presentes que controlarin la trayectoria de conducci6n del cir-
cuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y
controladas.
Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de
aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente, para comparar algunas . de las
caractensticas generales de cada uno. Uno de 10s rasgos mas importantes del FET es una gran
impedancia de entrada. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms e x c e e por mucho
10s niveles tipicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT, un punto
muy importante en el disefio de amplificadores lineales de ac. Por otro lado, el transistor BIT
tiene una sensibilidad mucho m i s alta a 10s cambios en la seiial aplicada; es decir, la variation
en la comente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT, que la que produce en el FET
para el mismo cambio de voltaje aplicado. Poresta razon, las ganancias normales de voltaje en
ac para 10s amplificadores a BIT son mucho mayores que para 10s FET. En general, 10s FET
son m h estables a la temperatura que 10s BIT, y 10s primeros son por lo general mas pequeiios
en constmcci6n que 10s BJT,lo cuallos hace mucho mas utiles en 10s circuitos inzegrados (IC)
(por las siglas en inglis de, Integrated Circuits). Sin embargo, las caractensticas de consuuc-
ci6n de algunos FET 10s pueden hacer miis sensibles a1 manejo que 10s BJT.
En este capitulo se presentaran dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unibn
(JFET) (por las siglas en ingles de, Junction Field Effecr Transistor) y el transistor de efecto de
campo metal-bxido-semiconductor(MOSFET) (por las siglas en inglks de Meral-Oxide-
Los doctores Ian Munro Ross y G.C. emi icon duct or Field Effect Transistor). La categoria MOS%T se desglosa despues en 10s
Dacey desarrollaron juntos en 1955 tipos decremental e incremental, 10s mismos que describiremos. El transistor MOSFET se ha
un procedimiento experimental para convertido en uno de 10s dispositivos m b importantes en el diseiio y consuuccion de 10s cir-
medir las caracteristicas de un cuitos integrados paralas computadoras digitales. Su estabilidad termica y otras caractensticas
transistor de efecto de campo.
(Cortesia de AT&T Archives.) generales lo hacen rnuy popular en el diseiio de circuitos para computadoras. Sin embargo,
como elemento discreto en un encapsulado tipico de sombrero alto, se debe manipular con
I a n Munro Ross cuidado (tema que se analizara en una seccion posterior).
El doctor Ross naci6 en Una vez que se hayan presentado la construcci6n y las caractensticas del FET. 10s arreglos
Southport,lnglaterra de polarizaci6n se cubriran en el capitulo 6. El analisis que se desarroll6 en el capitulo 4
PhD Gonville and
Caius College, utilizandotransistores BJT sera muy 6til para derivar las ecuaciones importantes y para el
Cambridge University entendimiento de 10s resultados obtenidos para 10s circuitos a FET.
Presidente ernerito de
AT&T Bell Labs
Socio de IEEE.
Miembro de la
National Science Board
Presidente del National
Advisory Committee Como se indic6 anterionnente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con una terminal
on Semiconductors
capaz de controlar la comente de las otras dos. En el analisis del transistor BJT se utilizo el
G. C. Dacey transistor npn a traves de la mayor parte de las secciones de anilisis y disefio; tambien se
El doctor Dacey nacio en dedicd so10 una secci6n al impacto del uso del transistorpnp. Para el transistor J E T , el dispo-
Chicago, Illinois sitivo de canal-n apareceri como el dispositivo importante y se dedican p h a f o s y secciones a1
PhD CaliforniaInstitute of imoacto del uso de un JFET de canal-o.
Technology
Director de Solid State La consuuccion bisica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Observese que la
Elertronncs
-~........~~ Research d?
~ --
~~~~~~
mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interio-
Bell Labs res del material de tipo p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por
Vicepresidente de rnedio de un contact0 dhmico a la terminal referida como el drenaje (D), mientras que el
Investigation en Sandia extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto 6hmico a una termi-
Corporation
Miembrode IRE, Tau Beta nal referida como lafuente (S)(por su sigla en ingles, Source). Los dos materiales de tipo p se
Pi. Eta Kappa Nu encuentran conectados entre si y tambikn a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en
inglts de, Gate). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan conectadas a 10s extremos del canal
de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p . Durante la ausencia de cualesquiera
potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacion. El re-
sultado es una regi6n de agotamiento en cada union, como se mUeSha en la figura 5.2, la cual
se asemeja a la region de un diodo sin polarizaci6n. Recuerde tambien que la region de
agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la
conduction a travis de la region.
En raras ocasiones son perfectas las analogias y a veces pueden causar confusiones; sin Fuente
embargo. la analofia del azua de la figura 5.3 proporciona cierto sentido sobre el control del
JFET a t18.visde la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminologia aplicada
Compue"d
a las terminales del dispositivo. La fuente de la presion del agua se parece a1 voltaje aplicado
desde el drenaje a la fuente que estableceri un flujo de agua (electrones). a travis de la llave
(fuente). La "compuerta", mediante una seiial aplicada (potencial). controla el flujo de agua
(carga) hacia el "drenaje" . Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en 10s extre-
mos opuestos del canal-n como en la figura 5.2 porque la terminologia esta definida para el
flujo de electrones. Figurn 5.3 Analogia hidreiulica
para el mecanismo de control del
V,, = 0 V, VDs algfin valor positivo JFET.
En la figura 5.3 se ha aplicado un voltaje positivo VDsa traves del canal, y la enhada se conecti,
directamente a la fuente con objeto de establecer la condici6n VGS= 0 V.El resultado es que la
compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una region de afotamiento en el extrerno
inferior de cada rnaterial-p similar a la distribucion de la condici6n de sin polarization de la
figura 5.2. En el instante en que se aplica el voltaje VDD (= VDJ.10s electrones serin atraidos a
ia terminal del drenaje, estableciendose la comente convencional ID con la direction definida
de la figura 5.4. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las conientes de
drenaje y fuente son equivalentes ( I , = I,). Bajo las condiciones que aparecen en la figura 5.4,
e! flujo de caTa se encuentra relativamente sin ninguna restriction y so10 lo limita la resisten-
cia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
+
0+$
I<, = 0 .A
- I 5 V
P- I \ ! +
- 0.5 \
+
-
IV
0.5 \.
ov
,) -- - ,
ili
+
-
7
Es importante obsewar que la region de agotamiento es mas amplia cerca de la parte
superior de ambos materiales de tip0 p . La razon por el cambio de tamaiio de la re,'010n
describe mejor por medio de la ayuda de la figura 5.5. Suponiendo una resistencia uniforme en
el canal-n, la resistencia del canal se puede desglosar en las divisiones que aparecen en la
la misma figura. El resultado es que la region superior del material de tipo p estara polarizada
de manera inversa con cerca de 1.5 V, con la region inferior polarizada en forma inversa linica-
mente con 0.5 V Recuerde a partir de la discusirin de la operation del diodo. que mientras
mayor es la polarization inversa aplicada, mas ancha es la region de agotamiento. de ahi que la
distribucion de la region de agotamiento es como se muestra en la figura 5.5. El W o de que
la union p-n esti polarizada de forma inversa a traves de toda la longitud del canal ocasiona
' se
figura 5.5. La comente I, estableceri 10s niveles de voltaje a traves del canal que se indican en
una corriente en la entrada de cero amperes como se muestra en la misma figura. El hecho de
Figura 5.5 Potenciales variables
que 1, = 0 A es una caractenstica importante del JFET.
de polarizacihn inversa a traves de En cuanto el voltaje VDs se incrementa desde 0 a unos cuantos volts, la corriente aumenta
la unihn p-n de "n JFET de canal-n. como lo determina la ley de Ohm y la grafica de I, en funcion de VDs aparece de acuerdo con
la figura 5.6. La relativa rectitud de la grifica indica que para la region de valores pequerios de
VIl,, la resistencia es en esencia constante. Cuando VDs se eleva y se acerca al nivel referido
como V, en la figura 5.6, las regiones de agotamiento de la figura 5.4 se harin mas amplias,
ocasionando una reduccidn notable en el ancho del canal. La trayectoria de conduccion redu-
cida causa que se incremente la resistencia, lo que ocasiona la curva en la grifica 5.6. Mientras
m i s horizontal es la curva, mayor la resistencia, lo que sugiere que la resistencia esta alcanzan-
do un nlimero “infinite" de ohms en la region horizontal. Si VDs se eleva a un nivel donde
parece que las dos regiones de agotamiento se "tocan". como se muestra en la figura 5.7,
resultara una condition referida como esrrechamienro. A1 nivel de VDs que establece esta con-
dieion se le conoce como volraje de esrrechamienro y se denomina como Vp (por su sigh en
ingles. Pinch-om. como se muestra en la figura 5.6. En realidad. el termino "estrechamiento"
es un nombre inapropiado que sugiere que la coniente I, se detiene y que cae a 0 A. Sin
embargo, como lo muestra la figura 5.6, este dificilmente es el caso, porque IDmantiene un
nivel de saturacion definido como loss en la figura 5.6. En realidad. aun existe un pequeiio
canal con unacomente de densidad muy alta. El hecho de que /,no caiga con el estrechamiento
y mantenga el nivel de saturacion indicado en la figura 5.6 se verifica con el siguiente hecho:
la ausencia de una col~ientede drenaje eliminaria la posibilidad de niveles de potencial dife-
rentes a traves del canal del material-n con objeto de establecer 10s niveles variantes de
polarizacion inversa a lo largo de la union p-n. El resultado seria una perdida de la distribuci6n
de la region de agotamiento que motivo el estrechamiento inicial.
+
I, D
Esrrechamienro
G
0 vo3= V p
+
vGs=OV
- -
-
Rcrisrcncrn dsi c ~ r a l - i i "S -
---
Rgura 5.6 IDen iuncihn VDspara VCCC
= 0 V. Figura5.7 Estrechamiento (Vcs = OV, Vm= VJ.
El voltaje de la compuena a la fuente denotado por VGSes el voltaje que controla a1 JFET. Asi
como se establecieron varias curvas para Ic en funcion de V,, para diferentes niveles de I, y
para el transistor BJT. se pueden desarrollar curvas de I D en funcion de Vm para varios niveles
de VGSpara el JFET. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control VGSse hace mas y mas
negativo a partir de su nivel VGS= 0 V . ES decir, la terminal de la compuerta se hace a niveles
de potencial m8s y mas bajos en comparacion con la fuente.
En la figura 5.9 se aplica un voltaje negativo de -I V entre las terminales de la compuerta
y la fuente para un nivel bajo de VD,. El efecto del VGs aplicado de polaridad negativa es el de
establecer regiones de agotamiento similares a !as que se obtuvieron con VGS= 0 V. per0 a
niveles menores de VD,. Por tanto, el resultado de aplicar una polarization negativa en la
compuerta es alcanzar un nivel de saturacion a un nivel menor de Vos como se muestra en la fi-
gura 5.10 para V,, = -1 V.El nivel resultante de saturacion para I, se ha reducido y de hecho
continuara reduciendose mientras V,, se hace todavfa mas negativo. O b d ~ e s tambien
e en la
figura 5.10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continua cayendo en una trayectoria
parabolica conforme VGSse hace mas negativo. Eventualmente. cuando VGS=-Vp, V sera lo
cs
suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturacion que sera en esencla 0 mA,
por otro lado. para todos los propositos practices el dispositivo ha sido "apagado". En resumen:
Regi"n de saruracidn
* - - .-. --.
. ....
"P
0 8 5 10 IS ?0 v,>,= ' V I
V , (para V,, = 0 V )
Las direcciones de comente definidas estan invertidas, como las polaridades reales para 10s
voltajes V,, y VDs.Para el dispositivo de canal-p, Cste sera estrechado mediante voltajes cre-
cientes positivos de la compuerta a la fuente. y la notacion de doble subindice para VDS,por
tanto. dara como resultado voltajes negativos para VDs sobre las caractensticas de la figura
5.12. la cual tiene una iDss de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de VGS= +6 V.NO se debe
confundir por el signo de menos para V,;. 6ste simplemente indica que la fuente se encuentra
a un potencial mayor que el drenaje.
Se observa en 10s niveles altos de VDsque las curvas suben repentinamente a niveles que
parecen ilimitados. El crecimiento vertical es una indication de que ha sucedido una ruptura y
que la comente a traves del canal (en la misma direcci6n en que normalmente se encuentra)
ahora esti limitada linicamente por el circuit0 extemo. Aunque no aparece en la figura 5.10
para el dispositivo de canal-n, sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje. Esta
region puede evitarse si el nivel de VDS,n,,i.
de las hojas de especificaciones, y el disefio es tal,
que en nivel real de VDses menor que el valor maxim0 para todos 10s valores de Vcs.
S
F~gura5.13 Simbolos del JFET: a)
(b) d e canal-n; b) de canal-P.
Resumen
Una cantidad importante de parimetros y relaciones se presentaron en esta seccion. Otros,
cuya referencia sera frecuente en el analisis de este capitulo, as<como en el siguiente para 10s
JFET de canal-n, se describen a coutinuacion:
La corriente mbrima se encuentra definida coma I,, y ocurre clrando Vm = 0 V y
VDs2 1 V p1 como se muestra en lafigura 5.14~.
Para 10s voltajes de la compueaa a lafuente VGSmenores que (mhs negativos que) el
nivel de estrechamiento, la corriente de drenaje es igual a 0 A (ID= 0 A), como
aparece en lafigura 5.14b.
Para todos 10s uiveles de VGSentre 0 V y el nivel de estrechamiento, la corriente ID se
enconfrarh en el rango entre I,,, y 0 A, respectivamente, como se encuentra en la
figura 5.14~.
Se puede desarrolhr una lista similar para 10s JFET de canal-p.
constante
En la ecuacidn (5.2) existe una relacion lineal entre I, e I,. Si se duplica el nivel de I, e I ( , se
incrernentara tambiin por un factor de 2
Desafonunadamente. esta relacibn lineal no existe entre las cantidades de salida y de
entrada de un JFET. La relacion entre 1, y V,, se encuenua definida por la ecuaci6tz de Shockle~:
variable de control
(5.3)
constantes
El tirmino cuadratico de la ecuacion dari por resultado una relacion no lineal entre I, y VGs. William Bradford Shockley (l910-
1989) coinvent6 el primer
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS.
transistor y formu16 la teoria de
Para el andlisis en dc que sera desarrollado en el capitulo 6 . un sistema grafico rnis que "efecto de campo" q u e se utiliz6
maternatico serfi, en general, mas direct0 y facil de aplicarse. Sin embargo. la aproximacion en el desarrollo de 10s
grafica requeririi de una grafica de la ecuacion i5.3) con objeto de representar el dispositivo. y transistores y el FET. (Cortesia de
una grifica de la ecuacion de red que relacione las misrnas variables. La solucion estd definida AT&T Archives).
por el punto de interseccion de las dos curvas. Es imponante considerar a1 aplicar la aproxima-
Shocklev naci6 en Londres
cion grafica que las caractensticas del dispositivo no seran afecradas por la red en la cual se
utilice el dispositivo. La ecuacion de la red puede cambiar con la interseccion de las dos cur-
vas, pero la curva de transferencia definida por la ecuacion (5.3) pennanece sin resultar afec- Department -Bell Laboratories
tada. Por tanto: Presidente de Shockley Transistor
Corp.
Las caracteristicas de transferencia dejinidas par la ecuacibn de Shockley no Profesor Paniatoff de Enginnering
resultan afectudaspor la red en [o cual se utiliur el dispositivo. Science en Stanford University
Premio Nobel en fisica en 1956
Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuaci6n de Shockley o a partir de junto con los doctores Brattain y
las caracteristicas de salida d e la figura 5.10. En la figura 5.15 se proporcionan dos grtficas Bardeen
F~gura5.15 Obtencion de la
curva de transferenciapara las
caracteristicas de drenaje.
-~
punto de intersection en la curva IDen funcion VGSsera el que se mostro antes. ya que el eje
vertical esti definido como VGS= 0 V.
En resumen:
como se muestra en la figura 5.15. Obsirvese el cuidado que se necesita tomar con 10s signos
negativos de V, y Vp en 10s calculos anteriores. La perdida de un signo daria un resultado
totalmente erroneo.
Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados V, y V, (como normalmente se
proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de I, se puede encontrar para cualquier
nivel de VGS.Reciprocamente, utilizando algebra bbica se puede obtener [a partir de la ecuacion
(5.3)] una ecuacion para el nive1,resultante de VGSpara un nivel dado de I,. La derivation es
bastante directa y dari como resultado
(5.6)
Puede probarse la ecuacion (5.6) si se localiza el nivel de V, que dara por resultado una
comente de drenaje de 4.5 mA para el dispositivo con las caracteristicas de la figura 5.15.
-
= Vp(l -?!0.5) = Vp(0.293)
DSS
- --
Solucib
Los dos puntos de la grafica estin definidos por
-
-6 -5 - 4 -3 - 2 -1 0
-
V,
Figura 5.16 Curva de transierencia
para el ejemplo 5.1.
Para 10s dispositivos de canal-p, la ecuacion (5.3) de Shockley puede todavia aplicarse
exactamente como aparece. En este caso, tanto Vp como VGSserin positivos, y la curva tendrii
la imasen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n
y 10s mismos valores limitantes.
CARACTERISTICAS "APAGADO
V8eel~ss -25
. - vdc
( I , = -10 biAdc. V,, = 0)
1 Y,.. I Dmho?
. 10 50
Capaciiancir de entiada c , ~ ~ PF
! V D S= I S vdc. VGs=O.f = 1.0 MHz) - 4.5 70
C OF
(5.9)
N6tese la similitud en formato con la ecuaci6n de disipacion maxima de potencia para el tran-
sistor BIT.
El factor de pirdida de disipacion se analiza con detalle en el capitulo 3, pero por el
momenta reconocemos que el valor de 2.82 mWIoC revela que el valor de disipacion decrece
en 2.82 mW por cada incremento en la temperatura de I OC arriba de 25 OC.
Caractensticas electricas
Las caracteristicas e1Cctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERISTICAS DE APA-
GAD0 e I,,, en las CARACTERISTICAS DE ENCENDIDO. En este caso V, = VGS,upuzado,
tiene un rango entre 4 . 5 a -6.0 e I,,, enue 1 y 5 mA. El hecho de que ambos tengan una
variation de dispositivo a dispositivo del mismo tipo, se debe al proceso de fabncaci6n. Las 2N2844
CAPSULA 22-03.ESTlLO I 2
otras cantidades estan definidas bajo las condiciones que aparecen entre parintesis. Las carac- TO-18 (T0~206AAI
tensticas de pequeiia sefial se discuten en el capitulo 9.
3 Drenaje
Construction del encapsulado e identificacion de terminales (encapsuladol
Este JFET en particular tiene la misma apatiencia que proporciona la hoja de especificaciones
de la figura 5 .IS. La identification de las terminales tambien se proporciona directamente de-
bajo de la figura. Ademis 10s JFET se encuentran disponibles en encapsulado de "sombrero
alto", como se muestra en la figura 5.19 con su identificacion de terminales.
,;
-I
14
Cornpuena
1 Fuenre
Recuerde que, como se vio en el capitulo 3, hay instmmentos disponibles para medir el nivel
de p,, para el transistor BIT. Una instrumentaci6n similar no esta disponible con objeto de
medir 10s niveles de IDS, y V p .Sin embargo, el trazador de curvas presentado para el transistor
BIT puede tambien mostrar las caractensticas de drenaje del transistor JFET a travis del ajuste
adecuado de varios controles. La escala vertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en
volts) se han ajustado para mostrar las caracteristicas completas, como se muestra en la figura
5.2 1. Para el JFET de la figura 5.21, cada division vertical (en centimetros) refleja un cambio
de l-mA en Ic , mientras que cada division horizontal tiene un valor de 1 V. El paso del voltaje
es de 500 mVlpaso (0.5 Vlpaso), lo que revela que la curva superior se encuentra definida por
V,, = 0 V, y que la siguiente curva hacia abajo -0.5 V para el dispositivo de canal-n. Con el uso
del mismo paso de voltaje la siguiente curva es -I V, luego -1.5 V, y finalmente -2 V. Al
dibujar una linea a partir de la curva superior sobre el eje I , se puede estimar el nivel de IDS, de
cerca de 9 mA. El nivel de V, se puede estimar si se o b s e ~ el a valor de V,, de la liltima curva
hacia abajo, per0 tomando en cuenta la distancia mas pequeiia entre las curvas mientras VGS
se hace todavia mas negativo. En este caso, V pes cierto que es mas negativo que -2 V y quiza
V pse encuentre cercano a -2.5 V. Sin embargo, tenga en cuenta que las curvas VGSse contraen
muy rapidamente cuando se acercan a la condici6n de corte, por lo que quiza V p= -3 V es una
15A
div
Rgum 5.21 Caracteristicasde drenaje para el transistor JFET 2N4416 como se presenta en
un trazador de curvas.
z lmA
como se fundamenta en la figura 5.21
En V,,= -2.5 V la ecuacion de Shockley dari par resultado ID= 0.25 mA, con V, = -3 V
lo cual revela con claridad cuan rapido las curvas se contraen cerca de V,. La importancia del
parametro gin y la f o m a en que se detemiina a panir de las caracterist~casde la figura 5.21 se
descnben en el capitulo 8 cuando se exarninen las condiciones de ac en pequefia sefial.
JFET
D
JFET BJT
ID = IDSS6
- +) 2
u fc = PIB
ID = Is u Ic = IE
I, r OA u V,, z 0.7 V
S
(Fuentc)
\ Regiones
dopadar-n
Adicionalmente:
Se debe a la capa aislnnte de SiO, del MOSFET explica la alta impedancia, muy
deseable, de entrada del dispositi;o.
De hecho. la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET
normal, aun cuando la impedancia de entrada de la mayoria de 10s JFET es lo suficientemente
alta para la mayoria de las aplicaciones. La muy alta impedancia de entrada continia soportan-
do totalmente el hecho de que la corriente de la entrada ( I G ) es en esencia de cero amperes para
las confiyuraciones de polarization de dc.
El motivo de la etiqueta FET de metal-6xido-semiconductores ahora mucho mas obvia:
metal por las conexiones del drenaje, fuente y compuena alas superficies adecuadas en parti-
cular. la terminal de la compuerta y el control que ofrece el area de la superficie de contacto,el
bxido por la capa aislante de dioxido de silicio y el semiconductor por la estmctura bisica
sobre la cual las regiones de tipo n y p se difunden. La capa aislante entre la compuerta y el
canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerra aislada o
IGFET (por las siglas en inglis de, Insulated Gate), aunque este nombre es cada vez menos
utilizado en la literatura actual.
recombinaci6n
HU~COS arraidos a1
potencial negativo
\ F m 5.26 Reduction de
portadores libres en el canal
Electrones repelidor por
el porencial negativo en debido a un patencial negativo
la cornpuerta en la terminal de la compuerta.
Para 10s valores positivos de V,, la entrada positiva atraera electrones adicionales (porta-
dores libres) desde el substrato de tipop debido a la corriente de fuga inversa, y creara nuevos
portadores mediante la colision resultante entre las particulas en aceleracion. Mientras el vol-
taje compuerta-fuente sigue aumentando en la direcci6n positiva, la figura 5.25 indica que la
comente de drenaje se incrementari de manera acelerada debido alas razones listadas aniba.
Trace las caractensticas de transferencia para un MOSFET de tip0 decremental de canal-n con EJEMPLO 53
I,= 10mAy V P = - 4 V .
En VGs = 0 V. = 10 mA
ID = lDSS
V,, = V, = 4 V . I, = 0 mA
- 15.63mA
= 10 mA(1 + 0.25)' = 10 mA(1.5625)
(b) (c)
con valores negativos de VDS ID positiva como se indica (debido a que la direccion definida
ahora esta invertida) y VGScon las polatidades opuestas como se muestra en la figura 5 . 2 8 ~La
.
inversion en Vcs traera como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje I,) para las
caractensticas de uansferencia como lo muestra la figura 5.28b. En otras palabras, la comente
de drenaje aumenta desde el cone en Vcs = V pen la region positiva de VtiS a IDss, y despues
cont,inua su crecimiento para valores negativos mayores de VGS.La ecuacion de Shockley
todavia se aplica, pero necesita s61o colocar el signo correct0 tanto para VGScomo para V , en
la ecuaci6n.
i Drcnilc
1
yosFETEEDE
3 14 I fucnuc
BAJA
I
CANAL-N -AGOTAMIENTO
11-
Cararteristica Simbolo Minimo Tipo MA=-
CARACTERISTICAS "APAGADO"
Volraje de ruprura drenaje-fuente ",BRIDSX Vdc
(VGr= 7 . 0 V. ID = 5.0 @A) 2x3797 20 25
Cornenre inreria de la campuena (1) 'cis
(V', = -10 V. V,, = 0) .
(VGs=-10V.VD~=0.TA=150DC) - 2041
Voltaje de carte eompuem fuente V~~i2prgldoi
(ID=2.0fiA.YDs= 10V) 2N3797 - -5.0 -7 .O
\'olraje ~nvcriodienaje compuena (1) . . I (I
'oiio
(YDG= \QY.Is=O)
-
CARACTERiSTICAS "ENCENDIDO"
Comiente de dreniljc con voliaje de cem en la cnrrada lms
(V,= 10 V.V0$ -0)
2N3797 2.0 2.9
C m i m l s de drpnaje m el eslado mcmdido 14cnundidoi 6 . 0 j z j
(V, = 10 V. VGSC + 3 5 V)
2N3797 9.0 14 18
CARACTERISTICASEN PEQUERA S E ~ A L
Admirancia de transferencia dlrecra yLI pmhos
3$j
(V,, = 10 V. V,, r 0 . f = 1.0 kHz)
2N3797 1500 2300
(V,, = 10 \'.VGl r O.f = 1.0 kHz!
2N3797 1500
Admilancia de selida 1 Yss 1 gmhmhor
(I,, = 10 V ,V, = 0 , f = 1.0 MHz)
-
Capacimcla de ~ n t i a d a
~V,,=IO\i,V,,=O.f=l.OMHz)
2K3797
Cm,s
cr*h
:
-
27
-
6.0
0.5
60
8.0
0.8
-m
CARACTERISTICAS FUNCIONALES
I
Da~ordel w d o KF - 38
(VDi = 10 V. V,, = 0, f = 1.0 kHz. R, = 3 rnrgohmi!
Esrrechamiento (princlpioj
SiO, : dc a~a.orarnw.nto
Re~16n
Por tanto. es obvio que para un valor tijo de V T ,mientras mayor sea el nivel de V,,, mayor sera
el nivel de saturaci6n para V,,, como se muestra en la figura 5.33 por la localization de 10s
niveles de saturaci6n.
Una vez mas, es el ttrmino cuadritico que resulta de la relaci6n no lineal (curva) entre ID y
V,,. El tCnnino k es una constante que, a su vez, es una funci6n de la fahricaci6n del disposi-
tivo. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuaci6n [derivada de la ecuaci6n
(5.13)] donde ID ,ncend,o, y V,,(cnccn",eu, son 10s valores de cada uno en un punto en particular
sobre las caractensticas del dispositivo.
y una ecuacion general para ID para las caracteristicas de la figura 5.34 da por resultado:
y se obtiene un punto en el plano, corno se muestra en la figura 5.36b. Por liltimo se eligen
niveles adicionales de VG, y se obtienen 10s niveles resultantes de I,. En particular, para
VGs = 6 V, 7 V y 8 Vel nivel de I D es 2 mA, 4.5 mA y 8 rnA respectivamente, como se
muestra en el diagrama resultante de la figura 5.36 c.
loss
2i
. k 0
pAdc
pAdc
CARACTERISTICAS"ENCENDIDO'.
ilil
71
'
Voltair de umbra1 de ir cornpuena "os~T~, 1.0
(V,= IOV.I,= lo*)
Voltvje en encendldo drenuje-compuena V~s,~nccmd,d,,,
-
(I,= 2.0 mA.VGs = IOV)
-
~ o m ~ e nde
t e drenqe
en encendido L ~ , ~ ~ ~ ~ a ~ 3.0
e ~ , ,
(V,,= 10V.VDs= IOV)
.
CARACTERISTICAS EN PEQUEfiA SEII'AL
Admltancla de transferencia direcra Y . ~ : 1000
(V,, = 10 V. I,= 2.0 mA. i = 1.0 kHz)
Caprcltnncla de enrrada c , ~ ~ .
(V,,= i0V.V,,=O.f= I40kHz)
Capacirancia dc transferencia lnversv C , ~ ~ . I.;
( V D g = O . V G I = O , f= 110 kHz)
Capac~ranc?r
drenaje-subsfraro .
(V ,,,= 10 V. f = 140 kHz)
c d ( w
'~(encmdido)
a) Laecuacion (5.14): k =
(V~~(encendido)
- "GS(Th))'
- 3 mA 3mA 3xlk3
- =-- -- AIV'
(IOV-3V)' (7Vy 49
[qi
de transitorios con frecuencia pueden ser mayores de 10s que puede soportar el dispositivo; por
tanto, siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio en la red.
Normalmente se proporciona el voltaje compuena-fuente miximo en la lista de valores
nominales maximos del dispositivo. Un mitodo para asegurar que no se exceda este voltaje
(debido quiri a efectos transitorios) para cualquier polarizaciirn es mediante la introducci6n de
dos diodos Zener, como se muestra en la figura 5.41. Los diodos Zener estin situados uno
junto al otro para asegurar proteccion para cualquier polarizacion. Si ambos diodos Zener son
de 30 V y aparece un transitorio positivo de 40 V. el Zener inferior se "disparari" a 30 V y el
superior se encendera con una caida de cero volts (de forma ideal, para la region de "encendi- G I
do" positiva de un diodo semiconductor) a waves del otro diodo. El resultado es un voltaje
maxim0 de 30 V de la compuena a la fuente. Una desventaja que se presenta con la proteccion
Zener consiste en que la resistencia de "apagado" de un diodo Zener es menor que la impedancia I
de entrada'que se estableci6 por medio de la capa de SiO,. El resultado es una reduction de la I
i--- J
resistencia de entrada, per0 aun asi es lo suficientementeilta para la mayoria de las aplicacio-
S
nes. La mayor pane de 10s dispositivos discretos tienen en la actualidad la protecci6n Zener de
tal forma que 10s cuidados anteriores no resultan tan problemiticos. Sin embarso, todavia es ngura 5.41 MOSFET protegid~
mejor manejar con cautela 10s dispositivos MOSFET discretos. por un Zener.
5.10 VMOS
Una de las desventajas del MOSFET tipico consiste en 10s reducidos niveles de manejo de
potencia (por lo general, menos de 1 W) comparado con 10s transistores BIT. Se puede superar
esta carencia de un dispositivo con tantas caracteristicas positivas mediante un cambio en la
forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5.23, a una
con una estructura vertical como la que se seRala en la figura 5.42. Todos 10s elementos del
MOSFET planar estin presentes en el FET vertical de metal-6xido-silicio (VMOS) (por las ini-
ciales en inglis de Verrical Meral-Oxide-Silicon),la conexion de la superficie metilica a las
terminales del dispositivo, la capa de SiO, entre la compuerta y la regi6n de t i p p que se
encuentra entre el drenaje y la fuente con ei objeto de crear el canal-n inducido (operaci6n en
Terminales de la fucnte
coneciadas de forma.extemu
- Lonsiiud efecriva
dei canal
5.1 1 CMOS
Puede establecerse un circuit0 16gico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de
canal-n sobre el mismo substrato, como se muestra en la figura 5.43. Se observa a la izquierda
el canal-p inducido y a la derecha el canal-n inducido, para 10s dispositivos de canal-p y de
canal-n, respectivamente. La configuration que se conoce como un arreglo complementario
de MOSFET, y se abrevia CMOS, tiene extensas aplicaciones en el disefio de 16gica de compu-
taci6n. La impedancia de entrada relativamente aka, las rapidas velocidades de conmutacion.
y 10s bajos niveles de potencia de operacion de la configuraci6n CMOS dan por resultado una
disciplina totalmente nueva que se le llama diseho lbgico CMOS.
Como muestra la figura 5.44. un inversor es un arreglo complementario de uso muy efec-
tivo. De la misma mailera que se present0 para 10s transistores de conmutacion, un inversor es
un elemento logic0 que "invierte" la sefial aplicada. Esto es, si 10s niveles Iogicos de operacion
son 0 V (estado 0) y 5 V (estado 11, un nivel de entrada de 0 V dari por resultado un nivel de 5 V
y viceversa. Se obsema en la figura 5.44 que ambas entradas estin conectadas a la sefial de
entrada y 10s dos drenajes a la salida Vo.La fuente del MOSFET de canal-p (Q,) esti conectada
directamente al voltaje aplicado Vss,mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q,) esti
conectada a tierra. Para 10s niveles 16gicos definidos arriba, la aplicacion de 5 V en la entrada
deben dar por resultado una salida aproximada de 0 V. Con 5 V en Vi (respecto a la tierra). VGS
= V jy Q, esta "encendido", dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la
fuente, como se muestra en la figura 5.45. Ya que V , y Vss estan en 5 V. VcS2= 0 V, lo cual es
menor que el V , necesario para el dispositivo y da poi resultado un estado "apagado". El nivel
de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Qz, como se muestra en la
figura 5 45. Una aplicacion simpie de la regla del divisor de voltaje indicari que Vo se en-
cuentra muy cerca de 0 V o en el estado 0. estableciendo el procesc de inversi6n deseado. Para
un voltaje aplicado V j de 0 V (estado 0). Vo, = 0 V y Q, estari apagado con VSS.= -5 V.
encendiendo el MOSFET de canal-p. El resultado consiste en que Q, presentad unpequeiio
nivel de resistencia y Q, una gran resistencia y Vo = Vss = 5 V (el estado 1). Debido a que la
corriente de drenaje que fluye en cada caso e s t limitada por el transistor "apagado" en el valor
de fuga. la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo. En el capitulo 17 se
presentan mis comentarios sobre la aplicacion de 16gica CMOS.
p{ MOSFET
de canal-p
Q2 R2 (alto)
V,, =
R , "55
---- - 0 V (estado 0)
(ertado 01
R, + R2
5 v
(estado 1 )
+ de canat-n
J1 3 1 4 JN
Y Y Y Y Y
El formato es muy similar a1 que se usa para el transistor BJT. El nombre consiste de la
literal J, que es un designador para JFET, junto con el nlimero 1. Los nodos a 10s cuales se
conectan las terminales estan listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior. Por
liltimo, se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicacion que
definiri 10s parametros del JFET.
El siguiente es el formato para la description del modelo:
El .MODEL requerido es seguido por el nombre del modelo como se list6 en la instrucci6n
anterior. NJF especifica que se trata de un JFET de canal-n, mientras que PJF explicaria un
JFET de canal-p. Se puede especificar una selection de hasta 14 parimetros. Sin embargo,
para estos prop6sitos sera suficiente especificar VTO y BETA. VTO es el voltaje de umbra1
que se especifica normalmente como V,. BETA no es la fi definida para 10s transistores BIT
sino la que se determina en la siguiente ecuacion:
BETA = -
18. Con el uso de las caracteristicas de la figura 5.2 I , determine 1, cuando VGS= -0.7 V y VDS= 10 V .
19. Al referirse a la figura 5.21, jse encuentran 10s valores de estrechamiento definidos por la rexi6n
v,,< v P = 3 V ?
20. Determine V ppara las caracteristicas de la figura 5.21 utilizando I,, e I, en algrin valor de V,,.
Esto es. solo sustituya en la ecuacibn de Shockley y resuelva para V p .Compare el resultado con el
valor supuesto de -3 V de las caracteristicas.
Problemas
21. Utilizando lD,,= 9 mAy V p= -3 V para las caracte"sticas de la figura 5.21, calcule I, cuando Vo =
-1 V usando la ecuacion de Shockley y comphela con el nivel que aparece en la figura 5.21.
22. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5.21a para V,, = 0 V desde 1, = 0 mA
hasta 4 mA.
b) Repita el inciso a para V,, = 4 . 5 V desde ID = 0 mA hasta 3 mA.
c) Al asignar el nombre r,, al resultado del inciso a y r,, al resultado del inciso b. utilice la
ecuacion (5.1) para determinar rd y comp&elo con el resultado del inciso b .
38. iAumenta laconiente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporcion que un MOSFET
de tipo decremental en la region de conduccih? Revise con cuidado el formato general de las
ecuaciones, y si sus conocimientos en matematicas abarcan el cilculo diferencial, calcule dl,/
dCiGs y compare sus magnitudes.
39. Trace las caracteristicas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si VT=
-5 V y k = 0.45 x 10-3 AIV2.
40. Dibuje la curva de I,= 0.5 x 10-3 ( P C &el, = 0.5 x (VcS-4)?para VGSdesde0 a 10 V. iTiene
un impact0 significative V,.= 4 V sobre el nivel de I, en esta regibn?
5 5.10 VMOS
41. a) Describa con sus propias palabras por quC el FET VMOS resiste unos valores mayores de
comente y potencia que la ttcnica estandar de consm~cci6n.
r 10s FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal?
b) ~ P oqut
c) iPor quC se desea un coeficiente positivo de tempaatura?
5 5.11 CMOS
* 42. a) Describa con sus propias palabras la operation de la red de la figura 5.44 con V; = 0 V.
b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5.44 (con V, = 0 V) tiene una comente de drenaje de
4 mA con VDs = 0.1 V, icuil es el nivel aproximado de resistencia dei dispositivo? Si I , =
0.5 &4 para el transistor "apagado", jcud es la resistencia aproximada del dispositivo? iSu-
gieren 10s niveles de resistencia que suceded el nivel deseado de voltaje de salida?
43. Investigue en su biblioteca escolar la l6gicaCMOS y describa el rango de operaciones y de venta-
jas basicas de esta tecnologia.
-- -- - --
* L Oastenscas
~ indican problemas mas dificiles.
Problemas
6 Polarizaci6n del FET
En el capitulo 5 se estudi6 que para una configuration de transistor de silicio se pueden obte-
ner 10s niveles de polarizacion al utilizar las ecuaciones caractensticas V,, = 0.7 V, I , = p,, e
I, z I,. La relacion entre las variables de entrada y de salida la proporciona p. la cual asumi6
una magnitud fija para el anilisis que se llev6 a cabo. El hecho de que beta sea una constante
establece una relacion lineal entre I c e I,. El duplicar el valor de I B duplicari el nivel de I,. y
as<sucesivamente.
Para el transistor de efecto de campo la relaci6n entre las cantidades de entrada y de salida
es no lineal, debido a1 ttrmino cuadritico en la ecuaci6n de Shockley. Las relaciones lineales
resultan en lineas rectas cuando se dibujan en una grifica de una variable en funcion de la otra,
mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron
para las caractensticas de transferencia de un J F E T La relacion no lineal entre ID y Vm puede
complicar el mitodo matematico del milisis de dc de las configuraciones a FET. Una soluci6n
grafica limita las soluciones a una precision de dicimas. per0 resulta un metodo mBs rapido
para la mayoria de 10s amplificadores. Debido a que el sistema grBfico es por lo general el mas
comun, el analisis de este capitulo tendri una orientacion m i s grifica en vez de ticnicas mate-
maticas directas.
Otra diferencia distintiva entre el anilisis de los transistores BJT y FET es que la variable
de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente, mientras que para el FET
la variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos la variable de salida contro-
lada es un nivel de corriente que tambien define 10s niveles importantes de voltaje del circuit0
de salida.
Las relaciones generales que pueden aplicarse al anilisis en dc de todos los amplificadores
a FET son
m
v,, = -v,
Debido a que VGG,?suna fuente fija de dc, el voltaje V es de una magnitud fija, lo que da por
6s
resultado la notacion "configuraci6n de polarizaci6n fija".
Ahora, el nivel resultante de coniente de drenaje I, lo controla la ecuacidn de Shockley:
Ya que VGSresulta una cantidad fija para esta configuracidn, su magnitud y signo pueden
sustituirse con facilidad en la ecuacion de Shockley, ademas de calcular el nivel resultante de
V,. Este es uno de 10s pocos casos en que una solucion matematica es muy directa para una
configuracion a FET.
En la figura 6.3 se rnuestra un anilisis grafico que huhiera requerido una grafica de la
ecuacidn de Shockley. Es importante recordar que la elecci6n de VGs = V, 12 dara por resulta-
do una coniente de drenaje de IDss 14 cuando se grafique la ecuacidn. Para el analisis de este
capitulo seran suficientes 10s tres puntos definidos por I,,, Vp y la interseccidn reciCu descrita
con objeto de graficar la curva.
"P "P
- "m Figurn 6.3 Grafica de la ecuaci6n
2 de Shockiey
En la figura 6.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de V,, como una linea vertical en V, =
-V,,. En cualquier punto de la linea vertical el nivel de VGSes de -VFG; el nivel de I, simple-
mente debe estar determinado en esta linea vertical. El punto donde se intersecan ambas curvas
i d \ I II i I
F~gura6.4 Bhsqueda de la solution para
"P "GS la configuration de polarizacion fija.
El voltaje del drenaje a la fuente de la secci6n de salida puede calcularse si se aplica la ley
de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera:
Recuerde que 10s voltajes de un solo subindice se refieren a1 voltaje en un punto respecto a la
tierra. Para la configuration de la fipura 6.2.
Ademas, v,, = v, - v,
0 VG = VGS + Vs = VGS + 0 v
El hecho de que VD= VDSy que VG= VGSparece obvio a partir del hecho de que V - 0 V,
s,-
per0 tambiin se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relaclon que
existe entre la notaci6n de doble subindice y de un solo subindice. Ya que la configuraci6n
necesitap dos fuentes de dc, su empleo esta limitado, y no podra incluirse en la siguiente lista
de configuhaciones FET m b comunes.
Metodo matematico:
a) VGSp= -VGG = -2 V
vp=-8v vp
- = -4 v
vcs, = -vGG 5 -2 v Figura 6.7 Soluci6n Qrdficapara
2 la red de la iigura 6.6.
~ ~~~~
rqs C
-
-
S c%
Para el anaisis en dc 10s capacitores pueden reemplazarse una vez m8s por "circuitos
abiertos", y el resistor RG puede carnbiarse por un con0 circuit0 equivalente dado que IG = 0 A.
El resultado es la red de la figura 6.9 para el analisis en dc.
La comente a traves de Rs es la coniente de la fuente Is, pero IS = ID y
'R, =
y '6s = -'RS
En este caso podemos ver que VGSes una funcion de la comente de salida ID, y no fija en Flgura 6.9 Analisis en dc de la
magnitud, como ocumo para la configuraci6n de polarization fija. configuration de autopolarizacion.
La ecuacion (6.10) esta definida por la configuracion de la red, y la ecuacion de Shockley
relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo. Ambas ecuaciones relacionan
las mismas dos variables, y permiten tanto una soluci6n matematica como una grafica.
Puede conseguirse una solucion matematica mediante la simple sustituci6n de la ecuaci6n
(6.10) en la ecuacion de Shockley como mostramos a continuacion:
A1 desarrollar el tkrmino cuadratico que se indica y al reorganizar 10s terminos, puede lograrse
una ecuaci6n de la siguiente forma:
"A; -
2
- - - - -
"'s=;",l
'
G
I
D = O A (" c s = - l $ s ~
luego
El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la linea recta como se muesua en la
figura 6.11. Luego se dibuja la linea recta por medio de la ecuaci6n (6.10) y se obtiene el punto
estable en la interseccidn de la linea recta y la c w a caractenstica del dispositivo. Los valores esta-
bles de I, y de VcS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de
interes.
Puede calcularse el valor de Vm si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff a1 circuit0 de
salida, lo que da por resultado
- --- -
SG' = -I$s
Si se elige I, = 4 mA, se obtiene
V,, = -(4 mA)(1 kR) = -4 V
El resultado es la grafica de la figura 6.13 como se defini6 mediante la red.
-7
',. ~ p p
F~gura6.14 Trazo de las caracteristicas del F~gura6.15 CBlculo dei punto Q para la red de
dispositivo para el JFET de la figura6.12. la iigura 6.12.
a) En el eje de I,.
De la ecuacion (6.10).
VGso = -0.64 V
h) En el eje de VGS
VGso G 4 . 6 V
De la ecuacion (6.10).
Podemos observar como 10s niveles mas bajos de R, acercan la recta de carg-a de la red
hacia el eje I,, mientras que 10s niveles m b altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia
el eje VGs
Figura 6.20 Arreglo de polarizaci6n rnediante divisor de voltaje. Figura 6.21 Redibujo de la red de la figura 6.20 para el andisis en dc.
El resultado es una ecuacion que todavia incluye las mismas dos variables que aparecen
en la ecuacion de Shockley: VGs e I,. Las cantidades V , y Rsestan fijas par la constmcci6n de
la red. La ecuacion (6.16) es aun la ecuaci6n para una linea recta, per0 el origen ya no es un
punto de la recta. No es dificil el procedimiento para dibujar la ecuaci6n (6.16) si se procede
como se indica a continuaci6n. Debido a que cualquier linea recta requiere la definici6n de dos
puntos, primer0 esti el hecho de que en cualquier punro a lo largo del eje horizontal de la
figura 6.22 la comente ID = 0 mA. Entonces, si se selecciona ID para ser igual a 0 mA, en
esencia se est6 estableciendo en algdn lugar sobre el eje horizontal. Puede calcularse la locali-
zacion exacta mediante la simple sustitucion de ID = 0 mA en la ecuaci6n (6.16) y encantrando
el valor resultante de V,, de la siguiente manera:
El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuacion (6.16). en caso de haber selec-
cionado ID = 0 mA, el valor de VGxpara el dibujo sera de V , volts. El punto que se acaba de
determinar aparece en la figura 6.22.
figura 6.22 Trazo de la ecuaci6n de la red para la configuration mediante divisor de voltaje
El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuaci6n (6.16). siempre que VGs = 0,
el nivel de ID esti determinado por la ecuaci6n (6.18). Esta intersecci6n aparece tambitn en la
figura 6.22.
Los dos puntos definidos arriba permiten dibujar una linea recta con objeto de representar
la ecuacion (6.16). La intersecci6n de la linea recta con la curva de transferencia en la regi6n a la
izquierda del eje vertical definira el punto de operation y 10s niveles correspondientes de ID y
de VGS.
Debido a que la interseccibn sobre el eje vertical se calcula mediante I, = VG I RS y VG esta
fijo debido a la red de entrada, 10s valores mayores de R, reduciran el nivel de la intersecci6n
I , como se muestra en la figura 6.23. Parece muy obvio a partir de la figura 6.23 que:
Cuando aumentan 10s valores de R, danpor resultado valores menores estables de I,,
asi como valores mirs negativos de VGS.
Una vez que se han calculado 10s valores estables de % y de VGS,, el anslisis restante de
la red puede desarrollarse de la manera usual. Esto es,
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3
(VP) v,,,=-1.8v V,=I.S?V figura 6.25 CBICUIO del punto Q para la
(lD=OmA) red de la iigura 6.24.
R,= 1.5 kn
pero 's = ',I
i+
= El resultado es una ec,~acionmuy similar en su formato a la ecuaci6n (6.16) que puede
sobreponerse a las caracteristicas de transferencia. empleando el mismo procedimiento de la
Figura 6.27 Cilculo de la ecuaci6n ecuaci6n (6.16). Para este ejemplo.
de la red para la coniiguraci6n de la
figura 6.26. V,, = 10 V - I,>( 1.5 kQ)
Para I, = 0 mA.
V,, = V, = 1 0 v
Para VGS= 0 V,
Los puntos que se obtienen para la grAfica estin identificados en la figura 6.28.
La curva de transferencia que result6 aparece en la figura 6.30. Si seguimos de acuerdo con la
manera que se describi6 para 10s JFET, se tiene:
V,, = V, = 1.5 V
En la figura 6.30 aparecen tanto 10s puntos de la gruica como la recta de polarizaci6n obteni-
da. El punto de operaci6n resultante:
a) Los puntos de la grifica son 10s mismos para la cuNa de transferencia como se muestra en
la figura 6.31. Para la recta de polarizacion,
La recta de polarizacion est6 incluida en la figura 6.31. Notamos en este caso que el punto de
operaci6n estable da por resultado una comente de drenaje que excede IDss con un valor posi-
tivo para VGSEI resultado:
como la que se obtuvo para la configuraci6n JFET, estableciendo el hecho que V, debe ser
menor que cero volts. Por tanto, no existe la necesidad de graficar la curva de transferencia
para 10s valores positivos de VGS, aunque en esta ocasion se hizo para completar las caractensticas
de transferencia. Un punto de la grificapara las caractensticas de transferencia de V, < 0 V es
En la figura 6.33 aparece la curva de transferencia que se obtuvo. Para la recta de polarizacidn,
-
en VGS= 0 V, ID = 0 mA. A1 elegir VGS= 6 V se obtiene
El punto Q resultante:
El siguiente ejemplo utiliza un diseiio que tambiin puede aplicarse a 10s transistores JFET.
A primera vista aparece algo simple, pero a menudo causa cierta confusi6n cuando se analiza
por primera vez debido a1 punto de operacion especial.
/I
1.5 kn
Debido a que VGSesta fija en 0 V, la coniente de drenaje debe ser I,, (por definition). En otras
palabras.
D
'GS, = Ov
/,,=lOmA
e IDQ = 10 mA v,=-+v
Por tanto, no existe la necesidad de dibujar la curva de transferencia y "GS - s
Ya que las hojas de especificaciones par lo general proporcionan el voltaje del umbra1 y un
nivel de comente de drenaje (IDlencendid,),as: coma su nivel correspondiente de VGS(encendido).
pueden definirse dos puntos de inmediato como lo muestra la figura 6.35. Para completar la
curva, primer0 tiene que determinar la constante k de la ecuacion (6.25) a partir de 10s datos de
las hojas de especificaciones mediante la sustitucion en la ecuacion (6.25) y resolviendo para
k de la siguiente manera:
Una vez que k esta definida, pueden calcularse otros niveles de IDpara 10s valores selecciona-
dos de VGs. For lo general, un punto entre VGS(Th) y VGS(encendido)
y uno un POCO mayor que
VG,,ncen,idoi ofrecerh una cantidad suficiente de puntos para graficar la ecuacion (6.25) (ob-
shvense ID, e IDien la figura 6.35).
Se obtiene una ecuaci6n que relaciona las mismas dos variables como la ecuacion (6.25).
permitiendo graficar cada una en el mismo conjunto de ejes.
Debido a que la ecuacion (6.28) es lade una linea recta, puede emplearse el mismo proce-
dimiento que se describi6 con anterioridad, para calcular los dos punlos que definiran eel trazo
sobre la grafica. Sustituyendo ID = 0 mA en la ecuacion (6.28) se obtiene
LaS graficas definidas por las ecuaciones (6.25) y (6.28) aparecen en la figura 6.38 con el
punto de operation resultante.
0
I I - L Figura 6.40 Craica de la curva d e
1 2 ! 4 5 6 7 ? 9 1 0 transferencia para el MOSFET de la
" G S ~ v~s<<n<cnd,do, figura 6.39.
como aparece tambiin en la figura 6.40. Los cuatro puntos son suficientes para graficar la
curva total para el rango de interis como se rnuestra en la figura 6.40.
t
I D = mA
Y vcs = v, - VR
Debido a que las caractensticas son una griifica d e l D en funcidn V,,. y que la ecuacion
(6.32)relacionalas mismas dos variables, pueden ,gaicarse las dos curvas en la misma ,&ca y
hacer el cAlculo de la soluci6n en la interseccidn de ambas. Un? vez que se conocen IDQy VGsd
pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de laked, tales como VDs,VDy V,.
\
EJEMPLO 6.12 Determinar IDy,VGso.asi como VDspara la red de la figura 6.43. *'
-7r--
i Fmra 6.43 Ejemplo 6.12.
SoluciBn
Red:
Dispositivo:
IDuz 6.7 mA
V,, = 12.5 V
JFET
con polarization fija -d2:
VGC +
V,,
v,,, = -V
= V",
',
-I d s
4-
Punto @
IOS>
d-;,,,
1 VP VGG 0 VCI
JFET
con autopol&rilci6n
d:
8 vnrl
0 s =
v,,
D
= -I&,
I n - 3 puntoQ -r
' "'i.,
1,
vcs
JFET V,=-
R:Vm
con polaririici4n medianre R I + R2
divisor de voltaje vm = VG - 1'8s
Vn.5 = VDD - I d R , + Rs)
v~ 0 v c Vcs
Compuena comdn
JFET
d;s v c , = Vss 1'8,
VDS = VDo + Vs - ID(R,
-
+ R,) + v@
Punto
'nis
0 Vr\ Vcr
14;;
'\
',
JFET
(Van= ov,
d2 V,, =0 V
1 0 , = I, \~\ \ , \
JG=;;
JFET
(R, = 0 R)
@j: I
vr;c=
vo = vo,,
v, = !dl,
vo, = v,, - 1 8 ,
4:
Punto Q
vp ,Gs
0
vcs
$J
MOSFET
de tipo decremental punto Q
XTcdar lar confl~urrc~onea VGS, = -VGG
rmbr dc lor carol posiuvos Vos = V D -~ l d l r
dondr VGS = "ollr,cl
~olartzazi6nt i j a v~~
@
MOSFET de ripo - R:Vm
c --
-
1:;
w -
decremental R , R2
Polxizaci6n mediante V,, = V, ISRs-
vDD
divisor de volraje V,,, = V,, -
lo(R, + R,l
&
G
F v
vc Q ,
~~4:~
MOSFET de ripo VGS= VDI
incremental V ~ =s v~~- I&D
Configuiaci6n por
rerroalimentac16n
Vc.5,n, y "00 VCI
GSienccndldo,
MOSFET de ripo v, = -
R , + R2
incremental
Polarizaci6n mediante Vc, = v, - lfi,
divisor de voltaje
A partir de la expe~ienciapasada, ahora se sabe que V,, es, por lo general, una cantidad im-
portante para determinar o escribi una ecuacion con objeto de analizar las redes con JFET. Debido
a que VGSes un valor para el cual no es nbvia una solucion inmediata. se d d enfasis a la confi-
guracion del transistor bipolar. La configuraci6n mediante divisor de voltaje es una donde
puede aplicarse la ticnica aproximada @RE = (180 x 1.6 kR) = 288 kR > 10Rz = 240 kR), lo
cual permite un calculo de V, utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuit0 de entrada.
Para V,:
-- - -
e IE = -
"RZ =%= 2.92 V = 1.825 mA
R~ RE 1.6 k 0
con I, r I, = 1.825 mA
La pregunta sobre c6mo calcular Vc no es tan obvia. Tanto VCEcomo VDSson cantidades
desconocidas que evitan que se establezca una relacion entre \ID y V , o de VEy V,. Un examen
mis cuidadoso de la figura 6.45 indica que Vc esti relacionado a V , mediante VGS(suponiendo
que VRG= 0 V). Si puede encontrarse VGS,se podri conocer V p y calcularse V , a partir de
Vc = V , - V,,
Luego surge la pregunta acerca de como encontrar el valor de &so a,partir del valor
estable de I,. Los dos valores se encueutran relacionados mediante la ec9c1on de Shockley:
V,, = -3.7 v
El nivel de Vc:
En este caso no existe una trayectona obvia para determinar un valor de voltaje o de comente
para la configuration a uansistores. Sin embargo, a1 revisar el J E T con autopolarizaci6n.
puede derivarse una ecuaci6n para VGS y asi calcular el punto de operaci6n estable resultante
con la ayuda de tecnicas gr8ficas. Esto es,
V,, = -2.6 V
IDo = I mA
IE = IC = I, = I mA
donde V Re IR a menudo son parhetros que se localizan en forma directa a partir de 10s valores
de voltaje y comente especificados.
EJEMPLO 6.15 Para la red de lafigura 6.50 estan especificados 10s niveles de V,, y de I,,. Calcularlos valores
necesarios de R, y de R,. iCu6les son 10s valores estindar mas cercanos disponibles en el
mercado?
47 kR(16 V)
v, = = 5.44 v 0 12v
47 kR + 91 k R
"DD - VD
+
con ID =
RD
\
- 16V - 12V Rs
- = 2.22 mA
1.8 kc2
Luego se escribe la ecuacion para VGSy se sustituyen 10s valores conocidos: 1 f
1
1
Figura 6.53 Ejemplo 6.17
SoIuci6n
Con ID = ID(encenmdo)
= 4 mA y VGS= VGS(encendido)
= 6 V, para esta configuraci611,
~Cuiintasveces se ha constmido una red con cuidado so10 para encontrar que cuando se
aplica la potencia, la respuesta es totalmente inesperada y no cumple con 10s calculos te6ri-
cos? 'Cu6.l es el siguiente paso? iSe trata de una mala conexion? iSe trata de una mala
lectura en el c6digo de color de un elemento resistivo o simplemente de un error en el proce-
so constmctivo? Parece muy vasto y a menudo es fmstrante el rango de posibilidades. El
proceso de localization de fallas que se describi6 al principio del aniilisis de las configura-
ciones a BJT debe cerrar la lista de posibilidades y aislar el itrea del problema siguiendo un
plan de ataque preciso. Por lo general, el proceso se inicia mediante una verificaci6n de la
construcci6n de la red y de las conexiones de las terminales. Luego, se sigue con la verifica-
ci6n de 10s niveles de voltaje entre las terminales especificas y la tierra, o entre las termina-
les de La red. Rara vez se miden 10s niveles de comente porque estos manejos obli, an a
modificar la estructura de la red con objeto de insertar el medidor de coniente. Desde luego,
una vez obtenidos 10s niveles de voltaje, pueden calcularse 10s niveles de la corriente
empleando la ley de Ohm. En cualquier caso, debe tenerse una idea del nivel esperado del
voltaje o la corriente para que la medici6n tenga cierta importancia. Por tanto, el proceso de
localizaci6n de fallas puede iniciar con cierta esperanza de txito si se entiende la operacidn
Hasta ahora el analisis se ha limitado s61o a 10s FET de canal-n. Para 10s FET de canal-p se
necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se invierten las direcciones
definidas de comente, como se muestra en la figura 6.55 para 10s diversos tipos de FET.
Se observa en todas las configuraciones de la figura 6.55 que cada voltaje de la fuente
de alimentaci6n es un voltaje negativo que consume corriente en la direcci6n indicada. En
particular, se observa que continua la notaci6n de doble subindice para 10s voltajes tal
como se defini6 para el dispositivo de canal-n: VGS,VDS.y asi sucesivamente. Sin embar-
go, en este caso VGSes positivo (positivo o negativo para el MOSFET de tip0 decremental)
Y VDsnegativo.
v, - VGS + = 0
Y vm = "G + I$,
Seleccionando I , = 0 mA se tiene
que tambien aparece en la figura 6.57. El punto de operaci6n estable que se obtiene a partir de
la figura 6.57:
I D p= 3.4 mA
v,, = 1.4 V
Debido a que la solucion de una configuraci6n a FET necesita que se dibuje la curva de trans-
ferencia en cada anilisis, se desarrollo una curva universal util para cualquier nivel de IDss
y de
Vp. En la figura 6.58 se proporciona la curva universal de un JFET de canal-n o el MOSFET
de tip0 decremental (para 10s valores negativos de VGsQ).Se observa que el eje horizontal noes
el de VGs sin0 el de un nivel normalizado definido por Val I Vp / , con la indicaci6n 1 Vp 1 , lo
que signlfica que solo &be tomatse en cuenta su magnitud, mas no su signo. Para el eje verti-
,
cal la escala tambdn es un valor normalizado de IDIID El resultado es tal que cuando I, =
",
Imel cocientees 1,y cuando VGS=Vpelcociente VGS/f I es de-1. Se observa tambiin que
la escala para I,llDss se encuentra a la izquierda en lugar de la derecha como se encontr6 para
I, en 10s ejercicios anteriores. Las dos escalas adicionales a la derecha necesitan presentarse.
La escala vertical llamada m puede utilizarse por si misma para encontrar la solucion a las
configuracionesde polarization fija. La otra escala, llamada M, se utiliza junto con la escala rn
Es importante tener en cuenta que la belleza de este mCtodo se debe a que ya no es necesario
trazar la curva de transferencia para cada analisis, a que la sobreposici6n de la recta de
polarizaci6n resulta mucho mas sencilla y a que son menos 10s calculos. El uso de 10s ejes m y
M se explica mejor mediante unos ejemplos que utilicen dicbas escalas. Una vez que ha queda-
do claro el procedimiento, es mucho mis ripido el analisis y mas preciso tambien.
Calcular 10s valores del punto de operaci6n estable tanto de ID como de VGspara la red de la EJEMPLO 6.19
figura 6.59.
16V
3.9 kR
005fi
It---- "0
Im=6mA
".----)I V,=-3v
0.05 pF
1 MR
1.6kR = = 4 0 f i
-
Calculando el valor de m, se obtiene
La recta de autopolarizaci6n definida por Rs se grafica al dibujar una lfnea recta desde el
origen y a travCs del punto definido por m = 0.31, asi como se muestra en la figura 6.50.
El punto Q obtenido:
Los valores del punto de operaci6n estable de IDy de VGSpueden calcularse desputs de la
siguiente manera:
IDp = 0.181DSS = 0.18(6 mA) = 1.08 m.4
Y VGsQ = -0.575 1 V, 1 = 4.575(3 V) = -1.73 V
EJEMPLO 6.20 Calcule 10s valores en el punto de operaci6n de I, y V, para la red de la figura 6.61.
Solucion
El calculo de m da
A1 encontrar M se tiene
Ahora que se conocen m y M, puede dibujarse la recta de polarization sobre la figura 6.60.
Entonces. se observa que aunque 10s valores de IDS, y V, sou diferentes para las dos redes,
puede utilizarse la misma curva universal. Primero se encuentra M sobre el eje M como se
indica en la f i p r a 6.60. DespuCs se dibuja una linea horizontal hacia el eje m, y en el punto de
interseccion con el eje se aiiade entonces la magnitud de m, como lo muestra la figura. Con el
punto que se obtuvo sobre el eje m y la interseccion sobre M ,se dibuja una linea recta para
intersecar la curva de transferencia y asi definir el punto Q.
J1 3 1 I JN
.noDEL JH NJF(YTO--6V BETA-.222E-31
.DC VOD 18 18 1
.PRINT DC V(1,4) I(R01
.OPTIONS NOPAGE
parametros son capturados, segdn aparecen en lafigura 6.63, de igual formaque en 10s capitulos
previos con el JFET introducido, usando 10s formatos descritos tambikn en el capitulo 5. El
voltaje que se solicita como V(1,4) es VGS y la col~ienteI(RD) es I Se obsema como son
Q Do'
similares 10s resultados con 10s del ejemplo 6.20 con I D = 4.24 mA (ejemplo 6.20) e ID@= 4.23
0
mA (PSpice), y VGSn= -1.56 V (ejemplo 6.20) y VGSQ= -1.57 V (PSpice).
procedimiento para inicializar la red con 10s enunciados VIEWPOINTS e IPROBE. El JFET
J2N3819 aparece dentro de la biblioteca eval.slb de la caja de diilogo Get Part, la cual se
- -
selecciono mediante la secuencia Draw Get New Part Browse. Cuando se elige en la
biblioteca, la Descnpcion (Description) que aparece sobre la lista en la caja de dialogo, se
BASIC
Si se utiliza un lenyuaje como BASIC, entonces es necesario encontrar una solucidn comun
mediante el empleo de tecnicas matemiticas para ecuaciones que se definieron por la red y
el dispositivo. Para la red de la figura 6.65a, se observa que el dispositivo esti descrito por la
ecuacion de Shockley (6.65b):
~~ - -~ --
,/
la cual, cuando se expande, genera la siguiente ecuacion cuadritica
siendo la solucidn real aquel valor de VGSque caiga dentro del rango entre 0 y V,. El pro,~ r a m a
probari desde luego, el valor de b' - 4ac, indicando que no existe solution en caso de tener un
valor negative. Luego, 10s voltajes del drenaje y la fuente son
En las tablas 6.2 y 6.3 se proporciona un resumen de las variables y las ecuaciones que se
utilizan en el m6dulo 11000. En la figura 6.66 aparece el listado del programa junto con una
ejecucion con 10s mismos valores utilizarios en el anz4lisis PSpice. Una vez mas es imponante
notar la col~espondenciatan cercana entre 10s resultados.
TABLA 6.2 Ecuaciones y enunciadoe TABLA 6.3 Eeuaciones y variables del programa
para el m6dulo 11000 para el m6dulo 11000
Ecuacibn Enunciado pam computadoro Variable de la ecuaci6n Variable dei pmgrama
~p
11050 D-B'2-4*A*C
11060 IF DCO THEN PRINT .NO Solutionl!!" :STOP
11070 Vl=(-B+SQR(D))/(Z*A)
11080 V2-I-B-SORID~)II2*A1
.-
.-. - .- .-
,160 RETURN
RUN
This program provides the dc bias calculations
for a JFET or depletion BIOSFET
voltage-divider configuration.
Enter the following circuit data:
R 1 (use 1E30 if open)=? 910E3
R2 =? 220E3
RS-7 1.2E3
* + F m 6.72 Problemas 6 , 7 , 3 6 . 3 9 , 4 2 .
* 7. Determine I, para la red de la figura 6.72 utilizando un mktodo purarnente matematico. Esto es.
C
establezca una ecuaci6n cuadratica para I, y seleccione la solucion compatible con las caracteris-
ticas de la red. Compi~elacon la soluci6n que se obtuvo en el problema 6.
8. Para la red de la tieura 6.73, calcule:
Problemas
* 10. Encuentre para la red de la figura 6.75:
a) I,.
b) VDy
C) Vn.
Figura 6.73 Problema 8. Figura 6.74 Problema 9. Flgura 6.75 Problems 10.
I,,=lOmA
VG Vp=-3.5 V
IlOkR
1.1 k i l
13. a) Repita el problema 12 con R, = 0.51 kR (aproximadamente el 50% del valor de 12). iCu& es
el efecto de un R, menor sobre ID y VGsQ?
Q
b) iCual es el menor valor posible de R, para la red de la figura 6.77?
A-3 v
Figura 6.80 Problema 16.
b-4 v
Figura 6.81 Problema 17 Figura 6.82 Problema 18.
Problemas
1,)
3 6.6 MOSFET de tipo incremental ,/'
dl VDs
20. Calcular para la configuraci6n mediante divisor de voltaje de la figura 6.84:
* 23. Disefie una red de autopolariraci6n empleando un transistor JFET con IDS, = 8 mA y V p= -6 V .
para obtener un punto Q en I - 4 mA utilizando una fuente de 14 V Asuma que AD = 3Rs y use
DQ -
10s valores estandar.
* 24. Disefie una red mediante divisor de voltaje empleando un MOSFET de tipo decremental con I,,
= 10 mA y V , = -4 V para obtener un punto Q en IDo= 2.5 mA utilizando una fuente de 24 V. -
Ademds. fije VG = 4 V y utilice R, = 2.5Rs con R, = 22 MQ. Utilice los valores estandar
25. Disefie una red como la que aparece en la figura 6.39 empleando un MOSFET de tipo incremental
con VGscn, = 4 V, k = 0.5 x 10-3 AN' para obtener un punto Q en I - 6 mA. Utilice una fuente
DP -
de 16 V y valores estbdar.
* 26. iQue sugieren las lecturas d e cada configuration d e la figura 6.87 acerca de la operaci6n de
la red?
Problemas
* 27. Aunque las lecturas de la figura 6.88 por principio sugieren que la redksti comportAndose de
f o m a adecuada, determine una causa probable del estado indeseable d6 la red.
* 28. La red de la figura 6.89 no esti operando de manera adecuada. ;Cuil es la causa especifica de su
falla?
C) VD.
30. Para la red de la figura 6.91, determine:
35. Desarrolle un analisis con PSpice (DOS) de la red del problema 1. Calcule ID, y VCSQ.
36. Desmolle un analisis con PSpice (DOS) de la red del problema 6. Calcule IDg y VGSy.
37. Desarrolle un analisis con PSpice (DOS) de la red del problema 15. Calcule ID,,Vcs, y Vm
38. Desmolle un anilisis con PSpice (Windows) de la red del problema 1.
39. Desarrolle un anilisis con PSpice (Windows) de la red del problema 6.
40. Desarrolle un anilisis con PSpice (Windows) de la red del problema 15.
41. Utilizando BASIC, calcule I y Vcs para la red del problema 1.
Do Q
42. Utilizando BASIC, calcule I,@y VcsQ para la red del problema 6.
43. Utilizando BASIC, caicu\e IDp.VCSQy VDsQF a la red del prdolema 12.
Problemas
- -
Modelaje de
transistores
bipolares
-=
salida, Po, de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada, Pi,y que la eficiencia
definida como q = Pipi no puede ser mayor que 1 . El factor que falta en la presentaci6n
anterior que permite que la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entrada
es la potencia aplicada de dc. gsta es una contribuci6n a la potencia total de salida, aunque
parte de ella se disipe por medio del dispositivo y 10s elementos resistivos. En otras palabras,
existe un "intercambio" de potencia de dc al dominio de ac que permite el establecirniento de
una mayor potencia de ac de salida. De hecho, se define una eflciencia de conversidn por I (constante)
medio de 7 = Poyc)IP,(,,), donde Po,,,)es la potencia en ac de la carga, y Pi(dc,es la potencia de
dc suministrada.
Quiza el papel de la fuente de dc pueda describirse mejor si se considera primer0 la red de
dc simple de la figura 7.1. La direcci6n de flujo resultante esti indicada en la figura junto con u I
una srafica de la corriente i en funcion del tiempo. Abora se insertari un mecanismo decontrol figurn Corriente estar,,le
como el que se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de control es tal, que la aplicaci6n de fij;%damediante una fuente dc.
una sefial relativamente pequeiia al mecanismo de control puede ocasionar una oscilacion mucho
mayor en el circuito de salida. Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacion esta
controlado por el nivel de dc establecido. Cualquier intento de exceder el limite establecido
por el nivel de dc darQpor resultado un "recone" (aplanado) de la regi6n pico de la sefial de
salida. Por tanto, yen general, el diseiio adecuado del amplificador requiere que 10s componentes
dc yen ac sean sensitivos a 10s requerimientos y limitaciones del otro.
Sin embargo, en realidad es una fortuna que 10s amplifieadores depequeria serial a
transistores puedan considerarse lineales para la m a y o h de las aplicaciones,
permitidndose el uso del teorema de la superposicidn para aislar el analisis dc del
analisis ac.
evidente que esto ocasionara un "cotto" del resistor de polarizaci6n RE. Recuerde que 10s
capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de dc
estable, lo que permite un aislamiento entre 10s estados de 10s niveles de dc y las condicio-
nes estables.
Si se establece una tierra comun y se reorganizan 10s elementos de la figura 7.4, R, y R2
estaran en paralelo, y R, apareceri de colector a emisor como lo muestra la figura 7.5. Debido
a que 10s componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7.5
I, C~rcultoequlvalente de lo
ac en pequek reilai
para el nanrlstor
+ Rc
z,
-
l$ + Sistema de dos
puertos
Impedancia de entrada, Zi
Para el lado de la entrada, la impedancia de enuada Z, estA definida par la ley de Ohm de la
siguiente forma:
S~srernade dos
I: 2r puenos
De este rnodo solo el 66.7% de toda la sefial de entrada esta disponible en la entrada. Si Zi fuera
so10 de 600 R, entonces V j=JT(10 mV) = 5 mV o el 50% de la sefial disponible. Desde luego.
si Z8= 8.2 kR,Vi sera del 93.3% de la sefial aplicada. Por tanto. el nivel de la impedancia de
entradapuede tener un idpacto significative sobre el nivel de la sefial que alcance ei sistema (o
amplificador). En las sigujenres secciones y capitulos se demostrara que la resistencia de entrada
en ac es dependiente en $1 caso de que el transistor este en la contiguraci6n de base comlin,
emisor comun, o de colejtor comlin y la colocacion de 10s elernentos resistivos.
EJEMPLO 7.1 Para el sistema de la figula 7.9, calcule el valor de la impedancia de entrada.
+
-
Sistema de dos
puertos
-
?i __i
Figura 7.9 Ejemplo i 1
Impedancia de sdida, Z,
La impedancia de salida naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida, pero
esta definicifin es un pocp diferente cuando se trata de la impedancia de entrada. Esto es:
La impedancia de s$lida se determinu en las terminales de salida viendo hacia at&
a1 sistema con la se@alaplicada igual a cero.
Por ejemplo, en la dgura 7.10 la sefial aplicada se hace cero volts. Para determinar Zo, se
aplica una sefial, Vs,a lasteminales de salida y se mide el nivel de Vocon un osciloscopio o un
DMM sensible. Luego s$ calcula la impedancia de salida de la siguiente rnanera:
+
Sistema de
V,=OV
dos puertos v, c
z,>
2/I v
-
--
En particular, para las frecuencias en el rango bajo a medio (normalmente 5 100 kHz):
La impedancia de salida de un amplificodor a transistor BJT es resistiva par
naturaleza y, dependiendo de la configuracidn y la colocaci6n de 10s elementas
resistivos, Z" puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder 10s ':,mpt,t ,c., hr
2 MR.
Ademas:
No se puede utilimr un dhmetro para medir la impedancia de salida en pequeiia setial Para R,>> RL
debidn a que el ohmetro trnbaja en el mod0 de dc. RL IL>>I&
- - - --
Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7.12. EJEMPLO 7.2
Sisterna dc dos
puems
V" = 680 m V V= I V
I v;ov
1- Figura 7.12 Ejemplo i.2.
Ganancia en voltaje, A,
Una de las caractensticas mis imponantes de un amplificador es la sanancia en voltaje en
pequefia sefial, como se determina mediante
Ganancia en corriente, Ai
La ultima caracteristica numerica que sera tratada es la ganancia en corriente definida mediante
Aunque por lo general Csta recibe menor atencion que la ganancia en voltaje, es, sin embargo,
una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia total de un
disefio. En general:
Para 10s amplifcadores a BJT, la ganancia en com'ente nonnalmente vana desde un
nivel apenas inferior a I hasta un nivel quepuede exceder 10s 100.
Para la situation con c a s a de la figura 7.15.
I cargada.
Relaci6n de la fase
La relaci6n de la fase entre las seaales senoidales de entrada y de salida es importante por una
variedad de razones prhcticas. Afortunadamente:
Para el transistor amplificador hpico a frecuencias quepemiten ignorar 10s efectos
de 10s elementos reactivos, los seriales de entrada y de salida estan o bien 180°fuera de
fase o en fase.
La razon de la situacion anterior se aclarari en 10s siguientes capitulos.
Resumen
Hasta aqui se han presentado 10s parametros de importancia prima'ia de un amplificador: la
impedancia de entrada Z? la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de
comenteAi y la relacion de la fase resultante. Otros factores. tales como la frecuencia aplicada
en 10s extremos bajo y alto del espectro de frecuencias. afectaran algunos de estos parametros.
per0 esto se discutirii en el capitulo 11. En las siguientes secciones y capitulos, todos 10s
parimetros se determinaran para una variedad de redes de transistores para permitir una
comparaci6n de las ventajas y de las desventajas de cada configuration.
de la figura 7.16b establece el hecho de que It = ale,apareciendo la corriente de control I< del
lado de la entrada del circuito equivalente como se determin6 en la figura 7.16a. POI tanto. se
ha establecido una equivalencia en las terminales de entrada y de salida con la fuente controlada
de corriente, proporcionando as<un vinculo entre las dos; una revision inicial hubiera sugerido
que el modelo de la figura 7.16b es un modelo valido del dispositivo real.
En el capitulo 1 se analiz6 como la resistencia en ac de un diodo puede determinarse por
medio de la ecuaci6n raC = 26 mV/1 , donde ID es la coniente de dc a traves del diodo en el
D.,
punto Q (estable). Esta misma ecuaclon se puede utilizar para encontrar la resistencia en ac
del diodo de la figura 7.16b si s61o se sustituye la coniente del emisor de la siguiente manera:
Debido a1 aislamiento que existe entre 10s circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, es
obvio que la impedancia de entrada Zipara la configuracian debase comun de un transistor
es simplemente re.Esto es,
(7.12)
Para la configuracio'n debase comun, 10s valores hpicos de Z, varian desde unos
cuantos ohms hasta un mhimo de aproximadamente 50 Q.
Vj = I<Zj = $re
asi que
Y
CB
Amplificador
v3 + BIT de base
-
-
2, comirn
Rgura 7.19 Definiclhn deAv
= V, I? para la configuracion
debase comun.
ngura 7.20 Modelo aproximado para la configuraci6n debase comcn para un transistor npn.
Para una configuration de base comun de la figura 7.17 con 1, = 4 mA. a = 0.98, y se aplica EJEMPLO 7.4
una sefial en ac de 2 mV entre las terminales de la base y el emisor:
a) Calcular la impedancia de entrada.
b) Determinar la ganancia en voltaje si se conecta una carga de 0.56 kR a las terminales de
salida.
c) Encontrar la impedancia de salida y la ganancia en comente.
Sin embargo, debido a que la beta en ac par lo general es mucho mayor que I, se empleara la
siguiente aproximacion en el analisis:
(7.18)
El voltaje Vbeesta a travCs de la resistencia del diodo coma se muestra en la figura 5.22. El
nivel de re aun esta determinado par la comente dc IE. Al aplicar la ley de Ohm da
-
eo
- - Flgura 7.22 DeterninaciOn de Z,
O utilizando el modelo aproximado.
El signo negativo simplemente refleja el hecho de que la direccion de I,, en la figura 7.26
establece~aun voltaje Vocon la polaridad opuesta. Continuando se obtiene
V , = -I,RL = -1'R -
L - - P I bR L
Y V , = 1;z;=
El signo negativo resultante para la ganancia de voltaje revela que 10s voltaje de salida y de
entrada estan fuera de fase por 180'.
La ganancia de comente para la configuration de la figura 7.26:
Ernpleando 10s hechos de que la impedancia de entrada es pre, la comente del colector es Dl,, y
la impedancia de salida es r,, el modelo equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta
litil en el siguiente m&Iisis. Para 10s valores normales de 10s parhetros, la configuraci6n de emisor
comhn puede considerarse con un valor moderado de impedancia de entrada, una alta ganancia de
voltaje y de coniente, y una impedancia de salida capaz de incluirse en el milisis de la red.
EJEMPLO 7.5 Dados P = 120 e IE= 3.2 mA, para una configuraci6n de ernisor comhn con re =
a) Z,.
- Q, calcular:
seleccionado pot las comunidades educativas e industriales. Sin embargo, hoy en dia se aplica
el modelo re con mas frecuencia, pero a menudo el parhmetro hoedel modelo hibrido equivalente
Minimo Mgrimo
lmpedancia de enuada
( I , = 1 mA d c , V , = LO V dc. f = 1 kHz) 2N4400 *,#
0.5 1 7.5 ( In 1
Relaci6n de remaiimentaci6n de volwje
(Ic = 1 mA dc. V,, = 10 V dc, f = 1 H Z ) 1 / 01 / 8.0 1 ~ 1 0 4 1
Ganancia de cornenre en pequeila seEal
(1, = I m A dc. V, = 10 V dc, f = I kHz) 2N4400 20 250 -
're
A d m i m c i a de ralida
(I, = 1 mA dc. Ifci = 10V dc. f = 1 kHz) hoe 10 30 1 $s
- -- -
c: v,
- ?
--..--.--
-2'
-
Figura 7.29 Sistema de dos puertos.
Los parhetros que relacionan las cuatro variables son llamados parametros h, por la
palabra "hibrido". Se eligib este termino debido a que la mezcla de variables (V e 0 en cada
ecuacion ocasionan un conjunto "hibrido" de unidades de medicion para 10s parametros h. Se
puede entender mejor lo que representan 10s diversos parhetros h y cbmo puede determinarse
su magnitud mediante el aislarniento de cada uno examinando la relacion resultante.
Si de forma arbitraria se hace Vo = 0 (poniendo en cono circuito las terminales de salida),
a1 resolver h I l en la ecuacion (7.23a), se obtendra lo siguiente:
ohms (7.24)
Esta relacion indica que el parametro h,, es un parametro de impedancia con las unidades de
ohms. Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la comente de entrada
estando en cono circuito las terminales de salida, se llamaparametro de impedancia de entrada a
cono circuito. El subindice 11 en h , , indica el hecho de que el parimetro se calcul6 mediante
un cociente de cantidades medido en las terminales de entrada.
Si se hace Iiigual a cero abriendo las terminales de entrada, se obtendri lo siguiente para
h12:
sin unidad (7.25)
Por tanto, el parametro h12es el cociente entre el voltaje de enuada y el voltaje de salida con la
comente de entrada igual a cero. No tiene unidades, ya que se trata de un cociente entre 10s
valores de 10s voltajes, y se llamapardmetro de la relaci6n de volraje de transferencia inversa
a circuito abierto. El subindice 12 de h12revela que el parhetro es una cantidad de transferencia
calculada mediante un cociente entre rnediciones de entrada y de salida. El primer digito del
l,,
h?, = - sin unidad (7.26)
I, lf,,=0
Obsirvese que ahora se cuenta con el cociente de una cantidad de salida a una cantidad de
entrada. Ahora se utilizari el termino directo en lugar de inverso como re aplico para h,?. El
parametro h,, es la relacion de la corriente de salida a la corriente de entrada con las terminales
de salida en corto circuito. Este parimetro. asi como I?,?. no tiene unidades debido a que se
trata del cociente entre valores de comente. De manera formal se llama pardmetro de la relucidn
de transferencia directa de corrienre a corto circuito. El subindice 21 indica una vez mas que
se trata de un parimetro de transferencia estando la cantidad de salida en el numerador y la
cantidad de entrada en el denominador.
El ultimo parirnetro. h,,.
-- se puede encontrar una vez mbs a: abrir las terminales de entrada
para hacer I, = 0 y resolviendo h,,-- en la ecuacion (7.23bJ:
Fwra 7.34 Configuration de base cornan: a) simbolo grafico:b) circuito equivalente hibrido
Figura 7.35 Efecto de la eiiminacion de h , y de ha<, Ftgura 7.36 Modeio equivalente hibrido aproximado.
dei circuitc eauivalente hibrido.
\ "
ngura 7.37 Modeio hibrido contra r,: a) configuraci6n de emisor caman; b) configuraci6n de base
Comhn.
7.7 DETERMINACION G ~ F I C A
h
DE LOS P A ~ M E T R O S
Mediante el uso de derivadas parciales (cdlculo). se puede mostrar que la maynitud de 10s
parametros h para el circuito equivalente de pequefia serial del transistor en la regi6n de operacion
para la confiyuraci6n de emisor comdn puede encontrarse mediante las siyuientes ecuaciones:'
(ohms) (7.32)
(siemens) (7.35)
'La derlvada parcial Jqiai, proporciona una medida del cambio insrantineo en v, debido a un cambio insrantineo
en i,.
Egura 7.40 Determinacihn de h,*
En la figura 7.40 se selecciono el carnbio en i, para extenderse desde I,, hasta I,: a lo
largo de la linea recta perpendicular en V,,. El carnbio correspondiente en i se encuentra mas
adelante mediante el dibujo de lineas horizontales a partir de las intersecciones de
IBe IB2con V,, = constante respecto a1 eje vertical. Todo lo que resta consiste en la sustiruci6n
de 10s cambios resultantes de i , e it en la ecuaci6n (7.34): esto es.
En la figura 7.41 se traza una Linea recta tangente a la curva de I, a travis del punto Q para
establecer unalinea en18 = constante, como lorequiere la ecuaci6n (7.35) para h,,<.Se selecciono
un carnbio en vo y se calcula el carnbio correspondiente en ic mediante el dibujo de unas
lineas horizontales a1 eje vertical en las intersecciones sobre la lfnea en que I, = constante.
Sustituyendo en la ecuacion (7.35). se obtiene
Para determinar 10s parametros hie y hre primer0 debe encontrarse el punto Q sobre la
entrada o las caractensticas de base como se indica en la figura 7.42. Para hie,se dibuja una
linea tangente a la curva en VcE= 8.4 V a travCs del punto Q, para establecer una linea en VcE
= constante como lo requiere la ecuaci6n (7.32). Luego se selecciono un ptqueiio cambio en
v,. dando por resultado un cambio correspondiente en i,. Si se sustituye en la ecuacion (7.32).
se obtiene
(733 - 718) mV
-
-
LC= c o n (20 - 10) pA v, =84 V
A iB(pA)
20 -
hinto Q
15
.
LO
-
El 6ltimo parimetro, hre, se puede encontrar: primer0 a1 dibujar una linea horizontal a
travts del punto Q en IB = 15 @. Desputs, la selecci6n natural consiste en elegir un cambio en
vcE y encontrar el cambio que resulta en vBEcomo lo muestra la figura 7.43.
Sustituyendo en la ecuaci6n (7.33), se obtiene
Para el transistor cuyas caractensticas aparecieron en las figuras 7.40 a la 7.43, el circuit0
hfbrido equivalente en pequeiia seiial es el que se muestra en la fi,ours 7.44.
G AU,, = 20 v
TABLA 7.1 Valores tipicos de 10s parhetros para las configuraciones de emisor
comun, colector comun y base c o m b
-
l C = 1 mA
,I; =5 v
T = 25' C
f = l kHz
7.9 ANALISI~PORCOMPUTADORA
Al aparecer